專利名稱：有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的方面涉及有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，更具體地說，涉及透明有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法。
背景技術(shù)：
由于有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備具有諸如寬視角、高對(duì)比度、短響應(yīng)時(shí)間以及低功耗之類的優(yōu)越特性，因此它們被廣泛用在諸如MP3播放器、移動(dòng)電話、電視等的個(gè)人便攜式設(shè)備中。而且，已經(jīng)利用透明薄膜晶體管和透明有機(jī)發(fā)光器件構(gòu)建了透明有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備。然而，由于透明有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的陰極由金屬形成，因此在提高透明有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的透射率方面存在限制。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一方面提供了對(duì)外部光具有高透射率的透明有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，還提供了一種包括具有以簡(jiǎn)單方式制成的透射窗的陰極的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，包括基板；形成在所述基板上的多個(gè)像素，所述像素中的每個(gè)具有發(fā)光的第一區(qū)域和透射外部光的第二區(qū)域；布置在所述像素的所述第一區(qū)域中的多個(gè)薄膜晶體管；布置在所述像素的所述第一區(qū)域中并且分別電連接到所述多個(gè)薄膜晶體管的多個(gè)第一電極；與所述多個(gè)第一電極相對(duì)形成并且包括與所述第二區(qū)域相對(duì)應(yīng)的多個(gè)透射窗的第二電極，其中所述多個(gè)透射窗中的每個(gè)具有島狀；以及形成在所述第一電極與所述第二電極之間的有機(jī)層。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法，該方法包括 在基板上限定多個(gè)像素，所述多個(gè)像素中的每個(gè)包括發(fā)光的第一區(qū)域和透射外部光的第二區(qū)域；在每個(gè)像素的所述第一區(qū)域中形成多個(gè)薄膜晶體管；在每個(gè)像素的所述第一區(qū)域中形成分別電連接到所述多個(gè)薄膜晶體管的多個(gè)第一電極；在所述多個(gè)第一電極上形成有機(jī)層；并且利用具有與所述第一區(qū)域相對(duì)應(yīng)的孔徑的圖案的掩模在所述有機(jī)層上形成第二電極，其中所述第二電極包括與所述第二區(qū)域相對(duì)應(yīng)的多個(gè)透射窗。根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，包括基板；形成在所述基板上的多個(gè)像素，每個(gè)像素包括發(fā)光的第一區(qū)域和通過多個(gè)透射窗透射外部光的第二區(qū)域，所述第一區(qū)域包括電路區(qū)域和發(fā)射區(qū)域；布置在每個(gè)像素的所述電路區(qū)域中的多個(gè)薄膜晶體管；布置在每個(gè)像素的所述第一區(qū)域中并且分別電連接到所述多個(gè)薄膜晶體管的多個(gè)第一電極；形成在所述多個(gè)第一電極中的每個(gè)上并且包括與所述第二區(qū)域相對(duì)應(yīng)的所述多個(gè)透射窗的第二電極；以及形成在所述第一電極與所述第二電極之間的有機(jī)層，其中所述多個(gè)透射窗彼此分離，并且每個(gè)透射窗與每個(gè)像素相對(duì)應(yīng)。根據(jù)本發(fā)明的一方面，可以盡可能防止透射外部光的第二區(qū)域的透射率的降低。 因此，用戶可以容易地觀察到外部圖像。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，所述透射窗可以利用簡(jiǎn)單的方法形成在所述第二電極中。本發(fā)明的其它方面和/或優(yōu)點(diǎn)部分地將記載在以下的描述中，并且部分地從以下描述中顯而易見，或者可以通過本發(fā)明的實(shí)踐而獲知。


