專利名稱：具有精密涂布的波長轉(zhuǎn)換層的晶圓式發(fā)光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及ー種發(fā)光裝置，尤其是關(guān)于ー種具有精密涂布的波長轉(zhuǎn)換層的晶圓式 (wafer-type)發(fā)光裝rf。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)有發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)中，為了轉(zhuǎn)換發(fā)射光的波長，往往會在發(fā)光二極管上涂布熒光層，故此熒光層亦稱為波長轉(zhuǎn)換層。然而，由于熒光層的涂布量難以被精密控制，所以經(jīng)常會導(dǎo)致熒光層的厚度過薄或者過厚，并因此造成發(fā)光二極管的制造良品率降低以及制造成本的浪費。因此，為了提升制造良品率并且降低制造成本，亟需ー種精密涂布有波長轉(zhuǎn)換層的發(fā)光裝置。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是關(guān)于ー種晶圓式發(fā)光裝置，其包含一村底(substrate)；—或多個發(fā)光半導(dǎo)體，形成在該襯底上；一或多個框架，配置在該發(fā)光半導(dǎo)體的上方；以及一或多層波長轉(zhuǎn)換層，施加在通過該ー或多個框架所局限的該發(fā)光半導(dǎo)體上，其中該晶圓式發(fā)光裝置被切割成多個分離的個別發(fā)光単元。本發(fā)明實施例的精密涂布有波長轉(zhuǎn)換層的發(fā)光裝置，可以提升制造良品率并且降低制造成本。


此處所說明的附圖用來提供對本發(fā)明的進ー步理解，構(gòu)成本申請的一部分，并不構(gòu)成對本發(fā)明的限定。在附圖中圖1顯示自依照本發(fā)明的一實施例的晶圓式發(fā)光裝置所切割分離的個別發(fā)光單元的概略剖面圖；圖2顯示自依照本發(fā)明的一實施例的晶圓式發(fā)光裝置所切割分離的個別發(fā)光單元的概略剖面圖；圖3顯示自依照本發(fā)明的一實施例的晶圓式發(fā)光裝置所切割分離的個別發(fā)光單元的概略剖面圖；圖4顯示自依照本發(fā)明的一實施例的晶圓式發(fā)光裝置所切割分離的個別發(fā)光單元的概略剖面圖；圖5顯示自依照本發(fā)明的一實施例的晶圓式發(fā)光裝置所切割分離的個別發(fā)光單元的概略剖面圖；圖6顯示自依照本發(fā)明的一實施例的晶圓式發(fā)光裝置所切割分離的個別發(fā)光單元的概略剖面圖；圖7顯示自依照本發(fā)明的一實施例的晶圓式發(fā)光裝置所切割分離的個別發(fā)光單元的概略剖面圖；及
圖8顯示依照本發(fā)明的實施例的具有框架的發(fā)光裝置在進行晶圓等級制作時的電子顯微影像。
附圖標(biāo)號
100發(fā)光單元
101波長轉(zhuǎn)換層
102框架
103發(fā)光半導(dǎo)體
105焊墊
106襯底
300發(fā)光單元
301波長轉(zhuǎn)換層
302框架
303發(fā)光半導(dǎo)體 303aη型半導(dǎo)體層 303b活化層 303cρ型半導(dǎo)體層 305a第一焊墊 305b第二焊墊
306襯底
307反射層
1100發(fā)光單元
1101波長轉(zhuǎn)換層
1102框架
1103發(fā)光半導(dǎo)體
1105焊墊
1106襯底 1200發(fā)光單元 1201a第一波長轉(zhuǎn)換層 1201b第二波長轉(zhuǎn)換層 1202a第一框架 1202b第二框架 1203發(fā)光半導(dǎo)體
1205焊墊
1206襯底 1300發(fā)光單元 1301a第一波長轉(zhuǎn)換層 1301b第二波長轉(zhuǎn)換層
1302框架
