專利名稱:陣列基板及其制造方法和檢測(cè)方法、液晶面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù),尤其涉及一種陣列基板及其制造方法和檢測(cè)方法、液晶面板。
背景技術(shù):
液晶顯示器是目前常用的平板顯示器,其中薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,簡(jiǎn)稱TFT-LCD)是液晶顯示器中的主流產(chǎn)品。在TFT-IXD的生產(chǎn)過程中,對(duì)TFT圖案的電特性進(jìn)行檢查是較為重要的步驟。現(xiàn)有技術(shù)通常在形成襯底基板像素區(qū)域的TFT的同時(shí),在襯底基板的邊緣區(qū)域,也即測(cè)試區(qū)域同時(shí)形成專用于測(cè)試的TFT測(cè)試圖案。該TFT測(cè)試圖案的圖案尺寸、膜層結(jié)構(gòu)以及工藝流程與像素區(qū)域的TFT完全一致。因此,通過對(duì)測(cè)試區(qū)域的TFT測(cè)試圖案進(jìn)行檢查,即可獲知像素區(qū)域的TFT電特性是否合格。對(duì)TFT圖案的電特性進(jìn)行檢查的原理為改變TFT測(cè)試圖案的柵線引線的電壓,測(cè)試TFT測(cè)試圖案的源漏極的電流變化,獲取TFT測(cè)試圖案的電特性曲線,根據(jù)該電特性曲線判斷TFT測(cè)試圖案在打開與關(guān)斷時(shí)的電特性是否正常,從而判斷像素區(qū)域的TFT圖案的電特性是否合格?,F(xiàn)有技術(shù)對(duì)TFT圖案的電特性進(jìn)行檢查的時(shí)機(jī)是在陣列基板的制造工藝完成之后,即在襯底基板上形成像素電極之后。通過在TFT測(cè)試圖案的柵線引線上方開設(shè)的過孔, 插入測(cè)試探針與底層的柵線引線接觸,從而檢查像素區(qū)域的TFT圖案的電特性。但是陣列基板的制造周期通常為3 5天,因此,現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)行電特性檢查具有時(shí)間滯后性,因此無法及時(shí)檢查獲知像素區(qū)域的TFT圖案的電特性,從而無法及時(shí)進(jìn)行生產(chǎn)線工藝與設(shè)備的調(diào)離
iF. ο
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種陣列基板及其制造方法和檢測(cè)方法、液晶面板,以解決無法及時(shí)檢查獲知像素區(qū)域的TFT圖案的電特性的問題。本發(fā)明提供一種陣列基板的制造方法,至少包括在像素區(qū)域形成TFT圖案并對(duì)應(yīng)地在測(cè)試區(qū)域形成TFT測(cè)試圖案的步驟,在形成鈍化層之前,還包括去除所述TFT測(cè)試圖案中測(cè)試線引線上方的柵絕緣層薄膜的步驟。本發(fā)明提供一種陣列基板,包括像素區(qū)域和測(cè)試區(qū)域,其特征在于,所述測(cè)試區(qū)域的測(cè)試線引線的上方與鈍化層接觸。本發(fā)明提供一種液晶面板,包括對(duì)盒設(shè)置的彩膜基板和陣列基板,其間填充有液晶層,其特征在于,所述陣列基板采用上述陣列基板的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明提供一種陣列基板的檢測(cè)方法,所述方法在形成TFT測(cè)試溝道且去除測(cè)試區(qū)域的TFT測(cè)試圖案中測(cè)試線引線上方的柵絕緣層薄膜之后,對(duì)所述TFT測(cè)試圖案的電特性進(jìn)行檢測(cè)處理。本發(fā)明提供的陣列基板及其制造方法和檢測(cè)方法、液晶面板,在形成TFT溝道的圖案后,即可對(duì)測(cè)試區(qū)域的TFT測(cè)試圖案的電特性進(jìn)行檢測(cè),而無需等到整個(gè)陣列基板的制造過程完成后再進(jìn)行檢測(cè),因此,本發(fā)明可以及時(shí)獲知像素區(qū)域的TFT圖案的電特性,從而及時(shí)對(duì)生產(chǎn)線進(jìn)行工藝與設(shè)備的調(diào)整。
圖1為本發(fā)明陣列基板的制造方法實(shí)施例的流程圖;圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法中第一次光刻工藝后的TFT測(cè)試圖案的結(jié)構(gòu)示意圖;圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法中在形成柵金屬薄膜后沿圖2中 A-A向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖;圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法中在形成柵金屬薄膜后沿圖2中 B-B向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖;圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法中對(duì)涂覆在柵金屬薄膜上的光刻膠進(jìn)行曝光顯影后沿圖2中A-A向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖;圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法中對(duì)涂覆在柵金屬薄膜上的光刻膠進(jìn)行曝光顯影后沿圖2中B-B向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖;圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法中對(duì)圖5所示的圖案進(jìn)行刻蝕后的剖面結(jié)構(gòu)示意圖;圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