專利名稱：圖像顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及圖像顯示裝置及其制造方法，特別涉及能提高像素的開口率的圖像顯示裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)有的液晶顯示裝置中，包括非自發(fā)光型的液晶顯示面板和從背面?zhèn)日丈湓撘壕э@示面板的背光燈單元。在液晶顯示面板上，針對(duì)每個(gè)像素形成薄膜晶體管，對(duì)于在顯示區(qū)域內(nèi)形成為矩陣狀的每個(gè)像素，配置用于在1個(gè)幀期間保持顯示用數(shù)據(jù)(影像信號(hào))的保持電容和控制向該保持電容寫入影像信號(hào)的薄膜晶體管。在這樣構(gòu)成的液晶顯示面板中，在薄膜晶體管的柵電極上連接有柵極線，并且在漏電極上連接有用于輸入影像信號(hào)的影像信號(hào)線(漏極線)，基于來(lái)自柵極線的導(dǎo)通(on)信號(hào)來(lái)讀入從漏極線供給的影像信號(hào)， 使保持電容保持該影像信號(hào)。但是，已知在現(xiàn)有的液晶顯示裝置中，通過(guò)來(lái)自背光燈單元的背光燈光，即使在薄膜晶體管截止(off)時(shí)電荷也從保持電容漏出。作為減小該漏電流對(duì)圖像顯示的影響的方法，謀求保持電容的大型化。另一方面，根據(jù)近年來(lái)的高畫質(zhì)化以及高精細(xì)化的期望，有減小一個(gè)像素所占面積的傾向，伴隨著該像素面積的縮小，期望降低保持電容，減小薄膜晶體管中的漏電流。作為減小薄膜晶體管的截止電流即漏電流的技術(shù)，例如有專利文獻(xiàn)1中記載的技術(shù)。在該專利文獻(xiàn)1中記載的技術(shù)中，在底柵型的薄膜晶體管中，在柵電極和源/漏電極之間具有層間絕緣膜，在溝道區(qū)域中，在層間絕緣膜上形成溝槽，成為半導(dǎo)體層的多晶硅層與柵極絕緣膜/層間絕緣膜/高濃度半導(dǎo)體層/源漏電極相接而形成的結(jié)構(gòu)。在該專利文獻(xiàn) 1記載的技術(shù)中，由于在層間絕緣膜的側(cè)面部形成的半導(dǎo)體層起到補(bǔ)償(Offset)的作用， 所以通過(guò)漏極端的電場(chǎng)緩和而減小截止電流、即漏電流。專利文獻(xiàn)1 日本特開2004-193248號(hào)公報(bào)在專利文獻(xiàn)1記載的技術(shù)中，成為在柵電極的內(nèi)側(cè)形成半導(dǎo)體層的結(jié)構(gòu)，成為該柵電極遮擋背光燈光直接照射在半導(dǎo)體層上的結(jié)構(gòu)，所以伴隨著背光燈光照射薄膜晶體管的漏電流、即光漏(*卜U —々)電流有可能減小。但是，在考慮了柵電極以及半導(dǎo)體層的加工尺寸偏差等時(shí)，柵電極有必要形成得比半導(dǎo)體層的寬度大，像素的開口率有可能降低。特別是在便攜用終端中搭載的液晶顯示裝置中，期望在有限的框體大小內(nèi)的高精細(xì)化，一個(gè)像素尺寸變小。與此相對(duì)，薄膜晶體管等的尺寸由于加工精度和驅(qū)動(dòng)能力所以在像素內(nèi)的大小受限，期望專有面積較小的薄膜晶體管。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于這些問(wèn)題而提出本發(fā)明，本發(fā)明的目的在于提供一種能在減小薄膜晶體管的光漏電流的同時(shí)提高像素的開口率的圖像顯示裝置。(1)為了解決上述課題，本發(fā)明提供一種在基板上具有多個(gè)薄膜晶體管的圖像顯示裝置，其中，具有在所述基板上形成的多條柵極線；以及與所述柵極線交叉的多條漏極線，所述薄膜晶體管是底柵型，溝道區(qū)域具有從所述基板側(cè)順次層疊了柵電極、柵極絕緣膜、半導(dǎo)體層的層疊構(gòu)造，具有在所述溝道區(qū)域的溝道寬度方向上形成、并且在所述柵電極的兩端側(cè)形成的該柵極絕緣膜被除去的一對(duì)除去區(qū)域，在將所述溝道區(qū)域中的溝道寬度方向的所述柵電極的寬度設(shè)為W，并將被所述一對(duì)除去區(qū)域所夾的、所述溝道寬度方向的所述柵極絕緣膜的寬度設(shè)為R時(shí)，滿足R > W。(2)為了解決上述課題，本發(fā)明提供一種在基板上具有多個(gè)薄膜晶體管的圖像顯示裝置的制造方法，其中包含以下工序在基板上形成包含柵電極的柵極線；在所述柵電極上形成柵極絕緣膜；在所述柵極絕緣膜上形成非單晶硅膜；對(duì)所述柵極絕緣膜進(jìn)行加工，在所述柵極絕緣膜上形成一對(duì)開口部，所述開口部具有與所述柵電極的延伸方向平行地形成的至少一個(gè)邊緣部，并且以在平面上隔著所述柵電極的方式相對(duì)配置所述絕緣部， 并且被配置在所述溝道區(qū)域的溝道寬度方向上；以及在非單晶硅膜上形成漏電極以及源電極，并且將所述柵極絕緣膜作為掩膜對(duì)在所述開口部?jī)?nèi)露出的柵電極進(jìn)行蝕刻。根據(jù)本發(fā)明，半導(dǎo)體層不從柵電極露出就能縮小柵電極的面積，因此能夠減小薄膜晶體管的光漏電流并且能提高像素的開口率。此外，通過(guò)抑制光漏電流以及提高開口率， 能夠廉價(jià)地制造高對(duì)比度的液晶顯示裝置。


圖1是用于說(shuō)明作為本發(fā)明的實(shí)施方式1的圖像顯示裝置的一例的液晶顯示裝置的概要結(jié)構(gòu)的圖。圖2是用于說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式1的圖像顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)的平面圖。圖3是用于說(shuō)明構(gòu)成本發(fā)明的實(shí)施方式1的圖像顯示裝置中的周邊電路的自舉 (bootstrap)電路的概要結(jié)構(gòu)的平面圖。圖4是圖2所示的C-C’線及D-D’線以及圖3的E_E，線的剖面圖。圖5是圖3所示的A-A’線以及B-B’線的剖面圖。圖6是用于說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式1的液晶顯示裝置中的像素用以及周邊電路用的薄膜晶體管的制造方法的圖。圖7是用于說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式1的液晶顯示裝置中的像素用以及周邊電路用的薄膜晶體管的制造方法的圖。圖8是用于說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式1的液晶顯示裝置中的像素用以及周邊電路用的薄膜晶體管的制造方法的圖。圖9是用于說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式2的圖像顯示裝置中的像素結(jié)構(gòu)的平面圖。圖10是用于說(shuō)明構(gòu)成本發(fā)明的實(shí)施方式2的圖像顯示裝置中的周邊電路的自舉電路的概要結(jié)構(gòu)的平面圖。圖11是圖9所示的F-F’線以及G_G’線以及圖10所示的H_H’線的剖面圖。圖12是圖10所示的J-J’線以及K-K’線以及H-H’線的剖面圖。圖13是用于說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式2的液晶顯示裝置中的像素用的薄膜晶體管的制造方法的圖。圖14是用于說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式2的液晶顯示裝置中的像素用的薄膜晶體管的制造方法的圖。圖15是用于說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式2的液晶顯示裝置中的像素用的薄膜晶體管的制造方法的圖。圖16是用于說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式2的液晶顯示裝置中的像素用的薄膜晶體管的制造方法的圖。圖17是用于說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式2的液晶顯示裝置中的像素用的薄膜晶體管的制造方法的圖。圖18是用于說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式2的液晶顯示裝置中的像素用的薄膜晶體管的制造方法的圖。圖19是用于說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式2的液晶顯示裝置中的周邊電路用的薄膜晶體管的制造方法的圖。圖20是用于說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式2的液晶顯示裝置中的周邊電路用的薄膜晶體管的制造方法的圖。圖21是用于說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式2的液晶顯示裝置中的周邊電路用的薄膜晶體管的制造方法的圖。