專利名稱：像素電路基板、顯示裝置、電子設備及基板的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及像素電路基板、顯示裝置、電子設備及像素電路基板的制造方法。
背景技術(shù)：
近年來，作為繼液晶顯示裝置(LCD)之后的下一代顯示裝置，具有沿行方向及列方向二維地排列了有機場致發(fā)光元件(以下、簡稱為“有機EUElectro Luminescence)元件”)等自發(fā)光元件的顯示元件型的顯示面板的顯示裝置的面向正式的實用化、普及的研究開發(fā)正在盛行。有機EL元件具備正極、負極及在這些電極之間形成的有機薄膜層(電子注入層、 發(fā)光層、空穴注入層等)。有機EL元件是通過由在發(fā)光層中從空穴注入層供給的空穴與從電子注入層供給的電子進行復合而產(chǎn)生的能量而發(fā)光的顯示元件。通過對有機薄膜層施加規(guī)定的電壓閾值以上的電壓而實現(xiàn)該發(fā)光，對應于該施加電壓而控制該發(fā)光亮度。這樣的有機EL元件如專利文獻1所公開的那樣，在各種電子設備中用于顯示裝置，被例如包括 TFT(薄膜晶體管；Thin Film Transistor)等的像素驅(qū)動電路驅(qū)動。TFT在通過電極的配置和膜的構(gòu)成分類而成的各種形式中，存在如下逆交錯型 TFT 如圖21A、圖21B所示，柵電極112以被柵極絕緣膜113覆蓋的狀態(tài)位于基板11上，源電極118和漏電極119將半導體層114夾在中間配置在柵電極112的上側(cè)。在這樣的TFT 中，已知如下TFT 如該圖所示，在源電極118、漏電極119與半導體層114之間，存在用于低電阻接觸的歐姆接觸層120，而且，在源電極118、漏電極119之間的半導體層114上具有溝道保護膜115。在如圖21A、圖21B所示的溝道保護膜形的構(gòu)造的TFT中，源電極118、漏電極119 與溝道保護膜115重疊(overlap)地形成(參照圖21B的矩形的重疊區(qū)域116、117)。在大面積的基板11上按各發(fā)光像素形成這樣結(jié)構(gòu)的TFT的情況下，有時因光刻裝置和曝光裝置(stepper)中的激光照射用掩模的校準偏差和基板11的翹曲等，而引起源電極118、漏電極119的形成位置相對于柵電極112，例如，如圖21C(i)、圖21C(iii)所示在基板面上左右(行方向)偏移。在圖21C(ii)中，示出了源電極118、漏電極119的形成位置像設計那樣，沒有從所期望的位置產(chǎn)生位置偏移的情況。在圖21C(i)中，示出了源電極118、漏電極119的形成位置，與相對于柵電極112、溝道保護膜115的所期望的位置、即圖21C(ii)中的位置相比較， 更向右方向產(chǎn)生位置偏移的情況。而且，在圖21C(iii)中，示出了源電極118、漏電極119 的形成位置，與相對于柵電極112、溝道保護膜115的所期望的位置相比較，向左方向產(chǎn)生位置偏移的情況。源電極118和溝道保護膜115相重疊的面積與漏電極119和溝道保護膜115相重疊的面積之差，可以用該左右的位置偏移量來定義，換而言之，源電極118的電場及漏電極 119的電場各作用于溝道保護膜115的程度依存于上述位置偏移量。因此，若這樣的TFT是 η溝道型晶體管，則在如圖21C(i)所示的情況下，與圖22A中實線表示的圖21C(ii)的適合的情況相比較，如圖22A中虛線所示具有如下傾向相對于所施加的柵極電壓Vg[V]，溝道電流Ic[A] —般變大。另一方面，在如圖21C(iii)所示的情況下，與圖22A中實線所示的圖21C(i i)的適合的情況相比較，如圖22A的一點劃線所示具有如下傾向相對于所施加的柵極電壓Vg[V]，溝道電流Ic[A] —般變小。在圖22B中，用曲線示出了位置偏移量(μ m)與從漏極向源極流動的電流I㈧、從源極向漏極流動的電流I (A)之間的關(guān)系，其中，該位置偏移量是圖21A、圖21B所示的源電極118、漏電極119相對于柵電極112的左右方向的位置偏移量(ym)，即從圖21C(ii)所示的適合的狀態(tài)向源極側(cè)(左側(cè))靠近的位置偏移或向漏極側(cè)(右側(cè))靠近的位置偏移時的相應位置偏移量。特別是，如圖21A、圖21B所示的溝道保護膜構(gòu)造的TFT的情況下，伴隨溝道保護膜115的相對于所期望位置的構(gòu)圖位置偏移及源電極118、漏電極119的相對于所期望位置的構(gòu)圖位置偏移而產(chǎn)生的、源電極118和溝道保護膜115重疊的重疊區(qū)域116的面積與漏電極119和溝道保護膜115重疊的重疊區(qū)域117的面積之差也依存于上述位置偏移量。如圖22B所示，源電極118、漏電極119相對于溝道保護膜115在左右方向的位置偏移量八乂(11!!1)為04111時，電流1(111.)與作為基準的電流Is (a. U.)之間的電流偏移量 (電流偏移的絕對值的比例)[=Δ I/Is的絕對值X 100%]為0%。與之相對，隨著靠近漏極側(cè)(右側(cè))的位置偏移量ΔΧ的絕對值變大，電流偏移引起的電流減少的程度變大，隨著靠近源極側(cè)(左側(cè))的位置偏移量△ X的絕對值變大，電流偏移引起的電流增大的程度變大，該電流偏移量的絕對值是將上述位置偏移量ΔΧ = Oym作為基準而對稱的。而且，根據(jù)圖21C及圖22B，可知溝道保護膜115與源電極118重疊的重疊區(qū)域116 的面積越是相對變小，換而言之，溝道保護膜115與漏電極119重疊的重疊區(qū)域117的面積越是相對變大，則從漏電極119流向源電極118的溝道電流Ic沿著下面的凸出的曲線越是稍微非線性地變大。專利文獻1 日本特開2001-195012號公報盡可能使如上所述的TFT的各構(gòu)成要素的制造過程所引起的、由源電極118、漏電極119的形成位置從所期望位置的位置偏移所引起的電流偏移量較小是理想的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述問題而提出的，其目的在于提供一種具有能得到穩(wěn)定顯示特性的構(gòu)造的像素電路基板、顯示裝置、電子設備及像素電路基板的制造方法。為了達成上述目的，本發(fā)明的像素電路基板具備像素電極；第1驅(qū)動元件，連接于所述像素電極的一邊側(cè)；及第2驅(qū)動元件，與所述第1驅(qū)動元件并聯(lián)連接，而且連接于所述像素電極的與所述一邊側(cè)相對的另一邊側(cè)。也可以所述第1驅(qū)動元件及所述第2驅(qū)動元件是分別具備柵電極、半導體層、源電極和漏電極的驅(qū)動晶體管。也可以所述第1驅(qū)動元件的所述源電極、漏電極和所述第2驅(qū)動元件的所述源電極、漏電極是相對于所述像素電極而鏡像對稱的構(gòu)造。也可以所述第1驅(qū)動元件的所述源電極及所述第1驅(qū)動元件的所述漏電極之中的一個連接于所述像素電極的所述一邊，所述第2驅(qū)動元件的所述源電極及所述第2驅(qū)動元件的所述漏電極之中的一個連接于所述像素電極的所述另一邊。也可以所述第1驅(qū)動元件的所述源電極及所述第1驅(qū)動元件的所述漏電極之中的另一個連接于正極線，所述第2驅(qū)動元件的所述源電極及所述第2驅(qū)動元件的所述漏電極之中的另一個連接于所述正極線。也可以所述第1驅(qū)動元件及所述第2驅(qū)動元件還分別具有配置在所述半導體層與所述源電極、漏電極之間的溝道保護膜。 也可以所述像素電極的所述一邊及所述另一邊相互平行。也可以還具備對所述第1驅(qū)動元件及所述第2驅(qū)動元件進行開關(guān)的開關(guān)元件。也可以所述開關(guān)元件是具備與柵極線連接的柵電極的晶體管。也可以所述開關(guān)元件配置于所述像素電極的所述另一邊側(cè)，所述第1驅(qū)動元件配置在所述像素電極的所述一邊側(cè)之中的、比所述第2驅(qū)動元件側(cè)還靠近所述開關(guān)元件側(cè)。也可以還具備對所述第1驅(qū)動元件及所述第2驅(qū)動元件進行開關(guān)的開關(guān)元件，所述開關(guān)元件具有柵電極、源電極和漏電極，所述開關(guān)元件的所述源電極、漏電極之中的一個連接于數(shù)據(jù)線，所述源電極、漏電極之中的另一個連接于所述第1驅(qū)動元件的所述柵電極及所述第2驅(qū)動元件的所述柵電極。也可以還具備第1開關(guān)元件及第2開關(guān)元件，所述第1開關(guān)元件及第2開關(guān)元件各具有柵電極、源電極和漏電極，所述第1開關(guān)元件的所述源電極、漏電極之中的一個連接于所述第1驅(qū)動元件的所述柵電極及所述第2驅(qū)動元件的所述柵電極，所述第2開關(guān)元件的所述源電極、漏電極之中的一個連接于所述第1驅(qū)動元件的所述源電極及所述第2驅(qū)動元件的所述源電極、或者連接于所述第1驅(qū)動元件的所述漏電極及所述第2驅(qū)動元件的所述漏電極。本發(fā)明的一種顯示裝置，具備所述像素電路基板；對置電極；及發(fā)光層，配置在所述像素電極和所述對置電極之間。本發(fā)明的一種電子設備，具備所述顯示裝置。本發(fā)明的一種像素電路基板的制造方法，具備如下步驟形成像素電極；及形成第1驅(qū)動元件和第2驅(qū)動元件，所述第1驅(qū)動元件連接于所述像素電極的一邊側(cè)，所述第2 驅(qū)動元件與所述第1驅(qū)動元件并聯(lián)連接，而且，連接于所述像素電極的與所述一邊側(cè)相對的另一邊側(cè)。也可以所述第1驅(qū)動元件及所述第2驅(qū)動元件是分別具備柵電極、半導體層、源電極和漏電極的驅(qū)動晶體管。也可以使用第1抗蝕劑掩膜，構(gòu)圖形成所述第1驅(qū)動元件的所述半導體層及所述第2驅(qū)動元件的所述半導體層；使用不同于所述第1抗蝕劑掩膜的第2抗蝕劑掩膜，構(gòu)圖形成所述第1驅(qū)動元件的所述源電極、漏電極及所述第2驅(qū)動元件的所述源電極、漏電極。也可以所述第1驅(qū)動元件及所述第2驅(qū)動元件分別具備配置在所述半導體層與所述源電極、漏電極之間的溝道保護膜，使用不同于所述第1抗蝕劑掩膜及所述第2抗蝕劑掩膜的第3抗蝕劑掩膜，形成所述第1驅(qū)動元件的所述溝道保護膜及所述第2驅(qū)動元件的所述溝道保護膜。本發(fā)明具有如下效果根據(jù)本發(fā)明，可以實現(xiàn)穩(wěn)定的顯示特性。


