專利名稱：發(fā)光二極管及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體發(fā)光領(lǐng)域，特別是涉及一種發(fā)光二極管及其制造方法。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(LED，Light Emitting Diode)由于具有壽命長、耗能低等優(yōu)點(diǎn)，應(yīng)用于各種領(lǐng)域，尤其隨著其照明性能指標(biāo)日益大幅提高，LED在照明領(lǐng)域常用作發(fā)光裝置。其中，以氮化鎵(GaN)為代表的III-V族化合物半導(dǎo)體由于具有帶隙寬、發(fā)光效率高、電子飽和漂移速度高、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定等特點(diǎn)，在高亮度藍(lán)光發(fā)光二極管、藍(lán)光激光器等光電子器件領(lǐng)域有著巨大的應(yīng)用潛力，引起了人們的廣泛關(guān)注。然而，目前半導(dǎo)體發(fā)光二極管存在著發(fā)光效率低的問題。對于普通的未經(jīng)封裝的發(fā)光二極管，其出光效率一般只有百分之幾，大量的能量聚集在器件內(nèi)部不能出射，既造成能量浪費(fèi)，又影響器件的使用壽命。因此，提高半導(dǎo)體發(fā)光二極管的出光效率至關(guān)重要?；谏鲜龅膽?yīng)用需求，許多種提高發(fā)光二極管出光效率的方法被應(yīng)用到器件結(jié)構(gòu)中，例如表面粗糙化法，金屬反射鏡結(jié)構(gòu)等。CN 1858918A公開了一種全角度反射鏡結(jié)構(gòu) GaN基發(fā)光二極管及其制作方法。參考圖1，所述發(fā)光二極管包括襯底1、生長在襯底1上的全角度反射鏡4、以及制作在全角度反射鏡4上的GaN LED芯片13。所述GaN LED芯片 13包括藍(lán)寶石襯底5、N型GaN層6、有源區(qū)量子阱層7、P型GaN層8、P型電極9、P型焊盤10、N型電極11、N型焊盤12 ；其中，全角度反射鏡4生長在襯底1上，其是由高折射率層 3和低折射率層2堆疊排列成的，高折射率層3與藍(lán)寶石襯底5接觸，低折射率層2和襯底 1接觸，高折射率層的折射率nH >低折射率層的折射率nL >藍(lán)寶石材料的折射率n，且滿
足sin—1 < tan 1 ,其中，n、nH、nL為折射率。該專利通過在發(fā)光二極管下表面形成 nHnH
全角度反射鏡結(jié)構(gòu)，可以將GaN材料所發(fā)光在全角度范圍內(nèi)以高反射率向上反射，來提高發(fā)光二極管的出光效率。然而，該發(fā)光二極管制造方法需要在襯底上形成多層由高折射率層與低折射率層堆疊而成的薄膜結(jié)構(gòu)，制作工藝非常復(fù)雜，不利于推廣應(yīng)用。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管及其制造方法，以解決現(xiàn)有的發(fā)光二極管出光效率低的問題。本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管制造方法，所述發(fā)光二極管制造方法包括提供 (100)晶面的硅襯底；在所述硅襯底上形成圖形化掩膜層；以所述圖形化掩膜層為掩膜，濕法刻蝕所述硅襯底，將所述硅襯底的一部分轉(zhuǎn)變?yōu)?111)晶面，從而使得所述硅襯底表面呈錐形；去除所述圖形化掩膜層；在所述硅襯底的(111)晶面上依次形成第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層、有源層以及第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層；形成貫穿所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層和有源層的開口 ；在所述開口內(nèi)形成第一電極；在所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層上形成第二電極。在所述的發(fā)光二極管制造方法中，利用堿性溶液濕法刻蝕所述硅襯底。所述堿性溶液為四甲基氫氧化銨溶液或氫氧化鉀溶液或氫氧化鈉溶液。所述濕法刻蝕工藝的刻蝕溫度為60°C 80°C，刻蝕時(shí)間大于20分鐘。利用緩沖氫氟酸溶液去除所述圖形化掩膜層。在所述的發(fā)光二極管制造方法中，將所述硅襯底的一部分轉(zhuǎn)變?yōu)?111)晶面之后，還包括在所述硅襯底上依次形成第一緩沖層和第二緩沖層，所述第一緩沖層的材料為氮化鋁，所述第二緩沖層的材料為η型摻雜的氮化鎵或η型摻雜的鋁氮化鎵。在所述的發(fā)光二極管制造方法中，形成第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層之后，還包括在所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層上形成透明導(dǎo)電層，所述透明導(dǎo)電層的材料為鎳金材料。在所述的發(fā)光二極管制造方法中，所述第一導(dǎo)電類型為η型，所述第二導(dǎo)電類型為P型。所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的材料為η型摻雜的氮化鎵，所述有源層包括多量子阱有源層，所述多量子阱有源層的材料為銦氮化鎵；所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的材料為 P型摻雜的氮化鎵。