專利名稱：電氣光學(xué)裝置、電氣光學(xué)裝置的制造方法、電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電氣光學(xué)裝置、電氣光學(xué)裝置的制造方法、電子設(shè)備。
背景技術(shù)：
作為電氣光學(xué)裝置，公知具有有機(jī)EL (電致發(fā)光，ElectroLuminescence)元件的有機(jī)EL裝置，該有機(jī)EL元件在基板上具備一對電極和設(shè)于這一對電極之間的由有機(jī)膜構(gòu)成的包括發(fā)光層的功能層。在上述有機(jī)EL裝置中，由于上述功能層存在通過吸收水分、氣體而發(fā)光壽命下降的可能性，因此采用密封構(gòu)造，以保護(hù)有機(jī)EL元件不受從外部浸入的水分、氣體的影響。例如，在專利文獻(xiàn)1中公開了如下的顯示裝置，該顯示裝置具備基板，該基板具有由阻擋層(bank layer)分離的多個顯示元件和配線層；以及密封基板，該密封基板在上述基板的外周的密封區(qū)域與上述基板接合以覆蓋上述基板，覆蓋多個顯示元件和阻擋層的電極層的外周部與配線層在該密封區(qū)域中連接。該顯示裝置呈現(xiàn)在沿著密封基板的四邊的部分對設(shè)置有顯示元件的基板進(jìn)行密封的所謂罐式密封構(gòu)造，并在該密封區(qū)域連接電極層和配線層，因此，與將密封區(qū)域、以及電極層與配線層之間的連接區(qū)域配置在俯視圖中不同的部分的情況相比較，能夠縮窄無助于顯示的邊框區(qū)域。并且，在專利文獻(xiàn)2中公開了一種有機(jī)EL裝置，該有機(jī)EL裝置具備第一連接配線，該第一連接配線配置在顯示區(qū)域的周圍，且與夾隔有機(jī)發(fā)光層的一對電極中的一方電極連接；以及氣體阻擋層(gasbarrier layer)，該氣體阻擋層覆蓋該第一連接配線的端面， 并且覆蓋該第一連接配線以及設(shè)置于顯示區(qū)域的多個發(fā)光元件的表面。根據(jù)該有機(jī)EL裝置，能夠利用氣體阻擋層防止水分經(jīng)由第一連接配線侵入，能夠?qū)崿F(xiàn)長發(fā)光壽命。[專利文獻(xiàn)l]W02003/60858號小冊子[專利文獻(xiàn)2]日本特開2009-117079號公報然而，當(dāng)欲將專利文獻(xiàn)2的技術(shù)思想反映于專利文獻(xiàn)1的密封構(gòu)造時，存在專利文獻(xiàn)1的顯示裝置中的邊框區(qū)域的寬度變寬的可能性，存在難以達(dá)成預(yù)期目的即能夠縮窄邊框區(qū)域的寬度的課題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明就是為了解決上述課題的至少一部分而完成的，能夠作為以下的方式或者應(yīng)用例實現(xiàn)。[應(yīng)用例1]本應(yīng)用例的電氣光學(xué)裝置的特征在于，上述電氣光學(xué)裝置在基板上具備像素區(qū)域，在該像素區(qū)域設(shè)置有發(fā)光元件，該發(fā)光元件具有第一電極、第二電極、以及設(shè)置在上述第一電極和上述第二電極之間的發(fā)光層；間隔壁部，該間隔壁部設(shè)置在上述像素區(qū)域的外側(cè)；連接配線，該連接配線設(shè)置在上述間隔壁部的外側(cè)；以及連接部，該連接部對上述第二電極和上述連接配線進(jìn)行電連接，上述第二電極以覆蓋上述像素區(qū)域和上述間隔壁部的方式延伸設(shè)置，且在俯視圖中該第二電極不與上述連接配線重疊。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，連接配線和第二電極經(jīng)由連接部電連接。因此，與使連接配線與第二電極直接接觸而連接的情況相比較，即便第二電極的平面配置精度低，只要考慮該情況而設(shè)置連接部即可，因此能夠使連接配線和第二電極以穩(wěn)定的狀態(tài)電連接。換言之，能夠在像素區(qū)域的外側(cè)縮窄使連接配線與第二電極電連接的區(qū)域。[應(yīng)用例2]在上述應(yīng)用例的電氣光學(xué)裝置中，也可以形成為，上述間隔壁部具有由面向上述基板的外周側(cè)的側(cè)面形成的外側(cè)部，在俯視圖中上述第二電極和上述連接部在上述間隔壁部的外側(cè)部重疊。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，即便設(shè)置有包圍像素區(qū)域的間隔壁部的區(qū)域是在俯視圖中窄的區(qū)域，也能夠利用間隔壁部的壁面穩(wěn)定地對連接部和第二電極進(jìn)行連接。[應(yīng)用例3]在上述應(yīng)用例的電氣光學(xué)裝置中，也可以形成為，上述電氣光學(xué)裝置具有外圍電路，該外圍電路在俯視圖中設(shè)置在上述連接配線與上述像素區(qū)域之間，對上述發(fā)光元件進(jìn)行驅(qū)動控制，在俯視圖中上述連接部的至少一部分與上述外圍電路重疊。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，即便在基板上將連接配線和外圍電路設(shè)置在像素區(qū)域的外側(cè)的區(qū)域即邊框區(qū)域，通過以至少一部分與設(shè)置有外圍電路的區(qū)域重疊的方式設(shè)置連接部，與在俯視圖中獨立地配置連接部的情況相比較，能夠縮窄邊框區(qū)域。[應(yīng)用例4]在上述應(yīng)用例的電氣光學(xué)裝置中，優(yōu)選上述連接配線和上述連接部沿著形成上述基板的外周的第一邊和與上述第一邊對置的第二邊設(shè)置。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠縮小第二電極中的一個方向的電阻，能夠降低發(fā)光元件之間的發(fā)光特性的偏差。另外，所謂一個方向，優(yōu)選是第二電極中的長度方向。能夠抑制第二電極中的長度方向的電阻上升。[應(yīng)用例5]在上述應(yīng)用例的電氣光學(xué)裝置中，也可以形成為，上述連接部和上述第二電極由相互不同的導(dǎo)電性材料構(gòu)成。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，根據(jù)以何種方式取出發(fā)光層的發(fā)光來考慮第二電極的關(guān)于各種材料的選擇，而連接部只要能夠?qū)崿F(xiàn)電連接即可，因此材料選擇的自由度不受第二電極的材料的制約。[應(yīng)用例6]在上述應(yīng)用例的電氣光學(xué)裝置中，優(yōu)選上述連接部的電阻率比上述第二電極的電阻率小。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠使連接配線和第二電極經(jīng)由低電阻的連接部連接。[應(yīng)用例7]在上述應(yīng)用例的電氣光學(xué)裝置中，優(yōu)選具備氣體阻擋層，該氣體阻擋層以覆蓋上述第二電極和上述連接部的方式設(shè)置。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠利用氣體阻擋層防止水分等從設(shè)置有連接部的基板上的界面侵入設(shè)置于像素區(qū)域的發(fā)光元件。即，能夠提供具有長發(fā)光壽命的電氣光學(xué)裝置。[應(yīng)用例8]對于本應(yīng)用例的電氣光學(xué)裝置的制造方法，該電氣光學(xué)裝置在基板上具備發(fā)光元件，該發(fā)光元件具有第一電極、第二電極、以及設(shè)置在上述第一電極與上述第二電極之間的發(fā)光層，上述電氣光學(xué)裝置的制造方法具備以下工序在設(shè)置有上述發(fā)光元件的像素區(qū)域的外側(cè)形成間隔壁部的工序；在上述間隔壁部的外側(cè)形成連接配線的工序；形成用于對上述第二電極和上述連接配線進(jìn)行電連接的連接部的工序；以及形成上述第二電極的工序，上述第二電極以覆蓋上述像素區(qū)域和上述間隔壁部、并且不與上述連接配線在俯視圖中重疊的方式形成。