圖1是示出本發(fā)明的實施方式有關(guān)的顯示裝置的構(gòu)成的平面圖。圖2A是示出第1實施方式有關(guān)的發(fā)光像素的像素驅(qū)動電路的等效電路圖，圖2B 是示出參考例有關(guān)的發(fā)光像素的像素驅(qū)動電路的等效電路圖。圖3是示出第1實施方式有關(guān)的發(fā)光像素的平面圖。圖4A是示出圖3所示的IVa-IVa線剖面圖，圖4B是示出圖3所示的IVb-IVb線剖面圖。圖5A及圖5B是示出與圖3所示的IVa-IVa線剖面圖相對應的、第1實施方式有關(guān)的顯示裝置的制造方法的圖。圖6A及圖6B是示出繼圖5之后的第1實施方式有關(guān)的顯示裝置的制造方法的圖。圖7A是示意性地示出在像素驅(qū)動電路中，源電極、漏電極沒有左右方向的位置偏移的情況的圖，圖7B是示出該位置偏移量ΔΧ與溝道電流的關(guān)系的曲線圖。圖8A是示意性示出在像素驅(qū)動電路中，源電極、漏電極的左右方向的位置偏移向右上方向偏的情況的圖，圖8B是示出該位置偏移量ΔΧ與溝道電流的關(guān)系的曲線圖。圖9A是示意性示出在像素驅(qū)動電路中，源電極、漏電極的左右方向的位置偏移向向左下方向偏的情況的圖，圖9B是示出該位置偏移量ΔΧ與溝道電流的關(guān)系的曲線圖。圖IOA是示出X軸方向的源電極、漏電極的位置偏移量與參考例及實施方式的溝道電流Ic的關(guān)系的圖，圖IOB是示出X軸方向的源電極、漏電極的位置偏移量與參考例及實施方式的溝道電流Ic的規(guī)格值的關(guān)系的圖。圖IlA是示出第2實施方式有關(guān)的發(fā)光像素的像素驅(qū)動電路的等效電路圖，圖IlB 是示出參考例有關(guān)的發(fā)光像素的像素驅(qū)動電路的等效電路圖。圖12是示出第2實施方式有關(guān)的發(fā)光像素的平面圖。圖13A是圖12所示的XIIIa-XIIIa線剖面圖，圖13B是圖12所示的Xinb-XIIIb 線剖面圖。圖14是用于說明本發(fā)明的第2實施方式有關(guān)的像素驅(qū)動電路的動作的顯示裝置的全體構(gòu)成圖。圖15A及圖15B是示出對應于圖12所示的Xllla-XIIIa線剖面圖、且與第2實施方式有關(guān)的顯示裝置的制造方法的圖。圖16A及圖16B是示出繼圖15之后的第2實施方式有關(guān)的顯示裝置的制造方法的圖。圖17A是從斜前方看作為使用了本發(fā)明的實施方式有關(guān)的顯示裝置的電子設備的數(shù)字照相機的立體圖，圖17B是從斜后方看同一數(shù)字照相機的立體圖。圖18是示出作為使用了本發(fā)明的實施方式有關(guān)的顯示裝置的電子設備的個人計算機的立體圖。圖19是示出作為使用了本發(fā)明的實施方式有關(guān)的顯示裝置的電子設備的便攜式電話機的圖。圖20是示出使用了本發(fā)明的實施方式有關(guān)的顯示裝置的電子設備的電視裝置的圖。圖21A是逆交錯型且溝道保護膜構(gòu)造的TFT的剖面圖，圖21B是同TFT的平面圖，圖21C是示意性示出同TFT的源電極、漏電極與柵電極(溝道保護膜)的位置關(guān)系的圖。圖22A是圖21所示的TFT的源電極、漏電極與柵電極的各位置關(guān)系的、柵極電壓 Vg與溝道電流Ic的關(guān)系的曲線圖，圖22B是示出在源電極、漏電極的位置偏移量與源電極、 漏電極間流動的電流I及同電流I的偏差之間的關(guān)系的曲線圖。
具體實施例方式以下，參照附圖來說明本發(fā)明的實施方式有關(guān)的像素電路基板、顯示裝置、及包括像素電路基板的顯示裝置的制造方法。在以下的實施方式中，以使用了底部發(fā)光(BOTTOM EMISSION)型的有機EL(Electro Luminescence)元件的有源驅(qū)動方式的顯示裝置為例進行說明。(第1實施方式)如圖1所示，具有本第1實施方式有關(guān)的像素電路基板的顯示裝置，在玻璃等基板 31上，分別將發(fā)出紅(R)、綠(G)、藍(B)三色的3個發(fā)光像素30作為一組，沿行方向(左右方向)反復排列多個組，而且，沿列方向(上下方向)排列多個同色的發(fā)光像素30。如上所述，發(fā)出RGB各色的發(fā)光像素30排列成矩陣狀。各發(fā)光像素30具備發(fā)光元件21，該發(fā)光元件21是作為發(fā)出RGB各光的顯示元件的有機EL元件。如圖2A所示，各發(fā)光像素30具備發(fā)光元件21和使發(fā)光元件21激勵動作的像素驅(qū)動電路DS1。而且，像素電路基板具有基板31、像素驅(qū)動電路DSl和發(fā)光元件21的像素電極42。像素驅(qū)動電路DSl具備選擇晶體管Trll、第1及第2驅(qū)動晶體管Trl2、Trl3及電容器Cpl、Cp2。選擇晶體管Trll、第1及第2驅(qū)動晶體管Trl2、Trl3都是具備包含非晶質(zhì)硅或微晶硅的半導體層的逆交錯型的η溝道型TFTCThin Film Transistor) 0而且，電容器Cpl、Cp2將從如后所述的數(shù)據(jù)線Ld供給的灰度(等級)信號等顯示用的數(shù)據(jù)作為電荷保持。本實施方式的像素驅(qū)動電路DSl具備圖2A所示的2個第1及第2驅(qū)動晶體管 Trl2、Trl3。與之相對，圖2B所示的參考例的像素驅(qū)動電路DSO在僅具備1個驅(qū)動晶體管 Trlh這一點上與本實施方式的像素驅(qū)動電路DSl不同。為了比較，以參考例的驅(qū)動晶體管 Trl2a的溝道寬度與本實施方式的第1及第2驅(qū)動晶體管Trl2、Trl3的各溝道寬度的合計被設定為相等的狀態(tài)為前提，進行以下說明。如圖1及圖2A所示，在基板31上，形成與沿行方向排列的多個像素驅(qū)動電路 DSl分別連接的正極線La、與沿列方向排列的多個像素驅(qū)動電路DSl分別連接的多個數(shù)據(jù)線Ld、及用于對沿行方向排列的多個像素驅(qū)動電路DSl的各選擇晶體管Trll進行選擇 (switching,開關(guān))的柵極線Lg。在圖2A所示的本實施方式的像素驅(qū)動電路DSl中，選擇晶體管Trll的柵電極連接至柵極線Lg，漏電極連接至數(shù)據(jù)線Ld，源電極連接至節(jié)點mi。而且，第1及第2驅(qū)動晶體管Trl2、Trl3的柵電極連接至節(jié)點mi，漏電極連接至正極線La，源電極連接至節(jié)點m2。 電容器Cpl的兩端各連接在第1驅(qū)動晶體管Trl2的柵電極及源電極(節(jié)點mi、m2)之間。電容器Cp2的兩端各連接至第2驅(qū)動晶體管Trl3的柵電極及源電極(節(jié)點N11、N12)， 相互設定成同一容量。該電容器Cpl、Cp2是具有在第1及第2驅(qū)動晶體管Trl2、Trl3的柵極-源極之間附加設置的輔助電容、或在第1及第2驅(qū)動晶體管Trl2、Trl3的柵極-源極間的寄生容量和輔助電容的電容成分。節(jié)點附2連接至發(fā)光元件21的正極，發(fā)光元件21的負極連接至對置電極46。這樣一來，第1及第2驅(qū)動晶體管Trl2、Trl3被并聯(lián)連接在正極線La、節(jié)點發(fā)光元件21)之間，看起來作為1個晶體管起作用。進而，在發(fā)光元件21 的負極(對置電極46，參考圖4)上施加基準電壓Vss。另一方面，在圖2B所示的參考例的像素驅(qū)動電路DSO中，選擇晶體管Trll的柵電極連接至柵極線Lg，漏電極連接至數(shù)據(jù)線Ld，源電極連接至節(jié)點mi。而且，驅(qū)動晶體管 Trlh的柵電極連接至節(jié)點mi，漏電極連接至正極線La，源電極連接至節(jié)點附2。電容器Cp 被連接在驅(qū)動晶體管Trl2a的柵電極及源電極(節(jié)點mi、N12)之間。節(jié)點N12被連接至發(fā)光元件21的正極，發(fā)光元件21的負極連接至對置電極46。這樣一來，驅(qū)動晶體管Trl2a 被連接在正極線La與節(jié)點N12之間。參照圖1及圖2A，柵極線Lg連接至在發(fā)光面板的周邊部配置的柵極驅(qū)動器。在柵極線Lg上，從柵極驅(qū)動器施加選擇電壓信號(掃描信號)，該選擇電壓信號用于將連接于該柵極線Lg且沿行方向排列的多個發(fā)光像素30以規(guī)定定時設定成選擇狀態(tài)。而且，數(shù)據(jù)線 Ld連接于在發(fā)光面板的周邊部配置的數(shù)據(jù)驅(qū)動器，且從數(shù)據(jù)驅(qū)動器以與發(fā)光像素30的上述選擇狀態(tài)同步的定時被施加與發(fā)光數(shù)據(jù)相對應的數(shù)據(jù)電壓(灰度信號)。正極線La(電流供給布線)直接或間接連接于規(guī)定的高電位電源。由此，被設定成從正極線La經(jīng)由沿行方向排列的多組第1及第2驅(qū)動晶體管Trl2、Trl3，向發(fā)光元件21的大致矩形的像素電極 42(參考圖幻流動與發(fā)光數(shù)據(jù)相對應的驅(qū)動電流的狀態(tài)。即、在正極線La上，施加與在發(fā)光元件21的對置電極46施加的基準電壓Vss相比為電位足夠高的規(guī)定的供給電壓Vdd(> 基準電壓Vss)。參照圖3、圖4A及圖4B，在各發(fā)光像素30的基板31上，形成選擇發(fā)光元件21的選擇晶體管Trll和向發(fā)光元件21提供驅(qū)動電流的第1及第2驅(qū)動晶體管Trl2、Trl3的柵電極12g、13g。在與各發(fā)光像素30相鄰的基板31上，形成沿列方向(上下方向)延伸的數(shù)據(jù)線Ld。在基板31上，形成絕緣膜32，以便覆蓋數(shù)據(jù)線Ld及柵電極llg、12g、13g。而且， 在基板31上，形成將柵電極12g、13g相互連接的導電層20。參照圖3、圖4A及圖4B，第1及第2驅(qū)動晶體管Trl2、Trl3的源電極12s、13s連接至絕緣膜32上的像素電極42，漏電極12d、13d連接至基板31上的正極線La。具體而言， 第1驅(qū)動晶體管Tr 12的源電極1 連接至矩形的像素電極42 (有機EL元件21)的一邊 (右邊)側(cè)，第2驅(qū)動晶體管Trl3的源電極13s連接至像素電極42的與該一邊側(cè)相對的另一邊(左邊)側(cè)。