專利名稱：基板處理系統(tǒng)和基板處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及對基板進(jìn)行包括光刻工序的處理的基板處理系統(tǒng)和基板輸送方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體裝置的制造過程中，應(yīng)在半導(dǎo)體晶片(以下記作“晶片”)上形成圖案，再進(jìn)行光刻工序。在光刻工序中進(jìn)行如下處理，即，晶片的抗蝕劑涂敷處理、對抗蝕劑涂敷之后的晶片使用曝光掩膜進(jìn)行曝光的曝光處理、和對曝光之后的晶片進(jìn)行顯像處理的顯像處理。半導(dǎo)體裝置制造過程的光刻工序通過與工廠內(nèi)的載體的自動(dòng)輸送系統(tǒng)連接的抗蝕劑圖案形成系統(tǒng)實(shí)施。在載體內(nèi)收納有由多枚同種晶片組成的批量。而且，上述抗蝕劑圖案形成系統(tǒng)構(gòu)成為將進(jìn)行抗蝕劑涂敷涂敷裝置進(jìn)行顯像的顯像裝置和曝光裝置排成一列進(jìn)行連接，從載體搬出的晶片W按照涂敷、顯像裝置一曝光裝置一涂敷、顯像裝置的順序進(jìn)行交接并接受處理，進(jìn)行一系列的光刻處理。然而，在這種抗蝕劑圖案形成系統(tǒng)中，如果確定載體的輸送目的地的系統(tǒng)，則使用的涂敷裝置、顯像裝置、曝光裝置也唯一地確定。因此，這些涂敷裝置、顯像裝置、曝光裝置當(dāng)中，在任何一個(gè)裝置產(chǎn)生故障，則晶片的處理延遲，則對其他的處理裝置也產(chǎn)生影響，使抗蝕劑圖案形成系統(tǒng)整體的處理效率降低。特別是，由于曝光裝置的運(yùn)用方面需要較高的成本，所以若如此使處理效率降低，則浪費(fèi)的成本變大，這不是有利的辦法。因此，如專利文獻(xiàn)1所示，可以考慮將涂敷裝置、顯像裝置、曝光裝置分別作為獨(dú)立的處理裝置加以構(gòu)成，并以通過自動(dòng)輸送系統(tǒng)依次在各處理裝置之間輸送載體的方式構(gòu)成基板處理系統(tǒng)。然而，在光刻工序中，在進(jìn)行完一個(gè)處理之后，若在規(guī)定的時(shí)間之間不進(jìn)行其后面的處理，則會使產(chǎn)品的品質(zhì)降低，或其后面的處理不能正常進(jìn)行。若是發(fā)生上述狀況，則需要進(jìn)行稱為再加工的晶片的再生處理，會增加成本。但是，在上述基板處理系統(tǒng)中，當(dāng)通過載體1向曝光裝置搬入在涂布裝置進(jìn)行過抗蝕劑涂敷之后的晶片Wl時(shí)，在該曝光裝置中先進(jìn)行輸送至曝光裝置的載體2的晶片102 的處理，或者進(jìn)行維修，或者突發(fā)地在裝置產(chǎn)生不良，由此，具有在晶片Wl涂敷之后在規(guī)定的時(shí)間內(nèi)不能進(jìn)行曝光處理的問題。在專利文獻(xiàn)1中，關(guān)于這樣的問題并未記載，也沒能解決該問題?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1 日本特開2007-3；3562
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明想要解決的問題本發(fā)明是鑒于以下情況而完成的，其目的在于提供能夠在光刻工序中提高總處理能力并且防止對基板進(jìn)行浪費(fèi)的處理的基板處理系統(tǒng)和基板處理方法。本發(fā)明的基板處理系統(tǒng)，從按照批量收納基板的載體取出基板并進(jìn)行處理，該基板處理系統(tǒng)的特征在于，包括如下特征(1)具備處理裝置組，該處理裝置組具有用于對基板形成抗蝕劑膜的多個(gè)涂敷裝置；用于對基板上的抗蝕劑膜進(jìn)行曝光的多個(gè)曝光裝置、和用于通過顯像液對曝光后的基板進(jìn)行顯像的多個(gè)顯像裝置；(2)所述涂敷裝置、曝光裝置和顯像裝置分別具有搬入搬出載體的搬入搬出臺、 用于使載體待機(jī)的載體待機(jī)部、在所述搬入搬出臺和載體待機(jī)部之間移載載體的載體移載機(jī)、對載置在所述搬入搬出臺的載體交接基板的交接機(jī)構(gòu)；和對通過該交接機(jī)構(gòu)交接的基板進(jìn)行目標(biāo)的處理的處理部；(3)設(shè)置有相對于處理裝置組共用的用于從自動(dòng)輸送裝置接受載體的搬入棧、和相對于處理裝置組共用的用于向自動(dòng)輸送裝置交接載體的搬出棧；(4)設(shè)置有在彼此鄰接的處理裝置之間輸送載體的專用的輸送機(jī)構(gòu)；(5)設(shè)置有對所述處理裝置組進(jìn)行管理并且對所述載體移載機(jī)和所述專用的輸送結(jié)構(gòu)進(jìn)行控制的群組控制器；以及(6)設(shè)置有向群組控制器發(fā)送關(guān)于通過所述自動(dòng)輸送裝置輸送的載體內(nèi)的基板的處理方案的主機(jī)，其中(7)所述群組控制器具有用于實(shí)行以下步驟的程序(7-1)當(dāng)依次通過多個(gè)處理裝置對搬入所述搬入棧的載體內(nèi)的基板進(jìn)行處理時(shí)， 根據(jù)基板的處理方案和各處理裝置的處理狀況，決定在最終的處理裝置中處理結(jié)束的時(shí)刻最早的處理裝置的組合的步驟；(7-2)在所決定的處理裝置的組合中，根據(jù)基板的處理方案和各處理裝置的處理狀況，計(jì)算從預(yù)先決定的一個(gè)處理裝置的批量的處理結(jié)束時(shí)刻開始，到針對該批量而預(yù)先決定的下游一側(cè)的處理裝置的處理開始時(shí)間為止的預(yù)測經(jīng)過時(shí)間，當(dāng)預(yù)測經(jīng)過時(shí)間超過設(shè)定時(shí)間時(shí)，以將預(yù)測經(jīng)過時(shí)間縮減至設(shè)定時(shí)間內(nèi)的方式，決定向所述一個(gè)處理裝置或該一個(gè)處理裝置的上游側(cè)的處理裝置交付基板的時(shí)間的步驟；和(7-3)將收納有經(jīng)過所述多個(gè)處理裝置進(jìn)行的一系列的處理結(jié)束后的基板搬出至搬出棧的步驟。本發(fā)明的另外的基板處理系統(tǒng)，從按照批量收納有基板的載體取出基板并進(jìn)行處理，該基板處理系統(tǒng)的特征在于，包括如下特征(1)具備處理裝置組，該處理裝置組具有用于對基板形成抗蝕劑膜的多個(gè)涂敷裝置、用于對基板上的抗蝕劑膜進(jìn)行曝光的多個(gè)曝光裝置、和用于通過顯像液對曝光后的基板進(jìn)行顯像的多個(gè)顯像裝置；(2)所述涂敷裝置、曝光裝置和顯像裝置分別具有搬入搬出載體的搬入搬出臺、 用于使載體待機(jī)的載體待機(jī)部、在所述搬入搬出臺和載體待機(jī)部之間移栽載體的載體移載機(jī)、對載置在所述搬入搬出臺的載體交接基板的交接機(jī)構(gòu)、和對通過該交接機(jī)構(gòu)交接的基板進(jìn)行目標(biāo)的處理的處理部；(3)設(shè)置有對所述處理裝置組進(jìn)行管理并且對所述載體移載機(jī)進(jìn)行控制的群組控制器；以及(4)設(shè)置有向群組控制器發(fā)送關(guān)于通過所述自動(dòng)輸送裝置輸送的載體內(nèi)的基板的處理方案的主機(jī)，其中