根據(jù)該方法，連接配線和第二電極經(jīng)由連接部電連接。因此，與以使連接配線與第二電極直接接觸而連接的方式形成第二電極的情況相比較，即便第二電極的平面配置精度低，只要考慮該情況而設(shè)置連接部即可，因此能夠使連接配線和第二電極以穩(wěn)定的狀態(tài)電連接。換言之，能夠提供一種能夠縮窄在像素區(qū)域的外側(cè)使連接配線與第二電極電連接的區(qū)域的電氣光學(xué)裝置的制造方法。[應(yīng)用例9]在上述應(yīng)用例的電氣光學(xué)裝置的制造方法中，其特征在于，形成上述連接部的方法是光刻法，形成上述第二電極的方法是掩模蒸鍍法。根據(jù)該方法，即便利用形成位置精度比光刻法差的掩模蒸鍍法形成第二電極，由于利用光刻法形成有與第二電極重合的連接部，因此能夠?qū)崿F(xiàn)電氣光學(xué)裝置中的像素區(qū)域的外圍區(qū)域即邊框區(qū)域的位置精度高的狀態(tài)。[應(yīng)用例10]在上述應(yīng)用例的電氣光學(xué)裝置的制造方法中，也可以形成為，上述間隔壁部具有由面向上述基板的外周側(cè)的側(cè)面形成的外側(cè)部，在形成上述連接部的工序中， 在俯視圖中，遍及從上述連接配線直到上述間隔壁部的外側(cè)部的區(qū)域形成上述連接部，在形成上述第二電極的工序中，以在俯視圖中在上述間隔壁部的外側(cè)部與上述連接部重疊的方式形成上述第二電極。根據(jù)該方法，即便形成有包圍像素區(qū)域的間隔壁部的區(qū)域是在俯視圖中窄的區(qū)域，也能夠利用間隔壁部的壁面穩(wěn)定地對連接部和第二電極進(jìn)行連接。[應(yīng)用例11]在上述應(yīng)用例的電氣光學(xué)裝置的制造方法中，也可以形成為，利用相互不同的導(dǎo)電性材料形成上述連接部和上述第二電極。根據(jù)該方法，能夠擴(kuò)寬第二電極和連接部的材料選擇的幅度，能夠與頂部發(fā)光和底部發(fā)光的電氣光學(xué)裝置中的任一種對應(yīng)。[應(yīng)用例12]在上述應(yīng)用例的電氣光學(xué)裝置的制造方法中，也可以形成為，上述連接部使用電阻率比上述第二電極的電阻率小的導(dǎo)電性材料形成。根據(jù)該方法，與使連接配線和第二電極直接連接的情況相比較，能夠提高連接區(qū)域的形成精度，并且能夠以電阻更低的狀態(tài)進(jìn)行電連接。[應(yīng)用例13]在上述應(yīng)用例的電氣光學(xué)裝置的制造方法中，也可以形成為，具有在俯視圖中的上述連接配線與上述像素區(qū)域之間形成外圍電路的工序，該外圍電路用于對上述發(fā)光元件進(jìn)行驅(qū)動控制，在形成上述連接部的工序中，以至少一部分與上述外圍電路在俯視圖中重疊的方式形成上述連接部。上述電氣光學(xué)裝置的制造方法具有形成外圍電路的工序，該外圍電路在俯視圖中設(shè)置在上述連接配線與上述像素區(qū)域之間，對上述發(fā)光元件進(jìn)行驅(qū)動控制，在形成上述連接部的工序中，以至少一部分與上述外圍電路在俯視圖中重疊的方式形成上述連接部。根據(jù)該方法，即便在基板上將連接配線和外圍電路設(shè)置在像素區(qū)域的外側(cè)的區(qū)域即邊框區(qū)域，通過以至少一部分與形成有外圍電路的區(qū)域重疊的方式形成連接部，與在在俯視圖中獨立地形成連接部的情況相比較，能夠縮窄邊框區(qū)域。[應(yīng)用例14]在上述應(yīng)用例的電氣光學(xué)裝置的制造方法中，也可以形成為，還具備以覆蓋上述第二電極和上述連接部的方式形成氣體阻擋層的工序。根據(jù)該方法，能夠利用氣體阻擋層防止水分等從形成有連接部的基板上的界面侵入配置于像素區(qū)域的發(fā)光元件。即，能夠提供具有長發(fā)光壽命的電氣光學(xué)裝置。
[應(yīng)用例15]本應(yīng)用例的電子設(shè)備的特征在于，該電子設(shè)備具備上述應(yīng)用例的電氣光學(xué)裝置或者是利用上述應(yīng)用例的電氣光學(xué)裝置的制造方法制造的電氣光學(xué)裝置。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠使包圍像素區(qū)域的邊框區(qū)域比以往窄，能夠提供小型且外觀性好的電子設(shè)備。


圖1是示出電氣光學(xué)裝置的結(jié)構(gòu)的概要俯視圖。圖2是示出電氣光學(xué)裝置的電氣結(jié)構(gòu)的等效電路圖。圖3是示出在圖1的A-A’線處切斷后的電氣光學(xué)裝置的構(gòu)造的概要剖視圖。圖4是電氣光學(xué)裝置的主要部分放大剖視圖。圖5是示出電氣光學(xué)裝置的制造方法的流程圖。圖6中，(a) (d)是示出電氣光學(xué)裝置的制造方法的概要剖視圖。圖7中，(e) (h)是示出電氣光學(xué)裝置的制造方法的概要剖視圖。圖8是示出具備保護(hù)層的電氣光學(xué)裝置的一例的概要剖視圖。圖9中，(a) (C)是示出電子設(shè)備的實施例的立體圖。圖10是示出變形例1的電氣光學(xué)裝置的概要俯視圖。圖11是示出變形例2的電氣光學(xué)裝置的概要剖視圖。標(biāo)號說明10...作為基板的元件基板；21... —對電極中的像素電極；23...發(fā)光層； 25...功能層；27...作為一對電極中的一方電極的陰極；30...發(fā)光元件；31...間隔壁部；31a...間隔壁部的壁面；40...氣體阻擋層；100、200...電氣光學(xué)裝置；101...作為外圍電路的掃描線驅(qū)動電路；103...作為外圍電路的檢查電路；105...連接部； 105a...連接部的一方端部；105b...連接部的另一方端部；106...連接配線；107...像素區(qū)域；1000...作為電子設(shè)備的移動電話機(jī)；1100...作為電子設(shè)備的腕表式信息終端； 1200...作為電子設(shè)備的便攜式信息處理裝置。