圖22是本發(fā)明的實(shí)施方式3的圖像顯示裝置、即液晶顯示裝置的剖面圖。圖23是用于說(shuō)明使用了本發(fā)明的實(shí)施方式4的圖像顯示裝置、即有機(jī)發(fā)光二極管的圖像顯示裝置的概要結(jié)構(gòu)的圖。圖M是用于說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式4的圖像顯示裝置、即OLED顯示裝置中的像素的結(jié)構(gòu)的圖。圖25是用于說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式4的圖像顯示裝置、即OLED顯示裝置的概要結(jié)構(gòu)的剖面圖。圖沈是用于說(shuō)明本發(fā)明的另一實(shí)施方式的圖像顯示裝置中的薄膜晶體管的概要結(jié)構(gòu)的平面圖。圖27是用于說(shuō)明本發(fā)明的另一實(shí)施方式的圖像顯示裝置中的薄膜晶體管的概要結(jié)構(gòu)的平面圖。圖觀是用于說(shuō)明本發(fā)明的另一實(shí)施方式的圖像顯示裝置中的薄膜晶體管的概要結(jié)構(gòu)的剖面圖。圖四是用于說(shuō)明本發(fā)明的另一實(shí)施方式的圖像顯示裝置中的薄膜晶體管的概要構(gòu)結(jié)構(gòu)剖面圖。圖30是用于說(shuō)明現(xiàn)有的圖像顯示裝置中的薄膜晶體管的概要結(jié)構(gòu)的平面圖。符號(hào)說(shuō)明SUB 1 第1基板；SUB2 第2基板；GT 柵電極；GL 柵極線；GI 絕緣膜；AS、PS 半導(dǎo)體層；DL 漏極線；DT 漏電極JC 連接部；ST 源電極；DR 驅(qū)動(dòng)電路；Cst 保持電容；BSC 自舉電路；DDR 影像信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路(漏極驅(qū)動(dòng)器)；GDR 掃描信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路(柵極驅(qū)動(dòng)器)； SIG1、SIG2 布線；AR 顯示區(qū)域；TFT、TFTl 3 薄膜晶體管；PX 像素電極；
PIX 像素；CT 公共電極；GIM 絕緣膜(柵極絕緣膜)的除去區(qū)域；I匪層間絕緣膜的除去區(qū)域；REG 抗蝕劑；CNT 接觸層；IN 層間絕緣膜；INl 絕緣膜(覆蓋層)；CIN 頂蓋絕緣膜；CL 公共線；TH 接觸孔；PD 墊部；BM 黑色矩陣；CF 彩色濾光片；LC 液晶；PL 偏光板；ORI 配向膜；OLED 發(fā)光層；Pff 電源線；SG 密封玻璃；SP 墊片；DS 干燥劑
具體實(shí)施例方式下面，使用

應(yīng)用了本發(fā)明的實(shí)施方式。但是，在下面的說(shuō)明中，對(duì)相同結(jié)構(gòu)要素賦予相同符號(hào)并省略重復(fù)的說(shuō)明。<實(shí)施方式1><整體結(jié)構(gòu)>圖1是用于說(shuō)明作為本發(fā)明的實(shí)施方式1的圖像顯示裝置的一例的液晶顯示裝置的概要結(jié)構(gòu)的圖。以下，基于圖1說(shuō)明實(shí)施方式1的液晶顯示裝置的整體結(jié)構(gòu)。其中，圖中所示的Χ、γ分別表示X軸、Y軸。此外，在下面的說(shuō)明中，將在顯示區(qū)域內(nèi)形成的、對(duì)各像素供給影像信號(hào)(漏極信號(hào))的影像信號(hào)線記為漏極線，將供給用于控制各像素的薄膜晶體管的導(dǎo)通/截止的掃描信號(hào)(柵極信號(hào))的掃描信號(hào)線記為柵極線。進(jìn)而，在以下的說(shuō)明中，對(duì)在TN方式的液晶顯示裝置中應(yīng)用本發(fā)明的情況進(jìn)行說(shuō)明，但也能在VA方式以及IPS 方式等的液晶顯示裝置中應(yīng)用。實(shí)施方式1的液晶顯示裝置具有液晶顯示面板，該液晶顯示面板包括由透明基板構(gòu)成的第1基板；由形成有彩色濾光片和黑色矩陣并與第1基板相對(duì)配置的透明基板構(gòu)成的第2基板；以及以第1基板和第2基板夾持的未圖示的液晶層。通過(guò)與成為該液晶顯示面板的光源的未圖示的背光燈單元(背光燈裝置)進(jìn)行組合來(lái)構(gòu)成液晶顯示裝置。此外， 第1基板和第2基板的固定以及液晶的密封，是在第2基板的周邊部用環(huán)狀涂布的密封材料來(lái)固定，也密封液晶的結(jié)構(gòu)。此外，第2基板比第1基板面積小，使第1基板的至少1個(gè)邊部露出。在該第1基板的邊部上形成用于輸入外部信號(hào)的端子部，例如成為經(jīng)由公知的軟性印刷電路板等從外部裝置輸入顯示信號(hào)的結(jié)構(gòu)。此外，在實(shí)施方式1的液晶顯示裝置中，在封入了液晶的區(qū)域內(nèi)形成顯示像素(下面略記為像素)PIX的區(qū)域，是圖1中虛線所示的顯示區(qū)域AR。因此，即使是封入液晶的區(qū)域內(nèi)，不形成像素PIX而與顯示無(wú)關(guān)的區(qū)域也不成為顯示區(qū)域AR。另外，在以下的說(shuō)明中，在液晶顯示面板的說(shuō)明中也記為液晶顯示裝置。此外，作為第1基板以及第2基板，一般使用例如公知的玻璃基板作為基底材料， 但是不限定于玻璃基板，也可以是石英玻璃或塑料(樹脂)那樣的其它絕緣性基板。例如， 若使用石英玻璃則能提高處理溫度，因此能使后述的薄膜晶體管TFT的柵極部的絕緣膜 (柵極絕緣膜)致密化，所以能提高可靠性。另一方面，在使用塑料(樹脂)基板時(shí)，能提供重量輕、耐沖擊性優(yōu)越的液晶顯示裝置。在實(shí)施方式1的液晶顯示裝置中，如圖1所示，在第1基板的液晶側(cè)的面即顯示區(qū)域AR內(nèi)，形成在X方向上延伸且在Y方向上平行設(shè)置的掃描信號(hào)線(柵極線)GL。此外，形
7成在Y方向上延伸且在X方向上平行設(shè)置的影像信號(hào)線(漏極線)DL。以漏極線DL和柵極線GL圍住的矩形狀的區(qū)域構(gòu)成形成像素PIX的區(qū)域，由此，各像素PIX在顯示區(qū)域AR內(nèi)配置為矩陣狀。各像素PIX具備根據(jù)來(lái)自柵極線GL的掃描信號(hào)來(lái)控制導(dǎo)通/截止的薄膜晶體管TFT、經(jīng)由該導(dǎo)通的薄膜晶體管TFT從漏極線DL被供給影像信號(hào)的像素電極、和用于在像素電極中將作為影像信號(hào)而供給的電荷保持1幀期間的保持電容Cst。此外，也具有在第 2基板上形成的、被供給公共信號(hào)的公共電極，該公共信號(hào)相對(duì)于影像信號(hào)的電位具有成為基準(zhǔn)的電位。在像素電極和公共電極之間、即第1基板和第2基板之間產(chǎn)生電場(chǎng)，通過(guò)該電場(chǎng)來(lái)驅(qū)動(dòng)液晶的分子。但是，本發(fā)明也能應(yīng)用于稱為IPS方式(包含IPS-Pro方式)或橫電場(chǎng)方式的液晶顯示裝置，所述IPS方式是在第1基板上形成像素電極和公共電極，在第1基板的主面上產(chǎn)生具有平行的分量的電場(chǎng)，通過(guò)該電場(chǎng)來(lái)驅(qū)動(dòng)液晶的分子。這樣的液晶顯示裝置公知能進(jìn)行所謂廣角顯示，以當(dāng)未在液晶上施加電場(chǎng)時(shí)將光透過(guò)率設(shè)為最小(黑色顯示)， 通過(guò)施加電場(chǎng)來(lái)提高光透過(guò)率的常黑(Normally black)顯示方式來(lái)進(jìn)行顯示。另外，本發(fā)明不限定于TN方式或IPS方式的液晶顯示裝置，也能應(yīng)用于VA方式的液晶顯示裝置等非發(fā)光型的圖像顯示裝置、或有機(jī)EL顯示裝置等自發(fā)光型的圖像顯示裝置。此外，在實(shí)施方式1的液晶顯示裝置中，在第1基板上的圖中上部形成影像信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路(漏極驅(qū)動(dòng)器)DDR，在第1基板上的圖中左側(cè)形成掃描信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路(柵極驅(qū)動(dòng)器) GDR0另外，在以下的說(shuō)明中，在沒有必要特別區(qū)別漏極驅(qū)動(dòng)器DDR和柵極驅(qū)動(dòng)器GDR時(shí)，簡(jiǎn)單記為驅(qū)動(dòng)電路(驅(qū)動(dòng)器)。此外，各漏極線DL以及各柵極線GL在其端部分別越過(guò)密封材料而延伸，漏極線DL 分別連接在漏極驅(qū)動(dòng)器DDR的輸出端子上，柵極線GL分別連接在柵極驅(qū)動(dòng)器⑶R的輸出端子上。