專利名稱：半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡及其制造方法。
背景技術(shù)：
以往，在引線框上安裝閃存等半導(dǎo)體存儲(chǔ)器、通過封裝樹脂封裝的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡眾所周知。在該構(gòu)造的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡中，數(shù)據(jù)的讀取寫入用的外部端子通過使引線框的一部分(端子部)從封裝樹脂局部露出而形成。在制造上述構(gòu)造的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡時(shí)，引線框的端子部在樹脂封裝前被連結(jié)并支撐于引線框的框架部。而且，在樹脂封裝后，以形成作為半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡的外形的方式將引線框的端子部與框架部切斷。因此，在半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡完成的狀態(tài)下，具有引線框的一部分沒有被樹脂覆蓋而從引線框的端子部露出的可能性。其結(jié)果，具有存儲(chǔ)于半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)被破壞的可能性。在將半導(dǎo)體存儲(chǔ)器安裝于引線框、通過封裝樹脂封裝而成的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡中，要求防止存儲(chǔ)于半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)被破壞。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)技術(shù)方案，其目的在于提供一種防止安裝于引線框的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器中所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)被破壞的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡及其制造方法。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)技術(shù)方案，半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡，其具備引線框，其形成有存儲(chǔ)器搭載部、包含電源端子以及信號(hào)端子的多個(gè)端子和寬度比該端子窄并從各端子延伸到卡前端面的多個(gè)連接部；半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，其搭載于引線框的存儲(chǔ)器搭載部；和樹脂，其以使得電源端子與信號(hào)端子相比在更接近卡前端面的部位露出，并且在卡前端面使多個(gè)連接部露出的方式，封裝搭載有半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的引線框。半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡，以使得多個(gè)連接部的卡前端面處的露出位置在卡前端面的長(zhǎng)度方向上從使各個(gè)信號(hào)端子向卡前端面?zhèn)妊由斓膮^(qū)域錯(cuò)開的方式，使各連接部從各端子延伸。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，能夠提供一種防止安裝于引線框的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器中所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)被破壞的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡及其制造方法。