1303發(fā)光半導(dǎo)體
1305焊墊
1306襯底
1400發(fā)光單元
1401a第— 波長轉(zhuǎn)換層
1401b第二.波長轉(zhuǎn)換層
1402框架
1403發(fā)光半導(dǎo)體
1405焊墊
1406襯底
1500發(fā)光單元
1501a第— 波長轉(zhuǎn)換層
1501b第二.波長轉(zhuǎn)換層
1502a第— 框架
1502b第二.框架
1503a第— 發(fā)光半導(dǎo)體
1503b第二.發(fā)光半導(dǎo)體
1505a第— 焊墊
1505b第二.焊墊
1506襯底
具體實施例方式本發(fā)明的其他實施樣態(tài)以及優(yōu)點可從以下與用以例示本發(fā)明原理范例的隨附圖式相結(jié)合的詳細說明而更顯明白。在本發(fā)明中，以晶圓形式來制造整塊(bulk)發(fā)光裝置，然后再將此種整塊發(fā)光裝置切割成多個分離的個別發(fā)光単元，在以下本發(fā)明的各種實施例中皆具有此種特征。圖8 顯示依照本發(fā)明的實施例的具有框架的發(fā)光裝置在進行晶圓等級制作時的電子顯微影像。 可在晶圓等級的發(fā)光裝置制作完成之后，透過切割程序，而獲得具有框架的多個分離的個別發(fā)光単元。本發(fā)明所揭露的框架可作為在填入熒光體混合液時的溢流壩，以使熒光體混合液在填入后可被框架所局限，而不會溢流到其他不期望填入熒光體混合液的區(qū)域，并且通過框架內(nèi)的熒光體轉(zhuǎn)換出光后，可獲得白光發(fā)光的效果、促進相關(guān)色溫(CCT，correlated color temperature)的分布均勻性、提升相關(guān)色溫的產(chǎn)生良品率、以及減少熒光體顆粒的使用量。以下將詳細說明本發(fā)明的各種實施例。為了便于說明，將利用個別分離的發(fā)光單元來描述整個晶圓式發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)。舉例來說，圖1顯示自依照本發(fā)明的ー實施例的晶圓式發(fā)光裝置所切割分離的個別發(fā)光単元100的概略剖面圖，如圖1所示，發(fā)光單元100包含襯底106 ；發(fā)光半導(dǎo)體103，形成在襯底106上；框架102，配置在發(fā)光半導(dǎo)體103的上方；以及波長轉(zhuǎn)換層101，施加在通過框架102所局限的發(fā)光半導(dǎo)體103上。亦即，依照此實施例的晶圓式發(fā)光裝置包含襯底106 ；發(fā)光半導(dǎo)體103，形成在襯底106上；框架102，配置在發(fā)光半導(dǎo)體103的上方；以及波長轉(zhuǎn)換層101，施加在通過框架102所局限的發(fā)光半導(dǎo)體103上。然后，再將此晶圓式發(fā)光裝置切割成多個分離的個別發(fā)光単元100。以下在各實施例中將不再贅述晶圓式發(fā)光裝置與發(fā)光單元之間的關(guān)系。在發(fā)光單元100的發(fā)光半導(dǎo)體103上設(shè)置焊墊105。此外，與波長轉(zhuǎn)換層101相鄰接的發(fā)光半導(dǎo)體103的表面可被粗糙化，以增加出光效率。再者，可對波長轉(zhuǎn)換層101進行熱處理，而熱處理的溫度可介于約60°C與約300°C之間。波長轉(zhuǎn)換層101通過下列至少其中ー種方法來施加精密配送法、精密壓印法、精密噴注法、以及網(wǎng)印法。波長轉(zhuǎn)換層101 可包含與一或多種有機化學(xué)品(例如硅酮樹脂及/或環(huán)氧樹脂)混合的熒光體顆粒。此外，在混合熒光體顆粒與有機化學(xué)品吋，可加入例如甲苯、庚烷、正己烷、異丙醇等等的稀釋劑?；蛘撸ㄩL轉(zhuǎn)換層101可包含與玻璃混合的熒光體顆粒。此外，例如，熒光體顆粒比上有機化學(xué)品(或玻璃)的重量比為約0.6 8，S卩，以重量計，熒光體顆粒的量有機化學(xué)品(或玻璃)的量竺0.6 1至8 1。