(5)所述群組控制器具有用于實(shí)行以下步驟的程序(5-1)當(dāng)依次通過多個(gè)處理裝置對由自動(dòng)輸送裝置輸送的載體內(nèi)的基板進(jìn)行處理時(shí)，根據(jù)基板的處理方案和各處理裝置的處理狀況，決定在最終的處理裝置中處理結(jié)束的時(shí)刻最早的處理裝置的組合的步驟；(5-2)在所決定的處理裝置的組合中，通過自動(dòng)輸送裝置向最初的處理裝置的載體待機(jī)部搬入載體的步驟；(5-3)通過自動(dòng)輸送裝置，依次從上游側(cè)的處理裝置的載體待機(jī)部向下游側(cè)的處理裝置的載體待機(jī)部輸送載體的步驟；(5-4)在所決定的處理裝置的組合中，根據(jù)基板的處理方案和各處理裝置的處理狀況，計(jì)算從預(yù)先決定的一個(gè)處理裝置的批量的處理結(jié)束時(shí)刻開始到針對該批量而預(yù)先決定的下游側(cè)的處理裝置的處理開始時(shí)間為止的預(yù)測經(jīng)過時(shí)間，當(dāng)預(yù)測超過設(shè)定時(shí)間時(shí)，以將預(yù)測經(jīng)過時(shí)間縮減至設(shè)定時(shí)間內(nèi)的方式，決定向所述一個(gè)處理裝置或該一個(gè)處理裝置的上游側(cè)的處理裝置交付基板的時(shí)間的步驟；以及(5-5)通過自動(dòng)輸送裝置，從進(jìn)行完最終處理的處理裝置的載體待機(jī)部搬出收納有結(jié)束了一系列的處理的基板的載體的步驟。上述的基板處理系統(tǒng)的具體的方式如下。a)進(jìn)一步根據(jù)各處理裝置中的維修信息決定上述處理裝置的組合和上述預(yù)測經(jīng)過時(shí)間。b)上述處理裝置組包括對由顯像裝置顯像的基板進(jìn)行檢查的多個(gè)檢查裝置，上述檢查裝置包括搬入搬出載體的搬入搬出臺；用于使載體待機(jī)的載體待機(jī)部；在上述搬入搬出臺和載體待機(jī)部之間移栽載體的載體移栽部；對載置在上述搬入搬出臺的載體交接基板的交接機(jī)構(gòu)；和對通過該交接機(jī)構(gòu)交接的基板進(jìn)行檢查的檢查部。c)上述處理裝置組包括對由顯像裝置顯像的基板進(jìn)行洗凈的多個(gè)洗凈裝置，上述洗凈裝置包括搬入搬出載體的搬入搬出臺；用于使載體待機(jī)的載體待機(jī)部；在上述搬入搬出臺和載體待機(jī)部之間移栽載體的載體移栽部；對載置在上述搬入搬出臺的載體交接基板的交接機(jī)構(gòu)；和對通過該交接機(jī)構(gòu)交接的基板進(jìn)行洗凈的洗凈部。本發(fā)明的基板處理方法，為基板處理系統(tǒng)的處理方法，該處理系統(tǒng)包括處理裝置組，該處理裝置組具有用于對基板形成抗蝕劑膜的多個(gè)涂敷裝置、用于對基板上的抗蝕劑膜進(jìn)行曝光的多個(gè)曝光裝置、和用于通過顯像液對曝光后的基板進(jìn)行顯像的多個(gè)顯像裝置，所述涂敷裝置、曝光裝置和顯像裝置分別具有搬入搬出載體的搬入搬出臺、用于使載體待機(jī)的載體待機(jī)部、在所述搬入搬出臺和載體待機(jī)部之間移栽載體的載體移載機(jī)； 對載置在所述搬入搬出臺的載體交接基板的交接機(jī)構(gòu)；和對通過該交接機(jī)構(gòu)交接的基板進(jìn)行目標(biāo)的處理的處理部，該基板處理方法的特征在于，包括通過自動(dòng)輸送裝置，將按照批量收納有基板的載體搬入處理裝置組的共用的搬入棧的工序；從主機(jī)向群組控制器發(fā)送關(guān)于通過自動(dòng)輸送裝置運(yùn)送的載體內(nèi)的基板的處理方案的工序；
當(dāng)依次通過多個(gè)處理裝置對由被搬入所述搬入棧的基板進(jìn)行處理時(shí)，所述群組控制器根據(jù)基板的處理方案和各處理裝置的處理狀況，決定在最終的處理裝置中處理結(jié)束的時(shí)刻最早的處理裝置的組合的工序；在所決定的所述處理裝置的組合中，根據(jù)基板的處理方案和各處理裝置的處理狀況，計(jì)算從預(yù)先決定的一個(gè)處理裝置的批量的處理結(jié)束時(shí)刻開始到針對該批量而預(yù)先決定的下游側(cè)的處理裝置的處理開始時(shí)間為止的預(yù)測經(jīng)過時(shí)間的工序；當(dāng)預(yù)測經(jīng)過時(shí)間超過設(shè)定時(shí)間時(shí)，所述群組控制器以將預(yù)測經(jīng)過時(shí)間縮短至設(shè)定時(shí)間內(nèi)的方式，決定向所述一個(gè)處理裝置或該一個(gè)處理裝置的上游側(cè)的處理裝置交付基板的時(shí)間的工序；通過在彼此相鄰的處理裝置之間輸送載體的專用的輸送機(jī)，向下游側(cè)的處理裝置輸送收納有經(jīng)過上游側(cè)的處理裝置結(jié)束處理的基板的載體的工序；和將收納有經(jīng)過所述多個(gè)處理裝置的一系列的處理結(jié)束后的基板搬出至處理裝置的共用的搬出棧的工序。本發(fā)明的另外的基板處理方法，為基板處理系統(tǒng)的處理方法，該處理系統(tǒng)包括處理裝置組，該處理裝置組具有用于對基板形成抗蝕劑膜的多個(gè)涂敷裝置、用于對基板上的抗蝕劑膜進(jìn)行曝光的多個(gè)曝光裝置、和用于通過顯像液對曝光后的基板進(jìn)行顯像的多個(gè)顯像裝置，所述涂敷裝置、曝光裝置和顯像裝置分別具有搬入搬出載體的搬入搬出臺、用于使載體待機(jī)的載體待機(jī)部、在所述搬入搬出臺和載體待機(jī)部之間移栽載體的載體移載機(jī)； 對載置在所述搬入搬出臺的載體交接基板的交接機(jī)構(gòu)；和對通過該交接機(jī)構(gòu)交接的基板進(jìn)行目標(biāo)的處理的處理部，該基板處理方法的特征在于，包括通過自動(dòng)輸送裝置，對按照批量收納有基板的載體進(jìn)行輸送的工序；從主機(jī)向群組控制器發(fā)送關(guān)于通過自動(dòng)輸送裝置輸送的載體內(nèi)的基板的處理方案的工序；當(dāng)依次通過多個(gè)處理裝置對所述載體內(nèi)的基板進(jìn)行處理時(shí)，所述群組控制器根據(jù)基板的處理方案和各處理裝置的處理狀況，決定在最終的處理裝置中處理結(jié)束的時(shí)刻最早的處理裝置的組合的工序；通過自動(dòng)輸送裝置，向所決定的處理裝置的組合中的最上游側(cè)的處理裝置的載體待機(jī)部交接載體的工序；在所決定的處理裝置的組合中，所述群組控制器根據(jù)基板的處理方案和各處理裝置的處理狀況，計(jì)算從預(yù)先決定的一個(gè)處理裝置的批量的處理結(jié)束時(shí)刻開始到針對該批量而預(yù)先決定的下游側(cè)的處理裝置的處理開始時(shí)刻為止的預(yù)測經(jīng)過時(shí)間的工序；當(dāng)預(yù)測經(jīng)過時(shí)間超過設(shè)定時(shí)間時(shí)，所述群組控制器以將預(yù)測經(jīng)過時(shí)間縮短至設(shè)定時(shí)間內(nèi)的方式，決定向所述一個(gè)處理裝置或該一個(gè)處理裝置的上游側(cè)的處理裝置交付基板的時(shí)間的工序；通過自動(dòng)輸送裝置，從上游側(cè)的處理裝置的載體待機(jī)部向下游側(cè)的處理裝置的載體待機(jī)部依次輸送載體的工序；和通過自動(dòng)輸送裝置，從進(jìn)行了最終處理的處理裝置的載體待機(jī)部搬出收納有結(jié)束了一系列的處理的基板的載體的工序。上述的基板處理方法的具體的方式如下。a)進(jìn)一步根據(jù)各處理裝置的維修信息進(jìn)行上述處理裝置的組合的決定和上述預(yù)測經(jīng)過時(shí)間的決定。b)上述處理裝置組包括對通過顯像裝置顯像的基板進(jìn)行檢查的多個(gè)檢查裝置，上述檢查裝置包括搬入搬出載體的搬入搬出臺；用于使載體待機(jī)的載體待機(jī)部；在上述搬入搬出臺和載體待機(jī)部之間移栽載體的載體移栽部；對載置在上述搬入搬出臺的載體交接基板的交接機(jī)構(gòu)；和對通過該交接機(jī)構(gòu)交接的基板進(jìn)行檢查的檢查部。c)上述處理裝置組包括對由顯像裝置顯像的基板進(jìn)行洗凈的多個(gè)洗凈裝置，上述洗凈裝置包括搬入搬出載體的搬入搬出臺；用于使載體待機(jī)的載體待機(jī)部；在上述搬入搬出臺和載體待機(jī)部之間移栽載體的載體移栽部；對載置在上述搬入搬出臺的載體交接基板的交接機(jī)構(gòu)；和對通過該交接機(jī)構(gòu)交接的基板進(jìn)行洗凈的洗凈部。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，以最終的處理裝置的批量的處理的結(jié)束時(shí)刻為較早的方式，從含有多個(gè)涂敷裝置、多個(gè)曝光裝置、多個(gè)顯像裝置的處理裝置組中決定使用的處理裝置的組合， 進(jìn)而決定向一個(gè)處理裝置或該一個(gè)處理裝置的上游側(cè)的處理裝置交付基板的時(shí)間。因此， 能夠提高總處理能力并且能夠抑制對基板進(jìn)行浪費(fèi)的處理。


