專利名稱：晶片的平坦加工方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種晶片的平坦加工方法，特別涉及一種使由晶錠切片得到的晶片的表面平坦化的平坦加工方法。
背景技術：
以往，在硅、SiC (碳化硅)、GaAs (砷化鎵)、藍寶石等材料的半導體晶片的制造工序中，利用片鋸、線鋸等切斷裝置從圓柱形的晶錠切出切割態(tài)晶片(Τ" O，4 7 K々-一)、)(以下簡稱“晶片”)。隨后，利用雙端面磨削裝置、研磨裝置、拋光裝置等磨削裝置、 研磨裝置對晶片的兩個面進行平坦化加工。隨后，在晶片的表面形成多個器件，并通過磨削晶片的背面使晶片形成為預定的厚度，并且通過切割裝置將晶片分割成一個個器件。但是，在由晶錠切片得到的晶片中，由于片鋸、線鋸的切斷加工動作，因此存在因產生于第一面(表面)和第二面(背面)的形變(加工形變)的大小的差異而引起的翹曲、以及在第一面和第二面的表層產生的起伏。如果使用研磨裝置對所述翹曲和起伏進行磨削，雖然能夠除去細微的凹凸，但難以將翹曲和起伏完全除去。為了應對上述翹曲和起伏的問題，本申請人提出了如下方法來代替利用研磨裝置進行的研磨工序，即，通過樹脂覆蓋方法，將晶片利用紫外線硬化樹脂固定起來，并平坦地磨削第一面，直到除去翹曲、起伏，所述樹脂覆蓋方法至少包括樹脂涂布工序，在晶片的第二面涂布紫外線硬化樹脂；晶片保持工序，將涂有紫外線硬化樹脂的晶片以晶片的第一面露出的方式保持在具有大致水平的保持面的工作臺的保持面上；按壓工序，將保持于工作臺保持面的晶片通過按壓構件從晶片的第一面?zhèn)认蚬ぷ髋_方向按壓；以及樹脂硬化工序， 在按壓構件從晶片離開后，通過紫外線照射構件對紫外線硬化樹脂照射紫外線，以使紫外線硬化樹脂硬化(參照專利文獻1)。根據(jù)這種方法，由于在通過紫外線硬化樹脂來維持晶片的翹曲和起伏的形狀的狀態(tài)下將晶片的第一面磨削得平坦，因此能夠良好地除去翹曲和起伏。專利文獻1 日本特開2009-148866號公報但是，當通過進行晶片的切片而在第一面以及第二面的接近表面的內部產生的不對等(大小不同)的形變所導致的翹曲劇烈時，即使采用通過上述紫外線硬化樹脂來維持翹曲和起伏的形狀并進行磨削的方法，也存在不能夠將翹曲和起伏充分除去的問題。

發(fā)明內容
本發(fā)明正是鑒于這種情況而完成的，其目的在于提供一種晶片的平坦加工方法， 該方法能夠有效地除去由晶錠切片得到的晶片的形變導致的翹曲以及在晶片兩面的表層產生的起伏，從而使晶片平坦化。本發(fā)明的晶片的平坦加工方法是將由晶錠進行切片得到的晶片的兩個面加工得平坦的平坦加工方法，所述晶片具有由切片引起的因產生在所述晶片的第一面和該第一面的相反側的第二面上的形變的大小差異而導致的翹曲、以及通過切片而在所述第一面和第二面的表層產生的起伏，其特征在于，所述晶片的平坦加工方法具備磨削工序，在通過將所述晶片的所述第一面吸引保持于卡盤工作臺的水平保持面來對所述起伏進行矯正從而使晶片水平的狀態(tài)下，對露出的所述晶片的所述第二面進行磨削，直到將所述晶片的所述第二面的所述形變除去為止，另一方面，在通過將所述晶片的所述第二面吸引保持于所述水平保持面來對所述起伏進行矯正從而使晶片水平的狀態(tài)下，對露出的所述晶片的所述第一面進行磨削，直到將所述晶片的所述第一面的所述形變除去為止，從而在所述晶片的第一面和第二面形成相等的磨削形變；樹脂涂布工序，將紫外線硬化樹脂滴在膜上，該膜放置在具有水平的保持面的工作臺上，將完成了所述磨削工序的所述晶片的所述第二面放置在所述紫外線硬化樹脂上，并且從露出的所述第一面?zhèn)认蛩龉ぷ髋_方向施加均布于整個面的按壓力，將所述紫外線硬化樹脂涂布于所述晶片的整個所述第二面；起伏形狀恢復工序，在涂布了所述紫外線硬化樹脂后，將從所述第一面?zhèn)认蛩龉ぷ髋_方向施加的按壓力解除，使所述晶片的所述起伏的形狀恢復；樹脂硬化工序，在所述起伏形狀恢復工序后，向所述紫外線硬化樹脂照射紫外線，使樹脂硬化；第一面起伏除去工序，在所述樹脂硬化工序后，磨削所述第一面直至將所述第一面的表層的所述起伏除去為止；以及第二面起伏除去工序，以除去了所述起伏而實現(xiàn)了平坦化的所述第一面為基準面，磨削所述第二面直至將所述第二面的表層的所述起伏除去為止。