相應(yīng)的，本發(fā)明還提供一種發(fā)光二極管，包括硅襯底，所述硅襯底包括(100)晶面硅襯底以及(111)晶面硅襯底，所述(111)晶面硅襯底的表面呈錐形；形成于所述(111) 晶面硅襯底上的第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層、有源層和第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層；貫穿所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層和有源層的開口 ；形成于所述開口內(nèi)的第一電極；形成于所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層上的第二電極。在所述的發(fā)光二極管中，還包括形成于所述(111)晶面硅襯底和第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層之間的第一緩沖層和第二緩沖層，所述第一緩沖層的材料為氮化鋁，所述第二緩沖層的材料為Π型摻雜的氮化鎵，所述接觸插塞貫穿第一緩沖層并與第二緩沖層相接觸。在所述的發(fā)光二極管中，還包括形成于所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層上的透明導(dǎo)電層，所述透明導(dǎo)電層的材料為鎳金材料。在所述的發(fā)光二極管中，所述第一導(dǎo)電類型為η型，所述第二導(dǎo)電類型為ρ型。所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的材料為η型摻雜的氮化鎵，所述有源層包括多量子阱有源層， 所述多量子阱有源層的材料為銦氮化鎵；所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的材料為P型摻雜的
氮化鎵。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明通過濕法刻蝕(100)晶面的硅襯底，將(100)晶面的硅襯底的一部分轉(zhuǎn)變?yōu)?111)晶面，從而使得硅襯底表面呈錐形，增加硅襯底對光的反射，提高發(fā)光二極管的外量子效率，進(jìn)而提高發(fā)光二極管的光利用率；并且，由于硅襯底表面呈錐形，可提高硅襯底與其它膜層的晶格匹配度，降低了在硅襯底表面生長外延層的缺陷密度并獲得均勻的應(yīng)力分布，提高發(fā)光二極管的內(nèi)量子效率，確保器件不易破裂；進(jìn)一步的，本發(fā)明提供的半導(dǎo)體器件還包括形成于所述(111)晶面硅襯底和第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層之間的第一緩沖層和第二緩沖層，所述第一緩沖層的材料為氮化鋁，所述第二緩沖層的材料為η型摻雜的氮化鎵或η型摻雜的鋁氮化鎵；所述氮化鋁在硅襯底上比較容易生長、制造成本較低；并且，采用第一緩沖層和第二緩沖層相組合的方式，可確保不會損傷到硅襯底，并可進(jìn)一步改善硅襯底與氮化鎵材料之間的晶格常數(shù)失配及應(yīng)力問題。


圖1為現(xiàn)有的發(fā)光二極管的示意圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)光二極管制造方法的流程示意圖；圖3A 3F為本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)光二極管制造方法的剖面示意圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例的(111)晶面硅襯底的俯視圖。
具體實(shí)施例方式請參考圖2，其為本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光二極管制造方法的流程示意圖，結(jié)合該圖，該方法包括以下步驟步驟S200，提供(100)晶面的硅襯底；步驟S210，在所述硅襯底上形成圖形化掩膜層；以所述圖形化掩膜層為掩膜，濕法刻蝕所述硅襯底，將所述硅襯底的一部分轉(zhuǎn)變?yōu)?111)晶面，從而使得所述硅襯底表面呈錐形；去除所述圖形化掩膜層；步驟S220，在所述硅襯底的(111)晶面上依次形成第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層、有源層以及第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層；步驟S230，形成貫穿所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層和有源層的開口 ；在所述開口內(nèi)形成第一電極；在所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層上形成第二電極。下面將結(jié)合剖面示意圖對本發(fā)明進(jìn)行更詳細(xì)的描述，其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本發(fā)明，而仍然實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。 因此，下列描述應(yīng)當(dāng)被理解為對于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道，而并不作為對本發(fā)明的限制。參照圖3A，首先，執(zhí)行步驟S200，提供(100)晶面的硅襯底300，所述(100)晶面的硅襯底是較為常用的襯底，成本相對較低。在本實(shí)施例中，所述硅襯底300為η型摻雜的硅襯底(n-Si)，所述硅襯底300的電阻率例如是1 20 Ω . cm。當(dāng)然，所述硅襯底300還可以是P型摻雜的硅襯底(P-Si)；并且，本發(fā)明也并不限定硅襯底的電阻率。