圖1是本發(fā)明的基板處理系統(tǒng)的整體結(jié)構(gòu)圖。圖2是表示構(gòu)成基板處理系統(tǒng)的處理裝置的連接的模式圖。圖3是處理裝置組的概略圖。圖4是表示裝載棧(Lord port裝載碼頭)的立體圖。圖5是構(gòu)成處理裝置組的涂敷裝置的俯視圖。圖6是構(gòu)成處理裝置組的曝光裝置的俯視圖。圖7是表示裝置間載體輸送機(jī)構(gòu)的動(dòng)作的立體圖。圖8是表示基板處理系統(tǒng)的處理工序的流程圖。圖9是表示批量的處理狀況和維修時(shí)間的時(shí)間流程圖。圖10是表示晶片的輸送通道的模式圖。圖11是表示基板處理系統(tǒng)的處理工序的流程圖。圖12是表示基板處理系統(tǒng)的處理工序的流程圖。圖13是表示基板處理系統(tǒng)的變形例的結(jié)構(gòu)圖。圖14是其他的基板處理系統(tǒng)的整體結(jié)構(gòu)圖。圖15是表示批量的處理狀況和維修時(shí)間的時(shí)間流程圖。符號的說明1基板處理系統(tǒng)10 主機(jī)11自動(dòng)輸送控制部12頂部輸送裝置
21群組控制器
25主存儲器
31選擇程序
32交付控制程序
33載體輸送控制程序
40處理裝置組
4A、4B涂敷裝置
5A、5B、5C曝光、加熱裝置
6A、6B顯像裝置
71專用輸送通道
72載體站
81裝置間載體輸送單元
82裝置內(nèi)載體輸送單元
具體實(shí)施例方式(第一實(shí)施方式)圖1是作為本發(fā)明的實(shí)施方式的基板處理系統(tǒng)1的整體結(jié)構(gòu)圖。基板處理系統(tǒng)1 由處理裝置40組構(gòu)成，在處理裝置之間對載體C進(jìn)行輸送，在晶片W上形成抗蝕劑圖案。在一個(gè)載體C收納有多枚相同種類的晶片W，將該同種的晶片W稱為批量?；逄幚硐到y(tǒng)1包括主機(jī)10、群組控制器21、頂部輸送裝置12、和上述處理裝置組40。處理裝置組40包括 涂敷裝置4A、4B ；曝光、加熱裝置5A 5C ；和顯像裝置6A、6B。主機(jī)10通過自動(dòng)輸送控制部11與頂部輸送裝置12連接。另外，主機(jī)10與群組控制器21連接，在群組控制器21的下游側(cè)與處理裝置組40連接。從群組控制器21觀看， 構(gòu)成處理裝置組40的涂敷裝置4A、4B ；曝光、加熱裝置5A 5C ；和顯像裝置6A、6B分別并列地連接。進(jìn)而，主機(jī)10在基板處理系統(tǒng)1的上游側(cè)與對晶片W進(jìn)行處理的上游側(cè)裝置連接。晶片W以收納在載體C的狀態(tài)從上游側(cè)裝置輸送至基板處理系統(tǒng)1。當(dāng)在上游側(cè)裝置的批量處理結(jié)束時(shí)，上游側(cè)裝置將表示其結(jié)束的信號發(fā)送至主機(jī)10。主機(jī)10包括程序13和存儲器14。程序13編排有步驟組，以能夠?qū)逄幚硐到y(tǒng)1的動(dòng)作進(jìn)行控制，進(jìn)行載體C和晶片W的輸送和對于晶片W的各種處理。在上述存儲器14收納有關(guān)于形成在晶片W的抗蝕劑膜的膜厚和抗蝕劑圖案的線寬等設(shè)定的各種的方案。與各方案相關(guān)聯(lián)地存儲有在處理裝置組40用于對晶片W進(jìn)行處理的參數(shù)。上述參數(shù)例如包括在各處理裝置供給的藥液的供給量、藥液的供給時(shí)間、晶片W的加熱溫度和曝光時(shí)的照度等?；逄幚硐到y(tǒng)1的用戶從設(shè)置在主機(jī)10的未圖示的輸入部，將批量與對該批量進(jìn)行處理的方案相關(guān)聯(lián)地進(jìn)行設(shè)定。然后，對群組控制器(群體控制器)21進(jìn)行說明。圖中22是總線，總線22與進(jìn)行各種運(yùn)算的CPU23、程序收納部M和主存儲器25連接。程序收納部M包括各處理裝置的選擇程序31、批量的交付控制程序32和載體輸送控制程序33，各程序例如以收納在硬盤、 軟盤、磁盤或存儲卡等的存儲介質(zhì)的狀態(tài)收納在程序收納部M。處理裝置的選擇程序31根據(jù)后述的裝置內(nèi)的模塊的調(diào)整所需要的時(shí)間、各處理裝置的維修狀況或處理狀況，決定載體C的輸送目的地。在涂敷裝置4A、4B或曝光、加熱裝置5A 5C之間等對晶片W進(jìn)行相同處理的相同的處理裝置之間，決定將載體C輸送至哪個(gè)處理裝置。批量的交付控制程序32，對后述的預(yù)測經(jīng)過時(shí)間進(jìn)行運(yùn)算，基于該運(yùn)算結(jié)果，對從輸送至涂敷裝置4A、4B的載體C向這些涂敷裝置4A、4B開始交付晶片W的時(shí)間進(jìn)行控制。 載體輸送控制程序33具有向通過處理裝置的選擇程序31所選擇的處理裝置輸送載體C的作用，對后述的載體輸送單元81、82的動(dòng)作進(jìn)行控制，并對在處理裝置間和處理裝置內(nèi)的載體C的交接進(jìn)行控制。在主存儲器25設(shè)置有方案收納部34和狀況信息數(shù)據(jù)收納部35。在方案收納部 34彼此對應(yīng)地收納有從主機(jī)10發(fā)送來的批量的ID ；對于該批量設(shè)定的方案；與該方案對應(yīng)的處理參數(shù)；和構(gòu)成批量的晶片W枚數(shù)等的附加信息。狀況信息數(shù)據(jù)實(shí)時(shí)地從各處理裝置發(fā)送給群組控制器21，收納在上述狀況信息數(shù)據(jù)收納部35，并且更新所收納的狀況信息數(shù)據(jù)。該狀況信息數(shù)據(jù)包含各處理裝置的處理狀況、維修信息和裝置內(nèi)的模塊的調(diào)整所需要的時(shí)間。上述處理狀況包括處理裝置是否運(yùn)行的數(shù)據(jù)、在未運(yùn)行的情況下再次開始運(yùn)行的時(shí)刻、到現(xiàn)在處理中的載體的處理結(jié)束為止的時(shí)間、從該時(shí)間開始進(jìn)行處理的載體的處理時(shí)間。維修信息包含對處理裝置進(jìn)行維修的時(shí)刻、從上述維修開始至該維修結(jié)束為止的時(shí)間。到現(xiàn)在處理中的載體的處理結(jié)束為止的時(shí)間是從現(xiàn)在時(shí)刻開始包含在該載體的批量的最后的晶片W返回至載體C為止的時(shí)間與該載體的交付時(shí)間的合計(jì)。載體的處理時(shí)間是從批量的最開始的晶片搬入裝置開始到批量的最后的晶片返回至載體為止的時(shí)間與載體的交付時(shí)間以及載體的準(zhǔn)備時(shí)間的合計(jì)。關(guān)于載體的準(zhǔn)備時(shí)間和交付時(shí)間在后面敘述。裝置內(nèi)的模塊的調(diào)整所需要的時(shí)間是在處理裝置結(jié)束一個(gè)批量的處理之后，為了進(jìn)行后續(xù)的批量的處理用于對各模塊的環(huán)境進(jìn)行調(diào)整所需要的時(shí)間。該模塊環(huán)境的調(diào)整包括例如通過加熱模塊對加熱晶片W的熱板的溫度進(jìn)行調(diào)整，和對曝光、加熱裝置5的曝光照度進(jìn)行調(diào)整。該調(diào)整所需要的時(shí)間，例如各處理裝置根據(jù)在該調(diào)整的前后對進(jìn)行處理的批量設(shè)定的方案決定。然后，關(guān)于處理裝置組40進(jìn)行說明。圖2表示涂敷裝置4A、4B、曝光裝置5A、5B、 5C、顯像裝置6A、6B的配置的布局。如該圖所示，涂敷裝置4A、4B、曝光、加熱裝置5A、5B、5C、 顯像裝置6A、6B以該順序排列成一列。而且，各裝置間通過載體C的專用輸送通道71連接。在圖3中為了方便說明將圖2的處理裝置組40的結(jié)構(gòu)簡化，僅僅表示涂敷裝置 4A、曝光、加熱裝置5A和顯像裝置6B。各處理裝置包括用于搬入載體C的載體站72。載體站72包括裝載棧73，通過上述專用輸送通道71連接相鄰的處理裝置間的裝載棧73、73。圖 4表示以該方式彼此連接的兩個(gè)裝載棧73、73的正面。在裝載棧73設(shè)置有成為搬入搬出臺的載體載置部74，載體載置部74包括保持載體C的保持機(jī)構(gòu)。