具體實施例方式以下，根據(jù)附圖對將本發(fā)明具體化了的實施方式進(jìn)行說明。另外，所使用的附圖適當(dāng)?shù)胤糯蠡蛘呖s小顯示，以便使欲說明的部分成為能夠識別的狀態(tài)。(第一實施方式)<電氣光學(xué)裝置>首先，參照圖1 圖4對本實施方式的電氣光學(xué)裝置進(jìn)行說明。圖1是示出電氣光學(xué)裝置的結(jié)構(gòu)的概要俯視圖，圖2是示出電氣光學(xué)裝置的電氣結(jié)構(gòu)的等效電路圖，圖3是示出在圖1的A-A’線處切斷后的電氣光學(xué)裝置的構(gòu)造的概要剖視圖，圖4是電氣光學(xué)裝置的主要部分放大剖視圖。如圖1所示，本實施方式的電氣光學(xué)裝置100是利用作為開關(guān)元件的薄膜晶體管 (Thin Film Transistor)對具備發(fā)光元件的子像素SG進(jìn)行驅(qū)動控制的有源驅(qū)動型的發(fā)光裝置。在設(shè)置有上述薄膜晶體管(TFT)的元件基板10上具有與紅色(R)、綠色(G)、藍(lán)色 (B)的3種顏色對應(yīng)的子像素SG ；以及多個子像素SG呈矩陣狀配置而成的像素區(qū)域107。以像素區(qū)域107中的子像素SG的配置為基準(zhǔn)，以行方向作為X方向、以列方向作為Y方向進(jìn)行說明。在X方向上的圖像區(qū)域107的外側(cè)的區(qū)域，沿著Y方向配置有一對掃描線驅(qū)動電路 101。并且，以與一對掃描線驅(qū)動電路101分別在俯視圖中重疊的方式沿著Y方向設(shè)置有同樣一對連接部105。連接部105是為了實現(xiàn)設(shè)置于元件基板10的連接配線106與子像素SG的發(fā)光元件的一對電極中的一方電極之間的電連接而設(shè)置的導(dǎo)電體，詳細(xì)情況后述。在Y方向上的圖像區(qū)域107的外側(cè)的區(qū)域，在附圖上的上方的區(qū)域中沿著該上方的邊部配置有檢查電路103和連結(jié)一對掃描線驅(qū)動電路101的配線104。并且，在相對于設(shè)置有檢查電路103的該上方區(qū)域位于相反側(cè)的區(qū)域具有用于實現(xiàn)與外部驅(qū)動電路之間的連接的端子部，在該端子部設(shè)置有柔性的中繼基板110。中繼基板110是所謂的FPC，且平面貼裝有驅(qū)動IC 102。驅(qū)動IC 102含有數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路。在中繼基板110設(shè)置有多條輸入配線112，這些輸入配線112將來自外部驅(qū)動電路的信號傳遞至驅(qū)動IC 102 ；以及多條輸出配線111，這些輸出配線111輸出來自驅(qū)動 IC 102的控制信號。多條輸出配線111在元件基板10的上述端子部中連接于與上述連接部105相連的連接配線106、以及與掃描線驅(qū)動電路101、子像素SG的發(fā)光元件連接的配線 108。在本實施方式中，將對設(shè)置于子像素SG的發(fā)光元件進(jìn)行驅(qū)動控制的外圍電路中的掃描線驅(qū)動電路101和檢查電路103設(shè)置在元件基板10上，但是，也可以形成為將驅(qū)動 IC 102所含有的數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路等也設(shè)置在元件基板10上的結(jié)構(gòu)。如圖2所示，電氣光學(xué)裝置100具有多條掃描線IOla ；以及以相對于多條掃描線 IOla絕緣的狀態(tài)與掃描線IOla交叉(正交)的多條數(shù)據(jù)線10 和多條電源線102b。多條掃描線IOla與具備移位寄存器和電平轉(zhuǎn)換器的掃描線驅(qū)動電路101連接。多條數(shù)據(jù)線10 與具備移位寄存器、電平轉(zhuǎn)換器、視頻線、以及模擬開關(guān)的驅(qū)動IC 102的數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路連接。子像素SG設(shè)置在由多條掃描線IOla和多條數(shù)據(jù)線102a、多條電源線102b劃分成矩陣狀的區(qū)域中。子像素SG具有掃描信號經(jīng)由掃描線IOla被供給至柵電極的開關(guān)用的TFT121 ； 保持電容123，該保持電容123保持經(jīng)由該開關(guān)用的TFT121從數(shù)據(jù)線10 供給的像素信號；以及由該保持電容123保持的像素信號被供給至柵電極的驅(qū)動用的TFT 122。并且，還具有像素電極(陽極)21，當(dāng)其經(jīng)由驅(qū)動用的TFT 122與電源線102b電連接時，從該電源線102b流入驅(qū)動電流，該像素電極21被作為一對電極中的另一方電極；作為一對電極中的一方電極的陰極27 ；以及被夾入在像素電極21與陰極27之間的含有發(fā)光層的功能層25。 利用像素電極21、功能層25、以及陰極27構(gòu)成發(fā)光元件(有機(jī)EL元件)30。其中，在圖2中省略了檢查電路103，檢查電路103是用于檢查電氣光學(xué)裝置100 的工作狀況的電路，例如具備將檢查結(jié)果輸出至外部的檢查信息輸出單元，構(gòu)成為能夠進(jìn)行制造中途或出廠時的顯示品質(zhì)、缺陷的檢查。從進(jìn)行電氣光學(xué)裝置100的工作控制的驅(qū)動IC 102等送出對掃描線驅(qū)動電路101 和檢查電路103施加的驅(qū)動控制信號和驅(qū)動電壓。該情況下的驅(qū)動控制信號是指，與掃描線驅(qū)動電路101和檢查電路103輸出信號時的控制相關(guān)聯(lián)的指令信號。
根據(jù)這種電氣光學(xué)裝置100，當(dāng)掃描線IOla被驅(qū)動而開關(guān)用的TFT121成為接通狀態(tài)時，此時的數(shù)據(jù)線10 的電位(像素信號)被保持于保持電容123，并根據(jù)該保持電容 123的狀態(tài)決定驅(qū)動用的TFF 122的接通/截止?fàn)顟B(tài)。進(jìn)而，電流經(jīng)由驅(qū)動用的TFT 122的溝道從電源線102b流動至像素電極21，進(jìn)一步，電流經(jīng)由功能層25流動至陰極27。功能層25根據(jù)流過該功能層的電流量而發(fā)光，進(jìn)行基于圖像信號的顯示。如圖3所示，在元件基板10上設(shè)置有含有驅(qū)動用的TFT 122、電源線102b等的配線類的電路部17，在該電路部17上設(shè)置有與紅色(R)、綠色(G)、藍(lán)色(B)對應(yīng)地形成的發(fā)光元件30R、30G、30B。進(jìn)一步，以覆蓋這些發(fā)光元件30R、30G、30B的方式設(shè)置有氣體阻擋層 40。各發(fā)光元件30R、30G、30B在電路部17上由間隔壁部32劃分。將這些間隔壁部32 中的設(shè)置在設(shè)有多個發(fā)光元件30(發(fā)光元件30R、30G、30B)的像素區(qū)域107的外周部分的間隔壁部作為間隔壁部31進(jìn)行區(qū)分說明。并且，將像素區(qū)域107的外側(cè)與元件基板10的端部之間的區(qū)域作為邊框區(qū)域109進(jìn)行說明。在邊框區(qū)域109中設(shè)置有掃描線驅(qū)動電路101等外圍電路、連接配線106、連接部 105。各發(fā)光元件30R、30G、30B分別具有像素電極21和形成在像素電極21上的功能層 25，作為夾隔功能層25的一對電極中的一方電極的陰極27以覆蓋功能層25和間隔壁部32 的方式設(shè)置。連接配線106在電路部17中沿厚度方向?qū)?，且以在電路?7的表面露出的方式設(shè)置，連接部105以與露出的連接配線106重疊的方式配置。并且，連接部105在電路部 17上被設(shè)置在跨及下述區(qū)域，即從連接配線106側(cè)越過設(shè)置有掃描線驅(qū)動電路101的區(qū)域直到間隔壁部31的壁面的區(qū)域。即，連接部105與連接配線106連接，并且與掃描線驅(qū)動電路101在俯視圖中重疊，并朝像素區(qū)域107延伸。將覆蓋在間隔壁部31的壁面上的部分稱作連接部105的一方端部105a，將與連接配線106重合的部分稱作另一方端部105b。另外，如圖1所示，連接配線106在在俯視圖中沿著掃描線驅(qū)動電路101在Y方向延伸。連接配線106和連接部105在俯視圖中在連接配線106的延伸方向(Y方向)連續(xù)地連接，但是并不局限于此。