專利名稱：發(fā)光器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
實(shí)施例涉及一種發(fā)光器件。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(LED)是將電流轉(zhuǎn)換為光的半導(dǎo)體發(fā)光器件。LED已經(jīng)被廣泛地用作 用于顯示裝置、車輛、或者照明裝置的光源。另外，LED能夠通過采用包括發(fā)光材料的成型 構(gòu)件或者組合具有各種顏色的LED展示具有優(yōu)異的光效率的白色。LED對于ESD (靜電放電)或者浪涌現(xiàn)象的耐受力很弱，使得要求進(jìn)行改進(jìn)。

發(fā)明內(nèi)容
實(shí)施例提供具有新穎的結(jié)構(gòu)的發(fā)光器件。實(shí)施例提供能夠防止ESD或者浪涌現(xiàn)象的發(fā)光器件。實(shí)施例提供當(dāng)出現(xiàn)ESD或者浪涌現(xiàn)象時(shí)能夠使電流路徑繞路的發(fā)光器件。實(shí)施例提供能夠提高發(fā)光效率的發(fā)光器件。實(shí)施例提供能夠最小化缺陷率同時(shí)提高其可靠性的發(fā)光器件。根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件可以包括第一電極；包括第一電極上方的第一半導(dǎo)體 層、第一半導(dǎo)體層上方的有源層、以及有源層上方的第二半導(dǎo)體層的發(fā)光結(jié)構(gòu)；第二半導(dǎo)體 層上方的第二電極；以及連接構(gòu)件，該連接構(gòu)件被電氣地連接到第二電極并且被布置在第 二半導(dǎo)體層和第一半導(dǎo)體層之間，同時(shí)與第一半導(dǎo)體層形成肖特基接觸。根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件可以包括第一電極，該第一電極包括具有導(dǎo)電性的支撐 構(gòu)件；第一電極上方的包括第一半導(dǎo)體層、有源層、以及第二半導(dǎo)體層的發(fā)光結(jié)構(gòu)；第二半 導(dǎo)體層上方的第二電極；連接構(gòu)件，該連接構(gòu)件被布置在第一和第二半導(dǎo)體層之間并且接 觸第一和第二半導(dǎo)體層，同時(shí)連接構(gòu)件與第一和第二半導(dǎo)體層中的一個(gè)形成肖特基接觸； 在發(fā)光結(jié)構(gòu)的橫向側(cè)和連接構(gòu)件之間的絕緣構(gòu)件；以及發(fā)光結(jié)構(gòu)的橫向側(cè)上的鈍化層。根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件可以包括第一電極，該第一電極包括具有導(dǎo)電性的支撐 構(gòu)件；第一電極上方的反射層；沿著反射層的頂表面的外圍部分的保護(hù)層；反射層的頂表 面和保護(hù)層的內(nèi)側(cè)上的歐姆接觸層；歐姆接觸層和保護(hù)層上的包括第一半導(dǎo)體層、絕緣層 和第二半導(dǎo)體層的發(fā)光結(jié)構(gòu)；第二半導(dǎo)體層上方的第二電極；連接構(gòu)件，該連接構(gòu)件被電 氣地連接到第二電極并且被布置在第一和第二半導(dǎo)體層之間，同時(shí)與第一半導(dǎo)體層形成肖 特基接觸；以及在發(fā)光結(jié)構(gòu)的橫向側(cè)和連接構(gòu)件之間的絕緣構(gòu)件。


圖1是示出根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光器件的截面圖2是示出發(fā)光器件的平面圖；圖3至圖9是示出用于根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光器件的 制造過程的截面圖；圖10是示出根據(jù)另一實(shí)施例的發(fā)光器件的截面圖；圖11是示出根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光器件的截面圖；圖12是示出根據(jù)第三實(shí)施例的發(fā)光器件的截面圖；圖13是示出根據(jù)第四實(shí)施例的發(fā)光器件的截面圖；圖14是示出根據(jù)第五實(shí)施例的發(fā)光器件的截面圖；圖15是示出根據(jù)實(shí)施例的包括發(fā)光器件的發(fā)光器件封裝的截面圖；圖16是根據(jù)實(shí)施例的顯示裝置的分解透視圖；圖17是示出根據(jù)實(shí)施例的顯示裝置的截面圖；以及圖18是示出根據(jù)實(shí)施例的照明裝置的透視圖。
