專利名稱：倒角基板布線方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總體涉及一種用于應(yīng)用于電子學(xué)、光學(xué)或者光電子學(xué)領(lǐng)域中的基板的制造。
背景技術(shù)：
在所應(yīng)用的各種制造方法中，會(huì)提及使用結(jié)合步驟和層轉(zhuǎn)移步驟的方法。下面描 述這種方法的一個(gè)例子。根據(jù)這種方法，對(duì)任選地覆蓋有對(duì)其進(jìn)行包封的絕緣體層的第一所謂“供體基板 (donor substrate) ”進(jìn)行原子和/或離子種類植入，而在該供體基板中產(chǎn)生弱化區(qū)。所述 基板隨后通過分子粘附結(jié)合到第二所謂“操作”基板，然后所述供體基板沿著該弱化區(qū)分成 兩部分，以使期望厚度的供體基板材料以及任選地絕緣體層(如果存在的話)轉(zhuǎn)移到操作 基板上。在此轉(zhuǎn)移之后，所述供體基板成為所謂的“負(fù)”殘余板，而該操作基板成為所謂的
“正”多層基板。這種層轉(zhuǎn)移方法能夠制造尤其是公知的縮寫為“S0I”的基板，“S0I”代表“硅絕緣 體”，并且能以具有競(jìng)爭(zhēng)力的成本來進(jìn)行制造，不過要所述供體基板能被再循環(huán)。附圖1以截面圖示意性示出了第一層轉(zhuǎn)移后獲取的負(fù)板的示例的一部分(這里為 右側(cè))的形狀。所述負(fù)板需要再循環(huán)以形成能夠在上述制造方法中使用的新供體基板。附圖1示出了整體以標(biāo)號(hào)1表示的負(fù)板，所述負(fù)板包括供體基板10，供體基板10 具有所謂的“正”面101 (因?yàn)槠錇榕c操作基板相接觸的面)和相反的“背”面102。供體基板10在其正面與背面上的環(huán)形外周區(qū)被倒角。最初，供體基板10被絕緣 體層2完全覆蓋，但在將在正面101與弱化區(qū)103之間延伸進(jìn)入到所述基板的未倒角區(qū)的 材料層分離以后，會(huì)發(fā)現(xiàn)負(fù)板包括未轉(zhuǎn)移圓環(huán)104。該未轉(zhuǎn)移環(huán)104在分離邊界105與基板的外邊緣之間延伸，即靠近植入的倒角區(qū)。 該未轉(zhuǎn)移環(huán)104包括一部分絕緣體加以及一部分硅106。例如未轉(zhuǎn)移環(huán)104的厚度可達(dá)到 幾百納米，并且寬度約為1至3毫米。未轉(zhuǎn)移環(huán)104的存在與供體基板的倒角部分未與操 作基板充分粘附并因此未被轉(zhuǎn)移有關(guān)。根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)執(zhí)行的再循環(huán)包括-除去全部的絕緣體層2，也就是除去背面和邊緣上存在的絕緣體加；-除去剩余的硅環(huán)106以消除臺(tái)階形輪廓；-在基板的整個(gè)正面?zhèn)壬弦瞥辽倥c通過植入損壞的厚度相當(dāng)?shù)暮穸鹊墓瑁?將所述負(fù)板的正面磨光，以便恢復(fù)稱為“鏡面拋光”的表面狀態(tài)，例如執(zhí)行本領(lǐng)域 普通技術(shù)人員公知的縮寫為“CMP”的化學(xué)機(jī)械拋光。該再循環(huán)例如可以根據(jù)文獻(xiàn)EP 1 156 531中描述的方法實(shí)施，該方法包括執(zhí)行 例如通過在酸浴中蝕刻對(duì)負(fù)板進(jìn)行去氧的步驟、磨削晶片最邊緣的步驟以及最后的磨光植 入表面的步驟。
在實(shí)踐中，人們發(fā)現(xiàn)僅移除基板正面上的材料的設(shè)備不能移除規(guī)則厚度。為此，優(yōu) 選地使用對(duì)負(fù)板進(jìn)行雙面拋光的設(shè)備，該設(shè)備導(dǎo)致在供體基板的每個(gè)面上均移除接近5 μ m 的材料。上述再循環(huán)方法具有許多缺陷，具體地說即-由于存在至少兩個(gè)，甚至三個(gè)拋光步驟因此需要昂貴且龐大的設(shè)備，該設(shè)備維護(hù) 困難，并由于消耗品例如拋光泥漿和拋光墊的高消耗，產(chǎn)生高成本。-方法復(fù)雜。