專利名稱：支承體機構(gòu)、負(fù)載鎖定裝置、處理裝置及搬送機構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用來支承板狀半導(dǎo)體晶片等被處理體的支承體構(gòu)造、以及使用它的負(fù)載鎖定裝置、處理裝置及搬送機構(gòu)。
背景技術(shù)：
一般情況下，為了制造半導(dǎo)體元器件等，必須對板狀的半導(dǎo)體晶片和玻璃基板等被處理體反復(fù)實施成膜處理、蝕刻處理、氧化擴散處理、改性處理等各種處理。例如，在單片式的真空處理裝置中，在對半導(dǎo)體晶片實施所述處理的情況下，在真空處理裝置的前段一側(cè)設(shè)置小容量、且能夠迅速地抽真空和恢復(fù)大氣壓的負(fù)載鎖定裝置。當(dāng)向所述真空處理裝置搬入或者從中搬出半導(dǎo)體晶片時，通過所述負(fù)載鎖定裝置進行操作，這樣就不會破壞真空處理裝置內(nèi)的真空，從而能夠進行所述搬入、搬出操作(專利文獻1等)。但是，根據(jù)真空處理裝置內(nèi)的處理，所述半導(dǎo)體晶片在多數(shù)情況下處于例如 300 700°C左右的高溫狀態(tài)，在通過所述負(fù)載鎖定裝置搬出該高溫狀態(tài)的半導(dǎo)體晶片的情況下，為了提高處理能力，在負(fù)載鎖定裝置內(nèi)，不會使半導(dǎo)體晶片出現(xiàn)熱伸縮引起的劃痕，將其迅速地冷卻至例如100°C左右的安全溫度，然后向后段一側(cè)搬出。此處，對現(xiàn)有的負(fù)載鎖定裝置的構(gòu)造進行說明。圖31是表示現(xiàn)有的負(fù)載鎖定裝置內(nèi)部的一個例子的構(gòu)造概圖。如圖所示，在負(fù)載鎖定裝置內(nèi)設(shè)置支承體構(gòu)造1。該支承體構(gòu)造1具有用來承受半導(dǎo)體晶片W的負(fù)載的支承體主體2，該支承體主體2被支柱4所支承。通過傳送在該支承體主體2上按照能夠向上方出沒的方式而設(shè)置的多根例如3根升降銷5，所述半導(dǎo)體晶片W 就被載放在支承體主體2上。在該支承體主體2上設(shè)置對半導(dǎo)體晶片W的溫度進行冷卻的冷卻套6，使制冷劑流經(jīng)其中，這樣就將高溫狀態(tài)的半導(dǎo)體晶片W冷卻至安全溫度。此外，在所述支承體主體2 上固定地設(shè)置多根非常短的支承銷8，例如9根左右，使半導(dǎo)體晶片W的背面鄰接該支承銷 8的上端，從而對其進行支承。于是，通過用支承銷8來支承半導(dǎo)體晶片W的背面(下面)，這樣就在半導(dǎo)體晶片 W的背面和支承體主體2的平坦的上面之間形成1毫米以下的微小間隙。其目的在于，使其不會發(fā)生有可能導(dǎo)致半導(dǎo)體晶片W發(fā)生斷裂等的急劇冷卻，從而迅速地冷卻半導(dǎo)體晶片W。專利文獻1日本特開2007-260624號公報

發(fā)明內(nèi)容
如上所述，使用在支承體主體2的上面設(shè)置的短的支承銷8支承半導(dǎo)體晶片W，這樣，不會使半導(dǎo)體晶片W發(fā)生破裂等，從而能夠迅速地冷卻該溫度。但是，被支承在所述支承體主體2上的半導(dǎo)體晶片W根據(jù)所述所實施的處理方式， 有時處于300 700°C左右的高溫狀態(tài)。在此情況下，雖然也由半導(dǎo)體晶片W的溫度和尺寸決定，但是，隨著冷卻，半導(dǎo)體晶片本身不可避免地發(fā)生0. 1 0.4毫米左右的熱伸縮。結(jié)果就產(chǎn)生了以下問題因在半導(dǎo)體晶片W的背面和與其鄰接的支承銷8的上端之間產(chǎn)生的摩擦，在半導(dǎo)體晶片背面產(chǎn)生劃痕和劃傷等，因該劃傷而產(chǎn)生顆粒，或者在后面的工藝中， 以該劃傷的部分為中心集中地形成厚的多余膜，因此，在曝光工藝時發(fā)生聚焦偏移等。作為半導(dǎo)體元器件的制造裝置的相關(guān)技術(shù)，也有在日本特開昭62-193139號公報中公開的球抵接型半導(dǎo)體晶片卡盤，它通過真空吸附將半導(dǎo)體晶片固定在卡盤主體的鋼球上，并且根據(jù)需要使其變成規(guī)定的形狀，并沒有解決所述這些問題。本發(fā)明就是鑒于以上的各種問題，為了有效地解決它們而產(chǎn)生的。本發(fā)明是一種當(dāng)支承半導(dǎo)體晶片等被處理體時，能夠防止在其背面(下面)出現(xiàn)劃痕和劃傷等的支承體機構(gòu)、負(fù)載鎖定裝置、處理裝置及搬送機構(gòu)。本發(fā)明的第一方面是一種支承體構(gòu)造，其特征在于，在用來支承板狀的被處理體的支承體構(gòu)造中包括用來承受所述被處理體的負(fù)載的支承體主體；在所述支承體主體的上面形成的多個凹部狀的支承體收納部；和被收納在所述各個支承體收納部內(nèi)，且其上端比所述支承體主體的上面更向上方突出，在所述上端鄰接并支承所述被處理體的下面，同時能夠在所述支承體收納部內(nèi)轉(zhuǎn)動的支承體。于是，在用來支承板狀被處理體的支承體構(gòu)造中，在用來承受被處理體的負(fù)載的支承體主體的上面形成多個凹部狀的支承體收納部，并且設(shè)置支承體，它被收納在各個支承體收納部內(nèi)、且上端比支承體主體的上面更向上方突出，在上端鄰接并支承被處理體的下面，同時能夠在支承體收納部內(nèi)轉(zhuǎn)動，因此，當(dāng)支承半導(dǎo)體晶片等被處理體時，即使因例如冷卻和加熱，被處理體發(fā)生熱伸縮，也能防止在該被處理體的背面(下面)出現(xiàn)劃痕和劃傷等。本發(fā)明的第十方面是一種支承體構(gòu)造，其特征在于，在用來支承板狀的被處理體的支承體構(gòu)造中包括用來承受所述被處理體的負(fù)載的支承體主體；在所述支承體主體的上面形成的多個凹部狀的支承體收納部；和被收納在所述各個支承體收納部內(nèi)，且其上端比所述支承體主體的上面更向上方突出，在所述上端鄰接并支承所述被處理體，同時能夠在所述支承體收納部內(nèi)轉(zhuǎn)動的支承體。于是，在用來支承板狀被處理體的支承體構(gòu)造中，在用來承受被處理體的負(fù)載的支承體主體的上面形成多個凹部狀的支承體收納部，并且設(shè)置支承體，它被收納在各個支承體收納部內(nèi)、且上端比支承體主體的上面更向上方突出，在上端鄰接并支承被處理體的下面，同時能夠在支承體收納部內(nèi)轉(zhuǎn)動，因此，當(dāng)支承半導(dǎo)體晶片等被處理體時，即使因例如冷卻和加熱，被處理體發(fā)生熱伸縮，也能防止在該被處理體的背面(下面)出現(xiàn)劃痕和劃傷等。本發(fā)明的第十四方面是一種支承體構(gòu)造，其特征在于，在用來支承板狀的被處理體的支承體構(gòu)造中包括用來承受所述被處理體的負(fù)載的支承體主體；在所述支承體主體的上面形成的多個凹部狀的支承體收納部；和被收納在所述各個支承體收納部內(nèi)，且其上端比所述支承體主體的上面更向上方突出，在所述上端鄰接并支承所述被處理體的下面， 同時能夠在所述支承體收納部內(nèi)轉(zhuǎn)動的支承體。于是，在用來支承板狀被處理體的支承體構(gòu)造中，在用來承受被處理體的負(fù)載的支承體主體的上面形成多個凹部狀的支承體收納部，并且設(shè)置支承體，它被收納在各個支承體收納部內(nèi)、且上端比支承體主體的上面更向上方突出，在上端鄰接并支承被處理體的下面，同時能夠在支承體收納部內(nèi)旋轉(zhuǎn)，因此，當(dāng)支承半導(dǎo)體晶片等被處理體時，即使因例如冷卻和加熱，被處理體發(fā)生熱伸縮，也能防止在該被處理體的背面(下面)出現(xiàn)劃痕和劃傷等。本發(fā)明的第十八方面是一種負(fù)載鎖定裝置，其特征在于，在隔著閘閥將真空室和大氣室之間連結(jié)、并且能夠選擇真空氣氛和大氣壓氣氛的負(fù)載鎖定裝置中包括能夠抽真空及恢復(fù)大氣壓的負(fù)載鎖定用容器；在所述負(fù)載鎖定用容器內(nèi)設(shè)置的本發(fā)明的第一至第十五方面中任意一項所述的支承體構(gòu)造；加熱以及/或者冷卻所述被處理體的熱源部；使所述被處理體降落在支承體主體上以及從支承體主體上離開的升降機構(gòu)；和對所述負(fù)載鎖定用容器內(nèi)的氣氛抽真空的排氣單元。本發(fā)明的第十九方面是一種負(fù)載鎖定裝置，其特征在于，在隔著閘閥與真空室和大氣室之間連結(jié)、并且能夠選擇真空氣氛和大氣壓氣氛的負(fù)載鎖定裝置中包括負(fù)載鎖定用容器；在所述負(fù)載鎖定用容器內(nèi)設(shè)置、且為了多段地支承多枚被處理體，具有多個本發(fā)明的第一至第十五方面中任意一項所記載的支承體構(gòu)造的支承單元；為了噴射大氣壓復(fù)原用的氣體作為冷卻氣體，具有與所述支承體構(gòu)造對應(yīng)設(shè)置的氣體噴射孔的氣體導(dǎo)入單元；和對所述負(fù)載鎖定用容器內(nèi)的氣氛抽真空的排氣單元。本發(fā)明的第二十三方面是一種處理裝置，其特征在于，在對被處理體實施規(guī)定處理的處理裝置中包括收納所述被處理體的處理容器；在所述處理容器內(nèi)設(shè)置的本發(fā)明的第一至第十七方面中任意一項所記載的支承體構(gòu)造；加熱所述被處理體的加熱部件；使所述被處理體降落在支承體主體上以及從支承體主體上離開的升降機構(gòu)；向所述處理容器內(nèi)供給所需氣體的氣體供給單元；和排出所述處理容器內(nèi)的氣氛的排氣單元。本發(fā)明的第二十六方面是一種搬送機構(gòu)，其特征在于，在用來搬送被處理體的搬送機構(gòu)中包括能夠伸縮和旋轉(zhuǎn)的手臂部；在所述手臂部的頂端設(shè)置的本發(fā)明的第一至第十五方面中任意一項所述的支承體構(gòu)造。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明的支承體機構(gòu)、負(fù)載鎖定裝置、處理裝置及搬送機構(gòu)，能夠發(fā)揮以下良好的作用效果。根據(jù)本發(fā)明第一方面及引用它的發(fā)明，在用來支承板狀被處理體的支承體構(gòu)造中，在用來承受被處理體的負(fù)載的支承體主體的上面形成多個凹部狀的支承體收納部，并且設(shè)置支承體，它被收納在各個支承體收納部內(nèi)、且上端比支承體主體的上面更向上方突出，在上端鄰接并支承被處理體的下面，同時能夠在支承體收納部內(nèi)旋轉(zhuǎn)，因此，當(dāng)支承半導(dǎo)體晶片等被處理體時，即使因例如冷卻和加熱，被處理體發(fā)生熱伸縮，也能防止在該被處理體的背面(下面)出現(xiàn)劃痕和劃傷等。