專利名稱：半導(dǎo)體器件及其制造方法和制造裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本文中描述的實施例一般而言涉及半導(dǎo)體器件、制造半導(dǎo)體器件的方法以及半導(dǎo)體器件的制造裝置。
背景技術(shù)：
通過接合線將半導(dǎo)體芯片連接到例如安裝的部件或其他半導(dǎo)體芯片。隨著半導(dǎo)體芯片的大規(guī)模集成的進(jìn)展，接合線的數(shù)目增加。為了節(jié)省用于半導(dǎo)體器件的資源，希望節(jié)省每個連接的接合線材料。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實施例提供能夠減少線的量的半導(dǎo)體器件、制造半導(dǎo)體器件的方法以及半導(dǎo)體器件的制造裝置。一般而言，根據(jù)一個實施例，一種半導(dǎo)體器件包括第一半導(dǎo)體元件、第一電極、球部、第二電極、以及線。所述第一電極被電連接到所述第一半導(dǎo)體元件。所述球部被設(shè)置在所述第一電極上。所述線連接所述球部和所述第二電極。所述線包括位于所述線的與所述第二電極相反的一側(cè)的端部處的折返部。所述折返部的厚度小于所述線的直徑。根據(jù)實施例，可以提供能夠減少線量的半導(dǎo)體器件、制造半導(dǎo)體器件的方法以及半導(dǎo)體器件的制造裝置。


圖IA和IB是示例出根據(jù)第一實施例的半導(dǎo)體器件的配置的示意性截面圖；圖2是示例出根據(jù)第一實施例的半導(dǎo)體器件的配置的示意性平面圖；圖3A和;3B是示例出參考例的半導(dǎo)體器件的配置的示意圖；圖4A到4F是示例出根據(jù)第一實施例的半導(dǎo)體器件的制造方法的示意圖；圖5A到5F是示例出根據(jù)第一實施例的半導(dǎo)體器件的制造方法的示意圖；圖6A到6F是示例出根據(jù)第一實施例的半導(dǎo)體器件的制造方法的示意圖；圖7A到7E是示例出根據(jù)第一實施例的半導(dǎo)體器件的制造方法的示意圖；圖8A和8B是示例出半導(dǎo)體器件制造工藝的示意圖；圖9A和9B是示例出根據(jù)實例的半導(dǎo)體器件的配置的示意圖；圖10是示例出根據(jù)實例的半導(dǎo)體器件的配置的示意圖；圖IlA到IlD是示例出根據(jù)實例的半導(dǎo)體器件的制造方法的示意圖；圖12A和12B是示例出根據(jù)第二實施例的半導(dǎo)體器件的配置的示意4
圖13A到13D是示例出根據(jù)實例的半導(dǎo)體器件的配置的示意圖；圖14A和14B是示例出根據(jù)另一實例的半導(dǎo)體器件的配置的示意圖；圖15是示例出根據(jù)第二實施例的另一半導(dǎo)體器件的配置的示意性截面圖；以及圖16是示例出根據(jù)第三實施例的半導(dǎo)體器件的制造方法的流程圖。
具體實施例方式下面將參考附圖描述實施例。附圖是示意性的或概念性的；并且各部分的厚度與寬度之間的關(guān)系、各部分之間的尺寸的比例系數(shù)等等未必與其實際值相同。此外，可以在各附圖之間、甚至是對于相同的部分，不同地示例尺寸和比例系數(shù)。在本申請的說明書和附圖中，與關(guān)于其上的附圖描述的部件相似的部件被標(biāo)以相似的參考標(biāo)號，并且適當(dāng)時省略詳細(xì)描述。第一實施例圖IA和IB是示例出根據(jù)第一實施例的半導(dǎo)體器件的配置的示意性截面圖。具體而言，圖IB示例出半導(dǎo)體器件的概觀，而圖IA示例出圖IB中的部分IB的放大圖。圖2是示例出根據(jù)第一實施例的半導(dǎo)體器件的配置的示意性平面圖。圖2示例出圖IB中的部分IB的放大圖。如圖IB所示，根據(jù)該實施例的半導(dǎo)體器件110包括第一半導(dǎo)體元件(半導(dǎo)體元件 5)、第一電極10、第二電極20、球部30和線40。第一電極10被電連接到半導(dǎo)體元件5。例如，將諸如存儲器的半導(dǎo)體芯片用于半導(dǎo)體元件5。然而，實施例不限于此，可以將任何半導(dǎo)體芯片用于半導(dǎo)體元件5。第二電極20是與半導(dǎo)體元件5不同的半導(dǎo)體元件(半導(dǎo)體芯片)的電極。并且， 例如，第二電極20可以為諸如引線、印刷電路板等等的被安裝部件等等的電極。球部30被設(shè)置在第一電極10上。線40連接球部30和第二電極20。換言之，線40的一段接觸球部30，而線40的
另一端接觸第二電極20。例如，將諸如金的材料用于球部30和線40。這里，用于便于說明，將與第一電極10的主表面(球部30被連接至其的表面)垂直的方向取為Z軸方向。與第一電極10的主表面平行的一個方向取為X軸方向，并將與Z 軸方向和X軸方向垂直的方向取為Y軸方向。在X-Y平面內(nèi)，從第二電極20朝向第一電極10的方向被定義為Xl方向(第一方向)。在X-Y平面內(nèi)，從第一電極10朝向第二電極20的方向被定義為X2方向(第二方向)。X2方向是與Xl方向相反的方向。線40沿X軸方向在第一電極10與第二電極20之間延伸。在該具體實例中，第一電極10的主表面(球部30被連接至其的表面)沿Z軸方向的位置與第二電極20的連接表面(線40被連接至其的表面)沿Z軸方向的位置基本相同，但如下所述，第一電極10的主表面沿Z軸方向的位置與第二電極20的連接表面沿Z軸方向的位置可以不同。換言之， 第一電極10的主表面的高度可以與第二電極20的連接表面的高度相同或不同。
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當(dāng)?shù)谝浑姌O10的主表面的高度與第二電極20的連接表面的高度相同時，以及同樣地在它們不同時，Xl方向和X2方向分別是在X-Y平面內(nèi)從第二電極20朝向第一電極10 的方向和從第一電極10朝向第二電極20的方向。如圖IA所示，在第一電極10上形成球部30。球部30具有臺座部31和上部32。 球部30的臺座部31沿Xl方向(或X2方向)的長度大于上部32沿Xl方向(或X2方向) 的長度。在與第一電極10相對的一側(cè)在球部30的上部32上形成凸起30c。通過用毛細(xì)管擠壓(crush)球部30的上部32而形成凸起30c。同樣地，通過擠壓上部32而在上部32 上形成凹陷33。凸起30c被包括在例如上部32中。在線40的與第二電極20相反的一側(cè)的端部中形成折返部41。折返部41是線40 的位于凸起30c上方的部分。折返部41的厚度41t小于線40的直徑40d。這里，線40的直徑40d是線的平均直徑。折返部41與線40的頸部42相比是沿Xl方向的部分。