專利名稱：等離子體刻蝕腔體內(nèi)刻蝕氣體調(diào)節(jié)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導體制造領(lǐng)域，特別涉及一種等離子體刻蝕腔體內(nèi)刻蝕氣體調(diào)節(jié)方法。
背景技術(shù)：
隨著半導體器件的集成度提高，半導體器件的線寬越來越小，關(guān)鍵尺寸的控制也越來越重要，對刻蝕工藝的要求也越來越高?？涛g工藝是一種有選擇的去除形成在硅片表面的材料或者有選擇的去除硅片材料的工藝?？涛g工藝包括濕法刻蝕和干法刻蝕，干法刻蝕由于選擇性高、可控性強成為當今最常用的刻蝕工藝之一。干法刻蝕即為等離子體刻蝕，通常在等離子體處理裝置中通入刻蝕氣體，并電離所述刻蝕氣體成等離子體，利用所述等離子體對待刻蝕的晶圓進行刻蝕。現(xiàn)有的等離子體刻蝕方法通常在待刻蝕層表面形成光刻膠圖形，以所述光刻膠圖形為掩膜對所述待刻蝕層進行刻蝕。具體地，為等離子體刻蝕包括如下步驟請參考圖1，提供半導體襯底100，所述半導體襯底100表面形成有刻蝕目標層 110 ；所述刻蝕目標層110形成有光刻膠圖形120 ；具體的，所述刻蝕目標層110材料為介質(zhì)層；請參考圖2，以所述光刻膠圖形120為掩膜，刻蝕所述刻蝕目標層110直至在所述刻蝕目標層110內(nèi)形成待形成的圖形。在公開號為CM101465^7A的中國專利文件中披露更多有關(guān)等離子體刻蝕方法的內(nèi)容。但是，隨著半導體器件的集成度進一步提高，同時在半導體襯底上待刻蝕形成的圖形越來越多，在同一刻蝕工藝形成均一性高的圖案越來越難。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是提供一種刻蝕均一性高的刻蝕氣體調(diào)節(jié)方法。為解決上述問題，本發(fā)明提供一種等離子體刻蝕腔體內(nèi)刻蝕氣體調(diào)節(jié)方法，包括 將刻蝕氣體按流量比例分配至等離子體刻蝕腔體內(nèi)的至少2個區(qū)域?qū)涛g目標進行刻蝕； 向等離子體刻蝕腔體內(nèi)的第一區(qū)域內(nèi)，通入與所述刻蝕氣體流量相對應的刻蝕速率調(diào)節(jié)氣體，使第一區(qū)域和第二區(qū)域具有不同的刻蝕氣體濃度，其中所述刻蝕速率調(diào)節(jié)氣體包括不參與刻蝕化學反應的中性氣體。可選的，中性氣體為惰性氣體?？蛇x的，所述惰性氣體為Ar或者He?？蛇x的，所述刻蝕速率調(diào)節(jié)氣體還包括輔助反應氣體，輔助反應氣體與所述中性氣體混合后通入第一區(qū)域，所述輔助反應氣體用于加快或減慢反應速度。
可選的，所述輔助反應氣體流量與中性氣體的流量比小于1 5?？蛇x的，所述刻蝕目標是含硅材料層，輔助反應氣體為C4F8、CH2F2、CHF3、C4F6、⑶2或者O2中的一種或者幾種?？蛇x的，所述刻蝕速率調(diào)節(jié)氣體的氣體流量為50 2000SCCm，小于刻蝕氣體的流量?？蛇x的，所述刻蝕氣體包括Ar、02、CO、CO2, H2, CxFy或CxFyHz中的一種或者幾種?？蛇x的，所述等離子體刻蝕腔體包括中間區(qū)域和與中間區(qū)域相鄰的邊緣區(qū)域；或者所述等離子體刻蝕腔體包括中間區(qū)域、與中間區(qū)域相鄰的邊緣區(qū)域、與邊緣區(qū)域相鄰的極邊緣區(qū)域。