專利名稱：薄膜晶體管陣列基板的制作方法
技術領域：
本實用新型有關于一種薄膜晶體管數(shù)組基板，尤指一種具有雙柵極(dual gate) 設計的薄膜晶體管數(shù)組基板。
背景技術：
已知液晶顯示面板包含一對相互對合的薄膜晶體管陣列基板與彩色濾光陣列基 板，以及設置于薄膜晶體管陣列基板與彩色濾光陣列基板之間的液晶材料層。薄膜晶體管 陣列基板包含了呈陣列排列的多個薄膜晶體管及與其電性連接的柵極線與源極線；而彩色 濾光陣列基板則至少包含了用以制造色彩的彩色濾光片以及用以防止光線滲漏的黑色矩 陣(black matrix)。而根據(jù)驅(qū)動模式的不同，液晶顯示面板叉可被區(qū)分為單柵極(single gate)或雙 柵極(dual gate)顯示面板。請參閱圖1至圖2，圖1至圖2為一已知具雙柵極設計的正 常白(no rmally white)顯示面板的薄膜晶體管陣列基板示意圖。如圖1所示，薄膜晶 體管陣列基板100具有一基板、多條柵極線G UG 2... G 7、多條源極線Si、S2、S3，柵極 線Gl、G2. . . G7與源極線Si、S2. . . S3的交會處分別設置有一薄膜晶體管(G1，Si)、(G2， Si). . . (G5，S3). . . (G 6，S3)與一畫素單元。另外如圖1所示，源極線Si、S2、S3左側(cè)的薄 膜晶體管電性連接至奇數(shù)柵極線61、63、65;而源極線51、52、53右側(cè)的薄膜晶體管則電性 連接至偶數(shù)柵極線G2、G4、G6，換句話說同一列中設置于一源極線Si、S2或S3兩側(cè)的薄膜 晶體管共享該源極線Si、S2或S3，但分別與不同的柵極線電性連接。由于液晶顯示面板采用液晶作為控制影像顯示的材料，為了避免液晶分子在 固定電壓下造成極性的破壞并導致殘影，源極信號的電壓極性必需定時地轉(zhuǎn)換。已 知液晶顯示面板可采用面反轉(zhuǎn)(frame inversion)、線反轉(zhuǎn)(line inversion)、行反 轉(zhuǎn)(columninversion)、點反轉(zhuǎn)(dot inversion),或者如圖1所示的二點反轉(zhuǎn)(2-dot inversion)等反轉(zhuǎn)驅(qū)動方法來轉(zhuǎn)動液晶分子。在圖1中，「+」表示正極性；而「_」則表示負 極性。如圖1所示，同一列中同一源極線S1、S2或S3兩側(cè)的畫素單元與薄膜晶體管具有相 同的極性，如源極線Sl兩側(cè)的薄膜晶體管(G1，S1)與(G2，S1)同樣具有正極性；同一列中 相鄰源極線兩側(cè)的薄膜晶體管與畫素單元則具有相反的極性，如源極線Sl兩側(cè)的薄膜晶 體管(Gl, Si)與(G2，Si)為正極性、而源極線S2兩側(cè)的薄膜晶體管(Gl, S2)與(G2，S2) 則為負極性。由于二點反轉(zhuǎn)是以二點(dot)為單位進行反轉(zhuǎn)，因此對于閃爍(flicker)現(xiàn) 象具有較佳的抑制能力。請繼續(xù)參閱圖1。然而，雙柵極設計的薄膜晶體管陣列基板100的柵極線數(shù)目為單 柵極設計的兩倍；源極線數(shù)目則縮減為其二分之一，因此與柵極線電性連接的各薄膜晶體 管充電時間減半，造成相鄰且相同極性的畫素充電能力不同。舉例來說，在同一條源極線Sl 依序輸入正、負電壓信號時，柵極線G1、G2、G3、G4依序通入電壓，使得薄膜晶體管(G1，S1)、 (G2，Si)、(G3，Si)與(G4，Si)依序開啟并充電，由于薄膜晶體管(Gl, Si)與(G2，Si)共 用一條源極線Si，因此與柵極線Gl電性連接的薄膜晶體管(G1，Si)充電時間早于與柵極線G2電性連接的薄膜晶體管(G2，Si)，同理與柵極線G 3電性連接的薄膜晶體管(G3，Si) 充電時間早于與柵極線G4電性連接的薄膜晶體管(G4，Si)，因此源極線Sl上任兩列的薄 膜晶體管充電順序正可呈一「Z」字型。