這里，線40的頸部42是在線40的接觸球部30的部分與線40的朝向第二電極20延伸的部分之間的邊界部分。如上所述，在球部30的上部32的沿X軸方向的中心附近形成凹陷33。在球部30 的位于第二電極20側(cè)的端部上方通過凹陷33形成上部32的峰34。通過該峰34，頸部42 沿Z軸方向向上延伸。結(jié)果，可以使線40與半導(dǎo)體元件5的主平面大致平行地延伸。折返部41被設(shè)置為例如與球部30的沿Xl方向(或X2方向)的中心相比在與第二電極20相反的一側(cè)。換言之，折返部41具有這樣的部分，該部分被設(shè)置為與線40和球部30之間的連接部分的X軸方向上的中心相比沿Xl方向。如下所討論的，折返部41是在其中通過毛細(xì)管擠壓線40的部分。如圖IA所示，與球部30的與第二電極20相反的一側(cè)的端部30e相比，折返部41 的與第二電極20相反的一側(cè)的端部41e被設(shè)置為沿X2方向。換言之，與球部30的與第二電極20相反的一側(cè)的端部30e相比，折返部41的與第二電極20相反的一側(cè)的端部41e被設(shè)置為更靠近第二電極20。如圖2所示，可以在半導(dǎo)體器件110中設(shè)置多個第一電極10。例如，所述多個第一電極10可沿Y軸方向排列。并且，為所述多個第一電極10中的每一個設(shè)置多個球部30中的每一個，并且多個線40中的每一個被連接到所述多個球部30中的每一個。當(dāng)從與第一電極10的主表面垂直的方向(Z軸方向)觀察時，線40的折返部41 位于球部30的輪廓(外邊緣)(例如，臺座部31)的范圍內(nèi)。換言之，折返部41位于球部 30的輪廓(外邊緣)內(nèi)部，并且不從球部30突出。如圖IA所示，在該具體實例中，線40具有在球部30上方的凹陷43。線40的頸部 42沿X2方向延伸，同時沿Z軸方向向下傾斜。然而，本實施例不限于此，線40可以不具有凹陷43。例如，如下所述，線40的在球部30上方的形狀可以為近似平坦的。圖3A和;3B是示例出參考例的半導(dǎo)體器件的配置的圖。具體地，圖3A是示意性截面圖，圖:3B是示意性平面圖。如圖3A和;3B所示，在參考例的半導(dǎo)體器件119中，在線40的與第二電極20相反的一側(cè)的端部處的雙折返部49的厚度49t大于線40的直徑40d。半導(dǎo)體器件119中的雙折返部49是線40的從球部30朝向Xl方向延伸的部分和線40的從沿Xl方向的端部折返并朝向X2方向延伸的部分的重疊部分。因此，半導(dǎo)體器件119中的雙折返部49的厚度49t為線40的直徑40d的約兩倍。這里，如圖;3B所示，在所示例的兩條線40中，線40的在附圖的下側(cè)的雙折返部49 朝向附圖的上側(cè)的線40傾斜。近年來，由于微細(xì)化，線40之間的間隙已變窄。這里，存在雙折返部49不希望地接觸鄰近的線40的可能性。因此，如在該實施例中，希望折返部41 在從Z軸方向觀察時不從球部30突出。在半導(dǎo)體器件119中，與球部30的在與第二電極20相反的一側(cè)的端部30e相比， 雙折返部49的在與第二電極20相反的一側(cè)的端部49e被設(shè)置為在Xl方向上。換言之，與球部30的在與第二電極20相反的一側(cè)的端部30e相比，雙折返部49的在與第二電極20 相反的一側(cè)的端部49e被設(shè)置為更遠(yuǎn)離第二電極20。在半導(dǎo)體器件119中，當(dāng)沿著Z軸方向觀察時，線40的雙折返部49具有在球部30 的輪廓的范圍的外部的部分。換言之，雙折返部49從球部30突出。例如，這種類型的參考例的半導(dǎo)體器件119中的雙折返部49被形成為形成低回環(huán) (low loop)形狀。參考例的半導(dǎo)體器件119中的雙折返部49具有例如兩條線40的厚度， 并具有從球部30突出的部分，因此雙折返部49是大的。因此，使用很多的線40的材料來形成雙折返部49.相比而言，在根據(jù)該實施例的半導(dǎo)體器件110中，折返部41 (線40的尾部分)是小的，并且折返部41的厚度41t小于線40的直徑40d。在半導(dǎo)體器件110中，折返部41的長度短，并且與球部30的端部30e相比，折返部41的端部41e更靠近第二電極20。在半導(dǎo)體器件110中，折返部41不從球部30突出。在半導(dǎo)體器件110中，折返部41是小的，因此，用于形成折返部41的線40的材料量是小的。以該方式，可以以節(jié)省的線量提供半導(dǎo)體器件。在為了節(jié)省所使用的線40的量而不設(shè)置折返部的情況下，線40的高度增加，這阻礙了使半導(dǎo)體器件較薄。這里，線40的高度是從半導(dǎo)體元件5的表面到在半導(dǎo)體元件5 上的線40的最高頂表面的高度。在設(shè)置折返部的情況下，如下所述，可以減小線40的高度。 并且，由于會減小線40的機械強度的模制樹脂等等，可以使線40變形并可發(fā)生缺陷。相比而言，在根據(jù)該實施例的半導(dǎo)體器件110中，通過設(shè)置與在線40和球部30之間的連接部分的沿X軸方向的中心相比位于Xl方向上的折返部41，可以減小線40的高度。 換言之，在半導(dǎo)體器件110中，可以在保持線40的高度低的同時減小線量。將描述根據(jù)該實施例的半導(dǎo)體器件110的制造方法的實例。圖4A到4F、圖5A到5F、圖6A到6F以及圖7A到7E是示例出根據(jù)第一實施例的半導(dǎo)體器件的制造方法的示意圖。圖4A、4C、4E、5A、5C、5E、6A、6C和6E示例出在步驟SPOl到SP09的每一個工藝中毛細(xì)管60的狀態(tài)和操作。圖4B、4D、4F、5B、5D、5F、6B、6D和6F示例出在步驟SPOl到SP09 的每一個工藝中毛細(xì)管60、第一電極10、球部30和線40的狀態(tài)。圖7A到7E示例出在步驟SPlO到SP14中毛細(xì)管60的狀態(tài)和操作。在圖4D中， 除了截面圖之外還繪制了球部30的平面圖。如圖4A所示，在該制造方法中，使用包括毛細(xì)管60和控制單元80的制造裝置(接合裝置)?？刂茊卧?0包括臂81和驅(qū)動單元82。毛細(xì)管60被安裝在臂81的末端上。通過驅(qū)動單元82驅(qū)動臂81，并且以該方式使毛細(xì)管60相對于第一電極10的位置移位(移動)。在其他附圖的每一個中，省略了控制單元80。毛細(xì)管60具有在Xl方向側(cè)(第一電極10側(cè))的第一電極側(cè)末端61和在第二方向(第二電極20側(cè))的第二電極側(cè)末端62。第一電極側(cè)末端61與第二電極側(cè)末端62相對。如圖4A和4B所示，毛細(xì)管60被設(shè)置在第一電極10上方，并且毛細(xì)管60末端形成將變成球部30的球30a (步驟SP01)。