專利名稱：半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實(shí)施方式，一般地涉及半導(dǎo)體發(fā)光裝置的制造方法。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(Light Emitting Diode :LED)等半導(dǎo)體發(fā)光元件，采用將含有發(fā)光層的半導(dǎo)體層從生長(zhǎng)基板分離之后移換到別的基板的制造方法。例如，已知有通過(guò)將含有發(fā)光層的III族氮化物半導(dǎo)體層從生長(zhǎng)基板分離之后設(shè)置到與生長(zhǎng)基板不同的基板而能夠提高生產(chǎn)性的III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件。然而，將半導(dǎo)體層移換到不同基板上時(shí)，由于為了使兩個(gè)基板重疊接合而施加的負(fù)載，有時(shí)會(huì)產(chǎn)生基板的斷裂或裂紋，成為制造成品率低下的主要原因。因此，需要一種能夠防止基板的斷裂或裂紋的制造方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施方式，提供能夠抑制接合兩個(gè)基板時(shí)發(fā)生斷裂或裂紋，能夠提高制造成品率的半導(dǎo)體元件的制造方法。實(shí)施方式中的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，用于使具有第一基板、半導(dǎo)體層和第一金屬層的第一層疊體與具有第二基板和第二金屬層的第二層疊體貼合，包括將上述第一層疊體的劈開方向與上述第二層疊體的劈開方向錯(cuò)開，使上述第一金屬層與上述第二金屬層接觸而重疊的工序，以及在對(duì)上述第一層疊體與上述第二層疊體之間施加負(fù)載的狀態(tài)下進(jìn)行升溫，使上述第一層疊體與上述第二層疊體貼合的工序。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，能夠?qū)崿F(xiàn)抑制了在將兩個(gè)基板接合時(shí)的斷裂或裂紋、提高了制造成品率的半導(dǎo)體元件的制造方法。


圖1是示意地表示一實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法的工序截面圖，圖IA示出了第一層疊體的截面，圖IB示出了第二層疊體的截面，圖IC是表示在第二層疊體上重疊有第一層疊體的狀態(tài)的截面圖，圖ID是表示將半導(dǎo)體層留在第二層疊體上而除去了第一基板的狀態(tài)的截面圖。圖2是對(duì)在一實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造工序中實(shí)施的基板接合工藝進(jìn)行說(shuō)明的示意圖。圖3是對(duì)一實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法的作用效果進(jìn)行說(shuō)明的示意圖，圖3A是表示比較例所涉及的制造方法的作用的示意圖，圖:3B是表示本實(shí)施方式所涉及的作用效果的示意圖。圖4是表示接著圖1之后的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造工序的示意圖，圖4A是表示將第二基板分割成各個(gè)發(fā)光元件芯片后的狀態(tài)的示意圖，圖4B是示意地表示發(fā)光元件芯片的構(gòu)造的立體圖。圖5是示意地表示其它實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法的立體圖。
具體實(shí)施例方式下面，參照

本發(fā)明的實(shí)施方式。另外，以下的實(shí)施方式中，對(duì)附圖中的相同部分標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記，并適當(dāng)?shù)厥÷栽敿?xì)的說(shuō)明，僅適當(dāng)?shù)卣f(shuō)明不同的部分。本發(fā)明的一實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法具有如下的工序，即， 將在第一基板上設(shè)置第一金屬層而成的第一層疊體與在第二基板上設(shè)置第二金屬層而成的第二層疊體，按照第一基板的劈開方向與第二基板的劈開方向錯(cuò)開且使第一金屬層與第二金屬層接觸的方式重疊的工序。