該像素電極42的一邊及另一邊相互平行。而且，柵電極12g、13g經(jīng)由基板31上的導電層20相互連接。在各圖面中，第1驅(qū)動晶體管Trl2的源電極1 及漏電極 12d分別配置在溝道保護膜12p的左側(cè)及右側(cè)，在各圖面中，第2驅(qū)動晶體管Trl3的源電極 13s及漏電極13d分別配置在溝道保護膜13p的右側(cè)及左側(cè)。在第1驅(qū)動晶體管Trl2的源電極、漏電極12s、12d的下方，分別形成具有包含η型雜質(zhì)的非晶質(zhì)硅的歐姆接觸層123、 124。在第2驅(qū)動晶體管Trl3的源電極、漏電極13s、13d的下方，分別形成包含η型雜質(zhì)的非晶質(zhì)硅的歐姆接觸層133、134。然后，作為保護絕緣膜的溝道保護膜12ρ以被夾在源電極、漏電極12s、12d間及歐姆接觸層123、1Μ間的狀態(tài)，配置在包含非晶質(zhì)硅或微晶硅的半導體層121上。溝道保護膜13p以被夾在源電極、漏電極13s、13d間及歐姆接觸層133、134間的狀態(tài)，配置在包含非晶質(zhì)硅或微晶硅的半導體層131上。半導體層121、131形成在用作柵極絕緣膜的絕緣膜32上。為了源電極、漏電極12s、12d與半導體層121的低電阻性接觸而分別配置歐姆接觸層123、124。為了源電極、漏電極13s、13d與半導體層131的低電阻性接觸而配置歐姆接觸層133、134。使用用于形成各晶體管Trll、Trl2、Trl3的源電極lis、12s、13s及漏電極lid、 12d、13d的源極-漏極導電層，形成正極線La及柵極線Lg。使用用于形成各晶體管Trll、 Trl2、Trl3的柵電極1 lg、12g、13g的柵極導電層，形成數(shù)據(jù)線Ld及導電層20。在數(shù)據(jù)線Ld 與漏電極Ild之間的絕緣膜32，形成將數(shù)據(jù)線Ld和漏電極Ild連接的接觸部(接觸孔)61。 在柵極線Lg與柵電極Ilg的兩端之間的絕緣膜32，各形成將柵極線Lg和柵電極Ilg連接的接觸部(接觸孔)62、63。在源電極lis與柵電極12g之間的絕緣膜32，形成將源電極 lis和柵電極12g連接的接觸部(接觸孔)64。通過這些接觸部61 64，沿基板的厚度方向適當連接下部連接部和上部連接部，其中，下部連接部是對成為選擇晶體管Trll、第1及第2驅(qū)動晶體管Trl2、Trl3的各柵電極llg、12g、13g、數(shù)據(jù)線Ld及導電層20的柵極導電層進行構(gòu)圖而成的，上部連接部是對成為選擇晶體管Trll、第1及第2驅(qū)動晶體管Trl2、Trl3 的源電極lis、12s、13s、漏電極lld、12d、13d、正極線La及柵極線Lg的源極-漏極導電層進行構(gòu)圖而成的。圖2B所示的參考例的驅(qū)動晶體管Trl2a的溝道寬度是W( μ m)，圖2Α所示的本實施方式的第1及第2驅(qū)動晶體管Trl2、Trl3的溝道寬度都是W/2 ( μ m)。由此，第1及第2 驅(qū)動晶體管Trl2、Trl3的溝道寬度的合計等于參考例的驅(qū)動晶體管Trl2a的溝道寬度W(W =W/2+W/2)。第1及第2驅(qū)動晶體管Trl2、Trl3的半導體層121、131的溝道長L相等，而且，第1驅(qū)動晶體管Trl2的源電極1 和漏電極12d之間的距離Gp與第2驅(qū)動晶體管Trl3 的源電極13s和漏電極13d之間的距離Gp相等。進而，如上所述，第1及第2驅(qū)動晶體管 Trl2,Trl3與驅(qū)動晶體管Trlh相同，連接在正極線La及節(jié)點N12之間。因此，第1及第2 驅(qū)動晶體管Trl2、Trl3與參考例的驅(qū)動晶體管Trlh相同，用作溝道寬度W(ym)的TFT。如圖4A及圖4B所示，發(fā)光元件21具備作為正極的像素電極42、空穴注入層43、 隔層44、發(fā)光層45及作為負極的對置電極46?？昭ㄗ⑷雽?3包含如能注入、輸送空穴 (hole)的有機高分子系的材料或有機低分子系的材料、無機氧化物等中的至少一種，是具有在規(guī)定的電場下向發(fā)光層45供給空穴的功能的層。隔層44具有抑制空穴注入層43的空穴注入性而在發(fā)光層45內(nèi)使電子與空穴易于復合的功能、且提高發(fā)光層45的發(fā)光効率的層。發(fā)光層45包含具有使來自像素電極42的空穴與來自對置電極46的電子復合而產(chǎn)生光的功能的有機高分子系的材料或有機低分子系的材料。這些空穴注入層43、隔層44及發(fā)光層45成為在規(guī)定的電場下將電子和空穴作為載流子進行輸送的載流子輸送層。層間絕緣膜47是對晶體管Trll、Trl2、Trl3、數(shù)據(jù)線Ld、 柵極線Lg、正極線La的上方進行覆蓋、且對像素電極42的周邊部進行覆蓋的保護膜，形成了對發(fā)光像素30的發(fā)光區(qū)域進行劃分的大致矩形的開口部47a。在層間絕緣膜47上，形成沿列方向(圖3的上下方向)延伸的條狀的隔壁48。隔壁48具有與沿列方向的多個開口部47a相對應的條狀的開口部48a。對置電極46是與程矩陣狀排列在基板31上的全部發(fā)光像素30 (發(fā)光元件21)的像素電極42相對且連續(xù)而成的電極層。對置電極46用作公共電極，被共同施加規(guī)定的低電壓(接地電位GND等基準電壓(基準電位)Vss)。第1驅(qū)動晶體管Trl2具有半導體層121、溝道保護膜12p、漏電極12d、源電極12s、 歐姆接觸層123、124、柵電極12g、在半導體層121與柵電極12g之間的絕緣膜32。而且，第2驅(qū)動晶體管Trl3具備半導體層131、溝道保護膜13p、漏電極13d、源電極13s、歐姆接觸層133、134、柵電極13g、在半導體層131與柵電極13g之間的絕緣膜32。 而且，選擇晶體管Trll具備半導體層(未圖示)、溝道保護膜lip、漏電極lid、源電極lis、 歐姆接觸層(未圖示)、柵電極Hg、在半導體層與柵電極Ug之間的絕緣膜32。在各晶體管Trll、Trl2Jrl3中，柵電極llg、12g、13g例如由包含Mo膜、Cr膜、Al 膜、Cr/Al疊層膜、AlTi合金膜或AlNdTi合金膜、MoNb合金膜等中的至少一個的不透明的柵極導電層形成。而且，漏電極lld、12d、13d及源電極lls、lk、13s例如由包含鋁鈦(AlTi)/ Cr、AINdTi/Cr或Cr等中的至少一個的源極-漏極導電層形成。像素電極42由透明的導電性材料、例如ITOandium Tin Oxide)或ZnO等構(gòu)成。 各像素電極42通過與相鄰的其他發(fā)光像素30的像素電極42分離而相互絕緣。而且，在本實施方式中，第1驅(qū)動晶體管Trl2的、源電極1 及漏電極12d與溝道保護膜12p的各重疊區(qū)域12a、12b的面積被設定成相等(參考圖7A)。而且，第2驅(qū)動晶體管Trl3的、源電極13s及漏電極13d與溝道保護膜13p的各重疊區(qū)域13a、13b的面積被設定成相等(參照圖7A)。接著，對本實施方式有關(guān)的顯示裝置的制造方法，參照圖5及圖6進行說明。在此， 選擇晶體管Trll及第2驅(qū)動晶體管Trl3通過與第1驅(qū)動晶體管Trl2相同的工序而形成。 因此，以下，以第1驅(qū)動晶體管Trl2的形成方法的說明為基礎(chǔ)，省略選擇晶體管Trll及第 2驅(qū)動晶體管Trl3的形成方法的說明的一部分。首先，如圖5A所示，在作為發(fā)光像素基板的玻璃等基板31上，通過濺射法、真空蒸鍍法等，例如形成包含Mo膜、Cr膜、Al膜、Cr/Al疊層膜、AlTi合金膜或AlNdTi合金膜、 MoNb合金膜等中的至少一個的柵極導電膜，對其使用基于光刻的抗蝕劑掩膜來構(gòu)圖成第1 驅(qū)動晶體管Trl2的柵電極12g及數(shù)據(jù)線Ld的形狀，而且，雖然在圖5A中省略了圖示，但構(gòu)圖成選擇晶體管Tr 11、第2驅(qū)動晶體管Trl3的柵電極llg、13g及導電層20。接著，如圖5B所示，通過CVD (ChemiealVapor D印osition)法等，在柵電極12g及數(shù)據(jù)線Ld上，形成氧化硅膜、氮化硅膜等具有絕緣性材料的絕緣膜32。接著，在絕緣膜32 上，通過CVD法等，連續(xù)淀積成為半導體層的非晶質(zhì)硅層、成為溝道保護膜的氧化硅膜、氮化硅膜等絕緣層，對該絕緣層使用基于光刻的抗蝕劑掩膜進行構(gòu)圖而形成溝道保護膜12p， 而且，對選擇晶體管Trll、第2驅(qū)動晶體管Trl3的各溝道保護膜llp、13p也進行構(gòu)圖。接著，淀積包含η型雜質(zhì)的非晶質(zhì)硅層之后，使用基于光刻的抗蝕劑掩膜進行刻蝕而對晶體管Trll、Trl2、Trl3的歐姆接觸層123、124、133、134等的外周進行構(gòu)圖，接著對下層的非晶質(zhì)硅層進行刻蝕而構(gòu)圖形成晶體管Trll、Trl2、Trl3的半導體層121、131等。此時，晶體管 Trll、Trl2、Trl3的半導體層121、131等的溝道長L，通過晶體管Trll、Trl2、Trl3的各溝道保護膜llp、12p、13p的行方向(X軸方向)的長度來定義，與源電極、漏電極的位置偏移無關(guān)，始終固定。接著，通過濺射法、真空蒸鍍法等，在絕緣膜32上形成ITO等透明導電膜，使用基于光刻的抗蝕劑掩膜進行構(gòu)圖而形成像素電極42。