如前所述，由于雙柵極顯示面板100的柵極線數(shù)目 增加為兩倍，因此薄膜晶體管的充電時間減半，造成部分薄膜晶體管，如源極線S1、S2. . . Sn 左側(cè)先充電的薄膜晶體管充電時間不足，無法轉(zhuǎn)動液晶分子至預定方向，導致光線滲漏。而 部分薄膜晶體管，如源極線Si、S2. . . Sn右側(cè)后充電的薄膜晶體管充電時間充足，因此液 晶分子可轉(zhuǎn)動至預定方向，阻擋光線滲漏。由此可知，采用二點反轉(zhuǎn)的薄膜晶體管陣列基 板100的驅(qū)動方式會如圖2所示出現(xiàn)以線為單位垂直重復交錯排列的亮暗條紋(vertical stripe)，容易被使用者察覺。請參閱圖3，圖3為已知雙柵極顯示面板的彩色濾光基板上一黑色矩陣的示意圖。 如前所述，由于雙柵極顯示面板的源極線數(shù)目減半，因此在薄膜晶體管陣列基板100上沿 柵極線方向相鄰畫素單元間形成有源極線-無源極線-有源極線...等間隔排列。故對應 薄膜晶體管陣列基板100的彩色濾光陣列基板中用以防止光源滲漏的黑色矩陣110在設計 上，在對應有源極線之處具有較寬的幅寬；而在對應無源極線之處則具有較窄的幅寬。換句 話說，黑色矩陣110亦具有一寬一窄的對應設計，在視覺上亦容易產(chǎn)生垂直亮暗條紋。最后請再參閱圖4A與圖4B，圖4A與圖4B為已知雙柵極顯示面板中一薄膜晶體 管區(qū)的示意圖。如前所述，源極線Si、S2、S3數(shù)目減半，且具有相同極性的薄膜晶體管120 分別設置于源極線S1、S2、S3的兩側(cè)，而在理想狀態(tài)中，各薄膜晶體管120的閘/漏極間電 容(Cgd)皆相同，換句話說各薄膜晶體管120的柵極122與漏極IM之間如圖4A中圓圈A 所示的重疊面積應該都相同。但是，若制程的層間對位如圖4B所示發(fā)生偏移的現(xiàn)象，將可 能導致同一條源極線兩側(cè)的薄膜晶體管120的柵極122與漏極IM之間重疊面積一大一 小，繼而導致Cgd差異、反饋電壓不同、以及與閃爍的情形發(fā)生。為避免此缺失，已知技術亦 有發(fā)展出Cgd的補償設計。如圖4B中圓圈A所示，當制程發(fā)生對位偏移導致柵極122與漏 極1 之間重疊面積變大(即Cgd變大)，圓圈B內(nèi)的電容補償設計中重疊面積會因?qū)ξ黄?移變小，降低整體電容。同理，當制程發(fā)生對位偏移導致柵極122與漏極IM之間重疊面積 變小(即Cgd變小)，圓圈B內(nèi)的電容補償設計中重疊面積會因?qū)ξ黄谱兇?，提高整體電 容。雖然已知技術利用此一電容補償設計避免雙柵極顯示面板中同一源極線兩側(cè)的薄膜晶 體管因?qū)ξ黄贫l(fā)生Cgd不同的缺失，但此種方法因?qū)е轮瞥谈鼮閺碗s、提高成本而為人 所詬病。因此，目前仍需要一種在不增加制程復雜度與制程成本的前提下，可順利解決垂 直亮暗條紋問題，并維持各薄膜晶體管C gd相同的液晶顯示面板設計。
