專利名稱：光反射基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有絕緣層和金屬層的光反射基板，并且所述光反射基板用于發(fā)光元件。更具體地，本發(fā)明涉及用于發(fā)光二極管(在下文中，稱作“LED”)發(fā)光元件的光反射基板，并且更詳細(xì)地，涉及LED發(fā)光元件的反射基板的改進(jìn)。
背景技術(shù)：
作為已知的白色LED發(fā)光元件，典型的是對使用RGB濾色器進(jìn)行彩色顯示的顯示裝置照明的LED發(fā)光元件，并且使用多色混合型LED發(fā)光元件。多色混合型LED發(fā)光元件通過使RGB的三色LED同時發(fā)光以發(fā)射白光，并且通過使用白光和顯示裝置的濾色器進(jìn)行彩色顯示。然而，因為RGB的相應(yīng)LED發(fā)射光，因此多色混合型LED發(fā)光元件色純度高并且具有優(yōu)秀的顯色性，但是需要大數(shù)量的LED以獲得白光，從而引起成本增加的問題。作為對多色混合型LED發(fā)光元件的問題的解決方案，例如，專利文獻(xiàn)1和2中公開了熒光體混色型LED發(fā)光元件。圖5是顯示專利文獻(xiàn)1和2中描述的熒光體混色型白色 LED發(fā)光元件的構(gòu)造的示意圖，它可以被結(jié)合在本發(fā)明的發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)中。圖5顯示了白色LED發(fā)光單元100。藍(lán)色LED 110被面向下連接至具有用于外部連接的電極120和130 的基板140，并且將藍(lán)色LED 110用含有YAG熒光粒子150的透明樹脂160模塑。由YAG熒光粒子150和藍(lán)色LED 110的余暉激發(fā)的光使得白色LED發(fā)光單元100在由發(fā)光表面?zhèn)壬系募^所示的方向上發(fā)射白光。在包含其中所使用的藍(lán)色LED 110和YAG熒光粒子150的熒光體混色型LED發(fā)光單元100中，優(yōu)選考慮過進(jìn)行增加含有YAG熒光粒子150的透明樹脂160的厚度，從而增加透明樹脂160的熒光粒子150含量等的對策以增強(qiáng)白光的發(fā)射強(qiáng)度(emission power)。然而，當(dāng)進(jìn)行這樣的對策時，依賴于透明樹脂160的厚度或透明樹脂160的熒光粒子150的含量，來自藍(lán)色LED 110的藍(lán)光的透過性變差并且白光的發(fā)射強(qiáng)度沒有提高。因此，為了提高白光的發(fā)射強(qiáng)度，需要進(jìn)一步改進(jìn)熒光體混色型發(fā)白光二極管裝置。為了以這種方式提高發(fā)射強(qiáng)度，例如，如專利文獻(xiàn)3等中所示，已知通過使用鋁金屬基板作為光反射基板抑制發(fā)射損失并提高發(fā)射強(qiáng)度的方法。尤其是，參考專利文獻(xiàn)3的圖2，金屬基板11的上表面覆蓋有絕緣樹脂13，并且將發(fā)光元件15安裝在形成在絕緣樹脂 13的上表面上的導(dǎo)電圖案14的上表面上。然而，需要的是增加或提高在整個可見光區(qū)域的反射率，具體地，反射基板本身的白色化。特別是，當(dāng)使用白色樹脂作為絕緣層時，存在這樣的問題由于增強(qiáng)發(fā)光元件的亮度時產(chǎn)生的大電流導(dǎo)致的熱輻射使白色樹脂劣化。需要設(shè)計LED發(fā)光部件以便增強(qiáng)在垂直于發(fā)光表面的方向上的指向性，并且具有小的視角依賴性的反射特性是適宜的。引用列表專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1 JP 2998696B ；
專利文獻(xiàn)2 JP 11-87784A ；專利文獻(xiàn)3 JP 2006-100753A發(fā)明概述技術(shù)問題因此，本發(fā)明的目的是提供一種可以提高白光的發(fā)射強(qiáng)度的光反射基板。解決問題的技術(shù)方案發(fā)明人進(jìn)行了深入的研究以實現(xiàn)上述目的，并且發(fā)現(xiàn)在其表面上具有特定尺寸的凹凸部(irregularities)的包括絕緣層和金屬層的光反射基板在光反射性上非常優(yōu)越并且在寬波長區(qū)域內(nèi)和寬視角下光反射性對于視角的依賴性小。換言之，本發(fā)明提供以下各項。(1) 一種光反射基板，所述光反射基板至少包括絕緣層；和金屬層，所述金屬層與所述絕緣層接觸安置，其中在大于320nm并且不大于700nm的波長范圍內(nèi)的光的全反射率不小于50%，并且在300nm至320nm的波長范圍內(nèi)的光的全反射率不小于60%。(2)根據(jù)(1)所述的光反射基板，其中所述光反射基板的表面具有平均波長為 0. 01至100 μ m的凹凸部。(3)根據(jù)⑴或⑵所述的光反射基板，其中通過式㈧計算的表面積差A(yù)S不小于5%并且不大于90% Δ S = [ (Sx-S0) /S0] X100(% ) (A)其中Sx表示所述光反射基板的50 μ mX 50 μ m表面區(qū)域的實際表面積，所述實際表面積通過三點近似從用原子力顯微鏡在512X512點測得的所述表面區(qū)域上的三維數(shù)據(jù)確定，并且&表示所述表面區(qū)域的幾何測量表面積。(4)根據(jù)⑴至(3)中的任一項所述的光反射基板，其中所述金屬層為鋁并且所述絕緣層為鋁的陽極氧化膜。(5)根據(jù)⑴至(4)中的任一項所述的光反射基板，其中所述光反射基板是反射從朝向發(fā)光觀測表面的發(fā)光元件發(fā)射的光的光反射基板。(6)根據(jù)(1)至( 中的任一項所述的光反射基板，其中所述金屬層具有帶有凹坑的形狀，并且所述絕緣層形成于所述帶有凹坑的形狀的表面上。(7) 一種制造根據(jù)(1)至(6)中的任一項所述的光反射基板的方法，所述方法包括準(zhǔn)備鋁板；將所述鋁板的表面粗糙化；和將所述粗糙化的表面陽極氧化以形成所述絕緣層。(8) 一種制造根據(jù)(1)至(6)中的任一項所述的光反射基板的方法，所述方法至少包括準(zhǔn)備鋁板；和將所述鋁板的表面粗糙化并且之后以任意順序進(jìn)行以下步驟(a)和(b)(a)形成其中安置發(fā)光元件的互連通孔，并且進(jìn)行用于將所述基板芯片化的打線 (routing)；禾口(b)將所述粗糙化的表面陽極氧化以形成所述絕緣層。
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(9)根據(jù)(6)所述的光反射基板，所述光反射基板通過將至少兩片根據(jù)(1)至中的任一項所述的光反射基板重疊而形成，其中在一片鋁板中形成至少一個通孔，而在另一片鋁板中未形成通孔。(10)根據(jù)(8)所述的制備光反射基板的方法，其中當(dāng)進(jìn)行打線以使得在多個芯片周圍形成用于單獨(dú)地切割芯片的切除部，并且在所述切除部的一部分中形成將所述多個芯片連接至所述鋁板的連接部時，所述打線包括以下打線方法對鋁板充當(dāng)所述連接部的部分進(jìn)行設(shè)計以使其比充當(dāng)芯片的部分薄，通過所述打線切去所述切除部以將所述連接部留在所述鋁板中，然后將所述鋁板陽極氧化，然后切割所述連接部，從而減少或移除在通過切割所述連接部而分離的單個芯片的厚度方向上形成的鋁部分的面積。(11)根據(jù)⑶或(10)所述的制備光反射基板的方法，其中在根據(jù)⑶或(10)的步驟之后以任意順序進(jìn)行下列步驟(c)和(d)(c)形成用于將電信號傳送至發(fā)光元件的金屬互連層，并且將所述金屬互連層圖案化；和(d)再次在對應(yīng)于其上安裝所述發(fā)光元件的部分的電極部分中形成金屬層。(12) 一種發(fā)白光二極管裝置，所述發(fā)白光二極管裝置在根據(jù)(1)至(6)和(9)中的任一項所述的光反射基板的上層中具有發(fā)藍(lán)光元件，并且在所述發(fā)藍(lán)光元件周圍和/或之上具有熒光發(fā)光體。發(fā)明的有益效果如下面所描述的，根據(jù)本發(fā)明，可以提供一種光反射基板，所述光反射基板具有高熱耗散，并且所述光反射基板還可以增強(qiáng)發(fā)射強(qiáng)度。在根據(jù)本發(fā)明的光反射基板中，在寬波長區(qū)域內(nèi)并且在寬視角下光反射率對視角的依賴性小。附圖簡述

圖1是顯示交流波形的實例的圖，所述交流波形在本發(fā)明的光反射基板的制備中可以用于進(jìn)行電化學(xué)粗糙化處理。圖2是徑向電解槽的示意圖，所述徑向電解槽在本發(fā)明的光反射基板的制備中可以在用交流電的電化學(xué)粗糙化處理中使用。圖3是陽極氧化裝置的示意圖，所述陽極氧化裝置可以用于在本發(fā)明的光反射基板的制備中進(jìn)行陽極氧化處理。圖4是顯示毛刷粗糙化步驟原理的示意圖，所述毛刷粗糙化可以用于在本發(fā)明的光反射基板的制備中進(jìn)行機(jī)械粗糙化處理。圖5是顯示熒光體混色型白色LED發(fā)光元件的構(gòu)造的示意圖。圖6是顯示在300至700nm的全反射率的測量結(jié)果的圖。圖7是顯示熒光體混色型白色LED發(fā)光元件的示意圖。圖8是顯示在300至700nm的全反射率的測量結(jié)果的圖。圖9是顯示使用本發(fā)明光反射基板的LED發(fā)光元件的另一個實施例的截面圖。圖10是顯示本發(fā)明的光反射基板的實施例的截面圖。圖10(A)是光反射基板的截面圖，其中鋁板具有平面形狀并且絕緣層具有平面形狀。圖IO(Bl)、10(B》和10(B3)是光反射基板的截面圖，其中鋁板具有帶有凹坑的形狀并且絕緣層形成于凹坑的表面上。圖 IO(Cl)、10(C2)和10(C3)是顯示了光反射基板的另一個實施例的截面圖，所述光反射基板具有與圖IO(Bl)、10(B2)和10(B3)中所示相同的形狀。圖11(A1)、11(A2)、11(A3)和11 (A4)是顯示其中金屬鋁從打線之后切割的連接部暴露出的狀態(tài)的示意圖，并且因此在制備本發(fā)明的光反射基板的打線方法中絕緣性不足。 圖Il(Bl)和11 (B2)是顯示在用于將陽極氧化膜連接至切割連接部以保持絕緣性能的陽極氧化處理之前鋁板連接部形狀，在陽極氧化處理之后連接部的形狀，以及在芯片化之后光反射基板芯片側(cè)面的截面圖。發(fā)明詳述在下文中，將詳細(xì)描述本發(fā)明的光反射基板。本發(fā)明的光反射基板包括絕緣層和金屬層，所述金屬層與所述絕緣層接觸形成， 并且所述光反射基板具有在大于320nm并且不大于700nm的波長不小于50 %的光反射率以及在300nm至320nm的波長不小于60%的光反射率。這里，例如通過分光光度計測量全反射率。1. <表面形狀>在本發(fā)明的光反射基板中，優(yōu)選的是其表面具有0.01至ΙΟΟμπι的平均波長的凹凸部以便滿足上述反射率。該表面可以具有其中層疊具有不同波長的凹凸部的形狀。當(dāng)本發(fā)明的光反射基板的表面具有這樣的凹凸部時，據(jù)估計可以增強(qiáng)光散射效應(yīng)以及可以抑制光吸收/干涉效應(yīng)(引起反射損失的效應(yīng))。因此，本發(fā)明的光反射基板在反射性上優(yōu)越。在具有5至ΙΟΟμπι的平均波長的凹凸部(在下文中，也稱作“大波結(jié)構(gòu)”)中，平均波長優(yōu)選在7至75 μ m的范圍內(nèi)，并且平均波長更優(yōu)選在10至50 μ m的范圍內(nèi)，因為光