本發(fā)明的這些和/或其它方面以及優(yōu)點(diǎn)從以下結(jié)合附圖對(duì)實(shí)施例的描述中將變得明顯并且更易于理解，附圖中圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的示意性截面圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的示意性平面圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的示意性平面圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的像素的截面圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于形成具有透射窗的第二電極的掩模的平面圖；圖6A至圖6D是示出通過利用圖5所示的掩模形成第二電極的操作的平面圖；圖7是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于形成具有透射窗的第二電極的掩模的平面圖；圖8是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的用于形成具有透射窗的第二電極的掩模的平面圖；以及圖9是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的像素的截面圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在將詳細(xì)說明本發(fā)明的當(dāng)前實(shí)施例，這些實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中相同的參考標(biāo)記始終表示相同的元件。為了說明本發(fā)明，下面參照附圖描述這些實(shí)施例。這里，應(yīng)當(dāng)理解，在這里陳述一膜或?qū)印靶纬稍凇钡诙踊蚰ぁ吧稀被蛘摺安贾迷凇?第二層或膜“上”的情況下，第一層或膜可以直接形成或布置在第二層或膜上，或者在第一層或膜與第二層或膜之間可以存在中間層或膜。進(jìn)一步，如這里所用到的那樣，術(shù)語(yǔ)“形成在...上”以與“位于...上”或“布置在...上”相同的含義使用，并且不意味著限制于任何特定的制造工藝。圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的示意性截面圖。參見圖1，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備包括基板1和放置在基板1上的顯示單元2。外部光經(jīng)由顯示單元2和基板1進(jìn)入有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備。如稍后將描述的那樣，顯示單元2透射外部光。參見圖1，顯示單元2允許位于基板1下方的用戶觀看在顯示單元2那邊的外部圖像。雖然圖1中示出朝向基板1顯示顯示單元2上的圖像的底發(fā)射型有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，但本發(fā)明的方面并不限于此，并且可以等同地適用于以與基板1相對(duì)的方向顯示顯示單元2上的圖像的頂發(fā)射型有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備。圖1示出根據(jù)本發(fā)明方面的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的兩個(gè)相鄰像素，即第一像素Pl和第二像素P2。第一像素Pl和第二像素P2中的每個(gè)包括第一區(qū)域31和第二區(qū)域32。圖像被顯示在第一區(qū)域31中的顯示單元2上，并且外部光穿過第二區(qū)域32中的顯示單元2。換句話說，由于第一像素Pl和第二像素P2中的每個(gè)包括顯示圖像的第一區(qū)域31 和透射外部光的第二區(qū)域32，因此當(dāng)用戶看不到通過第一區(qū)域31顯示的圖像時(shí)，用戶可以通過第二區(qū)域32看到外部圖像。