圖1-1是作為第1實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡的microSD存儲(chǔ)卡的仰視圖。圖1-2是第1實(shí)施方式所涉及的microSD存儲(chǔ)卡的俯視透視圖。圖1-3是第1實(shí)施方式所涉及的microSD存儲(chǔ)卡的側(cè)視透視圖。圖2是表示第1實(shí)施方式所涉及的microSD存儲(chǔ)卡的制造中所使用的引線框的結(jié)構(gòu)的圖。圖3是表示第1實(shí)施方式所涉及的microSD存儲(chǔ)卡的制造中所使用的引線框的樹脂封裝后的狀態(tài)的圖。圖4是表示事后使埋設(shè)于封裝樹脂中的引線框露出的順序的工序圖。圖5是模式性表示相對(duì)于microSD存儲(chǔ)卡讀取寫入數(shù)據(jù)的連接器的內(nèi)部的圖。圖6是模式性表示microSD存儲(chǔ)卡與連接器針腳的位置關(guān)系的圖。圖7是第2實(shí)施方式所涉及的microSD存儲(chǔ)卡的仰視圖。圖8是表示第2實(shí)施方式所涉及的microSD存儲(chǔ)卡的制造中所使用的引線框的結(jié)構(gòu)的圖。圖9是表示第2實(shí)施方式所涉及的microSD存儲(chǔ)卡的制造中所使用的引線框的樹脂封裝后的狀態(tài)的圖。圖10是表示第3實(shí)施方式所涉及的microSD存儲(chǔ)卡的制造中所使用的引線框的樹脂封裝后的狀態(tài)的圖。圖11是第3實(shí)施方式所涉及的microSD存儲(chǔ)卡的前端面分的放大圖。圖12是第4實(shí)施方式所涉及的microSD存儲(chǔ)卡的仰視圖。圖13是表示第4實(shí)施方式所涉及的microSD存儲(chǔ)卡的制造中所使用的引線框的結(jié)構(gòu)的圖。圖14是表示第4實(shí)施方式所涉及的microSD存儲(chǔ)卡的制造中所使用的引線框的樹脂封裝后的狀態(tài)的圖。圖15是表示具有僅信號(hào)端子的連接部向卡側(cè)面?zhèn)葟亩俗硬客怀龅牟糠趾鸵员榷俗硬空膶挾认蚩ㄇ岸嗣鎮(zhèn)妊由於竭_(dá)卡前端面的部分的microSD存儲(chǔ)卡的結(jié)構(gòu)的圖。圖16-1是作為平置型的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡的microSD存儲(chǔ)卡的俯視透視圖。圖16-2是平置型的microSD存儲(chǔ)卡的側(cè)視透視圖。符號(hào)說明1:引線框lb:端子部Ic:連接部If 半時(shí)刻部 2 =NAND6 外部端子8:封裝樹脂10 :microSD存儲(chǔ)卡20 連接器21 連接器銷釘
具體實(shí)施例方式下面，參照附圖，對(duì)本發(fā)明的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡及其制造方法進(jìn)行詳細(xì)說明。另外，本發(fā)明并不由這些實(shí)施方式限制。第1實(shí)施方式對(duì)第1實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡進(jìn)行說明。作為第1實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡，列舉microSD 存儲(chǔ)卡(下面，稱為microSD存儲(chǔ)卡)為例進(jìn)行說明。圖1_1是 microSD存儲(chǔ)卡10的仰視圖，圖1_2是microSD存儲(chǔ)卡10的俯視透視圖，圖1_3是microSD 存儲(chǔ)卡10的側(cè)視透視圖。另外，圖1-2 (a)表示microSD存儲(chǔ)卡10的整體，圖l_2(b)放大表示圖1-2 (a)的一部分(I-nb部)。另外，圖1-3表示從圖1-3的右側(cè)觀察microSD存儲(chǔ)卡10的狀態(tài)。在這里，圖1-1 1-3的紙面中的上方為向連接器插入的插入側(cè)，將該方向的一端定義為“前端”。另外，將圖1-1中的視點(diǎn)方向、圖1-2中的紙面進(jìn)深(背面)方向、 圖1-3中的紙面中的右方定義為“下(底面?zhèn)?”，將相反方向定義為“上”。另外，將圖1-1、 圖1-2中的紙面中的左右方向定義為“橫向(側(cè)面?zhèn)?”。在引線框1上，除了作為半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的NAND型閃存(下面，稱為NAND)2，還安裝有無源部件3 (電容器和/或熔斷器等)。在NAND2上形成有再布線層，在再布線層上安裝有控制NAND2的控制器4。另外，在這里以使用NAND型閃存的結(jié)構(gòu)為例進(jìn)行說明，但并不限定于NAND型閃存。例如，也能夠應(yīng)用NOR型閃存。在再布線層形成有用于連接控制器 4與引線框1的布線加。在控制器4的端子與再布線層上的布線加之間，再布線層上的布線加與引線框1之間，以及再布線層上的布線加彼此通過焊絲5連接。安裝有NAND2、無源部件3、控制器4、通過焊絲5將這些構(gòu)件連接起來的引線框1由封裝樹脂8封裝。但是， 引線框1的一部分(后述的端子部lb)在卡前端附近向底面?zhèn)嚷冻觯纬捎糜谂c連接器電連接的外部端子6。外部端子6中，分別分配了電源(VDD)以及接地電位(VSS)的電源端子6d、6f露出到比分配了信號(hào)的信號(hào)端子6a 6C、6e、6g、^!更接近卡前端面的部位。