-每次執(zhí)行再循環(huán)時(shí)以約10μ m的較大程度移除材料，這迅速導(dǎo)致獲取的基板太 薄因此太易碎，尤其是在幾個(gè)再循環(huán)周期以后。這種基板因此不再符合SEMI規(guī)格，因此不 能再次使用，尤其是作為操作基板使用。-最后，另一個(gè)缺點(diǎn)在于植入但未結(jié)合的圓環(huán)在進(jìn)行退火處理以分離來自供體基 板的層期間至少局部變差。這造成冒泡現(xiàn)象，冒泡現(xiàn)象產(chǎn)生很多顆粒，這些顆粒不但會(huì)污 染正板也會(huì)污染隨后用于這些晶片的各種處理的設(shè)備，尤其是用于在分離后進(jìn)行清洗的設(shè) 備。文獻(xiàn)WO 2005/038903描述了通過組裝兩個(gè)倒角晶片來進(jìn)行活性層轉(zhuǎn)移。為防止 未結(jié)合晶片邊緣以失控方式破裂并造成其它表面存在顆粒，建議除去活性層的邊緣區(qū)。因 為該步驟非常復(fù)雜，文件WO 2005/038903建議在將這兩個(gè)晶片結(jié)合在一起之前沿其中一 個(gè)晶片中的外周部進(jìn)行布線。附圖2以截面圖非常示意地示出了 SOI型供體基板的一部分在如文獻(xiàn) W02005/038903中所述在結(jié)合之前經(jīng)過布線處理之后理論上應(yīng)具有的形狀。與圖1中相同的元件具有相同的附圖標(biāo)號(hào)。可以看出，去除了在正面上延伸的外周環(huán)形區(qū)中的絕緣體層2以及供體基板10的 材料層的一部分，去除的寬度至少相當(dāng)于倒角區(qū)的寬度，去除的厚度至少等于植入?yún)^(qū)的深 度。由弱化區(qū)界定的活性層具有附圖標(biāo)號(hào)107。例如，通過蝕刻進(jìn)行去除。然而，上述文獻(xiàn)WO 2005/038903中提出的用于執(zhí)行布線的方案不能能獲取這樣 陡峭的側(cè)緣，也就是如在圖2中所示的垂直于正面的側(cè)緣。具體地說，申請(qǐng)人利用由借助等離子相繼蝕刻氧化硅層然后蝕刻硅層構(gòu)成的方案 進(jìn)行測(cè)試，表明所獲取的布線具有如附圖3A中所示的淺坡。其中，在蝕刻硅的步驟期間氧 化硅繼續(xù)被蝕刻。此外，如在圖IBB中可見，獲取的負(fù)板保持包括氧化層和植入硅層的未轉(zhuǎn)移環(huán)，這 極大的削弱了用于以后再循環(huán)負(fù)板的布線方法所期望的優(yōu)點(diǎn)。最后，文獻(xiàn)WO 2005/038903中提出的布線方案包括-通過淀積保護(hù)層(例如氧化物)來保護(hù)處理過的正基板，然后通過石印術(shù)移除基 板的外周圓環(huán)；-通過蝕刻所述正基板的非保護(hù)層進(jìn)行布線；-隨后移除所述保護(hù)掩模。然而，使用形成保護(hù)掩模的附加步驟增加了成本，并且最重要的是成為污染源。而 且，優(yōu)選的是避免在結(jié)合之前引入雜質(zhì)，因?yàn)槟康氖菧p少所獲得的基板的缺陷。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于解決現(xiàn)有技術(shù)的上述缺點(diǎn)。具體地說，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種布線倒角基板的方法，所述基板設(shè)有弱 化區(qū)，所述弱化區(qū)使得可獲得尖銳的布線邊緣，即垂直于或幾乎垂直于所述基板的平坦的 正面，并且這樣做而不增加所述基板的次品率。本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供這樣一種方法，該方法不增加制造成本并且能夠被輕 易結(jié)合到微電子領(lǐng)域目前使用的生產(chǎn)線中。最后，所述布線方法也可用于層轉(zhuǎn)移方法中。為此，本發(fā)明提供一種倒角基板布線方法。