法中對(duì)圖6所示的圖案進(jìn)行刻蝕后的剖面結(jié)構(gòu)示意圖;圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法中對(duì)圖7所示的圖案進(jìn)行光刻膠灰化后的剖面結(jié)構(gòu)示意圖;圖10為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法中對(duì)圖8所示的圖案進(jìn)行光刻膠灰化后的剖面結(jié)構(gòu)示意圖;圖11為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法中在形成柵絕緣層薄膜、半導(dǎo)體層薄膜、摻雜半導(dǎo)體層薄膜和源漏金屬薄膜后沿圖2中A-A向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖;圖12為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法中在形成柵絕緣層薄膜、半導(dǎo)體層薄膜、摻雜半導(dǎo)體層薄膜和源漏金屬薄膜后沿圖2中B-B向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖;圖13為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法中剝離圖12中光刻膠后的結(jié)構(gòu)示意圖;圖14為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法中陣列基板在第二次光刻工藝后TFT測(cè)試圖案的結(jié)構(gòu)示意圖;圖15為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法中在源漏金屬薄膜上形成光刻膠圖案后沿圖14中C-C向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖;圖16為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法中在源漏金屬薄膜上形成光刻膠圖案后沿圖14中D-D向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖;圖17為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法中進(jìn)行第二次刻蝕后沿圖14中 C-C向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖;圖18為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法中進(jìn)行第二次刻蝕后沿圖14中D-D向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖;圖19為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法中對(duì)圖17所示的圖案進(jìn)行光刻膠灰化后的剖面結(jié)構(gòu)示意圖;圖20為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法中對(duì)圖18所示的圖案進(jìn)行光刻膠灰化后的剖面結(jié)構(gòu)示意圖;圖21為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法中進(jìn)行第三次刻蝕后沿圖14中 C-C向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖;圖22為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法中對(duì)圖21所示的圖案進(jìn)行光刻膠剝離后的剖面結(jié)構(gòu)示意圖;圖23為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法中對(duì)圖20所示的圖案進(jìn)行光刻膠剝離后的剖面結(jié)構(gòu)示意圖;圖M為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法中對(duì)圖22所示的TFT測(cè)試圖案進(jìn)行第四次光刻工藝后的剖面結(jié)構(gòu)示意圖;圖25為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法中對(duì)圖23所示的TFT測(cè)試圖案進(jìn)行第四次光刻工藝后的剖面結(jié)構(gòu)示意圖;圖沈?yàn)楸景l(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的檢測(cè)方法的流程圖。附圖標(biāo)記
1-襯底基板; 11-柵線; 12-柵線區(qū)域;
13-光刻膠圖案; 16-光刻膠圖案; 21-鈍化層; 24-半導(dǎo)體層薄膜; 27-TFT 溝道。
14-光刻膠圖案; 17-柵線引線; 22-柵金屬薄膜; 25-摻雜半導(dǎo)體層薄膜;
15-光刻膠圖案; 18-源漏電極區(qū)域 23-柵絕緣層薄膜 26-源漏金屬薄膜