在microSD存儲(chǔ)卡10的前端面(卡前端面的附近)，作為用于向形成有外部端子 6的底面?zhèn)纫龑?dǎo)連接器針腳的導(dǎo)向面，設(shè)有錐面部7。錐面部7跨過卡前端面與底面，形成為越靠近卡前端面?zhèn)葎t卡厚度變得越小。另外，在這里以作為導(dǎo)向面具備錐面的結(jié)構(gòu)為例， 但也可以代替錐面而將R面等曲面作為導(dǎo)向面而設(shè)置。圖2是表示第1實(shí)施方式所涉及的microSD存儲(chǔ)卡10的制造中所使用的引線框1 的結(jié)構(gòu)的圖。圖2中的虛線表示在樹脂封裝后將作為microSD存儲(chǔ)卡10而被切出的范圍， 引線框1在虛線橫截的部分被切斷。引線框1包含作為安裝有NAND2、無源部件3等電子部件的存儲(chǔ)器搭載部的芯片安裝部Ia ；和在樹脂封裝后作為外部端子6露出的端子部lb。 端子部Ib由連接部Ic與框架部Id連結(jié)而被支撐。引線框1能夠使用42號(hào)鐵O^e-Ni)、Cu 等金屬材料形成，但并不限定于這些材料。另外，形成各外部端子6的引線框1通過絕緣性帶12固定。連接部Ic形成下述構(gòu)造，該構(gòu)造具備從端子部Ib向與在microSD存儲(chǔ)卡10的完成后成為向連接器插入的插入方向的方向(卡前端面?zhèn)?交叉的方向(卡側(cè)面?zhèn)?突出的部分(突出部Ig)；和從該部分以比端子部Ib窄的寬度向卡前端面?zhèn)妊由於竭_(dá)卡前端面的部分(延伸部Ih)。另外，連接部Ic與外框架聯(lián)絡(luò)部Ii連接。外框架聯(lián)絡(luò)部Ii的寬度比連接部Ic的寬度寬。通過該外框架聯(lián)絡(luò)部li，能夠?qū)⑼獠慷俗覫b與外框架Id穩(wěn)定固定。因此，如圖1-2所示，連接部Ic的在卡完成后作為microSD存儲(chǔ)卡10而切出的部分， 在使端子部Ib向卡前端面?zhèn)妊由斓膮^(qū)域不存在。由此，在使用引線框1制造出的microSD 存儲(chǔ)卡10中，如圖1-1所示，在由封裝樹脂8進(jìn)行的樹脂封裝后切斷的連接部Ic的切斷面 11 (Ila Ilh)，在橫向方向(卡前端面的長(zhǎng)度方向)上從外部端子6a 他向卡前端面?zhèn)妊由斓膮^(qū)域(以后，有時(shí)稱為“外部端子延伸區(qū)域”)錯(cuò)開的區(qū)域露出。另外，切斷面Ila Ilh是與外部端子6a 他相對(duì)應(yīng)的各連接部Ic的切斷面。另外，在這里表示了連接部Ic 向與向連接器插入方向正交的方向突出的結(jié)構(gòu)，但連接部Ic突出的方向與向連接器插入方向所成的角度并不必須為直角。另外，外框架聯(lián)絡(luò)部Ii也可以不存在于外部端子延伸區(qū)域。
圖3是表示第1實(shí)施方式所涉及的microSD存儲(chǔ)卡10的制造中所使用的引線框 1在樹脂封裝后的狀態(tài)的圖。在這里為了簡(jiǎn)化說明，省略了已經(jīng)安裝于引線框1的NAND2、 無源部件3、控制器4、焊絲5等的圖示。另外，對(duì)于封裝樹脂8也僅表示作為microSD存儲(chǔ)卡10被切出的部分，但實(shí)際上，封裝樹脂8被封裝于比microSD存儲(chǔ)卡10的外形(圖2的通過虛線包圍的部分)更寬的范圍。端子部Ib在樹脂封裝時(shí)與未圖示的金屬模具緊密接合，封裝樹脂8不會(huì)流入端子部Ib的底面?zhèn)?。在連接部Ic的作為microSD存儲(chǔ)卡10而切出的范圍內(nèi)(延伸部Ih)設(shè)有彎曲部le，引線框1的框架部Id被配置成與在樹脂封裝時(shí)使用的金屬模具的分割線大致相同高度。在樹脂封裝后，仿照作為microSD存儲(chǔ)卡10的外形形狀切斷連接部lc，端子部Ib 與框架部Id分離。在這里對(duì)在比作為microSD存儲(chǔ)卡10的外形形狀更大的范圍內(nèi)封裝封裝樹脂8，將封裝樹脂8以及連接部Ic沿著microSD存儲(chǔ)卡10的外形形狀切斷而切出 microSD存儲(chǔ)卡10的方法進(jìn)行了說明。但是，也可以使用與作為microSD存儲(chǔ)卡10的外形形狀一致的金屬模具，封裝封裝樹脂8 (僅在圖2的由虛線包圍的部分封裝封裝樹脂8)， 僅切斷連接部lc。由于在作為microSD存儲(chǔ)卡10而切出的部分設(shè)有彎曲部le，所以連接部Ic進(jìn)入封裝樹脂8中。因此，如圖1-1、圖1-3所示，連接部Ic的各切斷面11在斜面部 7的上端(卡上面?zhèn)鹊男泵娌?的端部)附近露出。連接部Ic被封裝樹脂8覆蓋，所以能夠防止連接部Ic從切斷面11向上卷起。由此，能夠抑制向上卷起的連接部Ic與相鄰的外部端子6接觸而短路等不良的產(chǎn)生。另外，突出部Ig從端子部Ib向側(cè)面方向延伸。因此，突出部Ig和與突出部Ig相鄰的端子部Ib之間變窄。進(jìn)而，突出部Ig從卡的底面露出。其結(jié)果，根據(jù)封裝樹脂8的材料，具有封裝樹脂8不進(jìn)入突出部Ig和與突出部Ig相鄰的端子部Ib之間的情況。