根據(jù)上述晶片的平坦加工方法，通過對由晶錠切片得到的晶片的第一面以及第二面分別進行磨削(一次磨削)，來使晶片的兩個面的形變的大小相等，從而減小翹曲，隨后， 在通過紫外線硬化樹脂維持了在晶片的第一面以及第二面的表層生成的起伏的形狀的狀態(tài)下，進行磨削(二次磨削)直至將該起伏除去為止，因此，能夠有效地除去在切割晶錠時因晶片的形變而導致的翹曲以及晶片兩面的表層的起伏，因而能夠獲得高平坦度的晶片。根據(jù)本發(fā)明，由于能夠有效地除去在切割晶錠時因晶片的形變而導致的翹曲以及晶片兩面的表層的起伏，因而能夠獲得高平坦度的晶片。


圖1是在本發(fā)明的一個實施方式所涉及的晶片的平坦加工方法中、作為加工對象的晶片的示意圖。圖2是對上述實施方式所涉及的晶片的平坦加工方法的概要工序進行說明的圖。圖3是表示在上述實施方式所涉及的晶片的平坦加工方法的一次磨削工序中使用的磨削裝置的一個例子的外觀立體圖。圖4是用于說明一次磨削工序中的晶片狀態(tài)的示意圖。圖5是用于說明通過一次磨削工序而被磨削后的晶片狀態(tài)的示意圖。圖6是表示在上述實施方式所涉及的晶片的平坦加工方法的樹脂涂布工序等中使用的樹脂覆蓋裝置的一個例子的外觀立體圖。圖7是表示圖6所示的樹脂覆蓋裝置的主要部分的示意圖。圖8是用于說明樹脂涂布工序中的晶片狀態(tài)的示意圖。圖9是用于說明樹脂涂布工序中的晶片狀態(tài)的示意圖。圖10是用于說明起伏形狀恢復工序中的晶片狀態(tài)的示意圖。圖11是用于說明樹脂硬化工序中的晶片狀態(tài)的示意圖。
圖12是用于說明第一面起伏除去工序中的晶片狀態(tài)的示意圖。圖13是用于說明樹脂剝離工序中的晶片狀態(tài)的示意圖。圖14是用于說明第二面起伏除去工序中的晶片狀態(tài)的示意圖。標號說明1 晶片(切割態(tài)晶片)；100 磨削裝置；101 底座；103a 卡盤工作臺；103b 保持面；105 磨削單元；105a 磨削磨具；200 樹脂覆蓋裝置；201 底座；202 工作臺；202a 保持面；203 :UV燈；205 擋板；206 濾光器；210 保持構件；210c 按壓墊；211 保持部； 212 紫外線硬化樹脂；213 膜。
具體實施例方式下面，參照附圖對本發(fā)明的實施方式加以詳細的說明。首先，在說明本發(fā)明的實施方式所涉及的晶片的平坦加工方法之前，對作為加工對象的晶片的結構進行說明。圖1是在本實施方式所涉及的晶片的平坦加工方法中、作為加工對象的晶片的示意圖。在本實施方式所涉及的晶片的平坦加工方法中，加工對象是利用線鋸等切斷裝置從晶錠切出的晶片 (切割態(tài)晶片)。如圖1所示，在作為加工對象的晶片1中，以由線鋸等施行的切斷加工為起因，在圖1所示的構成上表面的第一面11以及該圖所示的構成下表面的第二面12形成有形變 (破碎層)(以下適當稱為“加工形變”)lla、12a、以及在第一面11和第二面12的表層產生的起伏(表層的細微凹凸)llb、12b。在第一面11以及第二面12形成的加工形變IlaUh 一般會有大小上的差異，由于加工形變IlaUh的這種大小上的差異，在晶片1上會產生翹曲。