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚,下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖,對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍?,F(xiàn)有技術(shù)中,底柵結(jié)構(gòu)的陣列基板的制造與對(duì)TFT圖案的電特性檢測(cè)的工藝過程為先在襯底基板上形成柵極金屬線,然后形成硅島與源漏極金屬線以及TFT溝道,再形成鈍化層和鈍化層過孔,最后形成透明電極。在上述步驟完成后,也即陣列基板制造工藝完成后,再對(duì)形成的TFT圖案的電特性進(jìn)行測(cè)試。而事實(shí)上,在制造陣列基板的工藝過程中,TFT 溝道形成后,TFT即已形成,后續(xù)形成鈍化層、鈍化層過孔以及透明電極的過程僅是實(shí)現(xiàn)漏極與透明電極的連接。因此,TFT圖案的電特性測(cè)試可以在TFT溝道形成之后鈍化層形成之前進(jìn)行。但是,現(xiàn)有工藝中,柵絕緣層薄膜覆蓋在測(cè)試區(qū)域的TFT測(cè)試圖案中的柵線引線上,因此,測(cè)試探針在進(jìn)行測(cè)試時(shí),容易與柵線引線接觸不良。對(duì)于頂柵結(jié)構(gòu)來說,柵絕緣層薄膜則覆蓋在測(cè)試區(qū)域的TFT測(cè)試圖案中的數(shù)據(jù)線引線上。在此基礎(chǔ)上,本發(fā)明在形成鈍化層之前,還可以包括去除TFT測(cè)試圖案中測(cè)試線引線上方的柵絕緣層薄膜的步驟。
具體來說,若TFT結(jié)構(gòu)采用底柵結(jié)構(gòu),則在形成鈍化層之前去除TFT測(cè)試圖案中測(cè)試線引線上方的柵絕緣層薄膜的步驟可以為在形成TFT溝道之前,去除所述測(cè)試區(qū)域中覆蓋在柵線引線上方的柵絕緣層薄膜的步驟。若TFT結(jié)構(gòu)采用頂柵結(jié)構(gòu),則在形成鈍化層之前去除TFT測(cè)試圖案中測(cè)試線引線上方的柵絕緣層薄膜的步驟可以為在形成TFT溝道之后且形成鈍化層之前,去除所述測(cè)試區(qū)域中覆蓋在數(shù)據(jù)線引線上方的柵絕緣層薄膜的步驟。在具體實(shí)現(xiàn)時(shí),去除TFT測(cè)試圖案中測(cè)試線引線上方的柵絕緣層薄膜的步驟可以具體為利用光刻膠的高度差,采用離地剝離工藝去除所述測(cè)試線引線上方的柵絕緣層薄膜。本發(fā)明可以在形成鈍化層之間的任何工藝過程中去除TFT測(cè)試圖案中測(cè)試線引線上方的柵絕緣層薄膜,從而在去除底柵結(jié)構(gòu)下的TFT測(cè)試圖案中柵線引線上方的柵絕緣層薄膜或者在去除頂柵結(jié)構(gòu)下的TFT測(cè)試圖案中數(shù)據(jù)線測(cè)試線上方的柵絕緣層薄膜之后, 即可對(duì)TFT測(cè)試圖案的電特性進(jìn)行檢測(cè),在檢測(cè)完成后,再進(jìn)行后續(xù)的生產(chǎn)工藝。因此,本發(fā)明是在陣列基板的制造過程中對(duì)TFT測(cè)試圖案的電特性進(jìn)行檢測(cè),而非等到陣列基板制造完成之后再對(duì)TFT測(cè)試圖案的電特性進(jìn)行測(cè)試,從而可以對(duì)測(cè)試區(qū)域的TFT測(cè)試圖案的檢測(cè),及時(shí)獲知像素區(qū)域的TFT圖案的電特性,進(jìn)而及時(shí)進(jìn)行生產(chǎn)線工藝與設(shè)備的調(diào)整。需要說明的是,本發(fā)明并不需要限定形成上述頂柵結(jié)構(gòu)的TFT結(jié)構(gòu)或者底柵結(jié)構(gòu)的TFT結(jié)構(gòu)的具體制造工藝。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)需要,在采用三次掩膜工藝、四次掩膜工藝或者五次掩膜工藝制造上述TFT結(jié)構(gòu)的工藝過程中,在形成鈍化層之前,去除TFT測(cè)試圖案中柵線引線上方的柵絕緣層薄膜即可。下面采用四次掩膜工藝對(duì)本發(fā)明陣列基板的制造方法進(jìn)行詳細(xì)說明。需要說明的是,像素區(qū)域的TFT的制造工藝是與測(cè)試區(qū)域的TFT測(cè)試圖案的制造工藝相對(duì)應(yīng)的,因此, 在下述四次掩膜工藝中,本實(shí)施例僅詳細(xì)介紹TFT測(cè)試圖案的制造工藝,且以底柵結(jié)構(gòu)為例進(jìn)行說明。圖1為本發(fā)明陣列基板的制造方法實(shí)施例的流程圖,如圖1所示,本實(shí)施例的方法,可以包括步驟101、在襯底基板的像素區(qū)域和測(cè)試區(qū)域上形成柵金屬薄膜,在所述柵金屬薄膜上涂覆光刻膠,并采用雙色調(diào)掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光顯影,形成包括第一厚度區(qū)域、第二厚度區(qū)域和完全去除區(qū)域的光刻膠圖案。所述第一厚度區(qū)域的光刻膠圖案位于像素區(qū)域的柵線位置上方、測(cè)試區(qū)域的柵線位置上方,所述第二厚度區(qū)域的光刻膠圖案位于像素區(qū)域的柵線引線上方和測(cè)試區(qū)域的柵線引線上方,且第一厚度小于第二厚度。圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法中第一次光刻工藝后的TFT測(cè)試圖案的結(jié)構(gòu)示意圖,圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法中在形成柵金屬薄膜后沿圖2中A-A向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖,圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法中在形成柵金屬薄膜后沿圖2中B-B向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖,圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法中對(duì)涂覆在柵金屬薄膜上的光刻膠進(jìn)行曝光顯影后沿圖2中A-A向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖,圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法中對(duì)涂覆在柵金屬薄膜上的光刻膠進(jìn)行曝光顯影后沿圖2中B-B向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖,如圖2 6所示,本實(shí)施例可以采用濺射或者熱蒸發(fā)的方法在襯底基板1上沉積厚度為500A ~ 4000人的柵金屬薄膜22。 