專利名稱：一種化學(xué)機(jī)械研磨測試設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及半導(dǎo)體機(jī)械研磨領(lǐng)域，特別涉及一種化學(xué)機(jī)械研磨測試設(shè)備。
背景技術(shù)：
隨著超大規(guī)模集成電路ULSI (Ultra Large Scale Integration)的飛速發(fā)展，集 成電路制造工藝變得越來越復(fù)雜和精細(xì)。為了提高集成度，降低制造成本，元件的特征尺寸 (Feature Size)不斷變小，芯片單位面積內(nèi)的元件數(shù)量不斷增加，平面布線已難以滿足元 件高密度分布的要求，只能采用多層布線技術(shù)利用芯片的垂直空間，進(jìn)一步提高器件的集 成密度。但多層布線技術(shù)的應(yīng)用會造成襯底表面起伏不平，對圖形制作極其不利，為此，常 需要對襯底進(jìn)行表面平坦化(Planarization)處理。目前，化學(xué)機(jī)械研磨法(CMP，Chemical Mechanical Polishing)是達(dá)成全局平坦化的最佳方法，尤其在半導(dǎo)體制作工藝進(jìn)入亞微 米(sub-micron)領(lǐng)域后，其已成為一項不可或缺的制作工藝技術(shù)?；瘜W(xué)機(jī)械研磨(CMP)是利用混有極小磨粒的化學(xué)溶液與加工表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng) 來改變其表面的化學(xué)健，生成容易以機(jī)械方式去除的產(chǎn)物，再經(jīng)機(jī)械摩擦去除化學(xué)反應(yīng)物 獲得超光滑無損傷的平坦化表面的?，F(xiàn)有技術(shù)中為了準(zhǔn)確把握在對晶圓上同一種沉積薄 膜進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨時，使用不同種類的研磨液或使用不同流速的研磨液對研磨速率的影 響，通常需要在化學(xué)機(jī)械研磨測試設(shè)備上做測試?，F(xiàn)有技術(shù)的化學(xué)機(jī)械研磨測試設(shè)備包括 表面貼有研磨墊的轉(zhuǎn)臺，多個研磨頭和多個分別對應(yīng)于每個研磨頭的輸送研磨液的研磨液 供應(yīng)管。研磨時，每個所述研磨頭上吸附著待研磨晶圓，使待研磨晶圓的待研磨面面向所述 轉(zhuǎn)臺；各個研磨液供應(yīng)管將不同種類的研磨液或相同種類不同流速的研磨液供應(yīng)至相應(yīng)的 研磨頭所在區(qū)域的研磨墊上；研磨頭施加向下的壓力，使待研磨晶圓緊壓到研磨墊上；表 面貼有研磨墊的轉(zhuǎn)臺在電機(jī)的帶動下旋轉(zhuǎn)，研磨頭也進(jìn)行同向轉(zhuǎn)動，實現(xiàn)機(jī)械研磨。待經(jīng)過 一定時間的研磨后，測量各個研磨頭上吸附晶圓的研磨效果，從而評測各種類型的研磨液 或不同流速的研磨液的對研磨效果的影響。但現(xiàn)有技術(shù)的化學(xué)機(jī)械研磨測試設(shè)備在使用時一次需同時研磨數(shù)片晶圓才可以， 因而成本較高，耗時也很長，同時在轉(zhuǎn)臺上一次最多只能研磨2至3個晶圓。

實用新型內(nèi)容本實用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種化學(xué)機(jī)械研磨測試設(shè)備，以解決現(xiàn)有技 術(shù)的化學(xué)機(jī)械研磨測試設(shè)備使用成本較高，耗時長，且同時進(jìn)行測試的晶圓數(shù)量有限的問題。為解決上述技術(shù)問題，本實用新型提供一種化學(xué)機(jī)械研磨測試設(shè)備，包括吸附 臺，分布于所述吸附臺上方的多個研磨頭、多個分別對應(yīng)于每個所述研磨頭的研磨液供應(yīng) 管；所述研磨頭上固定有研磨墊?？蛇x的，所述研磨墊粘附于所述研磨頭上。可選的，所述吸附臺為真空吸附臺。[0009]可選的，還可包括晶圓傳送臂和去離子水輸送管?，F(xiàn)有技術(shù)中每進(jìn)行一種研磨力度、研磨液種類及研磨液流速的研磨測試就需使用 一片晶圓，且每次測試時最多只能同時對兩片晶圓進(jìn)行測試。本實用新型的化學(xué)機(jī)械研磨 測試設(shè)備可在一片晶圓上進(jìn)行多項不同研磨力度、不同研磨液種類或不同研磨液流速的化 學(xué)機(jī)械研磨測試，因此有效節(jié)省了成本，同時節(jié)約了測試時間。

圖1為本實用新型的化學(xué)機(jī)械研磨測試設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
為使本實用新型的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，
以下結(jié)合附圖對本 實用新型的具體實施方式