因此，第二區(qū)域32不包括諸如薄膜晶體管、電容器、有機(jī)發(fā)光器件之類的器件，從而可以使外部光透射率最大化，并且可以盡可能防止由于諸如薄膜晶體管、電容器和有機(jī)發(fā)光器件之類的器件的干擾造成的透射圖像的失真。圖2是彼此相鄰的紅像素Pr、綠像素Pg和藍(lán)像素Pb的示意性平面圖。紅像素已、綠像素Pg和藍(lán)像素Pb中的每個(gè)包括位于第一區(qū)域31中的電路區(qū)域311 和發(fā)射區(qū)域312。電路區(qū)域311和發(fā)射區(qū)域312彼此相鄰。透射外部光的第二區(qū)域32與第一區(qū)域31相鄰。如圖2所示，獨(dú)立的第二區(qū)域32可以分別包括在紅像素Pp綠像素Pg和藍(lán)像素Pb 中?？商娲?，如圖3所示，第二區(qū)域32可以橫跨紅像素Pr、綠像素Pg和藍(lán)像素Pb彼此連接。在圖3的實(shí)施例中，可以增大外部光穿過的第二區(qū)域32的面積，從而可以提高整個(gè)顯示單元2的透射率。雖然在圖3中，紅像素Pp綠像素Pg和藍(lán)像素Pb的第二區(qū)域32彼此整體連接，但本發(fā)明的方面并不限于此，并且來(lái)自紅像素Pr、綠像素Pg和藍(lán)像素Pb之中的僅僅兩個(gè)相鄰像素的第二區(qū)域可以彼此連接。圖4示出圖2和圖3所示的紅像素己、綠像素Pg和藍(lán)像素Pb的截面。如圖4所示，薄膜晶體管TR被布置在電路區(qū)域311中。然而，包括薄膜晶體管TR 的像素電路也可以包括在電路區(qū)域311中?？商娲兀娐穮^(qū)域311可以進(jìn)一步包括存儲(chǔ)電容器和多個(gè)薄膜晶體管TR。在這種情況下，諸如連接到存儲(chǔ)電容器和這些薄膜晶體管TR 的掃描線、數(shù)據(jù)線和Vdd線之類的電線可以進(jìn)一步包括在電路區(qū)域311中。有機(jī)發(fā)光二極管EL可以布置在發(fā)射區(qū)域312中。有機(jī)發(fā)光二極管EL電連接到電路區(qū)域311的薄膜晶體管TR。緩沖層211被形成在基板1上，并且包括薄膜晶體管TR的像素電路被形成在緩沖層211上。首先，半導(dǎo)體有源層212被形成在緩沖層211上。緩沖層211由透明絕緣材料形成，并且防止雜質(zhì)元素滲透到基板1中并使基板1 的表面平坦化。緩沖層211可以由能夠執(zhí)行上述功能的各種材料中的任一種來(lái)形成。例如， 緩沖層211可以由諸如氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化鋁、氮化鋁、氧化鈦或氮化鈦之類的無(wú)機(jī)材料，以及諸如聚酰亞胺、聚酯或丙烯酸樹脂之類的有機(jī)材料或這些材料的堆疊形成。緩沖層211不是必要元件并且可以根本不形成。半導(dǎo)體有源層212可以由多晶硅形成，但并不限于此，并且可以由半導(dǎo)體氧化物形成。例如，半導(dǎo)體有源層212可以是G-I-Z-O層[a (In2O3) MGii2O3) C(SiO)層](其中a、 b和c是自然數(shù)，其分別滿足a彡0、b彡0且c > 0)。當(dāng)半導(dǎo)體有源層212由半導(dǎo)體氧化物形成時(shí)，可以提高第一區(qū)域31的電路區(qū)域311的光透射率，從而可以提高整個(gè)顯示單元 2的外部光透射率。柵極絕緣層213被形成在緩沖層211上，以便覆蓋半導(dǎo)體有源層212，并且柵電極 214被形成在柵極絕緣層213上。層間絕緣層215被形成在柵極絕緣層213上以便覆蓋柵電極214。源電極216和漏電極217被形成在層間絕緣層215上，以便經(jīng)由接觸孔接觸半導(dǎo)體有源層212。薄膜晶體管TR的結(jié)構(gòu)并不限于上述結(jié)構(gòu)，并且薄膜晶體管TR可以具有各種其它結(jié)構(gòu)。鈍化層218被形成為覆蓋薄膜晶體管TR。鈍化層218可以是單層或多層絕緣層， 其上表面被平坦化。鈍化層218可以由無(wú)機(jī)材料和/或有機(jī)材料形成。如圖4所示，有機(jī)發(fā)光二極管EL的電連接到薄膜晶體管TR的第一電極221被形成在鈍化層218上。第一電極221對(duì)應(yīng)于每個(gè)像素。絕緣層219由有機(jī)和/或無(wú)機(jī)絕緣材料形成在鈍化層218上，以至少覆蓋第一電極221的邊緣部分。絕緣層219僅僅暴露第一電極221的中央部分。雖然可以包括絕緣層219以覆蓋第一區(qū)域31，但第一絕緣層219不必覆蓋整個(gè)第一區(qū)域31，并且絕緣層219僅僅覆蓋第一區(qū)域31的一部分，特別是第一電極221的邊緣就足夠了。