根據(jù)本發(fā)明第十方面及引用它的發(fā)明，在用來支承板狀被處理體的支承體構(gòu)造中，在用來承受被處理體的負(fù)載的支承體主體的上面形成多個凹部狀的支承體收納部，并且設(shè)置支承體，它被收納在各個支承體收納部內(nèi)、且上端比支承體主體的上面更向上方突出，在上端鄰接并支承被處理體的下面，同時能夠在支承體收納部內(nèi)搖動，因此，當(dāng)支承半導(dǎo)體晶片等被處理體時，即使因例如冷卻和加熱，被處理體發(fā)生熱伸縮，也能防止在該被處理體的背面(下面)出現(xiàn)劃痕和劃傷等。根據(jù)本發(fā)明第十四方面及引用它的發(fā)明，在用來支承板狀被處理體的支承體構(gòu)造中，在用來承受被處理體的負(fù)載的支承體主體的上面形成多個凹部狀的支承體收納部，并且設(shè)置支承體，它被收納在各個支承體收納部內(nèi)、且上端比支承體主體的上面更向上方突出，在上端鄰接并支承被處理體的下面，同時能夠在支承體收納部內(nèi)旋轉(zhuǎn)，因此，當(dāng)支承半導(dǎo)體晶片等被處理體時，即使因例如冷卻和加熱，被處理體發(fā)生熱伸縮，也能防止在該被處理體的背面(下面)出現(xiàn)劃痕和劃傷等。根據(jù)本發(fā)明第十八至第二十七方面的發(fā)明，當(dāng)支承半導(dǎo)體晶片等被處理體時，即使因例如冷卻和加熱，被處理體發(fā)生熱伸縮，也能防止在該被處理體的背面(下面)出現(xiàn)劃痕和劃傷等。


圖1是表示配備了具有本發(fā)明的支承體構(gòu)造的負(fù)載鎖定裝置的一例普通處理系統(tǒng)的概略平面圖。圖2是表示圖1所示的處理系統(tǒng)的概略截面圖。圖3是表示在負(fù)載鎖定裝置內(nèi)所設(shè)置的本發(fā)明的支承體構(gòu)造的截面圖。圖4是表示支承體構(gòu)造的支承體主體的平面圖。圖5是表示在支承體主體的表面所形成的一個支承體單元的放大圖。圖6表示支承體主體的第1變形實施例。圖7表示本發(fā)明的支承體構(gòu)造的第2變形實施例。圖8是表示本發(fā)明的支承體構(gòu)造的第3變形實施例的支承體單元部分的放大截面圖。圖9是表示本發(fā)明的支承體構(gòu)造的第4變形實施例的支承體單元部分的放大截面圖。圖10是表示本發(fā)明的支承體構(gòu)造的第5變形實施例的支承體單元部分的放大截面圖。圖11表示本發(fā)明的支承體構(gòu)造的第6變形實施例的支承體單元。圖12表示本發(fā)明的支承體構(gòu)造的第7變形實施例的支承體單元。圖13表示本發(fā)明的支承體構(gòu)造的第8變形實施例的支承體單元。圖14表示本發(fā)明的支承體構(gòu)造的第9變形實施例的支承體單元。圖15表示本發(fā)明的支承體構(gòu)造的第10變形實施例的支承體單元。圖16表示本發(fā)明的支承體構(gòu)造的第11變形實施例的支承體單元。圖17表示所測定的顆粒數(shù)值。圖18是表示與支承體鄰接的半導(dǎo)體晶片背面的一例狀態(tài)的電子顯微鏡圖。圖19是表示支承體構(gòu)造的支承體主體的變形例的立體圖。圖20是在設(shè)在傳輸腔內(nèi)的第1搬送機構(gòu)中應(yīng)用本發(fā)明的支承體構(gòu)造時的概略平面圖。圖21表示爪形的第1變形例。圖22表示爪形的第2變形例。圖23是表示應(yīng)用本發(fā)明的支承體構(gòu)造的多枚用負(fù)載鎖定裝置的縱截面圖。圖M是表示支承被處理體的支承單元的一部分的部分放大截面圖。
圖25是表示一例支承單元的支承部的平面圖。圖沈是表示負(fù)載鎖定裝置的變形實施例的支承單元的截面放大圖。圖27表示應(yīng)用本發(fā)明的支承體構(gòu)造的一例升降機構(gòu)。圖觀是用來說明圖27所示的升降機構(gòu)操作的操作說明圖。圖四是表示應(yīng)用了本發(fā)明的支承體構(gòu)造的半間歇式的處理裝置的載放臺的立體圖。圖30是表示圖四所示的處理裝置的一部分的部分放大截面圖。圖31是表示現(xiàn)有的負(fù)載鎖定裝置的內(nèi)部的一個例子的概略構(gòu)造圖。符號說明12 處理系統(tǒng)14A 14D 處理裝置16 傳輸腔20A、20B負(fù)載鎖定裝置22A 22D載放臺(支承體構(gòu)造)24第1搬送機構(gòu)25A、25B 爪26A.26B 支承體構(gòu)造30載入模塊34第2搬送機構(gòu)35A、35B 爪40 處理容器44加熱部件46 升降機構(gòu)58 氣體供給單元62 排氣單元70負(fù)載鎖定用容器74升降機構(gòu)92氣體導(dǎo)入通道96 排氣單元104 支承體主體106 支承體收納部108 支 7 體110熱源部112 冷卻套114 支承體單元116A 水平阻止面124飛出防護罩部件166支承部(支承體構(gòu)造)168 支承單元
170A 170D 支柱182 氣體導(dǎo)入單元183氣體導(dǎo)入通道W半導(dǎo)體晶片(被處理體)
具體實施例方式下面，根據(jù)附圖，對本發(fā)明的支承體機構(gòu)、負(fù)載鎖定裝置、處理裝置及搬送機構(gòu)的一個實施例進行詳細地闡述。圖1是表示配備了具有本發(fā)明的支承體構(gòu)造的負(fù)載鎖定裝置的一例普通處理系統(tǒng)的概略平面圖，圖2是表示圖1所示的處理系統(tǒng)的概略截面圖，圖3是表示在負(fù)載鎖定裝置內(nèi)設(shè)置的本發(fā)明的支承體構(gòu)造的截面圖，圖4是表示支承體構(gòu)造的支承體主體的平面圖，圖5是表示在支承體主體的表面形成的一個支承體單元的放大圖，圖5(A)表示其截面圖，圖5(B)表示其平面圖。首先，對配備了具有本發(fā)明的支承體構(gòu)造的負(fù)載鎖定裝置和處理裝置的處理系統(tǒng)的一個例子進行說明。如圖1及圖2所示，該處理系統(tǒng)12具有能夠被抽真空的4個處理裝置14A、14B、14C、14D。這些處理裝置14A 14D使用在成膜處理和蝕刻處理等真空氣氛下進行的全部處理裝置。這些處理裝置14A 14D分別隔著閘閥G連接在能夠被抽真空的六角形的傳輸腔16的周圍。該處理系統(tǒng)12具有在不破壞該真空的情況下向所述傳輸腔16 內(nèi)搬送作為被處理體的半導(dǎo)體晶片W的負(fù)載鎖定裝置20A、20B，兩個負(fù)載鎖定裝置20A、20B 分別隔著閘閥G與所述傳輸腔16連接。在所述各個處理裝置14A 14D內(nèi)分別設(shè)有用來載放半導(dǎo)體晶片W的載放臺 22A 22D。此外，在所述傳輸腔16內(nèi)設(shè)有為了搬送半導(dǎo)體晶片W而能夠彎曲伸長和旋轉(zhuǎn)的第1搬送機構(gòu)對，在各個處理裝置14A 14D之間以及它們和各個負(fù)載鎖定裝置20A、20B 之間能夠移動載放半導(dǎo)體晶片W。具體來講，該第1搬送機構(gòu)M主要由以下兩部分構(gòu)成 所述能夠彎曲伸長和旋轉(zhuǎn)的手臂部25 ；和在該手臂部25的頂端設(shè)置的2個爪25A、25B，在這些爪25A、25B上直接載放和支承半導(dǎo)體晶片W，這樣就能按照所述的方法搬送。在各個負(fù)載鎖定裝置20A、20B內(nèi)分別設(shè)有用來暫時支承半導(dǎo)體晶片W的本發(fā)明的支承體構(gòu)造^AJ6B。將在后面對該支承體構(gòu)造^A、26B進行闡述。在所述負(fù)載鎖定裝置 20A、20B的相反一側(cè)，分別隔著閘閥G安裝橫長的載入模塊30。在該載入模塊30的一側(cè)設(shè)有用來載放能夠收納多枚半導(dǎo)體晶片的卡型盒(圖中未示)的I/O端口 32。在該載入模塊 30內(nèi)設(shè)有能夠彎曲伸長和旋轉(zhuǎn)的第2搬送機構(gòu)34。具體來講，該第2搬送機構(gòu)34主要由以下兩部分構(gòu)成所述能夠彎曲伸長和旋轉(zhuǎn)的手臂部35 ；和在該手臂部35的頂端設(shè)置的2個爪35A、35B，在這些爪35A、35B上直接載放和支承半導(dǎo)體晶片W，這樣就能進行搬送。此外，該第2搬送機構(gòu)34能夠沿著導(dǎo)軌36向其縱向移動。在該載入模塊30的一端設(shè)置用來進行半導(dǎo)體晶片W的定位和定向的定位器 37，這樣，在將半導(dǎo)體晶片W搬入處理裝置14A 14D之前，就在此處進行半導(dǎo)體晶片W的定位和定向。(處理裝置)此處，參照圖2對各個處理裝置進行說明。在圖2中，代表4個處理裝置14A 14D，表示了處理裝置14A，在其中設(shè)置載放臺22A。代表2個負(fù)載鎖定裝置20A、20B，表示了負(fù)載鎖定裝置20A。該處理裝置14A具有例如由鋁合金等形成箱形的處理容器40。設(shè)在該處理容器 40內(nèi)的所述載放臺22A被安裝在從容器底部豎立的支柱42的上端。在該載放臺22A內(nèi)，例如以埋入的方式設(shè)置由電阻加熱器構(gòu)成的加熱部件44，它能夠?qū)⑤d放在載放臺22A上的半導(dǎo)體晶片W加熱至規(guī)定的溫度。此外，在該載放臺22A上設(shè)置當(dāng)搬入搬出半導(dǎo)體晶片W時頂起和下壓該半導(dǎo)體晶片W的升降機構(gòu)46。具體來講，該升降機構(gòu)46具有3根(在圖示中僅表示2根)升降銷48，各個升降銷48的下端部被形成圓弧狀的升降板50共同支承。該升降板50在貫穿容器底部而設(shè)置的升降桿51的上端被支承，并且，該升降桿51通過制動器52能夠升降。此外，在所述升降桿51的貫通部中設(shè)置金屬風(fēng)箱M，用來保持所述處理容器40內(nèi)的氣密性，同時能夠伸縮以允許該升降桿51的升降。在所述載放臺22A上設(shè)置用來使所述升降銷48貫穿的銷貫穿孔56，當(dāng)搬入搬出半導(dǎo)體晶片W時，使所述升降銷48升降，這樣就能使其由該銷貫穿孔56向上方隱現(xiàn)。此外， 在處理容器40的頂部設(shè)置例如由噴頭構(gòu)成的氣體供給單元58，它向處理容器40內(nèi)供給所需的氣體。當(dāng)然，該氣體供給單元58僅限于噴頭。在容器底部設(shè)有排氣口 60，在該排氣口 60中設(shè)有用來排出處理容器40內(nèi)的氣氛的排氣單元62。具體來講，所述排氣單元62具有與所述排氣口 60連結(jié)的氣體通道64。