然后，在絕緣膜32形成作為接觸部61 64的接觸孔后，使用濺射法、真空蒸鍍法等，形成例如由包含Mo膜、Cr膜、Al膜、Cr/Al疊層膜、AlTi合金膜或AlNdTi合金膜、 MoNb合金膜等中的至少一個的源極-漏極導電膜，埋設在接觸部61 64中。然后，使用基于光刻的抗蝕劑掩膜，對源極-漏極導電膜進行構(gòu)圖，形成選擇晶體管Trll、第1驅(qū)動晶體管Trl2及第2驅(qū)動晶體管Trl3的各源電極、漏電極12s、12d、13s、13d等、正極線La、柵極線Lg(參照圖4B)，而且，對各晶體管Trll、Trl2、Trl3的源電極、漏電極的下方即各晶體管Tr ll、Trl2、Trl3的源電極、漏電極間的歐姆接觸層進行刻蝕，形成晶體管Trll、Trl2、 Trl3的歐姆接觸層123、124、133、134等。這樣，由于分別使用分離獨立的基于光刻的抗蝕劑掩膜對柵極導電膜、溝道保護膜、源極-漏極導電膜進行構(gòu)圖，所以存在引起相對于源電極、漏電極的位置偏移的可能性。另外，選擇晶體管Trll、第1驅(qū)動晶體管Trl2及第2驅(qū)動晶體管Trl3的各源電極、漏電極12s、12d、13s、13d等通過同一光刻工序形成，所以上述位置偏移的程度相同。因此，選擇晶體管Trll的源電極lis與漏電極12d之間的距離、第 1驅(qū)動晶體管Trl2的源電極1 與漏電極12d之間的距離Gp、及第2驅(qū)動晶體管Trl3的源電極13s與漏電極13d之間的距離Gp，即使位置偏移產(chǎn)生也始終固定。另外，選擇晶體管 Trll、第1驅(qū)動晶體管Trl2及第2驅(qū)動晶體管Trl3的各源電極、漏電極12s、12d、13s、13d 等，各自與對應的柵電極llg、12g、13g的相對的位置偏移的程度相等，而且，與對應的溝道保護膜llp、12p、13p的相對的位置偏移的程度相等。另外，第1驅(qū)動晶體管Trl2的源電極 12s及第2驅(qū)動晶體管Trl3的源電極13s形成為，分別與沿列方向且正交于行方向的像素電極42的兩邊之中的右側(cè)的邊、左側(cè)的邊重疊連接(參照圖4B)。接著，如圖6A所示，使用CVD法等，以對晶體管Trll、晶體管Trl2、晶體管Trl3等、 數(shù)據(jù)線Ld的上方進行覆蓋的方式，形成具有氮化硅膜的層間絕緣膜47之后，在層間絕緣膜 47，使用基于光刻的抗蝕劑掩膜形成開口部47a。接著，以覆蓋層間絕緣膜47的方式涂敷感光性聚酰亞胺，通過使用掩模板進行曝光、進行顯影而進行構(gòu)圖，形成具有開口部48a的隔壁48。然后，如圖6B所示，使用流出連續(xù)液流的噴嘴打印裝置或吐出各自獨立的多個液滴的噴墨裝置，在被開口部47a包圍的像素電極42上，選擇性地涂敷包含孔(空穴)注入材料的有機化合物含有液。接著，在大氣環(huán)境下加熱基板31，使包含有機高分子系的孔(空穴)注入·輸送材料的有機化合物含有液的溶劑揮發(fā)，形成空穴注入層43。例如使用PED0T/PSS水溶液作為該有機化合物含有液，該PED0T/PSS水溶液是將例如作為導電性聚合物的聚乙撐二氧噻吩(PEDOT)和作為摻雜劑的聚苯乙烯磺酸(PSS)分散在水系溶劑中的分散液。接著，使用噴嘴打印裝置或噴墨裝置，在空穴注入層43上，涂敷含有成為隔層44 的材料的有機化合物含有液。進行氮氣環(huán)境中的加熱干燥或真空中的加熱干燥，進行殘留溶劑的除去形成隔層44。接著，使用噴嘴打印裝置或噴墨裝置，涂敷將聚對亞苯基亞乙烯基系、聚芴系等共軛雙鍵聚合物等發(fā)光聚合物材料(R、G、B)溶解于四氫化萘、四甲基苯、莢、二甲苯等有機溶劑中而成的有機化合物含有液，在氮氣環(huán)境中對該有機化合物含有液進行加熱而進行殘留的有機溶劑的除去，形成發(fā)光層45。然后，如圖6B所示，在形成了發(fā)光層45的基板31上，使用真空蒸鍍、濺射，形成由具有Li、Mg、Ca、Ba等工作函數(shù)低的材料的層和具有Al等的光反射性導電層的層構(gòu)成的雙層構(gòu)造的對置電極46。接著，對本實施方式有關(guān)的顯示裝置的作用効果，參照圖7 10進行說明。在圖 7 10中，使用了 η溝道型TFT。在源電極、漏電極相對于如后所述的基準位置而向右側(cè)偏移的情況下，圖7Β、圖8Β、圖9Β的橫軸取正值，在向左側(cè)偏移的情況下取負值。在此，W(溝道寬度)=700 μ m，L (溝道長)=7. 4 μ m，柵極電壓Vg = 5V，數(shù)據(jù)電壓Vd= IOV0首先，如圖7A所示，在發(fā)光像素30中，相對于溝道保護膜12p、13p，源電極、漏電極 12s、12d、13s、13d沒有左右方向的位置偏移(X軸方向的位置偏移量ΔΧ = Y軸方向的位置偏移量AY = Oym)的情況(以下，將如圖7Α所示的源電極、漏電極12s、12d、13s、13d的位置作為“基準位置”)下，如圖7B所示，在像素驅(qū)動電路DSl中，在第1及第2驅(qū)動晶體管 Trl2、Trl3中分別流動的溝道電流Ic相等(參照圖IOA及圖10B)。若將此時的溝道電流 Ic之和作為基準電流值，則偏離基準電流的電流偏移量是0 )。由此，在具有將發(fā)光元件 21作為顯示元件的多個發(fā)光像素30的顯示裝置中，各發(fā)光像素30均勻發(fā)光成為可能。而且，在此，兩溝道電流Ic的合計值如圖IOA所示，變成4.6X10、。而且，如圖8A所示，在發(fā)光像素30中，相對于溝道保護膜12p、13p，源電極、漏電極12s、12d、13s、13d從圖7A所示的基準位置向右上方向偏(X軸方向的位置偏移量ΔΧ = Y軸方向的位置偏移量ΔΥ = +1μπι)的情況下，如圖8Β所示，在第2驅(qū)動晶體管Trl3流動的溝道電流Ic變得比第2驅(qū)動晶體管Trl3是基準位置的情況大。但是，在第1驅(qū)動晶體管Trl2流動的溝道電流Ic變得比第1驅(qū)動晶體管Trl2是基準位置的情況小，而相互抵消。因此，兩溝道電流Ic的合計值約為5. 1X10_6A(參照圖IOA及圖10B)，成為與圖7A及圖7B所示的情況基本相同的結(jié)果。這是因為連接在像素電極42上的第1驅(qū)動晶體管Trl2 的源電極1 和第2驅(qū)動晶體管Trl3的源電極13s相對于像素電極42分別位于右側(cè)、左側(cè)。即、第1驅(qū)動晶體管Trl2的源電極、漏電極12s、12d的組與第2驅(qū)動晶體管Trl3的源電極、漏電極13s、13d的組成為相對于像素電極42而鏡像對稱的關(guān)系。通過這樣的構(gòu)造，第1驅(qū)動晶體管Trl2的源電極、漏電極lk、12d相對于溝道保護膜12p向右側(cè)偏移，重疊區(qū)域12a的面積比基準位置的情況增大，而且，重疊區(qū)域12b的面積比基準位置的情況減少。因此，第1驅(qū)動晶體管Trl2的溝道電流Ic比基準位置的情況變小。但同時，第2驅(qū)動晶體管Trl3的源電極、漏電極13s、13d相對于溝道保護膜13p 向右側(cè)偏移，重疊區(qū)域13a的面積比基準位置的情況減少，而且，重疊區(qū)域13b的面積比基準位置的情況增大。因此，第2驅(qū)動晶體管Trl3的溝道電流Ic變得比基準位置的情況大。第1驅(qū)動晶體管Trl2的源電極、漏電極12s、12d及第2驅(qū)動晶體管Trl3的源電極、漏電極13s、13d都是對源極-漏極導電膜進行構(gòu)圖而成。因此，源電極、漏電極沿X軸方向的位置偏移量也相同。因此，溝道保護膜12p、13p與源電極12s、13s重疊的重疊區(qū)域 12a、13a的各面積之和固定，溝道保護膜12p、13p與漏電極12d、13d重疊的重疊區(qū)域12b、 13b的各面積之和固定。因此，第1驅(qū)動晶體管Trl2及第2驅(qū)動晶體管Trl3的溝道電流 Ic之和大概固定。而且，即使源電極、漏電極12s、12d、13s、13d沿上下方向(Y軸方向)產(chǎn)生位置偏移，在第1驅(qū)動晶體管Trl2中，溝道寬度方向的溝道保護膜12p的長度及溝道寬度方向的柵電極12g的長度，與溝道寬度方向的源電極、漏電極12s、12d的各長度相比較， 都足夠長。因此，重疊區(qū)域12a、12b的面積基本上是固定的，在第2驅(qū)動晶體管Trl3中，溝道寬度方向的溝道保護膜13p的長度及溝道寬度方向的柵電極13g的長度，與溝道寬度方向的源電極、漏電極12s、12d的各長度相比較，都足夠長。因此，重疊區(qū)域13a、13b的面積基本上固定，所以僅考慮左右方向(X軸方向)的位置偏移即可。而且，選擇晶體管Trll被從數(shù)據(jù)線Ld施加數(shù)據(jù)電壓而進行驅(qū)動，所以像第1及第2驅(qū)動晶體管Trl2、Trl3那樣，不向發(fā)光元件21流動電流。因此，即使X軸方向的源電極、漏電極的位置偏移，對發(fā)光元件21 的亮度灰度也沒有大的不好的影響。這樣一來，第1驅(qū)動晶體管Trl2的源電極、漏電極12s、12d及第2驅(qū)動晶體管Trl3 的源電極、漏電極13s、13d的位置即使與基準位置相比較向右側(cè)偏移，發(fā)光元件21也以與基準位置的情況的發(fā)光元件21相同程度的亮度進行發(fā)光成為可能。同樣，如圖9A所示，在發(fā)光像素30中，相對于柵電極12g、13g (溝道保護膜12p、 13p)，即使源電極、漏電極12s、12d、13s、13d從圖7A所示的基準位置向左下方向偏(X軸方向的位置偏移量ΔΧ = Y軸方向的位置偏移量AY = -Iym)的情況下，也如圖9Β所示，在第2驅(qū)動晶體管Tr 13流動的溝道電流Ic與第2驅(qū)動晶體管Trl3是基準位置的情況相比較變小。但是，在第1驅(qū)動晶體管Trl2流動的溝道電流I與第1驅(qū)動晶體管Trl2是基準位置的情況相比較變大，相互抵消。因此，兩溝道電流Ic的合計值變?yōu)?. 1 μ m(參照圖IOA 及圖10B)，成為與圖7A及圖7B所示的情況以及圖8A及圖8B所示的情況基本相同的結(jié)果。通過這樣的的構(gòu)造，第1驅(qū)動晶體管Trl2的源電極、漏電極12s、12d相對于溝道保護膜12p向左側(cè)偏移，重疊區(qū)域12a的面積與基準位置的情況相比較減少，而且，重疊區(qū)域12b的面積與基準位置的情況相比較增大。因此，第1驅(qū)動晶體管Trl2的溝道電流Ic 比基準位置的情況變大。但同時，第2驅(qū)動晶體管Trl3的源電極、漏電極13s、13d相對于溝道保護膜13p向左側(cè)偏移，重疊區(qū)域13a的面積比基準位置的情況增大，而且，重疊區(qū)域 1 的面積比基準位置的情況減少。因此，第2驅(qū)動晶體管Trl3的溝道電流Ic比基準位置的情況變小。這樣一來，即使第1驅(qū)動晶體管Trl2的源電極、漏電極lk、12d及第2驅(qū)動晶體管Trl3的源電極、漏電極13s、13d的位置比基準位置向左側(cè)偏移，發(fā)光元件21也以與基準位置的情況的發(fā)光元件21的亮度相同程度的亮度進行發(fā)光成為可能。而且，如圖10A、圖IOB所示，若X軸方向的源電極、漏電極的位置偏移量變?yōu)?Ιμπκ _0.5口111、(^111、0.5口111、1口111，則在參考例中，溝道電流 Ic 分別為 3. 5Χ10_6μΑ、