毛細(xì)管60的直徑為約例如不小于60微米(μ m) 且不大于80μπι。然而，該實施例不限于此，毛細(xì)管60的直徑是任意的。如圖4C和4D所示，使毛細(xì)管60降低，并將球30a壓到第一電極10中(步驟SP02)。 球30a變形而反映毛細(xì)管的末端部分的形狀，從而形成臺座部31和在臺座部31上方的上部32。球部30包括臺座部31和上部32。臺座部31的直徑31d為例如50 μ m到60 μ m,并且上部32的直徑32d為例如比臺座部31的直徑31d小了約5μπι到10 μ m。然而，實施例不限于此，臺座部31的直徑31d 和上部32的直徑32d是任意的。如圖4E和4F所示，隨著線40的釋放，使毛細(xì)管60上升(步驟SP03)。如圖5A和5B所示，使毛細(xì)管60沿Xl方向相對于第一電極10移動(步驟SP04)。 以該方式，線40接觸第二電極側(cè)末端62。此時毛細(xì)管60朝向Xl方向的移動距離是這樣的距離，該距離使第二電極側(cè)末端62與線40之間的接觸部分在球部30的范圍內(nèi)。換言之，與球部30的在第二電極20的相反側(cè)的端部30e相比，第二電極側(cè)末端62 與線40之間的接觸部分在第二電極20側(cè)(X2方向側(cè))，并且與球部30的第二電極20側(cè)的端部30f相比，第二電極側(cè)末端62與線40之間的接觸部分在Xl方向側(cè)。例如，與球部 30的在第二電極20的相反側(cè)的端部30e相比，線40的Xl方向側(cè)的端部在第二電極20側(cè) (X2方向側(cè))，并且與球部30的第二電極20側(cè)的端部30f相比，線40的Xl方向側(cè)的端部在Xl方向側(cè)。如圖5C和5D所示，使毛細(xì)管60降低，并且通過毛細(xì)管60使線40變形(步驟 SP05)。具體而言，通過第二電極側(cè)末端62將線40(以及球部30)壓向第一電極10，并且使線40 (以及球部30)變形。換言之，通過第二電極側(cè)末端62將線40壓向第一電極10并使線40變形。如圖5E和5F所示，隨著線40的釋放，使毛細(xì)管60上升(步驟SP06)。作為該步驟SP05的結(jié)果，形成部分TN，線40的直徑在該處變窄。線40的直徑變窄的該部分TN將最終成為折返部41。如圖6A和6B所示，使毛細(xì)管60沿X2方向相對于第一電極10移動(步驟SP07)。 以該方式，線40的軸沿X2方向彎曲。例如，線40的Xl方向側(cè)的側(cè)面接觸毛細(xì)管60的內(nèi)側(cè)壁。通過使毛細(xì)管60沿X2方向相對于第一電極10移動，線40接觸第一電極側(cè)末端 61。此時毛細(xì)管60朝向X2方向的移動距離是這樣的距離，該距離使第一電極側(cè)末端61與線40之間的接觸部分在球部30的范圍內(nèi)。換言之，與球部30的在第二電極20的相反側(cè)的端部30e相比，第一電極側(cè)末端61 與線40之間的接觸部分在第二電極20側(cè)(X2方向側(cè))，并且與球部30的第二電極20側(cè)的端部30f相比，第一電極側(cè)末端61與線40之間的接觸部分在Xl方向側(cè)。例如，與球部30的在第二電極20的相反側(cè)的端部30e相比，線40的Xl方向側(cè)的端部在第二電極20側(cè) (X2方向側(cè))，并且與球部30的第二電極20側(cè)的端部30f相比，線40的Xl方向側(cè)的端部在Xl方向側(cè)。如果在該步驟SP07中的移動量小，則將不形成線40的折返部41。步驟SP07中的適宜移動量依賴于線40的直徑40d、步驟SP04中的毛細(xì)管60的移動量等等而變化。可以通過例如其中改變毛細(xì)管60的移動距離的測試來獲得步驟SP07中的適宜移動量。作為執(zhí)行步驟SP04和步驟SP05以及隨后執(zhí)行步驟SP07的結(jié)果，線40第一次沿 Xl方向彎曲，第二次沿X2方向彎曲。如圖6C和6D所示，使毛細(xì)管60降低，并且通過毛細(xì)管60使線40變形(步驟 SP08)。具體而言，通過第一電極側(cè)末端61將線40(以及球部30)壓向第一電極10，并且使線40(以及球部30)變形。換言之，通過第一電極側(cè)末端61將線40壓向第一電極10并使線40變形。在圖6D所示例的實例中，示例出其中在球部30的頂部上的線40中沒有形成凹陷的狀態(tài)，但如下所述，在步驟SP08中，可以在球部30的頂部上的線40中形成凹陷。例如， 可以通過諸如毛細(xì)管60的末端的形狀、在步驟SP05到SP08中毛細(xì)管60的移動距離等等的各種條件來控制是否在球部30的頂部上的線40中存在凹陷43。如圖6E和6F所示，隨著線40的釋放，使毛細(xì)管60上升(步驟SP09)。然后，如圖7A所示，使毛細(xì)管60沿X2方向相對于第一電極10移動(步驟SP10)。然后，如圖7B所示，使毛細(xì)管60沿Xl方向相對于第一電極10移動(步驟SP11)。然后，如圖7C所示，使毛細(xì)管60進(jìn)一步上升(步驟SP12)。然后，如圖7D所示，使毛細(xì)管60沿X2方向朝向第二電極20 (未示出)移動(步驟 SP13)。然后，如圖7E所示，使毛細(xì)管60與第二電極20緊密接觸，并且線40的與球部30 相反的一側(cè)的端部被連接到第二電極(步驟SP14)。以該方式，制成圖IA和IB以及圖2所示例的半導(dǎo)體器件110。作為執(zhí)行上述步驟SPlO和SPll的結(jié)果，例如，使線40具有彎曲的趨勢，因此減小了在第一電極10與第二電極20之間的延伸部分中的線40的高度。在如上所述的半導(dǎo)體器件110的制造中，線40被擠壓兩次。換言之，執(zhí)行在使毛細(xì)管60朝向Xl方向移動之后的通過第二電極側(cè)末端62對線40(以及球部30)的擠壓(步驟SP05)以及在使毛細(xì)管60朝向X2方向移動之后的通過第一電極側(cè)末端61對線40 (以及球部30)的擠壓(步驟SP08)。作為對線40的這兩次擠壓的結(jié)果，形成折返部41。折返部41是線40的通過毛細(xì)管60而受到擠壓的部分，并且減小了線40的直徑，因此，折返部 41的厚度41t小于線40的直徑40d。例如，線40的直徑40d是20 μ m，折返部41的厚度41t為約10 μ m。然而，如下所述，折返部41的形狀可以具有不同的變形，并且折返部41的相對于線40的直徑40d的厚度41t不限于上述值。在厚度41t小于直徑40d的條件下，厚度41t是任意的。在實施例中，線40的直徑40d為例如不小于5 μ m且不大于40 μ m。當(dāng)線40的直徑40d小于5 μ m時，例如連接電阻增加。當(dāng)線40的直徑40d大于40 μ m時，例如連接密度增加。