在該氣體通道64中依次設(shè)置用來調(diào)整容器內(nèi)壓力的壓力調(diào)整閥66及真空泵68，這樣就能對處理容器40內(nèi)的氣氛抽真空同時調(diào)整壓力。例如，在這樣形成的處理裝置14A內(nèi)進行例如成膜處理。此外，作為其它的處理裝置14B 14D，根據(jù)需要，使用與對半導(dǎo)體晶片W應(yīng)該實施的各種處理對應(yīng)的處理裝置，此外，還可以使用等離子體處理裝置。與所述各個處理裝置 14A 14D連結(jié)的傳輸腔16例如能夠供給氮氣等惰性氣體，并且，該內(nèi)部氣氛也能夠被抽真空，但是，在操作時經(jīng)常被保持在真空氣氛。(負(fù)載鎖定裝置)下面，對負(fù)載鎖定裝置進行說明。所述2個負(fù)載鎖定裝置20A、20B完全相同，因此， 此處，對其中一個負(fù)載裝置20A的構(gòu)造進行說明。首先，該負(fù)載鎖定裝置20A例如具有由鋁合金等形成箱形的負(fù)載鎖定用容器70。 在該負(fù)載鎖定用容器70內(nèi)設(shè)置的所述本發(fā)明的支承體構(gòu)造26A也如圖3所示，被安裝在從容器底部豎立的支柱72的上端。此處，所述支承體構(gòu)造26A形成比半導(dǎo)體晶片W的尺寸略大的厚的圓板狀。在該支承體構(gòu)造26A上設(shè)置當(dāng)搬入搬出半導(dǎo)體晶片W時頂起和下壓該半導(dǎo)體晶片W的升降機構(gòu)74。具體來講，該升降機構(gòu)74具有3根(在圖示中僅表示2根)升降銷76，各個升降銷76的下端部被形成圓弧狀的升降板78共同支承。該升降板78在貫穿容器底部而設(shè)的升降桿80的上端被支承，并且，該升降桿80通過制動器82能夠升降。此外，在所述升降桿 80的貫通部中設(shè)置金屬風(fēng)箱84，用來保持所述負(fù)載鎖定容器70內(nèi)的氣密性，同時能夠伸縮以允許該升降桿80的升降。在所述支承體構(gòu)造26k中設(shè)置用來使所述升降銷76貫穿的銷貫穿孔86。當(dāng)搬入搬出半導(dǎo)體晶片W時，使所述升降銷76升降，能夠從該銷貫穿孔86向上方出沒。此外，在負(fù)載鎖定容器70的底部設(shè)置氣體導(dǎo)入口 88。該氣體導(dǎo)入口 88與在中途設(shè)有開關(guān)閥90的氣體導(dǎo)入通道92連接，能夠根據(jù)需要供給氮氣等惰性氣體。在容器底部設(shè)置排氣口 94，在該排氣口 94中設(shè)有用來排出負(fù)載鎖定容器70內(nèi)的氣氛的排氣單元96。具體來講，所述排氣單元96具有與所述排氣口 94連結(jié)的氣體通道98。 在該氣體通道98中依次設(shè)置開關(guān)閥100及真空泵102，能夠?qū)ω?fù)載鎖定容器70內(nèi)的氣氛抽真空。如圖3至圖5所示，所述支承體構(gòu)造26A主要具有用來承受所述半導(dǎo)體晶片W的負(fù)載的支承體主體104 ；在其上面形成的多個支承體收納部106 ；和被收納在該支承體收納部106內(nèi)、且在上端鄰接并支承所述半導(dǎo)體晶片W，同時能夠轉(zhuǎn)動的支承體108。具體來講，所述支承體主體104形成比所述半導(dǎo)體晶片W的直徑略大的厚的圓板狀，其上面形成平坦面。該支承體主體104例如由鋁合金和鎳合金、或者氮化鋁和氧化鋁等陶瓷材料構(gòu)成。在該支承體主體104內(nèi)設(shè)置用來加熱以及/或者冷卻半導(dǎo)體晶片W的熱源部110。此處，作為所述熱源部110，制冷劑流經(jīng)其中的冷卻套112以埋入的方式設(shè)置在所述支承體主體104的大概整個表面，并且向在其上面一側(cè)被支承的半導(dǎo)體晶片W提供冷熱， 然后對其進行冷卻。此處，在預(yù)熱所應(yīng)處理的半導(dǎo)體晶片W的情況下，作為所述熱源部110，也可以設(shè)置電阻加熱器等來取代所述冷卻套112，向半導(dǎo)體晶片W提供溫?zé)帷４送?，在能夠有選擇地進行半導(dǎo)體晶片W的冷卻和加熱的情況下，作為所述熱源部110，設(shè)置如帕爾帖元件這樣的熱電轉(zhuǎn)換元件，根據(jù)需要切換流經(jīng)它的電流方向，從而能夠有選擇地進行加熱和冷卻。在所述支承體主體104的平坦的上面形成多個呈凹部狀的所述支承體收納部 106。此處，支承體收納部106在所述支承體主體104的中周部分按照120度的間隔設(shè)置3 個，在外周部分按照60度的間隔設(shè)置6個，一共設(shè)置9個。此外，它們的個數(shù)并非局限于此。 在所述各個支承體收納部106內(nèi)分別收納1個所述支承體108。S卩，由所述1個支承體收納部106和被收納在其中的1個支承體108形成1個支承體單元114，此處，共計設(shè)置9個支承體114。具體來講，所述支承體108也如圖5所示，此處形成直徑為幾毫米例如3 7毫米的范圍內(nèi)的球形，并且能夠轉(zhuǎn)動。此外，支承體108的直徑并非局限于上述數(shù)值。該球形支承體108的材料可以使用耐熱性的材料，例如石英、氮化鋁等陶瓷材料，在金屬污染少的情況下，也可以使用鎳和鈦等金屬。如前所述，使半導(dǎo)體晶片W的下面鄰接所述支承體108的上端，然后支承它。因此，即使半導(dǎo)體晶片W熱伸縮，因上述球形支承體108轉(zhuǎn)動，這樣也能吸收半導(dǎo)體晶片W的熱伸縮量。此外，所述支承體106的底面116形成曲面形狀，當(dāng)使所述半導(dǎo)體晶片W離開支承體108時，該支承體108因自重而恢復(fù)到初始位置，即原點位置。具體來講，該支承體收納部106的底面116形成其中央部最低的曲面形狀，該中央部是支承體108的初始位置(原點位置)。所述支承體收納部106的底面116的曲面例如形成半徑比所述支承體108大的球外殼的一部分，其截面形成圓弧形狀。在此情況下，當(dāng)所述支承體108位于作為支承體收納部106的中央部的原點位置時，所述支承體108比所述支承體主體104的上面的水平面更向上方突出的長度Ll被設(shè)定成幾毫米，例如被設(shè)定在0. 3 2. 0毫米的范圍內(nèi)。在此情況下，所述截面為圓弧狀的所述支承體收納部106的半徑例如被設(shè)定成3 10毫米。此處，如前所述，所述半導(dǎo)體晶片W熱伸縮的程度是0. 1 0.4毫米左右的長度， 因此，與該長度對應(yīng)的所述支承體108的旋轉(zhuǎn)角度非常小，支承體108不會滾出到支承體收納部106的外面。(第1變形實施例)此外，所述支承體收納部106的底面116的曲面形狀并非局限于上述截面為圓弧的形狀，如圖6所示的支承體構(gòu)造的第1變形實施例所述，支承體收納部106的底面116既可以形成截面為橢圓弧形的形狀，也可以形成支承收納部106的中央部最低(深)的曲面形狀，如果是當(dāng)使半導(dǎo)體晶片W從支承體108離開時該支承體108因自重恢復(fù)到初始位置的形狀，那么，它可以是任意的曲面形狀，并非局限于上述曲面形狀。下面，對上述構(gòu)造的處理系統(tǒng)12中的大致操作的一部分進行說明。首先，未處理的半導(dǎo)體晶片W被第2搬送機構(gòu)34從設(shè)在I/O端口 32的卡型盒容器(圖中未示)搬入載入模塊30內(nèi)，該搬入的半導(dǎo)體晶片W被搬向設(shè)在載入模塊30 —端的定位器37，在此處進行定位及定向。所述半導(dǎo)體晶片W例如由板狀的硅基板構(gòu)成。被實施了定位等的半導(dǎo)體晶片W再次被所述第1搬送機構(gòu)34搬送，被搬入兩個負(fù)載鎖定裝置20A、20B內(nèi)的任意一個負(fù)載鎖定裝置內(nèi)。在該負(fù)載鎖定裝置內(nèi)被抽真空后，使用被預(yù)先抽真空的傳輸腔16內(nèi)的第1搬送機構(gòu)M，將所述負(fù)載鎖定裝置內(nèi)的半導(dǎo)體晶片W 搬入傳輸腔16內(nèi)。根據(jù)需要，被搬入該傳輸腔16內(nèi)的未處理的半導(dǎo)體晶片被第1搬送機構(gòu)M依次搬送至各個處理裝置14A 14D，分別在各個處理裝置14A 14D內(nèi)實施規(guī)定的處理。例如，在半導(dǎo)體晶片W上實施成膜處理、蝕刻處理和氧化擴散處理等。根據(jù)此處所實施的處理的方式，半導(dǎo)體晶片W例如變成300 700°C的高溫狀態(tài)。于是，實施完上述應(yīng)實施的全部各種處理后，已處理的高溫狀態(tài)的半導(dǎo)體晶片W 被第1搬送機構(gòu)M搬入兩個負(fù)載鎖定裝置20A、20B內(nèi)的任意一個負(fù)載鎖定裝置內(nèi)，在此處被冷卻至安全溫度100°C左右。此時，在收納了已處理的半導(dǎo)體晶片W的真空狀態(tài)的負(fù)載鎖定裝置內(nèi)，半導(dǎo)體晶片被冷卻，同時被恢復(fù)成大氣壓。恢復(fù)成大氣壓后，該負(fù)載鎖定裝置內(nèi)的半導(dǎo)體晶片W被第2搬送機構(gòu)34搬入載入模塊30內(nèi)，并且被收納在I/O端口 32的用于已處理的半導(dǎo)體晶片的卡型盒容器(圖中未示)內(nèi)。此處，以其中一個負(fù)載鎖定裝置20A為例，對在所述負(fù)載鎖定裝置內(nèi)進行的半導(dǎo)體晶片W冷卻時的操作進行說明。此外，當(dāng)然，在另一個負(fù)載鎖定裝置20B內(nèi)也同樣被冷卻。 首先，如圖2及圖3所示，當(dāng)冷卻高溫狀態(tài)的已處理的半導(dǎo)體晶片W時，制冷劑流經(jīng)在負(fù)載鎖定裝置20A的支承體構(gòu)造2隊中設(shè)置的冷卻套112。接著，通過使升降機構(gòu)74的升降銷 76升降，從而將高溫狀態(tài)的半導(dǎo)體晶片W載放在支承體主體104的上面。此時，半導(dǎo)體晶片 W的下面與在設(shè)在支承體主體104中的9個的各個支承體收納部106內(nèi)所設(shè)置的球形的各個支承體108的上端鄰接，于是，它就被支承。在兩側(cè)的閘閥G被關(guān)閉的狀態(tài)下，將氮氣導(dǎo)入該負(fù)載鎖定用容器70內(nèi)，并且，所述高溫狀態(tài)的半導(dǎo)體晶片W被從支承體主體104—側(cè)供給的冷熱逐漸冷卻。g卩，半導(dǎo)體晶片 W的溫?zé)嵬ㄟ^輻射和熱傳導(dǎo)被供給冷卻狀態(tài)的支承體主體104 —側(cè)，于是，半導(dǎo)體晶片W就被冷卻。因該冷卻半導(dǎo)體晶片W熱收縮，該熱收縮的方向主要是朝著半導(dǎo)體晶片W的中心方向，在圖5(A)中，例如假定朝著箭頭120的方向熱伸縮。