散射效應(yīng)進(jìn)一步增強(qiáng)。本發(fā)明的光反射基板的表面結(jié)構(gòu)優(yōu)選為其中的凹凸部具有以下一種凹凸部的結(jié)構(gòu)。在具有0.5至5μπι的平均波長的凹凸部(在下文中，也稱作“中波結(jié)構(gòu)”)中，平均波長優(yōu)選在0. 7至4 μ m的范圍內(nèi)，并且平均波長更優(yōu)選在1至3μπι的范圍內(nèi)，因為光散射效應(yīng)增強(qiáng)并且光吸收效應(yīng)被抑制。在具有0. 01至0. 5 μ m的平均波長的凹凸部(在下文中，也稱作“小波結(jié)構(gòu)”)中， 平均波長優(yōu)選在0. 015至0. 4 μ m的范圍內(nèi)，并且平均波長更優(yōu)選在0. 02至0. 3 μ m的范圍內(nèi)，因為可見光干涉效應(yīng)被抑制。本發(fā)明的光反射基板的表面具有選自以下各項的至少一種大波結(jié)構(gòu)、中波結(jié)構(gòu)和小波結(jié)構(gòu)。優(yōu)選將兩種以上凹凸部結(jié)構(gòu)層疊，并且更優(yōu)選將全部三種凹凸部結(jié)構(gòu)層疊，因為可以進(jìn)一步提高反射率。當(dāng)本發(fā)明的光反射基板在其表面上具有特定凹凸部時，可以在寬視角內(nèi)取得均勻的光并且視角依賴性小(依賴于視角的反射率的差別小)。當(dāng)本發(fā)明的光反射基板的表面具有特定凹凸部時，由于凹凸部的錨固效應(yīng)，對于后面要描述的具有熒光發(fā)光體的透明樹脂的緊密粘合性高，并且因此熱耗散性優(yōu)秀。在提高反射基板的白色性(提高散射性)方面，本發(fā)明的光反射基板的表面具有優(yōu)選至少5%但是不大于90%，更優(yōu)選至少10%但是不大于80%，并且再更優(yōu)選至少20% 但是不大于70%的通過式(1)表示的表面積差A(yù)S
Δ S = [ (Sx-S0) /S0] X100(% ) (1)其中Sx為50平方微米表面區(qū)域的實際表面積，其通過三點近似從用原子力顯微鏡在512X512點測量的表面區(qū)域上的三維數(shù)據(jù)而確定，并且&是所述表面區(qū)域的幾何測量表面積(表觀表面積)。表面積差Δ S是顯示光反射基板的表面上的凹凸部的大小的一個因子。當(dāng)AS取較大值時，可以散射更多的光。在本發(fā)明中，用原子力顯微鏡(AFM)測量表面輪廓(profile)以獲得三維數(shù)據(jù)，從而測定AS。例如，可以在以下條件下進(jìn)行測定。S卩，將1平方厘米樣品從光反射基板切出并且放置在壓電掃描器上的水平樣品架上。使懸臂接近樣品的表面。當(dāng)懸臂到達(dá)可感知原子間力的區(qū)域時，在X和Y方向上掃描樣品的表面，并且基于Z方向上的位移讀取樣品的表面構(gòu)形圖。使用能夠在X和Y方向上掃描150 μ m并且在Z方向上掃描 ομ m的壓電掃描器。使用具有120至150kHz的共振頻率和12至20N/m的彈簧長度的懸臂(例如，由NAN0PR0BE制造的SI-DF20)，并在動態(tài)力模式(DFM)下進(jìn)行測定。將所得到的三維數(shù)據(jù)通過最小二乘法近似以補(bǔ)償樣品的輕微傾斜并確定基準(zhǔn)面。測定包括以512乘512點的在樣品的表面上50平方微米區(qū)域獲得值。分辨率在X和Y方向上為1. 9 μ m，并且在Z方向上為lnm。掃描速度為60 μ m/s。使用上面獲得的三維數(shù)據(jù)(Ouy))，選擇相鄰三個點的組，并且對由三個點的組形成的微三角形的表面積求和，從而給出實際表面積民。之后由所得到的實際表面積Sx與幾何測量表面積&使用上面的式(1)計算表面積差A(yù)S?！淳哂锌涨唤Y(jié)構(gòu)的光反射基板以及使用兩個本發(fā)明的光反射基板制造具有空腔結(jié)構(gòu)的光反射基板的方法〉對于本發(fā)明的光反射基板在形狀上沒有特別的限定。例如，如圖10㈧中所示，在光反射基板30中，作為金屬層33的鋁板可以具有平面形狀并且絕緣層32可以具有平面形狀。如圖10(B2)中所示，光反射基板可以具有帶有凹坑34的形狀。當(dāng)將LED元件安裝在凹坑34上時，可以有效地使用光反射基板的凹坑的側(cè)表面的光反射。圖10(B2)和10(B3) 是光反射基板的截面圖，其中作為金屬層的鋁板具有帶有凹坑34(空腔)的形狀并且絕緣層32形成于凹坑的表面上。對于制造圖10(B3)中所示的本發(fā)明的光反射基板的方法沒有特別的限定。例如，如圖IO(Bl)和10(B2)中所示，可以將模具36在箭頭方向上壓制以在鋁板1中形成具有凹坑34的金屬層33。圖10 (B2)是顯示了將凹坑34形成于金屬層33中的狀態(tài)的截面圖。通過陽極氧化具有圖10 (B2)中所示形狀的鋁板，可以制備圖10 (B3)中所示的具有絕緣層32和金屬層33的光反射基板30。圖IO(Cl)、10(C2)和10(C3)是顯示制造光反射基板的方法的另一個實施例的截面圖，所述光反射基板具有與圖IO(Bl)、10(B2)和10(B3)中所示相同的形狀。關(guān)于該光反射基板，制備了兩塊光反射基板，即光反射基板30和另一塊光反射基板301，所述光反射基板30如圖10(以)中所示不包含通孔但是至少包含絕緣層32和金屬層33，并且所述另一塊光反射基板301如圖IO(Cl)中所示包含通孔35并且包含絕緣層321和金屬層331。接下來，如圖IO(O)中所示，通過將兩片光反射基板重疊，形成具有凹坑34的光反射基板303。 可以將兩片光反射基板彼此連接?？梢酝ㄟ^預(yù)先打開鋁板中的通孔35，將該產(chǎn)物陽極氧化， 并且之后在其上形成絕緣層321，從而制造圖IO(Cl)中所示的光反射基板301。因為可以通過低成本鉆孔形成通孔并且通孔的形狀或大小的控制非常簡單，如上所述，可以通過將完成后的兩片基板重疊在彼此上或連接至彼此，以低成本制造具有與過去相同的空腔結(jié)構(gòu)的光反射基板。下面將描述使用非常適合于本發(fā)明的光反射基板的通過將鋁陽極氧化而獲得的防蝕鋁基板的光反射基板。包括由陽極氧化鋁形成的氧化鋁層作為絕緣層以及從其延伸的鋁金屬層的光反射基板光反射率高并且在耐熱性和耐候性上優(yōu)秀。2. < 鋁板 > 可以使用已知鋁板制造本發(fā)明中的光反射基板。在本發(fā)明中使用的鋁板由主要由鋁組成的尺寸穩(wěn)定的金屬，換言之，鋁或鋁合金制成。除了純鋁板，也可以使用主要由鋁組成并且含有少量其他元素的合金板。在該說明書中，將上面描述的由鋁或鋁合金制成的多種載體統(tǒng)稱為“鋁板”。在鋁合金中可以存在的其他元素包括硅、鐵、銅、錳、鎂、鉻、鋅、鉍、鎳和鈦。合金中其他元素的含量不大于10重量％。對于在本發(fā)明中可以使用的鋁板不指定組成，但是包括由日本輕金屬協(xié)會(Japan Light Metal Association)在 1990年發(fā)行的第4版鋁手冊(Aluminum Handbook)中出現(xiàn)的已知材料，如具有牌號JIS A1050、JISA1100和JIS A1070的鋁板；以及具有牌號JIS A3004 和國際合金牌號(International Alloy Designation) 3103A的含錳的鋁-錳系鋁板。也可以使用由以上鋁合金組成、其中加入了至少0. 1重量％鎂的鋁-鎂合金和鋁-錳-鎂合金(JIS A3005)以增加拉伸強(qiáng)度。也可以使用其中分別另外含有鋯和硅的鋁-鋯合金和鋁-硅合金。也可以使用鋁-鎂-硅合金。在JP 59-153861A、JP 6卜51395A、JP 62-146694A、JP 60-215725A、 JP 60-215726A、JP 60-215727A、JP 60-216728A、JP 61-272367A、JP58-11759A、JP 58-42493A, JP 58-221254A、JP 62-148295A、JP 4-254545A、JP 4-165041A、JP 3-68939B、 JP 3-234594A、JP 1-47545B、JP62-140894A、JP 1-35910B 和 JP 55-28874B 中提到了 JIS 1050材料。在JP 7-81264A、JP 7-305133A、JP 8-49034A、JP 8-73974A、JP8-108659A 和 JP 8-92679A 中提到了 JIS 1070 材料。在JP 62-5080B,JP 63_60823B、JP 3_61753B、JP 60-203496A、JP60-203497A、JP
3-11635B、JP61-274993A、JP 62_23794A、JP 63_47347A、JP 63_47348A、JP 63_47349A、JP 64-1293A,JP 63-135294A、JP63-87288A、JP 4_73392B、JP 7-100844B,JP 62-149856A、JP
4-73394B、JP62-181191A、JP 5_76530B、JP 63_30294A、JP 6_37116B、JP 2-215599A 和 JP 61-201747A中提到了鋁-鎂合金。在JP 60-230951A,JP 1-306288A.JP 2-293189A.JP 54-42284B.JP 4-19290B.JP 4-19291B,JP 4-19292B,JP 61-35995A.JP 64-51992A.JP 4_226394A、US 5，009，722 和 US 5，028，276中提到了鋁-錳合金。在JP 62-86143A、JP 3-222796A、JP 63-60824B、JP 60-63346A、JP 60-63347A、 JP 1-293350A, EP 223，737B、US 4，818，300 和 GB 1，222，777 中提到了鋁-猛-鎂合金。在JP 63-15978B、JP 61-51395A、JP 63-143234A 和 JP 63-143235A 中提到了
招_錯合金。