第一層疊體在第一基板上具有含有能夠放射發(fā)光光線的發(fā)光層的半導(dǎo)體層，第一金屬層設(shè)置在半導(dǎo)體層之上。進(jìn)而，還具有在對(duì)上述第一層疊體與上述第二層疊體之間施加負(fù)載的狀態(tài)下升溫、使上述第一層疊體與上述第二層疊體貼合的工序。圖1是示意地表示本發(fā)明的一實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法的工序截面圖。在本實(shí)施方式所涉及的制造方法中，例如，將第一基板設(shè)為η型GaAs基板10， 將第二基板設(shè)為P型硅(Si)基板30，進(jìn)行說(shuō)明。進(jìn)而，在η型GaAs基板10上設(shè)置的半導(dǎo)體層12例如含有InGaAlP系半導(dǎo)體。圖IA示出了設(shè)有半導(dǎo)體層12的第一層疊體20的截面，圖IB示出了第二層疊體 40的截面。圖IC是表示在第一層疊體20上重疊有第二層疊體40的狀態(tài)的截面。圖ID是表示將半導(dǎo)體層12留在層疊體40上而除去了 η型GaAs基板10的狀態(tài)的截面圖。如圖IA 所示，在 η 型 GaAs 基板 10 上，例如利用 MOCVD (MetalOrganic Chemical Vapor D印osition 有機(jī)金屬化學(xué)汽相淀積)法或MBE (Molecular Beam Epitaxy 分子束外延)法等來(lái)形成含有InGaAlP等的半導(dǎo)體層12，進(jìn)而形成第一金屬層15，從而構(gòu)成第一層疊體20。另一方面，如圖IB所示，在ρ型Si基板30上，采用真空蒸鍍法等形成第二金屬層 35，從而構(gòu)成第二層疊體40。半導(dǎo)體層12所含有的發(fā)光層13是InGaAlP系半導(dǎo)體的情況下，半導(dǎo)體發(fā)光元件能夠發(fā)出從黃綠到紅色的波長(zhǎng)范圍的可見光。由InGaAlP系化合物結(jié)晶形成的半導(dǎo)體層12 由于與GaAs晶格匹配所以能夠容易設(shè)置良好的結(jié)晶。接著，如圖IC所示，在第二層疊體40上重疊有第一層疊體20，第一在接合界面47 使金屬層15與第二金屬層35接觸。進(jìn)而，實(shí)施規(guī)定的基板接合工藝，將第一層疊體20與第二層疊體40貼合在一起。這時(shí)，以使第一層疊體20的劈開方向與第二層疊體40的劈開方向錯(cuò)開的方式進(jìn)行接合。例如，第一層疊體20的劈開方向與η型GaAs基板10的劈開方向一致，第二層疊體40的劈開方向與ρ型Si基板30的劈開方向一致。因此，如果η型GaAs基板10的主面 25為(100)面，ρ型Si基板30的主面45為(100)面，則將η型GaAs基板10的<110>方向與P型Si基板30的<110>方向錯(cuò)開地重疊，接合在一起。第一金屬層15或者第二金屬層35中能夠采用例如金(Au)和Auh、AuSn等、含有 Au的金屬。將第一金屬層15和第二金屬層35形成Ti/Pt/Au的多層結(jié)構(gòu)，能夠提高Au與 Au之間的接合強(qiáng)度。另外，還能夠采用hSn等銦錫合金。第一金屬層15或者第二金屬層 35也能夠含有鎢(W)作為阻擋層金屬。第一金屬層和第二金屬層還能夠采用例如銅(Cu) 或鋁(Al)。接著，參考圖2，說(shuō)明基板接合工藝的一個(gè)例子。本實(shí)施方式所涉及的基板接合工藝，例如，以在真空中，將第一層疊體20和第二層疊體40重疊在一起之后，進(jìn)行加熱、接合。圖2示意地示出了這一過(guò)程中處理溫度隨時(shí)間的變化。首先，將第一層疊體20和第二層疊體40載置在未圖示的真空容器的內(nèi)部，使真空容器內(nèi)處于低壓狀態(tài)。接著，例如，能夠在將第一層疊體20和第二層疊體40重疊在一起之前進(jìn)行表面活性化。(表面活性化A)具體地，對(duì)設(shè)置于η型GaAs基板10上的第一金屬層15的表面和設(shè)置于ρ型Si 基板30上的第二金屬層35的表面照射例如氬(Ar)離子束，除去不需要的氧化膜及有機(jī)物等。此外，也可以將第一金屬層15的表面和第二金屬層35的表面暴露在等離子環(huán)境中。此外，也可以不進(jìn)行表面活性化而直接將第一層疊體20和第二層疊體40重疊在一起。接著，使第一金屬層15的表面和第二金屬層35的表面接觸，將第一層疊體20及第二層疊體40重疊。(定位B)具體地，使第一金屬層15的表面和第二金屬層35的表面相對(duì)配置，使η型GaAs 基板10與ρ型Si基板30的劈開方向一致。