如前所述，該熱伸縮的長度也由半導(dǎo)體晶片W的溫度決定，但是，例如它是0. 1 0.4毫米左右。在此情況下，如果采用圖 31所示的現(xiàn)有的支承體構(gòu)造，那么，當(dāng)熱收縮時，半導(dǎo)體晶片W的背面與支承銷80的上端相互摩擦，在半導(dǎo)體晶片W的背面產(chǎn)生劃痕和劃傷，但是，在本發(fā)明的情況下，球形的支承體 108略微向圖5(A)的箭頭122的方向轉(zhuǎn)動，這樣就能吸收所述半導(dǎo)體晶片W的熱收縮。結(jié)果，半導(dǎo)體晶片W的背面和支承體108的表面不會相互摩擦，能夠抑制在半導(dǎo)體晶片W的背面出現(xiàn)劃痕和劃傷等。接著，在冷卻結(jié)束后，為了搬出半導(dǎo)體晶片W，如果使用升降銷76頂起該半導(dǎo)體晶片W以使半導(dǎo)體晶片W從支承體108離開，那么，球形的支承體108就會因自重沿著形成截面為圓弧形狀的支承體收納部106的底面116轉(zhuǎn)動，恢復(fù)到初始的位置，即中央部的原點位置。因此，即使連續(xù)地冷卻然后搬出半導(dǎo)體晶片W，球形的支承體108也會經(jīng)?；謴?fù)到初始位置，能夠連續(xù)地進行上述操作。實際上半導(dǎo)體晶片W并非僅向其中心方向熱收縮，因半導(dǎo)體晶片W的溫度分布，它還向所有的方向熱收縮，在此情況下，因球狀的支承體108向該熱收縮的方向轉(zhuǎn)動，這樣也能吸收熱收縮。因此，在此情況下，也能防止在半導(dǎo)體晶片W的背面出現(xiàn)劃痕和劃傷等。在上述說明中，對冷卻已處理的高溫狀態(tài)的半導(dǎo)體晶片W的情況進行了說明，如前所述，為了提高處理能力，有時會在負(fù)載鎖定裝置的支承體構(gòu)造中設(shè)置加熱部件，通過該加熱部件將處理前的室溫狀態(tài)的半導(dǎo)體晶片W預(yù)加熱至一定的溫度。在進行上述預(yù)加熱的情況下，也采用在所述實施例中所說明的支承體構(gòu)造(在此情況下，使用加熱器等加熱部件作為熱源部110)，這樣即使半導(dǎo)體晶片W熱伸長，根據(jù)上述的原理，也能防止該半導(dǎo)體晶片W的背面出現(xiàn)劃痕和劃傷等。于是，根據(jù)本發(fā)明，在用來支承作為板狀被處理體的例如半導(dǎo)體晶片W的支承體構(gòu)造中，在用來承受被處理體的負(fù)載的支承體主體104的上面形成多個凹部狀的支承體收納部106，并且設(shè)置支承體108，它被收納在各個支承體收納部內(nèi)、且其上端比支承體主體的上面更向上方突出，在上端鄰接并支承被處理體的下面，同時，能夠在支承體收納部內(nèi)轉(zhuǎn)動，因此，當(dāng)支承半導(dǎo)體晶片等被處理體時，例如，即使因冷卻和加熱被處理體發(fā)生熱伸縮， 也能防止在該被處理體的背面(下面)出現(xiàn)劃痕和劃傷等。(第2變形實施例)下面，對本發(fā)明的支承體構(gòu)造的第2變形實施例進行說明。在先前的實施例中，因半導(dǎo)體晶片W上所帶的靜電和微小的沖擊等，球形支承體108有可能向支承體收納部106 的外側(cè)飛出，為了防止發(fā)生這種情況，也可以設(shè)置飛出防護罩部件。圖7表示本發(fā)明的支承體構(gòu)造的第2變形實施例，圖7 (A)是表示支承體單元的部分的放大截面圖，圖7(B)是其平面圖。此外，在圖7中，對于與先前的圖1 圖6所示的構(gòu)件相同的部分，標(biāo)注相同的參考符號，并省略其說明。如圖所示，此處在支承體收納部106的開口部，使用螺釘1 等安裝固定著由此朝著水平方向中心延伸的環(huán)狀的飛出防護罩部件124。該飛出防護罩部件124的開口直徑比所述球形支承體108的直徑略小，并且按照在所述半導(dǎo)體晶片W熱伸縮時，使其接近支承體108，直至不會限制支承體108的轉(zhuǎn)動的位置。具體來講，如果假定支承體108的直徑是5 毫米，那么，所述飛出防護罩部件124的開口直徑是4. 5毫米。此處，支承體單元114由支承體收納部106、支承體108以及飛出防護罩部件121構(gòu)成。此外，后述各個實施例中的飛出防護罩部件124的開口和球形的支承體108的直徑的關(guān)系均如上述那樣，防止支承體108的飛出。這樣，即使球形的支承體108要從支承體收納部106向外側(cè)飛出，也被所述飛出防護罩部件IM阻止，能夠防止支承體108向外側(cè)飛
出ο(第3變形實施例)下面，對本發(fā)明的支承體構(gòu)造的第3變形實施例進行說明。在前面的實施例中，在垃圾等顆粒進入支承體收納部106內(nèi)的情況下，該顆粒集中堆積在底部116的最低(深) 部分，有可能阻礙支承體108的轉(zhuǎn)動，為了防止發(fā)生這種情況，也可以設(shè)置水平阻止面。圖 8是表示本發(fā)明的支承體構(gòu)造的第3變形實施例的支承體單元的一部分的放大截面圖。此外，在圖8中，對于與前面的圖1 圖7所示的構(gòu)件相同的部分，標(biāo)注相同的參考符號，并省略其說明。如圖所示，此處，在支承體收納部106的底面116的周邊部形成處于水平狀態(tài)的水平阻止面116A，將侵入該支承體收納部106的顆粒阻止在所述水平阻止面116A中。在該水平阻止面116A的更外周側(cè)，使用螺釘1 固定所述飛出防護罩部件124。這樣，在顆粒侵入支承體收納部106內(nèi)的情況下，將該顆粒阻止在水平阻止面116A上，能夠防止顆粒集中在中央部。此外，當(dāng)然，該水平阻止面116A也能在先前的未設(shè)置所述飛出防護罩部件124的實施例中應(yīng)用。(第4變形實施例)在所述第2及第3變形實施例中，使用螺釘1 將飛出防護罩部件124固定在支承體主體104 —側(cè)，但是，并未局限于此。即，如圖9中的表示本發(fā)明的支承體構(gòu)造的第4 變形實施例的支承體單元的部分的放大截面圖所示，也可以設(shè)置整體覆蓋支承體主體104 的上面和側(cè)面的薄型表面罩體128，在該表面罩體1 上，按照與所述支承體收納部106對應(yīng)，且支承體108的上端部比表面更向上方突出而露出的方式設(shè)置開口 130，使該表面罩體 128具有所述飛出防護罩部件124的功能。該表面罩體128的材料例如可以使用鋁、不銹鋼、鎳、鈦等金屬和石英玻璃等玻璃材料以及氮化鋁等陶瓷。(第5變形實施例)下面，對本發(fā)明的支承體構(gòu)造的第5變形實施例進行說明。在前面的第2及第3變形實施例中，使用螺釘126將飛出防護罩部件IM固定在支承體主體104 —側(cè)，并且在支承體主體104上直接形成支承體收納部106，但是，并非局限于此，也可以將它們與支承體108 一同以能夠自由拆裝的方式設(shè)置在支承體主體104上。圖10是表示本發(fā)明的支承體構(gòu)造的第5變形實施例的支承體單元114的一部分的放大截面圖。如圖10 (A)所示，所述飛出防護罩部件IM形成下端開口的圓筒體狀，在該圓筒體狀的飛出防護罩部件1 內(nèi)旋擰插入在上端形成所述支承體收納部106的插入片132，在該支承體收納部106內(nèi)收納所述球支承體108而形成支承體單元114。在支承體主體104上形成能夠插入所述圓筒體狀的飛出防護罩部件1 大小的收納孔134，在該收納孔134內(nèi)插入所述支承體單元114。如圖10(B)所示，與收納孔134的上端開口部對應(yīng)，在所述支承體主體104 —側(cè)設(shè)置所述飛出防護罩部件124。在插入片132的外側(cè)表面形成陽螺紋，在所述收納孔134的內(nèi)側(cè)表面形成陰螺紋。該收納孔134也可以向下方貫通，在支承插入片 132的上端支承所述支承體108的狀態(tài)下，從收納孔134的下方旋擰入所述收納孔134內(nèi)。 在該圖10所示的情況下，也能夠發(fā)揮所述飛出防護罩部件124的功能。(第6及第7變形實施例)下面，對本發(fā)明的支承體構(gòu)造的第6及第7變形實施例進行說明。在前面的各個實施例中，支承體收納部106的底部116的形狀例如形成截面呈圓弧形狀和截面呈橢圓弧形狀的曲面形狀，但是，并非局限于此，也可以形成向熱伸縮方向傾斜的傾斜面或者圓錐形狀。圖11表示本發(fā)明的支承體構(gòu)造的第6變形實施例的支承體單元，圖11 (A)是放大截面圖，圖Il(B)是平面圖。圖12表示本發(fā)明的支承體構(gòu)造的第7變形實施例的支承體單元， 圖12(A)是放大截面圖，圖12(B)是平面圖。此外，對于與先前已說明的實施例相同的構(gòu)件標(biāo)注相同的參考符號，并省略其說明。在圖11所示的第6變形實施例中，支承體收納部106的底面116向熱伸縮方向傾斜。此處形成例如向水平方向傾斜1 10度左右的傾斜面136，該傾斜面136的下端一側(cè)是球形支承體108轉(zhuǎn)動然后恢復(fù)的初始位置(原點位置)。因此，傾斜面136的上端一側(cè)是支承體主體104的中心方向，且朝著該中心方向向上傾斜。在該實施例中，如果半導(dǎo)體晶片W向箭頭138所示的方向熱收縮，那么，球形支承體108就會在所述傾斜面136上向上轉(zhuǎn)動，然后吸收熱收縮量，如果半導(dǎo)體晶片W脫離支承體108，那么，因自重在該傾斜面136上向下轉(zhuǎn)動，并恢復(fù)到初始位置。因此，在此情況下，也能防止在半導(dǎo)體晶片W的背面出現(xiàn)劃痕和劃傷等。此外，在預(yù)加熱半導(dǎo)體晶片W的情況下，因半導(dǎo)體晶片W的加熱，半導(dǎo)體晶片W伸長，因此，作為所述支承體主體104的底面116的傾斜面136的傾斜方向與所述情況相反，支承體主體104的中心部一側(cè)是下端部，周邊部一側(cè)是上端部。在此情況下，與所述同樣，也能防止在半導(dǎo)體晶片W的背面出現(xiàn)劃痕和劃傷等。在圖12所示的第7變形實施例中，支承體收納部106的底面116傾斜。此處形成例如向水平方向傾斜1 10度左右的圓錐面140，該圓錐面140的中心部是球形支承體 108轉(zhuǎn)動然后恢復(fù)的初始位置(原點位置)。因此，支承體108能夠從圓錐面140的中心部朝著任意的方向轉(zhuǎn)動。在該實施例中，如果半導(dǎo)體晶片W向箭頭138所示的方向熱收縮，那么，球形支承體108就會從中心部的原點位置在所述圓錐面140上向上轉(zhuǎn)動，然后吸收熱收縮量，如果半導(dǎo)體晶片W脫離支承體108，那么，因自重在該圓錐面140上朝著中心部的原點位置向下轉(zhuǎn)動，并恢復(fù)到初始位置。