如果在第一面11形成的加工形變Ila大于在第二面12形成的加工形變12a，那么如圖 1所示，會以第一面11側形成為凸起形狀的方式產生翹曲。例如，在晶片1中，形成以Ll表示的大約0. 1 1微米的起伏lla、12a，并且產生以L2表示的大約10 20微米的翹曲。在本發(fā)明的實施方式所涉及的晶片1的平坦加工方法中，對于這樣的晶片1，如圖 2所示，通過實施以下各工序，S卩，使用磨削裝置的一次磨削工序(STll)、使用樹脂覆蓋裝置的樹脂涂布工序(ST12)、起伏形狀恢復工序(ST13)、樹脂硬化工序(ST14)、使用磨削裝置的第一面起伏除去工序(ST15)、從磨削裝置搬出后進行的樹脂剝離工序(ST16)、以及使用磨削裝置的第二面起伏除去工序(ST17)，來有效地除去由晶片1的加工形變lla、12a導致的翹曲、以及晶片1的兩個面的表層的起伏llb、12b，從而獲得高平坦度的晶片1。另外， 圖2是對本實施方式所涉及的晶片1的平坦加工方法的概要工序進行說明的圖。下面，對本實施方式所涉及的晶片1的平坦加工方法中的各工序進行說明。圖3是表示在本實施方式所涉及的晶片1的平坦加工方法的一次磨削工序中使用的磨削裝置100的一個例子的外觀立體圖。另外，在下文中，為了說明的方便，將圖3所示的左下方側稱為磨削裝置100的前方側，將該圖所示的右上方側稱為磨削裝置100的后方側。此外，在下文中，為了說明的方便，將圖3所示的上下方向稱為磨削裝置100的上下方向。如圖3所示，磨削裝置100具有大致呈長方體狀的底座101。在底座101的上表面的前方側，設有用來接收對磨削裝置100的指示的操作面板102。在操作面板102的后方側，設有支承卡盤工作臺103a的工作臺支承座103。在工作臺支承座103的后方側設有支柱部104。在該支柱部104的前表面，以能夠沿上下方向移動的方式支承有磨削單元105。在具有該結構的磨削裝置100中，構成為通過使磨削單元105與保持有晶片1的卡盤工作臺103a相對旋轉來對晶片1進行加工。工作臺支承座103被設置成正方形，用于將卡盤工作臺103a支承成能夠旋轉。工作臺支承座103與未圖示的驅動機構連接，通過由該驅動機構提供的驅動力，工作臺支承座103在形成于底座101的上表面的開口部IOla內沿前后方向進行滑動移動。由此，卡盤工作臺103a在磨削位置與更換位置之間進行滑動移動，其中，所述磨削位置是使晶片1與磨削單元105對置的位置，所述更換位置是從該磨削位置向前方側離開、用于進行加工前的晶片1的供給和加工后的晶片1的回收的位置。在工作臺支承座103的前后設有防塵罩106，該防塵罩106用于防止在晶片1的磨削加工時產生的磨削屑等進入底座101內。防塵罩106安裝在工作臺支承座103的前表面和后表面，并且設置成能夠根據(jù)該工作臺支承座103的移動位置進行伸縮，而且構成為覆蓋底座101的開口部101a?？ūP工作臺103a形成為圓盤狀，并且形成有將晶片1保持成水平的作為水平保持面的保持面10北。保持面10 例如通過多孔陶瓷材料來形成吸引面?？ūP工作臺103a 與配置在底座101內的未圖示的吸引源相連接，通過保持面10 的吸引面來吸引保持晶片 1。另外，卡盤工作臺103a與未圖示的旋轉驅動機構相連接，通過該旋轉驅動機構，卡盤工作臺103a在將晶片1保持于保持面10 的狀態(tài)下進行旋轉。此外，晶片1例如通過磨削裝置100的操作者等，以如箭頭A所示的、卡盤工作臺103a的保持面10 的旋轉中心與晶片1的中心位置對準的狀態(tài)被放置。支柱部104被設置成長方體狀，在其前表面設有在卡盤工作臺103a的上方使磨削單元105移動的磨削單元移動機構10如。磨削單元移動機構10 具有通過滾珠絲杠式的移動機構來相對于支柱部104沿上下方向移動的Z軸工作臺104b。