專利名稱：一種led芯片的電極結(jié)構(gòu)及包含其的led芯片結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
一種LED芯片的電極結(jié)構(gòu)及包含其的LED芯片結(jié)構(gòu)技術(shù)領(lǐng)域[0001]本實(shí)用新型涉及一種LED芯片的電極結(jié)構(gòu)及包含其的LED芯片結(jié)構(gòu)。
技術(shù)背景[0002]LED以其自身具有發(fā)光效率高、耗電量小、壽命長(zhǎng)、發(fā)熱量低、體積小、環(huán)保 節(jié)能等諸多優(yōu)點(diǎn)，得到了廣泛的應(yīng)用。其中以GaN為半導(dǎo)體材料的LED應(yīng)用更為廣泛。 目前氮化鎵基發(fā)光二極管芯片制作方法是完成氮化鎵基LED外延片的生長(zhǎng)，LED外延 片自下向上包括襯底，設(shè)置在襯底上的N型氮化鎵層，設(shè)置在N型氮化鎵層上的量子 阱層，設(shè)置在量子阱層上的P型氮化鎵層。完成外延片的生長(zhǎng)后，設(shè)計(jì)MESA圖形，通 過(guò)光刻、蝕刻、去膠等工藝形成基本形貌；在P型GaN的表面生長(zhǎng)一層透明導(dǎo)電層，在 透明導(dǎo)電層上蒸發(fā)形成P型電極，在溝槽內(nèi)蒸發(fā)形成N型電極。最后通過(guò)激光劃線和劈 裂的方法沿切割道分割成單顆晶粒。[0003]由于與GaN相匹配的襯底材料較少，目前普遍是采用藍(lán)寶石作為襯底材料。由 于藍(lán)寶石為絕緣體，故只能將芯片的正負(fù)極做在同一側(cè)以實(shí)現(xiàn)電流的流通。使用這種將 芯片正負(fù)極(P&N電極)做在同一側(cè)的工藝制作成的LED不可避免地存在電流橫向擴(kuò)展 的情況，這樣會(huì)使芯片通電過(guò)程中極易產(chǎn)生電流聚集效應(yīng)，進(jìn)而導(dǎo)致LED發(fā)光、發(fā)熱不 均勻，使用壽命下降等問(wèn)題。[0004]為了避免這種電流聚集效應(yīng)，使芯片的整面任意點(diǎn)都可以獲得相同的電流密 度，從而獲得良好的發(fā)光效率。揚(yáng)州大學(xué)曾祥華與張俊兵在專利號(hào)為200820039405.6的 實(shí)用新型專利中公開(kāi)了一種樹(shù)形GaN基LED芯片電極。并在該專利的說(shuō)明書中指出通 過(guò)結(jié)合環(huán)形電極和條形電極的優(yōu)點(diǎn)，P型和N型電極相互交叉平行排布，兩電極之間的傳 輸距離相等，電流得到均勻地?cái)U(kuò)散分布，提高了芯片的出光效率，同時(shí)也有助于改善芯 片的電流電壓特性和散熱等問(wèn)題，整體提升了芯片的光電性能。[0005]這種樹(shù)形GaN基LED芯片電極雖然在一定程度上減少了電流聚集效應(yīng)的發(fā)生， 然而對(duì)于大尺寸LED，特別是對(duì)于45mil的LED來(lái)說(shuō)，由于其尺寸較大，功率較大、注 入的電流也較大，依然有可能導(dǎo)致LED產(chǎn)生電流聚集效應(yīng)，進(jìn)而導(dǎo)致LED發(fā)光、發(fā)熱不 均勻，使用壽命下降等問(wèn)題。實(shí)用新型內(nèi)容[0006]本實(shí)用新型目的在于提供一種LED芯片的電極結(jié)構(gòu)，解決了現(xiàn)有技術(shù)中LED發(fā) 光、發(fā)熱不均勻，使用壽命低等問(wèn)題。[0007]為此，本實(shí)用新型提供了一種LED芯片的電極結(jié)構(gòu)，包括N型電極和P型電 極，N型電極包括邊緣電極，設(shè)置在芯片邊緣，邊緣電極包括相互平行的兩條第一邊 緣電極，以及連接在兩條第一邊緣電極之間的第二邊緣電極；中心電極，連接在第二邊 緣電極的中心，平行于第一邊緣電極設(shè)置；定位電極，包括連接在第一邊緣電極上， 并平行于第二邊緣電極設(shè)置的第一定位電極，以及連接在中心電極上，并平行于第一定位電極設(shè)置的第二定位電極；P型電極的結(jié)構(gòu)配置為與第一定位電極和第二定位電極保 持預(yù)定距離，在第一定位電極和第二定位電極之間延伸。[0008]根據(jù)本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，第二定位電極與第一定位電極等距交叉排布。