專利名稱：一種新型n基材二極管共陽(yáng)半橋在to-220中的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種由N基材肖特基二極管或快恢復(fù)二極管構(gòu)成的共陽(yáng)半橋在 T0-220中的封裝結(jié)構(gòu)，屬于二極管器件的封裝結(jié)構(gòu)技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
隨著新能源及開(kāi)關(guān)電源日益普及和廣泛應(yīng)用，需大量使用高性能的高頻大功率整 流器件。而在電子線路設(shè)計(jì)中，T0-220封裝形式的整流器件應(yīng)用更為廣泛。為使全波整流 及全橋整流電路在設(shè)計(jì)使用中經(jīng)濟(jì)簡(jiǎn)化合理，需要用T0-220封裝形式的共陰、共陽(yáng)半橋整 流器件共同組成，并且兩者性能需完全一致。如

圖1所示，全橋整流電路由四個(gè)整流二極管 構(gòu)成共陰半橋A和共陽(yáng)半橋B，其中所述的二極管為肖特基二極管或快恢復(fù)二極管。目前高頻整流器件的二極管以N基材為主，封裝成共陰半橋器件是常規(guī)的封裝， 如圖2、圖3、圖4所示，共陰半橋在T0-220中的封裝結(jié)構(gòu)如下中間引線12的反面與散熱 板2相連接，兩只二極管3的N極分別固定在中間引線12的正面上，作為共陰極，兩只二極 管3的P極通過(guò)鋁線4分別與左側(cè)引線11和右側(cè)引線13的相連通，作為兩個(gè)陽(yáng)極。但用N基材二極管封裝成共陽(yáng)半橋器件時(shí)，因極性相反需倒裝，但是由于N基材的 N區(qū)電極的邊框與P區(qū)電極在同一平面上，在倒裝共晶焊接時(shí)會(huì)造成短路，所以只能用小于 P區(qū)面積的銅墊5墊在P區(qū)上倒裝悍接。如圖5、圖6、圖7所示，傳統(tǒng)共陽(yáng)半橋在T0-220中 的封裝結(jié)構(gòu)如下中間引線12的反面與散熱板2相連接，兩只二極管3的P極分別連接一 個(gè)銅墊5，銅墊5的面積小于P極面積，兩個(gè)銅墊5均固定在中間引線12的正面上，作為共 陽(yáng)極，兩只二極管3的N極通過(guò)連接片6分別與左側(cè)引線11和右側(cè)引線13相連通，作為兩 個(gè)陰極。此種封裝結(jié)構(gòu)工藝較復(fù)雜、制造難度大、良品率及可靠性不穩(wěn)定，其中良品率只能 達(dá)到60% 85%，且由于銅墊5與中間引線12的接觸面積較小，所以二極管的有效散熱量 大大降低，與同規(guī)格二極管封裝的共陰半橋器件相比，使用電流降低20 30%，導(dǎo)致使用 同規(guī)格二極管封裝后的共陽(yáng)、共陰半橋器件，由于性能不一致而不能匹配使用。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，提供一種N基材二極管共陽(yáng)半橋 在T0-220中的封裝結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型的目的通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)—種新型N基材二極管共陽(yáng)半橋在T0-220中的封裝結(jié)構(gòu)，特點(diǎn)是包括一塊絕 緣導(dǎo)熱的氧化鋁陶瓷基板，所述氧化鋁陶瓷基板的正面設(shè)置有兩塊相互獨(dú)立的金屬層，氧 化鋁陶瓷基板的反面設(shè)置有至少一塊金屬層，氧化鋁陶瓷基板反面的金屬層與散熱板相連 接，氧化鋁陶瓷基板正面的兩塊金屬層分別與左側(cè)引線和右側(cè)引線相連接，兩只二極管的N 極分別連接在左側(cè)引線和右側(cè)引線上，為兩個(gè)陰極，兩只二極管的P極分別通過(guò)鋁線連接 在中間引線上，為共陽(yáng)極。進(jìn)一步地，上述的一種新型N基材二極管共陽(yáng)半橋在T0-220中的封裝結(jié)構(gòu)，其中，所述的二極管為肖特基二極管或快恢復(fù)二極管。更進(jìn)一步地，上述的一種新型N基材二極管共陽(yáng)半橋在T0-220中的封裝結(jié)構(gòu)， 其中，所述的氧化鋁陶瓷基板反面的金屬層與散熱板之間通過(guò)Sb5Pb92. 5Ag2. 5焊料燒 結(jié)連接，所述的氧化鋁陶瓷基板正面的兩塊金屬層與左側(cè)引線和右側(cè)引線之間均通過(guò) Sb5Pb92. 5Ag2. 5焊料燒結(jié)連接。本實(shí)用新型技術(shù)方案的實(shí)質(zhì)性特點(diǎn)和進(jìn)步主要體現(xiàn)在①N基材二極管共陽(yáng)半橋采用上述封裝結(jié)構(gòu)后，與使用同屬性、同規(guī)格的N基材二 極管封裝的共陰半橋相比，實(shí)現(xiàn)了電性能、良品率、可靠性完全一致，從而解決了后道高頻 橋式整流電路設(shè)計(jì)時(shí)器件選用的難題；②工藝簡(jiǎn)單、容易實(shí)施，良品率高達(dá)99%以上；③N基材二極管共陽(yáng)半橋采用上述封裝結(jié)構(gòu)后，與共陰半橋使用的二極管規(guī)格相 同，從而使二極管制造工藝容易實(shí)施且工藝簡(jiǎn)單可靠、一致性好、成品合格率高、成本低，綜 合經(jīng)濟(jì)成本可降低約50%。