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圖8A和8B是示例出半導(dǎo)體器件制造工藝的示意圖。具體而言，圖8A示意性示例出用于根據(jù)實施例的半導(dǎo)體器件110的毛細(xì)管60的移動，圖8B示意性示例出用于參考例的半導(dǎo)體器件119的毛細(xì)管60的移動。如圖8A所示，在半導(dǎo)體器件110的制造中，在使毛細(xì)管60沿Xl方向相對于第一電極10移動(步驟SP04)之后，使毛細(xì)管60下降并通過第二電極側(cè)末端62而使線40變形(步驟SP(^)。另外，在使毛細(xì)管60沿X2方向相對于第一電極10移動(步驟SP07)之后，使毛細(xì)管60下降并通過第一電極側(cè)末端61而使線40變形(步驟SP08)。然后，將線 40連接到第二電極20 (步驟SP14)。毛細(xì)管60的沿Xl方向的上述移動的距離和毛細(xì)管60 的沿X2方向的上述移動的距離在球部30的范圍內(nèi)。以該方式，在半導(dǎo)體器件110的制造中，執(zhí)行第一次擠壓線40 (步驟SP(^)和第二次擠壓線40 (步驟SP08)。作為第一次擠壓的結(jié)果，可以使線40較薄，因此可以降低線40的高度。并且，作為第二次擠壓線40的結(jié)果，可以與半導(dǎo)體元件5的主表面大致平行地拉出線40，因此可以降低線40的高度。另一方面，如圖8B所示，在根據(jù)參考例的半導(dǎo)體器件119的制造中，在使毛細(xì)管 60下降并形成球部30 (步驟SPO》之后，使毛細(xì)管60上升(步驟SP0;3)，并且在使毛細(xì)管 60沿Xl方向相對于第一電極10移動(步驟SP119a)之后，使毛細(xì)管60進(jìn)一步上升(步驟SP119b)，然后使毛細(xì)管60沿X2方向移動并且毛細(xì)管60再次返回到球部30之上(步驟 SP119c)。然后使毛細(xì)管60降低，并通過毛細(xì)管60使線40變形(步驟SP08)。換言之，在參考例的半導(dǎo)體器件119的制造中，沒有執(zhí)行步驟SP05(第一次擠壓線40)。在半導(dǎo)體器件119中，通過執(zhí)行步驟SP119的操作(其中在使毛細(xì)管60沿Xl方向移動之后，使毛細(xì)管60進(jìn)一步上升，并且其返回到原始位置)，線40被二重折疊，并且在步驟SP08中，線40被連接到球部30。然后，使線40從該連接朝向第二電極20延伸。以該方式，減小了線40的回環(huán)形狀的高度。然而，如上所述，在半導(dǎo)體器件119中，通過使線40 二重折疊，雙折返部49變厚，因此所使用的線的量大。例如，如果不執(zhí)行用于第一次變形的步驟SP05，并且在其中使毛細(xì)管60進(jìn)一步上升的步驟SPl 19中，毛細(xì)管60沿X軸方向或Z軸方向的距離改變，將變得難以使線40 二重折疊。因此，在步驟SP08之后的工藝中，線40具有例如與球部30大致垂直的形狀，并且作為線40具有回環(huán)形狀的結(jié)果，線40的高度高。相比而言，在根據(jù)實施例的半導(dǎo)體器件110的制造方法中，通過第一次擠壓線 40 (步驟SP(^)和第二次擠壓線40 (步驟SP08)，線40的在球部30的上部上的形狀變?yōu)橄鄬τ谇虿?0傾斜，作為結(jié)果，線40的延伸方向變?yōu)榛旧掀叫杏赬軸方向，并且可以減小線40的回環(huán)形狀的高度。并且，折返部41薄且小，因此線量小。如上所述，在其中未執(zhí)行步驟SP05的參考例及其變化中，難以同時實現(xiàn)線40的高度的減小和線量的減小，但通過根據(jù)實施例的配置，可以同時實現(xiàn)線40的回環(huán)形狀的高度的減小和線量的減小。并且，通過設(shè)置折返部41，增大了線40與球部30之間的接觸面積。換言之，可以說，線40與球部30之間的粘合強度增大。結(jié)果，在步驟SPll到步驟SP14的工藝中，可以降低線40與球部30的分離的可能性。并且，作為第一次和第二次擠壓的結(jié)果，線40在沿 X軸方向的中心附近接觸球部30，因此可以進(jìn)一步增大線40與球部30之間的粘合強度。
將描述根據(jù)第一實施例的實例的半導(dǎo)體器件。圖9A和9B是示例出根據(jù)實例的半導(dǎo)體器件的配置的示意圖。具體而言，圖9A是示意性截面圖，圖9B是示意圖。為了易于理解，圖9B基于根據(jù)實例的半導(dǎo)體器件111的掃描電子顯微鏡(SEM)照片，已對其繪制出每個要素的輪廓形狀。如圖9A和9B所示，在根據(jù)該實施例的實例的半導(dǎo)體器件111中，使用設(shè)置在半導(dǎo)體元件5上的襯墊電極11作為電連接到半導(dǎo)體元件5的第一電極10。并且，在襯墊電極 11與球部30之間設(shè)置下層連接部14。下層連接部14包括被連接到襯墊電極11的下層線 13和下層線13的下層端子部12。下層線13連接襯墊電極11和與襯墊電極11相比在Xl 方向上設(shè)置的另一電極(未示出)。在下層連接部14上設(shè)置球部30。換言之，在半導(dǎo)體器件111中，包括下層端子部 12和下層線13的下層連接部14被設(shè)置在第一電極10 (襯墊電極11)與球部30之間。以該方式，在實施例中，可以在第一電極10與球部30之間插入任何導(dǎo)電構(gòu)件。并且，球部30 和被連接到球部30的線40被設(shè)置在層連接部14上作為第二連接部(上層連接部)。以該方式，可以層疊連接部。并且，在半導(dǎo)體器件111中，線40的折返部41的厚度41t小于線40的直徑40d。 并且，在半導(dǎo)體器件111中，折返部41的長度短，并且折返部41的端部41e比球部30的端部30e更靠近第二電極20。并且，在半導(dǎo)體器件111中，折返部41不從球部30突出。以該方式，可以以減小的線量提供半導(dǎo)體器件。圖10是示例出根據(jù)實例的半導(dǎo)體器件的配置的示意圖。圖10是圖9B的放大圖。如圖10所示，在半導(dǎo)體器件111中，折返部41包括與在折返部41中的步驟對應(yīng)的線路(線路La、線路Lb、線路Lc)。線路La對應(yīng)于折返部41的頂表面。線路Lb對應(yīng)于折返部41的底部側(cè)與凸起30c 的頂表面之間的邊界。線路Lc對應(yīng)于折返部41的與第二電極相反的一側(cè)(XI方向側(cè))的端部41e。此外，邊界線路Ld對應(yīng)于在球部30的凸起30c的側(cè)面與線40之間的邊界。