在Z軸工作臺104b，經由安裝在其前表面?zhèn)鹊闹С胁?0 支承有磨削單元105。磨削單元105具有磨削磨具105a，該磨削磨具10 以能夠自由裝卸的方式安裝在未圖示的主軸的下端。該磨削磨具10 例如由金剛石磨具構成，該金剛石磨具通過使用金屬粘結劑或樹脂粘結劑等結合劑固定金剛石磨粒而形成。在使用了具有該結構的磨削裝置100的一次磨削工序中，將晶片1放置在配置于更換位置的卡盤工作臺103a上，并使晶片1在被吸引保持于保持面10 上的狀態(tài)下移動至磨削位置。隨后，使磨削單元105向下方側移動并旋轉驅動，由此，通過磨削磨具10 對在卡盤工作臺103a上露出的晶片1的加工面進行磨削。首先，在一次磨削工序時，晶片1的第一面11被卡盤工作臺103a的保持面10 吸引保持。圖4是用于說明一次磨削工序中的晶片1的狀態(tài)的示意圖。如圖4所示，晶片1 的起伏llb、12b以及翹曲被仿照保持面10 進行矯正，晶片1成為水平狀態(tài)。隨后，在如此保持了晶片1的狀態(tài)下，使卡盤工作臺103a和磨削單元105相對旋轉，從而進行磨削，直到與磨削單元105對置配置的晶片1的第二面12的加工形變1 被除去為止。當?shù)诙?2的加工形變1 被除去后，將卡盤工作臺103a從磨削位置移動到更換位置，然后解除通過保持面10 進行的吸引保持，由作業(yè)人員等將晶片1的表面和背面進行翻轉。即，將第二面12放置于卡盤工作臺103a，通過保持面10 進行吸引保持。這時，與第一面11被吸引保持時一樣，晶片1的起伏lib、12b以及翹曲被仿照保持面10 進行矯正，晶片1成為水平狀態(tài)。隨后，在如此保持了晶片1的狀態(tài)下，使卡盤工作臺103a和磨削單元105相對旋轉，從而進行磨削直到與磨削單元105對置配置的晶片1的第一面11 的加工形變Ila被除去為止。隨后，當?shù)谝幻?1的加工形變Ila被除去后，將卡盤工作臺103a從磨削位置移動到更換位置，然后解除通過保持面10 進行的吸引保持，由作業(yè)人員等拾取晶片1，從而一次磨削工序結束。一次磨削工序的目的在于，像這樣地除去在晶片1的第一面11以及第二面12形成的加工形變lla、12a，并如后所述地形成同等的磨削形變llc、12c。圖5是用于說明通過一次磨削工序而被磨削后的晶片1的狀態(tài)的示意圖。如圖5 所示，在經過一次磨削后的晶片1中，形成于第一面11以及第二面12的加工形變IlaUh 被除去。取而代之的是，在第一面11以及第二面12形成了伴隨一次磨削工序的實施而產生的磨削形變llc、12c。這些磨削形變llc、12c與加工形變lla、12a不同，所述磨削形變 llc、12c從第一面11以及第二面12的表面形成為大致相等的大小。因此，如形成加工形變 llaU2a時那樣基于這些形變的大小的不同而產生的晶片1的翹曲處于減小了的狀態(tài)。此外，在一次磨削工序中，在通過由卡盤工作臺103a的保持面10 實現(xiàn)的吸引保持而矯正了起伏llb、12b的狀態(tài)下進行磨削加工。因此，在解除了這種吸引保持的狀態(tài)下的晶片1中，并不能夠除去在第一面11、第二面12的表層產生的起伏llb、12b以及翹曲。 僅僅是通過從大小不同的加工形變IlaUh變更為大致等價的磨削形變llc、12c，而減小了產生于晶片1的翹曲。隨后，對這樣使用磨削裝置100完成了一次磨削工序的晶片1實施樹脂涂布工序、起伏形狀恢復工序以及樹脂硬化工序。圖6是表示在本實施方式所涉及的晶片1的平坦加工方法的樹脂涂布工序等中使用的樹脂覆蓋裝置200的一個例子的外觀立體圖。圖7是表示圖6所示的樹脂覆蓋裝置200 的主要部分的示意圖。