進(jìn)而，轉(zhuǎn)動(dòng)其中任何一個(gè)基板，使各自的劈開方向之間錯(cuò)開預(yù)定角度。然后，使第一金屬層15的表面和第二金屬層35的表面接觸，將第一層疊體20和第二層疊體40重疊。接著，對(duì)第一層疊體20和第二層疊體40之間施加負(fù)載以使其貼緊。(貼緊C)。使第一層疊體20和第二層疊體40貼緊的溫度優(yōu)選小于等于100°C。由此，能夠減少例如在使貼合好的基板返回室溫時(shí)因η型GaAs基板10與ρ型Si基板30之間的熱膨脹率不同而產(chǎn)生的翹曲。對(duì)第一層疊體20和第二層疊體40之間施加的負(fù)載，可以是大于等于lOkg/cm2且小于等于30kg/cm2。為了使第一金屬層15的表面和第二金屬層35的表面成為整體性地貼緊的狀態(tài)，例如，優(yōu)選施加大于等于lOkg/cm2的負(fù)載。進(jìn)而，為了防止第一層疊體20和第二層疊體40發(fā)生斷裂或裂紋，優(yōu)選施加的負(fù)載小于等于30kg/cm2。例如，能夠?qū)σ允古_方向一致的方式重疊的η型GaAs基板10和ρ型Si基板30 之間施加的壓力最大值為大約20kg/cm2。另一方面，若以使二者的劈開方向錯(cuò)開大于等于 1°的方式進(jìn)行重疊，則能夠施加30kg/cm2為止的負(fù)載。接著，在對(duì)重疊狀態(tài)的第一層疊體20和第二層疊體40施加負(fù)載的狀態(tài)下進(jìn)行加熱，升溫到預(yù)定的溫度(C —D)。例如，在第一金屬層15和第二金屬層35含有Au金屬的情況下，加熱到大于等于250°C的溫度。優(yōu)選升溫至溫度升到大于等于250°C的溫度是因?yàn)?，為了在第一金屬?5和第二金屬層35之間不產(chǎn)生空隙等缺陷。另一方面，優(yōu)選保持在小于等于350°C的溫度，以避免因η型GaAs基板10與ρ型 Si基板30之間的熱膨脹率差引起應(yīng)力而導(dǎo)致第一層疊體20和第二層疊體40發(fā)生斷裂或裂紋。接著，在將重疊狀態(tài)的第一層疊體20與第二層疊體40在預(yù)定溫度中保持一定時(shí)間之后，冷卻到小于等于100°c的溫度再?gòu)恼婵杖萜髦腥〕觥?D — E —取出F)在此期間，直到降溫至小于等于100°C的溫度為止，保持著對(duì)重疊的第一層疊體 20和第二層疊體40施加預(yù)定負(fù)載的狀態(tài)。在上述的基板接合工藝中，例如若對(duì)第一金屬層15的表面和第二金屬層35的表面照射Ar離子束，則能夠在金屬表面露出原子的活性結(jié)合鍵。由此，能夠降低第一金屬層 15的表面與第二金屬層35的表面的金屬原子結(jié)合時(shí)需要的能量。即，與不照射Ar離子束的情況相比，即使在低溫也能夠進(jìn)行接合。例如，若在表面活性化之后，在超高真空的狀態(tài)下實(shí)施接合工藝，則有時(shí)在常溫下就能夠使基板接合。接著，如圖ID所示，從通過(guò)上述基板接合工藝接合到第二層疊體40的第一層疊體 20，采用機(jī)械研磨法和溶液蝕刻法中的至少一種將η型GaAs基板10去除。在該情況下，可以將η型GaAs基板10完全去除，也可以留下一部分。進(jìn)而，在除去了 η型GaAs基板10的半導(dǎo)體層12的表面48上形成η電極，在ρ型 Si基板30的背面49上形成ρ電極，由此能夠完成半導(dǎo)體發(fā)光元件。進(jìn)而，作為其它的實(shí)施方式，還能夠用藍(lán)寶石基板作為第一基板，用氮化物半導(dǎo)體形成半導(dǎo)體層。例如，能夠在藍(lán)寶石基板上，采用MOCVD法設(shè)置具有通過(guò)層疊了 η型GaN 層、發(fā)光層、P型GaN層而形成的半導(dǎo)體層的第一層疊體。發(fā)光層能夠含有通過(guò)交替地層疊 InfahN 層(0 < χ < 1)和 AlyGa^yN 層(0 彡 y < 1)而形成的 MQW 層(Multi-Quantum Well)。進(jìn)而，圖ID所示的將第一基板除去的工序例如能夠采用激光剝離法，該激光剝離法中，從藍(lán)寶石基板的一側(cè)照射波長(zhǎng)355nm的激光，使藍(lán)寶石基板與η型GaN層的界面附近的GaN熔融，從而將藍(lán)寶石基板剝離。接著，參考圖3說(shuō)明本實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法的作用效果。圖3Α是表示比較例所涉及的制造方法的作用的示意圖，圖:3Β是表示本實(shí)施方式所涉及的制造方法的作用效果的示意圖。