通過執(zhí)行上述步驟SP05、SP06、SP07和SP08而形成這些線路La、Lb、Lc和Ld。下面，將詳細(xì)說明在步驟SP05到SP08中線40的狀態(tài)。圖IlA到IlD是示例出根據(jù)實例的半導(dǎo)體器件的制造方法的示意圖。具體而言，圖IlAUlBUlCiP IlD示意性示例出在步驟SP05、SP06、SP07和SP08 中線40的狀態(tài)。在步驟SP04中第一次使線40的中心軸彎曲之后，如圖IlA所示，在步驟SP05中通過第二電極側(cè)末端62而使線40變形。換言之，擠壓線40。此時，球部30也一起被變形。 此時，基于毛細(xì)管60的末端的形狀，在線40和球部30中形成凹狀凹陷33a。如圖IlA所示， 在該具體實例中使用具有比圖5D中所示例的毛細(xì)管60的末端尖銳的末端的毛細(xì)管60。如圖IlB所示，在步驟SP06中使毛細(xì)管60向上移動。然后，如圖IlC所示，在步驟 SP07中使毛細(xì)管60沿X2方向相對于第一電極10移動。以該方式，使線40第二次彎曲。此時，如圖IlC所示，在線40和球部30的連接部分的沿Xl方向的端部處形成將成為線路La的部分Lal，在線40的直立部的沿X2方向的下表面中形成將成為線路Ld的部分Ldl，并且在線40和球部30的連接部分的底部中形成將成為線路Lb的部分Lbl和將成為線路Lc的部分Lcl。這里，如果毛細(xì)管60沿X2方向的移動距離小，則通過毛細(xì)管60而擠壓對應(yīng)于線路La的部分，并且不形成線40的折返部41。然后，如圖IlD所示，在步驟SP08中，通過第一電極側(cè)末端61而使線40變形。例如，球部30可以也一起被變形。使線40向回彎曲，并且基于毛細(xì)管60的末端的形狀而在線 40的上部中形成凹狀凹陷。在圖5D中所示例的實例中，在步驟SP08中，在線40中不形成凹陷。在圖IlD所示例的實例中，基于毛細(xì)管60的尖銳末端形狀而在線40中形成凹陷。作為步驟SP08的結(jié)果，線40被重疊在球部30的凹陷33a上，并且球部30被擠壓， 由此在球部30中形成凹陷33。結(jié)果，在該具體實例中，在球部30中形成的凹陷33的深度為球部30的上部32的厚度的約一半。這里，如果使凹陷33的深度更深，則球部30的上部 32的從凹陷33到峰34的高度增加。結(jié)果，即使線40很長，也可以與半導(dǎo)體元件5的主平面大致平行地拉出線40。在該具體實例中，基于部分Lal，在線40的頂表面的Xl側(cè)的部分中形成線路La。 并且，基于部分Lcl，在線40與球部30的連接部分的Xl方向的端部中形成線路Lc?；诓糠諰bl，在線40與球部30的連接部分中在第一電極側(cè)末端61下方形成線路Lb。并且， 基于部分Ldl，在線40的與球部30接觸的彎曲部分中在第一電極側(cè)末端61下方形成線路 Ld。在線路La與線路Lb之間的部分成為折返部41。通過用毛細(xì)管60擠壓折返部41， 折返部41的厚度41t變?yōu)樾∮诰€40的直徑40d。以該方式，在實例的半導(dǎo)體器件111中，在球部30上方的線40中形成凹陷43，其反映出毛細(xì)管60的末端的形狀。第二實施例在第二實施例中，使用層疊的半導(dǎo)體芯片。線40在層疊的半導(dǎo)體芯片之間形成電連接。圖12A和12B是示例出根據(jù)第二實施例的半導(dǎo)體器件的配置的示意圖。如圖12A所示，根據(jù)該實施例的半導(dǎo)體器件120包括上述第一半導(dǎo)體元件(半導(dǎo)體元件幻、第一電極10、第二電極20、球部30和線40，還包括第二半導(dǎo)體元件6 (半導(dǎo)體芯片)。例如，將諸如存儲器的半導(dǎo)體芯片用于第二半導(dǎo)體元件6。然而，實施例不限于此，可以將任何半導(dǎo)體芯片用于第二半導(dǎo)體元件6。第二半導(dǎo)體元件6被層疊在第一半導(dǎo)體元件(半導(dǎo)體元件幻的其上設(shè)置有第一電極10的一側(cè)的主表面上。例如，將絕緣樹脂層8等等設(shè)置在第一半導(dǎo)體元件(半導(dǎo)體元件5)與第二半導(dǎo)體元件6之間。第二電極20被電連接到第二半導(dǎo)體元件6。線40在上述第一電極10與上述第二電極20之間基本平行于第一半導(dǎo)體元件(半導(dǎo)體元件幻的主表面和第二半導(dǎo)體元件6的主表面。圖12A和12B中所示例的線40與球部30之間的連接部分附近的配置與半導(dǎo)體器件110的相同，因此省略對其的描述。在根據(jù)該實施例的半導(dǎo)體器件120中，線40的折返部41的厚度41t小于線40的直徑40d，同時線40的延伸方向可以基本上平行于第一電極10的主表面。同樣地，在其中
12半導(dǎo)體芯片被層疊的配置中，線40可以基本上平行于第一電極10的主表面。換言之，可以使線40的回環(huán)形狀較低。當(dāng)層疊半導(dǎo)體芯片時，在電極處沿Z軸方向產(chǎn)生臺階。換言之，在第二半導(dǎo)體元件6的主表面(頂表面)上設(shè)置的第二電極20的沿Z軸方向的高度大于在第一半導(dǎo)體元件(半導(dǎo)體元件幻的主表面上設(shè)置的第一電極10的高度。此時，在半導(dǎo)體器件120中，通過調(diào)整球部30的高度以補償?shù)诙姌O20與第一電極10的高度差，例如，使第二電極20的高度和球部30的上部的高度基本上相同。以該方式，可以使連接第二電極20和球部30的線40基本上平行于第一電極10的主表面延伸。例如，如果在半導(dǎo)體器件120的最頂部層半導(dǎo)體元件上使用這種類型的線40形狀，可以有效地減小半導(dǎo)體元件120的高度。如圖12B所示，同樣在根據(jù)該實施例的另一半導(dǎo)體器件121中，設(shè)置第二半導(dǎo)體元件6。在半導(dǎo)體器件121中，使用在第一半導(dǎo)體元件(半導(dǎo)體元件幻上設(shè)置的襯墊電極 11作為第一電極10。并且，在襯墊電極11與球部30之間設(shè)置包括下層端子部12和下層線13的下層連接部14。下層線13連接襯墊電極11和沿Xl方向比襯墊電極11更遠(yuǎn)地設(shè)置的另一電極(未示出)。在下層連接部14上設(shè)置球部30。換言之，半導(dǎo)體器件121還包括下層線13。在球部30與第一電極10之間連接下層線13的一端(下層端子部1 。下層線13從第一電極10朝向從第二電極20朝向第一電極10的方向(XI方向)延伸。 在半導(dǎo)體器件121中，通過下層端子部12和下層線13的高度補償?shù)谝浑姌O10 (襯墊電極11)和第二電極20的高度差。以該方式，可以使連接第二電極20和球部30的線40 與第一電極10(襯墊電極11)的主表面基本上平行地延伸。