另外，在圖6中，為了說明的方便，示出了樹脂覆蓋裝置200內的一部分。此外，在下文中，為了說明的方便，將圖6所示的右下方側稱為樹脂覆蓋裝置200的前方側，將該圖所示的左上方側稱為樹脂覆蓋裝置200的后方側。另外，在下文中，為了說明的方便，將圖6所示的上下方向稱為樹脂覆蓋裝置200的上下方向。如圖6所示，樹脂覆蓋裝置200具有內部中空的底座201。在底座201的上部配設有矩形的工作臺202，該工作臺202具有水平的保持面202a。工作臺202例如由可透射紫外線的硼硅玻璃或石英玻璃等構成，其下表面形成為面向底座201內的中空部分的狀態(tài)。另外，在底座201內的底部，并列設置有面向工作臺202進行紫外線照射的多個UV(紫外線) 燈 203。另外，在底座201設有矩形板狀的擋板205，該擋板205通過驅動機構204而相對于UV燈203的上方進退，并在前進至UV燈203的上方時切斷從UV燈203向上方側照射的紫外線照射光路。雖然在圖6中僅示出了一個擋板205，但是擋板205如圖7所示地被設置成左右一對，并且各擋板205與驅動機構204連接。驅動機構204控制這些擋板205以使其能夠開閉。通過使這些擋板205處于打開狀態(tài)，自UV燈203發(fā)出的紫外線照射工作臺 202，另一方面，通過使這些擋板205處于閉合狀態(tài)，自UV燈203發(fā)出的紫外線被遮斷。在擋板205的上方，配設有用于切斷除紫外線以外的光的矩形板狀的濾光器206。 如圖7所示，該濾光器206被保持在底座201的側壁部。通過該濾光器206，底座201內的空間被分隔為上下兩部分。在底座201的側壁部設有排氣管道207，該排氣管道207與底座 201內的位于濾光器206的上方側的空間連通。排氣管道207與未圖示的排氣機構連接，并且排氣管道207構成為能夠將底座201內的空氣排出。將伴隨著UV燈203的照射而溫度上升了的底座201內的空氣經由排氣管道207排出，由此能夠防止保持面20 的平坦度降低。在底座201的比工作臺202靠后方側的位置，設有壁部208。在壁部208的上端部，設有與工作臺202平行地向前方側延伸的遮檐部209(如圖6所示)。在該遮檐部209 設有保持構件210，該保持構件210水平地吸引并保持晶片1，并且構成為能夠使該晶片1 沿上下方向移動。保持構件210具備從遮檐部209的中央附近向工作臺202延伸的主桿210a ；配設在該主桿210a周圍的多根(在本實施方式中為4根)副桿210b(如圖6所示)；以及水平地固定在這些主桿210a和副桿210b的下端的圓板狀的按壓墊210c。主桿210a、副桿 210b分別具備驅動部210d、210e，這些驅動部210d、210e被固定于遮檐部209。當這些驅動部210d、210e被驅動時，主桿210a、副桿210b以向下方伸長或向上方縮短的方式工作，從而使按壓墊210c升降。如圖7所示，在按壓墊210c的下表面，設有吸引保持晶片1的保持部211。在保持部211，例如通過多孔陶瓷材料形成有吸引面211a。保持部211與未圖示的吸引源連接，通過吸引面211a對晶片1進行吸引保持。與上述通過磨削裝置100的卡盤工作臺103a進行吸引保持的情況一樣，晶片1在起伏llb、12b以及翹曲被矯正了的狀態(tài)下，通過保持部211 而被吸引保持。利用具有這種結構的樹脂覆蓋裝置200，進行樹脂涂布工序、起伏形狀恢復工序以及樹脂硬化工序。樹脂涂布工序是為了在后述的樹脂硬化工序中使晶片1維持在起伏lib、 12b的形狀恢復了的狀態(tài)，而在晶片1的整個第二面12涂布紫外線硬化樹脂的工序。在樹脂涂布工序中，將完成了一次磨削工序的晶片1搬入工作臺202，并放置在保持面20 的預定位置。這時，晶片1以將第二面12放置于保持面20 且第一面11露出的方式被搬入。 