此外，漏極驅(qū)動(dòng)器DDR以及柵極驅(qū)動(dòng)器⑶R的各輸入以例如用金屬薄膜形成的布線分別與未圖示的端子部連接，成為輸入顯示數(shù)據(jù)的結(jié)構(gòu)。但是，雖然在實(shí)施方式1的液晶顯示裝置中構(gòu)成為在第1基板上形成漏極驅(qū)動(dòng)器 DDR以及柵極驅(qū)動(dòng)器⑶R，但不限定于此。例如，也可以在由半導(dǎo)體芯片構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置中形成漏極驅(qū)動(dòng)器以及柵極驅(qū)動(dòng)器，在第1基板上搭載該半導(dǎo)體芯片。此外，例如可以使以輸送膠帶(tape carrier)方式或C0F(Chip On Film)方式形成的半導(dǎo)體裝置的一邊連接在第1基板上?！聪袼氐慕Y(jié)構(gòu)〉圖2是用于說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式1的圖像顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)的平面圖。以下， 基于圖2詳細(xì)地說(shuō)明實(shí)施方式1的像素結(jié)構(gòu)。但是，為了使說(shuō)明簡(jiǎn)單，在圖2中僅表示第1 基板并且省略公知的配向膜等。此外，能夠通過(guò)公知的光刻法(photolithography)技術(shù)形成各薄膜，所以省略其形成方法的詳細(xì)說(shuō)明。如圖2所示，在顯示區(qū)域AR內(nèi)，在每個(gè)被鄰接的一對(duì)漏極線DL和鄰接的一對(duì)柵極線GL圍住的區(qū)域中分別形成獨(dú)立的像素電極PX，成為像素的區(qū)域。另外，作為像素電極PX， 一般是例如由ITOandium-Tin-Oxide)的透明導(dǎo)電材料構(gòu)成的平面狀的電極。通過(guò)這樣的構(gòu)成，在實(shí)施方式1的液晶顯示裝置中成為將像素形成為矩陣狀的結(jié)構(gòu)。此外，在實(shí)施方式 1的液晶顯示裝置中，與柵極線GL同層形成的公共線CL與該柵極線GL平行地形成。此外，在與柵極線GL的一部分重疊的部位，作為將非單晶硅作為半導(dǎo)體層的結(jié)構(gòu)，形成有例如由非晶硅(amorphous silicon)構(gòu)成的半導(dǎo)體層AS。該半導(dǎo)體層AS是薄膜晶體管TFT的半導(dǎo)體層。另外，形成半導(dǎo)體層AS的非單晶硅不限定于非晶硅，如后所述， 也可以是低溫多晶硅或微結(jié)晶硅等。而且，在圖中Y方向上伸展的漏極線DL的一部分上具有向薄膜晶體管TFT側(cè)延伸的延伸部(連接部)JC，該延伸部JC與半導(dǎo)體層AS上形成的薄膜晶體管TFT的漏電極DT連接。此外，漏極線DL經(jīng)由后述的絕緣膜(柵極絕緣膜)與柵極線GL以及公共線CL交叉。此外，在形成漏極線DL以及漏電極DT時(shí)同時(shí)形成的源電極ST在半導(dǎo)體層AS上與漏電極DT相對(duì)，并且具有從半導(dǎo)體層AS上向像素區(qū)域側(cè)延伸的延伸部。該延伸部構(gòu)成為經(jīng)由接觸孔TH到達(dá)與像素電極PX連接的墊部(pad)PD。這里，在實(shí)施方式1中，以經(jīng)由絕緣膜重疊形成的墊部PD和公共線CL來(lái)形成保持電容Cst。此外，在實(shí)施方式1的薄膜晶體管TFT中，在以虛線所示的區(qū)域中形成絕緣膜的除去區(qū)域GIM、即未形成在柵電極GT和半導(dǎo)體層AS之間形成的絕緣膜的區(qū)域。該絕緣膜的除去區(qū)域GIM成為夾著半導(dǎo)體層AS而形成的結(jié)構(gòu)，即從圖中上下夾著形成半導(dǎo)體層AS的區(qū)域中的柵極線GL的結(jié)構(gòu)。此時(shí)，在實(shí)施方式1的除去區(qū)域GIM中，如后詳細(xì)敘述，在除去區(qū)域GIM的邊緣部?jī)?nèi)相對(duì)側(cè)、即形成柵電極的一側(cè)，沿著該除去區(qū)域GIM的邊緣部形成柵電極。通過(guò)這樣的結(jié)構(gòu)，能將柵電極的向Y方向的突出量設(shè)為與半導(dǎo)體層AS同等程度的突出量，能夠以比圖30所示的現(xiàn)有的薄膜晶體管小的間隔來(lái)形成與該柵極線GL鄰接配置的公共線CL和柵極線GL的間隔、即柵極線GL和該像素的像素電極的間隔、以及在Y方向上鄰接的像素的像素電極和柵極線GL的間隔。進(jìn)而，能將柵極線GL和保持電容Cst之間的距離形成得比以往小。其結(jié)果，能夠增加有限的區(qū)域即漏極線DL和柵極線GL包圍的像素區(qū)域內(nèi)的像素電極PX的占有面積，一方面減小漏電流，一方面提高開口率。〈周邊電路的結(jié)構(gòu)〉圖3是用于說(shuō)明構(gòu)成本發(fā)明的實(shí)施方式1的圖像顯示裝置中的周邊電路的自舉電路的概要結(jié)構(gòu)的平面圖，以下，基于圖3說(shuō)明實(shí)施方式1的周邊電路。如圖3所示，實(shí)施方式1的自舉電路BSC是公知的電路結(jié)構(gòu)，第1薄膜晶體管TFTl 的柵電極GT與源電極ST經(jīng)由布線SIGl和接觸孔TH進(jìn)行電連接，第1信號(hào)被輸入。該第1 薄膜晶體管TFTl的漏電極DT經(jīng)由信號(hào)布線SIG2與第2薄膜晶體管TFT2的柵電極GT以及第3薄膜晶體管TFT3的源電極ST連接。此時(shí)，第2信號(hào)被輸入第3薄膜晶體管TFT3的柵電極GT，并且漏電極DT被輸入接地電位。此外，第2薄膜晶體管TFT2的源電極ST連接在高電位側(cè)并且連接在未圖示的電容器的一端，該電容器的另一端側(cè)與該薄膜晶體管TFT2 的柵電極GT連接。另一方面，第2薄膜晶體管TFT2的漏電極DT連接在基準(zhǔn)電位上。構(gòu)成以這樣的結(jié)構(gòu)形成的自舉電路BSC的薄膜晶體管TFTl 3如后所述，成為與圖30所示的現(xiàn)有的薄膜晶體管同樣的結(jié)構(gòu)?！幢∧ぞw管的結(jié)構(gòu)〉然后，在圖4中表示圖2的C-C’線以及D-D’線以及E_E’線的剖面圖、在圖5中表示圖3的A-A’線以及B-B’線的剖面圖，下面，基于圖4以及圖5，詳細(xì)說(shuō)明在實(shí)施方式1 的像素區(qū)域中形成的薄膜晶體管TFT和在周邊電路區(qū)域中形成的薄膜晶體管TFTl 3。但是，圖4(a)表示圖2的C-C’線的剖面圖，圖4(b)表示圖2的D-D’線的剖面圖，圖4(c)表示圖3的E-E’線的剖面圖，圖5(a)表示圖3的A-A’線的剖面圖，圖5 (b)表示圖3的B-B’ 線的剖面圖。此外，薄膜晶體管TFT、TFTl 3構(gòu)成為將柵極線GL作為柵電極的所謂逆交錯(cuò)結(jié)構(gòu)的MIS(Metal Insulator Semiconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管。此外,MIS結(jié)構(gòu)的晶體管通過(guò)其偏壓的施加而以漏電極DT和源電極ST交替的方式進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，但在本說(shuō)明書中，為了方便，將與漏極線DL連接的一側(cè)稱為漏電極DT，將與像素電極PX連接的一側(cè)稱為源電極 ST。如圖4(b)以及圖5(b)所示，在實(shí)施方式1的液晶顯示裝置中的薄膜晶體管TFT、 TFTl 3中，在第1基板SUBl的表面上，為了防止從第1基板SUBl向薄膜晶體管TFT混入Na(鈉)或K(鉀)等離子，形成了成為底層的未圖示的絕緣膜。作為該絕緣膜，能夠使用例如從第1基板SUBl側(cè)順次層疊了由氮化硅(SiN)等構(gòu)成的層和由一氧化硅(SiO)等構(gòu)成的層的結(jié)構(gòu)的薄膜，但不限定于此。在該絕緣膜的上層形成柵極線GL，在實(shí)施方式1的液晶顯示裝置中，將該柵極線 GL的一部分作為柵電極GT來(lái)使用。在包含成為該柵電極GT的區(qū)域的柵極線GL的上層，覆蓋該柵極線GL地形成絕緣膜(柵極絕緣膜)GI。此時(shí)，在薄膜晶體管TFT、TFTl 3的形成區(qū)域中，絕緣膜GI作為該薄膜晶體管TFT、TFTl 3的柵極絕緣膜而起作用。在該絕緣膜GI的上表面，在薄膜晶體管TFT、TFTl 3的形成區(qū)域中，在與作為柵電極GT而起作用的柵極線GL重疊的位置形成了由非晶硅薄膜構(gòu)成的半導(dǎo)體層AS。在該半導(dǎo)體層AS的圖中上表面?zhèn)刃纬闪税疾?蝕刻區(qū)域)。在除去該凹部的半導(dǎo)體層AS的至少上表面上形成接觸層CNL。該接觸層CNL是摻雜了例如高濃度的η型雜質(zhì)的高濃度雜質(zhì)層(η+層)。接觸層CNL具有降低源電極ST或漏電極DT和溝道區(qū)域的連接電阻的效果。在該接觸層CNL的圖中上表面上，隔著凹部相對(duì)配置漏電極DT和源電極ST，該漏電極DT與由鋁等或其合金等構(gòu)成的導(dǎo)電性的金屬薄膜形成的漏極線DL連接，該源電極ST與像素電極PX連接。