參照圖:3B，接著，執(zhí)行步驟S210，在硅襯底300上形成圖形化掩膜層380，所述圖形化掩膜層380的材料例如為二氧化硅。在本實(shí)施例中，圖形化掩膜層380可通過以下步驟形成首先在硅襯底300上沉積掩膜層；然后在所述掩膜層上涂覆光阻層；再利用光刻顯影等工藝形成圖形化光阻層；之后再以所述圖形化光阻層為掩膜刻蝕所述掩膜層，從而形成圖形化掩膜層380。參照圖3C，接下來，以圖形化掩膜層380為掩膜，濕法刻蝕所述硅襯底300，將硅襯底300的一部分轉(zhuǎn)變?yōu)?111)晶面，從而使得硅襯底300表面呈錐形。隨后，去除所述圖形化掩膜層380。在本實(shí)施例中，所述圖形化掩膜層380的材料為二氧化硅，可利用緩沖氫氟酸溶液(BHF)去除圖形化掩膜層380。為敘述方便，以下將仍然是(100)晶面的部分硅襯底稱為(100)晶面硅襯底301，將轉(zhuǎn)變?yōu)?111)晶面的部分稱為(111)晶面硅襯底302。此外，為了圖示方便，在剖視圖中將(100)晶面硅襯底301和(111)晶面硅襯底302的交界面表示為水平線，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，實(shí)際的交界面并不一定是平面。經(jīng)本申請的發(fā)明人長期實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，不論掩模圖形如何，(100)晶面的硅襯底經(jīng)過一段時(shí)間的濕法刻蝕后，得到的邊界均是由(111)晶面組成，并且硅晶格結(jié)構(gòu)中(111)晶面與 (100)晶面具有一定角度(例如為54.74度)。因此，經(jīng)過濕法刻蝕工藝后，使得(111)晶面硅襯底302的表面呈錐形。錐形表面可以增加硅襯底對光的反射，提高發(fā)光二極管的外量子效率，從而提高發(fā)光二極管的光利用率；并且，由于所述硅襯底表面呈錐形，可提高硅襯底與其它膜層的晶格匹配度，減小形成于硅襯底上的膜層的晶體缺陷，釋放應(yīng)力并減少位錯，提高發(fā)光二極管的內(nèi)量子效率，并可確保器件不易破裂。如圖4所示，在本實(shí)施例中，所述(111)晶面硅襯底302的形狀大致為四棱錐，所述四棱錐的底面大致為正方形，所述正方形的邊長例如為0. 2 μ m 1 μ m，所述四棱錐的四個(gè)傾斜面為大小相等的等腰三角形，相鄰的四棱錐共用一個(gè)邊(即所述四棱錐是緊密排列的)。其中，可利用堿性溶液刻蝕所述硅襯底300。在本實(shí)施例中，所述濕法刻蝕工藝所采用的刻蝕液體優(yōu)選為四甲基氫氧化銨(TMAH)，該溶液對硅襯底具有較佳的刻蝕性能。所述濕法刻蝕工藝的刻蝕溫度例如為60°C 80°C，刻蝕時(shí)間大于20分鐘。當(dāng)然，所述堿性溶液還可以為氫氧化鉀(KOH)溶液或氫氧化鈉(NaOH)溶液，并且，所述刻蝕時(shí)間和刻蝕液體溫度也可相應(yīng)的調(diào)整。參考圖3D，接著，在(111)晶面硅襯底302上依次形成第一緩沖層311和第二緩沖層312，所述第一緩沖層311完全覆蓋(111)晶面硅襯底302。在本實(shí)施例中，所述第一緩沖層311為氮化鋁(AlN)，所述氮化鋁在硅襯底上比較容易生長；所述第二緩沖層312的材料為η型摻雜的氮化鎵(n-GaN)或η型摻雜的鋁氮化鎵(n-AWaN)。采用第一緩沖層311和第二緩沖層312相組合的方式，可確保不會損傷到硅襯底300，并可進(jìn)一步改善硅襯底300 與氮化鎵材料之間的晶格常數(shù)失配及應(yīng)力問題。參考圖3E，形成第一緩沖層311和第二緩沖層312之后，在第二緩沖層312上依次形成第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層320、有源層330、第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層340，所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層320、有源層330和第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層340構(gòu)成發(fā)光二極管的管芯。在本實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)電類型為η型，第二導(dǎo)電類型為P型。所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層 320的材料為η型摻雜的氮化鎵(n-GaN)；有源層330包括多量子阱有源層，所述多量子阱有源層的材料為銦氮化鎵(InGaN)；第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層340的材料為P型摻雜的氮化鎵(p-(iaN)。優(yōu)選的，在形成第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層340之后，在所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層 340上形成透明導(dǎo)電層350，所述透明導(dǎo)電層350有助于提高電導(dǎo)率，所述透明導(dǎo)電層350 的材料可采用鎳金材料(Ni/Au)?？衫贸Ｒ?guī)的金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)工藝形成第一緩沖層311、第二緩沖層312、第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層320、有源層330以及第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層340。