有機(jī)層223和第二電極222順序堆疊在第一電極221上。第二電極222覆蓋有機(jī)層223和絕緣層219，并且與所有像素相對(duì)應(yīng)的第二電極222彼此電連接。有機(jī)層223可以是低分子量有機(jī)層或者聚合物有機(jī)層。當(dāng)有機(jī)層223是低分子量有機(jī)層時(shí)，有機(jī)層223可以通過將空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、發(fā)射層(EML)、電子傳輸層(ETL)和電子注入層(EIL)堆疊在單結(jié)構(gòu)或復(fù)合結(jié)構(gòu)中來(lái)形成，并且可以由諸如銅酞菁(CuPc)、N，N' -二(萘-1-基)-N，N' - 二苯基-聯(lián)苯胺(NPB)或三-8-羥基喹啉鋁(AlqIB)之類的各種材料中的任一種來(lái)形成。低分子量有機(jī)層可以通過真空沉積來(lái)形成。 在這里，HIL、HTL、ETL和EIL是公共層，并且可以被共用到紅像素、綠像素和藍(lán)像素。第一電極221可以用作陽(yáng)極，而第二電極222可以用作陰極?？商娲?，第一電極 221可以用作陰極，而第二電極222可以用作陽(yáng)極。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，第一電極221可以是透明電極，而第二電極222可以是反射電極。第一電極221可以包括各具有高功函數(shù)的ITO、IZO、ZnO, In2O3等等。第二電極222 可以由具有低功函數(shù)的諸如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li或Ca之類的金屬形成。相應(yīng)地，有機(jī)發(fā)光二極管EL是朝向第一電極221發(fā)光的底發(fā)射型。然而，本發(fā)明的方面并不限于此，并且第二電極222也可以是透明型電極。鈍化層218、柵極絕緣層213、層間絕緣層215以及絕緣層219可以是透明絕緣層。密封基板4可以安裝在第二電極222上方。密封基板4位于顯示單元2的外部， 并且通過密封劑(未示出)與基板1結(jié)合以便保護(hù)第二電極222不受外部空氣侵害。濾光片(未示出)可以填充在密封基板4與第二電極222之間，并且濕氣吸收劑也可以插置在密封基板4與第二電極222之間。顯示單元2的密封結(jié)構(gòu)并不限于使用密封基板4，也可以使用膜狀密封結(jié)構(gòu)。透射窗2M被進(jìn)一步形成在第二電極222和絕緣層219中。透射窗2M可以僅僅形成在第二電極222中，或者可以形成在選自由鈍化層218、層間絕緣層215、柵極絕緣層 213以及緩沖層211組成的組中的至少一個(gè)中。透射窗2 被形成在與第二區(qū)域32相對(duì)應(yīng)的位置處。透射窗2 可以以諸如圖 2和圖3所示的圖案之類的任何圖案形成。然而，應(yīng)當(dāng)理解，透射窗可以具有與圖2和3所示的圖案不同的圖案。然而，難以在第二電極222中形成透射窗224，因?yàn)榈诙姌O222的金屬應(yīng)該利用具有與透射窗224的圖案相對(duì)應(yīng)的遮蔽部分的掩模來(lái)沉積，以便以該圖案形成透射窗224， 而且制造具有與該圖案相對(duì)應(yīng)的遮蔽部分的掩模非常困難。圖5所示的掩模5用于形成具有以這種圖案布置的透射窗224的第二電極222。掩模5具有與特定像素的第一區(qū)域31相對(duì)應(yīng)的孔徑51。圖5所示的孔徑51的圖案用于形成具有圖3所示的圖案的透射窗224。掩模5具有與三個(gè)相鄰像素，即紅像素、綠像素和藍(lán)像素的第一區(qū)域31相對(duì)應(yīng)的孔徑51?？讖?1的尺寸一般稍微大于這三個(gè)像素的總尺寸，以便在經(jīng)由孔徑51沉積用于形成第二電極222的材料時(shí)獲得的圖案彼此重疊。因此，第二電極222可以充當(dāng)公共電極。當(dāng)這三個(gè)像素構(gòu)成單元像素時(shí)，孔徑51彼此以與單元像素相對(duì)應(yīng)的距離在水平方向和垂直方向上分離開。在利用掩模5將用于形成第二電極222的金屬沉積在有機(jī)層223上時(shí)，得到圖6A 所示的圖案。在將掩模5水平移動(dòng)一個(gè)單元像素而后沉積金屬時(shí)，得到如圖6B所示的圖案。在將掩模5向下再移動(dòng)一個(gè)單元像素而后沉積金屬時(shí)，得到如圖6C所示的圖案。