為了保護(hù)該薄膜晶體管，在包含漏電極DT、源電極ST、以及半導(dǎo)體層AS的上層的第1基板SUBl的上表面即薄膜晶體管TFT、 TFTl 3的上層的全表面上形成由無(wú)機(jī)材料即氮化硅(SiN)膜等構(gòu)成的未圖示的保護(hù)膜。 另外，在本實(shí)施方式中，雖然是僅在半導(dǎo)體層的上表面形成接觸層CNL的結(jié)構(gòu)，但是不限定于此，也可以是在例如半導(dǎo)體層的上表面以及側(cè)面上形成接觸層CNL的結(jié)構(gòu)。此時(shí)，從圖4(a)以及圖5(a)可以明確，在實(shí)施方式1的薄膜晶體管中，在顯示區(qū)域內(nèi)形成的像素用的薄膜晶體管TFT和顯示區(qū)域的外側(cè)區(qū)域中形成的周邊電路用的薄膜晶體管TFTl 3中，在漏電極DL和源電極ST相對(duì)的方向、即與柵極長(zhǎng)度方向正交的柵極寬度方向上，像素用的薄膜晶體管TFT和周邊電路用的薄膜晶體管TFTl 3的柵電極GT 成為不同的形狀。即，在像素用的薄膜晶體管TFT中的柵電極GT中，沿著形成該柵電極GT 的柵極線GL延伸方向，以至少隔著該柵極線(包含柵電極GT)GL的方式，形成除去了絕緣膜GI以及柵極線GL的一部分的區(qū)域、即除去區(qū)域GIM。在該一對(duì)除去區(qū)域GIM所夾的區(qū)域中，形成包含薄膜晶體管TFT的半導(dǎo)體區(qū)域的結(jié)構(gòu)，在構(gòu)成柵電極GT的柵極線GL上重疊的半導(dǎo)體層AS的柵極寬度方向的寬度即圖4 (a)中的左右方向的半導(dǎo)體層AS的寬度，形成得比柵電極GT以及絕緣膜GI的寬度小。即在薄膜晶體管TFT的溝道區(qū)域中，在將溝道寬度方向的柵電極寬度設(shè)為W、將絕緣膜(柵極絕緣膜)GI的寬度設(shè)為R、將半導(dǎo)體層AP的寬度設(shè)為H時(shí)，成為滿足R> H、W> H的結(jié)構(gòu)。此時(shí)，如后詳細(xì)敘述那樣，由于將絕緣膜(柵極絕緣膜)GI作為掩膜來(lái)對(duì)柵電極GT進(jìn)行蝕刻，所以也滿足R > W。此外，在實(shí)施方式1的液晶顯示裝置中，如圖5(a)所示，周邊電路用的薄膜晶體管TFTl 3與現(xiàn)有的薄膜晶體管是同樣的結(jié)構(gòu)。此外，在形成周邊電路的薄膜晶體管內(nèi)，在將從源電極ST延伸的布線SIG2與從柵電極GT延伸的布線SIGl進(jìn)行電連接的位置，如圖4(c)所示，在絕緣膜GI上形成接觸孔 TH,在該接觸孔TH的形成區(qū)域中，在布線SIGl的上層形成布線SIG2，所以布線SIGl與布線 SIG2電連接。這樣，在實(shí)施方式1的液晶顯示裝置中，在像素用的薄膜晶體管TFT內(nèi)，在半導(dǎo)體層AS上重疊形成的絕緣膜GI以及柵極線GL上，形成除去了該絕緣膜GI以及柵極線GL的除去區(qū)域GIM，由此，半導(dǎo)體層不從柵電極突出而將柵電極的面積形成得較小，在減小光漏電流的同時(shí)提高開口率。其結(jié)果，能夠提高液晶顯示裝置的對(duì)比度?！粗圃旆椒ǖ恼f(shuō)明〉然后，在圖6 圖8中表示用于說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式1的液晶顯示裝置中的像素以及周邊電路用的薄膜晶體管的制造方法的圖。下面，基于圖6 圖8說(shuō)明實(shí)施方式1 的薄膜晶體管的制造方法。其中，圖6 圖8的(a) (b)分別與前述的圖4同樣地，表示圖2以及圖3的C-C’線、D-D’線以及E-E’線的剖面圖。此外，除了與除去區(qū)域的形成相關(guān)的工序之外的其它工序與現(xiàn)有的液晶顯示裝置的制造方法相同，因此，在以下的說(shuō)明中， 對(duì)與除去區(qū)域的形成相關(guān)的工序詳細(xì)地進(jìn)行說(shuō)明。工序1.(圖 6)在第1基板SUBl的上表面?zhèn)?液晶側(cè))的面上，如圖6(a) (c)所示，通過(guò)公知的工序形成包含由鋁(例如厚度150nm)構(gòu)成的柵電極DT部分的柵極線GL以及從柵電極 DT延伸的布線SIGl等。然后，通過(guò)公知的CVD工序，如圖6 (a) (b)所示，將由氮化硅構(gòu)成的絕緣膜(例如厚度300nm)GI、成為半導(dǎo)體層AS的非晶硅層(例如厚度200nm)以及成為接觸層CNT的高濃度非晶硅層(例如厚度30nm)連續(xù)成膜。進(jìn)而，通過(guò)公知的光蝕刻工序，將高濃度非晶硅層和非晶硅層的層疊膜加工為島狀，形成半導(dǎo)體層AS和接觸層CNT。此時(shí)，如圖6 (c)所示，在布線SIGl的上層僅形成絕緣膜GI。工序2.(圖 7)然后，在第1基板SUB1的全表面上形成了抗蝕劑之后，如圖(7)所示，形成用于形成接觸孔的抗蝕劑圖案REG，該接觸孔用于將與從經(jīng)由絕緣膜GI形成的源電極ST延伸的布線SIGl以及該源電極ST同層形成的未圖示的導(dǎo)電層、和與從漏電極DT延伸的布線SIG2 以及該漏電極DT同層形成的未圖示的導(dǎo)電層進(jìn)行電連接。此時(shí)的抗蝕劑圖案如圖7(b)所示，以對(duì)于漏電極DT和源電極ST的相對(duì)方向、即D-D’方向覆蓋非晶硅層的方式，并且如圖 7(a)所示，對(duì)于C-C’方向比非晶硅層的寬度小地對(duì)抗蝕劑進(jìn)行圖案成型。工序3.(圖 8)然后，如圖8(a) (c)所示，將抗蝕劑圖案REG作為掩膜對(duì)高濃度非晶硅層即接觸層CNT和非晶硅層即半導(dǎo)體層AS進(jìn)行蝕刻。此時(shí)，首先，通過(guò)進(jìn)行各向同性蝕刻，相對(duì)于抗蝕劑縮小加工接觸層CNT以及半導(dǎo)體層AS。S卩，如圖8(c)所示，在C-C’線方向即柵極寬度方向上，接觸層CNT以及半導(dǎo)體層AS被縮小得比抗蝕劑圖案REG的寬度小。然后，如圖8(a)所示，通過(guò)各向異性蝕刻將抗蝕劑圖案REG作為掩膜并蝕刻除去絕緣膜(柵極絕緣膜)GI。在該絕緣膜GI的蝕刻時(shí)，如圖8(c)所示，開口(形成)接觸孔TH，該接觸孔用于對(duì)來(lái)自薄膜晶體管TFTl的柵電極GT的布線SIGl和來(lái)自漏電極DT的布線SIG2進(jìn)行電連接。此時(shí)，如圖8(b)所示，對(duì)于D-D’線方向，由于通過(guò)抗蝕劑REG覆蓋接觸層CNT以及絕緣膜GI，所以不進(jìn)行蝕刻加工。工序4.(圖 4)然后，在除去了抗蝕劑REG之后，通過(guò)公知的源/漏電極的形成工序，形成由鋁薄膜構(gòu)成的膜厚為500nm的源電極ST以及漏電極DT、以及同層的源極線SL及漏極線DL等。 此時(shí)，在實(shí)施方式1中，由于柵電極GT和源電極ST以及漏電極DT以相同材料即鋁薄膜形成，所以在圖4(a)中所示的C-C’剖面上，也將絕緣膜(柵極絕緣膜)GI作為掩膜，對(duì)柵電極GT進(jìn)行蝕刻除去。之后，將源/漏電極ST、DT作為掩膜對(duì)接觸層CNT進(jìn)行蝕刻除去，并且通過(guò)在半導(dǎo)體層AS形成凹部，得到圖4(a) (c)的結(jié)構(gòu)。另外，對(duì)于構(gòu)成圖3中所示的自舉電路BSC的薄膜晶體管TFTl 3，在將以高濃度非晶硅層形成的接觸層CNT、和以非晶硅層形成的半導(dǎo)體層AS構(gòu)成的各層疊膜加工成島狀之后，以覆蓋薄膜晶體管TFTl 3全體的方式形成抗蝕劑REG，由此能得到圖5 (a)、(b)的結(jié)構(gòu)。該薄膜晶體管TFTl 3的形成工序是公知的工序。這樣，在使用了相同的抗蝕掩膜REG對(duì)本發(fā)明的非晶硅層(包含高濃度非晶硅層) 即接觸層CNT以及半導(dǎo)體層AS和絕緣膜GI進(jìn)行了加工之后，將絕緣膜GI作為掩膜對(duì)柵電極GT進(jìn)行加工，并且將接觸層CNT以及半導(dǎo)體層AS在薄膜晶體管TFT的柵極寬度方向上比抗蝕掩膜縮小地進(jìn)行加工。其結(jié)果，能夠在比柵電極GT更內(nèi)側(cè)形成薄膜晶體管TFT的柵極寬度方向的半導(dǎo)體層AS，并且能夠縮小柵電極GT的面積。因此，能夠兼顧因來(lái)自背光燈的光照射而導(dǎo)致的光漏電流的減小和像素的開口率的提高。此時(shí)，在絕緣膜(柵極絕緣膜)GI的除去工序中，通過(guò)對(duì)來(lái)自柵電極GT的布線 SIGl和來(lái)自漏電極DT的布線SIG2的接觸孔TH進(jìn)行開口，就能夠在不增加處理工序數(shù)的情況下直接使兩者接觸，也能夠?qū)崿F(xiàn)周邊電路的窄框化。<實(shí)施方式2>圖9是用于說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式2的圖像顯示裝置中的像素結(jié)構(gòu)的平面圖，圖 10是用于說(shuō)明構(gòu)成本發(fā)明的實(shí)施方式2的圖像顯示裝置中的周邊電路的自舉電路的概要結(jié)構(gòu)的平面圖，以下，基于圖9以及圖10，說(shuō)明實(shí)施方式2的圖像顯示裝置、即液晶顯示裝置的像素及周邊電路。