4.OXlO"6 μ Α、4. 6Χ 1(Γ6 μ Α、5· 5X IO"6 μ Α、6. 9Χ 10_6 μ Α，該范圍的溝道電流 Ic 的最大值是最小值的大約2倍。與之相對，在本實施方式中，隨著上述變化，溝道電流Ic分別為
5.1Χ1(Γ6μ Α、4. 8Χ1(Γ6μ Α、4. 6Χ1(Γ6μ Α、4. 8Χ1(Γ6μ A、5. 1 X 10_6 μ Α，該范圍的溝道電流 Ic的最大值是最小值的大約1. 1倍，則差變小，在士0. 5Χ10_6μ A的范圍內(nèi)基本維持固定值。如以上說明的那樣，根據(jù)本實施方式的像素驅(qū)動電路DSl及使用了像素驅(qū)動電路DSl的顯示裝置，第1驅(qū)動晶體管Trl2連接至像素電極42的一邊側(cè)，第2驅(qū)動晶體管 Trl3連接至像素電極42的與一邊側(cè)相對的另一邊側(cè)。因此，通過光刻裝置和曝光裝置 (stepper)的激光照射用掩模的校準偏差等，即使源電極、漏電極12s、12d、13s、13d相對于柵電極12g、13g或溝道保護膜12p、13p產(chǎn)生位置偏移，也可以利用在第2驅(qū)動晶體管Trl3 流動的溝道電流Ic的增大量來抵消在第1驅(qū)動晶體管Trl2流動的溝道電流Ic的減少量，或用在第2驅(qū)動晶體管Trl3流動的溝道電流Ic的減少量來抵消在第1驅(qū)動晶體管Trl2 流動的溝道電流Ic的增大量，而使第1及第2驅(qū)動晶體管Trl2、Trl3的溝道電流Ic的總和基本固定。由此，在具有將發(fā)光元件21作為顯示元件的多個發(fā)光像素30的顯示裝置中， 均勻的亮度的發(fā)光成為可能。(第2實施方式)本第2實施方式的顯示裝置與上述第1實施方式的顯示裝置不同之處在于以下兩點第一，在第1實施方式中，像素驅(qū)動電路DSl具有1個選擇晶體管Trll、2個第1及第 2驅(qū)動晶體管Trl2、Trl3，合計3個晶體管，而與之相對，在第2實施方式中，像素驅(qū)動電路 DSll具備2個第1及第2選擇晶體管Tr51、Tr52、2個第1及第2驅(qū)動晶體管Tr53、Tr54, 合計4個晶體管；第二，數(shù)據(jù)線不是連接至驅(qū)動晶體管的柵極，而是間接地連接至驅(qū)動晶體管的源極、漏極之中的任一個。以下、對于與第1實施方式共同之處，附加相同或相對應的符號，除了特別進行說明的情況之外，省略這些說明。如圖IlA所示，各發(fā)光像素30具備有機EL元件等發(fā)光元件41和使發(fā)光元件41 激勵動作的像素驅(qū)動電路DSl 1。而且，像素電路基板具備基板31、像素驅(qū)動電路DSl 1和發(fā)光元件41的像素電極142。像素驅(qū)動電路DSll具備第1及第2選擇晶體管Tr51、Tr52、第1及第2驅(qū)動晶體管Tr53、Tr54及電容器Cp3、Cp4。第1及第2選擇晶體管Tr51、Tr52以及第1及第2驅(qū)動晶體管Tr53、Tr54都是具備包含非晶質(zhì)硅或微晶硅的半導體層的逆交錯型的η溝道型 TFT (Thin Film Transistor) 0而且，電容器Cp3、Cp4將從數(shù)據(jù)線Ld供給的、灰度信號等顯示用的數(shù)據(jù)作為電荷進行保持。本實施方式的像素驅(qū)動電路DSll如圖IlA所示，具有具備2個第1及第2驅(qū)動晶體管Tr53、Tr54的特征。與之相對，圖IlB所示的參考例的像素驅(qū)動電路DSlO僅具有1個驅(qū)動晶體管Tr53a，在這一點上與本實施方式的像素驅(qū)動電路DSll不同。比較而言，根據(jù)將參考例的驅(qū)動晶體管Tr53a的溝道長與本實施方式的第1及第2驅(qū)動晶體管Tr53、Tr54 的各溝道長設定為相等，將參考例的驅(qū)動晶體管"Tr53a的溝道寬度與本實施方式的第1及第2驅(qū)動晶體管Tr53、Tr54的各溝道寬度的合計設定為相等的條件，進行以下說明。如圖1及圖IlA所示，在基板31上，形成了分別連接在沿行方向排列的多個像素驅(qū)動電路DSll上的正極線La、分別連接在沿列方向排列的多個像素驅(qū)動電路DSll上的多個數(shù)據(jù)線Ld、以及用于對沿行方向排列的多個像素驅(qū)動電路DSll的各第1及第2選擇晶體管Tr5UTr52進行選擇(switching)的柵極線Lgo在圖IlA所示的本實施方式的像素驅(qū)動電路DSll中，第1選擇晶體管Tr51的柵電極51g連接至柵極線Lg，漏電極51d連接至正極線La，源電極51s連接至節(jié)點N51。而且，第2選擇晶體管Tr52的柵電極52g連接至柵極線Lg，源電極5 連接至數(shù)據(jù)線Ld，漏電極52d連接至節(jié)點N52。進而，第1及第2驅(qū)動晶體管Tr53、Tr54的柵電極53g、54g連接至節(jié)點N51，漏電極53d、54d連接至正極線La，源電極53s、5h連接至節(jié)點N52。電容器 Cp3的兩端分別連接在第1驅(qū)動晶體管Tr53的柵電極53g及源電極53s (節(jié)點N51、N52) 間。電容器Cp4的兩端分別連接在第2驅(qū)動晶體管TrM的柵電極54g及源電極5 (節(jié)點 N5UN52)上，電容器Cp3、Cp4被設定成相同的容量。該電容器Cp3、Cp4是具有在第1及第 2驅(qū)動晶體管Tr53、Trf4的柵極-源極間附加設置的輔助電容、或在第1及第2驅(qū)動晶體管Tr53,Tr54的柵極-源極間的寄生容量和輔助電容的電容成分。節(jié)點N52連接至發(fā)光元件 41的正極，發(fā)光元件41的負極連接至對置電極146。這樣，第1及第2驅(qū)動晶體管Tr53、 TrM在正極線La、節(jié)點N52(發(fā)光元件41)間并聯(lián)連接，看上去作為1個晶體管起作用。進而，在發(fā)光元件41的負極(對置電極146，參照圖1 上施加基準電壓Vss。在圖IlB所示的參考例的像素驅(qū)動電路DSlO中，第1選擇晶體管Tr51的柵電極連接至柵極線Lg，漏電極連接至正極線La，源電極連接至節(jié)點N51。而且，第2選擇晶體管 Tr52的柵電極連接至柵極線Lg，源電極連接至數(shù)據(jù)線Ld，漏電極連接至節(jié)點N52。進而，驅(qū)動晶體管Tr53a的柵電極連接至節(jié)點N51，漏電極連接至正極線La，源電極連接至節(jié)點N52。 電容器Cp的兩端分別連接至驅(qū)動晶體管Tr53a的柵電極及源電極(節(jié)點N51、N5》。節(jié)點 N52連接至發(fā)光元件41的正極，發(fā)光元件41的負極連接至對置電極146。參照圖1、圖11A、圖12，在寫入期間，將正極線La的電位設定成第1供給電壓 Vddl，在柵極線Lg上輸出導通電平的選擇信號，使第1及第2選擇晶體管Tr51、Tr52為導通狀態(tài)，而且，在數(shù)據(jù)線Ld上施加灰度信號(電壓信號或電流信號)，從而經(jīng)由正極線La， 在各發(fā)光像素30內(nèi)，寫入電流分別流到沿行方向排列的多組第1及第2驅(qū)動晶體管Tr53、 Trf4。來自第1及第2驅(qū)動晶體管Tr53、Tr54的寫入電流在節(jié)點N52合流，寫入電流流到第2選擇晶體管Tr52、數(shù)據(jù)線Ld。S卩、在第1及第2驅(qū)動晶體管Tr53、Tr54分別流動的寫入電流之和，與在正極線La流動的寫入電流的電流值一致，而且與在數(shù)據(jù)線Ld流動的寫入電流的電流值一致。此時，在第1驅(qū)動晶體管Tr53的柵電極53g和源電極53s之間的電壓對應于在第1驅(qū)動晶體管Tr53的漏電極53d和源電極53s之間流動的寫入電流的電流值而設定，該電壓在電容器Cp3中作為電荷被保持。同時，在第2驅(qū)動晶體管的柵電極 54g和源電極5 之間的電壓，對應于在第2驅(qū)動晶體管TrM的漏電極54d和源電極5 之間流動的寫入電流的電流值而設定，該電壓在電容器Cp4中作為電荷被保持。而且，在寫入期間中，對置電極146的電位(基準電壓Vss)在與第1供給電壓Vddl相等的電位以下、 且在與數(shù)據(jù)線Ld的基于灰度信號的電位相等的電位以下。因此，寫入電流不流到發(fā)光元件 41的發(fā)光層45，不發(fā)光。接著，在顯示期間，將正極線La的電位設定為與第1供給電壓Vddl及基準電壓 Vss相比足夠高的電位的第2供給電壓Vdd2，在柵極線Lg輸出截止電平的選擇信號，使第 1及第2選擇晶體管Tr51、Tr52為截止狀態(tài)，使寫入電流停止流到數(shù)據(jù)線Ld。此時，電容器 Cp3在柵電極53g和源電極53s持續(xù)施加電壓，以便第1驅(qū)動晶體管Tr53流動與在寫入期間流動的寫入電流相同的電流值的驅(qū)動電流。同時，電容器Cp4在柵電極Mg和源電極Ms 上持續(xù)施加電壓，以便第2驅(qū)動晶體管流動與在寫入期間流動的寫入電流相同的電流值的驅(qū)動電流。因此，從正極線La開始在節(jié)點N51分支，第1驅(qū)動晶體管Tr53及第2驅(qū)動晶體管各自流動的驅(qū)動電流在節(jié)點N52合流，流到發(fā)光元件41，發(fā)光元件41發(fā)光。參照圖12、圖13A及圖13B，在各發(fā)光像素30的基板31上，形成了對發(fā)光元件41 進行選擇的第1及第2選擇晶體管Tr51、Tr52的柵電極51g、52g、向發(fā)光元件41供給驅(qū)動電流的第1及第2驅(qū)動晶體管Tr53、Trf4的柵電極53g、Mg、沿列方向(上下方向)延伸的數(shù)據(jù)線Ld、及將柵電極51g、53g相互連接的導電層40。在基板31上，以覆蓋數(shù)據(jù)線Ld及柵電極51g Mg的方式形成絕緣膜32。參照圖12、圖13A及圖13B，第1及第2驅(qū)動晶體管Tr53、Tr54的源電極53s、Ms分別與絕緣膜32上的像素電極142連接，漏電極53d、54d分別與基板31上的正極線La連接。具體而言，第1驅(qū)動晶體管Tr53的源電極53s連接至矩形的像素電極142(有機EL顯示元件41)的一邊(右邊)側(cè)，第2驅(qū)動晶體管的源電極5如連接至像素電極142的與該一邊側(cè)相對的另一邊(左邊)側(cè)。該像素電極142的一邊及另一邊相互平行。而且， 柵電極12g、13g經(jīng)由基板31上的導電層40相互連接。