柵金屬薄膜22的材料可以選用Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al、Cu等金屬、合金或者由多層金屬組成的柵金屬層。在柵金屬薄膜22上涂覆光刻膠,采用雙色調(diào)掩模版,例如灰色調(diào)掩模板進(jìn)行曝光顯影,形成包括第一厚度區(qū)域G1、第二厚度區(qū)域G2和完全去除區(qū)域G3的光刻膠圖案。其中,第一厚度區(qū)域Gl的光刻膠圖案13位于像素區(qū)域的柵線區(qū)域和測(cè)試區(qū)域的柵線區(qū)域12 上方,第二厚度區(qū)域G2的光刻膠圖案14位于像素區(qū)域的柵線引線的上方和測(cè)試區(qū)域的柵線引線17上方,且第一厚度hi小于第二厚度h2。步驟102、進(jìn)行第一次刻蝕,刻蝕掉完全去除區(qū)域?qū)?yīng)的柵金屬薄膜,在像素區(qū)域形成包括柵線和柵線引線的圖案,在測(cè)試區(qū)域形成包括柵線和柵線引線的圖案,并按照第一厚度灰化去除光刻膠。圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法中對(duì)圖5所示的圖案進(jìn)行刻蝕后的剖面結(jié)構(gòu)示意圖,圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法中對(duì)圖6所示的圖案進(jìn)行刻蝕后的剖面結(jié)構(gòu)示意圖,圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法中對(duì)圖 7所示的圖案進(jìn)行光刻膠灰化后的剖面結(jié)構(gòu)示意圖,圖10為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法中對(duì)圖8所示的圖案進(jìn)行光刻膠灰化后的剖面結(jié)構(gòu)示意圖,如圖7 10所示, 第一次刻蝕可以采用濕法刻蝕法刻蝕光刻膠完全去除區(qū)域G3對(duì)應(yīng)的柵金屬薄膜22,從而在像素區(qū)域的柵線位置形成包括柵線和柵線引線的圖案,并在測(cè)試區(qū)域形成圖7所示的柵線11和圖8所示的柵線引線17的圖案。在完成第一次刻蝕后,可以采用灰化工藝,通過在含氧氣氛下進(jìn)行光刻膠的減薄,具體地,可以采用第一厚度區(qū)域Gl的光刻膠的第一厚度hi 將第一厚度區(qū)域Gl的光刻膠圖案13完全灰化掉,保留第二厚度區(qū)域G2的光刻膠圖案14的部分,保留的光刻膠圖案14的厚度為h2-hl。保留的光刻膠圖案14在暫時(shí)不需要被剝離。步驟103、在形成上述圖案的襯底基板的像素區(qū)域和測(cè)試區(qū)域上連續(xù)沉積柵絕緣層薄膜、半導(dǎo)體層薄膜、摻雜半導(dǎo)體層薄膜和源漏金屬薄膜,并剝離像素區(qū)域的柵線引線上方以及測(cè)試區(qū)域的柵線引線上方的光刻膠。圖11為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法中在形成柵絕緣層薄膜、半導(dǎo)體層薄膜、摻雜半導(dǎo)體層薄膜和源漏金屬薄膜后沿圖2中A-A向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖,圖12 為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法中在形成柵絕緣層薄膜、半導(dǎo)體層薄膜、摻雜半導(dǎo)體層薄膜和源漏金屬薄膜后沿圖2中B-B向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖,如圖11和12所示, 采用化學(xué)氣相沉積方法,在襯底基板1上依次沉積厚度為1000人~ 6000人的柵絕緣層薄膜 23、厚度為1000A ~ 6000A的半導(dǎo)體層薄膜對(duì)、厚度為200A ~ IOOOA的摻雜半導(dǎo)體層薄膜25,然后采用磁控濺射或熱蒸發(fā)方法,沉積厚度為1000人~ 7000人的源漏金屬薄膜26。圖13為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法中剝離圖12中光刻膠后的結(jié)構(gòu)示意圖,如圖13所示,通過剝離工藝,去除掉光刻膠圖案14,使得柵線引線17上方的柵絕緣層薄膜23、半導(dǎo)體層薄膜M、摻雜半導(dǎo)體層薄膜25以及源漏金屬薄膜沈也一同被剝離掉。 對(duì)應(yīng)地,像素區(qū)域也形成與圖13對(duì)應(yīng)的圖案,不再贅述。至此,本實(shí)施例即完成了第一次光刻工藝。步驟104、在形成上述圖案的襯底基板的像素區(qū)域和測(cè)試區(qū)域上涂覆光刻膠,并采用雙色調(diào)掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光顯影,形成包括第三厚度區(qū)域、第四厚度區(qū)域和完全