發(fā)明內(nèi)容因此，本實用新型提供一種可解決垂直亮暗條紋，且制程偏移現(xiàn)象對各薄膜晶體 管Cgd造成的差異為相同的具有雙柵極設計的薄膜晶體管陣列基板。本實用新型提供一種薄膜晶體管陣列基板，包含有一包含多個畫素單元的基板、 多條交替重復排列于該基板上的第一柵極線與多條第二柵極線、多條垂直該些第一柵極線 與該些第二柵極線而設置于該基板上的源極線，且各該源極線分別包含一主源極線與一副 源極線，且該主源極線與該副源極線并聯(lián)設置。該基板上的該些畫素單元呈一陣列排列，且各畫素單元內(nèi)分別設置有一薄膜晶體管。[OO11] 本實用新型還提供一種薄膜晶體管陣列基板，包含有一基板，包含多個驅(qū)動單元，呈一陣列排列，其中該些驅(qū)動單元分別包含有一第一柵極線1一第二柵極線1一第三柵極線1與一第四柵極線，互相平行設置于該基板上；一源極線，垂直該第一柵極線1該第二柵極線1該第三柵極線與該第四柵極線而設置于該基板上，且該源極線包含一并聯(lián)且彼此平行的主源極線與一副源極線；一第一薄膜晶體管與一第二薄膜晶體管，由左至右設置于該第一柵極線與該第二柵極線之間；以及一第三薄膜晶體管與一第四薄膜晶體管，由左至右設置于該第三柵極線與該第四柵極線之間。[OO12] 以上所述副源極線設置于所述第一薄膜晶體管與第二薄膜晶體管之間，以及所述第三薄膜晶體管與第四薄膜晶體管之間。[OO13] 以上所述第一薄膜晶體管與第二薄膜晶體管分別電性連接至所述第一柵極線與第二柵極線，而所述第三薄膜晶體管與所述第四薄膜晶體管分別電性連接至所述第四柵極線與第三柵極線。[OO14] 根據(jù)本實用新型所提供的薄膜晶體管陣列基板，該些源極線分別由一并聯(lián)設置的主源極線與副源極線所構(gòu)成，另外由改變同一源極線上的薄膜晶體管的充電順序，來改變因充電能力不同而產(chǎn)生的亮暗畫素單元的配置，故可均化亮暗差異，避免顯示面板產(chǎn)生垂直亮暗條紋，故可提升顯示品質(zhì)。[OO15]
[OO16] 圖l至圖2為一已知具雙柵極設計的正常白顯示面板的薄膜晶體管陣列基板示意圖。[OO17] 圖3為已知雙柵極顯示面板的彩色濾光基板上一黑色矩陣的示意圖。[OO18] 圖4A與圖4B為已知雙柵極顯示面板中一薄膜晶體管區(qū)的示意圖。[OO19] 圖5與圖6為本實用新型所提供的一具有雙柵極設計的薄膜晶體管陣列基板的一較佳實施例的示意圖。[0020] 圖7為本較佳實施例所提供的薄膜晶體管陣列基板200上一薄膜晶體管區(qū)的示意圖。[0021]圖中[0022] 100薄膜晶體管陣列基板[0023] G I1G 2．．．G 7柵極線[0024] S l1S 21S 3源極線[0025] (Gl，S1)1(G2，S1)．．．(G6，S1)．．． 薄膜晶體管[0026](G6，S3)[0027] 110黑色矩陣[0028] 120薄膜晶體管[0029] 122柵極[0030] 124漏極[0031] A1B圓圈[0032] 200薄膜晶體管陣列基板[0033] 202基板[0034] 212第一柵極線[0035] 2 14第二柵極線[0036] 220源極線[0037] 222主源極線[0038] 224副源極線[0039] 320尊膜晶體管[0040] 322柵極[0041] 324漏極[0042] G i、G2．．．G6柵極線[0043] Sla，、S2a、S3a主源極線[0044] Slb、S2b、S3b副源極線[0045] (Gl，Sla)、(G2，Slb)．．．薄膜晶體管[0046] (G6，S3a)．．．(G6，S3b)具體實施方式
[0047] 在說明書及權利要求書當中使用了某些詞匯來指稱特定的元件。所屬領域中具有通常知識者應可FlI理J解，制造商可能會用不同的名詞來稱呼同樣的元件。本說明書及權利要求書并不以名稱的差異來作為區(qū)別元件的方式，而是以元件在功能上的差異來作為區(qū)別的基準。在通篇說明書及權利要求書當中所提及的『包含』為一開放式的用語，故應解釋成『包含但不限定于』。此外，『電性連接』一詞在此包含任何直接及間接的電氣連接手段。因此，若文中描述一第一裝置電性連接于一第二裝置，則代表該第一裝置可直接連接于該第二裝置，或通過其他裝置或連接手段間接地連接至該第二裝置。