上述與玻璃混合的波長轉(zhuǎn)換層是在具有約100°C 至約500°C的范圍的溫度下被施加。波長轉(zhuǎn)換層可具有例如但不限于凸面、凹面、平面、或角錐的形狀，圖1所示的波長轉(zhuǎn)換層101即具有凸面形狀。波長轉(zhuǎn)換層101可具有約1微米至約200微米的厚度，較佳為約10微米至約100微米。發(fā)光單元100能夠發(fā)射具有約 200nm至約500nm的峰值波長范圍的光?？蚣?02由一透明材料所制成，例如環(huán)氧樹脂、硅酮樹脂、聚酰亞胺樹脂、玻璃、石英、壓克カ(acryl)樹脂(例如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA， polymethylmethacrylate)等等)、聚碳酸酯(PC)樹脂、SU-8光阻、BCB光阻、或聚對ニ甲苯(parylene)樹脂?；蛘?，框架102亦可為單ー金屬層或多重金屬層?？蚣?02可通過下列至少其中ー種方法來配置旋轉(zhuǎn)涂布、浸漬涂布、化學(xué)氣相沉積、熱蒸鍍、以及電子束蒸鍍?？蚣?02可具有約0. 1微米至約200微米的厚度，較佳為約2微米至約100微米。襯底106可為例如金屬、陶瓷、或半導(dǎo)體的不透光村底。圖1所示的發(fā)光單元100為垂直式發(fā)光元件?？蓪⒁还鈹U散層(未顯示)配置在波長轉(zhuǎn)換層101上。如圖式所示，在本發(fā)明的各種實施例中，框架除了可配置在發(fā)光半導(dǎo)體的上方以外，更可延伸涵蓋發(fā)光半導(dǎo)體的側(cè)邊部位。當(dāng)框架延伸涵蓋發(fā)光半導(dǎo)體的側(cè)邊部位吋，波長轉(zhuǎn)換層可或可不覆蓋發(fā)光半導(dǎo)體的側(cè)邊部位，例如，在圖1中，波長轉(zhuǎn)換層不覆蓋發(fā)光半導(dǎo)體的側(cè)邊部位；而在圖2中，波長轉(zhuǎn)換層覆蓋發(fā)光半導(dǎo)體的側(cè)邊部位。圖2顯示自依照本發(fā)明的一實施例的晶圓式發(fā)光裝置所切割分離的個別發(fā)光單元300的概略剖面圖。圖2所示的發(fā)光單元300為水平式發(fā)光元件。如圖2所示，發(fā)光單元300包含襯底306 ；發(fā)光半導(dǎo)體303，形成在襯底306上；框架302，配置在發(fā)光半導(dǎo)體 303的上方；以及波長轉(zhuǎn)換層301，施加在通過框架302所局限的發(fā)光半導(dǎo)體303上。在發(fā)光単元300的發(fā)光半導(dǎo)體303上設(shè)置第一焊墊30 (其是設(shè)置在η型半導(dǎo)體層303a上) 以及第ニ焊墊30 (其是設(shè)置在ρ型半導(dǎo)體層303c上)。發(fā)光半導(dǎo)體303可包含p型半導(dǎo)體層303c，形成在襯底306上；活化層30北，配置在ρ型半導(dǎo)體層303c上；以及η型半導(dǎo)體層303a，配置在活化層30 上。在本發(fā)明是其他實施例中的發(fā)光半導(dǎo)體亦可具有與圖2 所示的發(fā)光半導(dǎo)體303相同或相似的結(jié)構(gòu)。此外，可將反射層307設(shè)置在襯底306與發(fā)光半導(dǎo)體303之間，具體而言，反射層307位于襯底306與ρ型半導(dǎo)體層303c之間。反射層 307亦適用于本發(fā)明的其他實施例。雖然在圖2中沒有顯示，但與波長轉(zhuǎn)換層301相鄰接的發(fā)光半導(dǎo)體303的表面亦可被粗糙化，具體而言，η型半導(dǎo)體層303a的表面可被粗糙化。 此外，在本發(fā)明的實施例中，波長轉(zhuǎn)換層能夠覆蓋框架的一部分，而不溢出框架所局限的范圍，例如，在圖2中，波長轉(zhuǎn)換層301可覆蓋位于圖式右側(cè)的框架302的一部分而不溢出框架 302。