專(zhuān)利名稱(chēng)：一種新型片式二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種電子器件，具體地說(shuō)，是一種新型片式二極管。
背景技術(shù)：
由于電子整機(jī)向數(shù)字化、多功能化和小型化方向發(fā)展，分立器件將向微型化、片 式化、高性能化方向發(fā)展。分立器件片式化是整機(jī)小型化的需要，是應(yīng)用最廣泛的電子器 件，現(xiàn)在片式化水平已經(jīng)成為衡量半導(dǎo)體分立器件技術(shù)發(fā)展水平的重要標(biāo)志之一。據(jù)有 關(guān)資料測(cè)算，我國(guó)二極管的片式化率約為10%，遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于發(fā)達(dá)國(guó)家的水平。為了提高分立 器件的片式化率，國(guó)內(nèi)主要分立器件封裝測(cè)試廠都在大力增加片式器件生產(chǎn)能力?，F(xiàn)今市 場(chǎng)上的S0D-123僅能封裝0. 5A及以下的芯片，由于整流二極管芯粒表面鍍層為鎳，低成 本的硅鋁絲無(wú)法打絲，如采用金絲，成本較高。隨著表面貼裝技術(shù)(SMT-Surface Mounted Technologe)的快速發(fā)展和大面積普及，半導(dǎo)體器件的小型化、大功率化和低成本化已成為 一種市場(chǎng)趨勢(shì)。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型提供一種新型片式二極管，該二極管尺寸小、功率大、生產(chǎn)成本低。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案為一種新型片式二極管，包括電極、框架、內(nèi)接絲、電極、支架、芯片；電極呈“Z”字形 固定在支架的上面，電極呈倒“Z”字形固定在支架的上面且與電極相對(duì)稱(chēng)；芯片的下表面 與電極的內(nèi)端上表面形成緊密電連接，內(nèi)接絲的一端與芯片的上表面形成緊密電連接，另 一端與電極的內(nèi)端上表面形成緊密電連接；框架罩于支架5上并將電極的內(nèi)端、內(nèi)接絲、電 極的內(nèi)端、芯片與外界絕緣，所述芯片的上表面是金屬鍍層，所述金屬鍍層與內(nèi)接絲焊接。所述金屬鍍層是鍍鋁層；所述鍍鋁層的厚度范圍是0. 05mm 0. 10mm。所述內(nèi)接絲采用硅鋁絲。所述芯片采用玻璃鈍化芯粒；所述玻璃鈍化芯粒的封裝功率是1000MW。本實(shí)用新型的有益效果1、因采用了功率較大的GPP(Glass Passivated Pellet)玻璃鈍化芯粒，并運(yùn)用共 晶裝片工藝，在芯片進(jìn)行裝片時(shí)不用任何介質(zhì)，就可以把芯片裝在條帶上。采用先進(jìn)的壓鋁 絲焊接技術(shù)，解決了小尺寸封裝的功率最大化問(wèn)題，大大降低了生產(chǎn)成本，提高了產(chǎn)品可靠 性，可廣泛被用于移動(dòng)電話、智能電話、數(shù)碼相機(jī)等各種追求小型化、薄型化設(shè)計(jì)的電子產(chǎn) 品，使該類(lèi)電子產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)更低的功耗、更長(zhǎng)的電池使用時(shí)間、更小的產(chǎn)品體積。2、二極管管芯金屬電鍍層采用鋁層，成功地解決了焊接工藝，內(nèi)接絲使用低成本 的硅鋁絲。在解決焊接的關(guān)鍵工藝的基礎(chǔ)上，將大功率芯粒直接連接在支架上，可以利用原 有二極管的生產(chǎn)流水線進(jìn)行高效率低成本地批量化生產(chǎn)。3、在生產(chǎn)過(guò)程中，不產(chǎn)生“三廢”，不會(huì)對(duì)環(huán)境造成影響。既符合歐盟所提出的有害 物質(zhì)使用限制的ROHS (Restriction of Hazardous Substances)規(guī)范，又提高了器件承受更大正向浪涌的能力。
圖1、為本實(shí)用新型的立體結(jié)構(gòu)透視示意圖。其中電極1、框架2、內(nèi)接絲3、電極4、 支架5、芯片6。圖2、為芯片的放大結(jié)構(gòu)示意圖。其中金屬鍍層6-1。圖3、為本實(shí)用新型的主視圖。圖4、為本實(shí)用新型的俯視圖。
具體實(shí)施方式