在圖3Α所示的比較例的制造方法中，將第一層疊體20與第二層疊體40以使各自的劈開方向20Η、40Η—致的方式接合，形成貼合基板50。第一層疊體20和第二層疊體40 具有若被施加壓力則容易沿著各自的劈開方向斷裂的性質(zhì)。因此，在如比較例那樣以使第一層疊體20的劈開方向20Η與第二層疊體40的劈開方向40Η—致的方式進(jìn)行接合的情況下，如圖3Α所示，貼合基板50很容易沿著劈開方向20Η和劈開方向40Η共同的劈開方向 50Η斷裂。上述性質(zhì)在將利用貼合基板50制作的半導(dǎo)體元件分割成一個(gè)個(gè)芯片時(shí)是有用的。例如，在利用GaAs的(100)基板形成第一層疊體20、利用Si的(100)基板形成第二層疊體40的情況下，劈開方向都是<110>方向，具有在(011)面和(101)面被劈開的性質(zhì)。因此，以使二者的劈開方向?qū)R的方式接合而成的貼合基板50，由于具有(011)面和(101)面這樣的垂直的劈開面，因此具有能夠很容易地切割出方形的半導(dǎo)體元件芯片這一優(yōu)點(diǎn)。為此，在將兩個(gè)基板接合時(shí)大多采用時(shí)兩者的劈開方向?qū)R的制造方法。然而，在使兩個(gè)基板的劈開方向一致并具有共同劈開面的情況下，意味著貼合好的基板容易發(fā)生斷裂。具體地，在上述的基板接合工藝中，由于在第一層疊體20和第二層疊體40之間因加熱而產(chǎn)生的應(yīng)力、或者因接合界面47所存在的凸起等原因而局部地集中的應(yīng)力，使得第一層疊體20和第二層疊體40兩者都斷裂的可能性變高。相對(duì)于此，如圖:3B中所示，在本實(shí)施方式所涉及的制造方法中，以使第一層疊體 20的劈開方向20H與第二層疊體40的劈開方向40H錯(cuò)開的方式形成貼合基板60。通過(guò)以劈開方向錯(cuò)開的方式進(jìn)行接合，即使一個(gè)基板發(fā)生斷裂或裂紋，其應(yīng)力也不會(huì)容易地直接傳遞至另一個(gè)基板的劈開方向。因此，與圖3A所示的貼合基板50相比，能夠增加貼合基板 60的強(qiáng)度。由此，能夠抑制在基板接合工藝中發(fā)生斷裂或裂紋，從而能夠?qū)崿F(xiàn)制造成品率的提高。具體地，優(yōu)選使第一層疊體20的劈開方向20H與第二層疊體40的劈開方向40H之間錯(cuò)開大于等于1°。例如，第二層疊體40的ρ型Si基板30比第一層疊體20的η型GaAs基板10的強(qiáng)度高，第一層疊體20比第二層疊體40更容易斷裂。因此，如圖:3Β中所示，在貼合基板60 中，即使第一層疊體20沿著劈開方向20Η斷裂，第二層疊體40也能夠?qū)ζ溥M(jìn)行支撐而保持規(guī)定形狀。由此，進(jìn)行后續(xù)的處理來(lái)制造半導(dǎo)體發(fā)光元件也成為可能。圖4是表示接著圖1之后的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造工序的示意圖。圖4Α所示的半導(dǎo)體基板40b，是在圖ID所示的工序中，從貼合基板60將η型GaAs 基板10除去而將半導(dǎo)體層12移載到第二層疊體40上而形成的。如上所述，半導(dǎo)體基板 49b在半導(dǎo)體層12的表面48上設(shè)有η電極，在ρ型Si基板30側(cè)的背面49上設(shè)有ρ電極， 從而完成半導(dǎo)體發(fā)光元件。接著，如圖4Α所示，半導(dǎo)體基板40b例如利用切割刀片進(jìn)行切斷而被分割成一個(gè)個(gè)的發(fā)光元件芯片65。圖4B示意地表示了發(fā)光元件芯片65的構(gòu)造。在η型GaAs基板10上設(shè)置的半導(dǎo)體層12的劈開方向是與η型GaAs基板10的劈開方向20Η相同的方向。因此，例如，如果使切割刀片進(jìn)行切斷的切斷方向與P型Si基板30的劈開方向40Η對(duì)齊，則移載在ρ型Si 基板30上的半導(dǎo)體層12沿著與其劈開方向20Η不同的方向被切斷。若ρ型Si基板30的劈開方向40Η與半導(dǎo)體層12的劈開方向20Η之間的錯(cuò)開角度θ大，則在切割刀片對(duì)半導(dǎo)體基板40b進(jìn)行切斷時(shí)，有時(shí)會(huì)產(chǎn)生圖4Β中所示的碎片67a、 67b。該碎片67a、67b是由于切割刀片所施加的應(yīng)力使得半導(dǎo)體層12沿著劈開方向20H斷裂而產(chǎn)生的。例如，在劈開方向的錯(cuò)開角度θ大于10°的情況下，容易產(chǎn)生碎片。如上所述，為了提高貼合基板的強(qiáng)度，劈開方向的錯(cuò)開角度θ優(yōu)選為大于等于 1°。因此，第一層疊體20與第二層疊體40重疊的狀態(tài)下的、第一層疊體20的劈開方向與第二層疊體40的劈開方向之間的的錯(cuò)開角度θ優(yōu)選為大于等于Γ且小于等于10°。圖5是示意地表示其它實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法的立體圖。本實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法還具有如下工序在第二層疊體