另外， 在連接部lc，在從彎曲部Ie到卡前端面的距離較短并且從連接部Ic的底面(卡的底面?zhèn)鹊拿?到卡底面的距離較短的情況下，具有進(jìn)入連接部Ic的底面?zhèn)榷痰姆庋b樹脂8在卡完成后剝離的可能性。因此，也可以以端子部Ib埋入封裝樹脂8的方式進(jìn)行封裝，之后除去端子部Ib的底面?zhèn)鹊姆庋b樹脂8而形成外部端子6。圖4是表示事后使埋設(shè)于封裝樹脂8的引線框1露出的順序的工序圖。首先，以將引線框1埋設(shè)于封裝樹脂8的方式進(jìn)行樹脂封裝(圖4(a))，所述引線框以比作為外部端子6而露出的大小更大的大小形成有端子部lb。然后，與作為外部端子6而露出的形狀一致地在封裝樹脂8上實(shí)施激光構(gòu)圖以形成到達(dá)引線框1的槽9(圖4(b))。然后，通過噴水、研磨將由槽9包圍的區(qū)域的封裝樹脂8除去，使端子部Ib露出而設(shè)為外部端子6。在這樣在封裝樹脂8中埋設(shè)引線框1，使端子部Ib事后露出時(shí)，即使突出部Ig和與突出部Ig 相鄰的端子部Ib之間較窄，也通過封裝樹脂8埋沒突出部lg，所以能夠通過封裝樹脂8覆蓋突出部Ig和與突出部Ig相鄰的端子部Ib之間。另外，能夠加厚連接部Ic的底面與卡底面之間的封裝樹脂8的厚度。其結(jié)果，能夠防止封裝樹脂8的剝離。圖5是模式性表示相對(duì)于microSD存儲(chǔ)卡10讀取寫入數(shù)據(jù)的連接器20的內(nèi)部的圖。圖6是模式性表示microSD存儲(chǔ)卡10與連接器針腳21的位置關(guān)系的圖。圖5 (a)表示沒有插入microSD存儲(chǔ)卡10的狀態(tài)下的連接器20的剖面。microSD存儲(chǔ)卡10的連接部Ic形成為具備從端子部Ib向卡側(cè)面?zhèn)韧怀龅耐怀霾縄g和從該部分以比端子部Ib窄的寬度向卡前端面?zhèn)妊由斓难由觳縄h的構(gòu)造，所以不會(huì)在外部端子6向卡前端面?zhèn)妊由斓膮^(qū)域露出。即，各連接部Ic在卡前端面的露出位置(切斷面11的位置)位于在卡前端面的長(zhǎng)度方向上從向連接器20插入時(shí)連接器針腳21所接觸的區(qū)域錯(cuò)開的區(qū)域。各連接部 Ic在卡前端面的露出位置是連接器針腳21不接觸的位置。因此，即使在向連接器20插入時(shí)microSD存儲(chǔ)卡10的前端面與連接器針腳21接觸，連接器針腳21也不與連接部Ic接觸。即，連接器針腳21在與microSD存儲(chǔ)卡10的前端面接觸的時(shí)刻(圖5(b)、圖6(a))不與NAND2電連接，沿著錐面部7向底面?zhèn)缺粚?dǎo)向，在與外部端子6接觸的時(shí)刻(圖5 (c)、圖 6(b))與NAND2電連接。因此，露出到與卡前端面接近的部位的電源端子6d、6f比信號(hào)端子 6a 6C、6e、6g、Mi先與連接器針腳21接觸。為了保護(hù)存儲(chǔ)于半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)，優(yōu)選使電源(VDD)和/或 GND用的外部端子比信號(hào)用的外部端子先與連接器針腳接觸。然而，在以往的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡中，當(dāng)在向連接器插入方向的前端附近使外部端子排列的情況下，以從端子部向連接器插入方向的前端面?zhèn)裙P直延伸的方式設(shè)置有連接部。即，連接部的切斷面以在外部端子向前端面?zhèn)妊由斓膮^(qū)域排列的狀態(tài)露出。因此，具有在向連接器插入時(shí)信號(hào)用的連接部比電源和/或GND用的連接部先與連接器針腳接觸的可能性，具有半導(dǎo)體存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)被破壞的危險(xiǎn)。如上所述，本實(shí)施方式所涉及的microSD存儲(chǔ)卡10，在向連接器20插入時(shí)，電源端子6d、6f先與連接器針腳21接觸，信號(hào)端子6a 6C、6e、6g、^!后與連接器針腳21接觸。 因此，能夠防止存儲(chǔ)于NAND2的數(shù)據(jù)被破壞。另外，具有在連接器20的卡側(cè)端部22配置有判斷microSD存儲(chǔ)卡10是否被插入的開關(guān)23以及端子M的情況。在這里，具有下述方式在microSD存儲(chǔ)卡10的最前端面 (前端面1 按壓開關(guān)23、開關(guān)23與配置于連接器20的卡側(cè)端部22的端子M接觸的情況下，輸出檢測(cè)信號(hào)。在這里，在連接部Ic從最前端面露出時(shí)，具有開關(guān)23與連接部Ic接觸而誤檢測(cè)的情況。另一方面，通過使連接部Ic的端部露出從錐面部7，連接部Ic不會(huì)與開關(guān)接觸，因此能夠防止誤檢測(cè)。