也可以形成為在連接配線106的延伸方向上例如經(jīng)由接觸孔使連接配線106和連接部105局部地連接的構(gòu)造。由此，能夠考慮掃描線驅(qū)動電路101等外圍電路、與該外圍電路相連的配線等的平面配置對連接配線106和連接部105進(jìn)行電連接。陰極27在像素區(qū)域107內(nèi)以覆蓋功能層25和間隔壁部32的方式設(shè)置，且在邊框區(qū)域109以覆蓋沿著間隔壁部31的壁面的上述一方端部10 的方式設(shè)置。由此，連接配線106和陰極27經(jīng)由連接部105電連接。即便在俯視圖中間隔壁部31的寬度比其他的間隔壁部32的寬度窄，由于設(shè)置于壁面的上述一方端部10 與陰極27重疊，因此能夠在壁面上確保連接面積而實現(xiàn)穩(wěn)定的導(dǎo)通電阻。氣體阻擋層40在像素區(qū)域107中以覆蓋陰極27的方式設(shè)置，并且在邊框區(qū)域109 中以覆蓋連接部105的另一方端部10 的方式設(shè)置。由此，能夠防止氧、水分等從陰極27 和連接部105與電路部17(連接配線106)之間的界面侵入像素區(qū)域107。本實施方式的發(fā)光元件30 (發(fā)光元件30R、30G、30B)采用頂部發(fā)光(topemission)構(gòu)造，在功能層25發(fā)出的光在陰極27側(cè)被取出，對此將在后邊詳細(xì)敘述。因此，陰極27需要由具有透光性的材料構(gòu)成，使用透明導(dǎo)電材料。作為透明導(dǎo)電材料優(yōu)選為 ITOdndium Tin Oxide，氧化銦錫)，但除此以外，例如能夠使用氧化銦/氧化鋅類非晶態(tài)透明導(dǎo)電膜(氧化銦鋅ΙΖ0/ Π ·卜·才一)(注冊商標(biāo))(出光興產(chǎn)株式會社制) 等。另外，在本實施方式中使用ΙΤ0。由于連結(jié)陰極27和連接配線106的連接部105設(shè)置在邊框區(qū)域109，因此無需具有透光性，能夠使用電阻率比陰極27的電阻率低的Al等金屬材料或其合金等。連接配線106優(yōu)選在形成構(gòu)成電路部17的薄膜晶體管、配線類的工序同時形成。 接著，對與連接配線106的結(jié)構(gòu)相關(guān)聯(lián)的電路部17和發(fā)光元件30進(jìn)行說明。如圖4所示，電路部17設(shè)置在元件基板10上，進(jìn)一步，發(fā)光元件30設(shè)置在電路部 17上。從電路部17側(cè)開始依次進(jìn)行說明。在元件基板10上，首先，以覆蓋該元件基板10的表面的方式設(shè)置例如由氧化硅等無機(jī)絕緣材料形成的底絕緣膜11。在底絕緣膜11上設(shè)置TFT 122。TFT 122具有呈島狀地設(shè)置在底絕緣膜11上的例如由多晶硅形成的半導(dǎo)體層12 ；覆蓋半導(dǎo)體層12 的例如由氧化硅或氮化硅等無機(jī)絕緣材料形成的柵極絕緣膜12 ；以及設(shè)置在柵極絕緣膜12上的柵電極122g。在半導(dǎo)體層12 中，將夾隔柵極絕緣膜12而與柵電極122g重疊的區(qū)域作為溝道區(qū)域12加。其中，雖然并未圖示，但該柵電極122g是掃描線IOla的一部分。另一方面，對于覆蓋半導(dǎo)體層122h、并設(shè)置有柵電極122g的柵極絕緣膜12，設(shè)置例如以氧化硅為主體的第一層間絕緣膜13來覆蓋柵極絕緣膜12。并且，在半導(dǎo)體層12 中的溝道區(qū)域12 的源極側(cè)，設(shè)置有低濃度源極區(qū)域122b 和高濃度源極區(qū)域122s，而在溝道區(qū)域12 的漏極側(cè)設(shè)置有低濃度漏極區(qū)域122c和高濃度漏極區(qū)域122d，形成所謂的LDD (Light Doped Drain，輕摻雜漏區(qū))構(gòu)成。其中，高濃度源極區(qū)域12 經(jīng)由遍及柵極絕緣膜12和第一層間絕緣膜13開孔的接觸孔13a與源電極 122e連接。該源電極12 構(gòu)成前面所述的電源線102b (參照圖2，在圖4中在柵電極12 的位置沿紙面垂直方向延伸)的一部分。另一方面，高濃度漏極區(qū)域122d經(jīng)由遍及柵極絕緣膜12和第一層間絕緣膜13開孔的接觸孔1 與由和源電極12 相同的材料形成的漏電極122f連接。設(shè)置有源電極12 和漏電極122f的第一層間絕緣膜13的上層例如由以丙烯類的樹脂成分為主體的第二層間絕緣膜14覆蓋。該第二層間絕緣膜14也可以使用丙烯類的有機(jī)絕緣材料以外的材料、例如能夠使用氧化硅或氮化硅等無機(jī)絕緣材料。進(jìn)而，例如由 ITO形成的像素電極21設(shè)置在該第二層間絕緣膜14的表面上，并且經(jīng)由設(shè)置于該第二層間絕緣膜14的接觸孔Ha與漏電極122f連接。即，像素電極21經(jīng)由漏電極122f與半導(dǎo)體層12 的高濃度漏極區(qū)域122d連接。源電極12 、漏電極122f、以及柵電極122g能夠使用例如Al等低電阻配線材料構(gòu)成。另外，對于構(gòu)成掃描線驅(qū)動電路101和掃描電路103所含有的例如移位寄存器的反相器(inverter)的N溝道型或者P溝道型的TFT，除了不與像素電極21連接以外形成為與上述驅(qū)動用的TFT 122同樣的構(gòu)造。
如前面所述，設(shè)置在電路部17上的發(fā)光元件30構(gòu)成為含有像素電極21、陰極27、 以及配置在兩個電極之間的功能層25。并且，各發(fā)光元件30由間隔壁部32劃分。具體地說，間隔壁部32由下層間隔壁部3 和上層間隔壁部32b構(gòu)成，下層間隔壁部3 覆蓋像素電極21的外緣部，且在像素電極21上具有開口 32c，上層間隔壁部32b設(shè)置在下層間隔壁部3 上，并從實質(zhì)上劃分功能層25所被設(shè)置的膜形成區(qū)域。下層間隔壁部3 例如由氧化硅等無機(jī)絕緣材料形成。上層間隔壁部32b例如由環(huán)氧類或者聚酰亞胺類等有機(jī)絕緣材料形成。功能層25具有設(shè)置在像素電極21側(cè)的空穴注入輸送層22 ；以及與空穴注入輸送層22重疊設(shè)置的發(fā)光層23。在本實施方式中，通過將含有功能層形成材料的液狀體涂覆于上述膜形成區(qū)域并使其干燥來形成功能層25 (空穴注入輸送層22、發(fā)光層23)。作為空穴注入輸送層22的形成材料，可以使用例如聚噻吩衍生物、聚吡咯衍生物等，或這些的摻雜物等。具體來說，可以使用聚(3，4_亞乙基二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)(PED0T/PSS)[商品名:Bytron-p =Bayer公司制]的分散液，即，在作為分散劑的聚(苯乙烯磺酸)中分散聚(3，4_亞乙基二氧基噻吩)，進(jìn)一步將其分散于水中的分散液等。作為發(fā)光層23的形成材料，可以使用能夠發(fā)出熒光或磷光的公知的發(fā)光材料。具體來說，適合使用(聚)芴衍生物(PF)、(聚)對亞苯基亞乙烯基衍生物(PPV)、聚亞苯基衍生物(PP)、聚對亞苯基衍生物(PPP)、聚乙烯基咔唑(PVK)、聚噻吩衍生物、聚甲基苯基硅烷(PMPQ等聚硅烷類等。另外，還可以在這些高分子材料中摻雜茈系色素、香豆素系色素、羅丹明系色素等高分子系材料，紅熒烯、茈、9，10-二苯基蒽、四苯基丁二烯、尼羅紅、香豆素6、喹吖啶酮等低分子材料而使用。其中，還可以代替上述高分子材料使用以往公知的低分子材料。功能層25的結(jié)構(gòu)并不局限于此，也可以以發(fā)光層23為主體，含有空穴注入層、空穴輸送層、電子注入層、電子輸送層等載流子注入層或者載流子輸送層。