根據(jù)本發(fā)明，該方法包括以下步驟，這些步驟包括-借助于等離子體在所述基板的外周環(huán)形區(qū)上淀積一層保護(hù)材料；-借助于等離子體部分地蝕刻所述保護(hù)材料，以便在待布線的所述基板的正面上 保留保護(hù)材料環(huán)，該環(huán)距所述基板的邊緣一定距離延伸，并由此界定所述基板的縮小的外 周環(huán)形區(qū)，等離子體可到達(dá)該縮小的外周環(huán)形區(qū)；-產(chǎn)生部分蝕刻等離子體，該部分蝕刻等離子體被局限在可到達(dá)的所述縮小的外 周環(huán)形區(qū)上，以便對(duì)該區(qū)中存在的材料蝕刻一定厚度；-借助于等離子體移除所述保護(hù)材料環(huán)。根據(jù)本發(fā)明其他有利的非限定性特征，單獨(dú)地或組合地-該方法的各個(gè)步驟在用于形成各向同性的等離子體的腔體中進(jìn)行；-所述方法包括以下步驟，這些步驟包括·將待布線的所述基板引入到用于形成各向同性的等離子體的腔體中，所述腔體 配備有盤式上絕緣元件以及兩個(gè)電極，所述兩個(gè)電極中的一個(gè)電極稱為“下電極”，所述下 電極被圓形輪廓的下絕緣元件圍繞，所述基板布置在所述腔體中，使得所述基板的背面與 所述下電極接觸且與所述下絕緣元件接觸，以便限定所述等離子體不能到達(dá)的背面隔離 區(qū)，并且所述上絕緣體定位在距所述基板的正面一定距離處，以便限定所述等離子體同樣 不能到達(dá)的正面隔離區(qū)，這兩個(gè)絕緣元件即所述上絕緣元件與所述下絕緣元件的外徑小于 待布線的所述基板的直徑，所述基板的其余部分構(gòu)成所述外周環(huán)形區(qū)； 借助于在所述腔體中形成的等離子體在所述外周環(huán)形區(qū)上淀積保護(hù)材料形成的 所述層；·使所述上絕緣體朝所述基板的所述正面移動(dòng)并對(duì)所述保護(hù)材料執(zhí)行所述部分蝕 刻；·在使所述上絕緣體保持處于其位置的同時(shí)，對(duì)構(gòu)成待布線的所述基板的材料蝕
刻一定厚度；·將所述上絕緣體從所述基板的所述正面移開并移除所述保護(hù)材料環(huán)；-所述保護(hù)材料是聚合物；-所述保護(hù)材料是通過基于C2H4的等離子體獲得的聚乙烯；-用于蝕刻所述保護(hù)材料或用于移除該保護(hù)材料的等離子體是氧基等離子體；-待布線的所述基板由硅制成，并且所述蝕刻等離子體基于SF6與氬氣形成的混合物；-使待布線的所述基板覆蓋有氧化硅層，并且所述蝕刻等離子體基于CHF3與氮?dú)?形成的混合物；-待布線的所述基板由覆蓋有氧化硅層的硅制成，并且相繼執(zhí)行蝕刻所述氧化硅 層以及蝕刻硅層的一定厚度；-待布線的所述基板包括弱化區(qū)，所述弱化區(qū)在與該基板的正面平行或基本平行 的平面中延伸，并且對(duì)所述保護(hù)材料執(zhí)行所述部分蝕刻，使得通過這種方式形成的所述保 護(hù)材料環(huán)的外徑小于或者等于所述正面的未倒角平面區(qū)的外徑，通過這種方式對(duì)構(gòu)成待布 線的所述基板的材料蝕刻至少與整個(gè)所述倒角區(qū)的寬度相對(duì)應(yīng)的寬度；-所述上絕緣體的直徑小于或等于待布線的所述基板的所述正面的未倒角平面區(qū) 的直徑；-待布線的所述基板包括弱化區(qū)，所述弱化區(qū)在與所述基板的正面平行或基本平 行的平面中延伸，并且對(duì)所述基板蝕刻與所述弱化區(qū)的厚度相對(duì)應(yīng)的厚度。本發(fā)明還涉及一種用于制造應(yīng)用于電子學(xué)、光學(xué)或者光電子學(xué)領(lǐng)域中的基板的方 法。該方法包括以下步驟·在供體基板內(nèi)部形成弱化區(qū)，以便在所述供體基板上界定從所述基板的其余部 分轉(zhuǎn)移的層；·使所述供體基板經(jīng)過諸如上述的布線方法；·通過分子粘附將以這種方式布線后的所述供體基板結(jié)合到一操作基板上；·執(zhí)行處理，以沿著所述弱化區(qū)分離待轉(zhuǎn)移的所述層，從而將該層轉(zhuǎn)移到所述操作 基板上。根據(jù)一個(gè)變型，所述弱化區(qū)通過植入原子和/或離子種類而形成。


參照附圖，本發(fā)明的其它特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)通過下面的描述將顯而易見，附圖中通過解 釋而非施加限制的方式示出了本發(fā)明的一個(gè)可能的實(shí)施方式。