具體實(shí)施例方式在實(shí)施例的描述中，將會(huì)理解的是，當(dāng)層(或膜)、區(qū)域、圖案或結(jié)構(gòu)被稱為在另一 襯底、另一層(或膜)、另一區(qū)域、另一墊、或另一圖案“上”或“下”時(shí)，它可以“直接”或“間 接”在另一襯底、層(或膜)、區(qū)域、墊或圖案上，或者也可以存在一個(gè)或多個(gè)中間層。已經(jīng) 參考附圖描述了層的這樣的位置。在下文中，將參考附圖描述實(shí)施例。為了方便或清楚起見，附圖中所示的每層的厚 度和尺寸可以被夸大、省略或示意性繪制。另外，元件的尺寸沒有完全反映真實(shí)尺寸。圖1是示出根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光器件的截面圖，并且圖2是圖1中所示的發(fā)光 器件的平面圖。參考圖1和圖2，發(fā)光器件1包括第一電極170、反射層160、保護(hù)層158、歐姆接觸 層155、第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層150、有源層140、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層130、第二電極180、連接構(gòu)件 185以及絕緣構(gòu)件145。例如，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層150、有源層140、以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層 130可以包括III-V族化合物半導(dǎo)體并且組成發(fā)光結(jié)構(gòu)。第一電極170具有用于支撐形成在其上的層的功能并且具有作為電極的功能。換 言之，第一電極170可以包括具有導(dǎo)電性的支撐構(gòu)件。第一電極170可以包括從由Ti、Cr、Ni、Al、Pt、Au、W、Cu以及Mo或者摻雜有雜質(zhì) 的半導(dǎo)體襯底組成的組中選擇的至少一個(gè)，但是實(shí)施例不限于此。第一電極170能夠被放置和/或沉積在發(fā)光結(jié)構(gòu)下面或者以片的形式附著，但是 實(shí)施例不限于此。第一電極170支撐發(fā)光結(jié)構(gòu)并且和第二電極180 —起將電力提供給發(fā)光器件1。反射層160可以形成在第一電極170上。通過使用從由具有高反射率的Ag、Al、 Pt、以及其合金組成的組中選擇的至少一個(gè)能夠制備反射層160，但是實(shí)施例不限于此。反射層160反射從發(fā)光結(jié)構(gòu)反射的光，從而提高發(fā)光器件1的光提取效率。包括Ni或者Ti的粘附層(未示出)能夠形成在反射層160和第一電極170之間 以提高其間的界面粘附性質(zhì)。沿著發(fā)光結(jié)構(gòu)的外圍部分能夠形成保護(hù)層158。保護(hù)層158可以包括從由Si02、 Six0y、Si3N4、SixNy、Si0xNy、Al203、Ti02、IT0、AZ0、以及 ZnO 組成的組中選擇的至少一個(gè)，但是實(shí)施例不限于此。 保護(hù)層158防止發(fā)光結(jié)構(gòu)接觸第一電極170，從而防止電氣短路。歐姆接觸層155可以形成在反射層160的頂表面和保護(hù)層158的內(nèi)側(cè)上。歐姆 接觸層155可以包括從由Ni、Pt、Ir、Rh、以及Ag組成的組中選擇的至少一個(gè)，但是實(shí)施例 不限于此。歐姆接觸層155可以進(jìn)一步包括從由ITO(銦錫氧化物)、IZO(銦鋅氧化物)、 IZTO (銦鋅錫氧化物)、IAZO (銦鋁鋅氧化物)、IGZO (銦鎵鋅氧化物)、IGTO (銦鎵錫氧化 物)、ΑΖ0(鋁鋅氧化物)、ΑΤ0(銻錫氧化物)、或者GZO(嫁鋅氧化物)組成的組中選擇的至 少一個(gè)，但是實(shí)施例不限于此。歐姆接觸層155可以最小化第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層150和反射層160之間的歐姆接觸 電阻。另外，歐姆接觸層155可以包括圖案以提高發(fā)光器件1的電流擴(kuò)展。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層150可以形成在歐姆接觸層155和保護(hù)層158上。例如， 第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層150包括摻雜有ρ型摻雜物的ρ半導(dǎo)體層。ρ半導(dǎo)體層可以包括諸 如從由InAlGaN、GaN, AlGaN, InGaN, A1N、或者InN組成的組中選擇的至少一個(gè)的具有 InxAlyGa1^yN(0彡χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)的組成式的半導(dǎo)體材料。另夕卜，ρ半導(dǎo) 體層可以被摻雜有諸如Mg、Zn、Ca、Sr、或者Ba的ρ型摻雜物。