載體載置部74在進(jìn)行載體 C的交接的后退位置和從載體C向載體站72內(nèi)交付晶片W的前進(jìn)位置之間前進(jìn)和后退。上述載體C的準(zhǔn)備時(shí)間是從載體載置部74在后退位置接受載體C開始到移動(dòng)至前進(jìn)位置交付晶片W為止的時(shí)間，在該準(zhǔn)備時(shí)間通過載體載置部74的保持機(jī)構(gòu)保持載體C， 打開載體C的蓋，并對載體載置部74所載置的載體C的高度的位置進(jìn)行調(diào)整。上述載體C的排出時(shí)間是從全部的晶片W返回至載體C開始到移動(dòng)至后退位置為止的時(shí)間，在該期間關(guān)閉載體C的蓋，并解除上述保持機(jī)構(gòu)對載體C的保持。在載體載置部74的上方側(cè)設(shè)置有架部75、76，這些架部75、76包括成為使搬入處理裝置的載體C暫時(shí)退避的載體待機(jī)部的退避區(qū)域70。當(dāng)載體載置部74被占用時(shí)，被搬入處理裝置的載體C退避至退避區(qū)域70，直到載體載置部74空出為止。而且，按照輸送至處理裝置的順序，載體C從退避區(qū)域70被輸送至載體載置部74。另外，在除去涂敷裝置4A 之外的處理裝置中，架部76的涂敷裝置4A側(cè)構(gòu)成為用于從與該涂敷裝置4A相鄰的處理裝置接受載體C的搬入棧77。在除去涂敷裝置4A之外的各處理裝置中，各處理裝置的架部76的涂敷裝置4A側(cè)構(gòu)成為用于從與該涂敷裝置4A相鄰的處理裝置接受載體C的搬入棧77。另外，如圖3所示，替代搬入棧77，在涂敷裝置4A設(shè)置有用于從頂部輸送裝置12接受載體C的共用搬入棧 78。在除去顯像裝置6B之外的各處理裝置中，各處理裝置的架部76的顯像裝置6B側(cè)設(shè)置有成為用于對與該顯像裝置6B側(cè)相鄰的處理裝置交接載體C的載體移載機(jī)的裝置間載體輸送單元81。另外在顯像裝置6B的架部76上，替代如圖3所示的裝置間載體輸送單元81，設(shè)置有用于對頂部輸送裝置12交接載體C的共用搬入棧79。另外，裝載棧73包括裝置內(nèi)載體輸送單元82。該載體輸送單元82包括沿升降軸 83升降自由的基部84和與該基部84連接并相對該基部84繞鉛直軸旋轉(zhuǎn)自由的多關(guān)節(jié)的輸送臂85。該升降軸83沿導(dǎo)軌86在橫方向移動(dòng)自由。通過載體輸送單元82，在架部75、 76的退避區(qū)域70、裝置間載體輸送單元81和載體載置部74之間交接載體C。圖4中的箭頭的位置表示為了以該方式進(jìn)行交接，輸送臂85保持載體C的狀態(tài)。對頂部輸送裝置12進(jìn)行說明。頂部輸送裝置12包括在圖3中虛線所示的軌道14 和輸送裝置主體15，輸送裝置主體15沿軌道14移動(dòng)。雖然省略圖示，但是輸送裝置主體15 包括把持載體C的把持部，從上游側(cè)的裝置將載體C輸送至涂敷裝置4A的共用搬入棧78， 并且從設(shè)置在顯像裝置6B的共用搬出棧79搬出載體C。接著，參照圖5對涂敷裝置4A進(jìn)行說明。設(shè)置在涂敷裝置4A的載體站72與處理站101連接。設(shè)置在載體站72內(nèi)的輸送臂102，在載置于載體載置臺74的載體C和設(shè)置在處理站101的交接模塊103之間交接晶片W。在處理站101中的周方向設(shè)置有交接模塊 103、疊層為多段的涂敷模塊104、和疊層為多段的加熱模塊105。另外，以被這些模塊包圍的方式設(shè)置有主輸送臂106。主輸送臂106構(gòu)成為自由地升降、轉(zhuǎn)動(dòng)和進(jìn)退，在各模塊之間交接晶片W。涂敷模塊104向晶片W供給作為藥液的抗蝕劑，形成抗蝕劑膜。涂敷裝置4B 由于與涂敷裝置4A同樣地構(gòu)成，所以省略詳細(xì)的說明。顯像裝置6A、6B包括與涂敷模塊104相對應(yīng)的顯像模塊107，在該顯像模塊107 中，替代向晶片W供給抗蝕劑，而向晶片W供給顯像液。另外，設(shè)置有與涂敷裝置4的加熱模塊105對應(yīng)的加熱模塊108。除去這些不同之處之外，顯像裝置6A、6B與涂敷裝置4A同樣地構(gòu)成。然后，參照圖6對曝光、加熱裝置5A進(jìn)行說明。曝光、加熱裝置5A具有的載體站 72與處理站111連接，設(shè)置在載體站72內(nèi)的輸送臂102，在載置于載體載置臺74的載體C 和設(shè)置在處理站111的交接模塊113之間交接晶片W。在處理站111中，沿周方向設(shè)置有交接模塊113、疊層為多段的涂敷模塊114、和交接模塊115，以被這些模塊包圍的方式設(shè)置有主輸送臂116。主輸送臂116構(gòu)成為自由地升降、轉(zhuǎn)動(dòng)、進(jìn)退，在各模塊之間交接晶片W。處理站 111經(jīng)由連接塊117與曝光裝置118連接。連接臂119在交接模塊115和曝光裝置118之間交接晶片W。曝光、加熱裝置5B、5C與曝光、加熱裝置5A同樣地構(gòu)成。參照圖7，對在處理裝置組40的各處理裝置之間交接載體C進(jìn)行說明。上述裝置間載體輸送單元81構(gòu)成為多關(guān)節(jié)臂，通過裝置內(nèi)載體輸送單元82在臂的前端部交接載體 C，其前端部以保持有載體C的狀態(tài)，向與顯像裝置6側(cè)相鄰的處理裝置的搬入棧77移動(dòng)。 搬入棧77例如包括升降自由的支撐銷81a，通過支撐銷81a和裝置間載體輸送單元81的協(xié)同作業(yè)向上述搬入棧77交接載體C。載體輸送單元81、82和搬入棧77的電源和控制器，與設(shè)置有這些輸送單元和棧的處理裝置的電源和控制器分離。由此，在輸送載體C的通道的處理裝置即使發(fā)生電源斷開， 或進(jìn)行維修，或突然停止處理，在該處理裝置中包含未進(jìn)行處理的批量的載體C，也被輸送至進(jìn)行下個(gè)工序的處理裝置。接著，參照圖8的流程對基板處理系統(tǒng)1的作用進(jìn)行說明。在該例中，對從涂敷裝置4的批量的處理結(jié)束開始至曝光加熱裝置的上述批量的處理開始為止的經(jīng)過的時(shí)間進(jìn)行控制。主機(jī)10從上游側(cè)裝置接收表示載體C的批量的處理結(jié)束了的信號(步驟Si)。主機(jī)10將信號發(fā)送至頂部輸送裝置12，頂部輸送裝置12在上游側(cè)裝置接受載體C并將載體 C搬入共用搬入棧78 (步驟S2)。主機(jī)10向群組控制器21發(fā)送上述載體C內(nèi)的批量的ID、方案、與該方案對應(yīng)的處理參數(shù)和晶片W的枚數(shù)等附帶信息，這些數(shù)據(jù)被收納在群組控制器21的主存儲器25 (步驟 S3)。而且，群組控制器21選擇能夠更早地開始上述批量的處理的涂敷裝置4。關(guān)于該涂敷裝置4的選擇，參照作為一個(gè)例子的圖9的時(shí)間流程表進(jìn)行說明。在上述載體C被搬入共用搬入棧78的時(shí)刻t0，例如在涂敷裝置4A中已經(jīng)搬入有批量A、B，在涂敷裝置4B中已經(jīng)搬入有批量C、D，這次新搬入基板處理系統(tǒng)1的批量設(shè)為批量E。另外，在涂敷裝置4A、 4B中批量A、B正在處理中。群組控制器21根據(jù)到批量A、B的載體的處理結(jié)束為止的時(shí)間、在各批量處理期間模塊的調(diào)整所需要的時(shí)間、批量C、D的載體的處理時(shí)間，分別運(yùn)算出批量C、D的載體的處理結(jié)束的時(shí)刻tl、t2。然后，群組控制器21向涂敷裝置4A、4B發(fā)送關(guān)于批量E的晶片W的枚數(shù)、方案、和處理參數(shù)等的數(shù)據(jù)。涂敷裝置4A、4B根據(jù)發(fā)送來的數(shù)據(jù)運(yùn)算出批量E的載體的處理時(shí)間，并且運(yùn)算出模塊調(diào)整所需的時(shí)間。群組控制器21接受運(yùn)算出的這些信息，對在涂敷裝置4A、4B分別對批量E進(jìn)行處理時(shí)的批量E的載體的處理結(jié)束時(shí)刻t3、t4進(jìn)行運(yùn)算。在此，上述調(diào)整的開始時(shí)刻設(shè)為是批量C、D的載體的處理結(jié)束的時(shí)刻tl、t2。