圖3顯示自依照本發(fā)明的一實施例的晶圓式發(fā)光裝置所切割分離的個別發(fā)光單元1100的概略剖面圖。如圖3所示，發(fā)光單元1100包含襯底1106、發(fā)光半導(dǎo)體1103、框架 1102、以及波長轉(zhuǎn)換層1101，其中波長轉(zhuǎn)換層1101具有凹面的形狀，在發(fā)光單元1100的發(fā)光半導(dǎo)體1103上設(shè)置焊墊1105。圖4顯示自依照本發(fā)明的一實施例的晶圓式發(fā)光裝置所切割分離的個別發(fā)光單元1200的概略剖面圖。如圖4所示，發(fā)光單元1200包含襯底1206、發(fā)光半導(dǎo)體1203、第一框架1202a、第二框架1202b、第一波長轉(zhuǎn)換層1201a、以及第ニ波長轉(zhuǎn)換層1201b。第一框架120 被第二框架1202b所包圍，在通過第一框架120 所局限的發(fā)光半導(dǎo)體1203的區(qū)域上施加第一波長轉(zhuǎn)換層1201a，而在通過第二框架1202b所局限的發(fā)光半導(dǎo)體1203的區(qū)域上施加第二波長轉(zhuǎn)換層1201b，因此，位于第二框架1202b內(nèi)的第二波長轉(zhuǎn)換層1201b可覆蓋位于第一框架1202a內(nèi)的第一波長轉(zhuǎn)換層1201a，即可形成多層(重疊)波長轉(zhuǎn)換層。 在發(fā)光單元1200的發(fā)光半導(dǎo)體1203上設(shè)置焊墊1205。圖5顯示自依照本發(fā)明的一實施例的晶圓式發(fā)光裝置所切割分離的個別發(fā)光單元1300的概略剖面圖。如圖5所示，發(fā)光單元1300包含襯底1306、發(fā)光半導(dǎo)體1303、框架 1302、第一波長轉(zhuǎn)換層1301a、以及第ニ波長轉(zhuǎn)換層1301b。圖5的實施例類似于圖4的實施例，但圖5的第一波長轉(zhuǎn)換層1301a與第二波長轉(zhuǎn)換層1301b施加在同一框架(S卩，框架 1302)內(nèi)。第二波長轉(zhuǎn)換層1301b覆蓋在第一波長轉(zhuǎn)換層1301a上，即可形成多層(重疊) 波長轉(zhuǎn)換層。在發(fā)光單元1300的發(fā)光半導(dǎo)體1303上設(shè)置焊墊1305。圖6顯示自依照本發(fā)明的一實施例的晶圓式發(fā)光裝置所切割分離的個別發(fā)光單元1400的概略剖面圖。如圖6所示，發(fā)光單元1400包含襯底1406、發(fā)光半導(dǎo)體1403、框架 1402、第一波長轉(zhuǎn)換層1401a、以及第ニ波長轉(zhuǎn)換層1401b。配置在發(fā)光半導(dǎo)體1403上方的框架1402可將發(fā)光半導(dǎo)體1403分隔成兩個區(qū)域，并且分別在此兩區(qū)域內(nèi)施加第一波長轉(zhuǎn)換層1401a、第二波長轉(zhuǎn)換層1401b，而在發(fā)光半導(dǎo)體1403上形成多層(并列)波長轉(zhuǎn)換層。 在發(fā)光單元1400的發(fā)光半導(dǎo)體1403上設(shè)置焊墊1405。圖7顯示自依照本發(fā)明的一實施例的晶圓式發(fā)光裝置所切割分離的個別發(fā)光單元1500的概略剖面圖。如圖7所示，發(fā)光單元1500包含襯底1506 ；第一發(fā)光半導(dǎo)體 1503a，形成在襯底1506上；第二發(fā)光半導(dǎo)體1503b，形成在襯底1506上；第一框架1502a， 配置在第一發(fā)光半導(dǎo)體1503a的上方；第二框架1502b，配置在第二發(fā)光半導(dǎo)體1503b的上方；第一波長轉(zhuǎn)換層1501a，施加在通過第一框架150 所局限的第一發(fā)光半導(dǎo)體1503a 上；以及第二波長轉(zhuǎn)換層1501b，施加在通過第二框架1502b所局限的第二發(fā)光半導(dǎo)體 1503b上。