在這些附圖中，除上述外圖4A與圖4B分別示意性示出了供體基板的右端以及在分離步驟之后的供體基板 和操作基板，所述供體基板經(jīng)歷了根據(jù)本發(fā)明的布線方法，結(jié)合在操作基板上；圖5A與圖5B表示分別通過現(xiàn)有技術(shù)方法和根據(jù)本發(fā)明的方法布線后的基板的氧 化物的截面輪廓作為以mm表述的基板半徑R的函數(shù)的曲線圖；圖6A至圖6D分別是示出在該方法的各個(gè)連續(xù)步驟期間，待布線的基板以及用于 執(zhí)行本發(fā)明的布線方法的設(shè)備的局部截面圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在將結(jié)合圖6A至圖6D描述根據(jù)本發(fā)明的布線方法的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式。首先參照?qǐng)D6A描述待布線的基板。該圖不代表相對(duì)于安裝來說的基板的真實(shí)比例。而且，為利于說明，更改了基板的比例。該圖示出了待布線的基板，該基板總體具有附圖標(biāo)號(hào)4，并且該基板具有正面41、 相反的背面42以及橫向側(cè)邊緣43?；?被倒角，從而基板4的正面41被分成未倒角平面中央?yún)^(qū)410和倒角區(qū)411， 并且類似地基板4的背面42分成未倒角平面中央?yún)^(qū)420和倒角區(qū)421。在示出的示例性實(shí)施方式中，基板4包括基板45，在基板45的整個(gè)外表面上覆蓋 有絕緣體層40。然而后一特征不是必要的。該布線方法可以應(yīng)用于任何類型的基板，盡管該方法尤其適于在設(shè)有弱化區(qū)的基 板的布線中應(yīng)用，所述基板待隨后用于結(jié)合和層轉(zhuǎn)移方法中。弱化區(qū)的附圖標(biāo)號(hào)為44。弱化區(qū)44能界定活性層441，活性層441延伸到基板的 其余部分442的正面41。有利地，通過根據(jù)與本領(lǐng)域公知的稱為“智能切割”的技術(shù)相結(jié)合開發(fā)的植入方法 植入原子與/或離子種類形成弱化區(qū)44。該弱化區(qū)44還可以包括多孔層。本發(fā)明的布線方法例如可以在諸如圖6A到圖6D示出的用于形成等離子體的反應(yīng) 器5的內(nèi)部執(zhí)行。該反應(yīng)器包括腔體50，在腔體50內(nèi)部安裝有兩個(gè)絕緣元件5354和兩個(gè)電極51、 52，后者與電源(圖中未示出)連接。待布線的基板4通過其背面42靠在下電極52與下絕緣元件M上。下電極52被具有圓形輪廓的下絕緣元件M圍繞。優(yōu)選地，電極52為圓形且絕緣 元件討為環(huán)狀。此外，上絕緣體53為盤狀，并且圍繞上絕緣體53的電極51為環(huán)狀。上絕緣元件53安裝在電機(jī)裝置(圖中未示出)上，電機(jī)裝置允許上絕緣元件53 沿著垂直于基板4的中央平面的豎直軸線移動(dòng)。因此上絕緣元件53能夠在圖6D所示的上 絕緣元件53與待布線基板4分離最遠(yuǎn)的位置與圖6B和圖6C所示的上絕緣元件53靠近該 基板4的位置之間移動(dòng)。用于形成等離子體的氣體經(jīng)由管道引入腔體50，這里例如示出了其中兩個(gè)管道， 以標(biāo)號(hào)55與56表示。在反應(yīng)期間產(chǎn)生的揮發(fā)性物質(zhì)占據(jù)腔體50的內(nèi)部，這些揮發(fā)性物質(zhì)可以通過抽 吸裝置和孔(圖中未示出)從腔體50排出。電極51和電極52被施加有電壓，其作用是在腔體50的內(nèi)部產(chǎn)生電場(chǎng)并且將引入 管道55和56中的氣體轉(zhuǎn)化為等離子體。諸如腔體50中主要的溫度和壓力、引入到腔體50中的氣體的性質(zhì)、流速、比率、等 離子體的頻率以及施加到電極51和52的端子的電壓(或功率)之類的多種參數(shù)影響正在 形成的等離子體的化學(xué)組分和性質(zhì)，即是淀積等離子體還是蝕刻等離子體。下面將給出這 些參數(shù)的詳細(xì)資料。優(yōu)選地，為淀積和蝕刻形成的等離子體是各向同性的。這意味著等離子體的作用 優(yōu)選地通過在等離子體中產(chǎn)生的原子團(tuán)實(shí)現(xiàn)，并且可任選地通過在等離子體的包層中加速 的離子實(shí)現(xiàn)。