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點本發(fā)明的實施例通過在向等離子體刻蝕腔體內(nèi)的第一區(qū)域內(nèi)，通入與所述刻蝕氣體流量相對應的刻蝕速率調(diào)節(jié)氣體，使第一區(qū)域和第二區(qū)域具有不同的刻蝕氣體濃度，，擴大等離子體刻蝕腔體內(nèi)的區(qū)域的刻蝕調(diào)節(jié)范圍， 使得通入包括有中性氣體的刻蝕速率調(diào)節(jié)氣體的區(qū)域能夠在較大范圍進行刻蝕條件，進一步的，本發(fā)明的實施例通入與所述刻蝕氣體流量相對應的刻蝕速率調(diào)節(jié)氣體，解決將刻蝕氣體按流量比例分配至等離子體刻蝕腔體內(nèi)的至少2個區(qū)域存在的氣壁問題，避免融入較小流量的調(diào)節(jié)(Timing Gas)無法突破刻蝕氣體按流量比例分配至等離子體刻蝕腔體內(nèi)形成的壓力差(氣壁)，提高等離子體刻蝕腔體內(nèi)的區(qū)域刻蝕調(diào)節(jié)能力，改善等離子體處理后均一性差的現(xiàn)象，進一步的，本發(fā)明實施例通過提高等離子體刻蝕腔體內(nèi)的區(qū)域刻蝕調(diào)節(jié)能力，能夠解決等離子體處理后均一性差中的邊-邊不均勻現(xiàn)象(Side-Side)。


圖1至圖2是現(xiàn)有等離子體刻蝕流程示意圖；圖3為現(xiàn)有的刻蝕工藝刻蝕效果示意圖；圖4為本發(fā)明的第一實施例的刻蝕氣體調(diào)節(jié)方法的流程示意圖；圖5為本發(fā)明的第二實施例的刻蝕氣體調(diào)節(jié)方法的流程示意圖。
具體實施例方式隨著半導體器件的集成度進一步提高，承載所述半導體器件的晶圓尺寸越來越大，晶圓尺寸從6英寸、8英寸發(fā)展至12英寸，越來越大尺寸的晶圓使得光刻膠圖形在晶圓的分布面積越來越廣，從而導致采用等離子體工藝轉(zhuǎn)移圖形的難度越來越大，較容易出現(xiàn)轉(zhuǎn)移后分布在晶圓邊緣區(qū)域的圖形和分布在晶圓中間區(qū)域圖形在等離子體處理后均一性差，比如，在晶圓邊緣區(qū)域和在晶圓中間區(qū)域待刻蝕層表面位置形成同樣的光刻膠圖形，在執(zhí)行等離子體刻蝕工藝后，在晶圓邊緣區(qū)域和在晶圓中間區(qū)域待刻蝕層內(nèi)形成的圖形不一致。具體地，等離子體處理后均一性差中的邊-邊不均勻現(xiàn)象(Side-Side)尤為難以解決，請參考圖3，圖3示出采用現(xiàn)有的刻蝕工藝刻蝕后形成的邊-邊不均勻現(xiàn)象示意圖，從圖3發(fā)現(xiàn)刻蝕后的晶圓具有一邊高一邊低的邊-邊不均勻現(xiàn)象，并且上述現(xiàn)象較難通過現(xiàn)有的刻蝕工藝調(diào)整來克服。本發(fā)明的發(fā)明人首先將刻蝕氣體按流量比例分配至等離子體刻蝕腔體不同的區(qū)域；以取得較佳的刻蝕效果，首先，本發(fā)明的發(fā)明人將刻蝕氣體通過氣體分流器(Gas Splitter)按流量比例分配至等離子體刻蝕腔體不同的區(qū)域，例如分配至等離子體刻蝕腔體的中間區(qū)域、與中間區(qū)域相鄰的邊緣區(qū)域、與邊緣區(qū)域相鄰的極邊緣區(qū)域，所述刻蝕氣體包括Ar、02、CO、CO2, H2、CxFy或CxFyHz中的一種或者幾種，發(fā)現(xiàn)上述方法能夠一定程度改善等離子體處理后均一性差的現(xiàn)象，但是調(diào)節(jié)空間不大、效果不明顯。