然后，群組控制器21對時(shí)刻tl_t3期間、時(shí)刻t2_t4期間與在各個(gè)裝置進(jìn)行維修的時(shí)間是否重合進(jìn)行判斷。若不重合，則在tl、t2之后將上述調(diào)整結(jié)束的時(shí)刻t5、t6設(shè)為批量E的處理開始時(shí)刻。當(dāng)時(shí)刻tl-t3期間、時(shí)刻t2-t4期間分別與在各個(gè)裝置中進(jìn)行維修的時(shí)間重合時(shí)，例如從該維修結(jié)束時(shí)開始進(jìn)行上述調(diào)整，重新對批量E的處理開始時(shí)刻t5、 t6進(jìn)行運(yùn)算。在圖9的例子中，時(shí)刻tl-t3期間與在涂敷裝置4A進(jìn)行維修的時(shí)間重合。因此，如圖箭頭所示，在維修結(jié)束之后，以依次進(jìn)行上述調(diào)整、批量E的載體的處理的方式，錯(cuò)開這些調(diào)整和載體的處理時(shí)間，運(yùn)算上述處理開始時(shí)刻t5。而且，群組控制器21進(jìn)行如下決定判斷在涂敷裝置4A中的批量E的載體的處理開始時(shí)刻t5和涂敷裝置4B中的批量E的載體的處理開始時(shí)刻t6哪個(gè)為更早的時(shí)刻，而向時(shí)刻較早的涂敷裝置4輸送含有批量E的載體C。這樣，群組控制器21，在涂敷裝置4A、4B中，根據(jù)決定先在涂敷裝置4A、4B進(jìn)行處理的批量的處理情況，對為了分別在各涂敷裝置對批量E處理而能夠進(jìn)行調(diào)整的時(shí)刻進(jìn)行檢測。并且，對在涂敷裝置中該批量E的調(diào)整時(shí)間和批量E的處理時(shí)間與維修時(shí)間是否重合進(jìn)行判定。當(dāng)判定為重合時(shí)，則錯(cuò)開在維修結(jié)束時(shí)刻進(jìn)行調(diào)整的時(shí)刻，對在各裝置4A、4B 能夠進(jìn)行批量E的處理的時(shí)刻進(jìn)行檢測，根據(jù)該時(shí)刻決定批量E的輸送目的地。雖然對涂敷裝置4的決定方法進(jìn)行了說明，但是群組控制器21，即使針對曝光、加熱裝置5和顯像裝置6，也與涂敷裝置4同樣地根據(jù)各處理裝置的處理狀況、維修信息和調(diào)整時(shí)間，決定批量E的載體C的處理開始時(shí)刻。而且，決定為將批量E的載體C輸送至曝光、 加熱裝置5A 5C中處理開始時(shí)刻最早的裝置。另外，決定為將批量E的載體輸送至顯像裝置6A 6B中處理開始時(shí)刻最早的裝置(步驟S4)。即，以能夠最早結(jié)束批量E的處理的方式選擇處理裝置。群組控制器21，以發(fā)送至有步驟S4選擇出的各處理裝置的批量E的處理參數(shù)進(jìn)行處理的方式發(fā)出指示。而且，從共用搬入棧77經(jīng)由載體輸送單元81和82將載體C輸送至選擇的涂敷裝置4 (圖9的情況下是涂敷裝置4B)的載體載置臺74或退避區(qū)域70 (步驟 S5)。當(dāng)將載體C輸送至退避區(qū)域70時(shí)，在載體載置臺74空出之后，載體C被輸送至該載體載置臺74。然后，群組控制器21對選擇出的涂敷裝置4的批量E的載體的處理結(jié)束蝕刻(在圖9的例中，時(shí)刻t4是批量E的處理結(jié)束時(shí)刻)與選擇出的曝光、加熱裝置5的批量E的處理開始時(shí)刻的差進(jìn)行運(yùn)算，運(yùn)算出從涂敷處理結(jié)束到曝光處理開始為止的預(yù)測經(jīng)過時(shí)間 Tal (步驟 S6)。然后，群組控制器21對上述預(yù)測經(jīng)過時(shí)間Tal是否在設(shè)定的時(shí)間TaO以內(nèi)進(jìn)行判定(步驟S7)。當(dāng)在步驟S7判定預(yù)測經(jīng)過時(shí)間Tal在設(shè)定的時(shí)間TaO以內(nèi)時(shí)，在選擇的處理裝置4，批量E之前的批量(在圖9中批量D)的載體的處理、和用于處理批量E的模塊的調(diào)整依次結(jié)束，在能夠處理批量E的載體的時(shí)刻，開始對該載體進(jìn)行處理(步驟S8)。當(dāng)在步驟S7判定預(yù)測經(jīng)過時(shí)間Ta不在設(shè)定的時(shí)間TaO以內(nèi)時(shí)，從能夠處理批量E的時(shí)刻開始經(jīng)過(Tal-TaO)之后，開始該載體E的處理(步驟S9)。下面，參照表示晶片W的輸送通道的圖10進(jìn)行說明。從載體C交付的晶片W在涂敷裝置4中以交接模塊103 —涂敷模塊104的順序輸送，在涂敷模塊104對晶片W涂敷抗蝕劑。然后，晶片W在加熱模塊105接受加熱處理，并以交接模塊103 —載體C的順序輸送。如果在涂敷裝置4對于載體C內(nèi)的全部的晶片W的處理結(jié)束，則載體C通過輸送單元81、82向選擇的曝光、加熱裝置5的載體載置部74輸送上述載體C。若在曝光、加熱裝置5能夠開始對晶片W進(jìn)行處理，則從載體C依次交付晶片W。上述晶片W按照交接模塊 113 —交接模塊115 —曝光裝置118的順序被輸送，接受曝光處理。接受過曝光處理的晶片W按照交接模塊115 —加熱模塊114的順序被輸送，在加熱模塊114進(jìn)行加熱處理(后暴露烘干)。接受過加熱處理的晶片W經(jīng)由交接模塊113返回至載體C。然后，載體C輸送至選擇出的顯像裝置6。而且，從載體C交付的晶片W按照顯像裝置6的交接模塊103 —顯像模塊107的順序輸送，供給顯像。然后，晶片W在加熱模塊 108接受加熱處理(后烘干)，并以交接模塊103 —載體C的順序輸送(步驟S10)。全部的批量E的晶片W輸送至載體C之后，載體C被輸送至共用搬出棧79 (步驟 Sll)，群組控制器21向主機(jī)10輸出表示已經(jīng)能夠準(zhǔn)備搬出載體C的意思的信號。主機(jī)10 向頂部輸送裝置12發(fā)送信號，頂部輸送裝置12通過共用搬出棧79接受載體C，并向下游側(cè)的裝置輸送該載體C (步驟S12)。采用該基板處理系統(tǒng)1，群組控制器21根據(jù)處理裝置的批量的處理情況和維修情況，在相同種類的處理裝置中選擇批量的處理的開始時(shí)刻較早的裝置。由此，例如與在涂敷、顯像裝置連接有曝光裝置的基板處理系統(tǒng)相比，能夠以上述的方式按照處理裝置的情況選擇批量的輸送目的地，所以在各處理裝置能夠高效地進(jìn)行批量的處理，能夠提高總處理能力。另外，計(jì)算從在選擇的涂敷裝置4的處理結(jié)束時(shí)刻到曝光處理開始時(shí)刻為止的預(yù)測經(jīng)過時(shí)間Tal，根據(jù)該預(yù)測經(jīng)過時(shí)間對晶片W的交付進(jìn)行控制。因此，能夠?qū)ο蚓琖涂敷抗蝕劑之后，到曝光為止的時(shí)間變長進(jìn)行抑制，能夠防止對晶片W進(jìn)行無用的處理，能夠降低成本。在該基板處理系統(tǒng)1中，頂部輸送裝置12僅僅在搬入共用搬入棧78時(shí)和從共用搬出棧79搬出時(shí)的兩次，訪問一個(gè)載體C。而且，在各處理裝置之間，載體C通過基板處理系統(tǒng)1的專用的裝置間載體輸送單元81進(jìn)行交接。因此，由于與頂部輸送裝置12對每個(gè)處理裝置搬入搬出晶片W的情況相比，頂部輸送裝置12的負(fù)載變輕，并且不根據(jù)頂部輸送裝置12的動(dòng)作情況能夠在處理裝置間輸送載體C，所以能夠提高總處理能力。下面，圖11表示第一實(shí)施方式的第一變形例的流程。在該變形例中，替代對從抗蝕劑涂敷處理結(jié)束之后至曝光處理開始為止的預(yù)測經(jīng)過時(shí)間進(jìn)行控制，而對從曝光、加熱處理結(jié)束后至顯像處理開始為止的預(yù)測經(jīng)過時(shí)間進(jìn)行控制。首先，按照已述的步驟Sl S5 進(jìn)行處理。而且，與第一實(shí)施方式相同，群組控制去21根據(jù)各處理裝置的處理狀況、維修信息和調(diào)整時(shí)間，對任意的批量的載體C的曝光、加熱裝置的處理結(jié)束時(shí)刻和顯像處理開始時(shí)刻進(jìn)行運(yùn)算。進(jìn)而，對從上述曝光加熱處理結(jié)束時(shí)刻至顯像處理開始時(shí)刻為止的預(yù)測經(jīng)過時(shí)間Tbl進(jìn)行運(yùn)算(步驟S101)。