基板4的背面42與下電極52和下絕緣體M接觸使得可限定由標(biāo)號(hào)540表示的 背面隔離區(qū)，背面隔離區(qū)540被掩蔽因此等離子體不能到達(dá)。在圖中可見，待布線的基板4與絕緣體討直接接觸，因此絕緣體M的外徑與背面 隔離區(qū)MO的直徑完全對(duì)應(yīng)。此外，待布線的基板4非常暢通地布置，以便相對(duì)于環(huán)形絕緣體M對(duì)中。而且，上絕緣體53也使得能在基板的正面41上限定等離子體不可到達(dá)的所謂的 “正面隔離”區(qū)530。正面隔離區(qū)530的直徑不僅取決于上絕緣體53的直徑，而且也取決于上絕緣體53 與待布線的基板4之間的距離。由此，絕緣體53離基板的正面41的距離越遠(yuǎn)，正面隔離區(qū) 530的直徑越小(參見圖6A)，并且相反地，絕緣體53離基板的正面41的距離越近，正面隔 離區(qū)530的直徑越大(參見圖6B)。等離子體仍可到達(dá)的基板4的外周環(huán)形區(qū)，即在上述區(qū)域530與540外側(cè)延伸的 區(qū)以標(biāo)號(hào)400表示。換句話說，該外周環(huán)形區(qū)400包括基板的側(cè)邊緣43、倒角區(qū)411和421， 并任選地包括正面41和背面42的外周的一部分。現(xiàn)在描述布線方法的多個(gè)步驟。在將待布線的基板4引入到腔體50中，使得其背面42抵靠絕緣元件M和下電極 52之后，調(diào)節(jié)用于形成等離子體的參數(shù)以便在可到達(dá)的所述環(huán)形區(qū)400上淀積保護(hù)材料層 6。優(yōu)選地，該保護(hù)材料6是聚合物。再優(yōu)選地，保護(hù)材料6是借助乙烯C2H4基等離子體獲得的聚乙烯。隨后使上絕緣體53朝基板4的正面41移動(dòng)，以使正面隔離區(qū)530擴(kuò)大且直徑增 加。應(yīng)注意的是，絕緣體53從不與基板的正面41接觸，以防止損壞或污染基板的正面41。在圖6B所示的該位置，使等離子體的參數(shù)合適對(duì)保護(hù)材料6進(jìn)行部分蝕刻。該蝕 刻是部分蝕刻，以便在基板4的正面41上僅保留保護(hù)材料環(huán)60
由于正面隔離區(qū)530的擴(kuò)大使該部分蝕刻成為可能。在如圖6A所示的絕緣體53 的位置，等離子體可到達(dá)環(huán)60所在的區(qū)域并且可在該區(qū)域淀積保護(hù)材料6。相反地，當(dāng)絕緣 體53下降時(shí)，等離子體不再能到達(dá)保護(hù)材料的與環(huán)60相對(duì)應(yīng)的部分，并因此環(huán)60不被等 離子體蝕刻。換一種說法，當(dāng)正面隔離區(qū)530的面積增加時(shí)，可到達(dá)區(qū)400的面積減小?？s 小的可到達(dá)區(qū)標(biāo)以附圖標(biāo)號(hào)400’。用于蝕刻保護(hù)材料6的等離子體的性質(zhì)非常明確地取決于這種材料的化學(xué)性質(zhì)。作為實(shí)例，對(duì)于包括聚乙烯的保護(hù)材料通過氧(O2)基等離子體執(zhí)行蝕刻。在圖6C中示出了下一個(gè)步驟。當(dāng)將上絕緣體53保持在如圖6B所示的位置時(shí)，改 變引入到腔體50中的氣體的性質(zhì)以產(chǎn)生適于對(duì)構(gòu)成待布線的基板4的材料蝕刻一定厚度 的等離子體。由于環(huán)60的存在，僅在等離子體可到達(dá)的基板的外周環(huán)形區(qū)400’中執(zhí)行蝕 刻。在存在絕緣體層40的具體情況下，并且具體地當(dāng)絕緣體層40是氧化層時(shí)，那么蝕 刻等離子體將基于氮?dú)馀cCHF3 (三氟甲烷)形成的混合物。當(dāng)在殘余可到達(dá)區(qū)400’中已完全蝕刻絕緣體40時(shí)，改變引入腔體中的氣體以蝕 刻基板構(gòu)成材料45。