實(shí)施方式2的液晶顯示裝置僅薄膜晶體管TFT的結(jié)構(gòu)不同，其他結(jié)構(gòu)是與實(shí)施方式1同樣的結(jié)構(gòu)。因此，在以下的說(shuō)明中，詳細(xì)地說(shuō)明薄膜晶體管TFT的結(jié)構(gòu)。此外，實(shí)施方式2的薄膜晶體管TFT是使用了多晶硅作為半導(dǎo)體層PS的結(jié)構(gòu)，而且是在作為溝道層的半導(dǎo)體層PS的橫側(cè)即端部形成接觸層CNT的共面型(coplanar)的薄膜晶體管。如圖9所示，在實(shí)施方式2的液晶顯示裝置的顯示區(qū)域中配置的薄膜晶體管TFT 中，也在與柵極線GL的一部分重疊的部位形成由多晶硅構(gòu)成的半導(dǎo)體層PS。該半導(dǎo)體層 PS是薄膜晶體管TFT的半導(dǎo)體層(溝道層)。而且，在圖中Y方向上伸展的漏極線DL的一部分上具有向薄膜晶體管TFT側(cè)延伸的延伸部(連接部)JC,該延伸部JC與在半導(dǎo)體層PS 上形成的薄膜晶體管TFT的漏電極DT連接。此外，漏極線DL經(jīng)由后述的絕緣膜(柵極絕緣膜)以及層間絕緣膜，與柵極線GL以及公共線CL交叉。此外，在形成漏極線DL以及漏電極DT時(shí)同時(shí)形成的源電極ST經(jīng)由半導(dǎo)體層PS與漏電極DT相對(duì)，并且，具有從在半導(dǎo)體層PS的側(cè)面形成的接觸層向像素區(qū)域側(cè)延伸的延伸部。該延伸部構(gòu)成為到達(dá)經(jīng)由接觸孔 TH與像素電極PX連接的墊部PD。這里，在實(shí)施方式2中，也以經(jīng)由絕緣膜(柵極絕緣膜)以及層間絕緣膜重疊而形成的墊部PD和公共線CL來(lái)形成保持電容Cst。此外，在實(shí)施方式2的薄膜晶體管TFT中，在以細(xì)線表示的區(qū)域中形成絕緣膜的除去區(qū)域GIM，該絕緣膜的除去區(qū)域GIM是未形成在柵電極GT和半導(dǎo)體層PS之間形成的絕緣膜的區(qū)域。該絕緣膜的除去區(qū)域GIM以隔著半導(dǎo)體層PS的方式形成。即成為從圖中上下夾著形成半導(dǎo)體層PS的區(qū)域中的柵極線GL的結(jié)構(gòu)。此外，在實(shí)施方式2中，成為在以虛線表示的區(qū)域中形成層間絕緣膜的除去區(qū)域INM的結(jié)構(gòu)，該層間絕緣膜的除去區(qū)域INM是未形成層間絕緣膜的區(qū)域。特別是在實(shí)施方式2的薄膜晶體管TFT中，在源電極和漏電極相對(duì)配置的區(qū)域中形成除去了層間絕緣膜的除去區(qū)域INM，并且在絕緣膜的除去區(qū)域GIM的形成區(qū)域中也形成該除去區(qū)域I匪。因此，從圖9可以明確，在實(shí)施方式2的薄膜晶體管TFT 中，與除去了層間絕緣膜的區(qū)域INM重疊地形成除去了絕緣膜(柵極絕緣膜)的區(qū)域GIM。 此時(shí)，在實(shí)施方式2的除去區(qū)域GIM中，也如后面詳細(xì)敘述的一樣，在除去區(qū)域GIM的邊緣部?jī)?nèi)相對(duì)側(cè)、即形成柵電極的一側(cè)，沿著該除去區(qū)域GIM的邊緣部形成柵電極。通過(guò)成為這樣的結(jié)構(gòu)，在實(shí)施方式2的薄膜晶體管TFT中，也能將柵電極的向Y方向的突出量設(shè)為與半導(dǎo)體層PS相同程度的突出量，能夠以比圖30所示的現(xiàn)有的薄膜晶體管小的間隔來(lái)形成與該柵極線GL鄰接配置的公共線CL和柵極線GL的間隔、即柵極線GL和該像素的像素電極的間隔以及在Y方向上鄰接的像素的像素電極和柵極線GL的間隔。進(jìn)而，也能以小距離來(lái)形成柵極線GL和保持電容Cst之間的距離。其結(jié)果，能夠使有限的區(qū)域即漏極線DL和柵極線GL圍住的像素區(qū)域內(nèi)的像素電極PX的占有面積增加，能夠在減小漏電流的同時(shí)提高開口率。另一方面，如圖10所示，實(shí)施方式1的自舉電路BSC的各薄膜晶體管TFTl 3也具備由多晶硅構(gòu)成的半導(dǎo)體層PS。在該薄膜晶體管TFTl 3中也形成除去了層間絕緣膜的除去區(qū)域IW，隔著該除去區(qū)域IW相對(duì)配置源電極和漏電極。<薄膜晶體管的詳細(xì)結(jié)構(gòu)>然后，在圖11中表示圖9的F-F’線及G-G’線以及圖10的H_H’線的剖面圖，在圖 12中表示圖10的J-J’線、K-K’線以及H-H’線的剖面圖，以下，基于圖11以及圖12，詳細(xì)說(shuō)明在實(shí)施方式2中的像素區(qū)域中形成的薄膜晶體管TFT和在周邊電路區(qū)域中形成的薄膜晶體管TFTl 3。圖11 (a)表示圖9的F-F，線的剖面圖，圖11 (b)表示圖9的G-G，線的剖面圖，圖11(c)表示圖10的H-H’線的剖面圖，圖12(a)表示圖10的J-J’線的剖面圖， 圖12(b)表示圖10的K-K’線的剖面圖，圖12(c)表示圖10的H-H’線的剖面圖。如圖11(b)以及圖12(b)所示，在實(shí)施方式2的薄膜晶體管TFT、TFTl 3中，也在第1基板SUBl的液晶側(cè)面上形成的未圖示的絕緣膜(底膜)的上層形成柵極線GL，使用該柵極線GL的一部分作為柵電極GT。在包含成為該柵電極GT的區(qū)域的柵極線GL的上層，覆蓋該柵極線GL地形成絕緣膜(柵極絕緣膜)GI。特別是在實(shí)施方式2的薄膜晶體管 TFT、TFTl 3中，在絕緣膜GI的上層形成層間絕緣膜IN，在薄膜晶體管TFT、TFTl 3的形成區(qū)域中，形成到達(dá)向溝道寬度方向延伸的絕緣膜GI的凹部。此時(shí)，從該凹部的邊緣部沿著側(cè)壁部以及底部形成半導(dǎo)體層PS，在該半導(dǎo)體層PS的端部、即層間絕緣膜IN的上表面的相對(duì)的位置上形成接觸層CNT。此外，在半導(dǎo)體層PS的上表面以及接觸層CNT的一部分上表面上，形成一氧化硅構(gòu)成的絕緣膜、即頂蓋絕緣膜CIN。在該接觸層CNL的圖中上表面上，相對(duì)地配置漏電極DT和源電極ST，該漏電極DT與以導(dǎo)電性的金屬薄膜形成的漏極線DL連接，該源電極ST與像素電極PX連接。為了保護(hù)該薄膜晶體管，在包含漏電極DT、源電極ST、以及半導(dǎo)體層AS的上層的第1基板SUBl的上表面即薄膜晶體管TFT、TFTl 3的上層的全表面上形成以無(wú)機(jī)材料及氮化硅(SiN)膜等構(gòu)成的未圖示的保護(hù)膜。此時(shí)，從圖11(a)以及圖12(a)可以明確，在實(shí)施方式2的薄膜晶體管中，在顯示區(qū)域內(nèi)形成的像素用的薄膜晶體管TFT和顯示區(qū)域的外側(cè)區(qū)域內(nèi)形成的周邊電路用的薄膜晶體管TFTl 3中，在漏電極DL和源電極ST相對(duì)的方向、即與柵極長(zhǎng)度方向正交的柵極寬度方向上，像素用的薄膜晶體管TFT和周邊電路用的薄膜晶體管TFTl 3的柵電極GT 成為不同的形狀。即，在像素用的薄膜晶體管TFT中的柵電極GT中，沿著形成該柵電極GT 的柵極線GL的延伸的方向，至少夾著該柵極線(包含柵電極GT) GL,形成除去了絕緣膜GI 和柵極線GL的一部分的區(qū)域即除去區(qū)域GIM。特別是在實(shí)施方式2中，在除去了層間絕緣膜IN的除去區(qū)域I匪內(nèi)形成除去區(qū)域GIM，在一對(duì)除去區(qū)域GIM所夾的區(qū)域內(nèi)包含薄膜晶體管TFT的半導(dǎo)體區(qū)域。此時(shí)，在構(gòu)成柵電極GT的柵極線GL上重疊的半導(dǎo)體層AS的柵極寬度方向的半導(dǎo)體層PS的寬度、即圖11(a)中的左右方向的寬度，形成得比柵電極GT以及絕緣膜GI的寬度小。此外，在實(shí)施方式2的液晶顯示裝置中，如圖12(a)所示，周邊電路用的薄膜晶體管TFTl 3是與現(xiàn)有的薄膜晶體管同樣的構(gòu)造。此外，在形成周邊電路的薄膜晶體管內(nèi)，在將從源電極ST延伸的布線SIG2和從柵電極GT延伸的布線SIGl進(jìn)行電連接的部位，如圖11(c)以及圖12(c)所示，在絕緣膜GI 以及層間絕緣膜IN上形成接觸孔TH，在該接觸孔TH的形成區(qū)域中，在布線SIGl的上層形成布線SIG2，所以布線SIGl與布線SIG2進(jìn)行電連接。這樣，在實(shí)施方式2的液晶顯示裝置中，在像素用的薄膜晶體管TFT內(nèi)，通過(guò)在重疊在半導(dǎo)體層PS上而形成的絕緣膜GI以及層間絕緣膜IN以及柵極線GL上形成除去了該絕緣膜GI以及柵極線GL的除去區(qū)域GIM，使得半導(dǎo)體層不從柵電極突出，較小地形成柵電極的面積，減小光漏電流并且提高開口率。其結(jié)果，能夠提高液晶顯示裝置的對(duì)比度?！