然后，群組控制器21對運(yùn)算出的預(yù)測經(jīng)過時(shí)間Tbl是否在預(yù)先設(shè)定的時(shí)間TbO以內(nèi)進(jìn)行判定(步驟S102)。當(dāng)在步驟S102判定預(yù)測經(jīng)過時(shí)間Tbl在預(yù)先設(shè)定的時(shí)間TbO以內(nèi)時(shí)，在上述載體 C能夠進(jìn)行處理的時(shí)刻，在選擇出的涂敷裝置4開始對批量進(jìn)行處理(步驟S103)。當(dāng)在步驟S103判定預(yù)測經(jīng)過時(shí)間Tbl未在預(yù)先設(shè)定的時(shí)間TbO以內(nèi)時(shí)，從上述載體C能夠進(jìn)行處理的時(shí)刻經(jīng)過(Tbl-Tbo)之后開始對批量E進(jìn)行處理(步驟S104)。然后，按照已述的步驟 SlO S12進(jìn)行處理。圖12表示第一實(shí)施方式的第二變形例的流程。在該第二變形例中，對從抗蝕劑涂敷處理結(jié)束之后至曝光處理開始為止的預(yù)測經(jīng)過時(shí)間和曝光、加熱處理結(jié)束之后至顯像處理開始為止的預(yù)測經(jīng)過時(shí)間的雙方進(jìn)行控制。首先，按照已述的步驟Sl S5進(jìn)行處理，然后群組控制器21與第一實(shí)施方式的步驟S6同樣，根據(jù)各處理裝置的處理狀況、維修信息和調(diào)整時(shí)間，對任意的批量的載體C在涂敷裝置中的處理結(jié)束時(shí)刻至曝光開始時(shí)刻為止的預(yù)測經(jīng)過時(shí)間Tal進(jìn)行計(jì)算。另外，群組控制器21與第一實(shí)施方式的步驟SlOl同樣，對從曝光加熱處理結(jié)束時(shí)刻至顯像處理開始時(shí)刻為止的預(yù)測經(jīng)過時(shí)間Tbl進(jìn)行運(yùn)算(步驟S201)。然后，群組控制器21對運(yùn)算出的預(yù)測經(jīng)過時(shí)間Tal是否在預(yù)先設(shè)定的時(shí)間TaO以內(nèi)進(jìn)行判定。進(jìn)而，對預(yù)測經(jīng)過時(shí)間Tbl是否在預(yù)先設(shè)定的時(shí)間TbO以內(nèi)進(jìn)行判定(步驟 S202)。當(dāng)判定為預(yù)測經(jīng)過時(shí)間Tal在預(yù)先設(shè)定的時(shí)間TaO以內(nèi)且預(yù)測經(jīng)過時(shí)間Tbl在預(yù)先設(shè)定的時(shí)間TbO以內(nèi)時(shí)，在選擇出的涂敷裝置4能夠?qū)ι鲜雠窟M(jìn)行處理的時(shí)刻，開始對該批量進(jìn)行處理(步驟S203)。當(dāng)預(yù)測經(jīng)過時(shí)間Tal超過預(yù)先設(shè)定的時(shí)間TaO或預(yù)測經(jīng)過時(shí)間Tbl超過預(yù)先設(shè)定的時(shí)間TbO時(shí)，群組控制器21對該超過的時(shí)間進(jìn)行運(yùn)算。而且，在選擇了的涂敷裝置4變成能夠?qū)ι鲜雠窟M(jìn)行處理的時(shí)刻開始，在經(jīng)過了運(yùn)算過的時(shí)間之后時(shí)，開始對批量進(jìn)行處理(步驟S204)。當(dāng)判定預(yù)測經(jīng)過時(shí)間Tal超過預(yù)先設(shè)定的時(shí)間TaO，或預(yù)測經(jīng)過時(shí)間Tbl超過預(yù)先設(shè)定的時(shí)間TbO時(shí)，群組控制器21對各預(yù)測經(jīng)過時(shí)間Tal、Tbl分別運(yùn)算所超過的時(shí)間。而且，當(dāng)從能夠?qū)ι鲜雠窟M(jìn)行處理的時(shí)刻經(jīng)過了超過的時(shí)間較長的一方的時(shí)間之后，在選擇出的涂敷裝置4開始對該批量進(jìn)行處理(步驟S204)。然后，按照上述的步驟SlO S12 進(jìn)行處理。在基板處理系統(tǒng)1中，針對批量，例如用戶能夠任意地選擇以上述的方式對從哪個(gè)工序的處理結(jié)束至哪個(gè)工序的處理開始為止的時(shí)間進(jìn)行控制。(第二實(shí)施方式)圖13表示第二實(shí)施方式的基板處理系統(tǒng)121的布局。按照涂敷裝置4A、4B、曝光裝置5A、5B、顯像裝置6A、6B、檢查裝置7A、7B的順序連接。檢查裝置7A、7B包括對顯像后的晶片W的表面狀態(tài)進(jìn)行檢查的檢查模塊，檢查裝置7A、7B除了在處理站101搭載上述檢查模塊來替代涂敷模塊之外，與涂敷裝置4A同樣地構(gòu)成。顯像后的晶片W通過檢查裝置7A或7B檢查。載體C從涂敷裝置4A側(cè)向檢查裝置 7B側(cè)輸送，在檢查裝置7B的載體站72設(shè)置有共用搬出棧79。在該基板處理系統(tǒng)121中，與基板處理系統(tǒng)1同樣地從各裝置將維修信息、晶片W 的處理狀況和根據(jù)方案而決定的調(diào)整時(shí)間發(fā)送至群組控制器21，群組控制器21根據(jù)這些， 決定批量的輸送目的地。有關(guān)涂敷裝置4、曝光、加熱裝置5、顯像裝置6之外的檢查裝置， 對于要將批量輸送至7A、7B的那一個(gè)，也決定為處理開始時(shí)刻較早的一方。然后，與第一實(shí)施方式同樣地控制向涂敷裝置4交付批量。在該基板處理系統(tǒng)121中，與第一實(shí)施方式的各例同樣地，對檢查裝置的處理開始時(shí)刻和其上游側(cè)的處理裝置的處理結(jié)束時(shí)刻之間的預(yù)測經(jīng)過時(shí)間進(jìn)行運(yùn)算，能夠以根據(jù)該預(yù)測經(jīng)過時(shí)間向涂敷裝置送出晶片W的方式進(jìn)行控制?？梢蕴娲鷻z查裝置7A、7B設(shè)置對顯像處理之后的晶片W進(jìn)行洗凈處理的多個(gè)洗凈裝置。洗凈裝置除了具有向晶片W供給洗凈液進(jìn)行洗凈的洗凈模塊替代檢查模塊之外，其他是與檢查裝置7A、7B是相同的結(jié)構(gòu)。洗凈裝置可以設(shè)置在檢查模塊7A、7B的上游，也可以設(shè)置在檢查模塊7A、7B的下游。群組控制器21和主機(jī)10的連接并不限制于圖1的例子，也可以如圖14所示的方式連接。在該例中，群組控制器21在主機(jī)10的下游與處理裝置組40并列連接。在該例中， 從主機(jī)10向群組控制器21和處理裝置組發(fā)送批量的ID、批量的方案和處理參數(shù)。當(dāng)群組控制器21發(fā)生了故障時(shí)，雖然不能對上述那樣的根據(jù)處理裝置40的選擇、預(yù)測經(jīng)過時(shí)間的批量的交付進(jìn)行控制，但是處理裝置組40能夠獨(dú)立動(dòng)作，在處理裝置之間輸送晶片W，進(jìn)行處理。雖然在上述各例中設(shè)置有裝置間載體輸送機(jī)構(gòu)81，但是能夠使用頂部輸送裝置 12替代設(shè)置這樣的載體輸送機(jī)構(gòu)在各裝置間輸送載體C。例如，在各處理裝置設(shè)置搬出棧來替代載體輸送機(jī)構(gòu)81，將在處理裝置完成處理的載體C輸送至該搬出棧。而且，頂部輸送裝置12從上述搬出棧接受載體C，可以將該載體C載置到選擇出的下游的處理裝置的搬入棧77。例如，在各實(shí)施方式中，與各處理裝置的維修時(shí)間無關(guān)，群組控制其21根據(jù)批量的處理狀況和調(diào)整時(shí)間，決定批量的輸送目的地的處理裝置，進(jìn)而可以對從載體C交付晶片W進(jìn)行控制。以下，對這樣的一個(gè)例子進(jìn)行說明。在該例中，與第一實(shí)施方式同樣地對從在涂敷裝置4的處理之后至曝光、加熱裝置5的處理開始為止的時(shí)間進(jìn)行控制。如第一實(shí)施方式的圖9所示，當(dāng)設(shè)定批量A 批量D的處理時(shí)間和用于對各批量 C 批量E進(jìn)行處理的調(diào)整時(shí)間時(shí)，若不考慮維修時(shí)間，批量E能夠處理的時(shí)刻在涂敷裝置 4A的一方較早，因此群組處理器21決定為將批量E的載體輸送至該涂敷裝置4A。