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型技術(shù)方案作進(jìn)一步說(shuō)明圖1是背景技術(shù)中全橋整流電路的示意圖；圖2是背景技術(shù)中共陰半橋在T0-220中的封裝結(jié)構(gòu)的主視結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是圖2的左視結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是背景技術(shù)中共陰半橋在T0-220中的封裝結(jié)構(gòu)的外形結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是背景技術(shù)中傳統(tǒng)共陽(yáng)半橋在T0-220中的封裝結(jié)構(gòu)的主視結(jié)構(gòu)示意圖；圖6是圖5的左視結(jié)構(gòu)示意圖；圖7是背景技術(shù)中傳統(tǒng)共陽(yáng)半橋在T0-220中的封裝結(jié)構(gòu)的外形結(jié)構(gòu)示意圖；圖8是本實(shí)用新型N基材二極管共陽(yáng)半橋在T0-220中的封裝結(jié)構(gòu)的分解結(jié)構(gòu)示 意圖；圖9是本實(shí)用新型N基材二極管共陽(yáng)半橋在T0-220中的封裝結(jié)構(gòu)的組裝結(jié)構(gòu)示 意圖；圖10是圖9的左視結(jié)構(gòu)示意圖；圖11是本實(shí)用新型N基材二極管共陽(yáng)半橋在T0-220中的封裝結(jié)構(gòu)的外形結(jié)構(gòu)示 意圖。圖中各附圖標(biāo)記的含義見(jiàn)下表
權(quán)利要求1.一種新型N基材二極管共陽(yáng)半橋在T0-220中的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于包括一塊絕 緣導(dǎo)熱的氧化鋁陶瓷基板，所述氧化鋁陶瓷基板的正面設(shè)置有兩塊相互獨(dú)立的金屬層，氧 化鋁陶瓷基板的反面設(shè)置有至少一塊金屬層，氧化鋁陶瓷基板反面的金屬層與散熱板相連 接，氧化鋁陶瓷基板正面的兩塊金屬層分別與左側(cè)引線和右側(cè)引線相連接，兩只二極管的 N極分別連接在左側(cè)引線和右側(cè)引線上，為兩個(gè)陰極，兩只二極管的P極分別通過(guò)鋁線連接 在中間引線上，為共陽(yáng)極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型N基材二極管共陽(yáng)半橋在T0-220中的封裝結(jié)構(gòu)，其 特征在于所述的二極管為肖特基二極管或快恢復(fù)二極管。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型N基材二極管共陽(yáng)半橋在T0-220中的封裝結(jié)構(gòu)， 其特征在于所述的氧化鋁陶瓷基板反面的金屬層與散熱板之間通過(guò)Sb5Pb92. 5Ag2. 5焊 料燒結(jié)連接，所述的氧化鋁陶瓷基板正面的兩塊金屬層與左側(cè)引線和右側(cè)引線之間均通過(guò) Sb5Pb92. 5Ag2. 5焊料燒結(jié)連接。
專利摘要本實(shí)用新型提供一種新型N基材二極管共陽(yáng)半橋在TO-220中的封裝結(jié)構(gòu)，包括一塊絕緣導(dǎo)熱的氧化鋁陶瓷基板，氧化鋁陶瓷基板的正面設(shè)置有兩塊相互獨(dú)立的金屬層，氧化鋁陶瓷基板的反面設(shè)置有至少一塊金屬層，氧化鋁陶瓷基板反面的金屬層與散熱板相連接，氧化鋁陶瓷基板正面的兩塊金屬層分別與左側(cè)引線和右側(cè)引線相連接，兩只二極管的N極分別連接在左側(cè)引線和右側(cè)引線上，為兩個(gè)陰極，兩只二極管的P極分別通過(guò)鋁線連接在中間引線上，為共陽(yáng)極。其工藝簡(jiǎn)單、制造難度低、良品率及可靠性穩(wěn)定，且二極管的有效散熱量高，適用于用N基材二極管組裝成共陽(yáng)半橋器件。
文檔編號(hào)H01L25/11GK201845767SQ20102051323
公開(kāi)日2011年5月25日 申請(qǐng)日期2010年9月2日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月2日
發(fā)明者徐永才 申請(qǐng)人:徐永才