[0048] i青參閱圖5與圖6，圖5與圖6為本實用新型所提供的一具有雙柵極設計的薄膜晶體管陣列基板的一較佳實施例的示意圖。薄膜晶體管陣列基板為液晶顯示面板的元件之一，而液晶顯示面板另包含一與薄膜晶體管陣列基板相互對合的彩色濾光陣列基板，以及設置于薄膜晶體管陣列基板與彩色濾光陣列基板之間的液晶材料層，由于彩色濾光陣列基板液晶材料層為本項技術的人員所熟知，故在此不另贅述。如圖5所示，本較佳實施例所提供的薄膜晶體管陣列基板200包含有一基板202，基板202上設置有多條第一柵極線212與多條第二柵極線214，第一柵極線212 t虧第二柵極線214互相平行且交替重復排列于基板202上。此外亦可將交替排列的第一柵極線212 t虧第二柵極線214 f掃上而下依序標示為Gl、G2…G 6?；?02上更設置有多條源極線220，垂直于第一柵極線212 t虧第二柵極線214 1~‘設置于基板202上，各源極線220分別包含一彼此平行的主源極線222 t虧一副源極線224，且各源極線220所包含的主源極線222與副源極線224并聯(lián)設置。由于各源極線220內(nèi)的主源極線222 t虧副源極線224為并聯(lián)設置，因此同一源極線220 n~主源極線222與副源極線224 q陡到的電壓信號將會完全相同。此外亦可將各源極線220[掃左至右標示為S 1、S2…S3，其中各主源極線222)<可標示為Sla、S2a、S3a；而各副源極線224，．0可標示為Slb、S2b、S3b等。而在第一柵極線212、第二柵極線214 t虧主源極線222及副源極線224 n~交會處分別設置有一薄膜晶體管(Gl，Sla，)、(G2，Slb)…(G5，S3a)…(G6，S3b)，而該些薄膜晶體管分別設置于一畫素單元之內(nèi)。由圖5可n知，各薄膜晶體管(Gl，Sla，)、(G2，Sib). . . (G5，S3a). . . (G6，S3b)亦呈一陣列排列于基板 202 上。如前所述，由于薄膜晶體管(G1,Sla)、(G2，Slb). . · (G5，S3a) · · · (G6，S3b)呈一 陣列排列于基板202上，故以下以直行橫列的定義加以說明本較佳實施例所提供的薄膜晶 體管陣列基板200的實施形式。如圖5所示，本較佳實施例所提供的薄膜晶體管陣列基板 200 可視為包含奇數(shù)行薄膜晶體管(Gl，Sla)、(G4，Sla)、(G5，Sla). . · (Gl，S3a)、(G4，S3a)、 (G5，S3a)與多個偶數(shù)行薄膜晶體管(G2，Sib)、(G3，Sib)、(G6，Sib). . . (G2，S3b), (G3， S3b)、(G6，S3b)0奇數(shù)行薄膜晶體管設置于同一源極線220的主源極線222與副源極線 224之間；而偶數(shù)行薄膜晶體管則設置于相鄰源極線220的副源極線224與主源極線222 之間。值得注意的是，在本較佳實施例中，各奇數(shù)行薄膜晶體管(Gl，Sla)、(G4，Sla)、(G5， Sla).. . (Gl, S3a)、(G4，S3a)、(G5，S3a)分別電性連接至一主源極線222 ；而各偶數(shù)行薄膜 晶體管(G2，Slb)、(G3，Slb)、(G6，Slb) · · · (G2，S3b)、(G3，S3b)、(G6，S3b)則分別電性連接 至一副源極線224。由于本較佳實施例采取二點反轉(zhuǎn)驅(qū)動方式，因此在同一列的薄膜晶體管 與畫素單元中，與同一源極線220，即與一主源極線222以及副源極線224電性連接的薄膜 晶體管(Gl，Sla)與(G2，Slb)同樣具有正極性；而同一列中相鄰源極線220的薄膜晶體管 則具有相反的極性，如源極線S 1的薄膜晶體管(Gl，Sla)與(G2，Slb)為正極性、而源極線 S 2的薄膜晶體管(Gl，S2a)與(G2，S2b)則為負極性。