并且，按照上述的步驟S5 S6，將批量E的載體輸送至涂敷裝置4A，運(yùn)算預(yù)測經(jīng)過時(shí)間Tal。在此，在各涂敷裝置4中，當(dāng)例如維修時(shí)間與批量的調(diào)整時(shí)間和處理時(shí)間重合時(shí)， 則以將維修的開始時(shí)刻與該批量的處理結(jié)束時(shí)刻錯(cuò)開的方式進(jìn)行變更。具體而言，關(guān)于上述批量E，如圖15(a)所示，由于涂敷裝置4A的維修時(shí)間與該批量E的調(diào)整時(shí)間和處理時(shí)間重合，所以如圖15(b)所示，涂敷裝置4A以從批量E的處理結(jié)束的時(shí)刻t3開始維修的方式改變維修時(shí)間的設(shè)定。關(guān)于批量E，其后按照上述的S7以后的步驟進(jìn)行處理。關(guān)于由該改變設(shè)定而產(chǎn)生的搬入的涂敷裝置4A的后續(xù)的批量(在圖15中是批量 F)的處理開始時(shí)刻發(fā)生改變的信息，從涂敷裝置4A發(fā)送至群組控制器21。群組控制器21 根據(jù)這樣更新的涂敷裝置4A的處理狀況，針對輸送目的地未決定的后續(xù)的批量，與批量E 同樣地決定輸送目的地，并進(jìn)行處理。即使在這樣的實(shí)施方式中，也具有與上述的實(shí)施方式相同的效果，但是如第一實(shí)施方式那樣，群組控制器21也參照維修時(shí)間對處理裝置進(jìn)行選定和對預(yù)測經(jīng)過時(shí)間Tal進(jìn)行運(yùn)算，能夠更可靠地對晶片W的交付時(shí)刻進(jìn)行管理，能夠抑制對晶片W進(jìn)行無用的處理。
權(quán)利要求
1.一種基板處理系統(tǒng)，其從按照批量收納基板的載體中取出基板并進(jìn)行處理，該基板處理系統(tǒng)的特征在于(1)具備處理裝置組，該處理裝置組具有用于對基板形成抗蝕劑膜的多個(gè)涂敷裝置； 用于對基板上的抗蝕劑膜進(jìn)行曝光的多個(gè)曝光裝置、和用于通過顯像液對曝光后的基板進(jìn)行顯像的多個(gè)顯像裝置；(2)所述涂敷裝置、曝光裝置和顯像裝置各自具有搬入搬出載體的搬入搬出臺、用于使載體待機(jī)的載體待機(jī)部、在所述搬入搬出臺和載體待機(jī)部之間移載載體的載體移載機(jī)、 對載置在所述搬入搬出臺的載體交接基板的交接機(jī)構(gòu)；和對通過該交接機(jī)構(gòu)交接的基板進(jìn)行目標(biāo)的處理的處理部；(3)設(shè)置有相對于處理裝置組共用的用于從自動(dòng)輸送裝置接受載體的搬入棧、和相對于處理裝置組共用的用于向自動(dòng)輸送裝置交接載體的搬出棧；(4)設(shè)置有在彼此鄰接的處理裝置之間輸送載體的專用的輸送機(jī)構(gòu)；(5)設(shè)置有對所述處理裝置組進(jìn)行管理并且對所述載體移載機(jī)和所述專用的輸送結(jié)構(gòu)進(jìn)行控制的群組控制器；以及(6)設(shè)置有向群組控制器發(fā)送由所述自動(dòng)輸送裝置輸送的載體內(nèi)的基板的相關(guān)處理方案的主機(jī)，其中(7)所述群組控制器具有用于實(shí)行以下步驟的程序(7-1)當(dāng)依次通過多個(gè)處理裝置對搬入所述搬入棧的載體內(nèi)的基板進(jìn)行處理時(shí)，根據(jù)基板的處理方案和各處理裝置的處理狀況，決定在最終的處理裝置中處理結(jié)束的時(shí)刻最早的處理裝置的組合的步驟；(7-2)在所決定的處理裝置的組合中，根據(jù)基板的處理方案和各處理裝置的處理狀況， 計(jì)算從預(yù)先決定的一個(gè)處理裝置的批量的處理結(jié)束時(shí)刻開始，到針對該批量而預(yù)先決定的下游一側(cè)的處理裝置的處理開始時(shí)間為止的預(yù)測經(jīng)過時(shí)間，當(dāng)預(yù)測經(jīng)過時(shí)間超過設(shè)定時(shí)間時(shí)，以將預(yù)測經(jīng)過時(shí)間縮減至設(shè)定時(shí)間內(nèi)的方式，決定向所述一個(gè)處理裝置或該一個(gè)處理裝置的上游側(cè)的處理裝置交付基板的時(shí)間的步驟；和(7-3)將收納有經(jīng)過所述多個(gè)處理裝置進(jìn)行的一系列的處理結(jié)束后的基板搬出至搬出棧的步驟。
2.一種基板處理系統(tǒng)，其從按照批量收納有基板的載體取出基板并進(jìn)行處理，該基板處理系統(tǒng)的特征在于(1)具備處理裝置組，該處理裝置組具有用于對基板形成抗蝕劑膜的多個(gè)涂敷裝置、用于對基板上的抗蝕劑膜進(jìn)行曝光的多個(gè)曝光裝置、和用于通過顯像液對曝光后的基板進(jìn)行顯像的多個(gè)顯像裝置；(2)所述涂敷裝置、曝光裝置和顯像裝置分別具有搬入搬出載體的搬入搬出臺、用于使載體待機(jī)的載體待機(jī)部、在所述搬入搬出臺和載體待機(jī)部之間移栽載體的載體移載機(jī)、 對載置在所述搬入搬出臺的載體交接基板的交接機(jī)構(gòu)、和對通過該交接機(jī)構(gòu)交接的基板進(jìn)行目標(biāo)的處理的處理部；(3)設(shè)置有對所述處理裝置組進(jìn)行管理并且對所述載體移載機(jī)進(jìn)行控制的群組控制器；以及(4)設(shè)置有向群組控制器發(fā)送由所述自動(dòng)輸送裝置輸送的載體內(nèi)的基板的相關(guān)處理方案的主機(jī)，其中(5)所述群組控制器具有用于實(shí)行以下步驟的程序(5-1)當(dāng)依次通過多個(gè)處理裝置對由自動(dòng)輸送裝置輸送的載體內(nèi)的基板進(jìn)行處理時(shí)， 根據(jù)基板的處理方案和各處理裝置的處理狀況，決定在最終的處理裝置中處理結(jié)束的時(shí)刻最早的處理裝置的組合的步驟；(5-2)在所決定的處理裝置的組合中，通過自動(dòng)輸送裝置向最初的處理裝置的載體待機(jī)部搬入載體的步驟；(5-3)通過自動(dòng)輸送裝置，依次從上游側(cè)的處理裝置的載體待機(jī)部向下游側(cè)的處理裝置的載體待機(jī)部輸送載體的步驟；(5-4)在所決定的處理裝置的組合中，根據(jù)基板的處理方案和各處理裝置的處理狀況， 計(jì)算從預(yù)先決定的一個(gè)處理裝置的批量的處理結(jié)束時(shí)刻開始到針對該批量而預(yù)先決定的下游側(cè)的處理裝置的處理開始時(shí)間為止的預(yù)測經(jīng)過時(shí)間，當(dāng)預(yù)測超過設(shè)定時(shí)間時(shí)，以將預(yù)測經(jīng)過時(shí)間縮減至設(shè)定時(shí)間內(nèi)的方式，決定向所述一個(gè)處理裝置或該一個(gè)處理裝置的上游側(cè)的處理裝置交付基板的時(shí)間的步驟；以及(5-5)通過自動(dòng)輸送裝置，將收納有結(jié)束了一系列的處理的基板的載體從進(jìn)行了最終處理的處理裝置的載體待機(jī)部搬出的步驟。
3.如權(quán)利要求1或2所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于進(jìn)一步根據(jù)各處理裝置中的維修信息決定所述處理裝置的組合和所述預(yù)測經(jīng)過時(shí)間。
4.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于所述處理裝置組包括對由顯像裝置顯像的基板進(jìn)行檢查的多個(gè)檢查裝置， 所述檢查裝置包括搬入搬出載體的搬入搬出臺；用于使載體待機(jī)的載體待機(jī)部；在所述搬入搬出臺和載體待機(jī)部之間移栽載體的載體移栽部；對載置在所述搬入搬出臺的載體交接基板的交接機(jī)構(gòu)；和對通過該交接機(jī)構(gòu)交接的基板進(jìn)行檢查的檢查部。