參照圖3F，隨后，利用光刻和刻蝕的方法，形成貫穿所述透明導(dǎo)電層350、第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層340和有源層330的開口，所述開口暴露出有源層330的表面；再在所述開口內(nèi)形成第一電極360，用于連接第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層320和電源負(fù)極；并在所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層上(在本實(shí)施例中是透明導(dǎo)電層350上)形成第二電極370，用于連接第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層340和電源正極，從而形成水平的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)(也被稱為L型結(jié)構(gòu))。其中，所述第一電極360和第二電極370的材料例如是金鉬材料(Au/Pt)、金鉻材料(Au/Cr)或金鉬鉻材料(Au/Cr/Pt)。此外，在本發(fā)明其它實(shí)施例中，所述開口的深度也可延伸至第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層320，即所述開口也可貫穿部分厚度的第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層 320。在本實(shí)施例中，所述硅襯底300為η型摻雜的硅襯底(n_Si)，故無需進(jìn)行額外的離子注入工藝；在本發(fā)明的其他具體實(shí)施例中，所述硅襯底300也可選用ρ型摻雜的硅襯底 (P-Si)，為此，在濕法刻蝕硅襯底的步驟之后，需要先執(zhí)行第一次離子注入工藝，以在所述ρ 型摻雜的硅襯底中摻入η型離子；并在形成第二緩沖層312的步驟之后，再執(zhí)行第二次離子注入工藝，以在所述第二緩沖層312中注入η型離子。繼續(xù)參考圖3Ε，本發(fā)明還提供一種發(fā)光二極管，所述發(fā)光二極管包括硅襯底300，其中，硅襯底300包括(100)晶面硅襯底301以及(111)晶面硅襯底 302，所述(111)晶面硅襯底302的表面呈錐形；依次形成于(111)晶面硅襯底302上的第一緩沖層311和第二緩沖層312 ；依次形成于第二緩沖層312上的第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層320、有源層330、第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層340和透明導(dǎo)電層350，所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層320、有源層330和第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層340構(gòu)成發(fā)光二極管的管芯；貫穿所述透明導(dǎo)電層350、第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層340和有源層330的開口 ；形成于所述開口內(nèi)的第一電極360 ；形成于透明導(dǎo)電層350上的第二電極370。其中，所述第一緩沖層311的材料為氮化鋁，第二緩沖層312的材料為η型摻雜的氮化鎵或η型摻雜的鋁氮化鎵，所述氮化鋁在硅襯底上比較容易生長，制造成本較低；此外，采用第一緩沖層311和第二緩沖層312相組合的方式，可確保不會損傷到硅襯底300，并可進(jìn)一步改善硅襯底與氮化鎵材料之間的晶格常數(shù)失配及應(yīng)力問題。所述發(fā)光二極管用于發(fā)光時(shí)，將第二電極370連接至電源正極、第一電極360連接至電源負(fù)極，發(fā)光二極管管芯通過第二電極370與電源正極相連，通過第一電極360與電源負(fù)極相連，發(fā)光二極管管芯中的有源層330在電流作用下發(fā)光。由于(111)晶面硅襯底302 的表面呈錐形，可增加硅襯底對光的反射，提高發(fā)光二極管的外量子效率，提高發(fā)光二極管的光利用率；并可提高硅襯底300與其它膜層的晶格匹配度，降低了在所述硅襯底300表面生長外延層的缺陷密度并獲得均勻的應(yīng)力分布，提高發(fā)光二極管的內(nèi)量子效率。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管制造方法，包括提供(100)晶面的硅襯底；在所述硅襯底上形成圖形化掩膜層；以所述圖形化掩膜層為掩膜，濕法刻蝕所述硅襯底，將所述硅襯底的一部分轉(zhuǎn)變?yōu)?111)晶面，從而使得所述硅襯底表面呈錐形；去除所述圖形化掩膜層；在所述硅襯底的(111)晶面上依次形成第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層、有源層以及第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層；形成貫穿所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層和有源層的開口 ；在所述開口內(nèi)形成第一電極; 在所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層上形成第二電極。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管制造方法，其特征在于，利用堿性溶液濕法刻蝕所述硅襯底。
3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管制造方法，其特征在于，所述堿性溶液為四甲基氫氧化銨溶液或氫氧化鉀溶液或氫氧化鈉溶液。