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在GB 1，421，710中提到了鋁-鎂-硅合金?？梢酝ㄟ^例如下面描述的方法使鋁合金形成板。首先，通過通常的方法對已經(jīng)調(diào)節(jié)至給定合金成分含量的鋁合金熔體進(jìn)行凈化處理，之后鑄造。進(jìn)行以從熔體移除氫和其他多余氣體的凈化處理典型地包括熔劑處理；使用氬氣、氯氣等的脫氣處理；使用以下各項的過濾處理例如，所謂剛性介質(zhì)過濾器(例如，陶瓷管過濾器、陶瓷泡沫過濾器)、使用過濾介質(zhì)如氧化鋁片或氧化鋁球的過濾器、或者玻璃布過濾器；或者脫氣處理與過濾處理的組合。優(yōu)選進(jìn)行凈化處理以防止歸因于熔體中的雜質(zhì)如非金屬夾雜物和氧化物的缺陷，以及歸因于熔體中所溶解的氣體的缺陷。熔體的過濾記載在，例如JP 6-57432A, JP 3-162530A、JP 5-140659A、JP 4-231425A、JP4-276031A、JP 5-311261A 和 JP 6-136466A 中。熔體的脫氣記載在，例如，JP 5-51659A和JP 5-49148U中。本申請人還提出了與JP 7-40017A中的熔體脫氣相關(guān)的技術(shù)。接下來，將如上所述已經(jīng)進(jìn)行凈化處理的熔體鑄造。鑄造工藝包括使用固定模具的那些，如直接冷鑄，以及使用移動模具的那些，如連續(xù)鑄造。在直接冷鑄中，使熔體以0. 5至30°C /秒的冷卻速度固化。在低于1°C /s的情況下，可能形成很多粗糙的金屬間化合物。當(dāng)進(jìn)行直接冷鑄時，可以獲得具有300至800mm厚度的錠。如果需要，將該錠通過傳統(tǒng)的方法削去表面層，通常從表面除去1至30mm，并且優(yōu)選1至IOmm的材料。也可以任選地將該錠均熱化，在削去表面層之前或者之后。在進(jìn)行均熱化的情況下，將該錠在450至620°C下熱處理1至48小時以防止金屬間化合物的粗化。 如果熱處理時間短于一小時，均熱處理的效果可能不充分。之后將該錠熱軋并冷軋，給出軋制的鋁板。在開始熱軋時350至500°C的溫度是合適的?？梢栽跓彳堉盎蛑?，或者甚至在熱軋過程中進(jìn)行中間退火。中間退火條件可以包括在間歇式退火爐中，在280至600°C下加熱2至20小時，并且優(yōu)選在350至500°C 下加熱2至10小時，或者在連續(xù)退火爐中，在400至600°C下加熱至多6分鐘，并且優(yōu)選在 450至550°C下加熱至多2分鐘。使用連續(xù)退火爐在10至200°C /s的溫度升高速率下加熱軋制板使得能夠獲得更細(xì)的晶體結(jié)構(gòu)。之后可以將通過以上步驟完成的給出，比方說，0. 1至0. 5mm厚度的鋁板用矯正機(jī)如輥式矯正機(jī)或拉伸矯正機(jī)整平?？梢栽趯X板切為分離的片之后進(jìn)行整平。然而，為保證產(chǎn)量，優(yōu)選的是在連續(xù)卷的狀態(tài)下對軋制鋁進(jìn)行這種整平。也可以使板通過縱斷機(jī)流水線以將其切割為預(yù)定寬度。可以將油的薄膜提供在鋁板的表面上以防止歸因于相鄰鋁板之間摩擦的劃傷。可以按照需要適當(dāng)使用揮發(fā)性或者非揮發(fā)性油膜。工業(yè)上進(jìn)行的連續(xù)鑄造工藝包括使用冷卻輥的工藝，如雙輥工藝(Hunter工藝) 和3C工藝；以及使用冷卻帶或冷卻塊的工藝，如雙帶工藝(Hazelett工藝)和Alusuisse Caster II工藝。當(dāng)使用連續(xù)鑄造工藝時，將熔體以100至1，000°C/s的冷卻速率固化。連續(xù)鑄造工藝通常具有比直接冷鑄工藝更快的冷卻速率，并且因此其特征在于能夠獲得在鋁基體中的合金成分的更高固溶性。與由本發(fā)明的申請人提出的連續(xù)鑄造工藝相關(guān)的技術(shù)記載在，例如，JP 3-79798A, JP 5-201166A, JP 5_156414A、JP 6-262203A、JP 6_122949A、JP 6-210406A 和 JP 6-26308A 中。當(dāng)進(jìn)行連續(xù)鑄造時，如通過包括冷卻輥的使用的工藝(例如，Hunter工藝)，可以將熔體直接并且連續(xù)地鑄造為具有1至IOmm厚度的板，從而使得可以省略熱軋步驟。此外， 根據(jù)使用冷卻帶的工藝(例如，Hazelett工藝)，可以鑄造具有10至50mm厚度的板。通常，通過將熱軋輥放置在鑄造段的直接下游，于是可以接著將鑄造板軋制，使得能夠進(jìn)行連續(xù)鑄造，并獲得1至IOmm厚度的軋制板。之后可以對這些連續(xù)鑄造和軋制的板以與上面對于直接冷鑄描述的相同的方式進(jìn)行以下處理如冷軋、中間退火、整平和切條，并且從而完成，例如，0. 1至0. 5mm厚度的板。涉及連續(xù)鑄造工藝中的中間退火條件和冷軋條件的由本發(fā)明的申請人提出的技術(shù)記載在，例如，JP 6-220593A, JP 6_210308A、JP 7-54111A 和 JP 8-92709A 中。因為當(dāng)進(jìn)行化學(xué)粗糙化處理或電化學(xué)粗糙化處理時，鋁板的表面處的晶體結(jié)構(gòu)可能導(dǎo)致差的表面品質(zhì)，優(yōu)選的是晶體結(jié)構(gòu)不要太粗。鋁板的表面處的晶體結(jié)構(gòu)具有優(yōu)選至多200 μ m,更優(yōu)選至多100 μ m,并且最優(yōu)選至多50 μ m的寬度。此外，該晶體結(jié)構(gòu)具有優(yōu)選至多5，000 μ m,更優(yōu)選至多1，000 μ m,并且最優(yōu)選至多500 μ m的長度。由本發(fā)明的申請人提出的相關(guān)技術(shù)記載在，例如，JP 6-218495A,JP 7-39906A和JP 7-1M609A中。在鋁板的表面上的的合金成分分布優(yōu)選是適度均勻的，因為當(dāng)進(jìn)行化學(xué)粗糙化處理或電化學(xué)粗糙化處理時，鋁板的表面上合金成分的不均勻分布有時導(dǎo)致差的表面品質(zhì)。由本發(fā)明的申請人提出的相關(guān)技術(shù)記載在，例如，JP 6-48058A, JP 5-301478A和JP 7-132689A 中。鋁板中金屬間化合物的大小或密度可能影響化學(xué)粗糙化處理或電化學(xué)粗糙化處理。由本發(fā)明的申請人提出相關(guān)技術(shù)記載在，例如，JP7-138687A和JP 4-2MM5A中。在本發(fā)明中，可以在通過疊軋、轉(zhuǎn)印或其他方法在最終軋制過程中在鋁板上形成花紋圖案之后使用如上所述的鋁板。在本發(fā)明中可以使用的鋁板可以為鋁卷材或切片的形式。當(dāng)鋁板為卷材的形式時，可以通過以下方式將其包裝例如，鋪墊硬紙板并粘在鐵貨盤上，在產(chǎn)品的每側(cè)放置瓦楞紙板墊圈，用聚合管狀纖維包裹每件物體，將木墊圈插入卷中心處的開口中，繞卷的周圍填充氈，在整個包裝上繃緊鋼帶，并在外面貼上標(biāo)簽。此外，可以使用聚乙烯膜作為外包裝材料，并且可以使用針織氈和硬紙板作為墊料。存在多種其他形式的包裝，可以使用其任一種，條件是可以將鋁板穩(wěn)定地運(yùn)輸而不將其刮傷或以其他方式產(chǎn)生刮痕。在本發(fā)明中可以使用的鋁板優(yōu)選具有約0. 1至約2. 0mm，更優(yōu)選0. 15至1.5mm，并且再更優(yōu)選0. 2至1. Omm的厚度?？梢愿鶕?jù)使用者的需求適當(dāng)?shù)馗淖冊摵穸取?.〈表面處理〉在本發(fā)明的光反射基板的制備過程中進(jìn)行的表面處理包括表面粗糙化處理和陽極氧化處理。在制備多孔氧化鋁載體的過程中也可以包括除表面粗糙化處理和陽極氧化處理以外的多種其他步驟。形成上面描述的表面輪廓的典型方法包括其中按以下順序?qū)︿X板進(jìn)行機(jī)械粗糙化處理、堿蝕刻處理、用酸的去污處理和用電解液的電化學(xué)粗糙化處理的方法；其中對鋁板進(jìn)行機(jī)械粗糙化處理，以及兩個以上循環(huán)的堿蝕刻處理、用酸的去污處理和電化學(xué)粗糙化處理(在每個循環(huán)中使用不同的電解液)的方法；其中按以下順序?qū)︿X板進(jìn)行堿蝕刻處理、 用酸的去污處理和用電解液的電化學(xué)粗糙化處理的方法；以及其中對鋁板進(jìn)行兩個以上循環(huán)的堿蝕刻處理、用酸的去污處理和電化學(xué)粗糙化處理(在每個循環(huán)中使用不同的電解液)的方法。然而，本發(fā)明不限于此。在這些方法中，在電化學(xué)粗糙化處理之后可以進(jìn)一步進(jìn)行堿蝕刻處理和用酸的去污處理。雖然所使用的方法依賴于其他處理(包括堿蝕刻處理)的條件，優(yōu)選使用其中按以下順序進(jìn)行機(jī)械粗糙化處理、使用基于硝酸的電解液的電化學(xué)粗糙化處理以及使用基于鹽酸的電解液的電化學(xué)粗糙化處理的方法，以形成其中將小波結(jié)構(gòu)重疊在中波結(jié)構(gòu)上，所述中波結(jié)構(gòu)依次又重疊在大波結(jié)構(gòu)上的表面輪廓。為了形成其中將小波結(jié)構(gòu)重疊在大波結(jié)構(gòu)上的表面輪廓，優(yōu)選使用的方法是其中僅用增加總量的供給至陽極反應(yīng)的電流進(jìn)行使用基于鹽酸的電解液的電化學(xué)粗糙化處理。下面詳細(xì)描述相應(yīng)的表面處理步驟?！礄C(jī)械粗糙化處理〉機(jī)械粗糙化處理比電化學(xué)粗糙化廉價并且可以形成具有帶5至100 μ m的平均波長的凹凸部的表面。它因此作為用于形成大波結(jié)構(gòu)的粗糙化方式是有效的。機(jī)械粗糙化處理的實例包括其中將鋁表面用金屬絲刮擦的金屬絲刷粗糙化，其中將鋁表面用研磨球和研磨劑研磨的球粗糙化，以及記載在JP 6-135175A和JP 50-40047B 中的粗糙化，其中將表面用尼龍刷和研磨劑粗糙化。還可以使用轉(zhuǎn)印輥方法，其中將花紋化表面壓在鋁板上?？梢允褂玫姆椒ǖ奶囟▽嵗?JP 55-74898A、JP 60-36195A 和 JP 60-203496A 中記載的方法；JP 6-55871A 中描述的方法，其特征在于進(jìn)行多次轉(zhuǎn)??；以及JP 6-M168A中記載的方法，其特征在于表面具有彈性?？梢允褂玫钠渌椒òㄆ渲惺褂棉D(zhuǎn)印輥重復(fù)地進(jìn)行轉(zhuǎn)印的方法，在所述轉(zhuǎn)印輥中，通過例如，放電加工、噴丸處理、激光加工或等離子蝕刻形成細(xì)花紋；以及以下方法 其中將用細(xì)粒涂覆的花紋化表面放在鋁板上，從花紋化表面上方多次重復(fù)地施加壓力，并且將對應(yīng)于細(xì)粒的平均直徑的花紋圖案重復(fù)地轉(zhuǎn)印至鋁板?？梢允褂靡阎椒ㄈ缬涊d在JP 3-8635A,JP 3-66404A和JP 63-65017A中的那些以賦予轉(zhuǎn)印輥細(xì)花紋。備選地，可以通過用例如，模具、切割工具或激光在兩個方向在輥表面中形成細(xì)凹槽，將角形花紋施加于輥表面?？梢詫λ玫降妮伇砻孢M(jìn)行已知的蝕刻處理以稍微圓滑化所形成的角形花紋。也可以進(jìn)行如淬火或鍍硬鉻的工藝以增加表面硬度。此外，也可以使用記載在例如JP 61-162351A和JP 63-104889A中的機(jī)械粗糙化處理。在本發(fā)明的實施中，可以在考慮到生產(chǎn)率和其他因素的同時將上面提到的方法組合使用。這些機(jī)械粗糙化處理優(yōu)選的是在電化學(xué)粗糙化處理之前進(jìn)行。下面詳細(xì)描述可以適合于用作機(jī)械粗糙化處理的毛刷粗糙化工藝。該毛刷粗糙化工藝通常是以下方法其中使用由其表面上植有許多刷毛的圓形筒組成的刷輥摩擦鋁板的一側(cè)或兩側(cè)，同時將含研磨劑的漿液噴濺在旋轉(zhuǎn)的刷輥上，所述刷毛典型地由合成樹脂如尼龍(商標(biāo))、聚丙烯或聚氯乙烯制成?？梢允褂闷浔砻嫔闲纬捎袙伖鈱拥膾伖廨伌嫔厦嫣岬降乃⑤伜蜐{液。當(dāng)使用刷輥時，刷上的刷毛具有優(yōu)選10，000至40，OOOkgf/cm2,并且更優(yōu)選15，000至35，000kgf/cm2的撓曲模量，以及優(yōu)選500gf以下，并且更優(yōu)選400gf以下的硬度。