第1驅(qū)動晶體管Tr53的源電極53s 及漏電極53d在各圖面中，分別配置在溝道保護膜53p的左側(cè)及右側(cè)，第2驅(qū)動晶體管TrM 的源電極5如及漏電極54d在各圖面中，分別配置在溝道保護膜54p的右側(cè)及左側(cè)。在第1 驅(qū)動晶體管Tr53的源電極、漏電極53s、53d的下方，分別形成具有包含η型雜質(zhì)的非晶質(zhì)硅的歐姆接觸層163、164。在第2驅(qū)動晶體管TrM的源電極、漏電極Ms、Md的下方，分別形成包含η型雜質(zhì)的非晶質(zhì)硅的歐姆接觸層157、158。在第1選擇晶體管Tr51的源電極、漏電極51s、51d的下方，分別形成具有包含η型雜質(zhì)的非晶質(zhì)硅的歐姆接觸層。在第2 選擇晶體管Tr52的源電極、漏電極52s、52d的下方，分別形成具有包含η型雜質(zhì)的非晶質(zhì)硅的歐姆接觸層153、154。繼而，作為保護絕緣膜的溝道保護膜53ρ以被夾在源電極、漏電極53s、53d間及歐姆接觸層163、164間的狀態(tài)，配置在包含非晶質(zhì)硅或微晶硅的半導體層 161上。溝道保護膜Mp以被夾在源電極、漏電極Ms、Md間及歐姆接觸層157、158間狀態(tài)，配置在包含非晶質(zhì)硅或微晶硅的半導體層152上。第1選擇晶體管Tr51的溝道保護膜 51p以被夾在源電極、漏電極51s、51d間及歐姆接觸層(未圖示)間的狀態(tài)，配置在包含非晶質(zhì)硅或微晶硅的半導體層上。第2選擇晶體管Tr52的溝道保護膜52p以被夾在源電極、 漏電極52s、52d間及歐姆接觸層153、154間的狀態(tài)，配置在包含非晶質(zhì)硅或微晶硅的半導體層151上。第1及第2選擇晶體管Tr51、Tr52、第1及第2驅(qū)動晶體管Tr53、Tr54的各半導體層151、152、161形成在絕緣膜32上。為了源電極、漏電極52s、52d與半導體層151 的低電阻性接觸而配置歐姆接觸層153、154。為了源電極、漏電極53s、53d與半導體層161 的低電阻性接觸而配置配置歐姆接觸層163、164。為了源電極、漏電極Ms、54d與半導體層 152的低電阻性接觸而歐姆接觸層157、158。正極線La及柵極線Lg使用用于形成各晶體管Tr51、Tr52、Tr53、Tr54的源電極 51s,52s,53s,54s及漏電極51d、52d、53d、Md的源極-漏極導電層而形成。數(shù)據(jù)線Ld及導電層40使用用于形成各晶體管Tr51、Tr52Jr53、Tr54的柵電極51g、52g、53g、53g的柵極導電層而形成。在數(shù)據(jù)線Ld和源電極5 之間的絕緣膜32上，形成用于將數(shù)據(jù)線Ld與源電極5 連接的接觸孔即接觸部73。在柵極線Lg和柵電極52g之間的絕緣膜32上，分別形成用于將柵極線Lg與柵電極52g連接的接觸孔即接觸部71。在源電極51s和柵電極 54g之間的絕緣膜32上，形成用于將源電極51s與柵電極54g連接的接觸孔即接觸部72。 通過這些接觸部71 73，可以沿基板的厚度方向適當?shù)剡B接下部連接部和上部連接部，其中，下部連接部是對成為第1及第2選擇晶體管Tr51、Tr52、第1及第2驅(qū)動晶體管Tr53、
的柵電極51g、52g、53g、Mg、數(shù)據(jù)線Ld及導電層40的柵極導電層進行構(gòu)圖而成的，上部連接部是對成為第1及第2選擇晶體管Tr51、Tr52、第1及第2驅(qū)動晶體管Tr53、Tr54 的源電極、漏電極51s、52s、53s、54s、51d、52d、53d、54d、正極線La及柵極線Lg的源極-漏極導電層進行構(gòu)圖而成的。圖IlB所示的參考例的驅(qū)動晶體管Tr53a的溝道寬度是W( μ m)，圖IlA所示的本實施方式的第1及第2驅(qū)動晶體管Tr53、Tr54的溝道寬度都是W/2 ( μ m)。這樣，第1及第2驅(qū)動晶體管Tr53、Tr54的溝道寬度的合計等于參考例的驅(qū)動晶體管Tr53a的溝道寬度 W(ff = W/2+W/2)。第1及第2驅(qū)動晶體管Tr53、Tr54的半導體層161、152的溝道長L相等，而且，第1驅(qū)動晶體管Tr53的源電極53s和漏電極53d之間的距離Gp與第2驅(qū)動晶體管TrM的源電極M和漏電極54d之間的距離Gp相等。進而，如上所述，第1及第2驅(qū)動晶體管Tr53、Tr54與驅(qū)動晶體管Tr53a —樣，連接在正極線La及節(jié)點N12之間。因此，第 1及第2驅(qū)動晶體管Tr53、Tr54與參考例的驅(qū)動晶體管Tr53a —樣，用作溝道寬度W( μ m) 的 TFT。如圖13A及圖1 所示，發(fā)光元件41具備作為正極的像素電極142、空穴注入層 43、隔層44、發(fā)光層45及作為負極的對置電極146。這些空穴注入層43、隔層44及發(fā)光層45成為在規(guī)定的電場下將電子和空穴作為載流子進行輸送的載流子輸送層。層間絕緣膜58是對晶體管Tr51、Tr52、Tr53、Tr54、數(shù)據(jù)線Ld、柵極線Lg、正極線La的上方進行覆蓋且對像素電極142的周邊部進行覆蓋的保護膜，形成了對發(fā)光像素30的發(fā)光區(qū)域進行劃分的大致矩形的開口部58a。在層間絕緣膜58 上，形成沿列方向(圖12的上下方向)延伸的條狀的隔壁59。隔壁59具有與沿著列方向的多個開口部58a相對應的條狀的開口部59a。對置電極146是在基板31上與呈矩陣狀排列的全部發(fā)光像素30 (發(fā)光元件41) 的像素電極42相對且連續(xù)形成的電極層。對置電極146用作公共電極，被共同施加規(guī)定的低電壓(接地電位GND等基準電壓(基準電位)Vss)。第1驅(qū)動晶體管Tr53具備半導體層161、溝道保護膜53p、漏電極53d、源電極53s、 歐姆接觸層163、164、柵電極53g及在半導體層161和柵電極53g之間的絕緣膜32。而且， 第2驅(qū)動晶體管TrM具備半導體層152、溝道保護膜Mp、漏電極Md、源電極Ms、歐姆接觸層157、158、柵電極54g及在半導體層152和柵電極54g之間的絕緣膜32。而且，第1選擇晶體管Tr51具備半導體層(未圖示)、溝道保護膜51p、漏電極51d、源電極51s、歐姆接觸層(未圖示)、柵電極51g及在半導體層和柵電極51g之間的絕緣膜32。第2選擇晶體管Tr52具備半導體層(未圖示)、溝道保護膜52p、漏電極52d、源電極52s、歐姆接觸層(未圖示)、柵電極52g及在半導體層和柵電極52g之間的絕緣膜32。而且，在本實施方式中，第1驅(qū)動晶體管Tr53中的源電極53s及漏電極53d與溝道保護膜53p的各重疊區(qū)域53a、53b的面積被設定成相等。而且，驅(qū)動晶體管TrM中的源電極5如及漏電極54d與溝道保護膜54p的各重疊區(qū)域Ma、54b的面積的合計被設定為相寸。接著，參照圖IlA及圖14、說明本實施方式的像素驅(qū)動電路DSll的寫入動作和發(fā)光動作。如圖14所示，柵極線Lg連接至在發(fā)光面板的周邊部配置的柵極驅(qū)動器12。而且， 數(shù)據(jù)線Ld連接至在發(fā)光面板的周邊部配置的數(shù)據(jù)驅(qū)動器13。進而，正極線La(電流供給布線)連接至作為規(guī)定的高電位電源的正極驅(qū)動器14。(寫入動作)如圖14所示，柵極驅(qū)動器12根據(jù)基于從外部供給的定時信號而從控制電路10輸出的控制信號群，在各行的寫入期間(掃描期間)，按照從第1行的柵極線Lg到第η行的柵極線Lg的順序輸出高電平(導通電平ON)的選擇信號。被輸出了導通電平的選擇信號的柵極線Lg以外的柵極線Lg，被輸出低電平(截止電平)的選擇信號。而且，正極驅(qū)動器14根據(jù)從控制電路10輸出的控制信號群，將與被輸出了導通電平ON的選擇信號的柵極線Lg 相對應的行方向上排列的多個發(fā)光像素30所連接的正極線La，設定成第1供給電壓Vddl 的電位。數(shù)據(jù)驅(qū)動器13根據(jù)從外部供給的灰度信號，根據(jù)從控制電路10輸出的控制信號群，在全部列的數(shù)據(jù)線Ld上施加與灰度信號相對應的電壓值在基準電壓Vss以下的灰度電壓或從正極線La向數(shù)據(jù)驅(qū)動器13側(cè)引入的方向上流動的灰度電流。在正極線La設定的第1供給電壓Vddl的電位是等于基準電壓Vss的電位或低于基準電壓Vss的電位。這樣，在各行的柵極線Lg上輸出了導通電平ON的脈沖的期間，參照圖11A，第1及第2選擇晶體管Tr51、Tr52成為導通狀態(tài)。由此，第1驅(qū)動晶體管Tr53的柵電極53g和漏電極53d間被連接，第2驅(qū)動晶體管TrM的柵電極54g和漏電極Md間被連接，第1及第 2驅(qū)動晶體管Tr53、Trf4成為二極管連接狀態(tài)。進而，對應于從數(shù)據(jù)驅(qū)動器13施加到各列的數(shù)據(jù)線Ld上的灰度電壓信號或灰度電流信號，經(jīng)由數(shù)據(jù)線Ld及第2選擇晶體管Tr52，寫入電流流到第1及第2驅(qū)動晶體管Tr53、Tr54的漏極·源極間。因此，在第1驅(qū)動晶體管 Tr53的柵電極53g和源電極53s間，自動施加與在第1驅(qū)動晶體管Tr53的漏電極53d及源電極53s間流動的電流的電流值相對應的電壓。在第2驅(qū)動晶體管的柵電極54g及源電極5 間，自動施加與在第2驅(qū)動晶體管TrM的漏電極54d及源電極5 間流動的電流的電流值相對應的電壓。參照圖11A，第1及第2驅(qū)動晶體管Tr53、Tr54的柵電極53gj4g的電位與漏電極McUMg的電位相等，在各數(shù)據(jù)線Ld分別從數(shù)據(jù)驅(qū)動器13施加灰度電壓或灰度電流的灰度信號。因此，在第1及第2驅(qū)動晶體管Tr53、Tr54的柵極 源極間產(chǎn)生電位差，流過與灰度信號相對應的電流值的電流I。而且，在掃描期間，正極線La的電位在基準電壓Vss以下。因此，發(fā)光元件41的正極的電位為與負極的電位相同的或為比負極的電位低的電位， 在發(fā)光元件41上施加零電壓或反向偏壓。因此，來自正極線La的電流不流到光元件41。