為此，本發(fā)明的發(fā)明人經(jīng)過研究，提供一種等離子體刻蝕腔體內(nèi)刻蝕氣體調(diào)節(jié)方法，包括將刻蝕氣體按流量比例分配至等離子體刻蝕腔體內(nèi)的至少2個區(qū)域?qū)涛g目標進行刻蝕；向等離子體刻蝕腔體內(nèi)的第一區(qū)域內(nèi)，通入與所述刻蝕氣體流量相對應的刻蝕速率調(diào)節(jié)氣體，使第一區(qū)域和第二區(qū)域具有不同的刻蝕氣體濃度，其中所述刻蝕速率調(diào)節(jié)氣體包括不參與刻蝕化學反應的中性氣體。本發(fā)明的實施例通過在向等離子體刻蝕腔體內(nèi)的第一區(qū)域內(nèi)，通入與所述刻蝕氣體流量相對應的刻蝕速率調(diào)節(jié)氣體，使第一區(qū)域和第二區(qū)域具有不同的刻蝕氣體濃度，擴大等離子體刻蝕腔體內(nèi)的區(qū)域的刻蝕調(diào)節(jié)范圍，使得通入包括有中性氣體的刻蝕速率調(diào)節(jié)氣體的區(qū)域能夠在較大范圍進行刻蝕條件，進一步的，本發(fā)明的實施例通入與所述刻蝕氣體流量相對應的刻蝕速率調(diào)節(jié)氣體，解決將刻蝕氣體按流量比例分配至等離子體刻蝕腔體內(nèi)的至少2個區(qū)域存在的氣壁問題，避免融入較小流量的調(diào)節(jié)(Timing Gas)無法突破刻蝕氣體按流量比例分配至等離子體刻蝕腔體內(nèi)形成的壓力差(氣壁)，提高等離子體刻蝕腔體內(nèi)的區(qū)域刻蝕調(diào)節(jié)能力，改善等離子體處理后均一性差的現(xiàn)象，進一步的，本發(fā)明實施例通過提高等離子體刻蝕腔體內(nèi)的區(qū)域刻蝕調(diào)節(jié)能力，能夠解決等離子體處理后均一性差中的邊-邊不均勻現(xiàn)象(Side-Side)。第一實施例下面結(jié)合第一實施例對本發(fā)明的刻蝕氣體調(diào)節(jié)方法做詳細說明，請參考圖4，圖4 為第一實施例的刻蝕氣體調(diào)節(jié)方法的流程示意圖，包括如下步驟步驟S101，將刻蝕氣體按流量比例分配至等離子體刻蝕腔體內(nèi)的至少2個區(qū)域?qū)涛g目標進行刻蝕；步驟S102，向等離子體刻蝕腔體內(nèi)的第一區(qū)域內(nèi)，通入與所述刻蝕氣體流量相對應的刻蝕速率調(diào)節(jié)氣體，使第一區(qū)域和第二區(qū)域具有不同的刻蝕氣體濃度，其中所述刻蝕速率調(diào)節(jié)氣體包括不參與刻蝕化學反應的中性氣體。執(zhí)行步驟S101，將刻蝕氣體按流量比例分配至等離子體刻蝕腔體內(nèi)的至少2個區(qū)域?qū)涛g目標進行刻蝕。具體地，所述刻蝕氣體包括Ar、02、C0、C02、H2、CxFy或CxFyHz中的一種或者幾種，所述刻蝕氣體等離子體化后并用于刻蝕待刻蝕薄膜，所述刻蝕氣體的流量通常在50sCCm至 2000sccm。所述刻蝕氣體會通過氣體管道(Gas line)并經(jīng)過氣體分流器流量按比例分配至等離子體刻蝕腔體內(nèi)的至少2個區(qū)域；在一實施例內(nèi)，所述等離子體刻蝕腔體分為中間區(qū)域和與中間區(qū)域相鄰的邊緣區(qū)域；在另一實施例內(nèi)，所述等離子體刻蝕腔體分為中間區(qū)域、 與中間區(qū)域相鄰的邊緣區(qū)域、與邊緣區(qū)域相鄰的極邊緣區(qū)域；在另一實施例內(nèi)，所述等離子體刻蝕腔體還可以分為4個區(qū)域、5個區(qū)域...8個區(qū)域，但是需要說明的是，所述等離子體刻蝕腔體區(qū)域劃分越多，刻蝕氣體分配難度越大。