刷毛直徑通常為0. 2至0. 9mm?？梢愿鶕?jù)刷輥的外直徑和圓筒直徑適當(dāng)?shù)剡x擇刷毛長度，但是通常為10至100mm?？梢允褂靡阎难心?。示例性實例包括浮石、硅砂、氫氧化鋁、氧化鋁粉末、碳化硅、氮化硅、火山灰石、金剛砂、剛玉砂及其混合物。這些中，浮石和硅砂是優(yōu)選的。硅砂是特別優(yōu)選的，因為它比浮石更硬并且較不容易碎裂，并且從而具有出色的粗糙化效率。為了提供出色的粗糙化效率并減小紋狀圖案的間距，適宜的是研磨劑具有優(yōu)選3至50 μ m，并且更優(yōu)選6至45 μ m的平均粒度。典型地將研磨劑懸浮在水中并且作為漿液使用。除研磨劑以外，漿液也可以包括添加劑如增稠劑、分散劑(例如，表面活性劑)、以及防腐劑。該漿液具有優(yōu)選0. 5至2的范圍內(nèi)的比重。用于機(jī)械粗糙化處理的合適裝置的實例是記載在JP 50-40047B中的那種。〈電化學(xué)粗糙化處理〉可以用在使用交流電的傳統(tǒng)電化學(xué)粗糙化處理中使用的類型的電解液進(jìn)行電化學(xué)粗糙化處理(在下面也稱作“電解粗糙化處理”)。特別是，使用主要含有鹽酸或硝酸的電解液使得能夠容易地獲得如上所述的表面輪廓并且因此是優(yōu)選的?？梢愿鶕?jù)，例如，記載在JP 484812；^和GB 896，563中的電化學(xué)粗糙化方法(電解粗糙化方法)進(jìn)行電解粗糙化處理。在電解粗糙化方法中使用正弦交流電，但是也可以使用記載在JP 52-58602A中的特殊波形。也可以使用記載在JP 3-79799A中的波形。用于該目的可以使用的其他方法包括記載在JP 55-158298A、JP 56-28898A、JP 52-58602A、 JP 52-152302A、 JP 54-85802A、 JP 60-190392A、 JP 58-120531A、 JP 63-176187A、 JP 1-5889A、JP 1-280590A, JP 1-118489A、JP 1-148592A、JP 1-178496A、JP 1-188315A、JP 1-154797A、JP 2-235794A、JP 3-260100A、JP3-253600A、JP 4-72079A、JP 4-72098A、JP 3-267400A和JP 1-141094A中的那些。除了以上所述以外，也可以使用特殊頻率的交流電進(jìn)行電解粗糙化處理，如已經(jīng)與用于制造電解電容器的方法一同提出的那些。它們記載在， 例如 US 4，276，129 和 US 4，676，879 中。提出了多種電解槽和電源。例如，可以使用US 4，203，637、JP56-123400A、JP 57-59770A, JP 53-12738A、JP 53-32821A、JP 53-32822A、JP 53-32823A、JP 55-122896A、 JP 55-132884A,JP 62-127500A、JP1-52100A、JP 1-52098A.JP 60-67700A.JP 1-230800A、 JP 3-257199A、 JP 52-58602A、 JP 52-152302A、 JP 53-12738A、 JP 53-12739A、 JP 53-32821A、JP 53-32822A、JP 53-32833A、JP 53-32824A、JP 53-32825A、JP54-85802A、 JP 55-122896A、 JP 55-132884A、 JP 48-28123B、 JP 51-7081B、 JP 52-133838A、 JP 52-133840A、JP 52-133844A、JP 52-133845A、JP 53-149135A 和 JP 54-146234A 中記載的那些。除了硝酸和鹽酸溶液以外，可以使用其他酸性溶液用于電解液，所述其他酸性溶液包括 US 4，671，859、US 4，661，219、US 4，618，405、US4, 600，482、US 4，566，960、US 4，566，958、US 4，566，959、US 4，416，972、US 4，374，710、US 4，336，113 和 US 4，184，932 中提到的電解液。酸性溶液具有優(yōu)選0. 5至2. 5重量％的濃度，而0. 7至2. 0重量％的濃度用于上面提到的去污處理中是特別優(yōu)選的。電解液優(yōu)選具有20至80°C并且更優(yōu)選30至60°C的溫度。主要由鹽酸或硝酸組成的水溶液可以通過下列方法得到將含硝酸根離子的化合物如硝酸鋁、硝酸鈉或硝酸銨，或者含氯離子的化合物如氯化鋁、氯化鈉或氯化銨溶解在水中的1至100g/L鹽酸或硝酸溶液中達(dá)到lg/L至飽和的濃度。鋁合金中存在的金屬，如鐵、 銅、錳、鎳、鈦、鎂和硅可以溶解在主要由鹽酸或硝酸組成的水溶液中。優(yōu)選的是使用通過以下方式制備的溶液將化合物如氯化鋁或硝酸鋁溶解在水中的0. 5至2重量％鹽酸或硝酸溶液中達(dá)到3至50g/L的鋁離子濃度。通過添加并使用能夠與銅形成配合物的化合物，即使在具有高銅含量的鋁板上也可以進(jìn)行均勻粗糙化。能夠與銅形成配合物的化合物的實例包括氨；通過用(脂族的、芳族的或其他屬性的)烴基取代氨上的氫原子獲得的胺，如甲胺、乙胺、二甲胺、二乙胺、三甲胺、環(huán)己胺、三乙醇胺、三異丙醇胺和乙二胺四乙酸鹽(EDTA)；以及金屬碳酸鹽如碳酸鈉、 碳酸鉀和碳酸氫鉀。適合于該目的的其他化合物包括銨鹽如硝酸銨、氯化銨、硫酸銨、磷酸銨和碳酸銨。水溶液的溫度優(yōu)選在10至60°C的范圍內(nèi)，并且更優(yōu)選在20至50°C的范圍內(nèi)。對電化學(xué)粗糙化處理中使用的交流波形沒有進(jìn)行特別的限定。例如，可以使用正弦、方形、梯形或三角形波形，但是方形或梯形波形是優(yōu)選的并且梯形波形是尤其優(yōu)選的。 “梯形波形”在這里指如圖1中所示的這種波形。在梯形波形中，其中電流值從零變?yōu)榉逯档臅r間TP優(yōu)選為1至:3ms。如果該時間少于1ms，在垂直于鋁板移動的方向上可能容易出現(xiàn)稱作“震痕(chatter mark) ”的處理不均勻性。如果時間TP超過:3ms，尤其是當(dāng)使用硝酸電解液時，該過程傾向于受到電解液中的痕量成分影響，如典型地受到在電解處理過程中自發(fā)增加的銨離子的影響，使得難以進(jìn)行均勻粗糙化?？梢允褂镁哂刑菪尾ㄐ我约? 2至2 1的占空比的交流電。然而，如JP 5-195300A中所指出的，在不使用導(dǎo)體輥將電流加載至鋁的間接電力加載系統(tǒng)中，1 1的占空比是優(yōu)選的?？梢允褂镁哂刑菪尾ㄐ魏?. 1至120Hz的頻率的交流電，雖然從設(shè)備的角度50至70Hz的頻率是優(yōu)選的。在低于50Hz的頻率下，作為主電極的碳電極傾向于更容易溶解。另一方面，在高于70Hz的頻率下，電源回路更容易受到其電感的影響。在這兩種情況下的結(jié)果都是電源成本上的增加?？梢詫⒁环N或多種AC電源連接至電解槽。為控制施加至與主電極相對的鋁板的交流電的陽極/陰極電流比從而進(jìn)行均勻粗糙化并且從而從主電極溶解碳，有益的是如圖 2中所示提供輔助陽極18并轉(zhuǎn)移一部分交流電。圖2顯示了鋁板11、徑向滾筒輥12、主電極13a和13b、電解處理液14、溶液供給口 15、狹縫16、溶液通路17、輔助陽極18、閘流管 19a和19b、交流電源20、主電解槽40和輔助陽極槽50。通過使用整流或轉(zhuǎn)換裝置以將部分電流作為直流轉(zhuǎn)移至在與含有兩個主電極的槽分開的槽中設(shè)置的輔助陽極，可以控制作用在主電極對面的鋁板上供給陽極反應(yīng)的電流值與供給陰極反應(yīng)的電流值之間的比例。在主電極對面的鋁板上供給陰極反應(yīng)的電量與供給陽極反應(yīng)的電量之間的比例(當(dāng)鋁板充當(dāng)陰極時的電量與當(dāng)鋁板充當(dāng)陽極時的電量的比例)優(yōu)選為0. 3至0. 95。可以使用用于表面處理的任何已知電解槽，包括垂直、平板和徑向型電解槽進(jìn)行電化學(xué)粗糙化處理。徑向型電解槽如JP 5-195300A中記載的那些是特別優(yōu)選的。使電解液以平行于或相反于鋁卷材前進(jìn)的方向通過電解槽。(硝酸電解)可以通過使用主要由硝酸組成的電解液的電化學(xué)粗糙化處理形成具有0.5至 5μπι的平均波長的凹凸部。當(dāng)電量相對大時，電解反應(yīng)集中，導(dǎo)致同樣也形成了波長大于15μπι的凹凸部。為獲得這樣的表面輪廓，直到電解反應(yīng)完成為止，供給鋁板上陽極反應(yīng)的總電量優(yōu)選為1至1，000C/dm2，并且更優(yōu)選50至300C/dm2。該情況下的電流密度優(yōu)選為20至 100A/dm2。具有0. 20μ m以下的平均波長的小波結(jié)構(gòu)也可以通過下列方法形成在30至 60°C的溫度下用具有15至35重量％的硝酸濃度的高濃度硝酸電解液進(jìn)行電解，或者在高溫(例如，80°C以上)下用具有0.7至2重量％的硝酸濃度的硝酸電解液進(jìn)行電解。作為結(jié)果，Δ S可以具有更大的值。(鹽酸電解)鹽酸自身具有對鋁強(qiáng)的溶解能力，并且在僅施加微弱程度電解的情況下可以在其表面上形成細(xì)小的凹凸部。這些細(xì)小凹凸部具有0. 01至0. 2 μ m的平均波長，并且在整個鋁板的表面均勻地出現(xiàn)。為獲得這樣的表面輪廓，直至電解反應(yīng)完成為止，供給鋁板上陽極反應(yīng)的總電量優(yōu)選為1至100C/dm2，并且更優(yōu)選20至70C/dm2。在這種情況下電流密度優(yōu)選為20至50A/ dm2 ο在這種用主要由鹽酸組成的電解液的電化學(xué)粗糙化處理中，通過將400至 2，000C/dm2的大的總電量供給至陽極反應(yīng)，也可以同時形成大坑(crater)狀起伏。在這些條件下，具有0. 01至0. 4 μ m的平均波長的細(xì)小凹凸部形成于整個表面以使得它們重疊在具有10至30 μ m的平均波長的坑狀起伏上。在這種情況下，不形成具有0. 5至5 μ m的平均波長的中波結(jié)構(gòu)。有效的是在表面上形成多重小凹凸部以便具有更大的Δ S值?？梢赃m當(dāng)?shù)厥褂冒ㄒ韵赂黜椀姆椒ㄒ匀缟纤鲈诒砻嫔闲纬啥嘀匦“纪共渴褂弥饕甥}酸組成的電解液的電解粗糙化處理，以及使用高濃度和高溫度的主要由硝酸組成的電解液的電解粗糙化處理。表面積差A(yù)S可以通過機(jī)械粗糙化處理或者通常進(jìn)行的使用主要由硝酸組成的電解液的電解粗糙化處理以取得較大的值，但是與以上方法中相比僅增加至較小的程度。優(yōu)選的是在如上所述的在含硝酸或鹽酸的電解液中的電解粗糙化處理之前和/ 或之后對于鋁板進(jìn)行陰極電解。這種陰極電解導(dǎo)致在鋁板的表面上形成殘渣并使放出氫氣，這使得能夠獲得更均勻的電解粗糙化處理。以優(yōu)選3至80C/dm2，并且更優(yōu)選5至30C/dm2的施加至陰極的電量在酸性溶液中進(jìn)行陰極電解。在少于3C/dm2的電量下，殘渣沉積的量不足，而超過80C/dm2時，殘渣沉積的量可能過多。