在此情況下，圓錐面140是截面呈三角形的形狀，因此， 如上所述，球形支承體108位于支承體收納部106的中心部，因此，球形支承體108能夠向水平面內(nèi)的所有方向轉(zhuǎn)動，然后吸收熱伸縮。(第8變形實施例)下面，對本發(fā)明的支承體構(gòu)造的第8變形實施例進行說明。在前面的各個實施例中，支承體108的形狀形成球形，但是，并非局限于此，也可以形成圓柱形。圖13表示本發(fā)明的支承體構(gòu)造的第8變形實施例的支承體單元，圖13(A)是放大截面圖，圖13(B)是平面圖。此外，對于與前面已經(jīng)說明的實施例相同的構(gòu)件標(biāo)注相同的參考符號，并省略其說明。在圖13所示的第8變形實施例中，支承體108形成與先前的球形支承體相同直徑的圓柱形。支承體收納部106的底面116向熱伸縮方向傾斜。此處，與圖11所示的情況相同，形成例如向水平方向傾斜1 10度左右的傾斜面136，該傾斜面136的下端一側(cè)是圓柱形的支承體108轉(zhuǎn)動然后恢復(fù)的初始位置(原點位置)。因此，傾斜面136的上端一側(cè)是支承體主體104的中心方向，朝著該中心方向向上傾斜。在該實施例中，如果半導(dǎo)體晶片W向箭頭138所示的方向熱收縮，那么，圓柱形的支承體108就在所述傾斜面136上向上轉(zhuǎn)動， 然后吸收熱收縮量，如果半導(dǎo)體晶片W脫離支承體108，那么，在該傾斜面136上向下轉(zhuǎn)動， 因自重而恢復(fù)到初始位置。因此，在此情況下也能防止在半導(dǎo)體晶片W的背面出現(xiàn)劃痕和劃傷等。此外，在預(yù)加熱半導(dǎo)體晶片W的情況下，因半導(dǎo)體晶片W的加熱，半導(dǎo)體晶片W伸長，因此，作為所述支承體主體104的底面116的傾斜面136的傾斜方向與所述情況相反，支承體主體104的中心部一側(cè)是下端部，周邊部一側(cè)是上端部。在此情況下，與所述同樣，也能防止在半導(dǎo)體晶片W的背面出現(xiàn)劃痕和劃傷等。(第9變形實施例)下面，對本發(fā)明的支承體構(gòu)造的第9變形實施例進行說明。在先前的各個實施例中，支承體108的形狀形成球形或者圓柱形，但是，并非局限于此，也可以將支承體收納部的底面形成平面，形成當(dāng)使半導(dǎo)體晶片從支承體上離開時因自重能夠恢復(fù)到初始位置的形狀。圖14是本發(fā)明的支承體構(gòu)造的第9變形實施例的支承體單元，圖14(A)是放大截面圖， 圖14(B)是平面圖。此外，對于與先前說明的實施例相同的構(gòu)件，標(biāo)注相同的參考符號，并省略其說明。在圖14所示的第9變形實施例中，支承體收納部106的底面116形成水平的平坦面，即形成平面142。支承體108的平面形狀形成圓形，且截面略呈橢圓形，并且處于能夠搖動的狀態(tài)，即使因外力作用向任意一方傾斜，如果外力被解除，那么，也會因自重恢復(fù)到初始的水平狀態(tài)。這種形狀例如是與凸透鏡相同的形狀。在該實施例中，如果半導(dǎo)體晶片W向箭頭138所示的方向熱收縮，那么，截面略呈橢圓形狀的支承體108就在所述平面142上搖動(傾斜)，然后吸收熱收縮量，如果半導(dǎo)體晶片W從支承體108上脫離，那么，因自重發(fā)生搖動，然后恢復(fù)到初始位置，即初始的水平狀態(tài)。因此，在此情況下也能防止在半導(dǎo)體晶片W的背面出現(xiàn)劃痕和劃傷等。此外，在本實施例的情況下，在預(yù)加熱半導(dǎo)體晶片W的情況下也使用相同的構(gòu)造，而且，能夠吸收向水平面內(nèi)的所有方向的熱伸縮。在此情況下，與所述同樣，也能防止在半導(dǎo)體晶片W的背面出現(xiàn)劃痕和劃傷等。此外，對于在前面圖7所示的第2變形實施例至圖10所示的第5變形實施例中所說明的各個實施方式，當(dāng)然也能在所述圖11所示的第6變形實施例至圖14所示的第9變形實施例中應(yīng)用。(第10及第11變形實施例)下面，對本發(fā)明的支承體構(gòu)造的第10及第11變形實施例進行說明。在先前的各個實施例中，支承體108按照能夠在支承體收納部106內(nèi)轉(zhuǎn)動或者搖動的方式設(shè)置，但是， 并非局限于此，也可以按照在旋轉(zhuǎn)軸上可旋轉(zhuǎn)的方式對支承體108進行支承。圖15表示本發(fā)明的支承體構(gòu)造的第10變形實施例的支承體單元，圖15(A)是放大截面圖，圖15(B)是平面圖。圖16表示本發(fā)明的支承體構(gòu)造的第11變形實施例的支承體單元，圖16(A)是放大截面圖，圖16(B)是平面圖。此外，對于與先前已說明實施例相同的構(gòu)件，標(biāo)注相同的參考符號，并省略其說明。在圖15所示的第10變形實施例中，支承體108形成球形，在圖16所示的第11變形實施例中，支承體108形成圓筒狀。在支承體收納部106內(nèi)，這些支承體108均處于其上端比支承體主體104上面的水平面略向上方突出的狀態(tài)，旋轉(zhuǎn)軸150從其直徑方向的兩端向水平方向延伸。該旋轉(zhuǎn)軸150的兩端以自由轉(zhuǎn)動的方式被支承體主體104支承。在此情況下，所述支承體108在與作為半導(dǎo)體晶片W的熱伸縮方向(支承體主體104的中心方向、 或者被支承的半導(dǎo)體晶片W的中心方向)的箭頭152正交的方向上被支承。在這些實施例中，如果半導(dǎo)體晶片W沿著箭頭152所示的方向熱伸縮，那么，該球形或者圓柱形的支承體108就以旋轉(zhuǎn)軸150的兩端為支點旋轉(zhuǎn)，從而能夠吸收熱收縮量。此外，在所述說明中，將球形或者圓柱形的支承體108固定在旋轉(zhuǎn)軸150上，但是，也可以取代該旋轉(zhuǎn)軸150，設(shè)置其兩端被固定在所述支承體主體104 —側(cè)的固定軸，以自由旋轉(zhuǎn)的方式在該固定軸上安裝所述支承體108。在此情況下也能發(fā)揮與所述同樣的作用效果。因此，在此情況下也能防止在半導(dǎo)體晶片W的背面出現(xiàn)劃痕和劃傷等。此外，在預(yù)加熱半導(dǎo)體晶片W的情況下，因半導(dǎo)體晶片W的加熱，半導(dǎo)體晶片W伸長，因此支承體108 的旋轉(zhuǎn)方向與所述方向相反。在此情況下也與所述同樣，能夠防止在半導(dǎo)體晶片W的背面出現(xiàn)劃痕和劃傷等。(本發(fā)明的支承體構(gòu)造的檢驗實驗)下面，進行了所述本發(fā)明的支承體構(gòu)造的檢驗實驗，因此對其評估結(jié)果進行說明。 在此處的檢驗實驗中，在負(fù)載鎖定裝置中使用了圖7所示的第2變形實施例中的支承體構(gòu)造。此時的球形支承體108的直徑是5毫米，飛出防護罩部件124的開口直徑是4. 5 毫米，底面116的曲面半徑是10毫米。對于半導(dǎo)體晶片W的尺寸，使用直徑為300毫米的晶片，在內(nèi)側(cè)設(shè)置三個、外側(cè)設(shè)置六個，共計設(shè)置九個支承體單元114，分別用球形的支承體 108支承，以與各個支承體108的鄰接點為中心，使用掃描電子顯微鏡(SEM)調(diào)查4平方毫米區(qū)域的顆粒和劃傷情況。所使用的半導(dǎo)體晶片是沒有進行任何處理的硅基板，即，裸 (Bare)硅基板和在背面一側(cè)略微附著TEOS膜(SiO2膜)的基板。圖17表示此時所測定的顆粒數(shù)值。此外，統(tǒng)計直徑為SOnm以上的顆粒數(shù)量。圖18是表示與支承體鄰接的半導(dǎo)體晶片背面的一例狀態(tài)的電子顯微鏡圖片。此外，為了比較，作為比較例，也對使用了支承銷(參照圖31)的現(xiàn)有的支承體構(gòu)造進行了檢驗。在圖17中，測定1 3表示內(nèi)側(cè)3個支承體的抵接點的結(jié)果，測定4 8表示外側(cè)5個支承體的抵接點的結(jié)果。此外，對于外側(cè)的1個支承體，測定時錯誤地使用鑷子夾住所述支承體的抵接點，因此，測定最終無效。在本發(fā)明的支承體構(gòu)造中，也對搬送6300枚后的情況進行了研究。如圖17所示，在比較例中，在各個測定1 8中，統(tǒng)計了數(shù)十個顆粒， 由此可知產(chǎn)生了大量顆粒。與此相反，在本發(fā)明中，在采用裸硅基板的情況下，如果在背面附著柔軟且容易劃傷的TEOS膜，那么，顆粒的統(tǒng)計數(shù)也均為零。在搬送6300枚半導(dǎo)體晶片后，顆粒數(shù)也是零， 由此可以確認(rèn)，在半導(dǎo)體晶片的背面幾乎沒有顆粒和劃傷。
通過圖18所示的電子顯微鏡圖片也可以獲知所述結(jié)果，在比較例中，在半導(dǎo)體晶片的背面附著多個黑點狀的劃傷OOO μ m的范圍)，如果將其放大，則更容易判斷出現(xiàn)了劃傷(20μπι的范圍)。與此相反，在本發(fā)明的情況下，在半導(dǎo)體晶片的背面完全沒有劃傷(均勻地顯現(xiàn)黑色)，能夠確認(rèn)本發(fā)明的支承體構(gòu)造的有效性。(負(fù)載鎖定裝置的支承體構(gòu)造的支承體主體的變形例)對于在前面的負(fù)載鎖定裝置的支承體構(gòu)造中所使用的支承體主體，以使用單一圓板狀的支承體主體的情況為例進行了說明，但是并非局限于此，也可以采用圖19所示的構(gòu)造。圖19是表示支承體構(gòu)造的支承體主體的變形例的立體圖。對于與先前已說明的實施例相同的構(gòu)件，標(biāo)注相同的參考符號，并省略其說明。在該負(fù)載鎖定裝置的支承體構(gòu)造中所使用的支承體主體104由沿著水平方向離開且被分割成兩個的板狀支承體主體片104Α組成，在這兩個支承體主體片104Α的上面一側(cè)支承半導(dǎo)體晶片W的周邊部的下面。即，在兩個支承體主體片104Α的上面一側(cè)架設(shè)并支承半導(dǎo)體晶片W。所述各個支承體主體片104Α被安裝在同步升降的升降桿80上，這樣就能同時升降。此外，也可以在中途連結(jié)所述兩個升降桿80，使用一個制動器使其升降。在所述各個支承體主體片104Α的上面一側(cè)分別設(shè)置多個，在圖示例子中分別設(shè)置2個支承體單元114，用該各個支承體單元114的支承體108來支承半導(dǎo)體晶片W的背面。作為所述支承體單元114，能夠應(yīng)用在前面的圖1至圖16中已說明的全部支承體單元。 在此情況下，也與前面所說明的同樣，能夠防止在半導(dǎo)體晶片W的背面出現(xiàn)劃痕和劃傷。