以所述等離子體刻蝕腔體分為中間區(qū)域、與中間區(qū)域相鄰的邊緣區(qū)域、與邊緣區(qū)域相鄰的極邊緣區(qū)域為例，將刻蝕氣體按流量比例分配至中間區(qū)域、邊緣區(qū)域和極邊緣區(qū)域。其中，具體的流量比例視待刻蝕的膜層、刻蝕設(shè)備參數(shù)、以及刻蝕工藝參數(shù)而定，比如可以為中間區(qū)域流量邊緣區(qū)域流量極邊緣區(qū)域流量=50% 40% 10%;或中間區(qū)域流量邊緣區(qū)域流量極邊緣區(qū)域流量=40% 40% 20%，或其他刻蝕工藝所需的流量比例。將所述刻蝕氣體按流量比例分配至等離子體刻蝕腔體內(nèi)的至少2個區(qū)域能夠提高刻蝕工藝的局部區(qū)域刻蝕可調(diào)性，但是，僅僅只將所述刻蝕氣體按流量比例分配可調(diào)幅度較小，調(diào)控手段單一，從而調(diào)節(jié)效果差。為此，本發(fā)明的發(fā)明人相應執(zhí)行步驟S102，向等離子體刻蝕腔體內(nèi)的第一區(qū)域內(nèi)， 通入與所述刻蝕氣體流量相對應的刻蝕速率調(diào)節(jié)氣體，使第一區(qū)域和第二區(qū)域具有不同的刻蝕氣體濃度，其中所述刻蝕速率調(diào)節(jié)氣體包括不參與刻蝕化學反應的中性氣體。所述刻蝕速率調(diào)節(jié)氣體包括中性氣體和輔助反應氣體，所述輔助反應氣體與所述中性氣體混合后通入第一區(qū)域，所述輔助反應氣體用于加快或者減慢反應速度。具體地，當需要加快第一區(qū)域的反應速度時，通入加快反應速度的所述輔助反應氣體；當需要減慢第一區(qū)域的反應速度時，通入減慢反應速度的所述輔助反應氣體。需要說明的是，如果僅僅只通入小流量的刻蝕速率調(diào)節(jié)氣體，在刻蝕速率調(diào)節(jié)氣體進入腔室后，與刻蝕氣體混合不均勻，導致刻蝕均一性差，特別會造成邊-邊不均勻現(xiàn)象 (Side-Side)，形成偏心的刻蝕圖形；而本發(fā)明的實施例通過在其中一個等離子體刻蝕腔體內(nèi)的區(qū)域內(nèi)，通入與所述刻蝕氣體流量相對應的刻蝕速率調(diào)節(jié)氣體不但能夠解決形成偏心的刻蝕圖形的技術(shù)問題，還能夠擴大均一性的調(diào)節(jié)能力。還需要說明的是，所述刻蝕速率調(diào)節(jié)氣體的氣體流量要小于刻蝕氣體的流量，才能實現(xiàn)在通入刻蝕速率調(diào)節(jié)氣體后，與刻蝕氣體混合均勻，具體地，所述刻蝕速率調(diào)節(jié)氣體為 50 2000sccm。具體地，所述刻蝕速率調(diào)節(jié)氣體通入腔體可以在所述刻蝕氣體通入腔體之前、之后、或與所述刻蝕氣體同時通入腔體。