下文中，在將掩模5水平再移動(dòng)一個(gè)單元像素而后沉積金屬時(shí)，得到如圖6D所示的圖案。這樣，如圖 6D所示，得到具有圖3的圖案中的透射窗224的第二電極222。掩模5的孔徑51的圖案不限于圖5所示的圖案。換句話說，如果孔徑51被形成在圖5所示的四個(gè)相鄰的孔徑51的中央，并且位于中央的孔徑51與四個(gè)相鄰的孔徑51中的每個(gè)相同，則可以通過僅僅一次水平移動(dòng)掩模5得到具有圖6D所示的圖案的第二電極222。圖7和圖8示出與圖5的掩模5相比具有其它形狀的掩模5。與對(duì)應(yīng)于三個(gè)像素的第一區(qū)域31相對(duì)應(yīng)的孔徑51被形成在與透射窗2M相對(duì)應(yīng)的區(qū)域周圍。圖7所示的孔徑51的圖案可以允許通過水平移動(dòng)掩模5僅僅一次來(lái)得到具有圖6D所示的圖案的第二電極222。在這種情況下，由于孔徑51之間的間隔是足夠的，因此掩模5不會(huì)被張力破壞，而可以是穩(wěn)定的。圖8示出圖7的修改后的示例?？讖?1的中央向上且向下突起，因而在將圖7的掩模5水平移動(dòng)一個(gè)單元像素并執(zhí)行沉積時(shí)，在孔徑51的向上突起和向下突起上冗余地進(jìn)行沉積。因此，第二電極222可以在整個(gè)顯示單元上穩(wěn)定地形成而無(wú)任何中斷。上述實(shí)施例不僅適用于如圖4所示的包括薄膜晶體管TR的電路部分與第一電極 221不重疊的結(jié)構(gòu)，而且適用于如圖9所示的包括薄膜晶體管TR的電路部分與第一電極221重疊的結(jié)構(gòu)。在圖9所示的結(jié)構(gòu)的情況下，當(dāng)?shù)谝浑姌O221作為反射電極被形成時(shí)，可以得到電路部分的導(dǎo)電圖案被第一電極221遮蔽的效果。因此，可以抑制由于外部光被電路部分的導(dǎo)電圖案散射而造成的透過圖像的失真。盡管已經(jīng)示出并描述了本發(fā)明的幾個(gè)實(shí)施例，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將會(huì)理解，在不背離本發(fā)明的原理和精神的情況下，可以對(duì)這些實(shí)施例做出改變，其中本發(fā)明的原理和精神被限定在權(quán)利要求及其等同物中。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，包括 基板；形成在所述基板上的多個(gè)像素，每個(gè)像素包括發(fā)光的第一區(qū)域和透射外部光的第二區(qū)域；布置在每個(gè)像素的所述第一區(qū)域中的多個(gè)薄膜晶體管；布置在每個(gè)像素的所述第一區(qū)域中并且分別電連接到所述多個(gè)薄膜晶體管的多個(gè)第一電極；與所述多個(gè)第一電極相對(duì)形成并且包括與所述第二區(qū)域相對(duì)應(yīng)的多個(gè)透射窗的第二電極，其中所述多個(gè)透射窗中的每個(gè)具有島狀；以及形成在所述第一電極與所述第二電極之間的有機(jī)層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中針對(duì)每個(gè)像素，所述多個(gè)透射窗彼此分離。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中在至少兩個(gè)相鄰像素中的所述透射窗彼此連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第二電極由反光材料形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述多個(gè)第一電極由透光材料形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述多個(gè)第一電極與所述多個(gè)薄膜晶體管重疊。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中每個(gè)像素的所述第一區(qū)域包括發(fā)射區(qū)域和電路區(qū)域，所述薄膜晶體管被布置在所述電路區(qū)域中，并且所述第一電極被布置在所述發(fā)射區(qū)域中。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中每個(gè)像素的所述發(fā)射區(qū)域和所述電路區(qū)域彼此相鄰。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中圖像被顯示在每個(gè)像素的所述第一區(qū)域中，并且外部光穿過每個(gè)像素的所述第二區(qū)域。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中每個(gè)像素的所述第二區(qū)域不包括薄膜晶體管、電容器和有機(jī)發(fā)光器件。