電解液可以與在電解粗糙化處理中使用的電解液相同或不同?！磯A蝕刻處理〉堿蝕刻是其中使上述鋁板的表面層與堿溶液接觸并將其溶解的處理。當(dāng)還沒有進(jìn)行機(jī)械粗糙化處理時，在電解粗糙化處理之前進(jìn)行堿蝕刻處理的目的是從鋁板(軋制的鋁)的表面移除如軋制油、污染物和天然氧化物膜的物質(zhì)。當(dāng)已經(jīng)進(jìn)行了機(jī)械粗糙化處理時，這種堿蝕刻處理的目的是溶解通過機(jī)械粗糙化處理形成的凹坑的邊緣區(qū)以便將具有帶鋒利邊緣的凹坑的表面轉(zhuǎn)變?yōu)楣饣牟畋砻妗Ｈ绻趬A蝕刻處理之前不進(jìn)行機(jī)械粗糙化處理，蝕刻的量優(yōu)選為0. 1至10g/m2，并且更優(yōu)選1至5g/m2。少于0. lg/m2，如軋制油、污染物和天然氧化物膜的物質(zhì)可能殘留在表面上，它們可能使得無法在后繼的電解粗糙化處理中形成均勻的凹坑，并且可能從而導(dǎo)致表面不均勻性。另一方面，在1至10g/m2的蝕刻量下，將出現(xiàn)如軋制油、污染物和天然氧化物膜的物質(zhì)的充分移除。超過以上范圍的蝕刻量在經(jīng)濟(jì)上不適宜。如果在堿蝕刻處理之前進(jìn)行機(jī)械粗糙化處理，蝕刻量優(yōu)選為3至20g/m2，并且更優(yōu)選5至15g/m2。在少于3g/m2的蝕刻量下，可能無法平滑化通過處理如機(jī)械粗糙化處理形成的凹凸部，作為其結(jié)果可能無法在隨后的電解粗糙化處理中獲得均勻的凹坑。另一方面， 超過20g/m2的蝕刻量，花紋化表面結(jié)構(gòu)可能消失。在電解粗糙化處理之后立即進(jìn)行堿蝕刻處理的目的是溶解在酸性電解液中形成的殘渣并溶解已經(jīng)通過電解粗糙化處理形成的凹坑的邊緣區(qū)域。通過電解粗糙化處理形成的凹坑依賴于所使用的電解液類型變化，所以蝕刻的最優(yōu)量也不同。然而，在電解粗糙化處理之后進(jìn)行的堿蝕刻處理中的蝕刻量優(yōu)選為0. 1至5g/m2。當(dāng)使用硝酸電解液時，需要將蝕刻量設(shè)為稍微大于當(dāng)使用鹽酸電解液時的蝕刻量。如果進(jìn)行多次電解粗糙化處理，可以在每次電解粗糙化處理之后按需要進(jìn)行堿蝕刻。在水性堿溶液中可以使用的堿的示例為苛性堿和堿金屬鹽。合適的苛性堿的具體實例包括氫氧化鈉和氫氧化鉀。合適的堿金屬鹽的特定實例包括堿金屬硅酸鹽如正硅酸鈉、硅酸鈉、正硅酸鉀和硅酸鉀；堿金屬碳酸鹽如碳酸鈉和碳酸鉀；堿金屬鋁酸鹽如鋁酸鈉和鋁酸鉀；堿金屬醛糖酸鹽如葡糖酸鈉和葡糖酸鉀；以及堿金屬磷酸氫鹽如磷酸氫二鈉、 磷酸氫二鉀、磷酸三鈉和磷酸三鉀。這些中，基于高蝕刻速率和低成本，苛性堿溶液和含有苛性堿和堿金屬鋁酸鹽兩者的溶液是優(yōu)選的。氫氧化鈉的水溶液是特別優(yōu)選的。堿溶液的濃度可以根據(jù)所需的蝕刻量設(shè)定，并且優(yōu)選為1至50重量％，并且更優(yōu)選10至35重量％。當(dāng)將鋁離子溶解在堿溶液中時，鋁離子的濃度優(yōu)選為0. 01至10重量％， 并且更優(yōu)選3至8重量％。堿溶液優(yōu)選具有20至90°C的溫度。處理時間優(yōu)選為1至120 秒。用于使鋁板與堿溶液接觸的方法的示例性實例包括其中使鋁板通過裝有堿溶液的槽的方法，其中將鋁板浸入裝有堿溶液的槽中的方法，以及其中將堿溶液噴濺在鋁板的表面上的方法?！慈ノ厶幚怼翟陔娊獯植诨幚砘驂A蝕刻處理之后，優(yōu)選的是進(jìn)行酸浸(去污處理)以移除殘留在鋁板的表面上的污染物(殘渣)?？梢允褂玫乃岬膶嵗ㄏ跛帷⒘蛩?、磷酸、鉻酸、氫氟酸和四氟硼酸。通過使鋁板與例如具有0. 5至30重量％的酸濃度和0. 01至5重量％的鋁離子濃度的鹽酸、硝酸或硫酸的酸性溶液接觸而進(jìn)行去污處理。用于使鋁板與酸性溶液接觸的示例性方法包括使鋁板通過裝有酸性溶液的槽，將鋁板浸入裝有酸性溶液的槽中，已經(jīng)將酸性溶液噴濺在鋁板的表面上。在去污處理中使用的酸性溶液可以是作為廢水從上述電解粗糙化處理排出的主要由硝酸組成的水溶液或主要由鹽酸組成的水溶液，或者作為廢水從后繼描述的陽極氧化處理排出的主要由硫酸組成的水溶液。去污處理中溶液溫度優(yōu)選為25至90°C。處理時間優(yōu)選為1至180秒。去污處理中使用的酸性溶液可以包含溶解在其中的鋁和鋁合金組分。4.〈通孔形成和打線〉在本發(fā)明的光反射基板中，也可以在安裝發(fā)光元件之前進(jìn)行用于適當(dāng)?shù)靥峁┗ミB部分的通孔形成，以及對于作為最終產(chǎn)品的芯片系統(tǒng)的打線(用于個體化最終產(chǎn)品的處理)。通孔形成可以在陽極氧化處理步驟之前或之后。在后面要描述的通過陽極氧化形成絕緣層之前的這種工藝可以防止通過陽極氧化形成的絕緣層破裂，同時保持通過處理形成的基板端面的絕緣性。當(dāng)在陽極氧化處理步驟之后進(jìn)行時，通孔形成增加陽極氧化處理步驟的效率并且可以將陽極氧化膜精確地加工為最終產(chǎn)品的大小。通孔形成是將板在需要的部分鉆孔。然而，對所形成的通孔形狀沒有特別地限定， 只要它們具有可以達(dá)到所要互連的多個層的長度并且它們的截面具有可以保證所需的互連的大小和形狀即可?？紤]到最終芯片大小和可靠的互連形成，該形狀優(yōu)選為圓形，并且以通孔直徑計，大小優(yōu)選為0. Olmm至2mm，更優(yōu)選0. 05至Imm并且最優(yōu)選0. Imm至0. 8mm。如圖Il(Al)至(A4)中所示，打線是將板切割為各自具有個體化為最終產(chǎn)品的光反射基板大小的單個片(在下文中稱作“芯片”)，并且也稱作圖案化或芯片化。該大小包含用于最終產(chǎn)品的機(jī)械加工余量，或者考慮到由于陽極氧化的體積膨脹而預(yù)先確定的所需大小。可以在陽極氧化處理步驟之前或之后進(jìn)行打線。通過后面描述的絕緣層的形成之前的這種處理可以防止通過陽極氧化形成的絕緣層破裂，同時保持通過處理所形成的基板的端面的絕緣性。當(dāng)在陽極氧化處理步驟之后進(jìn)行時，打線增加陽極氧化處理步驟的效率，并且可以將陽極氧化膜精確地加工為最終產(chǎn)品的大小。對于打線需要考慮最終芯片的大小/形狀，但是當(dāng)采取方形芯片時，從芯片的緊致性和加工適用性的角度看，一側(cè)的長度優(yōu)選在0. Imm至50mm的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在0. 2mm 至40mm的范圍內(nèi)，并且尤其優(yōu)選在0. 4mm至30mm的范圍內(nèi)。尤其是，當(dāng)采取用于主封裝 (main package)的光反射基板時，優(yōu)選在3. 2mmX 2. 8mm，1. 6mmX0. 8mm等的大小進(jìn)行打線，這是現(xiàn)在的形狀和大小實例。在打線之后優(yōu)選將裝置安裝部分(未顯示，之后在其上安裝裝置的部分)加工為用于實現(xiàn)與裝置部分(未顯示，電連接至裝置的部分)的電連接的形狀，以便通過之后將要描述的陽極氧化處理形成絕緣層。其優(yōu)選實例包括在形成了電連接部分的狀態(tài)下進(jìn)行打線工藝的方法，以及通過使用導(dǎo)線連接裝置部分的方法等，但是該方法不限于這些實例。適用于通孔形成和打線的方法的實例包括鉆孔、使用模具壓制、使用切割鋸切割和激光加工，但所述方法不限于此。〈將金屬鋁暴露的部分絕緣化的方法，所述部分具有這樣的形狀其中對應(yīng)于單個芯片的部分在通過打線工藝切割之前用連接部連接，并且在將其在連接部切割為單個芯片之后可以位于單個芯片的厚度方向>對于打線方法沒有特別限定，但是例如以下方法是非常合適的通過切割圖 11 (A2)中所示的充當(dāng)單個光反射基板的芯片41的部分周圍的切除部43直至圖Il(Al)中所示作為金屬板的鋁板1的底部，但是留下連接芯片或同時連接芯片和鋁板1的連接部42， 并且不將芯片41分散而是將其如鋁板一樣作為整體處理。其后，如圖11(A3)中所示進(jìn)行所需處理如陽極氧化處理，并且之后將連接部42切割以獲得如圖11 (A4)中所示的單個芯片41。然而，因為未陽極氧化的金屬鋁在每個切割的芯片的側(cè)面上從連接部42的切割邊緣 45暴露出來，所獲得的單個芯片41的側(cè)面的絕緣性不足。為避免該問題，在本發(fā)明的打線中，如圖Il(Bl)和11(B2)的左側(cè)截面圖中所示， 在鋁板1作為金屬板的狀態(tài)下將充當(dāng)連接部42的部分預(yù)先設(shè)計為比充當(dāng)芯片41的部分
17薄。優(yōu)選地，將連接部的厚度預(yù)先設(shè)計為不大于由陽極氧化形成的氧化物膜的厚度的兩倍。當(dāng)想要將充當(dāng)連接部的部分設(shè)計為更薄或者不大于由陽極氧化形成的氧化物膜的厚度的兩倍時，可以使用多種加工方法如打線。當(dāng)將充當(dāng)連接部42的部分設(shè)計為較薄時，如圖 Il(Bl)和11(B2)的中間部分所示，可以將作為陽極氧化膜的絕緣膜陽極氧化以使其在陽極氧化處理之后占據(jù)連接部的大部分厚度。例如，如圖Il(Bl)的中間部分所示，切割邊緣 45的鋁部分具有非常小的厚度。如在圖11 (B》的中間部分中所示，其厚度方向上的大部分連接部被陽極氧化。通過切割該連接部，如圖Il(Bl)和11(B》中的右側(cè)所示，可以獲得其中每個單個芯片的切割邊緣45的未陽極氧化部分非常小[圖Il(Bl)的右側(cè)]或者完全沒有留下未陽極氧化部分[圖11 (B2)的右側(cè)]的單個芯片41。5.〈陽極氧化處理〉將經(jīng)歷過以上表面處理和加工的鋁板進(jìn)一步陽極氧化。作為陽極氧化處理的結(jié)果，陽極氧化的氧化鋁膜形成于鋁板的表面上，從而獲得多孔或非多孔表面絕緣層。可以通過通常使用的方法進(jìn)行陽極氧化處理。更具體地，可以通過在例如，具有 50至300g/L的硫酸濃度和至多5重量％的鋁離子濃度的溶液中通過使電流通過作為陽極的鋁板而在鋁板的表面上形成陽極氧化層。在陽極氧化處理中可以使用的溶液可以含有酸如硫酸、磷酸、鉻酸、草酸、氨基磺酸(sulfamic acid)、苯磺酸、氨基磺酸(ami do sulfonic acid)、丙二酸、檸檬酸、酒石酸和硼酸?？梢詥为?dú)使用一種酸或者使用兩種以上的組合?？梢越邮艿氖峭ǔＶ辽俅嬖谟阡X板、電極、自來水、地下水等中的成分存在于電解液中。此外，可以加入第二和第三成分。這里，“第二和第三成分”包括，例如，金屬如鈉、 鉀、鎂、鋰、鈣、鈦、鋁、釩、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銅和鋅的離子；陽離子如銨離子；以及陰離子如硝酸根離子、碳酸根離子、氯離子、磷酸根離子、氟離子、亞硫酸根離子、鈦酸根離子、硅酸根離子和硼酸根離子。這些可以約0至10，OOOppm的濃度存在。陽極氧化處理條件依賴于所使用的電解液而改變，并且因此無法嚴(yán)格指定。然而， 通常適宜的是對于溶液，具有1至80重量％的電解質(zhì)濃度和5至70°C的溫度，并且電流密度為0. 5至60A/dm2，電壓為1至100V，并且電解時間為15秒至50分鐘?？梢哉{(diào)整這些條件以獲得所需的陽極氧化層重量?？