粗圃旆椒ǖ恼f(shuō)明〉然后，圖13 圖18是用于說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式2的液晶顯示裝置中的像素用的薄膜晶體管的制造方法的圖。圖19 圖21是用于說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式2的液晶顯示裝置中的周邊電路用的薄膜晶體管的制造方法的圖，以下，基于圖13 圖21說(shuō)明實(shí)施方式 2的薄膜晶體管的制造方法。圖13 圖21的(a) (b)分別與前述的圖11以及圖12同樣，表示圖9以及圖10的F-F’線、G-G’線、H-H’線、J-J’線、K-K’線的剖面圖。此外，除了與除去區(qū)域I匪、GIM的形成相關(guān)的工序之外的其它工序也與現(xiàn)有的液晶顯示裝置的制造方法相同，因此，在以下的說(shuō)明中詳細(xì)地說(shuō)明與除去區(qū)域 M、GIM的形成相關(guān)的工序。首先，基于圖13 圖18說(shuō)明實(shí)施方式2的像素用的薄膜晶體管的制造方法。工序1-1.(圖 13)首先，如圖13(a) (c)所示，在成為第1基板SUBl的玻璃基板上，通過(guò)公知的工序形成由鋁(例如膜厚150nm)構(gòu)成的柵電極GT以及同層的布線。然后，通過(guò)公知的CVD 工序，將由例如膜厚IOOnm的一氧化硅構(gòu)成的絕緣膜(柵極絕緣膜)GI、由例如膜厚500nm 的氮化硅構(gòu)成的層間絕緣膜IN、例如膜厚30nm的高濃度非晶硅層(之后成為接觸層CNT) 進(jìn)行連續(xù)成膜。工序1-2.(圖 14)
14
然后，如圖14(a) (c)所示，通過(guò)公知的光致干蝕刻(photo dry etching)工序?qū)⒏邼舛确蔷Ч鑼覥NT以及層間絕緣膜IN加工成錐狀，在層間絕緣膜IN上形成到達(dá)絕緣膜(柵極絕緣膜)GI的凹部。此時(shí)，由于以一氧化硅形成的絕緣膜(柵極絕緣膜)GI與以氮化硅形成的層間絕緣膜IN蝕刻率不同，所以可以在殘留下絕緣膜(柵極絕緣膜)GI的狀態(tài)下對(duì)層間絕緣膜IN進(jìn)行加工。通過(guò)該工序，如圖14(a)所示，從高濃度非晶硅層CNT貫通層間絕緣膜IN，形成到達(dá)絕緣膜GI的層間絕緣膜IN的除去區(qū)域INM。工序1-3.(圖 15)然后，如圖15(a) (c)所示，通過(guò)公知的CVD工序，將例如膜厚50nm的非晶硅層在凹部成膜之后，通過(guò)公知的激光退火法對(duì)非晶硅層進(jìn)行結(jié)晶化，形成成為半導(dǎo)體層的多晶硅層PS和成為接觸層的低電阻的高濃度多晶硅層CNT。工序1-4.(圖 16)然后，如圖16(a) (c)所示，通過(guò)公知的CVD工序形成由一氧化硅構(gòu)成的頂蓋絕緣膜CIN，在通過(guò)公知的光致(photo)工序?qū)刮g劑REG進(jìn)行了圖案成型之后，通過(guò)公知的蝕刻工序?qū)㈨斏w絕緣膜CIN以及多晶硅層PS加工為島狀，形成薄膜晶體管TFT的半導(dǎo)體區(qū)域。此時(shí)，在頂蓋絕緣膜CIN上實(shí)施側(cè)面蝕刻，在圖16(a)的F-F’剖面上多晶硅層PS的表面被加工為露出來(lái)，在圖16(b)的G-G’剖面上高濃度多晶硅層CNT的表面被加工為露出來(lái)。工序1-5.(圖 17)然后，如圖17(a) (c)所示，將抗蝕劑REG以及層間絕緣膜IN作為掩膜，如圖 17(c)的F-F’剖面所示，對(duì)絕緣膜(柵極絕緣膜)GI進(jìn)行蝕刻除去。此時(shí)，如圖17(c)的 H-H'剖面所示，在絕緣膜(柵極絕緣膜)GI上開口接觸孔TH，該接觸孔TH用于對(duì)來(lái)自柵電極GT的布線SIGl和來(lái)自漏電極DT的布線SIG2進(jìn)行電連接。工序1-6.(圖 18)然后，如圖18(a) (c)所示，在除去了抗蝕劑之后，通過(guò)公知的工序，形成由例如膜厚500nm的鋁構(gòu)成的源電極ST、漏電極DT、以及從源電極ST或漏電極DT延伸的各布線 (包含源極線SL以及漏極線DL)。此時(shí)，由于柵電極GT和源電極ST以及漏電極DT由相同材料構(gòu)成，所以如圖18(a)的F-F’剖面所示，柵電極GT將絕緣膜(柵極絕緣膜)GI作為掩膜被刻蝕除去。之后，將柵電極ST以及漏電極DT以及頂蓋絕緣膜CIN作為掩膜，蝕刻除去多晶硅層PS以及高濃度多晶硅層CNT，由此得到了圖11(a) (c)所示的薄膜晶體管TFT 的構(gòu)造。然后，基于圖19 圖21說(shuō)明實(shí)施方式2的周邊電路用的薄膜晶體管TFTl 3的制造方法。下面說(shuō)明的周邊電路用的薄膜晶體管TFTl 3與前述的像素用的薄膜晶體管 TFT的形成同時(shí)進(jìn)行。此外，由于到多晶硅層PS的形成為止與像素用的薄膜晶體管TFT的形成相同，所以基于圖13 圖15適宜地進(jìn)行其說(shuō)明。工序2-1.(圖 13)首先，與像素用的薄膜晶體管TFT的工序1-1同樣，在成為第1基板SUBl的玻璃基板上通過(guò)公知的工序形成由例如膜厚150nm的鋁構(gòu)成的柵電極GT。然后，通過(guò)公知的CVD 工序，將例如膜厚IOOnm的一氧化硅構(gòu)成的絕緣膜(柵極絕緣膜)GI、例如膜厚500nm的氮化硅構(gòu)成的層間絕緣膜IN、例如膜厚30nm的高濃度非晶硅層進(jìn)行連續(xù)成膜。工序2-2.(圖 14、圖 15)
進(jìn)而，與像素用的薄膜晶體管TFT的工序1-2同樣，將高濃度非晶硅層CNT以及層間絕緣膜IN加工為錐狀，形成凹部。之后，在該凹部形成了例如膜厚50nm的非晶硅層之后，通過(guò)激光退火法等對(duì)非晶硅層進(jìn)行結(jié)晶，由此形成多晶硅層PS和低阻抗的高濃度多晶硅層CNT。工序2-3.(圖 19)然后，如圖19(a) (c)所示，通過(guò)公知的CVD工序形成由一氧化硅構(gòu)成的頂蓋絕緣膜CIN。然后，在通過(guò)公知的光致工序?qū)刮g劑REG進(jìn)行了圖案成型之后，如圖19(a) (b)所示，通過(guò)公知的蝕刻工序?qū)㈨斏w絕緣膜CIN以及多晶硅層PS加工為島狀。此時(shí)，如圖 19(a)的J-J，剖面所示，抗蝕掩膜REG形成為覆蓋層間絕緣膜IN的除去區(qū)域1匪。進(jìn)而， 對(duì)頂蓋絕緣膜CIN實(shí)施側(cè)面蝕刻，如圖19(a)的J-J’剖面所示，頂蓋絕緣膜CIN被加工為比層間絕緣膜IN的除去區(qū)域I匪更內(nèi)側(cè)即比除去區(qū)域I匪形成得小。工序2-4.(圖 20)然后，如圖20(a) (c)所示，通過(guò)將抗蝕劑REG以及層間絕緣膜IN作為掩膜而蝕刻除去絕緣膜(柵極絕緣膜)，如圖20 (c)的H-H’剖面所示，開口接觸孔TH，該接觸孔TH 用于將從柵電極GT延伸的布線SIGl和從漏電極DT延伸的布線SIG2進(jìn)行電連接。工序2-5.(圖 21)然后，如圖21(a) (c)所示，在除去了抗蝕劑REG之后，通過(guò)公知的工序形成由例如膜厚500nm的鋁構(gòu)成的源電極ST及漏電極DT以及同層的布線。此時(shí)，如圖21(a)的 J-J’剖面所示，由于絕緣膜(柵極絕緣膜)GI未被蝕刻除去，所以薄膜晶體管TFT3的柵電極GT未被除去。之后，通過(guò)將頂蓋(cap)絕緣膜CIN及源電極ST以及漏電極DT作為掩膜， 將多晶硅層PS以及高濃度多晶硅層CNT蝕刻除去，得到圖12所示的實(shí)施方式2的電路用的薄膜晶體管TFTl 3的構(gòu)造。如以上說(shuō)明的那樣，在實(shí)施方式2的薄膜晶體管中也和實(shí)施方式1相同，在使用相同抗蝕掩膜對(duì)多晶硅層PS和絕緣膜(柵極絕緣膜)GI進(jìn)行了加工之后，將絕緣膜(柵極絕緣膜)GI作為掩膜對(duì)柵電極GT進(jìn)行加工。因此，由于能夠在比半導(dǎo)體層即多晶硅層PS上重疊形成的柵電極GT更內(nèi)側(cè)形成半導(dǎo)體層PS，并且能夠縮小柵電極GT的面積，所以能夠兼顧因來(lái)自背光燈的光照射而導(dǎo)致的光漏電流的減小和像素的開口率的提高。此外，在實(shí)施方式2中，通過(guò)在由多晶硅構(gòu)成的半導(dǎo)體層PS上形成溝道，能夠提高薄膜晶體管TFT、TFT1 3的性能。進(jìn)而，由于在柵極線GL和漏極線DL之間具有層間絕緣膜IN，所以能夠降低這些布線間的寄生電容，能夠提高薄膜晶體管TFT、TFTl 3的耐壓。 因此，能夠得到液晶顯示裝置的高速驅(qū)動(dòng)化和提高合格率這樣特別的效果。另外，在實(shí)施方式2中，也可以使用一氧化硅膜和氮化硅膜的層疊膜來(lái)代替一氧化硅膜，作為絕緣膜(柵極絕緣膜)GI。特別是，如果使用氮化硅膜作為絕緣膜(柵極絕緣膜)GI，就能有效防止第1基板SUBl內(nèi)的雜質(zhì)擴(kuò)散侵入到絕緣膜(柵極絕緣膜)GI中，能夠得到可以抑制薄膜晶體管TFT的特性變動(dòng)的特別的效果。此外，在實(shí)施方式2中，非晶硅的結(jié)晶法可以是基于熱退火的固相成長(zhǎng)法，也可以是熱退火和激光退火的組合。