第2實(shí)施方式作為第2實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡的microSD存儲(chǔ)卡與第1實(shí)施方式同樣，為安裝于引線框的NAND、無源部件以及安裝于NAND上的再布線層的控制器通過焊絲連接，通過樹脂封裝的結(jié)構(gòu)。因此，僅對(duì)于與第1實(shí)施方式不同點(diǎn)進(jìn)行說明。圖7是第2實(shí)施方式所涉及的microSD存儲(chǔ)卡10的仰視圖。在本實(shí)施方式中，連接部Ic沒有由封裝樹脂8封裝、保持向底面露出地到達(dá)卡前端面，在這一點(diǎn)與第1實(shí)施方式不同。連接部Ic配設(shè)在與端子部Ib (外部端子6)大致同一面上，所以連接部Ic及其切斷面11在錐面部7的下端(卡底面?zhèn)鹊腻F面部7的端部)露出。圖8是表示第2實(shí)施方式所涉及的microSD存儲(chǔ)卡10的制造中所使用的引線框 1的結(jié)構(gòu)的圖。圖8中的虛線表示作為microSD存儲(chǔ)卡10而切出的范圍，引線框1在虛線橫截的部分被切斷。與第1實(shí)施方式同樣，引線框1包含作為安裝有電子部件的存儲(chǔ)器搭載部的芯片安裝部Ia ；和在樹脂封裝后作為外部端子6露出的端子部lb。端子部Ib通過連接部Ic以及外框架聯(lián)絡(luò)部Ii與框架部Id連結(jié)。在樹脂封裝后，仿照作為microSD存儲(chǔ)卡10的外形形狀，切斷連接部lc，端子部Ib與框架部Id分離。圖9是表示第2實(shí)施方式所涉及的microSD存儲(chǔ)卡10的制造中所使用的引線框1的樹脂封裝后的狀態(tài)的圖。在這里為了簡(jiǎn)化說明，省略了已經(jīng)安裝于引線框1的NAND、無源部件、控制器、焊絲等的圖示。另外，對(duì)于封裝樹脂8也僅表示作為microSD存儲(chǔ)卡10而切出的部分，但實(shí)際上，封裝樹脂8被封裝于比microSD存儲(chǔ)卡10的外形(圖8的通過虛線包圍的部分)更寬的范圍，將封裝樹脂8以及連接部Ic沿著microSD存儲(chǔ)卡10的外形形狀切斷而切出microSD存儲(chǔ)卡10。在本實(shí)施方式中，彎曲部Ie被設(shè)置在作為microSD存儲(chǔ)卡10而切出的范圍之外(外框架聯(lián)絡(luò)部li)。通過在框架寬度的較寬的部分設(shè)置彎曲部le，使得彎曲部Ie的加工變得容易，引線框1的固定位置穩(wěn)定。其結(jié)果，在樹脂封裝工序中，能夠減少控制器4等從封裝樹脂露出的可能性。本實(shí)施方式所涉及的microSD存儲(chǔ)卡，在向連接器插入時(shí)，也是電源端子先與連接器針腳接觸，信號(hào)端子后與連接器針腳接觸。因此，能夠防止存儲(chǔ)于NAND的數(shù)據(jù)被破壞。對(duì)于其他與第1實(shí)施方式同樣，所以省略重復(fù)的說明。第3實(shí)施方式作為第3實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡的microSD存儲(chǔ)卡與第2實(shí)施方式同樣，為安裝于引線框的NAND、無源部件以及安裝于NAND上的再布線層的控制器通過焊絲連接，通過樹脂封裝的結(jié)構(gòu)。因此，僅對(duì)于與第2實(shí)施方式不同點(diǎn)進(jìn)行說明。圖10是表示第3實(shí)施方式所涉及的microSD存儲(chǔ)卡10的制造中所使用的引線框 1的樹脂封裝后的狀態(tài)的圖。在這里為了簡(jiǎn)化說明，省略了已經(jīng)安裝于引線框1的NAND、無源部件、控制器、焊絲等的圖示。另外，對(duì)于封裝樹脂8也僅表示作為microSD存儲(chǔ)卡10而切出的部分，但實(shí)際上，封裝樹脂8被封裝于比microSD存儲(chǔ)卡10的外形更寬的范圍，將封裝樹脂8以及連接部Ic沿著microSD存儲(chǔ)卡10的外形形狀切斷而切出microSD存儲(chǔ)卡10。 圖11是第3實(shí)施方式所涉及的microSD存儲(chǔ)卡10的前端面分的放大圖。與第2實(shí)施方式同樣，彎曲部Ie被設(shè)置在外框架聯(lián)絡(luò)部Ii。但是，在本實(shí)施方式中，在端子部Ib與彎曲部 Ie之間，具備對(duì)連接部Ic實(shí)施半蝕刻而使其薄壁化所得的半蝕刻部If。即，連接部Ic的卡前端面處的露出位置與端子部Ib之間的部分通過半蝕刻部If而薄壁化。封裝樹脂8進(jìn)入半蝕刻部If的底面?zhèn)龋胛g刻部If在microSD存儲(chǔ)卡10的底面不露出。因此，連接部 Ic的切斷面11在比錐面部7的下端靠上側(cè)的部位露出。在本實(shí)施方式中，半蝕刻部If由封裝樹脂8覆蓋，所以能夠防止連接部Ic從切斷面11向上卷起。由此，能夠抑制向上卷起的連接部Ic與相鄰的外部端子接觸而短路等不良的產(chǎn)生。