第一焊墊150 被設(shè)置在發(fā)光單元1500的第一發(fā)光半導(dǎo)體1503a上；而第二焊墊150 被設(shè)置在發(fā)光單元1500的第二發(fā)光半導(dǎo)體150 上。在圖7的實施例中，第一波長轉(zhuǎn)換層1501a以及第ニ波長轉(zhuǎn)換層1501b分別被施加至第一框架1502a以及第ニ框架 1502b內(nèi)，然而，亦可將圖6的實施例應(yīng)用在圖7的實施例上，具體而言，可在圖7的第一發(fā)光半導(dǎo)體1503a以及第ニ發(fā)光半導(dǎo)體1503b的上方分別設(shè)置圖6的框架，而分別在第一發(fā)光半導(dǎo)體1503a以及第二發(fā)光半導(dǎo)體150 上形成多層(并列)波長轉(zhuǎn)換層；或者，可將圖 4或圖5的實施例應(yīng)用在圖7的實施例上，而分別在第一發(fā)光半導(dǎo)體1503a以及第二發(fā)光半導(dǎo)體150 上形成多層(重疊)波長轉(zhuǎn)換層。然而，圖7的實施例亦可包含圖3所示的凹面波長轉(zhuǎn)換層。在本發(fā)明的實施例中，第一波長轉(zhuǎn)換層與第二波長轉(zhuǎn)換層可為相同或不同的波長轉(zhuǎn)換層。雖然本發(fā)明已參考較佳實施例及圖式詳加說明，但本領(lǐng)域技術(shù)人員可了解在不離開本發(fā)明的精神與范疇的情況下，可進行各種修改、變化以及等效替代，然而這些修改、變化以及等效替代仍落入本發(fā)明的權(quán)利要求范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種晶圓式發(fā)光裝置，其特征在干，包含ー襯底；一或多個發(fā)光半導(dǎo)體，形成在所述襯底上；一或多個框架，配置在所述發(fā)光半導(dǎo)體的上方；及一或多層波長轉(zhuǎn)換層，施加在通過所述一或多個框架所局限的所述發(fā)光半導(dǎo)體上，其中所述晶圓式發(fā)光裝置被切割成多個分離的個別發(fā)光単元。
2.如權(quán)利要求1所述的晶圓式發(fā)光裝置，其特征在干，所述框架能夠延伸涵蓋所述發(fā)光半導(dǎo)體的側(cè)邊部位。
3.如權(quán)利要求1所述的晶圓式發(fā)光裝置，其特征在干，所述發(fā)光単元能夠發(fā)射具有約 200nm至約500nm的峰值波長范圍的光。
4.如權(quán)利要求1所述的晶圓式發(fā)光裝置，其特征在干，所述波長轉(zhuǎn)換層通過下列至少其中ー種方法來施加精密配送法、精密壓印法、精密噴注法、以及網(wǎng)印法。
5.如權(quán)利要求1所述的晶圓式發(fā)光裝置，其特征在干，所述波長轉(zhuǎn)換層包含與一或多種有機化學(xué)品混合的熒光體顆粒。
6.如權(quán)利要求5所述的晶圓式發(fā)光裝置，其特征在干，所述熒光體顆粒比上所述有機化學(xué)品的重量比為0.6 8。
7.如權(quán)利要求5所述的晶圓式發(fā)光裝置，其特征在干，所述有機化學(xué)品為硅酮樹脂及/ 或環(huán)氧樹脂。
8.如權(quán)利要求1所述的晶圓式發(fā)光裝置，其特征在干，所述波長轉(zhuǎn)換層包含與玻璃混合的熒光體顆粒。
9.如權(quán)利要求8所述的晶圓式發(fā)光裝置，其特征在干，所述熒光體顆粒比上所述玻璃的重量比為0.6 8。
10.如權(quán)利要求8所述的晶圓式發(fā)光裝置，其特征在干，所述與玻璃混合的波長轉(zhuǎn)換層是通過下列至少其中ー種方法來施加精密配送法、精密壓印法、精密噴注法、以及網(wǎng)印法。
11.如權(quán)利要求10所述的晶圓式發(fā)光裝置，其特征在干，所述與玻璃混合的波長轉(zhuǎn)換層是在具有100°C至約500°C的范圍的溫度下被施加。