梢杂糜谶M(jìn)行陽極氧化處理的方法包括JP 54-81133A, JP 57-47894A、JP 57-51289A,JP 57-51290A.JP 57-54300A.JP 57-136596A、JP58-107498A、JP 60-200256A、 JP 62-136596A、JP 63-176494A、JP4-176897A、JP 4-280997A、JP 6-207299A、JP 5-24377A, JP 5-32083A、JP 5-125597A 和 JP 5-195291A 中記載的那些。其中，如JP 54-12853A和JP 48-45303A中所記載，優(yōu)選的是使用硫酸水溶液作為電解液。電解液優(yōu)選具有10至300g/L的硫酸濃度，并且優(yōu)選具有1至25g/L，并且具有更優(yōu)選2至10g/L的鋁離子濃度?？梢酝ㄟ^將化合物如硫酸鋁加入至具有50至200g/L硫酸濃度的稀硫酸中制備這種電解液。當(dāng)在含有硫酸的電解液中進(jìn)行陽極氧化處理時，可以在鋁板和對電極之間施加直流電流或交流電流。當(dāng)將直流施加至鋁板時，電流密度優(yōu)選為1至60A/dm2并且更優(yōu)選5 至40A/dm2。當(dāng)作為連續(xù)工藝進(jìn)行陽極氧化處理時，為阻止由于電流的集中而從鋁板的部分上出現(xiàn)燒灼沉積物(burnt d印osits)，優(yōu)選的是在陽極氧化處理起始時以5至ΙΟΑ/dm2的低密度施加電流，并且隨陽極氧化處理進(jìn)行將電流密度增加到30至50A/dm2以上。當(dāng)作為1連續(xù)工藝進(jìn)行陽極氧化處理時，優(yōu)選的是使用通過電解液對鋁板供應(yīng)電力的系統(tǒng)完成該處理。當(dāng)陽極氧化膜是多孔的時，平均孔徑為約5nm至約1，OOOnm并且平均孔密度為 1 X 106pcs/mm2 至約 1 X 10lclpcs/mm2。陽極氧化膜的厚度優(yōu)選為1至200 μ m。小于1 μ m的膜厚度由于絕緣性差而降低耐受電壓，而超過200 μ m的膜厚度需要大量的電能，這在經(jīng)濟(jì)上是不利的。陽極氧化膜的厚度優(yōu)選為2至100 μ m。陽極氧化處理中可以使用的電解裝置的實例包括JP 48-26638A、JP47-18739A和 JP 58-M517B中記載的那些。這些中，如圖3中所示的裝置是優(yōu)選的。圖3是示出了用于將鋁板的表面陽極氧化的示例裝置的示意圖。在陽極氧化裝置410中，按照圖3中所示箭頭傳送鋁板416。在含有電解液418的電源槽412中，通過電源電極420使鋁板416帶正電荷(+)。之后通過設(shè)置于電源槽412中的輥422將鋁板416向上輸送，通過夾輥似4轉(zhuǎn)向下并且向含有電解液似6的電解槽414輸送，通過輥4 轉(zhuǎn)換為水平方向。接下來，通過電解電極430使鋁板416帶負(fù)電荷(-)以在板材表面形成陽極氧化層。之后將從電解槽414 出來的鋁板416轉(zhuǎn)送至用于后繼步驟的部分。在陽極氧化裝置410中，輥422、夾輥4 和輥4 構(gòu)成方向改變部，并且借助于這些輥422、似4和428，將鋁板416以山形和反U形傳送通過電源槽412和電解槽414。電源電極420和電解電極430連接至DC電源434。圖3中所示的陽極氧化裝置410的特有特征為將鋁板416以山形以及倒U形傳送通過由單個槽壁432分隔的電源槽412和電解槽414。該構(gòu)型能夠使得保持在兩個槽中的鋁板416的長度最短。因此，可以縮短陽極氧化裝置410的總長度，從而使得能夠降低設(shè)備成本。鋁板416以山形和倒U形的傳送免除了形成用于使鋁板416通過槽412和414之間的槽壁432的開孔的需要。從而可以減少用于將槽412和414的每一個的液面保持在所需高度所需要的電解液的量以使得能夠降低運(yùn)行成本?！捶饪滋幚怼翟诒景l(fā)明的實施中，如果需要，可以進(jìn)行封孔處理以封閉多孔陽極氧化膜中存在的微孔?？梢愿鶕?jù)已知方法進(jìn)行封孔處理，如沸水處理、熱水處理、水蒸汽處理、硅酸鈉處理、亞硝酸鹽處理或乙酸銨處理?？梢酝ㄟ^使用例如JP 56-12518B, JP 4-4194A、JP 5-202496A和JP 5-179482A中記載的裝置和方法進(jìn)行封孔處理?！此刺幚怼翟诿總€上述處理步驟之后優(yōu)選用水洗滌。在洗滌中可以使用的水包括純水、地表水和自來水。也可以使用夾持裝置防止將處理液轉(zhuǎn)移至下一步。6.〈其他〉此外，如果需要，可以在本發(fā)明的光反射基板的表面上進(jìn)行多種處理。例如，可以形成由白色絕緣材料如氧化鈦形成的無機(jī)絕緣層和由白色抗蝕劑等形成的有機(jī)絕緣層以增強(qiáng)反射基板的白色性?？梢詫⒂裳趸X形成的絕緣層用除白色以外的所需顏色著色，例如，通過使用電沉積。具體地，將在日本金屬表面技術(shù)學(xué)會(Metal Finishing Society of Japan)出版的“陽極氧化(Anodizing)”，金屬表面技術(shù)講座 B (Metal Finishing Course B) (1969，第 195 207 頁)，由 KALLOS PUBLISHING Co.，Ltd.出版的“新防蝕鋁理論(New AlumiteTheory) ”(1997，第95_96頁)等中記載的可著色的離子種類，如Co離子、!^e離子、Au離子、 Pb離子、Ag離子、k離子、Sn離子、Ni離子、Cu離子、Bi離子、Mo離子、Sb離子、Cd離子和 /或As離子，混合至電解液中并且在其上進(jìn)行電解處理，從而獲得著色。為進(jìn)一步增強(qiáng)絕緣性和反射率，可以類似地在由氧化鋁形成的絕緣層上形成基于溶膠-凝膠法的層，例如，如JP 6-35174A中的第W016]至W035]段中所記載的。溶膠-凝膠法是將由通過使用水解和縮聚反應(yīng)使金屬醇鹽形成的溶膠轉(zhuǎn)變?yōu)闆]有流動性的凝膠并且加熱凝膠以形成氧化層(陶瓷層)的方法。對于本發(fā)明中使用的金屬醇鹽沒有特別的限制，但是為形成帶有均勻厚度的層，其實例包括 Al(0-R)n、Ba(O-R)η, B (O-R) η, Bi (O-R)η, Ca(O-R)η, Fe (O-R)η, Ga(O-R) η、Ge (O-R) η、Hf (O-R) η、In (O-R) η、K (O-R) η、La (O-R) η、Li (O-R) η、Mg (O-R) η、Mo (O-R) η、Na (O-R) η、Nb (O-R) η、Pb (O-R) η、Po (O-R) η、Po (O-R) η、P (O-R) η、Sb (O-R) η, Si (O-R) η、Sn (O-R) η、Sr (O-R) η、Ta(O-R)η、Ti (O-R)η、V(O-R)η, W(O-R)η、Y(O-R)η、Zn (O-R) η 禾口 Zr (O-R)n(這里R表示可以具有取代基的直鏈的、支鏈的或環(huán)狀的烴基，并且η表示自然數(shù))。這些中，在本發(fā)明的優(yōu)選方面中，因為絕緣層是鋁陽極氧化層，Si (O-R)n是更優(yōu)選的， 它在與氧化鋁的反應(yīng)性上出色并且在溶膠-凝膠層可形成性上出色。對形成溶膠-凝膠層的方法沒有特別地限定，但是為控制層的厚度，可以優(yōu)選使用涂覆并加熱溶膠液的方法。溶膠液的濃度優(yōu)選在0. 1至90重量％的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在1 至80重量％的范圍內(nèi)，并且尤其優(yōu)選在5至70重量％的范圍內(nèi)。可以將溶膠液重復(fù)地涂覆以使層增厚。為形成本發(fā)明中的溶膠-凝膠層，從高反射率和絕緣性的角度看，其厚度優(yōu)選在 0. 01 μ m至20 μ m的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在0. 05 μ m至15 μ m的范圍內(nèi)，并且尤其優(yōu)選在0. 1 μ m 至ΙΟμπι的范圍內(nèi)。當(dāng)厚度大于該范圍，從高反射率的角度看是不適宜的。當(dāng)厚度小于該范圍，從絕緣性的角度看是不適宜的。7.〈光反射基板的使用>在所使用的LED的類型，發(fā)光元件的形狀等上對于本發(fā)明的光反射基板沒有特別地限定，并且它可用于多種應(yīng)用。也可以將本發(fā)明的光反射基板用作使用已知LED的發(fā)光元件的光反射基板。例如，通過使用本發(fā)明的光反射基板30代替圖5中所示的基板140，可以提高發(fā)光單元100的亮度。如圖7中所示，可以使用具有以下構(gòu)造的熒光發(fā)光元件其中藍(lán)色LED 22設(shè)置于包括絕緣層32和金屬層33的光反射基板30上，將所得到的物體用已知樹脂M密封，并且將作為具有熒光發(fā)光體的閥金屬陽極氧化層的微結(jié)構(gòu)體26 (熒光發(fā)光單元)放置在其上。 該熒光發(fā)光元件記載在日本專利申請?zhí)?009-134007和2009-13擬61中。圖9是顯示了熒光發(fā)光單元100的截面圖，其中放置在本發(fā)明的光反射基板30上的裝置37如發(fā)光二極管用含有熒光粒子150的透明樹脂160密封，所述光反射基板30包括在其中相接觸形成的絕緣層32和金屬層33。將裝置37通過芯片接合等放置在光反射基板30上，在光反射基板30中形成通孔35，并且可以將位于裝置37下方的金屬層33以具有與其他基板部分的厚度相比具有更大厚度的形狀形成以充當(dāng)散熱器39。優(yōu)選地，絕緣層 32是鋁金屬層33的陽極氧化膜并且將通孔的內(nèi)部陽極氧化以形成絕緣層。通過使用引線