8上留下半導(dǎo)體層而將第一基板分離的工序；設(shè)置沿著第二層疊體的劈開方向延伸的分離槽，將半導(dǎo)體層分離為一個(gè)個(gè)的半導(dǎo)體元件的工序；以及沿著分離槽對(duì)第二層疊體進(jìn)行切斷的工序。圖5所示的半導(dǎo)體基板40c與上述的半導(dǎo)體基板40b相同，將半導(dǎo)體層12移載在第二層疊體40上而形成。進(jìn)而，半導(dǎo)體層12通過(guò)在沿著第二層疊體40的劈開方向40H延伸的方向上設(shè)置的分離槽72，被分離成一個(gè)個(gè)的發(fā)光元件75。分離槽72例如能夠通過(guò)采用了含有氯(Cl2)或氟(F)的蝕刻氣體的RIE (Reactive Ion Kching 反應(yīng)離子腐蝕)法來(lái)形成。此外，也能夠采用濕法蝕刻。根據(jù)本實(shí)施方式所涉及的制造方法，能夠沿著分離槽72分割成一個(gè)個(gè)發(fā)光元件 75而進(jìn)行芯片化。這時(shí)，由于分離槽72與劈開方向40H —致，所以能夠容易地進(jìn)行切斷。 進(jìn)而，半導(dǎo)體層12通過(guò)分離槽72而被分離，因此，在分割時(shí)不會(huì)接觸到切割刀片，也就不會(huì)發(fā)生例如碎片67a、67b的情況。即，根據(jù)在本實(shí)施方式，能夠?qū)⒌谝粚盈B體20的劈開方向20H與第二層疊體40的劈開方向40H之間的錯(cuò)開角度θ設(shè)定成大于10°。由此，能夠提高貼合基板60的強(qiáng)度。另外，在本實(shí)施方式中也是，第一金屬層或第二金屬層能夠例如含有Au或者Au 合金。使第一金屬層與第二金屬層在小于等于100°c的溫度重疊?；褰雍瞎に嚢ㄔ诖笥诘扔?50°C小于等于350°C的溫度范圍內(nèi)對(duì)第一層疊體與第二層疊體進(jìn)行加熱、然后進(jìn)行冷卻的工序，能夠?qū)?duì)第一層疊體與第二層疊體之間施加的負(fù)載設(shè)定為大于等于IOkg/ cm2、小于等于 30kg/cm2。說(shuō)明了本發(fā)明的一些實(shí)施方式，這些實(shí)施例只是作為示例，并無(wú)意于限定發(fā)明的保護(hù)范圍。這些實(shí)施方式的新的實(shí)施方式能夠以其他各種方式進(jìn)行實(shí)施，在不脫離本發(fā)明的宗旨的范圍內(nèi)能夠進(jìn)行各種省略、替換和變更。這些實(shí)施方式及其變形都含在本發(fā)明的范圍和宗旨內(nèi)，并且包含在權(quán)利要求書中記載的發(fā)明及其等同的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，用于使具有第一基板、半導(dǎo)體層和第一金屬層的第一層疊體與具有第二基板和第二金屬層的第二層疊體貼合，其特征在于，包括將上述第一層疊體的劈開方向與上述第二層疊體的劈開方向錯(cuò)開，使上述第一金屬層與上述第二金屬層接觸而重疊的工序，以及在對(duì)上述第一層疊體與上述第二層疊體之間施加負(fù)載的狀態(tài)下進(jìn)行升溫，使上述第一層疊體與上述第二層疊體貼合的工序。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，上述第一層疊體和上述第二層疊體在相重疊的狀態(tài)下被升溫到大于等于250°C且小于等于:350°C的溫度。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，其特征在于， 使上述第一層疊體與上述第二層疊體在小于等于100°c的溫度下重疊。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，其特征在于， 上述第一金屬層和上述第二金屬層中的至少某一個(gè)含有金Au。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，施加在上述第一層疊體與上述第二層疊體之間的負(fù)載為大于等于lOkg/cm2且小于等于 30kg/cm2。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，具有在使上述第一層疊體與上述第二層疊體重疊之前對(duì)上述第一金屬層和上述第二金屬層的表面照射離子束的工序。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，其特征在于， 上述第二基板是硅基板。