下面給合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說(shuō)明。參見(jiàn)附圖1、圖2，本實(shí)用新型以S0D123(1A)新型片式二極管為實(shí)施例。該二極管包括電極1、框架2、內(nèi)接絲3、電極4、支架5、芯片6 ；電極1呈“Z”字形 固定在支架5的上面，電極4呈倒“Z”字形固定在支架5的上面且與電極1相對(duì)稱(chēng)，芯片6 的下表面與電極1的內(nèi)端上表面形成緊密電連接，內(nèi)接絲3的一端與芯片6的上表面形成 緊密電連接，另一端與電極4的內(nèi)端上表面形成緊密電連接，框架2罩于支架5上并將電極 1的內(nèi)端、內(nèi)接絲3、電極4的內(nèi)端、芯片6與外界絕緣。芯片6的上表面是金屬鍍層6-1，為鍍鋁層，本實(shí)施例鍍鋁層的厚度是0. 08mm,該 金屬鍍層6-1與內(nèi)接絲3焊接，內(nèi)接絲3采用硅鋁絲。芯片6采用封裝功率為1000MW的玻璃鈍化芯粒。參見(jiàn)附圖3、圖4，S0D123(1A)新型片式二極管的長(zhǎng)L是2. 84mm、寬W是1. 8mm、高 H是1. 35mm，采用超小型、超薄型封裝。本實(shí)用新型新型片式二極管的制造過(guò)程包括共晶裝片、球焊、模壓、后固化、去膠 皮、切筋、電鍍、揀外觀以及印字包裝、檢驗(yàn)、入庫(kù)等過(guò)程；其中球焊的目的將電極引到LED 芯片上，完成產(chǎn)品內(nèi)外引線的連接工作。
權(quán)利要求一種新型片式二極管，包括電極(1)、框架(2)、內(nèi)接絲(3)、電極(4)、支架(5)、芯片(6)；電極(1)呈“Z”字形固定在支架(5)的上面，電極(4)呈倒“Z”字形固定在支架(5)的上面且與電極(1)相對(duì)稱(chēng)；芯片(6)的下表面與電極(1)的內(nèi)端上表面形成緊密電連接，內(nèi)接絲(3)的一端與芯片(6)的上表面形成緊密電連接，另一端與電極(4)的內(nèi)端上表面形成緊密電連接；框架(2)罩于支架5上并將電極(1)的內(nèi)端、內(nèi)接絲(3)、電極(4)的內(nèi)端、芯片(6)與外界絕緣，其特征在于，所述芯片(6)的上表面是金屬鍍層(6 1)，所述金屬鍍層(6 1)與內(nèi)接絲(3)焊接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型片式二極管，其特征在于，所述金屬鍍層(6-1)是鍍鋁層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的新型片式二極管，其特征在于，所述鍍鋁層的厚度范圍是 0. 05mm 0. IOmm0
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型片式二極管，其特征在于，所述內(nèi)接絲(3)采用硅鋁絲。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型片式二極管，其特征在于，所述芯片(6)采用玻璃鈍化芯粒。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的新型片式二極管，其特征在于，所述玻璃鈍化芯粒的封裝功 率是 1000MW。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型提供一種新型片式二極管，包括電極、框架、內(nèi)接絲、電極、支架、芯片；電極呈“Z”字形固定在支架的上面，電極呈倒“Z”字形固定在支架的上面且與電極相對(duì)稱(chēng)；芯片的下表面與電極的內(nèi)端上表面形成緊密電連接，內(nèi)接絲的一端與芯片的上表面形成緊密電連接，另一端與電極的內(nèi)端上表面形成緊密電連接；框架罩于支架5上并將電極的內(nèi)端、內(nèi)接絲、電極的內(nèi)端、芯片與外界絕緣，所述芯片的上表面是金屬鍍層，所述金屬鍍層與內(nèi)接絲焊接。本實(shí)用新型尺寸小、功率大、生產(chǎn)成本低、安全環(huán)保。
文檔編號(hào)H01L23/482GK201708144SQ20102015829
公開(kāi)日2011年1月12日 申請(qǐng)日期2010年4月14日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月14日
發(fā)明者何永成 申請(qǐng)人:常州星海電子有限公司