20接合將裝置37電連接至外部電極120和130。因為本發(fā)明的光反射基板30在特定波長下具有高全反射率，使用該光反射基板作為基板的熒光發(fā)光單元100的亮度高。使用包括基板上形成的半導(dǎo)體發(fā)光層的發(fā)光二極管裝置37，所述半導(dǎo)體如 GaAlN, ZnS、ZnSe, SiC、GaP, GaAlAs、A1N、InN, AlInGaP, InGaN, GaN 或 AlInGaN。該半導(dǎo)體為，例如，均質(zhì)結(jié)構(gòu)、異質(zhì)結(jié)構(gòu)或具有MIS結(jié)、PIN結(jié)或PN結(jié)的雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)?？梢砸蕾囉诎雽?dǎo)體層的材料及其混合比例在紫外光至紅外光的范圍內(nèi)不同地選擇發(fā)光波長。透明樹脂160優(yōu)選為熱固性樹脂。透明樹脂160優(yōu)選由選自由以下各項組成的組的至少一種構(gòu)成熱固性樹脂如環(huán)氧樹脂、改性環(huán)氧樹脂、硅氧烷樹脂、改性硅氧烷樹脂、丙烯酸酯樹脂、氨基甲酸乙酯樹脂和聚酰亞胺樹脂。環(huán)氧樹脂、改性環(huán)氧樹脂、硅氧烷樹脂和改性硅氧烷樹脂是特別優(yōu)選的。透明樹脂160優(yōu)選為硬的以便保護(hù)裝置37。對于透明樹脂160優(yōu)選使用具有出色的耐熱性、耐候性和耐光性的樹脂。可以將選自由以下各項組成的組的至少一種混入透明樹脂160以賦予其預(yù)定功能填料、擴(kuò)散劑、顏料、熒光材料、反光材料、UV吸收劑和抗氧化劑。所使用的熒光粒子150應(yīng)該是能夠?qū)难b置37吸收的光進(jìn)行波長變換的類型，以改變光的波長。熒光粒子150優(yōu)選由選自由以下各項組成的組中的至少一種制成主要由鑭系元素如Eu和Ce活化的氮化物熒光體、氮氧化物熒光體、SiAlON熒光體和β -SiAlON熒光體；主要由鑭系元素如Eu和過渡金屬元素如Mn活化的堿土鹵素磷灰石熒光體；堿土金屬硼酸鹽商素?zé)晒怏w；堿土金屬鋁酸鹽熒光體；堿土硅酸鹽熒光體；堿土硫化物熒光體；堿土硫代鎵酸鹽熒光體；堿土氮化硅熒光體；鍺酸鹽熒光體；主要由鑭系元素如Ce活化的稀土鋁酸鹽熒光體；稀土硅酸鹽熒光體；以及主要由鑭系元素如Eu活化的有機(jī)化合物和有機(jī)配位化合物。如上所述，也可以使用本發(fā)明的光反射基板作為熒光體混色型白色LED發(fā)光元件的光反射基板，所述熒光體混色型白色LED發(fā)光元件使用UV至藍(lán)色LED和熒光發(fā)射體，所述熒光發(fā)射體吸收來自UV至藍(lán)色LED的光并在可見光范圍內(nèi)發(fā)出熒光。熒光發(fā)射體吸收來自藍(lán)色LED的藍(lán)光以發(fā)射熒光(黃熒光)，并且該熒光和藍(lán)色 LED的余輝使得發(fā)光元件發(fā)射白光。這就是所謂的“假白光發(fā)射類型”，它使用藍(lán)色LED芯片作為光源并結(jié)合使用黃色熒光體。也可以將本發(fā)明的光反射基板用于如下的其它公知發(fā)光系統(tǒng)的發(fā)光單元中的發(fā)光元件的基板，所述發(fā)光系統(tǒng)如使用UV至近UV LED芯片作為光源并組合使用數(shù)種類型的紅 /綠/藍(lán)熒光體的“UV至近UV光源類型”，以及從紅色、綠色和藍(lán)色的三個光源發(fā)射白光的 "RGB光源類型”。可以對本發(fā)明的基板進(jìn)行針對在后面所要描述的后處理中所使用的多種溶劑的保護(hù)處理，所述后處理包括用于將電信號傳輸至LED的金屬互連層的形成，在LED安裝區(qū)中金屬層的圖案化和形成。更具體地，在保護(hù)處理中，例如JP 2008-93652A和JP 2009-68076A中所記載的， 可以適當(dāng)?shù)馗淖冴枠O氧化膜的表面特性包括親水性和疏水性(親油性和疏油性)。此外，也可以適當(dāng)?shù)厥褂觅x予其耐酸性和耐堿性的方法。8.〈金屬互連層的形成〉在根據(jù)本發(fā)明的反射基板中，可以在安裝LED的過程中形成用于將電信號實際傳輸至LED的金屬互連層。對于材料沒有特別地限定，只要它是導(dǎo)電材料即可。優(yōu)選可以使用金屬材料如金 (Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鋁(Al)、鎂(Mg)和鎳(Ni)?？梢詥为?dú)使用或以其組合使用這些金屬材料。從導(dǎo)電可靠性和封裝的緊致性的角度看，金屬層的厚度優(yōu)選在0. 5 μ m至1000 μ m 的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在1 μ m至500 μ m的范圍內(nèi)，并且尤其優(yōu)選在5 μ m至250 μ m的范圍內(nèi)。形成上述金屬層的方法的實例包括多種鍍覆工藝如電鍍、無電鍍覆和置換鍍覆、 濺射法、氣相沉積工藝、金屬箔的真空附著工藝，以及用粘合劑層的粘接工藝。從高耐熱性的角度看，形成僅由金屬制成的層是優(yōu)選的，并且從均勻厚度和高緊密粘合性的角度看使用鍍覆形成的層是特別優(yōu)選的。根據(jù)LED安裝設(shè)計通過任意已知方法將所形成的金屬互連層圖案化?？梢栽趯嶋H安裝LED的部分中再次形成金屬層(包括焊劑)，并且通過用于更簡易連接的熱壓接合、倒裝芯片接合(flip-chip bonding)或引線接合(wire bonding)適當(dāng)?shù)靥幚?。合適的金屬層優(yōu)選由以下金屬材料制成如焊劑、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鋁 (Al)、鎂(Mg)和鎳(Ni)。從在加熱下安裝LED的方面看，對于連接可靠性，焊接或通過鎳施加金或銀的方法是優(yōu)選的。這些安裝方法包括加熱，并且在包含熱壓接合如回流焊接和倒裝芯片接合的安裝方法中，在均勻性和安裝可靠性方面，所達(dá)到的最大溫度優(yōu)選為220°C至350°C，更優(yōu)選 240°C至3200C并且最優(yōu)選260°C至300°C。出于與上面相同的原因，優(yōu)選將所達(dá)到的最大溫度保持2秒至10分鐘，更優(yōu)選5秒至5分鐘并且最優(yōu)選10秒至3分鐘。為了防止在熱處理過程中由于本發(fā)明的基板中鋁層與陽極氧化的鋁層之間的熱膨脹系數(shù)不同而在陽極氧化的鋁層中出現(xiàn)裂紋，在達(dá)到最大溫度之前也可以在所需的恒定溫度下進(jìn)行熱處理優(yōu)選5秒至10分鐘，更優(yōu)選10秒至5分鐘并且最優(yōu)選20秒至3分鐘。 在該情況下，所需的恒定溫度優(yōu)選為80°C至200°C，更優(yōu)選100°C至180°C并且最優(yōu)選120°C 至160°C。在小于上述定義范圍的處理溫度和時間下，不能令人滿意地安裝發(fā)光元件，而在高出所定義范圍的處理溫度和時間下，基板可能損壞。同樣在該情況下，在安裝可靠性方面，通過在優(yōu)選地80°C至300°C，更優(yōu)選90°C至 250°C并且最優(yōu)選100°C至200°C的溫度下進(jìn)行引線接合從而安裝發(fā)光元件。加熱時間優(yōu)選為2秒至10分鐘，更優(yōu)選5秒至5分鐘并且最優(yōu)選10秒至3分鐘。在少于所定義范圍的處理溫度和時間下，引線接合可能不足，而在高出所定義范圍的處理溫度和時間下，可能將基板損壞。
實施例下面通過實施例的方式更具體地描述本發(fā)明。然而，不應(yīng)將本發(fā)明理解為受到下列實施例的限定。(實施例1至6和比較例1)1.鋁反射基板的制備由鋁合金制備熔體，所述鋁合金由以下各項組成0. 06重量％硅、0. 30重量％鐵、 0. 005重量％銅、0. 001重量％錳、0. 001重量％鎂、0. 001重量％鋅和0. 03重量％鈦，余量為鋁和不可避免的雜質(zhì)。對鋁合金熔體進(jìn)行熔融金屬處理和過濾，之后通過直接冷鑄方法將其鑄成500mm厚、1，200mm寬的錠。將該錠用削皮機(jī)削皮，從表面移去平均IOmm的材料， 之后在550°C下均熱并保持約5小時。當(dāng)溫度降低至400°C時，將該錠用熱軋機(jī)軋制為2. 7mm 厚度的板。此外，在500°C下在連續(xù)退火爐中進(jìn)行熱處理，之后進(jìn)行冷軋以將鋁板精加工為 0. 24mm的厚度，從而獲得JIS 1050鋁板。將該鋁板切割為1030mm的寬度并對其進(jìn)行下面描述的表面處理以得到鋁反射基板。在以下表面處理(a)至(j)中，以從表1的左側(cè)開始的順序在鋁板上相繼地進(jìn)行表1中顯示為“是”的那些處理。注意在進(jìn)行每次處理或水洗處理之后使用夾輥移除溶液或水。(a)機(jī)械粗糙化處理使用如圖4中所示裝置進(jìn)行機(jī)械粗糙化處理，所述裝置包括旋轉(zhuǎn)尼龍刷輥，同時將含有研磨劑(浮石)(比重1. 12)的水懸浮液提供至每塊鋁板的表面作為研磨劑漿液。 圖4顯示了鋁板1、刷輥2和4、研磨劑漿液3以及支撐輥5、6、7和8。研磨劑具有40 μ m 的平均粒度以及IOOym的最大粒度。尼龍刷由尼龍6. 10制成并且具有50mm的刷毛長度和0. 3mm的刷毛直徑。對于尼龍刷，將刷毛緊密地植入具有300mm直徑的不銹鋼圓筒中形成的孔中。使用三個旋轉(zhuǎn)刷輥。在每個刷輥下的兩個支撐輥(直徑200mm)之間的距離為 300mm。將刷輥壓向鋁板直至用于旋轉(zhuǎn)刷輥的驅(qū)動馬達(dá)的負(fù)荷從其中未將刷輥壓向鋁板的狀態(tài)下增加7kW。刷輥旋轉(zhuǎn)的方向與其中鋁板移動的方向相同。刷輥在200rpm下旋轉(zhuǎn)。(b)堿蝕刻處理通過將具有2. 6重量％的氫氧化鈉濃度、6. 5重量％的鋁離子濃度以及70°C的溫度的水溶液噴至每塊鋁板進(jìn)行蝕刻，從而將6g/m2的材料從鋁板溶出。之后，將水噴灑至每塊鋁板用于洗滌。(c)去污處理通過將具有1重量％的硝酸濃度，0. 5重量％的鋁離子濃度和30°C的溫度的水溶液噴至每塊鋁板進(jìn)行去污。其后，將水噴至每塊鋁板用于洗滌。使用來自用交流電在硝酸水溶液中進(jìn)行的電化學(xué)粗糙化處理步驟的廢水作為用于去污處理的硝酸水溶液。(d)電化學(xué)粗糙化處理使頻率60Hz的交流電連續(xù)地通過每塊鋁板以進(jìn)行電化學(xué)粗糙化處理。使用含有 10. 5g/L的硝酸、5g/L的鋁離子和0. 007重量％的銨離子的在50°C的溫度下的水溶液作為電解液。在1 1的占空比下，使用具有梯形波形的交流電，電流從零達(dá)到的峰值的時間TP 為0. 8ms，并且使用碳電極作為對電極進(jìn)行電化學(xué)粗糙化處理。使用鐵氧體作為輔助陽極。 使用圖2中所示的電解槽。電流峰值下的電流密度為30A/dm2。當(dāng)鋁板充當(dāng)陽極時的總電量為220C/dm2。從電源向輔助陽極轉(zhuǎn)移5%的電流。之后，將水噴至每塊鋁板用于洗滌。(e)堿蝕刻處理通過將具有沈重量％的氫氧化鈉濃度以及6. 5重量％的鋁離子濃度，在32°C的溫度下的水溶液噴至每塊鋁板進(jìn)行蝕刻，從而將1. Og/m2的材料從鋁板溶出。從而，將當(dāng)在前面的步驟中使用交流電進(jìn)行電化學(xué)粗糙化處理時產(chǎn)生的氫氧化鋁基殘渣組分移除，并且將由電化學(xué)粗糙化處理形成的凹坑的邊緣溶解并給出光滑表面。之后，將水噴至每塊鋁板用于洗滌。