[0009]根據(jù)本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，N型電極設(shè)有兩個(gè)N型焊盤，各N型焊盤分別 設(shè)置在第一邊緣電極與第二邊緣電極的連接點(diǎn)處；P型電極設(shè)有兩個(gè)P型焊盤，兩個(gè)P型 焊盤相對(duì)中心電極對(duì)稱設(shè)置。[0010]同時(shí)，本實(shí)用新型還提供了一種LED芯片結(jié)構(gòu)，包括藍(lán)寶石襯底；N型氮化 鎵層，設(shè)置在藍(lán)寶石襯底的上側(cè)，N型氮化鎵層設(shè)有N型溝槽，N型溝槽內(nèi)設(shè)有N型電 極；量子阱層，設(shè)置在N型氮化鎵層的未設(shè)有N型溝槽的部分的上側(cè)；P型氮化鎵層， 設(shè)置在量子阱層的上側(cè)；其上設(shè)有P型電極，P型電極包括P型焊盤；芯片結(jié)構(gòu)中N型 電極和P型電極的結(jié)構(gòu)設(shè)置為上述的電極結(jié)構(gòu)。[0011]根據(jù)本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，還包括電流限制層，設(shè)置在P型氮化鎵層的上 側(cè)，P型焊盤的下側(cè)；透明導(dǎo)電層，設(shè)置在P型氮化鎵層的上側(cè)，且至少部分透明導(dǎo)電層 與P型焊盤相連接。[0012]根據(jù)本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，P型焊盤與透明導(dǎo)電層的連接部分相對(duì)P型焊盤 呈中心對(duì)稱結(jié)構(gòu)。[0013]根據(jù)本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，透明導(dǎo)電層設(shè)置在電流限制層的外周側(cè)。[0014]根據(jù)本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，電流限制層的面積大于P型焊盤的面積；透明 導(dǎo)電層的高度高于電流限制層，高于電流限制層的部分向P型焊盤的中心方向延伸；P型 焊盤與透明導(dǎo)電層的延伸部分相連接。[0015]根據(jù)本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，部分P型焊盤設(shè)置在透明導(dǎo)電層的延伸部分的 上側(cè)。[0016]根據(jù)本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，還包括反射層和散熱層，反射層設(shè)置在藍(lán)寶石 襯底遠(yuǎn)離N型氮化鎵層的一側(cè)，散熱層設(shè)置在反射層遠(yuǎn)離藍(lán)寶石襯底的一側(cè)。[0017]本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)本實(shí)用新型提出了一種LED芯片的電極結(jié)構(gòu)，通過(guò)改變N 型電極與P型電極之間的排布，使N型電極與P型電極之間的電流傳遞更為穩(wěn)定、均勻， 以達(dá)到更好的電流擴(kuò)散性，避免電流聚集效應(yīng)的產(chǎn)生。同時(shí)，本實(shí)用新型還提供了一種 LED芯片結(jié)構(gòu)，通過(guò)在P型氮化鎵層和P型焊盤之間加入了一層電流限制層，進(jìn)一步限 制了注入電流在電極下方的量子阱內(nèi)的復(fù)合發(fā)光，避免了電極下方產(chǎn)生的光因電極遮擋 而無(wú)法射出的情況，同時(shí)增大了發(fā)光區(qū)的電流密度，可以獲得更好的轉(zhuǎn)換效率。同時(shí)， 本實(shí)用新型提供的一種LED芯片的結(jié)構(gòu)，通過(guò)在透明導(dǎo)電層上加工出柱狀突起形成導(dǎo)光 柱圖案，進(jìn)一步幫助光更好的從發(fā)光區(qū)取出，本實(shí)用新型一種LED芯片還在藍(lán)寶石襯底 的背面制作了一層反射層，將量子阱所產(chǎn)生的或者經(jīng)由全反射后出射方向朝向背面的光 再反射出去，增加了芯片的外量子效應(yīng)，提高了 LED的亮度。[0018]除了上面所描述的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)之外，本實(shí)用新型還有其它的目的、特征 和優(yōu)點(diǎn)。下面將參照?qǐng)D，對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。