有源層140能夠形成在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層150上。有源層140通過通過第二導(dǎo)電 半導(dǎo)體層130注入的電子(或者空穴)和通過第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層150注入的空穴(或者電 子)的復(fù)合發(fā)射光。確定光的顏色的光的波長可以取決于用于有源層140的本征材料而變 化。即，根據(jù)有源層140的本征材料來確定能帶的帶隙，并且有源層140發(fā)射具有與帶隙差 相對應(yīng)的波長的光。有源層140可以具有單量子阱結(jié)構(gòu)、MQff(多量子阱)結(jié)構(gòu)、量子線結(jié)構(gòu)或者量子 點(diǎn)結(jié)構(gòu)，但是實(shí)施例不限于此。如果有源層140具有MQW結(jié)構(gòu)，那么有源層140被制備為包括多個(gè)阱層和阻擋層 的堆疊結(jié)構(gòu)。例如，有源層140可以具有InGaN阱層/GaN阻擋層的堆疊結(jié)構(gòu)。摻雜有η型或者ρ型摻雜物的包覆層(未示出)能夠形成在有源層140上或下面。 包覆層可以包括AlGaN層或者InAlGaN層。第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層130可以形成在有源層140上。例如，第二導(dǎo)電半導(dǎo) 體層130可以包括包含η型摻雜物的η型半導(dǎo)體層。η型半導(dǎo)體層可以包括具有 InxAlyGa1^yN(0彡χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)的組成式的半導(dǎo)體材料。例如，η型半 導(dǎo)體層可以包括從由InAlGaN、GaN, AlGaN, InGaN, A1N、以及InN組成的組中選擇的一個(gè)。 另外，η型半導(dǎo)體層可以摻雜有諸如Si、Ge或者Sn的η型摻雜物。第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層130可以包括ρ型半導(dǎo)體層，并且第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層150可以 包括η型半導(dǎo)體層。另外，其它的導(dǎo)電半導(dǎo)體層(未示出)和有源層能夠形成在第二導(dǎo)電 半導(dǎo)體層130上。因此，發(fā)光器件1具有ΝΡ、ΡΝ、ΝΡΝ以及PNP結(jié)結(jié)構(gòu)中的一個(gè)，但是實(shí)施例 不限于此。第二電極180形成在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層130的頂表面上。第二電極180與第一電 極170—起將電力提供到發(fā)光器件1。例如，第二電極180包括從由Al、Ti以及Cr組成的 組中選擇的至少一個(gè)，但是實(shí)施例不限于此。第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層130形成為其頂表面上具有凹凸結(jié)構(gòu)以提高發(fā)光器件1的光提取效率。發(fā)光結(jié)構(gòu)可以包括溝槽135。溝槽135能夠局部地形成在發(fā)光結(jié)構(gòu)中。溝槽135具 有預(yù)定的尺寸并且以齒(dent)的形式朝著發(fā)光結(jié)構(gòu)的下邊凹陷。當(dāng)從頂部看時(shí)，溝槽135 具有三角形、矩形、多邊形、圓形、或者橢圓形形狀，但是實(shí)施例不限于此。通過蝕刻或者激 光鉆孔工藝能夠形成溝槽135。溝槽135延伸通過第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層130和有源層140并 且通過溝槽135部分地移除第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層150使得通過溝槽135暴露第一導(dǎo)電半導(dǎo)體 層150。然而，實(shí)施例不會(huì)限制溝槽135的形狀和制造方法。