11.一種制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法，該方法包括在基板上限定多個(gè)像素，所述多個(gè)像素中的每個(gè)包括發(fā)光的第一區(qū)域和透射外部光的第二區(qū)域；在每個(gè)像素的所述第一區(qū)域中形成多個(gè)薄膜晶體管；在每個(gè)像素的所述第一區(qū)域中形成分別電連接到所述多個(gè)薄膜晶體管的多個(gè)第一電極；在所述多個(gè)第一電極上形成有機(jī)層；并且利用具有與所述第一區(qū)域相對(duì)應(yīng)的孔徑的圖案的掩模在所述有機(jī)層上形成第二電極， 其中所述第二電極包括與所述第二區(qū)域相對(duì)應(yīng)的多個(gè)透射窗。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法，其中所述孔徑以規(guī)則的間隔彼此分離。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法，其中所述孔徑以小于或等于與至少一個(gè)像素相對(duì)應(yīng)的距離的間隔彼此分離。
14.一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，包括 基板；形成在所述基板上的多個(gè)像素，每個(gè)像素包括發(fā)光的第一區(qū)域和通過多個(gè)透射窗透射外部光的第二區(qū)域，所述第一區(qū)域包括電路區(qū)域和發(fā)射區(qū)域； 布置在每個(gè)像素的所述電路區(qū)域中的多個(gè)薄膜晶體管；布置在每個(gè)像素的所述第一區(qū)域中并且分別電連接到所述多個(gè)薄膜晶體管的多個(gè)第一電極；形成在所述多個(gè)第一電極中的每個(gè)上并且包括與所述第二區(qū)域相對(duì)應(yīng)的所述多個(gè)透射窗的第二電極；以及形成在所述第一電極與所述第二電極之間的有機(jī)層，其中所述多個(gè)透射窗彼此分離， 并且每個(gè)透射窗與每個(gè)像素相對(duì)應(yīng)。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第二電極由反光材料形成。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述多個(gè)第一電極由透光材料形成。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述多個(gè)第一電極與所述多個(gè)薄膜晶體管重疊。
全文摘要
一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法，該有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備對(duì)外部光具有高透射率。該有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備包括基板；形成在所述基板上的多個(gè)像素，所述像素中的每個(gè)包括發(fā)光的第一區(qū)域和透射外部光的第二區(qū)域；布置在每個(gè)像素的所述第一區(qū)域中的多個(gè)薄膜晶體管；布置在每個(gè)像素的所述第一區(qū)域中并且分別電連接到所述薄膜晶體管的多個(gè)第一電極；與所述多個(gè)第一電極相對(duì)形成并且包括與所述第二區(qū)域相對(duì)應(yīng)的多個(gè)透射窗的第二電極；以及形成在所述第一電極與所述第二電極之間的有機(jī)層。該透射窗可以形成在所述第二電極，即陰極中。
文檔編號(hào)H01L51/52GK102194854SQ20111005925
公開日2011年9月21日 申請(qǐng)日期2011年3月9日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月10日
發(fā)明者樸炳熙, 李周炫, 鄭震九 申請(qǐng)人:三星移動(dòng)顯示器株式會(huì)社