[0019]附圖是構(gòu)成本說(shuō)明書的一部分、用于進(jìn)一步理解本實(shí)用新型，附圖中示出了本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例，并與說(shuō)明書一起用來(lái)說(shuō)明本實(shí)用新型的原理。圖中[0020]圖1示出了根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的一種LED芯片的電極結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；[0021]圖2示出了根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的一種LED芯片結(jié)構(gòu)的一種結(jié)構(gòu)示意圖；以 及[0022]圖3示出了圖2中A-A方向剖視結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
[0023]
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明，說(shuō)明書中所寫的實(shí)施例以 及附圖，僅是用以幫助理解本實(shí)用新型，而不能限定本實(shí)用新型的保護(hù)范圍，本實(shí)用新 型可以由權(quán)利要求限定和覆蓋的多種不同方式實(shí)施。[0024]如圖1所示，在本實(shí)用新型的一種具體的實(shí)施方式中，該LED芯片的電極結(jié) 構(gòu)，包括N型電極和P型電極，N型電極與P型電極之間保持預(yù)定距離。如圖1所示， N型電極3包括，圍繞在外側(cè)的邊緣電極，以及連接在邊緣電極的中心電極35，以及設(shè)置 在邊緣電極與中心電極35之間的定位電極。其中邊緣電極設(shè)置在芯片的邊緣，邊緣電極 包括相互平行的兩條第一邊緣電極31，以及連接在兩條第一邊緣電極31之間的第二邊緣 電極33。中心電極35，連接在第二邊緣電極33的中心，平行于第一邊緣電極31設(shè)置。 定位電極包括連接在第一邊緣電極31上，并平行于所述第二邊緣電極33設(shè)置的第一 定位電極37，以及連接在中心電極35上，并平行于第一定位電極37設(shè)置的第二定位電 極39。P型電極6的結(jié)構(gòu)配置為與第一定位電極37和第二定位電極39保持預(yù)定距離， 在第一定位電極37和第二定位電極39之間延伸。這樣的結(jié)構(gòu)更適合LED芯片中電極之 間的電流傳導(dǎo)，縮短了 N型電極與P型電極之間的傳輸距離，使電流的傳輸更為穩(wěn)定， 能夠達(dá)到更好的電流擴(kuò)散性，避免出現(xiàn)電流聚集效應(yīng)。更為優(yōu)選地，第二定位電極39與 第一定位電極37等距交叉排布。這樣的結(jié)構(gòu)擴(kuò)大了 P型電極與N型電極之間的延伸范 圍，縮短了兩者之間的傳輸距離，更有利于電流的傳輸?shù)木鶆蛐?，保證芯片發(fā)熱、發(fā)光 的均勻性，延長(zhǎng)芯片的使用壽命。更為優(yōu)選地，N型電極上設(shè)有兩個(gè)N型焊盤32，各N 型焊盤32分別設(shè)置在第一邊緣電極31與第二邊緣電極33的連接點(diǎn)處；P型電極設(shè)有兩 個(gè)P型焊盤61，兩個(gè)P型焊盤相對(duì)中心電極35對(duì)稱設(shè)置。對(duì)于使用比較大的驅(qū)動(dòng)電流 的45mil芯片來(lái)說(shuō)，可防止過(guò)大的驅(qū)動(dòng)電流燒壞連接在焊盤上的導(dǎo)線，在電極上設(shè)有兩個(gè) 焊盤，能夠分擔(dān)驅(qū)動(dòng)電流的電量，對(duì)與焊盤連接的導(dǎo)線起到保護(hù)的作用。將兩個(gè)焊盤對(duì) 稱設(shè)置能夠提高電流傳輸?shù)木鶆蛐?，使電流在各個(gè)角度都能夠?qū)崿F(xiàn)均勻注入，使得發(fā)光 區(qū)內(nèi)量子阱的電子與電洞更有效的復(fù)合，減少轉(zhuǎn)化為內(nèi)部熱能部分的損失，提高芯片的 出光效率，改善芯片的光電特性。