作為實(shí)例，當(dāng)基板構(gòu)成材料45是硅時(shí)，蝕刻等離子體是基于氬氣與SF6(六氟化 硫)以及任選地氮?dú)庑纬傻幕旌衔?。如圖6C所示，獲得不僅在其正面和背面而且在其側(cè)面在其外周布線的基板4。作為示意性實(shí)施例，并且具體應(yīng)用于層結(jié)合與層轉(zhuǎn)移，布線部分從晶片的邊緣延 伸大約0. 5至3mm的寬度，優(yōu)選的是1至2mm，理想的是1. 2mm。布線深度與結(jié)合之后的轉(zhuǎn)移 厚度相對(duì)應(yīng)。因此如果存在絕緣體層40的話包括絕緣體層40的厚度(典型地接近1500 A (150nm)，更通常的是介于100與4000人之間(IOnrn至400nm))加上待隨后轉(zhuǎn)移的基板層的 厚度，即典型地用于制造1000與10000 A (IOOnm至IOOOnm)之間的SOI的厚度，優(yōu)選的是 大約2500 A (250nm)。最后，如圖6D所示，然后，將上絕緣體53從基板4的上面41移開并且改變等離子 體的參數(shù)以產(chǎn)生蝕刻等離子體，從而可移除保護(hù)材料環(huán)60。該蝕刻等離子體通常與圖6B所 示的蝕刻步驟中使用的蝕刻等離子體相同。對(duì)于剛剛描述的涉及淀積等離子體和蝕刻等離子體使用的全部步驟，等離子體的 常規(guī)頻率是13. 56MHz。功率為大約100到500W。等離子體的施加時(shí)間在5到40秒之間變 化。功率和等離子體持續(xù)時(shí)間的結(jié)合具體地說對(duì)蝕刻厚度造成影響。最終，腔體內(nèi)部的壓 力約為幾托(1托大約等于IO2Pa)。當(dāng)待布線的基板包括弱化區(qū)44時(shí)，絕緣體53的直徑及其位置有利地確定成使環(huán) 60的外徑與未倒角前平面區(qū)410的外徑相對(duì)應(yīng)。因此，不能僅在基板4的正面的倒角部分411上蝕刻基板4。然而保護(hù)層環(huán)60的外徑可比圖中示出的小，即環(huán)60的位置向圖的左側(cè)移動(dòng)。然 而這也會(huì)導(dǎo)致未倒角前平面區(qū)410的一部分被蝕刻，這在經(jīng)濟(jì)上不太有利。該過程能夠確保經(jīng)過植入的正面的倒角區(qū)411的全部都被移除。這由此限制上述 后繼污染的危險(xiǎn)。還有利的是，基板4的蝕刻材料層與在正面與弱化區(qū)44之間延伸的材料厚度相對(duì)應(yīng)。在布線以后，獲得如圖5B所示的具有尖銳邊緣的基板。換句話說，基板的位于圖 左側(cè)的未布線部分與位于圖右側(cè)的布線部分之間的過渡區(qū)T的寬度很小。通過對(duì)比的方式，圖5A示出了通過現(xiàn)有技術(shù)的布線方法獲得的結(jié)果，根據(jù)這種方 法在氧化物層的第一等離子體蝕刻之后執(zhí)行硅層的第二等離子體蝕刻，而不應(yīng)用環(huán)形保護(hù) 物淀積。在這種情況下蝕刻坡度減小，一方面因?yàn)檠趸锏奈g刻不受保護(hù)層限制，另一方面 因?yàn)檫x擇性不是很理想，硅蝕刻也包括輕微的氧化物蝕刻。容易看出，在這種情況下，在基 板的相應(yīng)布線部分與未布線部分之間的過渡區(qū)T更寬。那么此種情況如圖3A所示。根據(jù)以上給出的實(shí)施例，可以看出根據(jù)本發(fā)明的方法能夠使過渡區(qū)T的寬度減小 10倍。圖4A和圖4B示出了基板制造方法的多個(gè)步驟，該方法包括在供體基板4內(nèi)形成 弱化區(qū)44后，使供體基板4經(jīng)過諸如上述的布線方法。該布線過的供體基板4隨后結(jié)合到操作基板7 (參見圖4A)上，然后經(jīng)過分離處理 以使其活性層441轉(zhuǎn)移到所述操作基板7 (參見圖4B)上。通過使用這種方法獲得如下優(yōu)點(diǎn)
-獲得的正板具有由蝕刻界限很好地界定的活性層441；-通過仔細(xì)蝕刻與植入深度確定的厚度相對(duì)應(yīng)的材料厚度，所獲取的負(fù)板不再具 有未轉(zhuǎn)移環(huán)。因此，在晶片邊緣不存在臺(tái)階(參見圖4的左手側(cè)部分)；-由此極大的簡化了負(fù)板的再循環(huán)，并且可以限制為一個(gè)CMP步驟，該步驟的目的 是移除被植入損壞的區(qū)域，以恢復(fù)“鏡面拋光”的表面狀態(tài)；-由于該方法包括較少的步驟并且消耗較少的主要材料因此再循環(huán)的成本還較 低，由此甚至在多個(gè)再循環(huán)操作之后使再循環(huán)后的基板就其厚度而言保持符合SEMI標(biāo)準(zhǔn)；-最后，通過這種方法，斷裂步驟成為產(chǎn)生很少顆粒的步驟。