(應(yīng)用在處理裝置中)在前面的圖1至圖16所示的各個實施例中，以在一枚一枚地搬送半導(dǎo)體晶片W的單片式負(fù)載鎖定裝置中應(yīng)用本發(fā)明的支承體構(gòu)造的情況為例進行了說明，但是，并非局限于此，也可以在處理裝置14Α 14D中應(yīng)用該支承體構(gòu)造。在此情況下，載放臺22Α 22D 采用所述的支承體構(gòu)造。此外，根據(jù)需要，在支承體主體104上設(shè)置作為熱源部110的加熱部件44。在此情況下，在冷卻半導(dǎo)體晶片W時，即使半導(dǎo)體晶片W發(fā)生熱伸縮，也能防止在半導(dǎo)體晶片W的背面出現(xiàn)劃痕和劃傷。(應(yīng)用在搬送機構(gòu)中)在前面的圖1至圖16所示的各個實施例中，以在一枚一枚地搬送半導(dǎo)體晶片W的單片式負(fù)載鎖定裝置中應(yīng)用本發(fā)明的支承體構(gòu)造的情況為例進行了說明，但是，并非局限于此，也可以在搬送機構(gòu)Μ、34中應(yīng)用該支承體構(gòu)造。圖20是表示在設(shè)在傳輸腔16 (參照圖1)內(nèi)的第1搬送機構(gòu)M中應(yīng)用本發(fā)明的支承體構(gòu)造時的狀態(tài)的概略平面圖。在此情況下，在手臂部25的頂端安裝的兩個爪25Α、25Β 分別采用所述的支承體構(gòu)造。即，支承體構(gòu)造的支承體主體104形成薄型的兩股形狀的所述爪形，在其表面設(shè)置具有所述支承體108等的支承體單元114。此處，支承體單元114在爪的根部和兩個頂端部共計設(shè)置三個，利用該三個支承體單元114來支承半導(dǎo)體晶片W。其個數(shù)并無特別的限制，也可以設(shè)置更多的支承體單元 114。此處，以第1搬送機構(gòu)M為例進行了說明，但是，當(dāng)然，在第2搬送機構(gòu)34中也同樣能夠應(yīng)用本發(fā)明的支承體構(gòu)造。在該實施例中，盡管發(fā)生熱伸縮，也能防止在半導(dǎo)體晶片 W的背面出現(xiàn)劃痕等劃傷。
在所述說明中，作為所述爪25A、25B，以所謂兩股形狀的爪為例進行了說明，但是， 并非局限于此，任何形狀的爪都能應(yīng)用。例如，圖21表示爪形的第1變形例。圖21并列表示截面圖和平面圖。作為所述支承體主體104的爪25A(104)具有板狀的底板202，在該底板202上，隔著半導(dǎo)體晶片W的直徑以上的距離，設(shè)置一對形成圓弧狀的基板支承單元204。 該基板支承單元204按照能夠相互接近及離開的方式被支承在所述底板202上。在圖21㈧中，其中一個(左側(cè))基板支承單元204能夠沿著底板202的縱向滑動移動。該一對基板支承單元204按照形成臺階部204A的方式形成截面呈L字的形狀，所述臺階部204A按照相互相對的方式配置。在所述臺階部204A上，使所述半導(dǎo)體晶片W的周邊部的下面與其鄰接，從而對其進行支承。在所述臺階部204A的兩端的上面設(shè)置具有所述支承體108等的支承體單元114，。 因此，此處共計設(shè)置4個支承體單元114，其數(shù)量并無特別的限制。圖21(A)表示夾持半導(dǎo)體晶片W之前的狀態(tài)，圖21 (B)表示用基板支承單元夾持半導(dǎo)體晶片W時的狀態(tài)。在采用未設(shè)置所述支承體單元104的傳統(tǒng)爪形的情況下，當(dāng)夾持半導(dǎo)體晶片W時， 在半導(dǎo)體晶片W的背面和基板支承單元204的臺階部204A的上面之間產(chǎn)生摩擦，在半導(dǎo)體晶片的背面有可能出現(xiàn)劃痕和劃傷等。但是，如上所述，通過設(shè)置支承體單元104，當(dāng)夾入晶片時支承體單元104的支承體108轉(zhuǎn)動或者搖動，其結(jié)果，能防止在半導(dǎo)體晶片W的背面出現(xiàn)劃痕和劃傷等。圖22表示爪形的第2變形例。圖22 (A)表示夾持半導(dǎo)體晶片W之前的狀態(tài)，圖 22(B)表示用基板支承單元夾持半導(dǎo)體晶片W時的狀態(tài)。此處，所述一對基板支承單元204 并未設(shè)置前面的臺階部204A，而是形成單一的圓弧形狀的框架。具有所述支承體108等的支承體單元114被直接設(shè)置在所述底板202的上面、且所述一對支承體單元114之間。也如圖22所示，其中一個(左側(cè))基板支承單元204能夠沿著底板202的縱向滑動移動。該第2變形例的爪也能發(fā)揮與所述第1變形例的爪同樣的作用效果。此外，在圖 21及圖22中，也可以使另一個(右側(cè))基板支承單元204能夠滑動移動，或者設(shè)置兩個基板支承單元204按照相互接近或者離開的方式能夠滑動移動。在圖21及圖22中，當(dāng)然，另一個爪25B也可以采用與所述爪25A同樣的構(gòu)造。所述支承體單元114能夠應(yīng)用先前已經(jīng)說明的全部支承體單元114。(應(yīng)用在多枚用的負(fù)載鎖定裝置中)在先前的圖1至圖16所示的各個實施例中，以在一枚一枚地搬送半導(dǎo)體晶片W的單片式負(fù)載鎖定裝置中應(yīng)用本發(fā)明的支承體構(gòu)造的情況為例進行了說明，但是，并非局限于此，也可以在一次能夠冷卻多枚半導(dǎo)體晶片的負(fù)載鎖定裝置中應(yīng)用該支承體構(gòu)造。在使用能夠同時處理多枚半導(dǎo)體晶片的處理裝置時，這種多枚用的負(fù)載鎖定裝置非常有效。圖23是表示應(yīng)用了本發(fā)明的支承體構(gòu)造的多枚用的負(fù)載鎖定裝置的縱截面圖， 圖M是表示支承被處理體的支承單元的一部分的放大部分截面圖，圖25是表示支承單元的一例支承部的平面圖。此外，對于與圖1至圖16所示的構(gòu)件相同的構(gòu)件標(biāo)注相同的參考符號。如圖所示，該負(fù)載鎖定裝置160具有形成縱長的負(fù)載鎖定用容器70。該負(fù)載鎖定用容器70例如采用鋁合金和不銹鋼等金屬形成箱狀。在該負(fù)載鎖定用容器70的一側(cè)的中段設(shè)置用來搬入搬出半導(dǎo)體晶片W的真空側(cè)搬入搬出口 162，該真空側(cè)搬入搬出口 162隔著閘閥G與所述傳輸腔16連結(jié)。在所述負(fù)載鎖定用容器70的另一側(cè)的中段，在與所述真空側(cè)搬入搬出口 162相對的位置設(shè)置用來搬入搬出半導(dǎo)體晶片W的大氣側(cè)搬入搬出口 164，該大氣側(cè)搬入搬出口 164隔著閘閥G與所述載入模塊30連結(jié)。在該負(fù)載鎖定用容器70的底部70A設(shè)有排氣口 94，在該排氣口 94中設(shè)置用來將該負(fù)載鎖定用容器70內(nèi)的氣氛抽真空的排氣單元96。具體來講，該排氣單元96具有與所述排氣口 94連接的氣體通道98，在該氣體通道98中依次設(shè)置開關(guān)閥100及真空泵102。在該負(fù)載鎖定用容器70內(nèi)設(shè)置具有多段地支承作為被處理體的多枚半導(dǎo)體晶片 W的支承部166的支承單元168。該支承部166使用前面說明的支承體構(gòu)造。所述支承單元168也如圖25所示，具有豎立的多根支柱，此處是配置成四角形的四根支柱170A、170B、 170C、170D。這四根支柱170A 170D的上端部與頂板172 —體地連結(jié)，下端部與底板174 一體地連結(jié)。該支柱170A 170D被分成支柱170A、170B和支柱170C、170D兩組，所述兩組支柱170A、170B和支柱170C、170D之間的距離被設(shè)定成比半導(dǎo)體晶片W的直徑略大，從而能夠在其間插入半導(dǎo)體晶片W。在所述支柱170A 170D上，采用了本發(fā)明的支承體構(gòu)造的所述支承部166沿其縱向且按照規(guī)定的間距，安裝多層即四層，這樣就能在此處支承四枚半導(dǎo)體晶片。此處，所述支承部166由相對配置的一對支架部件176A、176B組成，該一對支架部件176A、176B中的一個支架部件176A按照在其中一個兩根支柱170A、170B上架設(shè)的方式水平地安裝固定， 另一個支架部件176B按照在另一個兩根支柱170C、170D上架設(shè)的方式水平地安裝固定。此處，由所述一對支架部件176A、176B構(gòu)成本發(fā)明的支承體構(gòu)造的支承體主體104。該支架部件176A、176B的相對面一側(cè)形成沿著半導(dǎo)體晶片W的周圍的圓弧形狀， 在該支架部件176A、176B的上面一側(cè)載放所述半導(dǎo)體晶片W，這樣就能支承半導(dǎo)體晶片W。 具體來講，在構(gòu)成支承體主體104的一對支架部件176A、176B的兩端分別設(shè)置具有支承體 108等的所述支承體單元114，共計設(shè)置四個支承體單元114。因此，使半導(dǎo)體晶片W的背面鄰接這四個支承體單元114的支承體108的上端部，從而對其進行支承。此外，所設(shè)置的支承體單元114的個數(shù)并非局限于此，也可以增加。設(shè)置所述支承部166的規(guī)定間距例如被設(shè)定在10 30毫米的范圍之內(nèi)，從而使支承了半導(dǎo)體晶片W的各個搬送機構(gòu)對、34的各個爪25A、25B及各個爪35A、35B能夠進入。在此情況下，在圖25中，所述各個爪25A、25B、35A、35B侵入支柱170A、170B和支柱170C、170D之間，箭頭178所示的方式是搬入搬出方向。此處，所述支承單元168采用從陶瓷材料、石英、金屬及耐熱性樹脂組成的材料群中選擇的一種以上的材料形成。具體來講，所述支柱170A 170B、頂板172、底板174最好采用鋁合金等金屬制成，支承半導(dǎo)體晶片W負(fù)載的支承部166最好采用石英和陶瓷材料等耐熱部件制成。在所述支承單元168中設(shè)置氣體導(dǎo)入單元182，它具有為了噴射作為冷卻氣體的大氣壓恢復(fù)用的氣體，與所述支承部166對應(yīng)地設(shè)置的氣體噴射孔180。具體來講，所述氣體導(dǎo)入單元182具有在所述支承單元168上形成的氣體導(dǎo)入通道184。此處，在所述4根各個支柱170A 170D內(nèi)，沿著其縱向分別形成氣體導(dǎo)入通道184，按照從各個氣體導(dǎo)入通道184貫通作為所述支承部166的各個支架部件176A、176B內(nèi)的方式，朝著水平方向形成氣體噴嘴186。因此，該氣體噴嘴186的頂端是所述氣體噴射孔180。這樣，就能與各個支承部166對應(yīng)，朝著水平方向噴射冷卻氣體。因此，此處，利用從4個氣體噴射孔180朝著一枚半導(dǎo)體晶片W噴射的冷卻氣體使其冷卻。