例如，如果在半導(dǎo)體器件121 的最頂部層半導(dǎo)體元件上使用這種類型的線40形狀，可以有效地減小半導(dǎo)體元件121的高度。并且，通過在球部30下方設(shè)置下層線13，不必增加球部30的高度，因此可以減少在球部30中使用的材料。將描述根據(jù)該實施例的實例的半導(dǎo)體器件。圖13A到13D是示例出根據(jù)實例的半導(dǎo)體器件的配置的示意圖。圖13A是示例出根據(jù)實例的半導(dǎo)體器件122的配置的輪廓的示意性截面圖，圖1 是圖13A中的部分13A的放大圖的示意性透視圖，圖13C是圖13B中的部分13B的放大圖的示意性透視圖，圖13D是圖13C中的部分13C的放大圖的示意性透視圖。圖13B、13C和 13D基于半導(dǎo)體器件122的SEM照片，已對其繪制出每個要素的輪廓形狀。如圖13A所示，在半導(dǎo)體器件122中，在襯底9上設(shè)置第一半導(dǎo)體元件(半導(dǎo)體元件5)，并且在第一半導(dǎo)體元件上設(shè)置第二半導(dǎo)體元件6。通過線40連接第一半導(dǎo)體元件的第一電極10 (未示出)和第二半導(dǎo)體元件6的第二電極20 (未示出)，并且通過下層線13 連接在襯底9上設(shè)置的未在圖中示出的電極和第一半導(dǎo)體元件的第一電極10。如圖1 和13C所示，例如，沿Y軸方向設(shè)置多條線40。圖13D示例出線40和線 40被連接到的球部30的放大圖。如圖13D所示，在半導(dǎo)體器件122中，線40的折返部41的厚度41t小于線40的直徑40d。如圖13C所示，同樣地在半導(dǎo)體器件122中，線40在第一電極10上方與第二電極 20上方之間基本上平行于第一電極10的主表面。并且，如圖13D所示，下層線13的從被連接到第一電極10的部分延伸的部分基本上平行于第一電極10的主表面。例如，如果在半導(dǎo)體器件122的最頂層半導(dǎo)體元件上使用這種類型的線40形狀， 可以有效地減小半導(dǎo)體元件122的高度。并且，通過在球部30下方設(shè)置下層線13，不必增加球部30的高度，因此可以減少在球部30中使用的材料。并且，當(dāng)從Z軸方向觀察時，折返部41不從球部30內(nèi)突出，因此可以防止在Y軸方向上鄰近的線40之間的短路。圖14A和14B是示例出根據(jù)另一實例的半導(dǎo)體器件的配置的示意圖。圖14A是根據(jù)該實施例的另一實例的半導(dǎo)體器件123的一部分的放大圖的示意性透視圖，圖14B是圖14A中的部分14A的放大圖的示意性透視圖。圖14A和14B基于半導(dǎo)體器件123的SEM照片，已對其繪制出每個要素的輪廓形狀。通過使用與在半導(dǎo)體器件122的制造中使用的毛細(xì)管60相同的毛細(xì)管并改變制造條件而制造半導(dǎo)體器件123。具體而言，在半導(dǎo)體器件123的制造中的步驟SP05、SP06和 SP07中，毛細(xì)管60的移動距離不同于半導(dǎo)體器件122的移動距離。用于半導(dǎo)體器件123的步驟SP05中的移動距離小于用于半導(dǎo)體器件122的步驟SP05中的移動距離，用于半導(dǎo)體器件123的步驟SP06中的移動距離大于用于半導(dǎo)體器件122的步驟SP06中的移動距離， 并且用于半導(dǎo)體器件123的步驟SP07中的移動距離小于用于半導(dǎo)體器件122的步驟SP07 中的移動距離。如圖14A和14B所示，在半導(dǎo)體器件123中，折返部41的厚度41t小于線40的直徑40d。以該方式，通過在制造工藝中的用于毛細(xì)管60的移動距離的改變的制造條件，可以使線40的折返部41較薄。如圖14B所示，在半導(dǎo)體器件123中，在球部30的上部上的線40中不設(shè)置凹陷。 以該方式，即使當(dāng)使用相同的毛細(xì)管60時，通過改變諸如毛細(xì)管60的移動距離的條件，可以在設(shè)置凹陷43(半導(dǎo)體器件122等等)的情況下和不設(shè)置凹陷43(半導(dǎo)體器件123)的情況下進(jìn)行制造。如圖14A所示，在半導(dǎo)體器件123中同樣地，線40在第一電極10上方與第二電極 20上方之間基本上平行于第一電極10的主表面。并且，沒有形成凹陷43，因此可以抬高線 40的底部表面的位置而不增加球部30的高度。結(jié)果，可以減少球部30的材料。這里，如果線40是長的，則線40由于線40的自身重量而彎曲。然而，可以增加球部30的高度，因此即使當(dāng)增加線40的長度時，也可以降低由于線40的自身重量而使線的底部表面接觸半導(dǎo)體元件5等等的可能性。在球部30的上部32中形成凹陷33，并且在球部30的第二電極 20側(cè)上的端部30f的上部32中形成峰34。圖15是示例出根據(jù)第二實施例的另一半導(dǎo)體器件的配置的示意性截面圖。如圖15所示，根據(jù)該實施例的另一半導(dǎo)體器件IM包括設(shè)置在襯底9上的第一半導(dǎo)體元件(半導(dǎo)體元件幻、在其上層疊的第二半導(dǎo)體元件6、以及依次在其上層疊的第三到第九半導(dǎo)體元件6a到6g。通過線40而使半導(dǎo)體元件彼此連接。在半導(dǎo)體元件之間以及在襯底9與第一半導(dǎo)體元件(半導(dǎo)體元件幻之間設(shè)置絕緣樹脂層8。在該具體實例中，將被連接到襯底9的下層線13連接到對應(yīng)于每條線40的球部 30的底部。以該方式，在半導(dǎo)體器件中，所設(shè)置的半導(dǎo)體元件的數(shù)目是任意的。并且，例如，必需使在第二半導(dǎo)體元件6與第三半導(dǎo)體元件6a之間的線40的高度保持很低。這是因為，如果線40的高度很高，則上層的第三半導(dǎo)體元件6a和線40會接觸， 并且這會導(dǎo)致半導(dǎo)體器件的故障操作。因此，通過使用根據(jù)該實施例的線40，即使在上層中存在半導(dǎo)體元件時，也可以執(zhí)行線接合，并且可以節(jié)省線40的量。第三實施例第三實施例是半導(dǎo)體器件的制造方法。圖16是示例出根據(jù)第三實施例的半導(dǎo)體器件的制造方法的流程圖。如圖16所示，使在被電連接到半導(dǎo)體元件5的第一電極10上方設(shè)置的毛細(xì)管60 下降，使由毛細(xì)管60支撐的線40的末端處的球30a壓到第一電極10上，并在第一電極10 上形成被連接到線40的球部(步驟S110)。換言之，執(zhí)行步驟SPOl和SP02。