以這種方式獲取的 SOI基板的環(huán)更規(guī)則(并且相對(duì)于基板寬度更受控制)并且沒有硅顆粒粘接在晶片的邊緣 處。上述方法與現(xiàn)有技術(shù)中公知的稱為“Bosch”的方法具有某些相同點(diǎn)。然而，該 “Bosch”方法包括借助掩模覆蓋基板的正面，然后通過對(duì)該掩模進(jìn)行各向異性蝕刻，在該正 面上形成大約一微米的圖案，以便隨后形成電子部件或機(jī)電部件，但是絕不在整個(gè)晶片的 邊緣布線超過2mm或3mm的寬度。
權(quán)利要求
1.一種倒角基板(4)布線方法，其特征在于，該方法包括以下步驟，這些步驟包括-借助于等離子體在所述基板的外周環(huán)形區(qū)(400)上淀積一層保護(hù)材料(6)；-借助于等離子體部分地蝕刻所述保護(hù)材料(6)，以便在待布線的所述基板(4)的正面 (41)上保留保護(hù)材料環(huán)(60)，該環(huán)(60)距所述基板的邊緣03) —定距離延伸，并由此界 定所述基板的縮小的外周環(huán)形區(qū)(400’)，等離子體可到達(dá)該縮小的外周環(huán)形區(qū)；-產(chǎn)生部分蝕刻等離子體，該部分蝕刻等離子體被局限在可到達(dá)的所述縮小的外周環(huán) 形區(qū)(400’ )上，以便對(duì)該區(qū)中存在的材料蝕刻一定厚度；-借助于等離子體移除所述保護(hù)材料環(huán)(60)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該方法的各個(gè)步驟在用于形成各向同性 的等離子體的腔體(50)中進(jìn)行。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，該方法包括以下步驟，這些步驟包括-將待布線的所述基板(4)引入到用于形成各向同性的等離子體的腔體(50)中，所述 腔體配備有盤式上絕緣元件(5 以及兩個(gè)電極(51，52)，所述兩個(gè)電極中的一個(gè)電極(52) 稱為“下電極”，所述下電極被圓形輪廓的下絕緣元件(54)圍繞，所述基板(4)布置在所述 腔體(50)中，使得所述基板的背面0 與所述下電極(5 接觸且與所述下絕緣元件(54) 接觸，以便限定所述等離子體不能到達(dá)的背面隔離區(qū)(540)，并且所述上絕緣體(53)定位 在距所述基板(4)的正面—定距離處，以便限定所述等離子體同樣不能到達(dá)的正面隔 離區(qū)(530)，這兩個(gè)絕緣元件即所述上絕緣元件(5 與所述下絕緣元件(54)的外徑小于待 布線的所述基板的直徑，所述基板的其余部分構(gòu)成所述外周環(huán)形區(qū)G00)；-借助于在所述腔體(50)中形成的等離子體在所述外周環(huán)形區(qū)G00)上淀積保護(hù)材料(6)形成的所述層；-使所述上絕緣體(5 朝所述基板的所述正面Gl)移動(dòng)并對(duì)所述保護(hù)材料(6)執(zhí)行 所述部分蝕刻；-在使所述上絕緣體(53)保持處于其位置的同時(shí)，對(duì)構(gòu)成待布線的所述基板(4)的材 料蝕刻一定厚度；-將所述上絕緣體(53)從所述基板的所述正面Gl)移開并移除所述保護(hù)材料環(huán) (60)。
4.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述保護(hù)材料(6)是聚合物。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述保護(hù)材料(6)是通過基于C2H4的等 離子體獲得的聚乙烯。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，用于蝕刻所述保護(hù)材料(6)或用于移除該 保護(hù)材料的等離子體是氧基等離子體。
7.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，待布線的所述基板由硅 制成，并且所述蝕刻等離子體基于SF6與氬氣形成的混合物。