而在共享同一源極線220的下一列 中，各薄膜晶體管的極性則與上一列相反，舉例來說，與源極線Sl (包含主源極線Sla與副 源極線Slb)電性連接的薄膜晶體管(Gl，Sla)與(G2，Slb)具有正極性；其下一列與源極 線Sl電性連接的薄膜晶體管(G4，Sla)與(G3，Slb)則具有負極性。由于本較佳實施例所提供的薄膜晶體管陣列基板200上的薄膜晶體管與畫素單 元呈陣列排列，因此本較佳實施例亦可視為包含多個奇數(shù)列薄膜晶體管(Gl，Sla)、(G2， Slb). . · (G5，S3a)、(G6，S3b)與多個偶數(shù)列薄膜晶體管(G4，Sla)、(G3，Slb). . · (G4，S3a)、 (G3，S3b)0值得注意的是，在本較佳實施例中，各奇數(shù)列薄膜晶體管由左至右分別依序電 性連接至第一柵極線212與第二柵極線214 ；而各偶數(shù)列薄膜晶體管則與奇數(shù)列薄膜晶體 管相反，由左至右分別依序電性連接至第二柵極線214與第一柵極線212。另外，若以與任一源極線Sn(包含主源極線Sna與副源極線Snb)上連續(xù)的四條 柵極線G4m+1、柵極線G4m+2、柵極線4m+3與柵極線G4m+4電性連接的四個薄膜晶體管為 一驅(qū)動單元，則此驅(qū)動單元中四個薄膜晶體管設置于一「田」字型的四個區(qū)域內(nèi)，其中m為 大于等于0的整數(shù)，η為大于1的整數(shù)。薄膜晶體管(G4m+1，Sna)與薄膜晶體管(G4m+2， Snb)設置于柵極線G4m+1與柵極線G4m+2之間，且分別電性連接至柵極線G4m+1與柵極線 G4m+2 ；而薄膜晶體管(G4m+4，Sna)與薄膜晶體管(G4m+3，Snb)設置于柵極線G4m+3與柵 極線G4m+4之間，且分別電性連接至柵極線G4m+4與柵極線G4m+3。而副源極線Snb設置于 (G4m+1, Sna)與薄膜晶體管(G4m+2，Snb)之間；以及薄膜晶體管(G4m+3，Sna)與薄膜晶體 管(G4m+4, Snb)之間。請參閱圖6，以下以m等于0而η等于1為例說明此一驅(qū)動單元的實施形式在同 一條源極線S 1輸入正、負電壓信號時，柵極線G1、G2、G3、G4亦依序通入電壓，使得薄膜晶 體管(Gl, Sla)、(G2，Slb)、(G3，Slb)與(G4，Sla)依序開啟并充電。由于薄膜晶體管(Gl, Sla)與(G2，Slb)共用一條源極線S 1的主源極線210與副源極線212，因此與柵極線Gl 電性連接的薄膜晶體管(Gl，Sla)充電時間早于與柵極線G2電性連接的薄膜晶體管(G2，Slb)，同理與柵極線G3電性連接的薄膜晶體管(G3，Slb)充電時間早于與柵極線G4電性 連接的薄膜晶體管(G4，Sla)。簡單地說，任一驅(qū)動單元內(nèi)的薄膜晶體管充電順序正可呈一 「倒C」字型。如前所述，由于雙柵極顯示面板200的柵極線數(shù)目增加為兩倍，因此薄膜晶體管 的充電時間減半，造成部分薄膜晶體管，如奇數(shù)列薄膜晶體管中與第一柵極線212電性連 接而先充電的薄膜晶體管因充電時間不足，而無法將液晶分子轉(zhuǎn)動至預定方向，導致光線 滲漏；奇數(shù)列薄膜晶體管中與第二柵極線214電性連接而后充電的薄膜晶體管因充電時間 充足，故可將液晶分子轉(zhuǎn)動至預定方向，阻擋光線滲漏。同理，偶數(shù)列薄膜晶體管中與第一 柵極線212電性連接的薄膜晶體管因充電時間不足，而無法將液晶分子轉(zhuǎn)動至預定方向， 導致光線滲漏；而偶數(shù)列薄膜晶體管中與第二柵極線214電性連接而后充電的薄膜晶體管 充電時間充足，因此液晶分子可轉(zhuǎn)動至預定方向，阻擋光線滲漏。