8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，其特征在于， 上述第一基板是GaAs基板。
9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，上述第一基板是藍(lán)寶石基板。
10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，其特征在于， 上述第一基板和上述第二基板的主面是(100)面。
11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，在使上述第一基板與上述第二基板重疊的狀態(tài)下的、上述第一基板的劈開方向與上述第二基板的劈開方向之間的錯(cuò)開角度為大于等于1°且小于等于10°。
12.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，還包括 在上述第二基板一側(cè)將上述半導(dǎo)體層留下并將上述第一基板分離的工序；設(shè)置沿著上述第二基板的劈開方向延伸的分離槽，將上述半導(dǎo)體層分離為一個(gè)個(gè)半導(dǎo)體元件的工序；以及沿著上述分離槽對(duì)上述第二基板進(jìn)行切斷的工序。
13.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，其特征在于， 上述第二基板是硅基板。
14.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，其特征在于， 上述第二基板的主面是(100)面。
15.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，上述第一層疊體和上述第二層疊體在相重疊的狀態(tài)下被升溫到大于等于250°C且小于等于:350°C的溫度。
16.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，其特征在于， 使上述第一層疊體與上述第二層疊體在小于等于100°C的溫度下重疊。
17.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，其特征在于， 上述第一金屬層和上述第二金屬層中的至少某一個(gè)含有金Au。
18.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，施加在上述第一層疊體與上述第二層疊體之間的負(fù)載為大于等于lOkg/cm2且小于等于 30kg/cm2。
19.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，具有在使上述第一基板與上述第二基板重疊之前對(duì)上述第一金屬層和上述第二金屬層的表面照射離子束的工序。
20.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，其特征在于， 上述第一基板是GaAs基板或藍(lán)寶石基板。
全文摘要
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，用于使具有第一基板、半導(dǎo)體層和第一金屬層的第一層疊體與具有第二基板和第二金屬層的第二層疊體貼合，其特征在于，包括將上述第一層疊體的劈開方向與上述第二層疊體的劈開方向錯(cuò)開，使上述第一金屬層與上述第二金屬層接觸而重疊的工序，以及在對(duì)上述第一層疊體與上述第二層疊體之間施加負(fù)載的狀態(tài)下進(jìn)行升溫，使上述第一層疊體與上述第二層疊體貼合的工序。
文檔編號(hào)H01L33/00GK102194933SQ20111006696
公開日2011年9月21日 申請(qǐng)日期2011年3月4日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月18日
發(fā)明者西脅若菜, 赤池康彥 申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