8.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，使待布線的所述基板(4)覆 蓋有氧化硅層GO)，并且所述蝕刻等離子體基于CHF3與氮?dú)庑纬傻幕旌衔铩?br> 9.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，待布線的所述基板由覆 蓋有氧化硅層GO)的硅制成，并且相繼執(zhí)行蝕刻所述氧化硅層GO)的步驟以及蝕刻硅層 的一定厚度的步驟。
10.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，待布線的所述基板(4)包 括弱化區(qū)(44)，所述弱化區(qū)04)在與該基板的正面Gl)平行或基本平行的平面中延 伸，并且對(duì)所述保護(hù)材料(6)執(zhí)行所述部分蝕刻，使得通過這種方式形成的所述保護(hù)材料 環(huán)(60)的外徑小于或者等于所述正面Gl)的未倒角平面區(qū)G10)的外徑，通過這種方式 對(duì)構(gòu)成待布線的所述基板的材料蝕刻至少與整個(gè)所述倒角區(qū)的寬度相對(duì)應(yīng)的寬度。
11.根據(jù)權(quán)利要求3和10所述的方法，其特征在于，所述上絕緣體(53)的直徑小于或 等于待布線的所述基板的所述正面Gl)的未倒角平面區(qū)G10)的直徑。
12.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，待布線的所述基板(4)包括 弱化區(qū)(44)，所述弱化區(qū)04)在與所述基板的正面Gl)平行或基本平行的平面中延伸，并 且對(duì)所述基板(4)蝕刻與所述弱化區(qū)的厚度相對(duì)應(yīng)的厚度。
13.一種用于制造應(yīng)用于電子學(xué)、光學(xué)或者光電子學(xué)領(lǐng)域中的基板的方法，其特征在 于，該方法包括以下步驟-在供體基板內(nèi)部形成弱化區(qū)(44)，以便在所述供體基板上界定待從所述基板的 其余部分(44 轉(zhuǎn)移的層G41)；-對(duì)所述供體基板(4)執(zhí)行根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的布線方法；-通過分子粘附將以這種方式布線后的所述供體基板(4)結(jié)合到一操作基板(7)上；-執(zhí)行處理，以沿著所述弱化區(qū)G4)分離待轉(zhuǎn)移的所述層G41)，從而將該層(441)轉(zhuǎn) 移到所述操作基板(7)上。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，所述弱化區(qū)04)通過植入原子和/或 離子種類而形成。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種倒角基板布線方法。該方法重要是包括以下步驟，這些步驟包括借助于等離子體在所述基板(4)的外周環(huán)形區(qū)(400)上淀積一層保護(hù)材料(6)；借助于等離子體部分地蝕刻所述保護(hù)材料(6)，以便在待布線的所述基板(4)的正面(41)上保留保護(hù)材料環(huán)(60)，該環(huán)(60)距所述基板的邊緣(43)一定距離延伸，并由此界定可到達(dá)的外周環(huán)形區(qū)(400’)；借助于在所述可到達(dá)的外周環(huán)形區(qū)(400’)上的等離子體對(duì)構(gòu)成待布線的所述基板(4)的材料蝕刻一定厚度；借助于等離子體移除所述保護(hù)材料環(huán)(60)。本發(fā)明還涉及在電子學(xué)、光學(xué)或者光電子學(xué)領(lǐng)域中的應(yīng)用。
文檔編號(hào)H01L21/762GK102136413SQ201010585290
公開日2011年7月27日 申請(qǐng)日期2010年12月10日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月11日
發(fā)明者亞歷山大·切布克, 塞巴斯蒂安·凱爾迪勒, 沃爾特·瓦岑貝格, 阿齊茲·哈拉米-艾蒂里斯 申請(qǐng)人:硅絕緣體技術(shù)有限公司