做詳細(xì)的說明。本實用新型的化學(xué)機(jī)械研磨測試設(shè)備可廣泛應(yīng)用于多種領(lǐng)域，并且可以利用多種 替換方式實現(xiàn)，下面是通過較佳的實施例來加以說明，當(dāng)然本實用新型并不局限于該具體 實施例，本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員所熟知的一般的替換無疑地涵蓋在本實用新型的保護(hù)范 圍內(nèi)。其次，本實用新型利用示意圖進(jìn)行了詳細(xì)描述，在詳述本實用新型實施例時，為了 便于說明，示意圖不依一般比例局部放大，不應(yīng)以此作為對本實用新型的限定。請參看圖1，圖1為本實用新型的化學(xué)機(jī)械研磨測試設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所 示，本實用新型的化學(xué)機(jī)械研磨測試設(shè)備包括吸附臺100，分布于所述吸附臺100上方的 多個研磨頭110、多個分別對應(yīng)于每個所述研磨頭110的輸送研磨液的研磨液供應(yīng)管120 ； 所述吸附臺100用于吸附晶圓；所述研磨頭110上固定有研磨墊。所述研磨墊固定于所述 研磨頭110上的方式為將研磨墊粘附于研磨頭上。所述吸附臺100為真空吸附臺，其吸附 晶圓的方式為真空吸附。本實用新型的化學(xué)機(jī)械研磨測試設(shè)備還可包括晶圓傳送臂130和去離子水輸送 管(圖中未示)。所述晶圓傳送臂用于向所述吸附臺上傳送晶圓；所述去離子水輸送管用 于向所述吸附臺上的晶圓輸送去離子水。本實用新型的化學(xué)機(jī)械研磨測試設(shè)備在使用時，首先通過晶圓傳送臂將晶圓傳送 至吸附臺上，使得晶圓的待研磨面面向研磨頭；接著分布于吸附臺上方的多個研磨頭依次 開始工作，每個研磨頭工作時在晶圓上的一定區(qū)域內(nèi)進(jìn)行研磨，不同研磨頭在晶圓上對應(yīng) 不同的研磨區(qū)域，不同研磨頭可選擇使用不同的研磨力度；某一研磨頭在工作時與其配合 使用的研磨液供應(yīng)管向晶圓上該研磨頭的研磨區(qū)域供應(yīng)研磨液，不同研磨頭所對應(yīng)的研磨 液輸送管所輸送的研磨液的類型或流速互不相同；每個研磨頭完成研磨后，去離子水輸送 管將去離子水輸送至晶圓上，將晶圓上的研磨液和研磨顆粒物沖洗干凈，然后再開始下一 研磨頭的研磨工作。現(xiàn)有技術(shù)中每進(jìn)行一種研磨力度、研磨液種類及研磨液流速的研磨測試就需使用 一片晶圓，且每次測試時最多只能同時對兩片晶圓進(jìn)行測試。本實用新型的化學(xué)機(jī)械研磨 測試設(shè)備可在一片晶圓上進(jìn)行多項不同研磨力度、不同研磨液種類或不同研磨液流速的化 學(xué)機(jī)械研磨測試，因此有效節(jié)省了成本，同時節(jié)約了測試時間。[0019] 顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本實用新型進(jìn)行各種改動和變型而不脫離本實用 新型的精神和范圍。這樣，倘若本實用新型的這些修改和變型屬于本實用新型權(quán)利要求及 其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本實用新型也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種化學(xué)機(jī)械研磨測試設(shè)備，其特征在于，包括吸附臺，分布于所述吸附臺上方的 多個研磨頭、多個分別對應(yīng)于每個所述研磨頭的研磨液供應(yīng)管；所述研磨頭上固定有研磨墊。
2.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械研磨測試設(shè)備，其特征在于，所述研磨墊粘附于所述 研磨頭上。
3.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械研磨測試設(shè)備，其特征在于，所述吸附臺為真空吸附臺。
4.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械研磨測試設(shè)備，其特征在于，還可包括晶圓傳送臂和 去離子水輸送管。
專利摘要本實用新型提供一種化學(xué)機(jī)械研磨測試設(shè)備，包括吸附臺，分布于所述吸附臺上方的多個研磨頭、多個分別對應(yīng)于每個所述研磨頭的研磨液供應(yīng)管；所述研磨頭上固定有研磨墊。本實用新型的化學(xué)機(jī)械研磨測試設(shè)備可在一片晶圓上進(jìn)行多項不同研磨力度、不同研磨液種類或不同研磨液流速的化學(xué)機(jī)械研磨測試，因此有效節(jié)省了成本，同時節(jié)約了測試時間。
文檔編號H01L21/00GK201918368SQ20102064432
公開日2011年8月3日 申請日期2010年12月6日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月6日
發(fā)明者劉俊良, 趙敬民 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司