12.如權(quán)利要求1所述的晶圓式發(fā)光裝置，其特征在干，所述波長轉(zhuǎn)換層具有凸面、凹面、平面、或角錐的形狀。
13.如權(quán)利要求1所述的晶圓式發(fā)光裝置，其特征在干，所述框架由一透明材料所制成。
14.如權(quán)利要求13所述的晶圓式發(fā)光裝置，其特征在干，所述透明材料為環(huán)氧樹脂、硅酮樹脂、聚酰亞胺樹脂、玻璃、石英、壓克カ樹脂、聚碳酸酯樹脂、SU-8光阻、BCB光阻、或聚對ニ甲苯樹脂。
15.如權(quán)利要求1所述的晶圓式發(fā)光裝置，其特征在干，所述框架通過下列至少其中一種方法來配置旋轉(zhuǎn)涂布、浸漬涂布、化學(xué)氣相沉積、熱蒸鍍、以及電子束蒸鍍。
16.如權(quán)利要求1所述的晶圓式發(fā)光裝置，其特征在干，所述框架為單ー金屬層或多重
17.如權(quán)利要求1所述的晶圓式發(fā)光裝置，其特征在干，所述框架具有0.1微米至200 微米的厚度。
18.如權(quán)利要求1所述的晶圓式發(fā)光裝置，其特征在干，所述波長轉(zhuǎn)換層具有1微米至 200微米的厚度。
19.如權(quán)利要求1所述的晶圓式發(fā)光裝置，其特征在于，更包含 一光擴散層，配置在所述波長轉(zhuǎn)換層上。
20.如權(quán)利要求1所述的晶圓式發(fā)光裝置，其特征在干，所述襯底為不透光。
21.如權(quán)利要求20所述的晶圓式發(fā)光裝置，其特征在干，所述襯底為金屬、陶瓷、或半導(dǎo)體。
22.如權(quán)利要求21所述的晶圓式發(fā)光裝置，其特征在于，更包含 一反射層，位于所述襯底與所述發(fā)光半導(dǎo)體之間。
23.如權(quán)利要求1所述的晶圓式發(fā)光裝置，其特征在干，與所述波長轉(zhuǎn)換層相鄰接的所述發(fā)光半導(dǎo)體的表面被粗糙化。
24.如權(quán)利要求1所述的晶圓式發(fā)光裝置，其特征在干，對所述波長轉(zhuǎn)換層進行熱處理。
25.如權(quán)利要求M所述的晶圓式發(fā)光裝置，其特征在干，所述熱處理的溫度介于60°C 與300°C之間。
26.如權(quán)利要求1所述的晶圓式發(fā)光裝置，其特征在干，所述發(fā)光半導(dǎo)體包含 一 P型半導(dǎo)體層，形成在所述襯底上；ー活化層，配置在所述P型半導(dǎo)體層上；及一 η型半導(dǎo)體層，配置在所述活化層上。
27.如權(quán)利要求1所述的晶圓式發(fā)光裝置，其特征在干，所述波長轉(zhuǎn)換層能夠覆蓋所述框架的一部分。
28.如權(quán)利要求2所述的晶圓式發(fā)光裝置，其特征在干，所述波長轉(zhuǎn)換層能夠覆蓋所述發(fā)光半導(dǎo)體的側(cè)邊部位。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種晶圓式發(fā)光裝置，其包含一襯底；一或多個發(fā)光半導(dǎo)體，形成在該襯底上；一或多個框架，配置在該發(fā)光半導(dǎo)體的上方；以及一或多層波長轉(zhuǎn)換層，施加在通過該一或多個框架所局限的該發(fā)光半導(dǎo)體上，其中該晶圓式發(fā)光裝置被切割成多個分離的發(fā)光單元。本發(fā)明實施例的精密涂布有波長轉(zhuǎn)換層的發(fā)光裝置，可以提升制造良品率并且降低制造成本。
文檔編號H01L33/50GK102593310SQ201110004728
公開日2012年7月18日 申請日期2011年1月11日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月11日
發(fā)明者劉文煌, 張源孝, 朱振甫, 樊峰旭, 鄧仲哲, 高弘任 申請人:旭明光電股份有限公司