另外，通過在突出部Ig也設(shè)置半蝕刻部If，即使突出部Ig和與突出部Ig相鄰的端子部Ib之間較窄，也能夠通過封裝樹脂8填埋突出部Ig和與突出部Ig相鄰的端子部Ib 之間。本實(shí)施方式所涉及的microSD存儲(chǔ)卡，在向連接器插入時(shí)，也是電源端子先與連接器針腳接觸，信號(hào)端子后與連接器針腳接觸。因此，能夠防止存儲(chǔ)于NAND的數(shù)據(jù)被破壞。對(duì)于其他與第2實(shí)施方式同樣，所以省略重復(fù)的說明。第4實(shí)施方式作為第4實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡的microSD存儲(chǔ)卡與第1實(shí)施方式同樣，為安裝于引線框的NAND、無源部件以及安裝于NAND上的再布線層的控制器通過焊絲連接，通過樹脂封裝的結(jié)構(gòu)。因此，僅對(duì)于與第1實(shí)施方式不同點(diǎn)進(jìn)行說明。
圖12是第4實(shí)施方式所涉及的microSD存儲(chǔ)卡10的仰視圖。在本實(shí)施方式中， 與第1實(shí)施方式同樣，連接部Ic進(jìn)入封裝樹脂8中。但是，進(jìn)入封裝樹脂8中的連接部Ic 在與端子部Ib大致同一面從封裝樹脂8露出，連接部Ic的切斷面11在錐面部7的下端部露出，這一點(diǎn)與第1實(shí)施方式不同。圖13是表示第4實(shí)施方式所涉及的microSD存儲(chǔ)卡10的制造中所使用的引線框 1的結(jié)構(gòu)的圖。圖13中的虛線表示作為microSD存儲(chǔ)卡10而切出的范圍，引線框1在虛線橫截的部分被切斷。引線框1包含作為安裝有NAND、無源部件等電子部件的存儲(chǔ)器搭載部的芯片安裝部Ia ；和在樹脂封裝后作為外部端子6露出的端子部lb。端子部Ib通過連接部Ic以及外框架聯(lián)絡(luò)部Ii與框架部Id連結(jié)。在樹脂封裝后，仿照作為microSD存儲(chǔ)卡 10的外形形狀切斷連接部lc，端子部Ib與框架部Id分離。連接部Ic為下述構(gòu)造，該構(gòu)造具備在microSD存儲(chǔ)卡10的完成后從端子部Ib 向卡側(cè)面?zhèn)韧怀龅牟糠?突出部Ig)；和從該部分以比端子部Ib窄的寬度向卡前端面?zhèn)妊由斓牟糠?延伸部Ih)。因此，連接部Ic的作為microSD存儲(chǔ)卡10而切出的部分，在端子部Ib向卡前端面?zhèn)妊由於傻膮^(qū)域內(nèi)不存在。由此，如圖12所示，在本實(shí)施方式所涉及的 microSD存儲(chǔ)卡10中，連接部Ic的切斷面11在外部端子6向卡前端面?zhèn)妊由於傻膮^(qū)域不露出。圖14是表示第4實(shí)施方式所涉及的microSD存儲(chǔ)卡10的制造中所使用的引線框 1的樹脂封裝后的狀態(tài)的圖。在這里為了簡(jiǎn)化說明，已經(jīng)省略了安裝于引線框1的NAND、無源部件、控制器、焊絲等的圖示。另外，對(duì)于封裝樹脂8也僅表示作為microSD存儲(chǔ)卡10而切出的部分，但實(shí)際上，封裝樹脂8被封裝于比microSD存儲(chǔ)卡10的外形(圖13的通過虛線包圍的部分)更寬的范圍，將封裝樹脂8以及連接部Ic沿著microSD存儲(chǔ)卡10的外形形狀切斷而切出microSD存儲(chǔ)卡10。在連接部Ic的作為microSD存儲(chǔ)卡10而切出的部分在兩個(gè)部位設(shè)有彎曲部le。因此，如圖12所示，連接部Ic在進(jìn)入封裝樹脂8中后，在與端子部Ib大致同一面上(錐面部7的下端部)從封裝樹脂8露出。彎曲部Ie除了連接部 Ic夕卜，也設(shè)置于外框架聯(lián)絡(luò)部Ii。即，彎曲部Ie在端子部Ib與框架部Id之間設(shè)置在3個(gè)部位。其結(jié)果，引線框1的框架部Id被配置在與樹脂封裝時(shí)所使用的金屬模具的分割線大致相同高度。另外，由設(shè)置于連接部Ic的兩個(gè)彎曲部Ie所夾著的埋入?yún)^(qū)域Ik也位于與金屬模具的分割線大致相同高度。在本實(shí)施方式中，連接部Ic中埋入?yún)^(qū)域Ik由封裝樹脂8覆蓋，所以能夠防止連接部Ic從切斷面11向上卷起。由此，能夠抑制向上卷起的連接部Ic與相鄰的外部端子6接觸而短路等不良的產(chǎn)生。本實(shí)施方式所涉及的microSD存儲(chǔ)卡在向連接器插入時(shí)，也是電源端子先與連接器針腳接觸，信號(hào)端子后與連接器針腳接觸。因此，能夠防止存儲(chǔ)于NAND的數(shù)據(jù)被破壞。對(duì)于其他與的構(gòu)成第1實(shí)施方式同樣，所以省略重復(fù)的說明。