專利名稱：用反極性離子注入隔離襯底的集成功率管的led驅(qū)動芯片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明用于LED照明驅(qū)動IC設(shè)計，提出了一種采用反極性離子注入，將控制電路和輸出功率管的襯底部分隔離開來的解決方案。
背景技術(shù)：
隨著LED照明驅(qū)動電路小型化和高集成度的要求，開始有趨勢將輸出功率管集成到芯片內(nèi)部區(qū)。在常見的電路構(gòu)架中，在輸出管的射極上串接參考電阻，用來測流(將輸出電流轉(zhuǎn)化為對地電壓)反饋給控制部分。然而，制作在高壓工藝上的功率管，其射極往往是直接接地(與井相連)的。這嚴(yán)重危害測流電阻的功能和精確性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明采用離子注入，將控制電路和輸出功率管的襯底部分隔離開來。其基本原理是在控制電路和輸出管之間，建立一個隔離區(qū)；在這個隔離區(qū)進(jìn)行與原襯井陽極相反離子注入，并使其形成的井深度顯著深于后者；并用更濃的注入接觸此井，且在工作時予以反向偏置。這樣在兩個襯井之間，就基本實(shí)現(xiàn)了隔離，反剩下深于隔離井部分的原始硅片的漏電，而此電阻通常較大。通過選擇適當(dāng)?shù)母綦x區(qū)寬度，不難達(dá)到遠(yuǎn)大于測流電阻值的目的。


圖1是驅(qū)動電路架構(gòu)，其中A是反向二極管 B是發(fā)光管陣列C是輸出功率管 D是測流電阻E是控制電路圖2是本發(fā)明的版圖架構(gòu)示意圖，其中X是控制電路區(qū)域Y是輸出功率管電路圖Z是隔離區(qū)圖3是對應(yīng)的硅片內(nèi)剖面圖
具體實(shí)施例方式本發(fā)明之電路在基本實(shí)現(xiàn)中，所需要形成的隔離井可以用復(fù)雜工藝中滿足深度和濃度要求的注入復(fù)用。為避免浪費(fèi)芯片面積，可在隔離區(qū)放置焊盤或電容。
權(quán)利要求
1.一種LED照明驅(qū)動電路的設(shè)計，采用離子注入，將控制電路和輸出功率管的襯底部分隔離開來。
2.一種符合專利要求1的電路設(shè)計，其特征在于，其基本原理是在控制電路和輸出管之間，建立一個隔離區(qū)；在這個隔離區(qū)進(jìn)行與原襯井陽極相反離子注入，并使其形成的井深度顯著深于后者；并用更濃的注入接觸此井，且在工作時予以反向偏置；這樣兩個襯井之間，就基本實(shí)現(xiàn)了隔離，反剩下深于隔離井部分的原始硅片的漏電，而此電阻通常較大。
3.一種符合專利要求1的電路設(shè)計，其特征在于，在基本實(shí)現(xiàn)中，所需要形成的隔離井可以用復(fù)雜工藝中滿足深度和濃度要求的注入復(fù)用。
4.一種符合專利要求1的電路設(shè)計，其特征在于，在應(yīng)用中為避免浪費(fèi)芯片面積，可在隔離區(qū)放置焊盤或電容。
全文摘要
本發(fā)明用于LED照明驅(qū)動IC設(shè)計，提出了一種用反極性離子注入隔離襯底的集成功率管的LED驅(qū)動芯片。
文檔編號H01L21/761GK102569157SQ20101060117
公開日2012年7月11日 申請日期2010年12月20日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月20日
發(fā)明者李煜文 申請人:上海摩晶電子科技有限公司