此外，晶片1例如以被放置在從樹脂覆蓋裝置200的左側向右側搬送的膜上的狀態(tài)被搬入工作臺202。使保持構件210的按壓墊210c向下移動，在通過保持部211吸引保持了晶片1的狀態(tài)下，向上移動按壓墊210c，直到到達離開工作臺202 —定距離的待機位置。隨后，將適量的紫外線硬化樹脂滴在搬送了晶片1的膜上。此后，使保持構件210的按壓墊210c向下移動，對被保持的晶片1的第二面12向滴有紫外線硬化樹脂的工作臺202方向以均布于整個面的按壓力進行按壓。圖8和圖9是用于說明樹脂涂布工序中的晶片1的狀態(tài)的示意圖。在圖8中，示出了將晶片1按壓于已滴有紫外線硬化樹脂212的工作臺202上前的狀態(tài)。在圖9中，示出了將晶片1按壓于已滴有紫外線硬化樹脂212的工作臺202上后的狀態(tài)。此外，在圖8 及圖9中，為了說明的方便，僅示出了與晶片1對應的一部分膜213。如圖8和圖9所示，在樹脂涂布工序中，晶片1的第一面11吸引保持于保持構件210的保持部211。這時，晶片1 在起伏llb、12b以及翹曲被仿照吸引面211a進行矯正了的狀態(tài)下被吸引保持。將吸引保持于保持部211的晶片1如圖8的箭頭A所示地向下方移動，并放置于工作臺202(更嚴密地說是在工作臺202上配置的膜21 。隨后，如圖9的箭頭B所示，從第一面11側向工作臺202方向以均布于整個面的按壓力進行按壓。由此，紫外線硬化樹脂 212在晶片1的第二面12的下方被按壓而擴散，從而形成為紫外線硬化樹脂212涂布于整個該第二面12的狀態(tài)。這樣，樹脂涂布工序結束，轉移到起伏形狀恢復工序。起伏形狀恢復工序是通過解除保持部211的吸引保持、并解除由按壓墊210c在樹脂涂布工序中施加的按壓力，來使晶片1的第一面11和第二面12的起伏llb、12b恢復的工序。圖10是用于說明起伏形狀恢復工序中的晶片1的狀態(tài)的示意圖。當解除通過保持部211進行的吸引保持、并使按壓墊210c如圖10的箭頭C所示地向上移動時，晶片1以第二面12被放置于紫外線硬化樹脂212的狀態(tài)保留在工作臺202上。這時，在第一面11以及第二面12，起伏llb、12b通過晶片1的內部應力而恢復。此外，如圖7所示，在一對擋板205處于閉合狀態(tài)時實施樹脂涂布工序以及起伏形狀恢復工序。即，由于以滴在工作臺202的膜213上的紫外線硬化樹脂212未硬化的狀態(tài)進行樹脂涂布工序以及起伏形狀恢復工序，因此不會妨礙到在晶片1的第二面12進行整面涂布時和晶片1兩個面的起伏llb、12b恢復時的動作。這樣，起伏形狀恢復工序結束，轉移到樹脂硬化工序。樹脂硬化工序是為了維持在起伏形狀恢復工序中恢復的起伏llb、12b的形狀而使紫外線硬化樹脂212硬化的工序。在樹脂硬化工序中，對放置有晶片1的紫外線硬化樹脂212照射來自UV燈203的紫外線，使之硬化。圖11是用于說明樹脂硬化工序中的晶片 1的狀態(tài)的示意圖。在圖7所示的擋板205處于打開狀態(tài)的狀態(tài)下進行樹脂硬化工序。通過使擋板205成為打開狀態(tài)，UV燈203發(fā)出的紫外線經由工作臺202以及膜213照射紫外線硬化樹脂212，從而使紫外線硬化樹脂212硬化。通過如此照射紫外線，晶片1在維持了起伏llb、12b的形狀的狀態(tài)下被固定在膜 213上。此外，紫外線硬化樹脂212在膜213上被硬化，而該膜213被放置于水平的保持面 20 上，因此該紫外線硬化樹脂212成為在其下表面形成有以保持面20 為基準的平坦面 212a的狀態(tài)。當這樣使紫外線硬化樹脂212硬化后，樹脂硬化工序結束。