在使毛細(xì)管60上升并朝向第一方向(XI方向，其是從第二電極20朝向第一電極 10的方向)移動毛細(xì)管60之后，通過在毛細(xì)管60的第二電極20側(cè)的第二電極側(cè)末端62 而使線40壓向第一電極10 (壓向第一電極10)，并且通過使線40變形，形成具有小于線40 的直徑的直徑的部分TN(步驟S120)。換言之，線被第一次變形(擠壓)。換言之，執(zhí)行步驟SP03到SP05。在步驟S120(步驟SP05)中，可以通過使球部30 壓到第一電極10上而使球部30也變形。在使毛細(xì)管60上升并朝向第二方向(X2方向，其是從第一電極10朝向第二電極 20的方向)移動毛細(xì)管60之后，通過在毛細(xì)管60的與第二電極側(cè)末端62相對的第一電極側(cè)末端61而使線40壓向第一電極10 (壓向第一電極10)，并且使線40變形(步驟S130)。 以該方式，線被第二次變形(擠壓)。然后，基于部分TN，在線40的與第二電極20相反的端部上形成其厚度小于線40的直徑40d的折返部41。換言之，執(zhí)行步驟SP06到SP08。在步驟S130(步驟SP08)中，可以通過使球部30 壓到第一電極10上而使球部30也變形。將線40的與球部30相反的一側(cè)的端部連接到第二電極(步驟S140)。換言之，例如，執(zhí)行步驟SP09到SP14。以該方式，可以提供這樣的半導(dǎo)體器件制造方法，該制造方法能夠以小于線40的直徑40d的線40的折返部41的厚度41t制造半導(dǎo)體器件并能夠減少線量。此時，毛細(xì)管60在步驟S120中沿Xl方向的移動范圍在球部30上方的范圍內(nèi)。并且，毛細(xì)管60在步驟S130中沿X2方向的移動范圍在球部30上方的范圍內(nèi)。第四實施例第四實施例是半導(dǎo)體器件的制造裝置。如圖4A所示，根據(jù)該實施例的制造裝置包括供應(yīng)線40的毛細(xì)管60和控制毛細(xì)管 60的位置的控制單元80?？刂茊卧?0將毛細(xì)管60定位在電連接到半導(dǎo)體元件5的第一電極10上方并使毛細(xì)管60下降，將由毛細(xì)管60支撐的線40的末端處的球30a壓到第一電極10上，并在第一電極10上形成連接到線40的球部(步驟S110)。在使毛細(xì)管60上升并朝向第一方向(XI方向，其是從第二電極20朝向第一電極 10的方向)移動毛細(xì)管60之后，控制單元80使用在毛細(xì)管60的第二電極20側(cè)的第二電極側(cè)末端62而使線40壓向第一電極10，并且通過使線40變形，形成具有小于線40的直徑的直徑的部分TN(步驟S120)?？梢酝ㄟ^使球部30壓到第一電極10上而使球部30也變形。在使毛細(xì)管60上升并朝向第二方向(X2方向，其是從第一電極10朝向第二電極 20的方向)移動毛細(xì)管60之后，控制單元80使用在毛細(xì)管60的與第二電極側(cè)末端62相對的第一電極側(cè)末端61而使線40壓向第一電極10，并且使線40變形(步驟S130)。然后， 基于部分TN，控制單元80在線40的與第二電極20相反的端部上形成其厚度小于線40的直徑40d的折返部41?？梢酝ㄟ^使球部30壓到第一電極10上而使球部30也變形。然后，控制單元80將線40的與球部30相反的一側(cè)的端部連接到第二電極(步驟 S140)。根據(jù)該實施例，可以提供能夠減少線量的制造半導(dǎo)體器件的制造裝置。根據(jù)實施例，可以提供能夠減少線量的半導(dǎo)體器件、半導(dǎo)體器件的制造方法和半導(dǎo)體器件的制造裝置。在本申請的說明書中，“垂直”和“平行”不僅指嚴(yán)格垂直和嚴(yán)格平行，還包括例如由于制造工藝等等而弓I起的波動。基本上垂直和基本上平行就足夠了。上文中，參考具體實例描述了本發(fā)明的實施例。然而，本發(fā)明不受這些具體實例的限制。例如，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以通過從已知技術(shù)中適宜地選擇在半導(dǎo)體器件中包括的部件(例如半導(dǎo)體元件、電極、球部、線等等)的具體配置和半導(dǎo)體器件的制造裝置(例如毛細(xì)管、控制單元等等)而類似地實施本發(fā)明。這樣的實施以在獲得與其相似的效果的范圍而被包括在本發(fā)明的范圍中。具體實例的任何兩個或更多個部件可以以技術(shù)可行性的范圍被組合且以包括本發(fā)明的主旨的范圍被包括在本發(fā)明的范圍內(nèi)。此外，基于作為本發(fā)明的示例性實施例而在以上描述的半導(dǎo)體器件、半導(dǎo)體器件的制造方法以及半導(dǎo)體器件的制造裝置由本領(lǐng)域技術(shù)人員通過適宜的設(shè)計修改而可實施的所有半導(dǎo)體器件、半導(dǎo)體器件的制造方法以及半導(dǎo)體器件的制造裝置也以包括本發(fā)明的主旨的范圍而被包括在本發(fā)明的范圍內(nèi)。此外，在本發(fā)明的精神內(nèi)的各種修改和改變對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言是顯而易見的。因此所有這樣的修改和改變也應(yīng)被視為在本發(fā)明的范圍內(nèi)。雖然已經(jīng)描述了特定的實施例，但這些實施例僅僅被作為實例而給出，并不旨在限制本發(fā)明的范圍。事實上，這里描述的新穎實施例可以以各種其他形式實施；此外，可以在不背離本發(fā)明的精神的情況下，對這里描述的實施例做出形式上的各種省略、替代和改變。所附權(quán)利要求及其等價物旨在涵蓋落入本發(fā)明的范圍和精神內(nèi)的這樣的形式或修改。
1權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件，包括 第一半導(dǎo)體元件；第一電極，其被電連接到所述第一半導(dǎo)體元件； 球部，其被設(shè)置在所述第一電極上； 第二電極；以及線，其連接所述球部和所述第二電極，其中所述線包括位于所述線的與所述第二電極相反的一側(cè)的端部處的折返部， 所述折返部的厚度小于所述線的直徑。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其中與所述球部的在與所述第二電極相反的一側(cè)的端部相比，所述折返部的所述端部更靠近所述第二電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其中所述線具有在所述線的位于所述球部上方的部分中設(shè)置的凹陷，并且所述線的與所述球部緊密接觸的部分向上延伸。