進(jìn)一步，也可以含有空穴阻止層(空穴阻擋層)、電子阻止層(電子阻擋層)。如前面所述，由于形成為頂部發(fā)光構(gòu)造，因此，以覆蓋功能層25的方式設(shè)置的陰極27使用ITO等透明導(dǎo)電材料構(gòu)成。以覆蓋陰極27的方式設(shè)置的氣體阻擋層40例如是由無機(jī)化合物形成的層，優(yōu)選由硅化合物即硅氮化物、硅氮氧化物、硅氧化物等構(gòu)成。其中，除了硅化合物以外，例如也可以由氧化鋁、氧化鉭、氧化鈦、以及其他的陶瓷等構(gòu)成。這樣，如果利用無機(jī)化合物形成氣體阻擋層40的話，則與由ITO等無機(jī)透明導(dǎo)電膜材料形成的陰極27之間的密接性好，氣體阻擋層40形成為無缺陷的致密層，從而相對于氧、水分的阻擋性更好。并且，作為該氣體阻擋層40，也可以形成為層疊上述硅化合物中的不同的材料層而成的構(gòu)造，例如，從陰極27側(cè)開始依次形成硅氮化物、硅氮氧化物，或者從陰極27側(cè)開始依次形成硅氮氧化物、硅氧化物，從而構(gòu)成氣體阻擋層40，這種情況也是優(yōu)選的。并且，除了這種組合以外，在層疊2層以上的組成比不同的硅氮氧化物的情況下，優(yōu)選以位于陰極27 側(cè)的層的氧濃度比位于靠外側(cè)的層的氧濃度低的方式構(gòu)成。這樣一來，由于陰極27側(cè)的氧濃度比其相反側(cè)的氧濃度低，因此能夠防止氣體阻擋層40中的氧通過陰極27到達(dá)陰極27內(nèi)側(cè)的發(fā)光層23從而使發(fā)光層23劣化，由此能夠?qū)崿F(xiàn)發(fā)光層23的長壽命化。另外，作為氣體阻擋層40，也可以不形成為層疊構(gòu)造，而形成為使其組成不均勻且特別是其氧濃度連續(xù)或者非連續(xù)地變化的結(jié)構(gòu)，在該情況下，由于前面所述的原因，也為構(gòu)成陰極27側(cè)的氧濃度比外側(cè)的氧濃度低所優(yōu)選。另外，作為該氣體阻擋層40的厚度，優(yōu)選為IOnm以上500nm以下。這是因為不足IOnm會導(dǎo)致由于膜的缺陷或膜厚的偏差等而在局部形成穿孔，擔(dān)心損害氣體阻擋性，而超過500nm則擔(dān)心因應(yīng)力而出現(xiàn)破裂。另外，由于在本實施方式中形成為頂部發(fā)光式，因此氣體阻擋層40需要具有透光性，因此通過對其材質(zhì)、膜厚進(jìn)行適當(dāng)?shù)卣{(diào)整而使本實施方式中的可見光區(qū)域中的光線透過率例如在80%以上。<電氣光學(xué)裝置的制造方法>接著，參照圖5 圖8對本實施方式的電氣光學(xué)裝置100的制造方法進(jìn)行說明。圖 5是示出電氣光學(xué)裝置的制造方法的流程圖，圖6 (a) (d)以及圖7(e) (h)是示出電氣光學(xué)裝置的制造方法的概要剖視圖，圖8是示出具備保護(hù)層的電氣光學(xué)裝置的一例的概要剖視圖。另外，在圖6和圖7中，省略了詳細(xì)的構(gòu)造(結(jié)構(gòu))的圖示，以便以能夠理解電路部17的主要的結(jié)構(gòu)的方式進(jìn)行表示。如圖5所示，本實施方式的電氣光學(xué)裝置100的制造方法具備電路部形成工序 (步驟Si)、像素電極形成工序(步驟S2)、間隔壁部形成工序(步驟S3)、連接部形成工序 (步驟S4)、功能層形成工序(步驟S5)、陰極形成工序(步驟S6)、以及氣體阻擋層形成工序(步驟S7)。如圖6(a)所示，在步驟Sl的電路部形成工序中，在元件基板10上形成電路部17。 電路部17的結(jié)構(gòu)如前面所述，能夠使用公知的方法形成。例如，對于驅(qū)動用的TFT 122中的半導(dǎo)體層122h(參照圖4)，使用ICVD法、等離子CVD法等在底絕緣膜11上形成非晶硅層，然后，通過激光退火法或者急速加熱法使晶粒成長而形成多晶硅層。進(jìn)而，能夠舉出對該多晶硅層進(jìn)行圖形化(patterning)而將其形成為島狀，并通過注入硼等雜質(zhì)而形成雜質(zhì)濃度不同的各個區(qū)域的方法。在該電路部形成工序中，也同時形成掃描線驅(qū)動電路101、 隨后構(gòu)成連接配線106的部位的配線部106a。作為配線部106a的形成方法，例如能夠舉出對上述多晶硅層進(jìn)行圖形化后注入雜質(zhì)并對其賦予導(dǎo)電性的方法。進(jìn)一步，也可以在形成柵電極、源電極、漏電極的工序中，相對于所形成的配線部106a重疊形成導(dǎo)電層。并且，對于構(gòu)成電路部17的最表面的第二層間絕緣膜14，例如能夠舉出使用旋轉(zhuǎn)涂覆(spin coat)法等涂覆丙烯類的高分子有機(jī)絕緣材料并使其干燥而形成的方法。通過對第二層間絕緣膜14進(jìn)行蝕刻來形成用于連接隨后形成的像素電極21與TFT 122的接觸孔14a、配線部106a上的接觸孔14b。對于這些接觸孔14a、14b，也可以使用感光性樹脂材料作為第二層間絕緣膜14，通過對所涂覆的該感光性樹脂膜進(jìn)行曝光/顯影來形成。進(jìn)而， 前進(jìn)至步驟S2。如圖6(b)所示，在步驟S2的像素電極形成工序中，以填埋接觸孔14a、14b并覆蓋第二層間絕緣膜14的方式成膜例如ITO膜，通過對該ITO膜進(jìn)行圖形化而形成像素電極21 和配線部10乩。配線部10 被形成在配線部106a上而構(gòu)成連接配線106。進(jìn)而，前進(jìn)至步驟S3。如圖6 (c)所示，在步驟S3的間隔壁部形成工序中，首先，形成覆蓋像素電極21的外緣部的下層間隔壁部32a。作為下層間隔壁部32a的形成方法，能夠舉出掩蔽(masking) 像素電極21上的與開口 32c相當(dāng)?shù)牟糠?，再通過減壓CVD法等成膜氧化硅等無機(jī)絕緣膜的方法。膜厚約為IOOnm 200nm。接著，例如將丙烯樹脂、聚酰亞胺樹脂等抗蝕劑溶解于溶劑而形成溶解物，并以覆蓋像素電極21、下層間隔壁部32a的方式利用旋轉(zhuǎn)涂覆法、浸漬涂覆(dip coat)法等涂覆法涂覆上述溶解物而形成有機(jī)質(zhì)層。另外，對于有機(jī)質(zhì)層的構(gòu)成材料，只要是不溶解于在隨后的功能層形成工序中使用的液狀體的溶劑、容易圖形化、且呈現(xiàn)絕緣性的材料即可，可以是任意的。接著，使用光刻技術(shù)、刻蝕技術(shù)對有機(jī)質(zhì)層進(jìn)行圖形化而在有機(jī)質(zhì)層形成開口部 32d，由此在下層間隔壁部3 上形成在開口部32d具有壁面的上層間隔壁部32b。在本工序中，也同時形成位于像素區(qū)域107的外周部分的間隔壁部31。當(dāng)形成該間隔壁部31時， 優(yōu)選形成為形成像素區(qū)域107的外側(cè)的壁面31a相對于電路部17的表面平緩地傾斜。能夠確保隨后相對于壁面31a形成的各種導(dǎo)電膜、覆蓋導(dǎo)電膜的氣體阻擋層40的覆蓋性。在本實施方式中，使壁面31a的傾斜角度θ約為110度。并且，電路部17上的間隔壁部31、 32的高度約為1 μ m 2 μ m。進(jìn)而，前進(jìn)至步驟S4。如圖6 (d)所示，在步驟S4的連接部形成工序中，掩蔽像素區(qū)域107內(nèi)部而利用Al 等低電阻配線材料形成導(dǎo)電膜。進(jìn)而，使用光刻法對該導(dǎo)電膜進(jìn)行圖形化，從而形成位于像素區(qū)域107側(cè)的一方端部10 覆蓋間隔壁部31的壁面31a、另一方端部10 與連接配線 106重疊的連接部105。如圖1所示，在俯視圖中，在像素區(qū)域107的外側(cè)以與形成有掃描線驅(qū)動電路101的區(qū)域重疊的方式形成大致矩形狀的一對連接部105。