隨后，對這樣使用樹脂覆蓋裝置200完成了樹脂涂布工序、起伏形狀恢復工序以及樹脂硬化工序的晶片1實施第一面起伏除去工序、樹脂剝離工序以及第二面起伏除去工序。第一面起伏除去工序以及第二面起伏除去工序使用例如在一次磨削工序中使用的、圖 3所示的磨削裝置100。此外，這些第一面起伏除去工序以及第二面起伏除去工序可以被稱為二次磨削工序。第一面起伏除去工序是對在樹脂硬化工序中形成于晶片1的第一面11上的起伏 lib進行磨削除去的工序。圖12是用于說明第一面起伏除去工序中的晶片1的狀態(tài)的示意圖。此外，在圖12中，示出了通過磨削單元105的磨削而將第一面11的起伏lib除去后的狀態(tài)。如圖12所示，關于晶片1，紫外線硬化樹脂212的平坦面21 經由膜213吸引保持于保持面10北。這時，在晶片1的第一面11，起伏lib的形狀被維持(圖11所示的狀態(tài))。 在如此進行了吸引保持的狀態(tài)下，通過磨削單元105進行磨削。在這樣的第一面起伏除去工序中，在維持第一面11的起伏lib的形狀的狀態(tài)下， 通過磨削單元105進行磨削，因此能夠有效地除去第一面11的起伏lib。隨后，在如圖12 所示地除去了第一面11的起伏lib后，第一面起伏除去工序結束，轉移到樹脂剝離工序。
樹脂剝離工序是將覆蓋在晶片1的第二面12上的紫外線硬化樹脂212剝離的工序。樹脂剝離工序例如是在從第一面起伏除去工序轉移到第二面起伏除去工序時通過作業(yè)人員等來進行。圖13是用于說明樹脂剝離工序中的晶片1的狀態(tài)的示意圖。此外，在圖13 中，示出了從晶片1剝離硬化了的紫外線硬化樹脂212的過程中的狀態(tài)。如圖13所示，在樹脂剝離工序中，覆蓋在晶片1的第二面12上的紫外線硬化樹脂212與膜213 —起被剝離。 剝離了紫外線硬化樹脂212的第二面12處于維持了起伏12b的形狀的狀態(tài)。通過從晶片 1將硬化了的紫外線硬化樹脂212全部剝離，從而樹脂剝離工序結束，轉移到第二面起伏除去工序。第二面起伏除去工序是將在通過樹脂剝離工序而露出的晶片1的第二面12上形成的起伏12b磨削除去的工序。圖14是用于說明第二面起伏除去工序中的晶片1的狀態(tài)的示意圖。此外，在圖14中，示出了通過磨削單元105的磨削而將第二面12的起伏12b除去后的狀態(tài)。如圖14所示，晶片1的在第一面起伏除去工序中被除去起伏lib而平坦化的第一面11吸引保持在保持面10 上。這時，在晶片1的第二面12，起伏12b被維持(圖 13所示的翻轉了晶片1的表面和背面后的狀態(tài))。在以如此平坦化了的第一面11為基準面進行了吸引保持的狀態(tài)下，通過磨削單元105進行磨削。在這樣的第二面起伏除去工序中，以被平坦化了的第一面11為基準面，在維持第一面11的起伏lib的形狀的狀態(tài)下，通過磨削單元105進行磨削，因此能夠有效地除去第二面12的起伏12b。隨后，在如圖14所示地除去了第二面12的起伏12b后，第二面起伏除去工序結束，本實施方式所涉及的晶片1的平坦加工方法終止。在這樣的本實施方式所涉及的晶片1的平坦加工方法中，由于在一次磨削工序中通過磨削由晶錠切片得到的晶片1的第一面11以及第二面12而除去了加工形變lla、12a， 因此減小了由加工形變lla、12a的大小差異而導致的翹曲。隨后，對于這樣減小了翹曲的晶片1，在樹脂涂布工序、起伏形狀恢復工序以及樹脂硬化工序中，在通過紫外線硬化樹脂 212，維持了晶片1的起伏llb、12b的形狀的狀態(tài)下進行成形硬化。進而，在如此通過紫外線硬化樹脂212進行了硬化的狀態(tài)下，在二次磨削工序(第一面、第二面起伏除去工序)中除去在晶片1的表層生成的起伏llb、12b，因此能夠有效地除去在切割晶錠時的因晶片的形變而導致的翹曲以及晶片兩面的表層的起伏，因而能夠獲得高平坦度的晶片。