在上述各實(shí)施方式中，將構(gòu)造為具備所有的外部端子的連接部從端子部向卡側(cè)面?zhèn)韧怀龅牟糠趾蛷脑摬糠忠员榷俗硬扛膶挾认蚩ㄇ岸嗣娣较驈澢由斓牟糠值那闆r設(shè)為例子，但也可以設(shè)成僅除電源端子、接地端子外的信號(hào)端子的連接部才具有從端子部向卡側(cè)面?zhèn)韧怀龅牟糠趾蛷脑摬糠忠员榷俗硬扛膶挾认蚩ㄇ岸嗣娣较驈澢由斓牟糠?。圖15是表示microSD存儲(chǔ)卡10的結(jié)構(gòu)的圖，該microSD存儲(chǔ)卡10僅除電源端子以及接地端子6d、6f外的信號(hào)端子6a 6C、6e、6g、^!的連接部Ic才具有向卡側(cè)面?zhèn)葟亩俗硬縄b突出的部分和從該部分以比端子部Ib窄的寬度向卡前端面?zhèn)妊由斓牟糠帧＜?，在電源端子以及接地端子的連接部Ic沒有設(shè)置突出部lg。這因?yàn)?，如果僅電源端子6d、6f的連接部Ic的切斷面IldUlf在外部端子6d、6f向卡前端面?zhèn)妊由斓膮^(qū)域露出，則即使在連接器針腳與microSD存儲(chǔ)卡10的前端面接觸的時(shí)刻(圖5 (b))，與電源端子6d、6f的連接部Ic的切斷面IldUlf接觸，也沒有NAND的數(shù)據(jù)被破壞的危險(xiǎn)。其結(jié)果，電源端子以及接地端子6d、6f和與電源端子以及接地端子6d、6f相鄰的端子之間的寬度變寬。因此，能夠通過封裝樹脂8容易地填埋電源端子以及接地端子6d、6f和與電源端子以及接地端子6d、 6f相鄰的端子之間。另外，在上述各實(shí)施方式中，將在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器上安裝有控制器的層疊型的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡設(shè)為了例子，但不用說明，即便是將控制器安裝在引線框上的平置型的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡也能夠得到同樣的效果。圖16-1是作為平置型的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡的microSD存儲(chǔ)卡30 的俯視透視圖，圖16-2是平置型的microSD存儲(chǔ)卡30的側(cè)視透視圖。另外，圖16_2表示從圖16-1的右側(cè)觀察microSD存儲(chǔ)卡10的狀態(tài)。對(duì)于與圖1_1 圖1_3所示的層疊型的 microSD存儲(chǔ)卡10相同的結(jié)構(gòu)要素標(biāo)注相同符號(hào)。在引線框1上除了作為半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的 NAND外，還安裝有控制無源部件3 (電容器、熔斷器等)、NAND2的動(dòng)作的控制器4。對(duì)于這樣的平置型的microSD存儲(chǔ)卡30，能夠同樣得到防止存儲(chǔ)于NAND2的數(shù)據(jù)被破壞。進(jìn)而，在上述各實(shí)施方式中，將microSD存儲(chǔ)卡設(shè)為例子進(jìn)行說明，但沒有限定為特定的規(guī)格，只要是在向連接器插入的插入方向的前端附近排列有外部端子的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡，都同樣能夠應(yīng)用。對(duì)本發(fā)明的幾個(gè)實(shí)施方式進(jìn)行了說明，但這些實(shí)施方式是作為例子而提出的，并不意圖限定發(fā)明的范圍。這些新的實(shí)施方式能夠以其他的各種形態(tài)實(shí)施，在不脫離本發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)，能夠進(jìn)行各種省略、置換、變更。這些實(shí)施方式及其變形包含于發(fā)明的范圍、主旨，并且包含于權(quán)利要求所記載的發(fā)明及其均等的范圍。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡，其特征在于，包括引線框，其形成有存儲(chǔ)器搭載部、包含電源端子以及信號(hào)端子的多個(gè)端子和寬度比該端子窄并從各所述端子延伸到卡前端面的多個(gè)連接部；半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，其被搭載于所述引線框的所述存儲(chǔ)器搭載部；和樹脂，其以使得所述電源端子與所述信號(hào)端子相比在更接近卡前端面的部位露出，并且在所述卡前端面使所述多個(gè)連接部露出的方式，封裝搭載有所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的引線框；以使得所述多個(gè)連接部在卡前端面的露出位置在所述卡前端面的長(zhǎng)度方向上從各所述信號(hào)端子向所述卡前端面?zhèn)妊由斓膮^(qū)域錯(cuò)開的方式，使各連接部從所述各端子延伸。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡，其特征在于所述多個(gè)連接部在卡前端面的露出位置是插拔半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡的連接器的針腳不接觸的位置。