此外，向該一枚半導(dǎo)體晶片W噴射氣體的氣體噴射孔 180的個數(shù)并非局限于四個，也可以少于或者多于這個數(shù)字。2個所述氣體導(dǎo)入通道184通過所述底板174中，4個氣體導(dǎo)入通道184結(jié)合成一個，并且氣密地貫通負(fù)載鎖定用容器70的底部70A，然后被向外部引出。在位于負(fù)載鎖定用容器70內(nèi)的氣體導(dǎo)入通道184的一部分中設(shè)置能夠伸縮的波紋管部184A，根據(jù)所述支承單元168的升降，波紋管部184A能夠隨之伸縮。此外，在該氣體導(dǎo)入通道184的中途設(shè)置開關(guān)閥90，根據(jù)需要，能夠供給作為冷卻氣體的大氣壓恢復(fù)用的氣體。該大氣壓恢復(fù)用的氣體(冷卻氣體)可以使用氦氣、氬氣等稀有氣體和氮氣等惰性氣體，此處使用了氮氣。在此情況下，如果冷卻氣體的溫度過低，那么， 高溫狀態(tài)的半導(dǎo)體晶片就會被迅速冷卻，有可能發(fā)生破損等，因此，根據(jù)應(yīng)冷卻的半導(dǎo)體晶片溫度來設(shè)定冷卻氣體的溫度，例如，冷卻氣體的溫度為室溫程度左右即可。采用所述方式形成的所述支承單元168的底板174被設(shè)置在升降臺188上，能夠使該支承單元168朝著上下方向升降。具體來講，所述升降臺188被安裝在升降桿192的上端部，升降桿192被貫穿插入在負(fù)載鎖定用容器70的底部70A形成的貫通孔190中。在該升降桿192的下端部安裝制動器194，能夠使該升降桿192朝著上下方向升降。在此情況下，該制動器194使上下方向的任意位置的所述支承部166與搬送機構(gòu)的爪的水平面的位置對應(yīng)，這樣就能多階段地停止所述升降臺188。在升降桿192的貫通孔 190的一部分上安裝能夠伸縮的金屬制成的風(fēng)箱196，能夠保持負(fù)載鎖定用容器70內(nèi)的氣密性，并且能夠上下移動升降桿192。這種負(fù)載鎖定裝置160的操作如下所述。首先，為了將被爪支承的半導(dǎo)體晶片W 移動載放在支承單元168的支承部166上，將支承了半導(dǎo)體晶片W的爪插入支承對象的支承部166的上方，在此狀態(tài)下驅(qū)動制動器194，使整個支承單元168只上升規(guī)定的距離，這樣，被爪支承的半導(dǎo)體晶片W就被交接并被支承在支承部166上。拔出爪，于是，移動載放結(jié)束。與所述相反，為了將被支承在支承部166上的半導(dǎo)體晶片W移動載放在爪上，將空的爪插入支承了作為移動載放對象的半導(dǎo)體晶片W的支承部166的下方，在此狀態(tài)下驅(qū)動制動器194，使整個支承單元168只下降規(guī)定的距離。這樣，被支承部166支承的半導(dǎo)體晶片W就被交接并支承在爪上。拔出支承了半導(dǎo)體晶片W的爪，于是，移動載放結(jié)束。具體來講，首先，已處理的高溫狀態(tài)的半導(dǎo)體晶片W利用傳輸腔16 —側(cè)的第1搬送機構(gòu)M，如前所述，被預(yù)先處于真空狀態(tài)的負(fù)載鎖定用容器70內(nèi)的支承單元168的各個支承部166多段地支承。此時，半導(dǎo)體晶片W的背面與構(gòu)成支承部166的支承體構(gòu)造的各個支承體108鄰接，這樣就被支承。通過關(guān)閉傳輸腔16 —側(cè)的閘閥G，這樣，將該負(fù)載鎖定用容器70內(nèi)密閉。接著，打開氣體導(dǎo)入單元182的開關(guān)閥90，按照規(guī)定流量導(dǎo)入兼用作大氣壓恢復(fù)氣體和冷卻氣體的氮氣。該導(dǎo)入的氮氣流經(jīng)在支承單元168的各個支柱170A 170D上所形成的各個氣體導(dǎo)入通道184內(nèi)，從作為與該氣體導(dǎo)入通道184連通的各個噴嘴186的頂端的各個氣體噴射孔180朝著水平方向噴射，然后抵接半導(dǎo)體晶片W的背面。結(jié)果，由于該氣體噴射孔180與各個支承部166對應(yīng)地設(shè)置，因此，被該各個支承部166支承的4枚半導(dǎo)體晶片W被所噴射的氮氣大約同時冷卻。在此情況下，一枚半導(dǎo)體晶片W被從4個氣體噴射孔180噴射的氮氣冷卻，因此，能夠有效地冷卻半導(dǎo)體晶片W。在此情況下，半導(dǎo)體晶片W與構(gòu)成支承部166的支承體構(gòu)造的支承體108上鄰接并被支承，因此，當(dāng)冷卻半導(dǎo)體晶片W時，即使發(fā)生半導(dǎo)體晶片W的熱伸縮，也能防止在半導(dǎo)體晶片W的背面出現(xiàn)劃痕和劃傷等。此外，在所述圖23至圖25所示的實施例中，作為支承半導(dǎo)體晶片W的支承部166， 分別在2根支柱170A、170B之間、或者支柱170C、170D之間架設(shè)支架部件176A、176B,但是， 并非局限于此，也可以單獨在各個支柱170A 170D上設(shè)置銷部件。圖沈是表示該負(fù)載鎖定裝置的變形實施例的支承單元的截面的放大圖。此外，在圖沈中，對于與在圖23至圖25 中說明的構(gòu)件相同的構(gòu)件標(biāo)注相同的參考符號。如上所述，此處，作為支承部166，沿著水平方向在支承單元168的各個支柱 170A 170D上單獨設(shè)置銷部件200A、200B、200C、200D。由該4個銷部件200A 200D構(gòu)成一個支承體主體104，在各個銷部件200A 200D上分別設(shè)置具有支承體108等的支承體單元114。使半導(dǎo)體晶片W的背面與在該銷部件200A 200D上設(shè)置的支承體108上鄰接， 然后對其進行支承。在此情況下，所述銷部件200A 200D的材料可以使用與所述支架部件176A、176B相同的材料。在該銷部件200A 200D上分別形成與所述氣體導(dǎo)入通道184 連通且與圖25中所示的構(gòu)造相同的噴嘴186及氣體噴射孔180，例如噴射作為兼用作大氣壓恢復(fù)用氣體和冷卻氣體的惰性氣體的氮氣。在該變形實施例中，也能發(fā)揮與前面的實施例同樣的作用效果。(在升降機構(gòu)中應(yīng)用支承體構(gòu)造)下面，對在升降機構(gòu)中應(yīng)用所述支承體構(gòu)造時的情況進行說明。所述支承體構(gòu)造能夠應(yīng)用在圖2所示的負(fù)載鎖定裝置20A(20B)的升降機構(gòu)74和處理裝置14A(14B 14D) 的升降機構(gòu)46等中。圖27表示應(yīng)用了本發(fā)明的支承體構(gòu)造的一例升降機構(gòu)，圖觀是用來說明圖27所示的升降機構(gòu)操作的操作說明圖。圖27 (A)是升降機構(gòu)的立體圖，圖27(B)是升降機構(gòu)的升降銷的放大截面圖。一般情況下，對于升降機構(gòu)，用3根升降銷支承半導(dǎo)體晶片的背面，然后上升或者下降，但是，因半導(dǎo)體晶片的負(fù)載等原因，整體發(fā)生彎曲，3根升降銷的頂端不在同一水平面上，在高度方向上產(chǎn)生高低差。在此情況下，當(dāng)向載放半導(dǎo)體晶片的載放臺22A和支承體主體10 (參照圖2)移動載放半導(dǎo)體晶片時，3根升降銷的頂端鄰接半導(dǎo)體晶片的背面的時機略微錯開，導(dǎo)致半導(dǎo)體晶片暫時傾斜，因此，有時發(fā)生升降銷的頂端與半導(dǎo)體晶片的背面略微離開而形成縫隙的現(xiàn)象。如前所述，該縫隙是產(chǎn)生顆粒等的原因，因此，并不理想。因此，在升降機構(gòu)中應(yīng)用在本發(fā)明中先說明的支承體構(gòu)造。能夠在所有的處理裝置的升降機構(gòu)中應(yīng)用所述支承體構(gòu)造，但是，此處，作為一個例子，以在處理裝置14A的升降機構(gòu)46中應(yīng)用本發(fā)明的支承體構(gòu)造時為例進行說明。如圖27所示，升降機構(gòu)46(參照圖2)在形成圓弧狀的升降板50的上面一側(cè)設(shè)置3根升降銷48，利用與制動器連結(jié)的升降桿51使其整體升降。在該升降機構(gòu)46中應(yīng)用本發(fā)明的支承體構(gòu)造^C的情況下，由所述升降板50和在其上面設(shè)置的3根升降銷48構(gòu)成支承體主體104，從而承受半導(dǎo)體晶片W的負(fù)載。
如圖27 (B)所示，在各個升降銷48的上端部設(shè)置具有支承體收納部106、球形支承體108及飛出防護罩部件IM的支承體單元114。該支承體單元114尤其與在圖10中所說明的主體單元類似。根據(jù)這種構(gòu)造，在使被應(yīng)用在升降機構(gòu)46中的支承體構(gòu)造26C工作，然后例如朝著載放臺22A(參照圖2)移動載放半導(dǎo)體晶片W的情況下，如圖觀所示，因半導(dǎo)體晶片W 本身的負(fù)載等原因，升降板50等發(fā)生彎曲，各個升降銷48的上端不在同一水平面上，升降銷48的頂端與半導(dǎo)體晶片W的背面之間有可能形成縫隙。但是，在本發(fā)明中，由于在各個升降銷48的頂端部設(shè)置了支承體單元114，因此， 該支承體單元114的球形支承體108旋轉(zhuǎn)，這樣就能防止發(fā)生所述縫隙。該支承體108轉(zhuǎn)動的距離僅為數(shù)十μ m，在此情況下，與先前所說明的同樣，也能防止在半導(dǎo)體晶片W的背面出現(xiàn)劃痕和劃傷等。(在半間歇式處理裝置的載放臺中應(yīng)用支承體構(gòu)造)下面，對在處理裝置內(nèi)的載放臺中應(yīng)用所述支承體構(gòu)造的情況進行說明。此處，處理裝置并不是一枚一枚地處理半導(dǎo)體晶片的單片式的處理裝置，而是應(yīng)用在一次處理2 10枚左右的半導(dǎo)體晶片的半間歇式的處理裝置中。該批量式的處理裝置的基本構(gòu)造與圖2所示的處理裝置14A基本相同，除了處理容器40以外，還具有氣體供給單元58、排氣單元62、升降機構(gòu)46及加熱部件44，不同點在于，并不使用僅能載放一枚半導(dǎo)體晶片的載放臺22A，而是使用能夠載放多枚半導(dǎo)體晶片的載放臺，于是，一邊旋轉(zhuǎn)它一邊對半導(dǎo)體晶片實施處理。圖四是表示應(yīng)用了所述本發(fā)明的支承體構(gòu)造的半間歇式處理裝置的載放臺的立體圖，圖30是表示圖四所示的處理裝置的載放臺的一部分的放大截面圖。如圖所示，所述半間歇式的處理裝置的載放臺210按照能夠載放多枚(在圖示例子中為四枚)半導(dǎo)體晶片 W的尺寸形成圓板狀。