據(jù)此，本較佳實施例所提 供的薄膜晶體管陣列基板200中，即使因為充電能力不同而導致相鄰同極性的薄膜晶體管 與畫素單元示出現(xiàn)不同的亮度，但可由將充電能力較不足的薄膜晶體管交錯設置，最終獲 得如圖6所示，各亮暗畫素單元系以點為單位交錯排列，而非以線為單位交錯排列的顯示 結(jié)果，故可均化掉亮暗差異、避免垂直亮暗條紋的產(chǎn)生，令使用者不易察覺。另外值得注意的是，由于本較佳實施例所提供的薄膜晶體管陣列基板200上，各 源極線220由并聯(lián)的主源極線222與副源極線2M構(gòu)成，因此在薄膜晶體管陣列基板200 上沿柵極線方向的相鄰畫素間隙形成主源極線222-副源極線224-主源極線222-副源極 線224...等間隔排列，因此對應薄膜晶體管陣列基板200的彩色濾光陣列基板中用以防止 光源滲漏的黑色矩陣(圖未示)在設計上，在對應有主源極線222與副源極線224之處皆 有相同的幅寬，可更避免視覺上產(chǎn)生垂直亮暗條紋。最后請參閱圖5與圖7，其中圖7為本較佳實施例所提供的薄膜晶體管陣列基板 200上一薄膜晶體管區(qū)的示意圖。如前所述，由于本較佳實施例的各源極線220由并聯(lián)的主 源極線222與副源極線2M構(gòu)成，因此具有相同極性的二個薄膜晶體管如圖5所示分別電 性連接主源極線222與副源極線224，且可設置于主源極線222與副源極線224的同一側(cè)， 如圖5所示設置于主源極線222與副源極線2M的右側(cè)，當然亦不限于設置于主源極線222 與副源極線2M的左側(cè)，而非設置于同一源極線的左右兩側(cè)。因此，即使在制程當中發(fā)生層 間對位偏移的現(xiàn)象，偏移現(xiàn)象對各薄膜晶體管320的柵極322與漏極324的重疊面積的影 響是完全相同的，因此各薄膜晶體管320的Cgd維持相同。故本較佳實施例所提供的薄膜晶 體管陣列基板200可如圖7所示省略Cgd補償設計，更降低制程復雜度及節(jié)省成本。綜上所述，根據(jù)本實用新型所提供的薄膜晶體管陣列基板，該些源極線分別由一 并聯(lián)設置的主源極線與副源極線所構(gòu)成，另外通過改變同一源極線上的薄膜晶體管的充電 順序，更改變了因充電能力不同而產(chǎn)生的亮暗畫素單元的配置，故可均化亮暗差異，避免顯 示面板產(chǎn)生垂直亮暗條紋、提升顯示品質(zhì)。此外對應薄膜晶體管陣列基板的彩色濾光陣列 基板中用以防止光源滲漏的黑色矩陣在設計上，在對應有主源極線與副源極線之處皆有相 同的幅寬，更可避免在視覺上產(chǎn)生垂直亮暗條紋。最后，由于副源極線的設置，各薄膜晶體 管可設置于主源極線與副源極線的同一側(cè)，因此即使制程中發(fā)生偏移現(xiàn)象，其影響對各薄 膜晶體管對Cgd仍為相同，故本實用新型提供的薄膜晶體管陣列基板可更省略Cgd補償設計。 簡單地說，根據(jù)本實用新型所提供的薄膜晶體管陣列基板，為一種不增加制程復雜度與制程成本，并可順利解決垂直亮暗條紋問題，并維持各薄膜晶體管Cgd相同的雙柵極薄膜晶體 管陣列基板。 以上所述僅為本實用新型的較佳實施例，凡依本實用新型權利要求范圍所作的均 等變化與修飾，皆應屬本實用新型的涵蓋范圍。
權利要求1.一種薄膜晶體管陣列基板，其特征在于包含有一基板，包含多個畫素單元，呈一陣列排列；多條第一柵極線與多條第二柵極線，且該些第一柵極線與該第二柵極線交替重復排列 于該基板上；多條源極線，設置于所述基板并垂直所述第一柵極線與所述第二柵極線，各源極線分 別包含一主源極線與一副源極線，且各該源極線的該主源極線與該副源極線并聯(lián)設置；以及多個薄膜晶體管，分別設置 于所述畫素單元內(nèi)。