[0025]在本實(shí)用新型中還提供了一種LED芯片結(jié)構(gòu)，如圖1、圖2和圖3所示的一種實(shí) 施例中，這種LED芯片結(jié)構(gòu)中包括藍(lán)寶石襯底1、N型氮化鎵層2、量子阱層3、P型 氮化鎵層4。N型氮化鎵層2設(shè)置在藍(lán)寶石襯底1的上側(cè)，部分N型氮化鎵層2經(jīng)刻蝕 形成N型溝槽，并在溝槽內(nèi)淀積形成N型電極3。量子阱層4，設(shè)置在N型氮化鎵層2 的未設(shè)有N型溝槽的部分的上側(cè)。P型氮化鎵層5設(shè)置在量子阱層4的上側(cè)；P型氮化 鎵層5上設(shè)有P型電極6，P型電極6包括P型焊盤61 ；根據(jù)本實(shí)用新型的芯片結(jié)構(gòu)并不 限于圖3中所示的結(jié)構(gòu)，如在現(xiàn)有技術(shù)中常用的，藍(lán)寶石襯底1和N型氮化鎵層2之間還設(shè)有緩沖層、以及不摻雜氮化鎵層。在本實(shí)用新型中，在P型氮化鎵層5和P型焊盤61 之間還設(shè)有一層電流限制層7，這層電流限制層7設(shè)置在P型氮化鎵層5的上側(cè)，P型焊 盤61的下側(cè)，這樣的結(jié)構(gòu)能夠避免電流橫向擴(kuò)展的情況，進(jìn)而減少電流聚集效應(yīng)發(fā)生的 頻率，提高芯片發(fā)光、發(fā)熱的均勻性，延長(zhǎng)芯片的使用壽命。同時(shí)，在P型氮化鎵層5 的上側(cè)還設(shè)有一層透明導(dǎo)電層8，且至少部分透明導(dǎo)電層8與P型焊盤61相連接。這種 透明導(dǎo)電層8具有實(shí)現(xiàn)電流的擴(kuò)散和光的導(dǎo)出的作用，能夠?qū)⒑副P61中的電流經(jīng)透明導(dǎo) 電層8的電流的橫向傳導(dǎo)的作用傳輸?shù)絇型氮化鎵層5，實(shí)現(xiàn)P型焊盤61與P型氮化鎵層 5之間的連通，形成完整的電流流路。透明導(dǎo)電層8可選地材料包括但不限于氧化銦 錫、氧化鋅。優(yōu)選地，這種P型焊盤61與透明導(dǎo)電層8的連接部分相對(duì)P型焊盤61呈 中心對(duì)稱結(jié)構(gòu)。這樣的設(shè)置能夠增加電流流通的均勻性。這種透明導(dǎo)電層8可以被制作 為任意形狀用以實(shí)現(xiàn)P型焊盤61和P型氮化鎵層5之間的電流的擴(kuò)散和光的導(dǎo)出，如 當(dāng)電流限制層7的面積制作為大于P型焊盤61的面積時(shí)；P型焊盤61和P型氮化鎵層5 之間被完全分開(kāi)。此時(shí)，可以將透明導(dǎo)電層8設(shè)置在電流限制層7的外周側(cè)，且將透明 導(dǎo)電層8的高度制作為高于電流限制層7，同時(shí)將透明導(dǎo)電層8高于電流限制層7的部分 向P型焊盤61的中心方向的延伸；并且將P型焊盤61與透明導(dǎo)電層8延伸部分相連接。 使電流能夠由P型焊盤61經(jīng)透明導(dǎo)電層8的電流的橫向傳導(dǎo)的作用傳輸?shù)絇型氮化鎵層 5，這樣便實(shí)現(xiàn)了 P型焊盤61與P型氮化鎵層5之間的連接。更為優(yōu)選地，可以將部分 P型焊盤61設(shè)置在透明導(dǎo)電層8的延伸部分的上側(cè)。這樣可以增加P型焊盤61與透明 導(dǎo)電層8之間的連接面積，更有利于電流的傳輸。使用這樣的結(jié)構(gòu)所制作的根據(jù)本實(shí)用 新型的LED芯片結(jié)構(gòu)的LED的發(fā)光效率與現(xiàn)有技術(shù)中的LED芯片相比，光取出效率方 面能提高10%-15%。如圖2所示，在本實(shí)用新型一種LED芯片結(jié)構(gòu)的一種具體實(shí)施例 中，可以將透明導(dǎo)電層8上設(shè)有導(dǎo)光柱，導(dǎo)光柱可以通過(guò)光刻以及蝕刻的方式在透明導(dǎo) 電層上實(shí)現(xiàn)。導(dǎo)光柱可以為圓柱形呈波浪形或網(wǎng)格狀排布，也可以以其他能夠幫助光取 出的任何臺(tái)面圖形設(shè)置在透明導(dǎo)電層8上。[0026] 為了能夠更進(jìn)一步的提高根據(jù)本實(shí)用新型所提供的一種LED芯片的光電性能， 在本實(shí)用新型的一種具體的實(shí)施方式中，該LED芯片還包括一層反射層9，反射層9設(shè) 置在藍(lán)寶石襯底1遠(yuǎn)離N型氮化鎵層2的一側(cè)，用以反射由于芯片中GaN材料以及設(shè)置 在GaN材料外側(cè)的其他材料的折射率遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于空氣的折射率而被全反射而最終消耗在芯 片內(nèi)部的那部分光，這部分被全反射回芯片內(nèi)部的光如果轉(zhuǎn)化成熱能，既不利于光的取 出，也不利于LED的散熱、會(huì)縮短芯片的使用壽命。