8去除區(qū)域的光刻膠圖案,所述第三厚度區(qū)域的光刻膠圖案位于像素區(qū)域的源漏電極區(qū)域和柵線引線上方以及測(cè)試區(qū)域的源漏電極區(qū)域和柵線引線上方,所述第四厚度區(qū)域的光刻膠圖案位于像素區(qū)域的溝道區(qū)域上方以及測(cè)試區(qū)域的溝道區(qū)域上方,且第四厚度小于第三厚度。圖14為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法中陣列基板在第二次光刻工藝后TFT測(cè)試圖案的結(jié)構(gòu)示意圖,圖15為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法中在源漏金屬薄膜上形成光刻膠圖案后沿圖14中C-C向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖;圖16為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法中在源漏金屬薄膜上形成光刻膠圖案后沿圖14中D-D向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖,如圖14 16所示,在源漏金屬薄膜沈上涂覆光刻膠,采用雙色調(diào)掩模版, 例如灰色調(diào)掩模板進(jìn)行曝光顯影,形成包括第三厚度區(qū)域G4、第四厚度區(qū)域G5和完全去除區(qū)域G3的光刻膠圖案。其中,第三厚度區(qū)域G4的光刻膠圖案15位于源漏電極區(qū)域和柵線引線上方以及測(cè)試區(qū)域的源漏電極區(qū)域18和柵線引線17上方,第四厚度區(qū)域G5的光刻膠圖案16位于像素區(qū)域的TFT溝道區(qū)域上方以及測(cè)試區(qū)域的溝道區(qū)域27上方,且第四厚度 h4小于第三厚度h3。步驟105、進(jìn)行第二次刻蝕,刻蝕掉完全去除區(qū)域?qū)?yīng)的半導(dǎo)體層薄膜、摻雜半導(dǎo)體層薄膜和源漏金屬薄膜,并按照第四厚度灰化去除光刻膠;進(jìn)行第三次刻蝕,刻蝕掉所述像素區(qū)域的溝道區(qū)域和所述測(cè)試區(qū)域的溝道區(qū)域的源漏金屬薄膜、摻雜半導(dǎo)體層薄膜和部分半導(dǎo)體層薄膜,形成像素區(qū)域的TFT溝道和測(cè)試區(qū)域的TFT溝道;并將所述像素區(qū)域的源漏電極上方的光刻膠、所述測(cè)試區(qū)域的源漏電極上方的光刻膠以及柵線引線上方的光刻膠剝離。圖17為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法中進(jìn)行第二次刻蝕后沿圖14中 C-C向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖;圖18為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法中進(jìn)行第二次刻蝕后沿圖14中D-D向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖,如圖17和18所示,第二次刻蝕可以先采用濕法刻蝕,然后采用干法刻蝕,在離子轟擊與化學(xué)反應(yīng)的作用下去除完全去除區(qū)域G3對(duì)應(yīng)的柵絕緣層薄膜23、半導(dǎo)體層薄膜M、摻雜半導(dǎo)體層薄膜25和源漏金屬薄膜26。然后,按照第四厚度區(qū)域G5的光刻膠的第四厚度h4灰化去除光刻膠。圖19為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法中對(duì)圖17所示的圖案進(jìn)行光刻膠灰化后的剖面結(jié)構(gòu)示意圖;圖20為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法中對(duì)圖18 所示的圖案進(jìn)行光刻膠灰化后的剖面結(jié)構(gòu)示意圖,如圖19和20所示,通過在含氧氣氛下進(jìn)行光刻膠的減薄,將第四厚度的光刻膠完全灰化掉,保留第三厚度的光刻膠。圖21為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法中進(jìn)行第三次刻蝕后沿圖14中 C-C向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖,如圖21所示,第三次刻蝕可以采用干法刻蝕,刻蝕掉像素區(qū)域的溝道區(qū)域的源漏金屬薄膜、摻雜半導(dǎo)體層薄膜和部分半導(dǎo)體層薄膜,并且刻蝕掉測(cè)試區(qū)域的源漏金屬薄膜沈、摻雜半導(dǎo)體層薄膜25和部分半導(dǎo)體層薄膜24,從而在像素區(qū)域形成 TFT溝道,并且在測(cè)試區(qū)域形成TFT溝道27。圖22為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法中對(duì)圖21所示的圖案進(jìn)行光刻膠剝離后的剖面結(jié)構(gòu)示意圖;圖23為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法中對(duì)圖20 所示的圖案進(jìn)行光刻膠剝離后的剖面結(jié)構(gòu)示意圖,如圖22和23所示,通過剝離工藝,去除掉光刻膠,使得柵線引線17暴露在這襯底基板1的表面。
至此,本實(shí)施例即完成了第二次光刻工藝,在像素區(qū)域和測(cè)試區(qū)域均形成了 TFT 溝道。在形成TFT溝道后,測(cè)試區(qū)域的柵線引線17的上方?jīng)]有柵絕緣層薄膜23的覆蓋,而是暴露在襯底基板1的表面,此時(shí),即可對(duì)測(cè)試區(qū)域的TFT溝道的電特性進(jìn)行檢測(cè)。例如, 將測(cè)試探針與柵線引線17接觸,改變柵線引線17的輸入電壓,并獲取TFT測(cè)試圖案的源漏電極之間的電流,從而形成電流變化曲線,根據(jù)該電流變化曲線,即可確定像素區(qū)域的TFT 圖案的電特性。在進(jìn)行上述的電特性檢測(cè)后,再進(jìn)行下列制造工藝。步驟106、在形成上述圖案的襯底基板上通過光刻工藝形成像素電極和保護(hù)層。本步驟可以在完成上述圖案的襯底基板上,采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積 (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ;簡(jiǎn)稱PECVD)方法沉積一層鈍化層。鈍化層可以采用氧化物、氮化物或氧氮化合物。采用普通掩模板對(duì)鈍化層進(jìn)行構(gòu)圖,形成鈍化層過孔,鈍化層過孔位于漏電極的上方。