4.如權(quán)利要求1或3所述的發(fā)光二極管制造方法，其特征在于，所述濕法刻蝕工藝的刻蝕溫度為60°C 80°C，刻蝕時(shí)間大于20分鐘。
5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管制造方法，其特征在于，利用緩沖氫氟酸溶液去除所述圖形化掩膜層。
6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管制造方法，其特征在于，將所述硅襯底的一部分轉(zhuǎn)變?yōu)?111)晶面之后，還包括在所述硅襯底上依次形成第一緩沖層和第二緩沖層，所述第一緩沖層的材料為氮化鋁，所述第二緩沖層的材料為η型摻雜的氮化鎵或η型摻雜的鋁氮化鎵。
7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管制造方法，其特征在于，形成第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層之后，還包括在所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層上形成透明導(dǎo)電層，所述透明導(dǎo)電層的材料為鎳金材料。
8.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管制造方法，其特征在于，所述第一導(dǎo)電類型為η型， 所述第二導(dǎo)電類型為P型。
9.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管制造方法，其特征在于，所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的材料為η型摻雜的氮化鎵，所述有源層包括多量子阱有源層，所述多量子阱有源層的材料為銦氮化鎵；所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的材料為P型摻雜的氮化鎵。
10.一種發(fā)光二極管，包括硅襯底，所述硅襯底包括(100)晶面硅襯底以及(111)晶面硅襯底，所述(111)晶面硅襯底的表面呈錐形；形成于所述(111)晶面硅襯底上的第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層、有源層和第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層；貫穿所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層和有源層的開口 ；形成于所述開口內(nèi)的第一電極；形成于所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層上的第二電極。
11.如權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管，其特征在于，還包括形成于所述(111)晶面硅襯底和第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層之間的第一緩沖層和第二緩沖層，所述第一緩沖層的材料為氮化鋁，所述第二緩沖層的材料為η型摻雜的氮化鎵或η型摻雜的鋁氮化鎵。
12.如權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管，其特征在于，還包括形成于所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層上的透明導(dǎo)電層，所述透明導(dǎo)電層的材料為鎳金材料。
13.如權(quán)利要求10至12中任意一項(xiàng)所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述第一導(dǎo)電類型為η型，所述第二導(dǎo)電類型為ρ型。
14.如權(quán)利要求13所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的材料為η型摻雜的氮化鎵，所述有源層包括多量子阱有源層，所述多量子阱有源層的材料為銦氮化鎵；所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的材料為P型摻雜的氮化鎵。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種發(fā)光二極管及其制造方法，包括提供(100)晶面的硅襯底；以圖形化掩膜層為掩膜，濕法刻蝕硅襯底，將硅襯底的一部分轉(zhuǎn)變?yōu)?111)晶面，從而使得硅襯底表面呈錐形；在硅襯底的(111)晶面上依次形成第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層、有源層以及第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層；形成貫穿所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層和有源層的開口；在所述開口內(nèi)形成第一電極；在所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層上形成第二電極。本發(fā)明可提高發(fā)光二極管的光利用率。
文檔編號H01L33/22GK102163662SQ201110059188
公開日2011年8月24日 申請日期2011年3月11日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月11日
發(fā)明者張汝京, 程蒙召, 肖德元, 饒青 申請人:映瑞光電科技(上海)有限公司