此時，發(fā)光像素30的電容器Cp3的兩端，根據(jù)由數(shù)據(jù)驅(qū)動器13施加的、與畫像數(shù)據(jù)的亮度灰度值相對應的灰度電壓或灰度電流，變?yōu)榕c從第1驅(qū)動晶體管Tr53的漏電極 53d流向源電極53s的溝道電流Ic的電流值相對應的電壓，電容器Cp4的兩端，變?yōu)榕c從第 2驅(qū)動晶體管TrM的漏電極54d流向源電極Md的溝道電流Ic的電流值相對應的電壓。 也就是說，在發(fā)光像素30的電容器Cp3、Cp4上，分別充電了如下電荷，該電荷可產(chǎn)生為了在發(fā)光元件41的第1及第2驅(qū)動晶體管Tr53、Tr54的漏極·源極間流動與畫像數(shù)據(jù)相對應的溝道電流Ic而所需要的第1及第2驅(qū)動晶體管Tr53、Tr54的柵極-源極間的電位差。(發(fā)光動作)在寫入期間后的顯示期間，從柵極驅(qū)動器12輸出到規(guī)定的行的柵極線Lg上的選擇信號，從導通電平ON切換為截止電平OFF，然后，通過該規(guī)定的行的正極驅(qū)動器14，將正極線La的電位從第1供給電壓Vddl切換到第2供給電壓Vdd2。因此，在與該規(guī)定的柵極線Lg連接的發(fā)光像素30中，第1選擇晶體管Tr51的柵極及第2選擇晶體管Tr52的柵極成為截止狀態(tài)，經(jīng)由該規(guī)定的行的正極線La，向第1驅(qū)動晶體管Tr53的漏電極53d及第2 驅(qū)動晶體管TrM的漏電極54d供給第2供給電壓Vdd2。因此，參照圖11A，非選擇狀態(tài)的行的第2選擇晶體管Tr52成為截止狀態(tài)，在第2 選擇晶體管Tr52中沒有電流流動。進而，第1選擇晶體管Tr51成為截止狀態(tài)，電容器Cp3、 Cp4繼續(xù)保持通過它們的各一端及另一端而充電的電荷，第1及第2驅(qū)動晶體管Tr53、Tr54繼續(xù)保持導通狀態(tài)。即、第1及第2驅(qū)動晶體管Tr53、Tr54的柵極-源極間電壓值Vgs被保持。因此，即使在顯示期間，第1及第2驅(qū)動晶體管Tr53、Trf4也繼續(xù)流動與畫像數(shù)據(jù)相對應的電流值的電流。因此，在顯示期間第1及第2驅(qū)動晶體管Tr53、Tr54各自流動的溝道電流Ic的電流值，與在寫入期間第1及第2驅(qū)動晶體管Tr53、Trf4各自流動的溝道電流 Ic的值實質(zhì)上相等。顯示期間內(nèi)，在第1及第2驅(qū)動晶體管Tr53、Trf4流動的溝道電流Ic， 在節(jié)點N52合流而流向發(fā)光元件41，發(fā)光元件41以與這些溝道電流Ic的電流值之和相對應的亮度進行發(fā)光。這樣一來，發(fā)光元件41以與畫像數(shù)據(jù)相對應的亮度灰度進行發(fā)光。接著，對本實施方式有關(guān)的顯示裝置的制造方法，參照圖15及圖16進行說明。在此，第1選擇晶體管Tr51及第2驅(qū)動晶體管TrM通過與第2選擇晶體管Tr52及第1驅(qū)動晶體管Tr53相同的工序而形成。因此，以下以第2選擇晶體管Tr52及第1驅(qū)動晶體管 Tr53的形成方法的說明為基礎(chǔ)，省略第1選擇晶體管Tr51及第2驅(qū)動晶體管TrM的形成方法的說明的一部分。首先，如圖15A所示，在作為發(fā)光像素基板的基板31上，通過濺射法、真空蒸鍍法等，形成包含例如Mo膜、Cr膜、Al膜、Cr/Al疊層膜、AlTi合金膜或AlNdTi合金膜、MoNb合金膜等中的至少一個的柵極導電膜。然后，通過對其進行光刻，構(gòu)圖成晶體管Tr52、Tr53的柵電極52g、53g及數(shù)據(jù)線Ld的形狀。此時，雖然在圖15A中省略了圖示，但也形成了晶體管I~r51、Tr54的柵電極51g、54g及導電層40。接著，如圖15B所示，通過CVD(Chemical Vapor D印osition)法等，在柵電極52g、 53g及數(shù)據(jù)線Ld上，形成氧化硅膜、氮化硅膜等具有絕緣性材料的絕緣膜32。接著，在絕緣膜32上，通過CVD法等，連續(xù)淀積作為半導體層的非晶質(zhì)硅層、作為溝道保護膜的氧化硅膜、氮化硅膜等絕緣層。然后，使用基于光刻的抗蝕劑掩膜，對該絕緣膜進行構(gòu)圖而形成溝道保護膜52p、53p。接著，在淀積了包含η型雜質(zhì)的非晶質(zhì)硅層之后， 使用基于光刻的抗蝕劑掩膜，對晶體管Tr52、Tr53的歐姆接觸層153、154、163、164的外周進行構(gòu)圖。接著，對下層的非晶質(zhì)硅層進行刻蝕而構(gòu)圖并形成晶體管Tr52、Tr53的半導體層152、161。此時，晶體管Tr52、Tr53的半導體層152、161的溝道長L通過晶體管Tr52、 Tr53的各溝道保護膜52p、53p的行方向(X軸方向)的長度來定義，與位置偏移無關(guān)，始終固定。接著，通過濺射法、真空蒸鍍法等，在絕緣膜32上形成ITO等透明導電膜，使用基于光刻的抗蝕劑掩膜進行構(gòu)圖而形成像素電極142。然后，在絕緣膜32上形成作為接觸孔的接觸部71 73。然后，使用濺射法、真空蒸鍍法等，淀積包含例如、Mo膜、Cr膜、Al膜、Cr/Al疊層膜、AlTi合金膜或AlNdTi合金膜、 MoNb合金膜等中的至少一個的源極-漏極導電膜，埋設在接觸部71 73中。然后，使用基于光刻的抗蝕劑掩膜，對源極-漏極導電膜進行構(gòu)圖，形成第2選擇晶體管Tr52、第1驅(qū)動晶體管Tr53的各源電極、漏電極52s、52d、53s、53d、正極線La、柵極線Lg，而且，對各晶體管 Tr52、Tr53的源電極、漏電極的下方的、各晶體管Tr52、Tr53的源電極、漏電極間的歐姆接觸層進行刻蝕，而形成晶體管Tr52、Tr53的歐姆接觸層153、154、163、164等。這樣，分別使用基于分離獨立的光刻的抗蝕劑掩膜，對柵極導電膜、溝道保護膜、 源極-漏極導電膜進行構(gòu)圖。因此，存在引起相對于源電極、漏電極的位置偏移的可能性。 然后，第1選擇晶體管Tr51、第2選擇晶體管Tr52、第1驅(qū)動晶體管Tr53及第2驅(qū)動晶體管TrM的各源電極、漏電極通過同一光刻工序形成，所以位置偏移的程度相同。因此，即使存在位置偏移，第1驅(qū)動晶體管Tr53的源電極53s和漏電極53d之間的距離Gp，與第2驅(qū)動晶體管TrM的源電極5 和漏電極54d之間的距離Gp也始終固定。然后，第1驅(qū)動晶體管Tr53及第2驅(qū)動晶體管TrM的各源電極、漏電極53s、53d、Ms、54d各自與對應的柵電極53g、Mg的相對的位置偏移的程度相等，而且與對應的溝道保護膜53p、Mp的相對的位置偏移的程度相等。然后，第1驅(qū)動晶體管Tr53的源電極53s及第2驅(qū)動晶體管TrM 的源電極5如形成為，分別與沿列方向且與行方向正交的像素電極42的兩邊之中的右側(cè)的邊、左側(cè)的邊重疊連接(參照圖12)。繼而，如圖16A所示，使用CVD法等，覆蓋晶體管Tr52、Tr53和數(shù)據(jù)線Ld等的上方， 形成具有氮化硅膜的層間絕緣膜58。然后，在層間絕緣膜58上，使用基于光刻的抗蝕劑掩膜，形成開口部58a。接著，以覆蓋層間絕緣膜58的方式涂敷感光性聚酰亞胺，使用掩模板進行曝光、顯影，從而進行構(gòu)圖，形成具有開口部59a的隔壁59。然后，如圖16B所示，使用連續(xù)流出液流的噴嘴打印裝置或分別吐出獨立的多個液滴的噴墨裝置，將包含孔(空穴)注入材料的有機化合物含有液，選擇性涂敷在被開口部 58a包圍的像素電極142上。接著，對基板31在大氣環(huán)境下進行加熱，使包含有機高分子系的孔(空穴)注入 輸送材料的有機化合物含有液的溶劑揮發(fā)，形成空穴注入層43。接著，使用噴嘴打印裝置或噴墨裝置，將包含作為隔層44的材料的有機化合物含有液涂敷在空穴注入層43上。進行氮氣環(huán)境中的加熱干燥或真空中的加熱干燥，進行殘留溶劑的除去，形成隔層44。接著，使用噴嘴打印裝置或噴墨裝置，涂敷將聚對亞苯基亞乙烯基系、聚芴系等共軛雙鍵聚合物等發(fā)光聚合物材料(R、G、B)溶解在四氫化萘、四甲基苯、莢、二甲苯等有機溶劑中而成的有機化合物含有液，在氮氣環(huán)境中下對該有機化合物含有液進行加熱，進行殘留的有機溶劑的除去，形成發(fā)光層45。然后，如圖16B所示，在形成了發(fā)光層45的基板31上，使用真空蒸鍍或濺射，形成具備由具有Li、Mg、Ca、Ba等工作函數(shù)低的材料的層和具有Al等光反射性導電層的層構(gòu)成的雙層構(gòu)造的對置電極146。本實施方式有關(guān)的顯示裝置的作用効果與參照圖7 10說明的第1實施方式有關(guān)的顯示裝置的作用効果相同。即，根據(jù)本實施方式的像素驅(qū)動電路DSll及使用了像素驅(qū)動電路DSll的顯示裝置，第1驅(qū)動晶體管Tr53的源電極53s連接至像素電極142的一邊側(cè)，第2驅(qū)動晶體管TrM的源電極5 連接至像素電極142的與一邊側(cè)相對的另一邊側(cè)。 即、第1驅(qū)動晶體管Tr53的源電極、漏電極53s、53d的組和第2驅(qū)動晶體管的源電極、 漏電極Ms、Md的組相對于像素電極142為鏡像對稱。因此，由于光刻裝置的激光照射用掩模的校準偏差等，源電極、漏電極53s、53d、 54s,54d相對于柵電極53g、54g或溝道保護膜53p、54p產(chǎn)生位置偏移，即使第1及第2驅(qū)動晶體管Tr53、TrM之中的一個增大或減少溝道電流Ic，另一個也減少或增大溝道電流Ic， 道電流Ic的變化被緩和。因此，第1及第2驅(qū)動晶體管Tr53、Tr54的溝道電流Ic的總和基本固定，與基準位置的情況的發(fā)光元件41的亮度相比較，能夠以相同程度的亮度發(fā)光。而且，在像素電極142之中的一方的邊(左邊)，配置第1選擇晶體管Tr51或第2 選擇晶體管Tr52。因此，配置在像素電極142的該一方的邊側(cè)的第2驅(qū)動晶體管Tr54，為難以配置在該一方的邊的中央的構(gòu)造，在該一方的邊的后方的部分(左下側(cè))，與像素電極 142連接。因此，與該一方的邊的后方的部分相比較，來自第2驅(qū)動晶體管TrM的驅(qū)動電流難以流到該一方的邊的前面的部分(左上側(cè))，可能在像素電極142上的發(fā)光層45產(chǎn)生偏差。