連接部105的厚度約為IOOnm 200nm。進(jìn)而，前進(jìn)至步驟S5。在步驟S5的功能層形成工序中，首先，對由間隔壁部32劃分的膜形成區(qū)域?qū)嵤┍砻嫣幚?。具體而言，實施以氧作為處理氣體的等離子處理，以便對含有上層間隔壁部32b的壁面在內(nèi)的表面、像素電極21的表面、以及覆蓋像素電極21的外緣部并在膜形成區(qū)域內(nèi)露出的下層間隔壁部32a的表面分別賦予親液性。接著，在大氣氛圍中實施例如以CF4(四氟化碳)作為處理氣體的等離子處理，以便對由有機(jī)絕緣材料構(gòu)成的含有上層間隔壁部32b 的壁面在內(nèi)的表面賦予疏液性。另外，在該基于CF4的等離子處理中，被賦予了親液性的像素電極21的表面、下層間隔壁部32a的一部分也會受到一定程度的影響，但是，由于構(gòu)成這些部分的無機(jī)材料即 ΙΤ0、氧化硅等缺乏相對于氟的親和性，因此能夠維持親液性。接著，如圖7(e)所示，通過在由間隔壁部32劃分的膜形成區(qū)域中涂覆含有空穴注入輸送層形成材料的液狀體并進(jìn)行干燥而形成空穴注入輸送層22。作為該液狀體的涂覆方法，例如能夠舉出從噴射頭的噴嘴將液狀體作為液滴噴出的液滴噴出法、旋轉(zhuǎn)涂覆法等。從能夠在上述膜形成區(qū)域選擇性且無浪費地涂覆規(guī)定量的液狀體的觀點出發(fā)，優(yōu)選采用上述液滴噴出法。從上述噴嘴噴出的液滴在具有親液性的像素電極21的表面浸潤并擴(kuò)展，充滿上述膜形成區(qū)域內(nèi)。另一方面，被彈射于具有疏液性的上層間隔壁部32b的表面的液滴被彈開而被收納在上述膜形成區(qū)域內(nèi)。使填充在上述膜形成區(qū)域內(nèi)的液狀體干燥而形成的空穴注入輸送層22的膜厚約為50nm lOOnm。另外，在形成空穴注入輸送層22之后，優(yōu)選在氮、氬等惰性氣體氛圍下進(jìn)行成膜， 以防止空穴注入輸送層22以及隨后形成的發(fā)光層23的氧化。接著，如圖7 (f)所示，將含有發(fā)光層形成材料的液狀體涂覆于由間隔壁部32劃分的膜形成區(qū)域并使其干燥，由此形成發(fā)光層23。為了防止因該液狀體的涂覆導(dǎo)致的空穴注入輸送層22的再溶解，作為該液狀體的溶劑使用不溶解空穴注入輸送層22的無極性溶劑。另外，發(fā)光層23通過涂覆含有能夠得到紅色(R)、綠色(G)、藍(lán)色(B)的發(fā)光的發(fā)光層形成材料的液狀體而形成。即，通過在規(guī)定的膜形成區(qū)域內(nèi)涂覆含有紅色(R)的發(fā)光層形成材料的液狀體而形成紅色的發(fā)光層23R。對于其他的發(fā)光顏色的發(fā)光層23G、2!3B也同樣。通過使填充在上述膜形成區(qū)域內(nèi)的液狀體干燥而形成的各發(fā)光層23R、23G、2!3B的膜厚約為IOOnm 300nm。另外，在本實施方式中，通過在膜形成區(qū)域涂覆含有功能層形成材料的液狀體而形成功能層25，但是并不局限于此。例如，也可以使用液滴噴出法形成空穴注入輸送層22， 使用掩模蒸鍍法(mask depositionmethod)形成發(fā)光層23。或者，也可以進(jìn)行掩模蒸鍍而僅形成能夠得到不同的發(fā)光顏色的發(fā)光層23R、23G、2!3B中的例如發(fā)光層23B。進(jìn)而，前進(jìn)至步驟S6。如圖7(g)所示，在步驟S6的陰極形成工序中，使用具有至少比像素區(qū)域107的平面大小稍大的開口 50a的掩模50進(jìn)行掩模蒸鍍而形成陰極27。此時，利用掩模蒸鍍成膜作為陰極形成材料的ΙΤ0。陰極27以覆蓋發(fā)光層23和間隔壁部32的方式成膜。雖然通過掩模蒸鍍成膜的陰極27的外形位置精度比使用光刻法進(jìn)行圖形化的情況下的外形位置精度低，卻形成了在像素區(qū)域107的外側(cè)覆蓋形成于間隔壁部31的壁面31a的連接部105 的一方端部105a的陰極27。由于連接部105已經(jīng)在另一方端部10 與連接配線106電連接，因此只要以覆蓋連接部105的一方端部10 的方式形成陰極27，結(jié)果就能夠使連接配線106和陰極27經(jīng)由連接部105電連接。像素區(qū)域107中的陰極27的厚度約為IOOnm 200nm。進(jìn)而，前進(jìn)至步驟S7。如圖7(h)所示，在步驟S7的氣體阻擋層形成工序中，以在像素區(qū)域107內(nèi)覆蓋陰極27、在像素區(qū)域107的外側(cè)的邊框區(qū)域109覆蓋連接部105的另一方端部10 的方式形成氣體阻擋層40。作為氣體阻擋層40的形成方法，優(yōu)選以濺射法、離子鍍膜法等物理氣相蒸鍍法或者等離子CVD法等化學(xué)氣相蒸鍍法成膜。濺射法、離子鍍膜法等物理氣相蒸鍍法存在下述缺點雖然通常能夠獲得相對于不同性質(zhì)的基板表面亦具有較好的密接性的膜， 但所得到的膜容易產(chǎn)生粒塊狀缺陷、或者容易成為應(yīng)力大的覆膜等。另一方面，在化學(xué)氣相蒸鍍法中，存在下述缺點雖然能夠得到應(yīng)力少、臺階覆蓋性優(yōu)異的缺陷少且致密的良好的膜質(zhì)，但通常難以得到相對于不同性質(zhì)的基板表面的密接性、成膜性。因此，如果在初期的成膜中采用物理氣相蒸鍍法，形成例如所需要的膜厚的一半或者一半以上，并在后期的成膜中使用化學(xué)氣相蒸鍍法彌補先前形成的膜的缺陷的話，則能夠在比較短的時間形成整體的氣體阻擋性(對氧、水分的阻擋性)優(yōu)異的氣體阻擋層40。對于氣體阻擋層40的形成，可以像前面所述那樣利用同一材料形成為單層，或者也可以利用不同的材料層疊形成為多層，進(jìn)一步，也可以是雖然以單層形成、但使其組成在膜厚方向連續(xù)或者非連續(xù)地變化。
在利用不同的材料層疊形成多層的情況下，例如如前面所述，優(yōu)選選用硅氮化物或者硅氮氧化物等作為用物理氣相蒸鍍法形成的內(nèi)側(cè)的層(陰極27側(cè)的層)，選用硅氮氧化物或者硅氧化物等作為用化學(xué)氣相蒸鍍法形成的外側(cè)的層。并且，當(dāng)利用物理氣相蒸鍍法形成內(nèi)側(cè)的層時，亦可通過使對成膜裝置內(nèi)供給的氧量最初較少、隨后連續(xù)或者非連續(xù)地增加，而使形成的氣體阻擋層40中的氧濃度在陰極 27側(cè)(內(nèi)側(cè))偏低，在外側(cè)變得比內(nèi)側(cè)高。另外，當(dāng)然也可以利用單一的成膜法進(jìn)行氣體阻擋層40的形成，在該情況下，如前面所述，優(yōu)選形成為使氧濃度在陰極27側(cè)(內(nèi)側(cè))偏低。該情況下的氣體阻擋層40的總厚度約為400nm。根據(jù)該電氣光學(xué)裝置100的制造方法，即便使用形成位置精度比基于光刻法的圖形化差的掩模蒸鍍法形成陰極27，也會在邊框區(qū)域109中以與連接部105的一方的端部 105a重疊的方式形成陰極27，結(jié)果，能夠使設(shè)置于電路部107的連接配線106和陰極27經(jīng)由連接部105穩(wěn)定地連接。并且，在以使形成于電路部17的連接配線106和陰極27直接連接的方式對陰極 27進(jìn)行掩模蒸鍍的情況下，考慮基于掩模蒸鍍的陰極27的形成位置精度的偏差，需要預(yù)先加大與連接配線106之間的接觸面積。換言之，需要考慮上述接觸面積來確保形成有連接配線106的邊框區(qū)域109。與此相對，對于本實施方式，由于利用光刻法高精度地形成使連接配線106和陰極27連接的連接部105、并以與像素區(qū)域107側(cè)的一方端部10 重疊的方式對陰極27進(jìn)行掩模蒸鍍，因此能夠縮窄實質(zhì)上的邊框區(qū)域109的寬度。