此外，可以使用PECVD或反應(yīng)熱CVD來(lái)直接成膜多晶硅。通過(guò)使用PECVD或反應(yīng)熱CVD等直接成膜法，能夠簡(jiǎn)化制造工序，提高生產(chǎn)率。此外，作為半導(dǎo)體層PS，可以是粒徑從20nm到IOOnm左右的微結(jié)晶硅，也可以是硅和鍺的化合物。通過(guò)使用硅和鍺的化合物，能夠提高薄膜晶體管TFT的性能。〈實(shí)施方式3>圖22是本發(fā)明的實(shí)施方式3的液晶顯示裝置的剖面圖，特別表示使用了形成有實(shí)施方式1的薄膜晶體管的第1基板的TN方式的液晶顯示裝置。但是，本發(fā)明不限定于TN 方式的液晶顯示裝置，也能應(yīng)用于與TN方式一樣在不同的基板上形成像素電極與公共電極的VA方式或IPS方式的液晶顯示裝置。另外，除了在第1基板SUBl的顯示區(qū)域內(nèi)形成的薄膜晶體管TFT之外的其它結(jié)構(gòu)成為與現(xiàn)有的液晶顯示裝置同樣的結(jié)構(gòu)。如圖22所示，實(shí)施方式3的液晶顯示裝置是玻璃基板(第2基板)SUB2與實(shí)施方式1的玻璃基板(第1基板)SUBl夾持液晶LC的結(jié)構(gòu)，該玻璃基板SUB2上形成有黑色矩陣BM、彩色濾光片CF、絕緣膜(覆蓋層)mi、公共電極CT以及配向膜0RI，在兩片玻璃基板 SUBU SUB2的兩側(cè)分別形成偏光板PL。在該實(shí)施方式3中的液晶顯示裝置中，也在與像素對(duì)應(yīng)的位置上形成的彩色濾光片CF之間形成黑色矩陣BM，該黑色矩陣BM成為遮擋來(lái)自漏極線等的形成區(qū)域的光泄漏的結(jié)構(gòu)。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，如果在像素電極PX和公共電極CT之間施加從漏極線DL發(fā)送的信號(hào)電壓，則液晶的配向狀態(tài)根據(jù)該電壓而變化，控制來(lái)自背光燈的光，由此顯示圖像。另外， 可以將實(shí)施方式2的薄膜晶體管用在像素用的薄膜晶體管中。如圖22所示，通過(guò)使用應(yīng)用了本發(fā)明的像素用的薄膜晶體管，能夠縮小形成有接觸孔的保持電容的區(qū)域和半導(dǎo)體區(qū)域的間隔，因此能夠提高開口率?！磳?shí)施方式4>圖23是用于說(shuō)明使用了本發(fā)明的實(shí)施方式4的圖像顯示裝置即有機(jī)發(fā)光二極管的圖像顯示裝置的概要結(jié)構(gòu)的圖。下面，基于圖23說(shuō)明實(shí)施方式4的圖像顯示裝置。使用了實(shí)施方式4的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的圖像顯示裝置(以下，簡(jiǎn)記為OLED圖像顯示裝置)是底部發(fā)光型，除了薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)之外的其它結(jié)構(gòu)和現(xiàn)有的相同。因此，在下面的說(shuō)明中，詳細(xì)說(shuō)明薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)。實(shí)施方式4的圖像顯示裝置、即有機(jī)EL顯示裝置包括第1基板和與該第1基板相對(duì)配置的密封玻璃，該第1基板上形成有機(jī)EL膜以及驅(qū)動(dòng)該有機(jī)EL膜的薄膜晶體管等。第 1基板和密封玻璃用密封材料固定，并且第1基板和密封玻璃之間保持真空。在第1基板的相對(duì)面一側(cè)，如圖23所示，具備在Y方向上延伸、在X方向平行設(shè)置的供給影像信號(hào)的漏極線DL。此外，具備在X方向上延伸、在Y方向平行設(shè)置的供給掃描信號(hào)的柵極線GL。該漏極線DL和柵極線GL圍住的區(qū)域成為像素的區(qū)域，在各像素區(qū)域(以下記為像素)PIX中形成發(fā)出R(紅)、G(綠)、B(藍(lán))的光的有機(jī)EL膜(0LED層)0LED。各像素在圖23中的 X方向以及Y方向排列為矩陣狀，形成像素的區(qū)域成為像素區(qū)域(顯示區(qū)域)。此外，具備與漏極線DL鄰接形成的、向有機(jī)EL膜供給驅(qū)動(dòng)電流的電源線PW。此外，在第1基板上形成用于向漏極線DL供給影像信號(hào)(漏極信號(hào))的影像信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路(漏極驅(qū)動(dòng)器)DDR和向柵極線GL供給掃描信號(hào)(柵極信號(hào))的掃描信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路(柵極驅(qū)動(dòng)器)GDR。這些漏極驅(qū)動(dòng)器DDR以及柵極驅(qū)動(dòng)器GDR的輸出分別與超出密封材料延伸到像素區(qū)域的外側(cè)的漏極線DL以及柵極線GL連接。此外，實(shí)施方式4的漏極驅(qū)動(dòng)器DDR具有對(duì)電源線PW供給的電源，其輸出與超出密封材料材延伸到像素區(qū)域外側(cè)的電源線PW連接。
此外，如圖23所示，實(shí)施方式4的OLED顯示裝置的各像素PIX具備具備有機(jī)EL 膜的發(fā)光層0LED、控制供給到該發(fā)光層OLED的電流即發(fā)光層(OLED)的發(fā)光量的第2薄膜晶體管TFT2、在第2薄膜晶體管TFT2的漏極-柵極端子間并聯(lián)連接的保持電容Cst、以及將至少1幀的影像信號(hào)寫入該保持電容Cst的第1薄膜晶體管TFT1?！聪袼亟Y(jié)構(gòu)〉圖M是用于說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式4的圖像顯示裝置即OLED顯示裝置中的像素的結(jié)構(gòu)的圖。圖M中表示的第1薄膜晶體管TFTl的結(jié)構(gòu)是與前述的實(shí)施方式1的薄膜晶體管TFT同樣的結(jié)構(gòu)。因此，圖M中表示的C-C’線以及D-D’以及E-E’線的剖面圖是圖4 所示的剖面圖。下面，基于圖M以及圖4來(lái)詳細(xì)說(shuō)明實(shí)施方式4的OLED顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)。如圖M所示，在實(shí)施方式4的OLED的顯示裝置中，也針對(duì)由相鄰的一對(duì)的漏極線DL和相鄰的一對(duì)柵極線GL圍住的每個(gè)區(qū)域形成分別獨(dú)立的像素電極PX，成為具有未圖示的發(fā)光層OLED的像素的區(qū)域。在與柵極線GL的一部分重疊的部位，形成由例如非晶硅構(gòu)成的半導(dǎo)體層AS。另外，半導(dǎo)體層AS不限定于非晶硅，也可以是低溫多晶硅或微結(jié)晶硅等。而且，在圖中Y方向上延伸的漏極線DL的一部分上，具有向第1薄膜晶體管TFTl側(cè)延伸的延伸部，該延伸部與在半導(dǎo)體層AS上形成的第1薄膜晶體管TFTl的漏電極DT連接。 此外，在漏極線DL以及漏電極DT形成時(shí)同時(shí)形成的源電極ST在半導(dǎo)體層AS上與漏電極 DT相對(duì)，并且具有從半導(dǎo)體層AS上向第2薄膜晶體管TFT2側(cè)延伸的延伸部。該延伸部經(jīng)由接觸孔THl與第2薄膜晶體管TFT2的柵電極電連接。第2薄膜晶體管TFT2的柵電極GT的一部分經(jīng)由未圖示的絕緣膜與像素電極PX重疊，在該重疊區(qū)域中形成在第2薄膜晶體管TFT2的漏極-柵極端子間并聯(lián)的保持電容Cst。 此外，在圖中Y方向上延伸的電源線PW的一部分上，具有在第2薄膜晶體管TFT2側(cè)延伸的延伸部，該延伸部與在半導(dǎo)體層AS上形成的第2薄膜晶體管TFT2的源電極ST連接。在半導(dǎo)體層AS上和源電極ST相對(duì)的漏電極DT，與在未圖示的絕緣膜的上層形成的、以ITO等公知的透明電極材料形成的像素電極PX經(jīng)由接觸孔TH2連接。在實(shí)施方式4的第1薄膜晶體管TFTl中，也在以虛線表示的區(qū)域中形成絕緣膜的除去區(qū)域GIM、即沒有形成在柵電極GT和半導(dǎo)體層AS之間形成的絕緣膜的區(qū)域。絕緣膜的除去區(qū)域GIM夾著半導(dǎo)體層AS和柵極線GL而形成，即從圖中上下夾著形成有半導(dǎo)體層 AS的區(qū)域中的柵極線GL。此時(shí)，在實(shí)施方式4的除去區(qū)域GIM中，在除去區(qū)域GIM的邊緣部?jī)?nèi)相對(duì)側(cè)即形成柵電極的一側(cè)，沿著該除去區(qū)域GIM的邊緣部形成柵電極。通過(guò)這樣的結(jié)構(gòu)，能將柵電極向Y方向的突出量設(shè)為與半導(dǎo)體層AS相同程度的突出量，以比現(xiàn)有的薄膜晶體管小的間隔來(lái)形成與該柵極線GL鄰接配置的像素電極PX和柵極線GL的間隔。