3.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡，其特征在于在所述卡前端面具備越靠近該卡前端面?zhèn)葎t卡厚度越小的導(dǎo)向面；所述多個(gè)連接部在所述卡前端面的露出位置位于所述導(dǎo)向面上。
4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡，其特征在于所述多個(gè)連接部，以使得其在所述卡前端面的露出位置成為所述導(dǎo)向面的所述卡前端面?zhèn)鹊亩瞬康姆绞?，向卡厚度方向彎曲?br> 5.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡，其特征在于所述多個(gè)連接部中的至少一個(gè)，以使得其在所述卡前端面的露出位置成為與所述導(dǎo)向面的所述卡前端面相反一側(cè)的端部的方式，向卡厚度方向彎曲。
6.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡，其特征在于所述多個(gè)連接部中的至少一個(gè)在所述卡前端面的露出位置與所述端子部位于大致同一面上。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡，其特征在于所述多個(gè)連接部中的至少一個(gè)，其在所述卡前端面的露出位置與所述端子之間局部薄壁化，所述連接部的所述薄壁化的部分由所述封裝樹脂覆蓋。
8.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡，其特征在于所述多個(gè)連接部的各個(gè)包含 從所述端子部向卡側(cè)面?zhèn)韧怀龅耐怀霾?；和從該突出部向所述卡前端面?zhèn)妊由觳⒌竭_(dá)所述卡前端面的延伸部。
9.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡的制造方法，其特征在于在形成有存儲(chǔ)器搭載部、包含電源端子以及信號(hào)端子的多個(gè)端子、支撐該端子的框架部和連接于所述多個(gè)端子的多個(gè)連接部的引線框的所述存儲(chǔ)器搭載部，搭載所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器；以使得所述電源端子與所述信號(hào)端子相比在更接近卡前端面的部位露出的方式，通過封裝樹脂對(duì)搭載有所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的所述引線框進(jìn)行樹脂封裝；通過仿照預(yù)先確定的卡外形切斷所述封裝樹脂以及所述連接部，以分離所述端子與所述框架部并且在卡前端面使所述多個(gè)連接部露出；以使得所述多個(gè)連接部在卡前端面的露出位置在所述卡前端面的長(zhǎng)度方向上從各所述信號(hào)端子向所述卡前端面?zhèn)妊由斓膮^(qū)域錯(cuò)開的方式，使各連接部從所述各端子延伸。
全文摘要
本發(fā)明提供一種防止安裝于引線框的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)被破壞的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡及其制造方法。本發(fā)明的microSD存儲(chǔ)卡(10)具備引線框(1)，其形成有芯片安裝部、包含電源端子以及信號(hào)端子的多個(gè)端子部(1b)和寬度比端子部(1b)窄、從各端子部(1b)延伸到卡前端面的多個(gè)連接部(1c)；NAND(2)，其搭載于芯片安裝部；和封裝樹脂(8)，其以使得電源端子與信號(hào)端子相比在更接近卡前端面的部位露出，并且在卡前端面使多個(gè)連接部(1c)露出的方式封裝搭載有(NAND2)的引線框(1)。microSD存儲(chǔ)卡(10)以使得多個(gè)連接部(1c)在卡前端面的露出位置在卡前端面的長(zhǎng)度方向上從各信號(hào)端子向卡前端面?zhèn)妊由斓膮^(qū)域錯(cuò)開的方式，使多個(gè)連接部(1c)從各端子部(1b)延伸。
文檔編號(hào)H01L23/31GK102386162SQ201110066778
公開日2012年3月21日 申請(qǐng)日期2011年3月18日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月31日
發(fā)明者西山拓 申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