進(jìn)一步，由于連接部105的一方端部10 沿著設(shè)置于像素區(qū)域107的外周部的間隔壁部31的壁面31a形成，因此即便縮窄邊框區(qū)域109也能夠立體地確保與陰極27之間的接觸面積，從而能夠?qū)崿F(xiàn)穩(wěn)定的連接。另外，在本實施方式中，對電氣光學(xué)裝置100作為采用頂部發(fā)光構(gòu)造的裝置進(jìn)行了說明，但是并不局限于此，也能夠應(yīng)用于采用從元件基板10側(cè)將功能層25的發(fā)光取出的底部發(fā)光構(gòu)造的裝置。在形成為底部發(fā)光構(gòu)造的情況下，陰極27無需使用透明電極，但需要使元件基板10自身具有透光性。并且，為了將發(fā)光從元件基板10側(cè)高效地取出，優(yōu)選形成于元件基板10的開關(guān)用的TFT 121、驅(qū)動用的TFT 122、以及與它們連接的配線類形成于間隔壁部32的正下方，而不形成于發(fā)光元件30的正下方，以提高開口率。電氣光學(xué)裝置100也可以在利用氣體阻擋層40覆蓋發(fā)光元件30的狀態(tài)下直接使用，但尤其在頂部發(fā)光構(gòu)造中，存在例如人體等反復(fù)與獲得發(fā)光的氣體阻擋層40側(cè)接觸從而發(fā)光元件30損傷的可能性。因此，如圖8所示，優(yōu)選經(jīng)由至少覆蓋氣體阻擋層40的透明的緩沖層131設(shè)置同樣透明的保護(hù)層132。緩沖層131與氣體阻擋層40密接、且相對于來自外部的機(jī)械沖擊具有緩沖功能， 緩沖層131例如為聚氨酯類、丙烯類、環(huán)氧類、聚烯烴類等樹脂，比后述的保護(hù)層132更柔軟且由粘接劑形成，該粘接劑由玻化溫度低的材料形成。另外，優(yōu)選預(yù)先在這種粘接劑中添加有硅烷偶聯(lián)劑(silane coupling agent)或者硅氧烷化合物(alkoxysilane)，這樣，所形成的緩沖層131與氣體阻擋層40之間的密接性變得更好，相對于機(jī)械沖擊的緩沖功能提高。 并且，在利用硅化合物形成氣體阻擋層40的情況等中，能夠利用硅烷偶聯(lián)劑、硅氧烷化合物提高與該氣體阻擋層40之間的密接性，能夠提高氣體阻擋性。保護(hù)層132設(shè)置在緩沖層131上，是具有耐壓性、耐磨損性、外部光反射防止性、氣體阻擋性、紫外線隔斷性等功能中的至少一個的層。具體而言，由高分子層(塑料薄膜)、 DLC(類金剛石碳)層、玻璃等形成。另外，在頂部發(fā)光構(gòu)造的電氣光學(xué)裝置100中，需要使保護(hù)層132、緩沖層131都具有透光性，但是，在形成為底部發(fā)光構(gòu)造的情況下無此需要。如果以這種方式在氣體阻擋層40上設(shè)置保護(hù)層132的話，由于保護(hù)層132具有耐壓性、耐磨損性、光反射防止性、氣體阻擋性、紫外線隔斷性等功能，因此能夠利用該保護(hù)層 132保護(hù)功能層25、陰極27、甚至氣體阻擋層40，能夠?qū)崿F(xiàn)發(fā)光元件30的長壽命化。并且，由于緩沖層131相對于機(jī)械沖擊發(fā)揮緩沖功能，因此，在從外部施加機(jī)械沖擊的情況下，能夠緩和對氣體阻擋層40或該氣體阻擋層40的內(nèi)側(cè)的發(fā)光元件30的機(jī)械沖擊，能夠防止由機(jī)械沖擊導(dǎo)致的發(fā)光元件30的功能劣化。(第二實施方式)<電子設(shè)備>接著，參照圖9的(a) (C)對本實施方式的電子設(shè)備進(jìn)行說明。圖9(a)是示出作為電子設(shè)備的移動電話機(jī)的立體圖。如圖9(a)所示，作為電子設(shè)備的一例的移動電話機(jī)1000在折疊式的主體的一方設(shè)置有顯示部1001。在顯示部1001 搭載有上述實施方式的電氣光學(xué)裝置100。圖9(b)是示出作為電子設(shè)備的腕表式信息終端的立體圖。如圖9(b)所示，作為電子設(shè)備的一例的腕表式信息終端1100在裝配有帶的主體設(shè)置有顯示部1101。在顯示部 1101搭載有上述實施方式的電氣光學(xué)裝置100。圖9(c)是示出作為電子設(shè)備的便攜式信息處理裝置的立體圖。如圖9(c)所示， 作為電子設(shè)備的一例的便攜式信息處理裝置1200具有主體1204，該主體1204具有鍵盤 1202 ；以及顯示部1206，該顯示部1206能夠重合折疊于主體1204。在顯示部1206搭載有上述實施方式的電氣光學(xué)裝置100。圖9中，(a) (c)所示的各個電子設(shè)備在顯示部搭載有能夠縮窄邊框區(qū)域109的電氣光學(xué)裝置100，因此能夠使各個電子設(shè)備整體更加小型化。即，能夠提供具有優(yōu)異的便攜性的電子設(shè)備。除了上述實施方式以外，還考慮各種各樣的變形例。以下舉出變形例進(jìn)行說明。(變形例1)在上述第一實施方式的電氣光學(xué)裝置100中，連接部105的平面配置并不局限于此。例如，如圖1所示，在第一實施方式中，在X方向夾隔像素區(qū)域107設(shè)置有一對連接部105，但是，也能夠以與至少一方的連接配線106在俯視圖中重疊的方式設(shè)置連接部105。由此，雖然俯視觀察時電氣光學(xué)裝置100的中心線與像素區(qū)域107的中心線在X 方向錯開，但也能夠縮小像素區(qū)域107的外側(cè)的邊框區(qū)域。圖10是示出變形例1的電氣光學(xué)裝置的概要俯視圖。并且，例如，如圖10所示， 相對于上述實施方式的電氣光學(xué)裝置100，變形例1的電氣光學(xué)裝置200具有連接部205， 俯視觀察時該連接部205與設(shè)置在像素區(qū)域107的外側(cè)的檢查電路103重合，并且架設(shè)于一對連接部105。由此，如果以與連接部205重疊的方式形成陰極27的話，能夠進(jìn)一步降低覆蓋像素區(qū)域107的陰極27的電阻，并且能夠利用陰極27的電阻降低發(fā)光元件30中的發(fā)光斑點。
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(變形例2)上述第一實施方式的電氣光學(xué)裝置100中的像素區(qū)域107的結(jié)構(gòu)并不局限于此。圖11是示出變形例2的電氣光學(xué)裝置的概要剖視圖。例如，如圖11所示，變形例2的電氣光學(xué)裝置300在像素區(qū)域107的周緣部具有無助于實際的顯示的虛擬像素。虛擬像素與子像素SG同樣具有像素電極21、陰極27、以及設(shè)置在這些電極之間的功能層25， 但是，像素電極21并不與驅(qū)動用的TFT 122電連接。連接部105以一方端部10 覆蓋在位于虛擬像素的外側(cè)的間隔壁部31上的方式設(shè)置。通過設(shè)置這種虛擬像素，能夠降低使用液滴噴出法、掩模蒸鍍法形成功能層25的情況下的上述周緣部處的成膜偏差對用于進(jìn)行實際的顯示的子像素SG造成影響，能夠?qū)崿F(xiàn)亮度斑點少的顯示質(zhì)量。(變形例3)上述第一實施方式中的具備保護(hù)層132的電氣光學(xué)裝置100的結(jié)構(gòu)并不局限于此。例如，也可以在邊框區(qū)域109內(nèi)配置接合保護(hù)層132和元件基板10的密封部件，以形成對緩沖層131進(jìn)行密封并支承保護(hù)層132的結(jié)構(gòu)。由此，能夠形成為可進(jìn)一步降低來自外部的氧、水分等侵入電氣光學(xué)裝置100。(變形例4)上述第一實施方式的電氣光學(xué)裝置100的結(jié)構(gòu)并不局限于此。例如， 從發(fā)光元件30得到的發(fā)光并不限定于紅色(R)、綠色(G)、藍(lán)色⑶三種顏色，也可以是白色等單色光。由此，不僅能夠應(yīng)用于基于單色的發(fā)光的信息顯示，而且能夠轉(zhuǎn)用做照明裝置。并且，也可以將發(fā)光元件30形成為能夠得到白色發(fā)光的結(jié)構(gòu)，使用透明的玻璃等作為保護(hù)層132，并與發(fā)光元件30的平面配置對應(yīng)地在保護(hù)層132與發(fā)光元件30之間設(shè)置紅色 (R)、綠色(G)、藍(lán)色(B)的彩色濾光器的結(jié)構(gòu)，由此能夠進(jìn)行全彩色顯示。(變形例幻可搭載上述第一實施方式的電氣光學(xué)裝置100的電子設(shè)備并不限定于上述第二實施方式的移動電話機(jī)1000、腕表式信息終端1100、便攜式信息處理裝置1200。 例如能夠舉出數(shù)碼照相機(jī)、數(shù)碼攝像機(jī)、DVD播放機(jī)、導(dǎo)航裝置等車載用顯示器、掌上電腦、 POS終端、以及被稱作數(shù)字標(biāo)牌的電子廣告媒體等。