而在藍(lán)寶石襯底1遠(yuǎn)離N型氮化鎵 層2的一側(cè)設(shè)置的這個(gè)反射層9能夠?qū)⑷瓷涞叫酒瑑?nèi)部的光在此反射出去，這樣可獲得 更好的光的取出率以及避免熱的產(chǎn)生，從而整體上提升了芯片的光電性能。這種反射層 可以是經(jīng)過(guò)對(duì)藍(lán)寶石襯底1遠(yuǎn)離N型氮化鎵層2的一側(cè)進(jìn)行研磨拋光后，再形成布拉格 反射層。更為優(yōu)選地，在本實(shí)用新型芯片中，還可以設(shè)有一層散熱層91，這種散熱層91 可以直接連接在藍(lán)寶石襯底1遠(yuǎn)離N型氮化鎵層2的一側(cè)，也可以直接連接在反射層9遠(yuǎn) 離藍(lán)寶石襯底1的一側(cè)。散熱層91可以是金屬散熱層?？蛇x的金屬散熱層材料包括但 不限于鋁、金、鉻等材料。這種散熱層不僅也可起到光反射的作用，更加地，能夠幫 助芯片內(nèi)部正常消耗所產(chǎn)生的熱量的向外傳導(dǎo)，使得芯片通電后產(chǎn)生的熱量有效的散發(fā) 出去，更有利提高芯片的使用壽命。[0027]本實(shí)用新型一種LED芯片的電極結(jié)構(gòu)，通過(guò)改變N型電極與P型電極之間的排 布結(jié)構(gòu)，使N型電極與P型電極之間的電流傳遞更為穩(wěn)定、可靠，以達(dá)到更好的電流擴(kuò) 散性，避免LED產(chǎn)生電流聚集效應(yīng)。同時(shí)，本實(shí)用新型還提供了一種LED的芯片結(jié)構(gòu)， 通過(guò)在P型氮化鎵層和P型焊盤之間加入了一層電流限制層，進(jìn)一步限制了注入電流在 P型焊盤下面的復(fù)合發(fā)光，提高芯片發(fā)光區(qū)的注入電流密度，獲得更好的發(fā)光效率。同 時(shí)，本實(shí)用新型一種LED的芯片結(jié)構(gòu)，通過(guò)能夠幫助電流的橫向傳導(dǎo)的透明導(dǎo)電層將P 型電極與P型氮化鎵層更好地連接在一起，在該透明導(dǎo)電層上實(shí)現(xiàn)導(dǎo)光柱的形式予以幫 助芯片的光導(dǎo)出。本實(shí)用新型一種LED芯片結(jié)構(gòu)還在藍(lán)寶石襯底的背面制作了一層反射 層，將量子阱所發(fā)出光產(chǎn)生全反射的部分，再反射出去，提高了芯片的外量子效應(yīng)，提 高了 LED的亮度。[0028]以上僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本實(shí)用新型，對(duì)于本領(lǐng) 域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，本實(shí)用新型可以有各種更改和變化。凡在本實(shí)用新型的精神和原則 之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種LED芯片的電極結(jié)構(gòu)，包括N型電極和P型電極，其特征在于， 所述N型電極(3)包括邊緣電極，設(shè)置在所述芯片邊緣，所述邊緣電極包括相互平行的兩條第一邊緣電極 (31)，以及連接在兩條所述第一邊緣電極(31)之間的第二邊緣電極(33)；中心電極(3 ，連接在所述第二邊緣電極(3 的中心，平行于所述第一邊緣電極 (31)設(shè)置；定位電極，包括連接在所述第一邊緣電極(31)上，并平行于所述第二邊緣電極 (33)設(shè)置的第一定位電極(37)，以及連接在所述中心電極(3 上，并平行于所述第一定 位電極(37)設(shè)置的第二定位電極(39)；所述P型電極(6)的結(jié)構(gòu)配置為與所述第一定位電極(37)和第二定位電極(39)保持 預(yù)定距離，在所述第一定位電極(37)和第二定位電極(39)之間延伸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二定位電極(39)與所述第 一定位電極(37)等距交叉排布。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述N型電極設(shè)有兩個(gè)N型 焊盤(3 ，各所述N型焊盤(3 分別設(shè)置在所述第一邊緣電極(31)與所述第二邊緣電 極(3 的連接點(diǎn)處；所述P型電極設(shè)有兩個(gè)P型焊盤(61)，兩個(gè)所述P型焊盤相對(duì)所述中心電極(35)對(duì) 稱設(shè)置。