(f)去污處理通過將具有15重量％的硫酸濃度、4. 5重量％的鋁離子濃度和30°C的溫度的水溶液噴至每塊鋁板進(jìn)行去污。其后，將水噴至每塊鋁板用于洗滌。使用來自用交流電在硝酸水溶液中進(jìn)行的電化學(xué)粗糙化處理步驟的廢水作為用于去污處理的硝酸水溶液。(g)電化學(xué)粗糙化處理使頻率60Hz的交流電連續(xù)地通過每塊鋁板以進(jìn)行電化學(xué)粗糙化處理。使用含有 7. 5g/L的鹽酸和5g/L的鋁離子的在35°C的溫度下的水溶液作為電解液。施加具有圖1中所示波形的交流電，電流從零達(dá)到的峰值的時間TP為0. 8ms，并且在1 1的占空比下，使用具有梯形波形的交流電，并且使用碳電極作為對電極進(jìn)行電化學(xué)粗糙化處理一段時間。 使用鐵氧體作為輔助陽極。使用圖2中所示的電解槽。電流峰值下的電流密度為25A/dm2。 當(dāng)鋁板充當(dāng)陽極時的總電量為50C/dm2。之后，將水噴至每塊鋁板用于洗滌。(h)堿蝕刻處理通過將具有沈重量％的氫氧化鈉濃度以及6. 5重量％的鋁離子濃度的在32°C的溫度下的水溶液噴至每塊鋁板進(jìn)行蝕刻，從而將0. lg/m2的材料從鋁板溶出。從而，將當(dāng)在前面的步驟中使用交流電進(jìn)行電化學(xué)粗糙化處理時產(chǎn)生的氫氧化鋁基殘渣組分移除，并且將由電化學(xué)粗糙化處理形成的凹坑的邊緣溶解并給出光滑表面。之后，將水噴至每塊鋁板用于洗滌。⑴去污處理通過將具有25重量％的硫酸濃度、0. 5重量％的鋁離子濃度和60°C的溫度的水溶液噴至每塊鋁板進(jìn)行去污。其后，將水噴至每塊鋁板用于清洗。將表面處理過的鋁板鉆孔以形成通孔并且對其進(jìn)行打線以獲得帶有 3. 2mmX2. 8mm的最終尺寸的片。預(yù)先測定由于隨后進(jìn)行的陽極氧化而引起的體積膨脹的量以確定尺寸，并且加工鋁板以便使其具有所確定的尺寸。(j)陽極氧化處理使用如圖3中所示結(jié)構(gòu)的陽極氧化裝置進(jìn)行陽極氧化處理。使用草酸用于供應(yīng)至第一和第二電解區(qū)的電解液。每種電解液含有60g/L的草酸和0. 5重量％的鋁離子并且具有38°C的溫度。之后，將水噴至每塊鋁板用于洗滌。陽極氧化膜的最終厚度為10 μ m。(實施例7)除了通過以下程序進(jìn)行如上所述的1.鋁反射基板的制備中的(j)陽極氧化處理以外，重復(fù)進(jìn)行實施例6。更具體地，將鋁板用具有60g/L的硫酸濃度在15°C的溫度下的溶液和25V的恒定電壓下處理70分鐘，并且之后用含有30g/L的硼酸和20g/L的四硼酸鈉的混合水溶液在 20 0C的溫度下處理5分鐘以形成厚度9 μ m的陽極氧化膜。(實施例8)對如上所述獲得的實施例7中的基板的陽極氧化膜進(jìn)行(k)氧化層形成處理以進(jìn)一步涂覆下面給出的涂覆液(A)至1 μ m的膜厚度。之后，將該涂覆液在100°C下加熱1分鐘以形成溶膠-凝膠層。涂覆液(A)*原硅酸四乙酯 50. OOg
* 濃硝酸0. 05g* 純水21.60g* 甲醇10. 80g(實施例9)對如上所述獲得的實施例7中的基板的陽極氧化膜進(jìn)行(k)氧化層形成處理以進(jìn)一步涂覆下面給出的涂覆液(B)至1 μ m的膜厚度。之后，將該涂覆液在100°C下加熱1分鐘以形成溶膠-凝膠層。涂覆液(B)*原硅酸四乙酯 50. OOg* 濃硝酸0. 05g* 氧化鈦1. OOg* 純水21.60g* 甲醇10. 80g(比較例1)使用實施例1中所使用的鋁板并且僅進(jìn)行(j)陽極氧化處理。2.多孔氧化鋁光反射基板的表面輪廓的測定在上面獲得的光反射基板的表面凹坑上進(jìn)行在下面的(1)至(3)中給出的測量以計算大、中和小波結(jié)構(gòu)的相應(yīng)平均波長。結(jié)果顯示在表1。在表1中，短劃線"-"表示不存在相應(yīng)平均波長的凹凸部。(1)大波結(jié)構(gòu)的平均波長使用觸針式粗糙度測試儀(由東京精密社(Tokyo Seimitsu Co.，Ltd.)制造的 Surfcom 575)進(jìn)行二維粗糙度測定。測定由ISO 4287定義的平均間隔^11五次，并且使用五次測定的平均值作為平均波長值。二維粗糙度測定的條件在下面描述。<測量條件>截止值，0. 8mm ；傾斜校正，F(xiàn)LAT-ML ；測量長度，3mm ；垂直放大率，10, 000X ；掃描速度，0. 3mm/s ；觸針尖端直徑，2 μ m。(2)中波結(jié)構(gòu)的平均波長用SEM從剛好在上方在2，000X的放大率下取得每個多孔氧化鋁載體的表面圖像。 從所獲得的SEM圖像，選取以環(huán)形形狀彼此相連的中波結(jié)構(gòu)的50個凹坑并且讀出它們的直徑作為波長。之后計算平均波長。(3)小波結(jié)構(gòu)的平均波長用高分辨率SEM從剛好在上方在50，000X的放大率下取得每個多孔氧化鋁載體的表面圖像，并且從所獲得的SEM圖像，選取小波結(jié)構(gòu)的50個凹坑。將它們的直徑讀出作為波長，并且之后計算平均波長。3.多孔氧化鋁光反射基板的表面輪廓因子的計算用原子力顯微鏡(由Seiko Instruments & Electronics Ltd.制造的 SP13700) 測量表面輪廓以獲得三維數(shù)據(jù)，從而確定上面所獲得的每個多孔氧化鋁的表面上的表面積差A(yù)S。在下面進(jìn)一步詳細(xì)描述該過程。
從多孔氧化鋁切下1平方厘米樣品并且將其放置在壓電掃描器的水平樣品架上。 使懸臂接近樣品的表面。當(dāng)該懸臂到達(dá)可感知原子間力的區(qū)域時，將樣品的表面在X和Y 方向上掃描，并且基于Z方向上的位移讀出樣品的表面構(gòu)形圖。所使用的壓電掃描器能夠在X和Y方向上掃描150 μ m并且在Z方向上掃描10 μ m。所使用的懸臂(由NAN0PR0BE制造的SI-DF20)具有120至150kHz的共振頻率和12至20N/m的彈簧長度。在動態(tài)力模式 (DFM)下進(jìn)行測定。將所得到的三維數(shù)據(jù)通過最小二乘法近似以補(bǔ)償樣品的輕微傾斜并確定基準(zhǔn)面。測定包括以512乘512點在樣品的表面上50平方微米區(qū)域獲得的值。分辨率在 X和Y方向上為1. 9 μ m，并且在Z方向上為lnm，并且掃描速度為60 μ m/s。使用上面獲得的三維數(shù)據(jù)(f (X、y))選取相鄰三個點的組。對由三個點的組形成的微三角形的表面積求和，從而給出實際表面積民。之后由所得到的實際表面積Sx與幾何測量表面積&(5(^!11\5(^111)使用如說明書中所定義的公式(1)計算表面積差A(yù)S。結(jié)果顯示在表1-2中。4.光反射率的測定通過使用由X-Rite Inc制造的SP60每IOnm測量實施例和比較例中所獲得的光反射基板的300至700nm全反射率。結(jié)果顯示在圖6和8中。5.安裝了 LED元件的單元中的亮度的評價如下評價使用實施例和比較例中所獲得的光反射基板的熒光體混色型白色LED 發(fā)光單元的亮度。S卩，將實施例和比較例的光反射基板作為光反射基板140進(jìn)行安裝，使其與圖5中所示的發(fā)光單元100的藍(lán)色LED 110接觸，并且比較當(dāng)將藍(lán)色LED 110用6V驅(qū)動時發(fā)光單元的亮度值。作為結(jié)果，與使用比較例1的基板的發(fā)光單元比較，使用實施例1的微結(jié)構(gòu)體作為發(fā)光基板的發(fā)光單元在亮度上提高1. 1至1. 3倍。[表 1]表 1
2權(quán)利要求
1.一種光反射基板，所述光反射基板至少包括絕緣層；和金屬層，所述金屬層與所述絕緣層接觸安置，其中在大于320nm并且不大于700nm的波長范圍內(nèi)的光的全反射率不小于50%，并且在300nm至320nm的波長范圍內(nèi)的光的全反射率不小于60%。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光反射基板，其中所述光反射基板的表面具有平均波長為 0. 01至100 μ m的凹凸部。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光反射基板，其中通過式(1)計算的表面積差A(yù)S不小于5%并且不大于90% AS= [(Sx-S0)/S0] X 100(% ) (1)其中Sx表示所述光反射基板的50 μ mX 50 μ m表面區(qū)域的實際表面積，所述實際表面積通過三點近似從用原子力顯微鏡在512X512點測得的所述表面區(qū)域上的三維數(shù)據(jù)確定，并且&表示所述表面區(qū)域的幾何測量表面積。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項所述的光反射基板，其中所述金屬層為鋁并且所述絕緣層為鋁的陽極氧化膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任一項所述的光反射基板，其中所述光反射基板是反射從朝向發(fā)光觀測表面的發(fā)光元件發(fā)射的光的光反射基板。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中的任一項所述的光反射基板，其中所述金屬層具有帶有凹坑的形狀，并且所述絕緣層形成于所述帶有凹坑的形狀的表面上。
7.—種制造根據(jù)權(quán)利要求1至6中的任一項所述的光反射基板的方法，所述方法包括準(zhǔn)備鋁板；將所述鋁板的表面粗糙化；和將所述粗糙化的表面陽極氧化以形成所述絕緣層。
8.—種制造根據(jù)權(quán)利要求1至6中的任一項所述的光反射基板的方法，所述方法至少包括準(zhǔn)備鋁板；和將所述鋁板的表面粗糙化并且之后以任意順序進(jìn)行以下步驟(a)和(b)(a)形成其中安置發(fā)光元件的互連通孔，并且進(jìn)行用于將所述基板芯片化的打線；和(b)將所述粗糙化的表面陽極氧化以形成所述絕緣層。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光反射基板，所述光反射基板通過將至少兩片根據(jù)權(quán)利要求 1至4中的任一項所述的光反射基板重疊而形成，其中在一片鋁板中形成至少一個通孔，而在另一片鋁板中未形成通孔。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備光反射基板的方法，其中當(dāng)進(jìn)行打線以使得在多個芯片周圍形成用于單獨(dú)地切割芯片的切除部，并且在所述切除部的一部分中形成將所述多個芯片連接至所述鋁板的連接部時，所述打線包括以下打線方法對鋁板充當(dāng)所述連接部的部分進(jìn)行設(shè)計以使其比充當(dāng)芯片的部分薄，通過所述打線切去所述切除部以將所述連接部留在所述鋁板中，然后將所述鋁板陽極氧化，然后切割所述連接部，從而減少或移除在通過切割所述連接部而分離的單個芯片的厚度方向上形成的鋁部分的面積。
11.根據(jù)權(quán)利要求8或10所述的制備光反射基板的方法，其中在根據(jù)權(quán)利要求8或10 的步驟之后以任意順序進(jìn)行下列步驟(c)和(d)(c)形成用于將電信號傳送至發(fā)光元件的金屬互連層，并且將所述金屬互連層圖案化；禾口(d)再次在對應(yīng)于其上安裝所述發(fā)光元件的部分的電極部分中形成金屬層。
12.—種發(fā)白光二極管裝置，所述發(fā)白光二極管裝置在根據(jù)權(quán)利要求1至6和權(quán)利要求9中的任一項所述的光反射基板的上層中具有發(fā)藍(lán)光元件，并且在所述發(fā)藍(lán)光元件周圍和/或之上具有熒光發(fā)光體。
全文摘要
一種用于安裝發(fā)光元件(22)的光反射基板(30)，所述光反射基板(30)至少包括絕緣層(32)和與所述絕緣層接觸的金屬層(33)。所述光反射基板的特征在于金屬層由鋁形成；絕緣層為陽極氧化的鋁涂布膜；所述光反射基板的表面具有平均波長為0.01-100μm的粗糙度；并且320nm至700nm的光的全反射率不小于50％，并且300nm至320nm的光的全反射率不小于60％。所述基板提高了安裝在其上的發(fā)光元件的發(fā)光輸出。
文檔編號H01L33/60GK102460749SQ20108002823
公開日2012年5月16日 申請日期2010年6月23日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月26日
發(fā)明者上杉彰男, 堀田吉則, 畠中優(yōu)介 申請人:富士膠片株式會社