所述刻蝕速率調(diào)節(jié)氣體通過額外的氣體管道通入其中一個等離子體刻蝕腔體內(nèi)的區(qū)域內(nèi)，所述中性氣體為惰性氣體，比如為Ar或者He，所述中性氣體用于作為所述輔助反應氣體的載體(Carrier Gas)，促進所述輔助反應氣體與刻蝕氣體在進腔體之前混合。輔助反應氣體為C4F8、CH2F2, CHF3、C4F6, CO2或者仏中的一種或者幾種，所述輔助反應氣體用于調(diào)節(jié)通入輔助反應氣體區(qū)域內(nèi)的刻蝕速率。需要說明的是，所述輔助反應氣體流量與中性氣體的流量比小于15有助于調(diào)節(jié)通入刻蝕速率調(diào)節(jié)氣體區(qū)域內(nèi)的刻蝕速率。在本實施例中，由所述中性氣體和所述輔助反應氣體組成的所述刻蝕速率調(diào)節(jié)氣體的流量與所述刻蝕氣體流量相對應，即混合氣體的流量中性氣體流量與所述刻蝕氣體流量比例的范圍為 100%;與所述刻蝕氣體流量相對應的刻蝕速率調(diào)節(jié)氣體能夠突破刻蝕氣體形成的氣壁，與所述刻蝕氣體流量相對應的刻蝕速率調(diào)節(jié)氣體有助于輔助反應氣體在通入的區(qū)域分布均勻，使得該區(qū)域的刻蝕速率可調(diào)性高，進一步的，能夠優(yōu)化整個刻蝕腔體的刻蝕速率均勻性，提高刻蝕特征尺寸(CD)的均一性。
作為一個實施例，所述刻蝕氣體的流量為200SCCm至2000sCCm，所述中性氣體的流量為50sCCm至200sCCm，所述輔助反應氣體的流量小于lOsccm，以所述等離子體刻蝕腔體分為中間區(qū)域和與中間區(qū)域相鄰的邊緣區(qū)域，其中中間區(qū)域流量邊緣區(qū)域流量= 50% 50%為例，刻蝕氣體的流量在中間區(qū)域為lOOsccm至lOOOsccm，刻蝕氣體的流量在邊緣區(qū)域為lOOsccm至lOOOsccm，而由于刻蝕腔體的邊界和刻蝕腔體的均一性不夠的客觀條件存在，在刻蝕腔體的中間區(qū)域和邊緣區(qū)域存在刻蝕差異性，所述刻蝕差異性表現(xiàn)在刻蝕速率以及刻蝕特征尺寸控制，為此如果僅僅在某一區(qū)域(中間區(qū)域或邊緣區(qū)域)通入輔助反應氣體，輔助反應氣體流量較小，較難突破所述刻蝕氣體形成的氣壁，且在通入輔助反應氣體的區(qū)域內(nèi)，輔助反應氣體分布不均勻，刻蝕速率調(diào)整度以及征尺寸均一性調(diào)節(jié)度低， 但是如果通入流量為50sCCm至200sCCm的所述中性氣體與流量小于IOsccm的所述輔助反應氣體的混合氣體(即所述刻蝕速率調(diào)節(jié)氣體)，有助于輔助反應氣體在通入的區(qū)域分布均勻，使得該區(qū)域的刻蝕速率可調(diào)性高，進一步的，能夠優(yōu)化整個刻蝕腔體的刻蝕速率均勻性，提高刻蝕特征尺寸(CD)的均一性。第二實施例下面結(jié)合第二實施例對本發(fā)明的刻蝕氣體調(diào)節(jié)方法做詳細說明，請參考圖5，圖5 為第二實施例的刻蝕氣體調(diào)節(jié)方法的流程示意圖，包括如下步驟步驟S201，將刻蝕氣體按流量比例分配至等離子體刻蝕腔體內(nèi)的至少2個區(qū)域；步驟S202，在其中一個等離子體刻蝕腔體內(nèi)的區(qū)域內(nèi)，通入與所述刻蝕氣體流量相對應的中性氣體。執(zhí)行步驟S201，將刻蝕氣體按流量比例分配至等離子體刻蝕腔體內(nèi)的至少2個區(qū)域。