2.如權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于所述薄膜晶體管呈一陣列 排列。
3.如權利要求2所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于所述薄膜晶體管包含多個 奇數(shù)行薄膜晶體管與多個偶數(shù)行薄膜晶體管。
4.如權利要求3所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于所述奇數(shù)行薄膜晶體管設 置于同一源極線的所述主源極線與副源極線之間，而所述偶數(shù)行薄膜晶體管則設置于相鄰 源極線的所述副源極線與所述主源極線之間。
5.如權利要求3所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于所述奇數(shù)行薄膜晶體管分 別電性連接至一源極線的所述主源極線，所述偶數(shù)行薄膜晶體管分別電性連接至所述源極 線的副源極線。
6.如權利要求2所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于所述薄膜晶體管包含多個 奇數(shù)列薄膜晶體管與多個偶數(shù)列薄膜晶體管。
7.如權利要求6所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于所述奇數(shù)列薄膜晶體管分 別依序電性連接至所述第一柵極線與第二柵極線，所述偶數(shù)列薄膜晶體管分別依序電性連 接至所述第二柵極線與第一柵極線。
8.一種薄膜晶體管陣列基板，其特征在于包含有一基板，包含多個驅(qū)動單元，呈一陣列排列，其中所述驅(qū)動單元分別包含有一第一柵極線、一第二柵極線、一第三柵極線、與一第四柵極線，互相平行設置于所述 基板上；一源極線，設置于所述基板并垂直所述第一柵極線、第二柵極線、第三柵極線與第四柵 極線，且該源極線包含一并聯(lián)且彼此平行的主源極線與一副源極線；一第一薄膜晶體管與一第二薄膜晶體管，由左至右設置于所述第一柵極線與第二柵極 線之間；以及一第三薄膜晶體管與一第四薄膜晶體管，由左至右設置于所述第三柵極線與第四柵極 線之間。
9.如權利要求8所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于所述副源極線設置于所述 第一薄膜晶體管與第二薄膜晶體管之間，以及所述第三薄膜晶體管與第四薄膜晶體管之 間。
10.如權利要求8所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于所述第一薄膜晶體管與第 二薄膜晶體管分別電性連接至所述第一柵極線與第二柵極線，而所述第三薄膜晶體管與所 述第四薄膜晶體管分別電性連接至所述第四柵極線與第三柵極線。
專利摘要本實用新型公開一種薄膜晶體管數(shù)組基板，包含有一具有多個畫素單元的基板、多條交替重復排列于該基板上的第一柵極線與多條第二柵極線、多條垂直該些第一柵極線與該些第二柵極線而設置于該基板上的源極線，且各該源極線分別包含一主源極線與一副源極線，且該主源極線與該副源極線并聯(lián)設置，該基板上的該些畫素單元呈一數(shù)組排列，且各畫素單元內(nèi)分別設置有一薄膜晶體管。
文檔編號H01L27/12GK201845154SQ20102029781
公開日2011年5月25日 申請日期2010年8月19日 優(yōu)先權日2010年8月19日
發(fā)明者何宣儀 申請人:中華映管股份有限公司, 華映視訊(吳江)有限公司