采用磁控濺射或熱蒸發(fā)的方法,沉積透明導(dǎo)電薄膜, 透明導(dǎo)電薄膜可以采用氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)或氧化鋁鋅等材料,也可以采用其它金屬及金屬氧化物。采用普通掩模板通過構(gòu)圖工藝形成包括像素電極的圖形。像素電極形成在像素區(qū)域內(nèi),通過鈍化層過孔與漏電極連接。圖M為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法中對(duì)圖22所示的TFT測(cè)試圖案完成第四次光刻工藝后的剖面結(jié)構(gòu)示意圖,圖25為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法中對(duì)圖23所示的TFT測(cè)試圖案完成第四次光刻工藝后的剖面結(jié)構(gòu)示意圖,如圖M和 25所示,步驟106也可以為,在步驟105形成的襯底基板上沉積鈍化層21,并在所述像素區(qū)域形成鈍化層過孔,這是第三次光刻;在形成上述圖案的襯底基板上沉積透明電極層,在所述透明電極層上涂覆光刻膠,采用單色調(diào)掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光顯影,形成位于像素區(qū)域的像素電極上方的光刻膠圖案;進(jìn)行第四次刻蝕,在所述像素區(qū)域形成像素電極的圖案, 這是第四次光刻。因此,鈍化層21覆蓋在TFT測(cè)試圖案的表面。至此,本實(shí)施例即完成了第四次光刻工藝,形成了陣列基板。需要說明的是,本實(shí)施例僅對(duì)形成的TFT測(cè)試圖案的一種結(jié)構(gòu)形式進(jìn)行了說明, 本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是,該TFT測(cè)試圖案也可以采用其它結(jié)構(gòu)形式,此處不再贅述。本實(shí)施例僅以底柵結(jié)構(gòu)的TFT為例進(jìn)行說明,本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是,對(duì)于頂柵結(jié)構(gòu)來說,可以采用下述步驟實(shí)現(xiàn)在襯底基板的像素區(qū)域上形成包括數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極的圖形,同時(shí)在襯底基板的測(cè)試區(qū)域形成數(shù)據(jù)線測(cè)試線和測(cè)試區(qū)域的源電極和漏電極的圖形;再在像素區(qū)域和測(cè)試區(qū)域沉積半導(dǎo)體薄膜和透明導(dǎo)電薄膜,在像素區(qū)域和測(cè)試區(qū)域分別形成包括摻雜半導(dǎo)體層、半導(dǎo)體層和像素電極的圖形,最后在像素區(qū)域和測(cè)試區(qū)域上沉積柵絕緣層和柵金屬薄膜,并通過構(gòu)圖工藝在像素區(qū)域形成柵線,在測(cè)試區(qū)域形成柵線及其引線,其中摻雜半導(dǎo)體層、半導(dǎo)體層和柵絕緣層覆蓋在像素區(qū)域的數(shù)據(jù)線和測(cè)試區(qū)域的數(shù)據(jù)線及其引線上。對(duì)于頂柵結(jié)構(gòu)來說,其只要在TFT溝道形成之后,鈍化層形成之前,去除覆蓋在數(shù)據(jù)線引線上方的柵絕緣層薄膜即可。具體步驟可以為利用光刻膠的高度差,采用離地剝離工藝去除數(shù)據(jù)線引線上方的摻雜半導(dǎo)體層、半導(dǎo)體層及柵絕緣層薄膜,體現(xiàn)工藝的簡(jiǎn)便性,而不用另外增加光刻工藝。最后就可以在形成上述圖案的襯底基板上,形成一層鈍化層。因此,鈍化層是和數(shù)據(jù)線引線直接接觸的。其具體步驟可以類似參照底柵結(jié)構(gòu)的TFT的形成過程,本領(lǐng)域技術(shù)人員很容易推斷出來,此處不再贅述。本實(shí)施例在陣列基板的制造過程中,在形成TFT溝道的圖案后,即可對(duì)測(cè)試區(qū)域的TFT測(cè)試圖案的電特性進(jìn)行檢測(cè),而無需等到整個(gè)陣列基板的制造過程完成后再進(jìn)行檢測(cè),因此,本實(shí)施例可以及時(shí)獲知像素區(qū)域的TFT圖案的電特性,從而及時(shí)對(duì)生產(chǎn)線進(jìn)行維修。本發(fā)明還提供一種陣列基板的實(shí)施例,該陣列基板可以包括像素區(qū)域和測(cè)試區(qū)域,其中,測(cè)試區(qū)域上的TFT測(cè)試圖案中測(cè)試線引線的上方可以與鈍化層接觸。也即,對(duì)于底柵結(jié)構(gòu)來說,本實(shí)施例中陣列基板的像素區(qū)域或者測(cè)試區(qū)域的TFT的剖面結(jié)構(gòu)如上圖M 和25所示,即柵線引線與鈍化層接觸,其可以采用圖1所示的制造工藝進(jìn)行制造,且各個(gè)工藝過程的結(jié)構(gòu)圖可以如圖3 25,此處不再贅述。對(duì)于頂柵結(jié)構(gòu)來說,數(shù)據(jù)線引線與鈍化層接觸。其實(shí)現(xiàn)原理類似,此處不再贅述。本實(shí)施例的陣列基板,在形成TFT溝道的圖案后,即可對(duì)測(cè)試區(qū)域的TFT測(cè)試圖案的電特性進(jìn)行檢測(cè),而無需等到整個(gè)陣列基板的制造過程完成后再進(jìn)行檢測(cè),因此,本實(shí)施例的陣列基板可以便于操作者及時(shí)獲知像素區(qū)域的TFT圖案的電特性,從而及時(shí)對(duì)生產(chǎn)線進(jìn)行維修。本發(fā)明還提供一種液晶面板,該液晶面板包括對(duì)盒設(shè)置的彩膜基板和陣列基板, 其間填充有液晶層,其中的陣列基板可以采用上述實(shí)施例所述的陣列基板。