實施例接下來，對證明通過本實施方式所涉及的晶片1的平坦加工方法而得到的效果的實施例進行說明。在下面所示的實施例中，示出了以通過切斷裝置從晶錠切出的12英寸的晶片1為加工對象的情況下的驗證結果。在實施例中，基于是否實施磨削工序(一次磨削工序、二次磨削工序)，驗證了可否除去晶片1的起伏以及對翹曲除去率的影響。表1示出了在只進行一次磨削工序時、只進行二次磨削工序時、以及進行一次磨削工序和二次磨削工序雙方時的驗證結果。此外，二次磨削工序如上所述由第一面起伏除去工序以及第二面起伏除去工序構成，并且可認為包含樹脂剝離工序。另外，在無論哪一個驗證結果中，都同樣地實施了本發(fā)明所涉及的晶片1 的平坦加工方法中的其他工序(樹脂涂布工序、起伏形狀恢復工序、樹脂硬化工序)。表1
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權利要求
1. 一種晶片的平坦加工方法，其是將由晶錠進行切片得到的晶片的兩個面加工得平坦的平坦加工方法，所述晶片具有由切片引起的因產生在所述晶片的第一面和該第一面的相反側的第二面上的形變的大小差異而導致的翹曲、以及通過切片而在所述第一面和第二面的表層產生的起伏，其特征在于，所述晶片的平坦加工方法具備磨削工序，在通過將所述晶片的所述第一面吸引保持于卡盤工作臺的水平保持面來對所述起伏進行矯正從而使晶片水平的狀態(tài)下，對露出的所述晶片的所述第二面進行磨削， 直到將所述晶片的所述第二面的所述形變除去為止，另一方面，在通過將所述晶片的所述第二面吸引保持于所述水平保持面來對所述起伏進行矯正從而使晶片水平的狀態(tài)下，對露出的所述晶片的所述第一面進行磨削，直到將所述晶片的所述第一面的所述形變除去為止，從而在所述晶片的第一面和第二面形成相等的磨削形變；樹脂涂布工序，將紫外線硬化樹脂滴在膜上，該膜放置在具有水平的保持面的工作臺上，將完成了所述磨削工序的所述晶片的所述第二面放置在所述紫外線硬化樹脂上，并且從露出的所述第一面?zhèn)认蛩龉ぷ髋_方向施加均布于整個面的按壓力，將所述紫外線硬化樹脂涂布于所述晶片的整個所述第二面；起伏形狀恢復工序，在涂布了所述紫外線硬化樹脂后，將從所述第一面?zhèn)认蛩龉ぷ髋_方向施加的按壓力解除，使所述晶片的所述起伏的形狀恢復；樹脂硬化工序，在所述起伏形狀恢復工序后，向所述紫外線硬化樹脂照射紫外線，使樹脂硬化；第一面起伏除去工序，在所述樹脂硬化工序后，磨削所述第一面直至將所述第一面的表層的所述起伏除去為止；以及第二面起伏除去工序，以除去了所述起伏而實現(xiàn)了平坦化的所述第一面為基準面，磨削所述第二面直至將所述第二面的表層的所述起伏除去為止。
全文摘要
本發(fā)明提供一種晶片的平坦加工方法，其能夠有效地除去由晶錠切片得到的晶片的形變導致的翹曲以及在晶片兩面的表層產生的起伏，從而使晶片平坦化。在一次磨削工序(ST11)中，通過對由晶錠切片得到的晶片的兩個面(第一面、第二面)進行磨削，來除去兩個面的加工形變，從而減小因該加工形變的大小的差異導致的翹曲。在樹脂涂布工序、起伏形狀恢復工序以及樹脂硬化工序(ST12～ST14)中，在維持晶片兩面的表層的起伏的形狀的狀態(tài)下，通過紫外線硬化樹脂進行成形硬化。在第一面、第二面起伏除去工序(ST15、ST17)中，除去在通過紫外線硬化樹脂而硬化了的晶片的表層產生的起伏。
文檔編號H01L21/304GK102263023SQ20111013675
公開日2011年11月30日 申請日期2011年5月24日 優(yōu)先權日2010年5月28日
發(fā)明者下谷誠, 宮崎一彌, 小野寺寬 申請人:株式會社迪思科