4.一種LED芯片結(jié)構(gòu)，包括 藍(lán)寶石襯底(1)；N型氮化鎵層0)，設(shè)置在所述藍(lán)寶石襯底(1)的上側(cè)，所述N型氮化鎵層( 設(shè)有 N型溝槽，所述N型溝槽內(nèi)設(shè)有N型電極(3)；量子阱層G)，設(shè)置在所述N型氮化鎵層O)的未設(shè)有N型溝槽的部分的上側(cè)； P型氮化鎵層(5)，設(shè)置在所述量子阱層的上側(cè)；其上設(shè)有P型電極(6)，所述 P型電極包括P型焊盤(61)；其特征在于，所述芯片結(jié)構(gòu)中所述N型電極和所述P型電極的結(jié)構(gòu)設(shè)置為權(quán)利要求 1-3中任一項(xiàng)所述的電極結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括電流限制層(7)，設(shè)置在所述P型氮化鎵層( 的上側(cè)，所述P型焊盤(61)的下側(cè)； 透明導(dǎo)電層(8)，設(shè)置在所述P型氮化鎵層(5)的上側(cè)，且至少部分所述透明導(dǎo)電層 (8)與所述P型焊盤(61)相連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述P型焊盤(61)與所述透明導(dǎo)電層 (8)的連接部分相對(duì)P型焊盤(61)呈中心對(duì)稱結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述透明導(dǎo)電層(8)設(shè)置在所述電流限 制層(7)的外周側(cè)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電流限制層(7)的面積大于所述P 型焊盤(61)的面積；所述透明導(dǎo)電層⑶的高度高于所述電流限制層(7)，高于所述電 流限制層⑵的部分向P型焊盤(61)的中心方向延伸；所述P型焊盤(61)與所述透明導(dǎo) 電層(8)的延伸部分相連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，部分所述P型焊盤(61)設(shè)置在所述透 明導(dǎo)電層(8)的延伸部分的上側(cè)。
10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括反射層(9)和散熱層(91)，所 述反射層(9)設(shè)置在所述藍(lán)寶石襯底(1)遠(yuǎn)離所述N型氮化鎵層( 的一側(cè)，所述散熱層 (91)設(shè)置在所述反射層(9)遠(yuǎn)離所述藍(lán)寶石襯底(1)的一側(cè)。
專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種LED芯片的電極結(jié)構(gòu)，包括N型電極和P型電極，N型電極包括邊緣電極，設(shè)置在芯片邊緣，邊緣電極包括相互平行的兩條第一邊緣電極，以及連接在兩條第一邊緣電極之間的第二邊緣電極；中心電極，連接在第二邊緣電極的中心，平行于第一邊緣電極設(shè)置；定位電極，包括連接在第一邊緣電極上，并平行于第二邊緣電極設(shè)置的第一定位電極，以及連接在中心電極上，并平行于第一定位電極設(shè)置的第二定位電極；P型電極的結(jié)構(gòu)配置為與第一定位電極和第二定位電極保持預(yù)定距離，在第一定位電極和第二定位電極之間延伸。該結(jié)構(gòu)通過(guò)改變N型電極與P型電極之間的排布結(jié)構(gòu)，使電流傳遞更為穩(wěn)定、以達(dá)到更好的電流擴(kuò)散性，避免電流聚集效應(yīng)的產(chǎn)生。
文檔編號(hào)H01L33/38GK201812849SQ20102051595
公開(kāi)日2011年4月27日 申請(qǐng)日期2010年9月3日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月3日
發(fā)明者姚禹, 戚運(yùn)東, 羅正加, 許亞兵 申請(qǐng)人:湘能華磊光電股份有限公司