基于上述對(duì)該陣列基板的制造方法以及該陣列基板的結(jié)構(gòu)的詳細(xì)描述可知,本實(shí)施例的液晶面板,在生成陣列基板的過程中,形成TFT溝道的圖案后,即可對(duì)測(cè)試區(qū)域的TFT測(cè)試圖案的電特性進(jìn)行檢測(cè),而無需等到整個(gè)陣列基板的制造過程完成后再進(jìn)行檢測(cè),因此,本實(shí)施例的液晶面板可以便于操作者及時(shí)獲知像素區(qū)域的TFT圖案的電特性,從而及時(shí)對(duì)生產(chǎn)線進(jìn)行維修。本發(fā)明還提供一種陣列基板的檢測(cè)方法,該方法在形成TFT測(cè)試溝道且去除測(cè)試區(qū)域的TFT測(cè)試圖案中測(cè)試線引線上方的柵絕緣層薄膜之后,對(duì)所述TFT測(cè)試圖案的電特性進(jìn)行檢測(cè)處理。對(duì)于底柵結(jié)構(gòu)來說,該測(cè)試線引線為柵線引線,對(duì)于頂柵結(jié)構(gòu),該測(cè)試線引線為數(shù)據(jù)線引線。下面以底柵結(jié)構(gòu)為例,對(duì)本發(fā)明陣列基板的檢測(cè)方法進(jìn)行詳細(xì)說明。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是,對(duì)于頂柵結(jié)構(gòu)來說,其實(shí)現(xiàn)原理類似,此處不再贅述。圖沈?yàn)楸景l(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的檢測(cè)方法的流程圖,如圖沈所示,本實(shí)施例的方法可以包括步驟201、在形成TFT測(cè)試溝道且去除測(cè)試區(qū)域的TFT測(cè)試圖案中柵線引線上方的柵絕緣層薄膜之后,將測(cè)試探針與所述柵線弓I線接觸。步驟202、改變所述柵線引線的輸入電壓,獲取測(cè)試區(qū)域的源漏極之間的電流變化
fn息ο步驟203、根據(jù)所述電流變化信息,確定像素區(qū)域的TFT圖案的電特性。具體來說,現(xiàn)有技術(shù)中,陣列基板的制造與對(duì)TFT圖案的電特性檢測(cè)的工藝過程為先在襯底基板上形成柵極金屬線,然后形成硅島與源漏極金屬線以及TFT溝道,再形成鈍化層和鈍化層過孔,最后形成透明電極。在上述步驟完成后,也即陣列基板制造工藝完成后,再對(duì)形成的TFT圖案的電特性進(jìn)行測(cè)試。相比之下,本發(fā)明在形成像素區(qū)域和測(cè)試區(qū)域的TFT溝道之后且在形成鈍化層之前,即可對(duì)TFT測(cè)試圖案的電特性進(jìn)行檢測(cè),在檢測(cè)完成后,再進(jìn)行后續(xù)的生產(chǎn)工藝。因此,本實(shí)施例的檢測(cè)陣列基板的方法可以便于操作者及時(shí)獲知像素區(qū)域的TFT圖案的電特性,從而及時(shí)對(duì)生產(chǎn)線進(jìn)行維修。
本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實(shí)現(xiàn)上述方法實(shí)施例的全部或部分步驟可以通過程序指令相關(guān)的硬件來完成,前述的程序可以存儲(chǔ)于一計(jì)算機(jī)可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)中,該程序在執(zhí)行時(shí),執(zhí)行包括上述方法實(shí)施例的步驟;而前述的存儲(chǔ)介質(zhì)包括R0M、RAM、磁碟或者光盤等各種可以存儲(chǔ)程序代碼的介質(zhì)。最后應(yīng)說明的是以上實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案,而非對(duì)其限制;盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明,本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改,或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換;而這些修改或者替換,并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板的制造方法,至少包括在像素區(qū)域形成TFT圖案并對(duì)應(yīng)地在測(cè)試區(qū)域形成TFT測(cè)試圖案的步驟,其特征在于,在形成鈍化層之前,還包括去除所述TFT測(cè)試圖案中測(cè)試線引線上方的柵絕緣層薄膜的步驟。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制造方法,其特征在于,所述在形成鈍化層之前, 還包括去除所述TFT測(cè)試圖案中測(cè)試線引線上方的柵絕緣層薄膜的步驟,具體為在形成TFT溝道之前,去除所述測(cè)試區(qū)域中覆蓋在柵線引線上方的柵絕緣層薄膜的步馬聚ο
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制造方法,其特征在于,所述在形成鈍化層之前, 還包括去除所述TFT測(cè)試圖案中測(cè)試線引線上方的柵絕緣層薄膜的步驟,具體為在形成TFT溝道之后且形成鈍化層之前,去除所述測(cè)試區(qū)域中覆蓋在數(shù)據(jù)線引線上方的柵絕緣層薄膜的步驟。