5.如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于所述處理裝置組包括對由顯像裝置顯像的基板進(jìn)行洗凈的多個(gè)洗凈裝置， 所述洗凈裝置包括搬入搬出載體的搬入搬出臺；用于使載體待機(jī)的載體待機(jī)部；在所述搬入搬出臺和載體待機(jī)部之間移栽載體的載體移栽部；對載置在所述搬入搬出臺的載體交接基板的交接機(jī)構(gòu)；和對通過該交接機(jī)構(gòu)交接的基板進(jìn)行洗凈的洗凈部。
6.一種基板處理方法，其為基板處理系統(tǒng)的處理方法，該處理系統(tǒng)包括處理裝置組，該處理裝置組具有用于對基板形成抗蝕劑膜的多個(gè)涂敷裝置、用于對基板上的抗蝕劑膜進(jìn)行曝光的多個(gè)曝光裝置、和用于通過顯像液對曝光后的基板進(jìn)行顯像的多個(gè)顯像裝置，所述涂敷裝置、曝光裝置和顯像裝置分別具有搬入搬出載體的搬入搬出臺、用于使載體待機(jī)的載體待機(jī)部、在所述搬入搬出臺和載體待機(jī)部之間移栽載體的載體移載機(jī)；對載置在所述搬入搬出臺的載體交接基板的交接機(jī)構(gòu)；和對通過該交接機(jī)構(gòu)交接的基板進(jìn)行目標(biāo)的處理的處理部，該基板處理方法的特征在于，包括通過自動(dòng)輸送裝置，將按照批量收納有基板的載體搬入處理裝置組的共用的搬入棧的工序；從主機(jī)向群組控制器發(fā)送由自動(dòng)輸送裝置運(yùn)送的載體內(nèi)的基板的相關(guān)處理方案的工序；當(dāng)依次通過多個(gè)處理裝置對由被搬入所述搬入棧的載體內(nèi)基板進(jìn)行處理時(shí)，所述群組控制器根據(jù)基板的處理方案和各處理裝置的處理狀況，決定在最終的處理裝置中處理結(jié)束的時(shí)刻最早的處理裝置的組合的工序；在所決定的所述處理裝置的組合中，根據(jù)基板的處理方案和各處理裝置的處理狀況， 計(jì)算從預(yù)先決定的一個(gè)處理裝置的批量的處理結(jié)束時(shí)刻開始到針對該批量而預(yù)先決定的下游側(cè)的處理裝置的處理開始時(shí)間為止的預(yù)測經(jīng)過時(shí)間的工序；當(dāng)預(yù)測經(jīng)過時(shí)間超過設(shè)定時(shí)間時(shí)，所述群組控制器以將預(yù)測經(jīng)過時(shí)間縮短至設(shè)定時(shí)間內(nèi)的方式，決定向所述一個(gè)處理裝置或該一個(gè)處理裝置的上游側(cè)的處理裝置交付基板的時(shí)間的工序；通過在彼此相鄰的處理裝置之間輸送載體的專用的輸送機(jī)，向下游側(cè)的處理裝置輸送收納有經(jīng)過上游側(cè)的處理裝置結(jié)束處理的基板的載體的工序；和將收納有結(jié)束了所述多個(gè)處理裝置進(jìn)行的一系列的處理結(jié)束后的基板搬出至處理裝置的共用的搬出棧的工序。
7. 一種基板處理方法，其為基板處理系統(tǒng)的處理方法，該處理系統(tǒng)包括處理裝置組，該處理裝置組具有用于對基板形成抗蝕劑膜的多個(gè)涂敷裝置、用于對基板上的抗蝕劑膜進(jìn)行曝光的多個(gè)曝光裝置、和用于通過顯像液對曝光后的基板進(jìn)行顯像的多個(gè)顯像裝置，所述涂敷裝置、曝光裝置和顯像裝置分別具有搬入搬出載體的搬入搬出臺、用于使載體待機(jī)的載體待機(jī)部、在所述搬入搬出臺和載體待機(jī)部之間移栽載體的載體移載機(jī)；對載置在所述搬入搬出臺的載體交接基板的交接機(jī)構(gòu)；和對通過該交接機(jī)構(gòu)交接的基板進(jìn)行目標(biāo)的處理的處理部，該基板處理方法的特征在于，包括通過自動(dòng)輸送裝置，對按照批量收納有基板的載體進(jìn)行輸送的工序； 從主機(jī)向群組控制器發(fā)送關(guān)于通過自動(dòng)輸送裝置輸送的載體內(nèi)的基板的處理方案的工序；所述群組控制器根據(jù)基板的處理方案和各處理裝置的處理狀況，決定當(dāng)依次通過多個(gè)處理裝置對所述載體內(nèi)的基板進(jìn)行處理時(shí)，在最終的處理裝置中處理結(jié)束的時(shí)刻最早的處理裝置的組合的工序；通過自動(dòng)輸送裝置，向所決定的處理裝置的組合中的最上游側(cè)的處理裝置的載體待機(jī)部交接載體的工序；在所決定的處理裝置的組合中，所述群組控制器根據(jù)基板的處理方案和各處理裝置的處理狀況，計(jì)算從預(yù)先決定的一個(gè)處理裝置的批量的處理結(jié)束時(shí)刻開始到針對該批量而預(yù)先決定的下游側(cè)的處理裝置的處理開始時(shí)刻為止的預(yù)測經(jīng)過時(shí)間的工序；當(dāng)預(yù)測經(jīng)過時(shí)間超過設(shè)定時(shí)間時(shí)，所述群組控制器以將預(yù)測經(jīng)過時(shí)間縮短至設(shè)定時(shí)間內(nèi)的方式，決定向所述一個(gè)處理裝置或該一個(gè)處理裝置的上游側(cè)的處理裝置交付基板的時(shí)間的工序；通過自動(dòng)輸送裝置，從上游側(cè)的處理裝置的載體待機(jī)部向下游側(cè)的處理裝置的載體待機(jī)部依次輸送載體的工序；和通過自動(dòng)輸送裝置，從進(jìn)行了最終處理的處理裝置的載體待機(jī)部搬出收納有結(jié)束了一系列的處理的基板的載體的工序。
8.如權(quán)利要求6或7所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于進(jìn)一步根據(jù)各處理裝置的維修信息進(jìn)行所述處理裝置的組合的決定和所述預(yù)測經(jīng)過時(shí)間的決定。
9.如權(quán)利要求6至8中任一項(xiàng)所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于 所述處理裝置組包括對通過顯像裝置顯像的基板進(jìn)行檢查的多個(gè)檢查裝置，所述檢查裝置包括搬入搬出載體的搬入搬出臺；用于使載體待機(jī)的載體待機(jī)部；在所述搬入搬出臺和載體待機(jī)部之間移栽載體的載體移栽部；對載置在所述搬入搬出臺的載體交接基板的交接機(jī)構(gòu)；和對通過該交接機(jī)構(gòu)交接的基板進(jìn)行檢查的檢查部。
10.如權(quán)利要求6至9中任一項(xiàng)所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于 所述處理裝置組包括對由顯像裝置顯像的基板進(jìn)行洗凈的多個(gè)洗凈裝置，所述洗凈裝置包括搬入搬出載體的搬入搬出臺；用于使載體待機(jī)的載體待機(jī)部；在所述搬入搬出臺和載體待機(jī)部之間移栽載體的載體移栽部；對載置在所述搬入搬出臺的載體交接基板的交接機(jī)構(gòu)；和對通過該交接機(jī)構(gòu)交接的基板進(jìn)行洗凈的洗凈部。
全文摘要
本發(fā)明提供一種能夠提高總處理能力并對處理時(shí)間進(jìn)行管理的基板處理系統(tǒng)。其設(shè)置有對處理裝置組進(jìn)行管理的群組控制器。群組控制器實(shí)施如下步驟通過多個(gè)的處理裝置依次對載體內(nèi)的基板進(jìn)行處理時(shí)，基于基板的處理方案和處理狀況，決定最終的處理裝置的處理結(jié)束時(shí)刻最早的處理裝置的組合的步驟；在上述處理裝置的組合中，基于基板的處理方案和處理狀況，決定從預(yù)先決定的一個(gè)處理裝置的批量的處理結(jié)束時(shí)刻至預(yù)先決定的下游側(cè)的處理裝置的處理開始時(shí)間為止的預(yù)測經(jīng)過時(shí)間，以將預(yù)測經(jīng)過時(shí)間縮短至設(shè)定時(shí)間內(nèi)的方式，決定將基板交付至上述的一個(gè)處理裝置或上游側(cè)的處理裝置的時(shí)間的步驟。
文檔編號H01L21/677GK102270562SQ20111015350
公開日2011年12月7日 申請日期2011年6月1日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月1日
發(fā)明者山本雄一, 月野木涉 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社