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，還包括第二半導(dǎo)體元件，所述第一半導(dǎo)體元件具有在設(shè)置有所述第一電極的一側(cè)上的主表面， 所述第二半導(dǎo)體元件被層疊在所述主表面上， 所述第二電極被電連接到所述第二半導(dǎo)體元件，并且所述線在所述第一電極上方和所述第二電極上方之間基本上平行于所述第一半導(dǎo)體元件的所述主表面和所述第二半導(dǎo)體元件的主表面。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的器件，還包括下層線，所述下層線的一端被連接在所述球部與所述第一電極之間，并且所述下層線從所述第一電極朝向從所述第二電極朝向所述第一電極的方向延伸。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其中所述線沿延伸軸延伸，所述球部具有臺座部和在所述臺座部上設(shè)置的上部，所述臺座部沿所述延伸軸的長度大于所述上部沿所述延伸軸的長度，并且所述上部包括凸起。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的器件，其中所述凸起是通過擠壓所述上部而形成的。
8.根據(jù)權(quán)利要求6的器件，其中所述折返部位于所述凸起上方。
9.根據(jù)權(quán)利要求6的器件，其中所述上部的直徑小于所述臺座部的直徑，并且所述上部的直徑與所述臺座部的直徑的差不小于5微米且不大于10微米。
10.根據(jù)權(quán)利要求6的器件，其中所述臺座部的直徑不小于50微米且不大于60微米。
11.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其中所述線的直徑不小于5微米且不大于40微米。
12.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其中當(dāng)沿從所述球部朝向所述第一電極的方向觀察時所述折返部位于當(dāng)沿該方向觀察時所述球部的外邊緣的內(nèi)部。
13.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其中設(shè)置多個所述第一電極，在所述多個第一電極的每一個上設(shè)置多個所述球部中的每一個，并且多條線被連接到所述多個球部中的每一個。
14.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其中所述球部和所述線包括金。
15.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其中所述第一半導(dǎo)體元件是存儲器的半導(dǎo)體芯片。
16.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，還包括第二半導(dǎo)體元件，并且所述第二電極被連接到所述第二半導(dǎo)體元件。
17.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其中所述第二電極是包括引線和印刷電路板中的至少一者的被安裝的部件的電極。
18.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其中所述第二電極與所述第一電極并置，并且其中所述第一電極被連接到所述球部的表面的沿從所述球部朝向所述第一電極的方向的位置與其中所述第二電極被連接到所述線的表面的沿所述方向的位置相同。
19.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括通過使位于被電連接到半導(dǎo)體元件的第一電極上方的毛細(xì)管下降并將由所述毛細(xì)管支撐的線的末端處的球壓到所述第一電極上而形成球部，所述球部被連接到所述第一電極上方的所述線；通過在使所述毛細(xì)管上升并使所述毛細(xì)管朝向第一方向移動之后用所述毛細(xì)管的第二電極側(cè)的第二電極側(cè)末端將所述線壓向所述第一電極而使所述線變形，形成具有小于所述線的直徑的直徑的部分，所述第一方向為從所述第二電極朝向所述第一電極；通過在使所述毛細(xì)管上升并使所述毛細(xì)管朝向第二方向移動之后用所述毛細(xì)管的與所述第二電極側(cè)末端相對的第一電極側(cè)末端將所述線壓向所述第一電極而使所述線變形， 在所述線的與所述第二電極相反的端部處并基于所述部分而形成具有小于所述線的直徑的厚度的折返部，所述第二方向為從所述第一電極朝向所述第二電極；以及將所述線的與所述球部相反的一側(cè)的端部連接到所述第二電極。
20.一種半導(dǎo)體器件的制造裝置，包括 毛細(xì)管，其被配置為供應(yīng)線；以及控制單元，其被配置為控制所述毛細(xì)管的位置， 所述控制單元通過在將所述毛細(xì)管定位在被電連接到半導(dǎo)體元件的第一電極上方之后使所述毛細(xì)管下降并將由所述毛細(xì)管支撐的線的末端處的球壓到所述第一電極上而形成球部，所述球部被連接到所述第一電極上方的所述線；通過在使所述毛細(xì)管上升并使所述毛細(xì)管朝向第一方向移動之后用所述毛細(xì)管的第二電極側(cè)的第二電極側(cè)末端將所述線壓向所述第一電極而使所述線變形，形成具有小于所述線的直徑的直徑的部分，所述第一方向為從所述第二電極朝向所述第一電極；通過在使所述毛細(xì)管上升并使所述毛細(xì)管朝向第二方向移動之后用所述毛細(xì)管的與所述第二電極側(cè)末端相對的第一電極側(cè)末端將所述線壓向所述第一電極而使所述線變形， 在所述線的與所述第二電極相反的端部處并基于所述部分而形成具有小于所述線的直徑的厚度的折返部，所述第二方向為從所述第一電極朝向所述第二電極；以及將所述線的與所述球部相反的一側(cè)的端部連接到所述第二電極。
全文摘要
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件、制造半導(dǎo)體器件的方法以及半導(dǎo)體器件的制造裝置。根據(jù)一個實施例，一種半導(dǎo)體器件包括第一半導(dǎo)體元件、第一電極、球部、第二電極、以及線。所述第一電極被電連接到所述第一半導(dǎo)體元件。所述球部被設(shè)置在所述第一電極上。所述線連接所述球部和所述第二電極。位于所述線的與所述第二電極相反的一側(cè)的端部處的折返部的厚度小于所述線的直徑。
文檔編號H01L23/48GK102290391SQ201110066789
公開日2011年12月21日 申請日期2011年3月18日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月18日
發(fā)明者井本孝志, 佐野雄一, 本田友巳, 武部直人, 熊谷靖, 石田勝廣 申請人:株式會社東芝