該載放臺210能夠通過與圖中未示的旋轉(zhuǎn)電機連結(jié)的旋轉(zhuǎn)軸212按照規(guī)定的速度旋轉(zhuǎn)。在該載放臺210的上面，沿其周邊部按照相等間隔確保載放空間214， 這樣就能在該各個載放空間214中載放所述半導(dǎo)體晶片W。如圖30(A)所示，在各個載放空間214的外周側(cè)設(shè)置使半導(dǎo)體晶片W不會因離心力而向外方飛出的半導(dǎo)體晶片阻止部件216。在此情況下，也有圖30(B)所示的載放臺，將所述載放空間214形成比半導(dǎo)體晶片W的尺寸略大的凹部218，將該凹部218的臺階部形成半導(dǎo)體晶片阻止部件216。在所述構(gòu)造的載放臺210中應(yīng)用本發(fā)明的支承體構(gòu)造^D的情況下，所述載放臺 210用作支承體主體104。如圖30所示，在用作支承體主體104的所述載放臺210的各個載放空間214的上面設(shè)置多個支承體單元114，在其上面載放半導(dǎo)體晶片W。在此情況下， 各個載放空間214上的支承體單元114的數(shù)量如前面說明的那樣設(shè)置9個。作為該支承體單元114，可以應(yīng)用先前參照圖3至圖13所說明的全部支承體單元114，例如，既可以由支承體收納部106和支承體108構(gòu)成該支承體單元114，也可以增加飛出防護罩部件IM構(gòu)成。在這種構(gòu)造中，載放臺210旋轉(zhuǎn)，于是，被載放在載放臺空間214上的半導(dǎo)體晶片W 因離心力略微向半徑方向外方橫向滑動，該半導(dǎo)體晶片W被半導(dǎo)體晶片阻止部件216阻止。在該半導(dǎo)體基板W橫向滑動時，在所述的傳統(tǒng)載放臺中，在半導(dǎo)體晶片W的下面有可能出現(xiàn)縫隙和劃傷等，但是，在本發(fā)明的情況下，由于設(shè)置了支承體單元114，因此，該支承體單元114的球形支承體108旋轉(zhuǎn)，這樣就能防止產(chǎn)生所述縫隙。在此情況下，與先前說明的同樣，也能防止在半導(dǎo)體晶片W的背面出現(xiàn)劃痕和劃傷等。 此外，在所述各個實施例中，作為被處理體，以半導(dǎo)體晶片為例進行了說明，但是， 并非局限于此，也可以應(yīng)用玻璃基板、LCD基板、陶瓷基板等。
權(quán)利要求
1.一種支承體構(gòu)造，用于支承板狀的被處理體，其特征在于具有用于承受所述被處理體的負(fù)載的支承體主體；在所述支承體主體的上面形成有多個凹部狀的支承體收納部；和被收納在所述各個支承體收納部內(nèi)，且其上端比所述支承體主體的上面更向上方突出，在所述上端抵接并支承所述被處理體的下面，同時能夠在所述支承體收納部內(nèi)轉(zhuǎn)動的支承體。
2.如權(quán)利要求1所述的支承體構(gòu)造，其特征在于，所述支承體被形成為球形。
3.如權(quán)利要求2所述的支承體構(gòu)造，其特征在于，所述支承體收納部的底面被形成為曲面形狀，當(dāng)使所述被處理體與所述支承體離開時使所述支承體恢復(fù)到初始位置。
4.如權(quán)利要求3所述的支承體構(gòu)造，其特征在于，所述曲面形狀是球形、圓錐形及橢圓弧形中的任意一種。
5.如權(quán)利要求3或者4所述的支承體構(gòu)造，其特征在于，所述曲面形狀被形成為中央部最低。
6.如權(quán)利要求5所述的支承體構(gòu)造，其特征在于，在所述支承體收納部的底面的周邊部形成有用來阻止侵入所述支承體收納部內(nèi)的顆粒的水平阻止面。
7.如權(quán)利要求1或者2所述的支承體構(gòu)造，其特征在于，所述支承體收納部的底面按照向所述被處理體的熱伸縮方向傾斜的方式設(shè)置，當(dāng)使所述被處理體從所述支承體上離開時使所述支承體恢復(fù)到初始位置。
8.如權(quán)利要求1所述的支承體構(gòu)造，其特征在于，所述支承體被形成為圓柱形。
9.如權(quán)利要求8所述的支承體構(gòu)造，其特征在于，所述支承體收納部的底面按照向所述被處理體的熱伸縮方向傾斜的方式設(shè)置，當(dāng)使所述被處理體與所述支承體離開時使所述支承體恢復(fù)到初始位置。
10.一種支承體構(gòu)造，用于支承板狀的被處理體，其特征在于具有用來承受所述被處理體的負(fù)載的支承體主體；在所述支承體主體的上面形成有多個凹部狀的支承體收納部；和被收納在所述各個支承體收納部內(nèi)，且其上端比所述支承體主體的上面更向上方突出，在所述上端鄰接并支承所述被處理體的下面，同時能夠在所述支承體收納部內(nèi)搖動的支承體。
11.如權(quán)利要求10所述的支承體構(gòu)造，其特征在于，所述支承體收納部的底面被形成為平面，并且所述支承體被形成為當(dāng)使所述被處理體與所述支承體離開時因自重而能夠復(fù)原至初始位置的形狀。
12.如權(quán)利要求11所述的支承體構(gòu)造，其特征在于，所述能夠復(fù)原的形狀是橢圓弧形。
13.如權(quán)利要求1至12中任意一項所述的支承體構(gòu)造，其特征在于，在所述支承體收納部的上方設(shè)置有用來防止所述支承體飛出的飛出防護罩部件。
14.一種支承體構(gòu)造，用于支承板狀的被處理體，其特征在于具有用來承受所述被處理體的負(fù)載的支承體主體；在所述支承體主體的上面形成有多個凹部狀的支承體收納部；被收納在所述各個支承體收納部內(nèi)，且其上端比所述支承體主體的上面更向上方突出，在所述上端鄰接并支承所述被處理體的下面，同時能夠在所述支承體收納部內(nèi)旋轉(zhuǎn)的支承體。
15.如權(quán)利要求14所述的支承體構(gòu)造，其特征在于，所述支承體被支承在與所述被處理體的熱伸縮方向正交的方向上。
16.如權(quán)利要求1至15中任意一項所述的支承體構(gòu)造，其特征在于，所述支承體主體由，通過制動器能夠升降的升降板和在所述升降板的上面一側(cè)設(shè)置的多個升降銷構(gòu)成，所述支承體收納部被設(shè)置在所述各個升降銷的上端部。
17.如權(quán)利要求1至15中任意一項所述的支承體構(gòu)造，其特征在于，所述支承體主體不僅能夠同時載放多枚所述被處理體，并且能夠旋轉(zhuǎn)。
18.一種負(fù)載鎖定裝置，其為隔著閘閥與真空室和大氣室之間連結(jié)、并且能夠選擇真空氣氛和大氣壓氣氛的負(fù)載鎖定裝置，其特征在于，具有能夠抽真空及恢復(fù)大氣壓的負(fù)載鎖定用容器；設(shè)置在所述負(fù)載鎖定用容器內(nèi)的如權(quán)利要求1至15中任意一項所述的支承體構(gòu)造； 加熱以及/或者冷卻所述被處理體的熱源部；使所述被處理體降落在支承體主體上以及從支承體主體上離開的升降機構(gòu)；和對所述負(fù)載鎖定用容器內(nèi)的氣氛抽真空的排氣單元。
19.一種負(fù)載鎖定裝置，其為隔著閘閥與真空室和大氣室之間連結(jié)、并且能夠選擇真空氣氛和大氣壓氣氛的負(fù)載鎖定裝置，其特征在于，具有負(fù)載鎖定用容器；設(shè)置在所述負(fù)載鎖定用容器內(nèi)、用于多段地支承多枚被處理體的支承單元，所述支承單元具有多個權(quán)利要求1至15中任意一項所述的支承體構(gòu)造；用于大氣壓復(fù)原用的氣體作為冷卻氣體進行噴射的，具有與所述支承體構(gòu)造對應(yīng)設(shè)置的氣體噴射孔的氣體導(dǎo)入單元；和對所述負(fù)載鎖定用容器內(nèi)的氣氛抽真空的排氣單元。
20.如權(quán)利要求19所述的負(fù)載鎖定裝置，其特征在于，所述支承單元具有豎立的多根支柱，在所述支柱上按照規(guī)定的間距設(shè)置有所述支承體構(gòu)造。
21.如權(quán)利要求19或20所述的負(fù)載鎖定裝置，其特征在于，所述氣體導(dǎo)入單元具有形成在所述支承單元上的氣體導(dǎo)入通道。
22.如權(quán)利要求19至21中任意一項所述的負(fù)載鎖定裝置，其特征在于，所述支承單元被設(shè)置在能夠升降的升降臺上。
23.一種處理裝置，用于對被處理體實施規(guī)定處理，其特征在于具有 收納所述被處理體的處理容器；設(shè)置在所述處理容器內(nèi)的如權(quán)利要求1至15及17中任意一項所述的支承體構(gòu)造； 加熱所述被處理體的加熱部件；使所述被處理體降落在支承體主體上以及從支承體主體上離開的升降機構(gòu)； 向所述處理容器內(nèi)供給所需氣體的氣體供給單元；和排出所述處理容器內(nèi)的氣氛的排氣單元。
24.如權(quán)利要求18所述的負(fù)載鎖定裝置，其特征在于，所述升降機構(gòu)由權(quán)利要求16所述的支承體構(gòu)造構(gòu)成。
25.如權(quán)利要求23所述的負(fù)載鎖定裝置，其特征在于，所述升降機構(gòu)由權(quán)利要求16所述的支承體構(gòu)造構(gòu)成。
26.一種搬送機構(gòu)，用于搬送被處理體，其特征在于具有 能夠彎曲伸長和旋轉(zhuǎn)的手臂部；和設(shè)置在所述手臂部的頂端的如權(quán)利要求1至15中任意一項所述的支承體構(gòu)造。
27.如權(quán)利要求沈所述的搬送機構(gòu)，其特征在于，所述手臂部具有握持所述被處理體的周邊部的握持部件，通過所述握持部件的移動對所述被處理體進行握持。
全文摘要
本發(fā)明提供一種支承體機構(gòu)，其當(dāng)支承半導(dǎo)體晶片等被處理體時，能夠防止在其背面(下面)出現(xiàn)劃痕和劃傷等。在用來支承板狀的被處理體W的支承體構(gòu)造中包括用來承受被處理體的負(fù)載的支承體主體104；在支承體主體的上面形成的多個凹部狀的支承體收納部106；和被收納在各個支承體收納部內(nèi)、且其上端比支承體主體的上面更向上方突出，在上端鄰接并支承被處理體的下面，同時能夠在支承體收納部內(nèi)轉(zhuǎn)動的支承體108。這樣，當(dāng)支承半導(dǎo)體晶片等被處理體時，能夠防止在其背面(下面)出現(xiàn)劃痕和劃傷等。
文檔編號H01L21/683GK102163573SQ20111002190
公開日2011年8月24日 申請日期2011年1月14日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月14日
發(fā)明者堀內(nèi)孝, 藤原馨, 阪上博充 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社