其結(jié)果，能夠增加有限的區(qū)域、即漏極線DL和柵極線GL圍住的像素區(qū)域內(nèi)的像素電極PX的占有面積，能夠減小第1薄膜晶體管TFTl的漏電流，并且提高像素的開口率。圖25是用于說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式4的圖像顯示裝置即OLED顯示裝置的概要結(jié)構(gòu)的剖面圖。圖25中表示的薄膜晶體管是對(duì)發(fā)光層OLED中流過(guò)的電流量進(jìn)行控制的驅(qū)動(dòng)用的第2薄膜晶體管TFT2。如圖25所示，實(shí)施方式4的OLED顯示裝置在第1基板SUB 1和密封玻璃SG之間的區(qū)域內(nèi)形成像素，通過(guò)墊片SP保持為預(yù)定間隔。此外，由于在發(fā)光層OLED中使用的發(fā)光材料具有在濕度方面非常弱的性質(zhì)，所以在實(shí)施方式4中在密封玻璃SG的內(nèi)側(cè)即像素的形成側(cè)配置公知的干燥劑DS。此外，在第1基板SUBl的上表面?zhèn)?像素的形成側(cè))形成柵電極GT以及柵極線GL，在其上層形成絕緣膜(柵極絕緣膜)GI。在該絕緣膜GI的上層形成島狀的半導(dǎo)體層AS，夾著在該半導(dǎo)體層AS上形成的凹部而形成接觸層CNT，在該接觸層CNT 上分別層疊漏電極DT以及源電極ST，形成第2薄膜晶體管TFT2。在從該第2薄膜晶體管 TFT2的源電極ST延伸的延伸部上電連接有通過(guò)透明導(dǎo)電部件即ITO形成的像素電極PX， 在其上層形成包含有機(jī)EL膜的發(fā)光層0LED，在其上層形成公共電極CT，連接在未圖示的公共線上。此外，在第2薄膜晶體管TFT2的上層，在除去像素電極PX的形成區(qū)域的區(qū)域中形成層間絕緣膜IN。這樣，實(shí)施方式4的OLED顯示裝置成為在第1基板SUB 1側(cè)取出來(lái)自發(fā)光層OLED 的光的底部發(fā)光型的結(jié)構(gòu)，所以通過(guò)縮小柵電極GT的面積來(lái)提高像素的開口率，能夠?qū)崿F(xiàn) OLED顯示裝置的高對(duì)比度化。本實(shí)施方式，即使在應(yīng)用了實(shí)施方式2的薄膜晶體管時(shí)也能得到同樣的效果。另外，雖然在本發(fā)明的實(shí)施方式1 4的圖像顯示裝置中，是薄膜晶體管的形成區(qū)域中的絕緣膜(柵極絕緣膜)GI的除去區(qū)域GIM的溝道長(zhǎng)度方向的長(zhǎng)度比半導(dǎo)體層AS、PS 的形成區(qū)域大的結(jié)構(gòu)，但是，如圖沈所示，也可以是除去區(qū)域GIM的溝道長(zhǎng)度方向的長(zhǎng)度比半導(dǎo)體層AS、PS的形成區(qū)域小的結(jié)構(gòu)。進(jìn)而，如圖27所示，可以在整個(gè)像素區(qū)域中形成除去區(qū)域GIM，這時(shí)，由于除去了整個(gè)像素區(qū)域的絕緣膜(柵極絕緣膜)GI，所以能夠取得提高像素的透過(guò)率并進(jìn)一步提高對(duì)比度的效果。進(jìn)而，在實(shí)施方式1 4中，源電極、漏電極、以及柵電極GT的材料可以是Ti、TiW、 TiN、W、Cr、Mo、Ta、Nb等金屬或這些金屬的合金。以上，基于所述發(fā)明的實(shí)施方式具體說(shuō)明了本發(fā)明者的發(fā)明，但是本發(fā)明不限定于所述發(fā)明的實(shí)施方式，在不脫離其主旨的范圍內(nèi)能夠進(jìn)行各種變更。
權(quán)利要求
1.一種在基板上具有多個(gè)薄膜晶體管的圖像顯示裝置，其特征在于， 具有在所述基板上形成的多條柵極線；以及與所述柵極線交叉的多條漏極線，所述薄膜晶體管是底柵型，與溝道區(qū)域重疊的區(qū)域具有從所述基板側(cè)順次層疊了柵電極、柵極絕緣膜、半導(dǎo)體層的層疊構(gòu)造，具有在所述溝道區(qū)域的溝道寬度方向上且在所述柵電極的兩端側(cè)形成的被除去了該柵極絕緣膜的一對(duì)除去區(qū)域，在將所述溝道區(qū)域中的溝道寬度方向的所述柵電極的寬度設(shè)為W，并將被所述一對(duì)除去區(qū)域所夾的、所述溝道寬度方向的所述柵極絕緣膜的寬度設(shè)為R時(shí)，滿足R > W。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像顯示裝置，其特征在于，在將所述溝道區(qū)域中的溝道寬度方向的所述半導(dǎo)體層的寬度設(shè)為H時(shí)，所述溝道寬度方向的所述柵極絕緣膜的寬度R滿足R > H。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像顯示裝置，其特征在于，所述溝道區(qū)域中的溝道寬度方向的所述半導(dǎo)體層的寬度H和所述溝道區(qū)域中的溝道寬度方向的所述柵電極的寬度W滿足W > H。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的圖像顯示裝置，其特征在于， 源電極以及漏電極包含在所述半導(dǎo)體層的上層形成的金屬膜，所述源電極以及漏電極和所述柵電極包含相同的薄膜材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的圖像顯示裝置，其特征在于，源電極與漏電極重疊的區(qū)域具有從所述基板側(cè)順次層疊了所述柵極絕緣膜、層間絕緣膜、非單晶硅膜、金屬膜的層疊構(gòu)造，所述半導(dǎo)體層分別與所述柵極絕緣膜及所述層間絕緣膜以及所述非單晶硅膜相接而形成，所述柵電極上部的所述層間絕緣膜被加工為錐狀，所述源電極以及漏電極和所述柵電極由相同的薄膜材料構(gòu)成。
6.一種在基板上具有多個(gè)薄膜晶體管的圖像顯示裝置的制造方法，其特征在于，包含以下工序在基板上形成包含柵電極的柵極線； 在所述柵電極上形成柵極絕緣膜； 在所述柵極絕緣膜上形成非單晶硅膜；對(duì)所述柵極絕緣膜進(jìn)行加工，在所述柵極絕緣膜上形成一對(duì)開口部，所述開口部具有與所述柵電極的延伸方向平行地形成的至少一個(gè)邊緣部，并且以在平面上隔著所述柵電極的方式相對(duì)配置所述邊緣部，并且被配置在所述溝道區(qū)域的溝道寬度方向上；以及在非單晶硅膜上形成漏電極以及源電極，并且將所述柵極絕緣膜作為掩膜對(duì)在所述開口部?jī)?nèi)露出的柵電極進(jìn)行蝕刻。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的圖像顯示裝置的制造方法，其特征在于，具有將抗蝕劑作為掩膜對(duì)所述非單晶硅膜進(jìn)行側(cè)面蝕刻而形成半導(dǎo)體層的工序， 在將溝道寬度方向的所述半導(dǎo)體層的寬度設(shè)為H，并將所述溝道寬度方向的所述柵極絕緣膜的寬度設(shè)為R時(shí)，形成滿足R > H的所述半導(dǎo)體層。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的圖像顯示裝置的制造方法，其特征在于， 具有在所述柵極絕緣膜上形成接觸孔的工序，在形成所述漏電極以及所述源電極時(shí)，將和所述漏電極以及所述源電極一起形成的同層的布線與和所述柵極線同層的布線進(jìn)行電連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求6 8中任意一項(xiàng)所述的圖像顯示裝置的制造方法，其特征在于，具有以下工序在所述柵極絕緣膜的上層形成層間絕緣膜；將抗蝕劑作為掩膜，對(duì)所述層間絕緣膜進(jìn)行加工；以及將所述加工后的層間絕緣膜作為掩膜，對(duì)所述柵極絕緣膜進(jìn)行加工。
全文摘要
本發(fā)明提供一種能在減小薄膜晶體管的光漏電流的同時(shí)提高像素的開口率的圖像顯示裝置。在基板上具有多個(gè)薄膜晶體管的圖像顯示裝置，其中，具有在所述基板上形成的多條柵極線；以及與所述柵極線交叉的多條漏極線，所述薄膜晶體管是底柵型，與溝道區(qū)域重疊的區(qū)域具有從所述基板側(cè)順次層疊柵電極、柵極絕緣膜、半導(dǎo)體層的層疊構(gòu)造，具有在所述溝道區(qū)域的溝道寬度方向上在所述柵電極的兩端側(cè)形成的、被除去了該柵極絕緣膜的一對(duì)除去區(qū)域，在將所述溝道區(qū)域中的溝道寬度方向的所述柵電極的寬度設(shè)為W，并將被所述一對(duì)除去區(qū)域所夾的、所述溝道寬度方向的所述柵極絕緣膜的寬度設(shè)為R時(shí)，滿足R≥W。
文檔編號(hào)H01L27/32GK102237412SQ201110104600
公開日2011年11月9日 申請(qǐng)日期2011年4月22日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月22日
發(fā)明者豐田善章 申請(qǐng)人:松下液晶顯示器株式會(huì)社, 株式會(huì)社日立顯示器