但是，通過將第1驅(qū)動晶體管Tr53配置在與該一方的邊相對的另一邊之中的、比第 2驅(qū)動晶體管TrM側(cè)(后方側(cè))還靠近第1選擇晶體管Tr51或第2選擇晶體管Tr52側(cè) (前方側(cè))、即另一邊的前面的部分(右上側(cè))，能夠通過第1驅(qū)動晶體管Tr53及第2驅(qū)動晶體管在像素電極42全部區(qū)域均等地流過電流，使像素電極42上的發(fā)光層45全部區(qū)域發(fā)光。上述各實施方式有關(guān)的顯示裝置可以組裝到如圖17A、圖17B所示的數(shù)字照相機、 圖18所示的個人計算機、圖19所示的便攜電話、圖20所示的電視裝置(TV)等電子設備中。如圖17A、圖17B所示，數(shù)字照相機200具備透鏡部201、操作部202、顯示部203和取景器204。在該顯示部203上使用了上述實施方式的顯示裝置。圖18所示的個人計算機210具備顯示部211和操作部212，在該顯示部211上使用了上述實施方式的顯示裝置。圖19所示的便攜電話220具備顯示部221、操作部222、受話部223和送話部224， 在該顯示部221上使用了上述實施方式的顯示裝置。圖20所示的電視裝置230具備顯示部231，在該顯示部231上使用了上述實施方式的顯示裝置。而且，本發(fā)明并不限定于上述實施方式，在脫離本發(fā)明的技術(shù)思想的范圍內(nèi)當然可以進行各種變化。例如，在上述各實施方式中，說明了顯示元件使用了有機EL元件的顯示裝置。但是，不限于此，顯示裝置中的顯示元件當然也可以是其它元件，例如，LED(發(fā)光二極管)、 FED (場發(fā)射顯示器件)、PDP (等離子體平板顯示面板)等。而且，在上述各實施方式中，以機EL元件具有空穴注入層、隔層、發(fā)光層這三層的構(gòu)成為例進行了說明。但是不限于此，當然也可以是例如僅具有空穴注入層及發(fā)光層這樣的雙層構(gòu)造，也可以發(fā)光層兼作空穴注入層的單層構(gòu)造，更可以使四層以上的層構(gòu)造。而且，在上述各實施方式中，晶體管以逆交錯型的情況為例進行了說明，但不限于此，也可以使共面型。而且，在上述各實施方式中，以包含非晶質(zhì)硅或微晶硅的半導體層為例進行了說明。但是不限于此，也可以是具有多晶硅的半導體層的晶體管。而且，也不限于 η溝道型，也可以是P溝道型。這種情況下，各實施方式的源電極變?yōu)槁╇姌O，漏電極變?yōu)樵措姌O，而且，晶體管的柵電極所輸出的信號的高電平、低電平也反轉(zhuǎn)。而且，在上述各實施方式中，使用了 MOS晶體管。不限于此，也可以是像二極管、 MIM(metal-insulator-metal)元件等的通過多個圖案形成的元件。在上述各實施方式中，1個像素驅(qū)動電路內(nèi)的2個驅(qū)動晶體管的溝道寬度相等。但不限于此，即使不相等，也可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)的思想來改善電流偏移。在上述各實施方式中，1個像素驅(qū)動電路內(nèi)的像素電極的左側(cè)及右側(cè)各配置一個驅(qū)動晶體管。但不限于此，也可以在像素電極的前側(cè)(上邊側(cè))及后側(cè)(下邊側(cè))各配置 1個驅(qū)動晶體管來取代。而且，在上述各實施方式中，使1個有機EL元件發(fā)光的驅(qū)動晶體管是2個。但不限于此，只要是互補的構(gòu)造，例如也可以為3個，將溝道寬度為W/4的2個驅(qū)動晶體管并聯(lián)連接來取代圖3所示的第2驅(qū)動晶體管Trl3。而且，以像素驅(qū)動電路具備3個及4個晶體管為例進行。但不限于此，也可以具備 5個以上的晶體管。而且，在上述各實施方式中，是將發(fā)出紅㈨、綠(G)、藍(B)這3色的3個發(fā)光像素作為一組，并沿縱方向配置了同色的像素的所謂條狀排列的像素構(gòu)造。但不限于此，也可以是使發(fā)出紅(R)、綠(G)、藍(B)這3色的3個發(fā)光像素的各重心在三角形的頂點的所謂三角形排列的像素構(gòu)造。而且，在上述各實施方式中，主要說明了晶體管的源電極、漏電極相對于溝道保護膜的位置偏移。但不限于此，即使是沒有溝道保護膜的晶體管構(gòu)造，只要是可能產(chǎn)生半導體層與源電極、漏電極的位置偏移(構(gòu)圖錯位)的構(gòu)造，例如、半導體層與源電極、漏電極分別通過基于分離獨立的光刻的構(gòu)圖而形成，就可以適用本發(fā)明的技術(shù)思想。
權(quán)利要求
1.一種像素電路基板，其特征在于，具備像素電極；第1驅(qū)動元件，連接于所述像素電極的一邊側(cè)；及第2驅(qū)動元件，與所述第1驅(qū)動元件并聯(lián)連接，而且連接于所述像素電極的與所述一邊側(cè)相對的另一邊側(cè)。
2.如權(quán)利要求1所述的像素電路基板，其中，所述第1驅(qū)動元件及所述第2驅(qū)動元件是分別具備柵電極、半導體層、源電極和漏電極的驅(qū)動晶體管。
3.如權(quán)利要求2所述的像素電路基板，其中，所述第1驅(qū)動元件的所述源電極、漏電極和所述第2驅(qū)動元件的所述源電極、漏電極是相對于所述像素電極而鏡像對稱的構(gòu)造。
4.如權(quán)利要求2所述的像素電路基板，其中，所述第1驅(qū)動元件的所述源電極及所述第1驅(qū)動元件的所述漏電極之中的一個連接于所述像素電極的所述一邊，所述第2驅(qū)動元件的所述源電極及所述第2驅(qū)動元件的所述漏電極之中的一個連接于所述像素電極的所述另一邊。
5.如權(quán)利要求4所述的像素電路基板，其中，所述第1驅(qū)動元件的所述源電極及所述第1驅(qū)動元件的所述漏電極之中的另一個連接于正極線，所述第2驅(qū)動元件的所述源電極及所述第2驅(qū)動元件的所述漏電極之中的另一個連接于所述正極線。
6.如權(quán)利要求2所述的像素電路基板，其中，所述第1驅(qū)動元件及所述第2驅(qū)動元件還分別具有配置在所述半導體層與所述源電極、漏電極之間的溝道保護膜。
7.如權(quán)利要求1所述的像素電路基板，其中，所述像素電極的所述一邊及所述另一邊相互平行。
8.如權(quán)利要求1所述的像素電路基板，其中，還具備對所述第1驅(qū)動元件及所述第2驅(qū)動元件進行開關(guān)的開關(guān)元件。
9.如權(quán)利要求8所述的像素電路基板，其中，所述開關(guān)元件是具備與柵極線連接的柵電極的晶體管。
10.如權(quán)利要求8所述的像素電路基板，其中，所述開關(guān)元件配置于所述像素電極的所述另一邊側(cè)，所述第1驅(qū)動元件配置在所述像素電極的所述一邊側(cè)之中的、比所述第2驅(qū)動元件側(cè)還靠近所述開關(guān)元件側(cè)。
11.如權(quán)利要求2所述的像素電路基板，其中，還具備對所述第1驅(qū)動元件及所述第2驅(qū)動元件進行開關(guān)的開關(guān)元件，所述開關(guān)元件具有柵電極、源電極和漏電極，所述開關(guān)元件的所述源電極、漏電極之中的一個連接于數(shù)據(jù)線，所述源電極、漏電極之中的另一個連接于所述第1驅(qū)動元件的所述柵電極及所述第2驅(qū)動元件的所述柵電極。
12.如權(quán)利要求2所述的像素電路基板，其中，還具備第1開關(guān)元件及第2開關(guān)元件，所述第1開關(guān)元件及第2開關(guān)元件各具有柵電極、源電極和漏電極，所述第1開關(guān)元件的所述源電極、漏電極之中的一個連接于所述第1驅(qū)動元件的所述柵電極及所述第2驅(qū)動元件的所述柵電極，所述第2開關(guān)元件的所述源電極、漏電極之中的一個連接于所述第1驅(qū)動元件的所述源電極及所述第2驅(qū)動元件的所述源電極、或者連接于所述第1驅(qū)動元件的所述漏電極及所述第2驅(qū)動元件的所述漏電極。
13.—種顯示裝置，其特征在于，具備如權(quán)利要求1所述的像素電路基板；對置電極；及發(fā)光層，配置在所述像素電極和所述對置電極之間。
14.一種電子設備，其特征在于，具備如權(quán)利要求13所述的顯示裝置。
15.一種像素電路基板的制造方法，其特征在于，具備如下步驟形成像素電極；及形成第1驅(qū)動元件和第2驅(qū)動元件，所述第1驅(qū)動元件連接于所述像素電極的一邊側(cè)， 所述第2驅(qū)動元件與所述第1驅(qū)動元件并聯(lián)連接，而且，連接于所述像素電極的與所述一邊側(cè)相對的另一邊側(cè)。
16.如權(quán)利要求15所述的像素電路基板的制造方法，其中，所述第1驅(qū)動元件及所述第2驅(qū)動元件是分別具備柵電極、半導體層、源電極和漏電極的驅(qū)動晶體管。
17.如權(quán)利要求16所述的像素電路基板的制造方法，其中，使用第1抗蝕劑掩膜，構(gòu)圖形成所述第1驅(qū)動元件的所述半導體層及所述第2驅(qū)動元件的所述半導體層；使用不同于所述第1抗蝕劑掩膜的第2抗蝕劑掩膜，構(gòu)圖形成所述第1驅(qū)動元件的所述源電極、漏電極及所述第2驅(qū)動元件的所述源電極、漏電極。
18.如權(quán)利要求17所述的像素電路基板的制造方法，其中，所述第1驅(qū)動元件及所述第2驅(qū)動元件分別具備配置在所述半導體層與所述源電極、 漏電極之間的溝道保護膜，使用不同于所述第1抗蝕劑掩膜及所述第2抗蝕劑掩膜的第3抗蝕劑掩膜，形成所述第1驅(qū)動元件的所述溝道保護膜及所述第2驅(qū)動元件的所述溝道保護膜。
全文摘要
本發(fā)明涉及像素電路基板、顯示裝置、電子設備及像素電路基板的制造方法，提供特性穩(wěn)定的像素電路基板。本發(fā)明的像素電路基板，其特征在于，具備像素電極；第1驅(qū)動元件，連接于所述像素電極的一邊側(cè)；及第2驅(qū)動元件，與所述第1驅(qū)動元件并聯(lián)連接，而且連接于所述像素電極的與所述一邊側(cè)相對的另一邊側(cè)。
文檔編號H01L27/32GK102194856SQ20111006530
公開日2011年9月21日 申請日期2011年3月17日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月17日
發(fā)明者松本廣, 松田邦宏, 田中幸一 申請人:卡西歐計算機株式會社