權(quán)利要求
1.一種電氣光學(xué)裝置，其特征在于， 所述電氣光學(xué)裝置在基板上具備像素區(qū)域，在該像素區(qū)域設(shè)置有發(fā)光元件，該發(fā)光元件具有第一電極、第二電極、以及設(shè)置在所述第一電極和所述第二電極之間的發(fā)光層； 間隔壁部，該間隔壁部設(shè)置在所述像素區(qū)域的外側(cè)； 連接配線，該連接配線設(shè)置在所述間隔壁部的外側(cè)；以及連接部，該連接部對所述第二電極和所述連接配線進(jìn)行電連接， 所述第二電極以覆蓋所述像素區(qū)域和所述間隔壁部的方式延伸設(shè)置，且在俯視圖中該第二電極不與所述連接配線重疊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電氣光學(xué)裝置，其特征在于，所述間隔壁部具有由面向所述基板的外周側(cè)的側(cè)面形成的外側(cè)部， 在俯視圖中，所述第二電極和所述連接部在所述間隔壁部的外側(cè)部重疊。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電氣光學(xué)裝置，其特征在于，所述電氣光學(xué)裝置具有外圍電路，該外圍電路在俯視圖中設(shè)置在所述連接配線與所述像素區(qū)域之間，對所述發(fā)光元件進(jìn)行驅(qū)動控制，在俯視圖中，所述連接部的至少一部分與所述外圍電路重疊。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項所述電氣光學(xué)裝置，其特征在于，所述連接配線和所述連接部沿著形成所述基板的外周的第一邊和與所述第一邊對置的第二邊設(shè)置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任一項所述的電氣光學(xué)裝置，其特征在于， 所述連接部和所述第二電極由相互不同的導(dǎo)電性材料構(gòu)成。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電氣光學(xué)裝置，其特征在于， 所述連接部的電阻率比所述第二電極的電阻率小。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中的任一項所述的電氣光學(xué)裝置，其特征在于，具備氣體阻擋層，該氣體阻擋層以覆蓋所述第二電極和所述連接部的方式設(shè)置。
8.一種電氣光學(xué)裝置的制造方法，其特征在于，該電氣光學(xué)裝置在基板上具備發(fā)光元件，該發(fā)光元件具有第一電極、第二電極、以及設(shè)置在所述第一電極與所述第二電極之間的發(fā)光層， 所述電氣光學(xué)裝置的制造方法具備以下工序 在設(shè)置有所述發(fā)光元件的像素區(qū)域的外側(cè)形成間隔壁部的工序； 在所述間隔壁部的外側(cè)形成連接配線的工序；形成用于對所述第二電極和所述連接配線進(jìn)行電連接的連接部的工序；以及形成所述第二電極的工序，所述第二電極以覆蓋所述像素區(qū)域和所述間隔壁部、并且在俯視圖中不與所述連接配線重疊的方式形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電氣光學(xué)裝置的制造方法，其特征在于， 形成所述連接部的方法是光刻法，形成所述第二電極的方法是掩模蒸鍍法。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的電氣光學(xué)裝置的制造方法，其特征在于， 所述間隔壁部具有由面向所述基板的外周側(cè)的側(cè)面形成的外側(cè)部，在形成所述連接部的工序中，遍及俯視圖中從所述連接配線直到所述間隔壁部的外側(cè)部的區(qū)域形成所述連接部，在形成所述第二電極的工序中，以在俯視圖中在所述間隔壁部的外側(cè)部與所述連接部重疊的方式形成所述第二電極。
11.根據(jù)權(quán)利要求8至10中的任一項所述電氣光學(xué)裝置的制造方法，其特征在于， 利用相互不同的導(dǎo)電性材料形成所述連接部和所述第二電極。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電氣光學(xué)裝置的制造方法，其特征在于， 所述連接部使用電阻率比所述第二電極的電阻率小的導(dǎo)電性材料形成。
13.根據(jù)權(quán)利要求8至12中的任一項所述的電氣光學(xué)裝置的制造方法，其特征在于， 具有在俯視圖中的所述連接配線與所述像素區(qū)域之間形成外圍電路的工序，該外圍電路用于對所述發(fā)光元件進(jìn)行驅(qū)動控制，在形成所述連接部的工序中，以在俯視圖中至少一部分與所述外圍電路重疊的方式形成所述連接部。
14.根據(jù)權(quán)利要求8至13中的任一項所述的電氣光學(xué)裝置的制造方法，其特征在于， 還具備以覆蓋所述第二電極和所述連接部的方式形成氣體阻擋層的工序。
15.一種電子設(shè)備，其特征在于，所述電子設(shè)備具備權(quán)利要求1至7中的任一項所述的電氣光學(xué)裝置或者利用權(quán)利要求 8至14中的任一項所述的電氣光學(xué)裝置的制造方法制造而成的電氣光學(xué)裝置。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電氣光學(xué)裝置、電氣光學(xué)裝置的制造方法、電子設(shè)備，電氣光學(xué)裝置在基板上具備像素區(qū)域，在該像素區(qū)域設(shè)置有發(fā)光元件，該發(fā)光元件具有第一電極、第二電極、以及設(shè)置在所述第一電極和所述第二電極之間的發(fā)光層；間隔壁部，該間隔壁部設(shè)置在所述像素區(qū)域的外側(cè)；連接配線，該連接配線設(shè)置在所述間隔壁部的外側(cè)；以及連接部，該連接部對所述第二電極和所述連接配線進(jìn)行電連接，所述第二電極以覆蓋所述像素區(qū)域和所述間隔壁的方式延伸設(shè)置，且該第二電極不與所述連接配線在俯視圖中重疊。
文檔編號H01L27/32GK102237495SQ20111010934
公開日2011年11月9日 申請日期2011年4月25日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月27日
發(fā)明者花村雄基, 赤川卓 申請人:精工愛普生株式會社