具體地，請相應參考第一實施例的步驟S101，在這里不再贅述。執(zhí)行步驟S202，在其中一個等離子體刻蝕腔體內(nèi)的區(qū)域內(nèi)，通入與所述刻蝕氣體流量相對應的中性氣體。所述中性氣體通過額外的氣體管道通入其中一個等離子體刻蝕腔體內(nèi)的區(qū)域內(nèi)， 所述中性氣體為惰性氣體，比如為Ar或者He，所述中性氣體用于作為調(diào)節(jié)通入流量調(diào)節(jié)氣體區(qū)域的刻蝕氣體的分布均勻性和刻蝕速率。在本實施例中，由所述中性氣體與所述刻蝕氣體流量相對應，即所述中性氣體與所述刻蝕氣體流量的比例范圍為 100%;與所述刻蝕氣體流量相對應的所述中性氣體能夠可以更大范圍的調(diào)節(jié)特定區(qū)域中刻蝕氣體的濃度，使得該區(qū)域的刻蝕速率可調(diào)性高， 進一步的，能夠優(yōu)化整個刻蝕腔體的刻蝕速率均勻性，提高刻蝕特征尺寸(CD)的均一性。作為一個實施例，所述刻蝕氣體的流量為200SCCm至2000sCCm，所述中性氣體的流量為50sCCm至200sCCm，以所述等離子體刻蝕腔體分為中間區(qū)域和與中間區(qū)域相鄰的邊緣區(qū)域，其中中間區(qū)域流量邊緣區(qū)域流量=1 1為例，刻蝕氣體的流量在中間區(qū)域為 IOOsccm至lOOOsccm，刻蝕氣體的流量在邊緣區(qū)域為IOOsccm至lOOOsccm，而由于刻蝕腔體的邊界和刻蝕腔體的均一性不夠的客觀條件存在，在刻蝕腔體的中間區(qū)域和邊緣區(qū)域存在刻蝕差異性，所述刻蝕差異性表現(xiàn)在刻蝕速率以及刻蝕特征尺寸控制，導致刻蝕速率調(diào)整度以及征尺寸均一性調(diào)節(jié)度低，但是如果通入流量為50sCCm至200sCCm的中性氣體，有使得該區(qū)域的刻蝕速率可調(diào)性高，進一步的，能夠優(yōu)化整個刻蝕腔體的刻蝕速率均勻性，提高刻蝕特征尺寸(CD)的均一性。綜上所述，本發(fā)明的實施例通過在在其中一個等離子體刻蝕腔體內(nèi)的區(qū)域內(nèi)，通入與所述刻蝕氣體流量相對應的所述刻蝕速率調(diào)節(jié)氣體，擴大等離子體刻蝕腔體內(nèi)的區(qū)域的刻蝕調(diào)節(jié)范圍，使得通入所述刻蝕速率調(diào)節(jié)氣體的區(qū)域能夠在較大范圍進行刻蝕條件， 進一步的，本發(fā)明的實施例通入所述刻蝕速率調(diào)節(jié)氣體包括中性氣體和輔助反應氣體，以所述中性氣體作為輔助反應氣體的載氣，解決將刻蝕氣體按流量比例分配至等離子體刻蝕腔體內(nèi)的至少2個區(qū)域存在的氣壁問題，避免融入較小流量的調(diào)節(jié)氣體(Timing Gas)無法突破刻蝕氣體按流量比例分配至等離子體刻蝕腔體內(nèi)形成的壓力差(氣壁)，提高等離子體刻蝕腔體內(nèi)的區(qū)域刻蝕調(diào)節(jié)能力，改善等離子體處理后均一性差的現(xiàn)象。本發(fā)明雖然已以較佳實施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案做出可能的變動和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護范圍。
權(quán)利要求