4.根據(jù)權(quán)利要求1 3中任一權(quán)利要求所述的陣列基板的制造方法,其特征在于,去除所述TFT測(cè)試圖案中測(cè)試線引線上方的柵絕緣層薄膜的步驟具體為利用光刻膠的高度差,采用離地剝離工藝去除所述測(cè)試線引線上方的柵絕緣層薄膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板的制造方法,其特征在于,去除覆蓋在柵線引線上方的柵絕緣層薄膜的步驟,具體包括在襯底基板的像素區(qū)域和測(cè)試區(qū)域上形成柵金屬薄膜,在所述柵金屬薄膜上涂覆光刻膠,并采用雙色調(diào)掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光顯影,形成包括第一厚度區(qū)域、第二厚度區(qū)域和完全去除區(qū)域的光刻膠圖案,所述第一厚度區(qū)域的光刻膠圖案位于像素區(qū)域的柵線位置上方、測(cè)試區(qū)域的柵線位置上方,所述第二厚度區(qū)域的光刻膠圖案位于像素區(qū)域的柵線引線上方和測(cè)試區(qū)域的柵線引線上方,且第一厚度小于第二厚度;進(jìn)行第一次刻蝕,刻蝕掉完全去除區(qū)域?qū)?yīng)的柵金屬薄膜,在像素區(qū)域形成包括柵線和柵線引線的圖案,在測(cè)試區(qū)域形成包括柵線和柵線引線的圖案,并按照第一厚度灰化去除光刻膠;在形成上述圖案的襯底基板的像素區(qū)域和測(cè)試區(qū)域上連續(xù)沉積柵絕緣層薄膜、半導(dǎo)體層薄膜、摻雜半導(dǎo)體層薄膜和源漏金屬薄膜,并剝離像素區(qū)域的柵線引線上方以及測(cè)試區(qū)域的柵線引線上方的光刻膠;在形成上述圖案的襯底基板的像素區(qū)域和測(cè)試區(qū)域上涂覆光刻膠,并采用雙色調(diào)掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光顯影,形成包括第三厚度區(qū)域、第四厚度區(qū)域和完全去除區(qū)域的光刻膠圖案,所述第三厚度區(qū)域的光刻膠圖案位于像素區(qū)域的源漏電極區(qū)域和柵線引線上方以及測(cè)試區(qū)域的源漏電極區(qū)域和柵線引線上方,所述第四厚度區(qū)域的光刻膠圖案位于像素區(qū)域的溝道區(qū)域上方以及測(cè)試區(qū)域的溝道區(qū)域上方,且第四厚度小于第三厚度;進(jìn)行第二次刻蝕,刻蝕掉完全去除區(qū)域?qū)?yīng)的半導(dǎo)體層薄膜、摻雜半導(dǎo)體層薄膜和源漏金屬薄膜,并按照第四厚度灰化去除光刻膠;進(jìn)行第三次刻蝕,刻蝕掉所述像素區(qū)域的溝道區(qū)域和所述測(cè)試區(qū)域的溝道區(qū)域的源漏金屬薄膜、摻雜半導(dǎo)體層薄膜和部分半導(dǎo)體層薄膜,形成像素區(qū)域的TFT溝道和測(cè)試區(qū)域的TFT溝道;并將所述像素區(qū)域的源漏電極上方的光刻膠和柵線引線上方的光刻膠、所述測(cè)試區(qū)域的源漏電極上方的光刻膠以及柵極引線上方的光刻膠剝離;在形成上述圖案的襯底基板上通過光刻工藝形成像素電極和保護(hù)層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板的制造方法,其特征在于,所述在形成上述圖案的襯底基板上通過光刻工藝形成像素電極和保護(hù)層,包括在形成上述圖案的襯底基板上沉積鈍化層,并在所述像素區(qū)域形成鈍化層過孔;在形成上述圖案的襯底基板上沉積透明電極層,在所述透明電極層上涂覆光刻膠,采用單色調(diào)掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光顯影,形成位于像素區(qū)域的像素電極上方的光刻膠圖案;進(jìn)行第四次刻蝕,在所述像素區(qū)域形成像素電極的圖案。
7.—種陣列基板,包括像素區(qū)域和測(cè)試區(qū)域,其特征在于,所述測(cè)試區(qū)域的測(cè)試線引線的上方與鈍化層接觸。
8.一種液晶面板,包括對(duì)盒設(shè)置的彩膜基板和陣列基板,其間填充有液晶層,其特征在于,所述陣列基板采用權(quán)利要求7所述的陣列基板的結(jié)構(gòu)。
9.一種陣列基板的檢測(cè)方法,其特征在于,所述方法在形成TFT測(cè)試溝道且去除測(cè)試區(qū)域的TFT測(cè)試圖案中測(cè)試線引線上方的柵絕緣層薄膜之后,對(duì)所述TFT測(cè)試圖案的電特性進(jìn)行檢測(cè)處理。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板的檢測(cè)方法,其特征在于,所述對(duì)所述TFT測(cè)試圖案的電特性進(jìn)行檢測(cè)處理,包括將測(cè)試探針與所述柵線引線接觸;改變所述柵線引線的輸入電壓,獲取測(cè)試區(qū)域的源漏極之間的電流變化信息;根據(jù)所述電流變化信息,確定像素區(qū)域的TFT圖案的電特性。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板的檢測(cè)方法,其特征在于,所述對(duì)所述TFT測(cè)試圖案的電特性進(jìn)行檢測(cè)處理,包括將測(cè)試探針與所述數(shù)據(jù)線引線接觸;改變柵線弓丨線的輸入電壓,獲取測(cè)試區(qū)域的源漏極之間的電流變化信息;根據(jù)所述電流變化信息,確定像素區(qū)域的TFT圖案的電特性。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種陣列基板的制造方法和檢測(cè)方法、液晶面板。本發(fā)明提供一種陣列基板的制造方法,至少包括在像素區(qū)域形成TFT圖案并對(duì)應(yīng)地在測(cè)試區(qū)域形成TFT測(cè)試圖案的步驟,在形成像素區(qū)域的TFT溝道之后且在形成鈍化層之前,還包括去除所述TFT測(cè)試圖案中柵線引線或源漏極上方的柵絕緣層薄膜的步驟。本發(fā)明還公開了一種陣列基板的檢測(cè)方法,所述方法在形成TFT測(cè)試溝道且去除測(cè)試區(qū)域的TFT測(cè)試圖案中柵線引線或者源漏極上方的柵絕緣層薄膜之后,對(duì)所述TFT測(cè)試圖案的電特性進(jìn)行檢測(cè)處理。本發(fā)明可以及時(shí)檢查獲知像素區(qū)域的TFT圖案的電特性,從而及時(shí)進(jìn)行生產(chǎn)線工藝與設(shè)備的調(diào)整。
文檔編號(hào)H01L23/544GK102487042SQ20101057942
公開日2012年6月6日 申請(qǐng)日期2010年12月3日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月3日
發(fā)明者秦緯 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司