專(zhuān)利名稱：功率管保護(hù)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種功率管保護(hù)電路，特別是一種對(duì)功率管進(jìn)行過(guò)電 流保護(hù)的電路。
技術(shù)背景現(xiàn)有的功率管(即IGBT)為了提髙抗干擾性能， 一般都在其外圍設(shè) 置浪涌保護(hù)電路，其原理是在功率管的回路上加設(shè)浪涌保護(hù)元件，這種保 護(hù)電路的缺點(diǎn)是浪涌保護(hù)元件的反應(yīng)速度慢、可靠性低，從而可能導(dǎo)致功 率管出現(xiàn)間歇、停止工作或燒壞功率管(甚至可能燒壞其它元件)的問(wèn)題。發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是為了解決現(xiàn)有功率管電路中存在的可靠性低的 問(wèn)題，而提供一種高可能性的功率管保護(hù)電路。本實(shí)用新型的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的 一種功率管保護(hù)電路，包括功率管 和電壓取樣電路，其特征在于所述功率管的控制信號(hào)輸入端并聯(lián)有可控 硅，所述功率管的發(fā)射極回路或集電極回路設(shè)有電壓取樣電路，電壓取樣 電路的輸出端接所述可控硅的門(mén)極。所述功率管保護(hù)電路，其特征在于所 述電壓取樣電路可以是電阻也可以是電壓互感電路。使用時(shí)，因?yàn)樵诠β使艿陌l(fā)射極電流回路或集電極電流回路中串入了 電壓取樣電路，電路正常時(shí)，取樣電路上的電壓較低而不會(huì)觸發(fā)可控硅， 功率管與平時(shí)一樣正常使用，一旦電路上出現(xiàn)不正常的電壓或電流沖擊一 一例如發(fā)生浪涌等，則在電壓取樣電路上的電壓大于可控硅門(mén)極的觸發(fā)電 壓，可控硅被觸發(fā)導(dǎo)通，利用可控硅兩端的電壓對(duì)功率管的柵極電壓進(jìn)行快速箝位，功率管快速退出導(dǎo)通狀態(tài)，確保功率管安全；而一旦功率管的
柵極控制電路對(duì)功率管的柵極輸入低電平，可控硅退出導(dǎo)通狀態(tài)，從而使 保護(hù)電路退出過(guò)流保護(hù)狀態(tài)。由于釆用了本實(shí)用新型所述的技術(shù)方案，可控硅可以在極短的時(shí)間內(nèi) 對(duì)功率管實(shí)施保護(hù)，可靠性髙，而且一旦干擾信號(hào)消失則功率管可以馬上 恢復(fù)正常工作狀態(tài)，提髙了功率管的壽命和安全。


以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說(shuō)明。 附圖所示是本實(shí)用新型所述功率管保護(hù)電路的一個(gè)實(shí)施例的原理圖。圖中R表示電阻、后邊的數(shù)字是編號(hào)，C表示電容、后邊的數(shù)字是編 號(hào)，Q表示三極管、后邊的數(shù)字是編號(hào)，集成電路IC是一個(gè)比較器、其 型號(hào)是LM339， GND、地。
具體實(shí)施方式
見(jiàn)附圖所示，是一種可以應(yīng)用于電磁爐上的電路，其中功率管保護(hù)電 路包括功率管IGBT和取樣電阻RO以及可控硅SCR，取樣電阻RO其中一 端接功率管IGBT的發(fā)射極，取樣電阻RO的另一端和功率管IGBT的柵極 分別接可控硅SCR的兩端，可控硅SCR的門(mén)極接功率管IGBT的發(fā)射極。 取樣電阻R0即為取樣電路，而功率管IGBT的控制信號(hào)加在功率管IGBT 的柵極與地G膨之間，所以，圖中可控硅SCR的兩端分別接功率管IGBT 的柵極和地GND，圖中功率管IGBT的控制電路為電阻RS和R9以左部分 的電路，其控制信號(hào)經(jīng)R9兩端輸出而加在功率管IGBT的柵極與地GND 之間，也即功率管IGBT的控制信號(hào)輸入端為電阻R9兩端，可控硅SCR 兩端是與電阻R9并聯(lián)的。使用時(shí)，如果電路正常，則取樣電阻RO上的電壓降較低而不會(huì)觸發(fā)可控硅SCR, —旦電路上出現(xiàn)不正常的電壓或電流沖擊一一例如發(fā)生浪涌 等，則功率管IGBT上的電流增大，在取樣電阻RO上的電壓降大于可控硅 SCR門(mén)極的觸發(fā)電壓，可控硅被觸發(fā)導(dǎo)通，功率管上的柵極電壓被可控硅
兩端的電壓箝位，功率管快速退出導(dǎo)通狀態(tài)，同時(shí)在功率管的控制電路(附圖中R8、 R9及其左側(cè)的電路)對(duì)功率管柵極輸入低電平之前保持可控硅 在導(dǎo)通狀態(tài)，確保功率管安全；而一旦功率管的柵極控制電路對(duì)功率管的 柵極輸入低電平，可控硅退出導(dǎo)通狀態(tài)，從而使保護(hù)電路退出過(guò)流保護(hù)狀態(tài)。實(shí)際上，可控硅SCR的正極也可以接在點(diǎn)A處一一即比較器的輸出端 和電阻R6、 R7的公共端，使可控硅兩端接在點(diǎn)A與地GND之間。
權(quán)利要求1、一種功率管保護(hù)電路，包括功率管和電壓取樣電路，其特征在于所述功率管的控制信號(hào)輸入端并聯(lián)有可控硅，所述功率管的發(fā)射極回路或集電極回路設(shè)有電壓取樣電路，電壓取樣電路的輸出端接所述可控硅的門(mén)極。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述功率管保護(hù)電路，其特征在于所述電壓取樣電路是電阻。
3、 根據(jù)權(quán)利要求l所述功率管保護(hù)電路，其特征在于所述電壓取樣電路是電壓互感電路。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型涉及一種高可靠的功率管保護(hù)電路，包括功率管和電壓取樣電路，它主要是在功率管的發(fā)射極或集電極電流回路上設(shè)置電壓取樣電路對(duì)功率管的主電流進(jìn)行監(jiān)控，將取樣電路上的電壓降輸送到可控硅的控制極通過(guò)控制可控硅的導(dǎo)通或截止而實(shí)現(xiàn)對(duì)功率管柵極電壓的箍位，從而防止功率管電流過(guò)大而燒壞；其電壓取樣電路可以是電阻或電壓互感器等。
文檔編號(hào)H02H7/20GK201048284SQ200720051780
公開(kāi)日2008年4月16日 申請(qǐng)日期2007年5月22日 優(yōu)先權(quán)日2007年5月22日
發(fā)明者黃新方 申請(qǐng)人:黃新方