1.一種等離子體刻蝕腔體內(nèi)刻蝕氣體調(diào)節(jié)方法，包括將刻蝕氣體按流量比例分配至等離子體刻蝕腔體內(nèi)的至少2個區(qū)域?qū)涛g目標進行刻蝕；其特征在于，還包括向等離子體刻蝕腔體內(nèi)的第一區(qū)域內(nèi)，通入與所述刻蝕氣體流量相對應的刻蝕速率調(diào)節(jié)氣體，使第一區(qū)域和第二區(qū)域具有不同的刻蝕氣體濃度，其中所述刻蝕速率調(diào)節(jié)氣體包括不參與刻蝕化學反應的中性氣體。
2.如權(quán)利要求1所述的刻蝕氣體調(diào)節(jié)方法，其特征在于，中性氣體為惰性氣體。
3.如權(quán)利要求2所述的刻蝕氣體調(diào)節(jié)方法，其特征在于，所述惰性氣體為Ar或者He。
4.如權(quán)利要求1所述的刻蝕氣體調(diào)節(jié)方法，其特征在于，所述刻蝕速率調(diào)節(jié)氣體還包括輔助反應氣體，輔助反應氣體與所述中性氣體混合后通入第一區(qū)域，所述輔助反應氣體用于加快或減慢反應速度。
5.如權(quán)利要求4所述的刻蝕氣體調(diào)節(jié)方法，其特征在于，所述輔助反應氣體流量與中性氣體的流量比小于1 5。
6.如權(quán)利要求4所述的刻蝕氣體調(diào)節(jié)方法，其特征在于，所述刻蝕目標是含硅材料層， 輔助反應氣體為C4F8、CH2F2, CHF3> C4F6, CO2或者A中的一種或者幾種。
7.如權(quán)利要求1所述的刻蝕氣體調(diào)節(jié)方法，其特征在于，所述刻蝕速率調(diào)節(jié)氣體的氣體流量為50 2000SCCm，小于刻蝕氣體的流量。
8.如權(quán)利要求1所述的刻蝕氣體調(diào)節(jié)方法，其特征在于，所述刻蝕氣體包括Ar、02、C0、 CO2, H2、CxFy或CxFyHz中的一種或者幾種。
9.如權(quán)利要求1所述的刻蝕氣體調(diào)節(jié)方法，其特征在于，所述等離子體刻蝕腔體包括中間區(qū)域和與中間區(qū)域相鄰的邊緣區(qū)域；或者所述等離子體刻蝕腔體包括中間區(qū)域、與中間區(qū)域相鄰的邊緣區(qū)域、與邊緣區(qū)域相鄰的極邊緣區(qū)域。
全文摘要
一種等離子體刻蝕腔體內(nèi)刻蝕氣體調(diào)節(jié)方法，包括將刻蝕氣體按流量比例分配至等離子體刻蝕腔體內(nèi)的至少2個區(qū)域?qū)涛g目標進行刻蝕；向等離子體刻蝕腔體內(nèi)的第一區(qū)域內(nèi)，通入與所述刻蝕氣體流量相對應的刻蝕速率調(diào)節(jié)氣體，使第一區(qū)域和第二區(qū)域具有不同的刻蝕氣體濃度，其中所述刻蝕速率調(diào)節(jié)氣體包括不參與刻蝕化學反應的中性氣體。本發(fā)明提供的等離子體刻蝕腔體內(nèi)刻蝕氣體調(diào)節(jié)方法提高等離子體刻蝕腔體內(nèi)的區(qū)域刻蝕調(diào)節(jié)能力，改善等離子體處理后均一性差的現(xiàn)象。
文檔編號H01L21/311GK102231360SQ201110141770
公開日2011年11月2日 申請日期2011年5月27日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月27日
發(fā)明者王兆祥 申請人:中微半導體設(shè)備(上海)有限公司