沿著溝槽135可以形成連接構(gòu)件185。S卩，連接構(gòu)件185能夠形成在溝槽135中的 第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層150、有源層140以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層130的橫向側(cè)處。連接構(gòu)件185 的一端186接觸第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層130并且連接構(gòu)件185的另一端187接觸第一導(dǎo)電半導(dǎo) 體層150。連接構(gòu)件185的一端186能夠與第二電極180形成為一體，但是實(shí)施例不限于 此。通過鍍工藝和沉積工藝中的至少一個(gè)能夠形成連接構(gòu)件185，但是實(shí)施例不限于 此。連接構(gòu)件185可以電氣地連接到第二電極180同時(shí)被布置在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層 130和第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層150之間。另外，連接構(gòu)件185肖特基接觸第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層150。 換言之，連接構(gòu)件185分別接觸第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層130和第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層150，并且與第 二導(dǎo)電半導(dǎo)體層130和第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層150中的一個(gè)形成肖特基接觸，并且與第二導(dǎo)電 半導(dǎo)體層130和第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層150中的另一個(gè)形成歐姆接觸。根據(jù)實(shí)施例，歐姆接觸 形成在連接構(gòu)件185和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層130之間，并且肖特基接觸形成在連接構(gòu)件185 和第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層150之間。連接構(gòu)件185可以包括從由Al、Ti以及Cr組成的組中選擇的至少一個(gè)以與第一 導(dǎo)電半導(dǎo)體層150形成肖特基接觸。如果連接構(gòu)件185可以包括以上金屬，那么連接構(gòu)件185的一端186接觸第二導(dǎo) 電半導(dǎo)體層130同時(shí)形成歐姆接觸，并且連接構(gòu)件185的另一端187接觸第一導(dǎo)電半導(dǎo)體 層150同時(shí)形成肖特基接觸。在連接構(gòu)件185的另一端187和第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層150之間的接觸界面138處可 以產(chǎn)生勢壘，因?yàn)橛捎谛ぬ鼗佑|導(dǎo)致在接觸界面138處出現(xiàn)高電阻。接觸界面138可以 包括通過加工形成在溝槽135中的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層150的頂表面形成的凹凸結(jié)構(gòu)，使得 通過肖特基接觸能夠產(chǎn)生高電阻。即，由于凹凸結(jié)構(gòu)使得可以通過肖特基接觸在連接構(gòu)件 185和第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層150之間產(chǎn)生高勢壘。詳細(xì)地，在接觸界面138處可以產(chǎn)生高于用于發(fā)光器件1的操作電壓的勢壘。因 此，必須施加高于勢壘的電壓以允許電流流過第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層150。例如，勢壘處于4V至 6V的范圍。勢壘可以取決于發(fā)光器件1的設(shè)計(jì)規(guī)則而變化并且實(shí)施例不限于此。由于勢壘高于用于發(fā)光器件1的操作電壓，因此如果正向電壓被施加給發(fā)光器件 1，那么電流不會(huì)流過接觸界面138，但是流過發(fā)光結(jié)構(gòu)，使得發(fā)光器件1發(fā)射光。相反地，如果高于勢壘的反向電壓被施加給發(fā)光器件1，例如，如果由于ESD或者 浪涌現(xiàn)象導(dǎo)致高于勢壘的電壓被施加給發(fā)光器件1，那么電流會(huì)流過接觸界面138，并且然 后經(jīng)由第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層150流過歐姆接觸層155和第一電極170，使得能夠針對源于ESD或者浪涌現(xiàn)象的高壓保護(hù)發(fā)光結(jié)構(gòu)。絕緣構(gòu)件145可以形成在溝槽135的內(nèi)壁和連接構(gòu)件135之間。絕緣構(gòu)件145形 成在溝槽135中的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層150、有源層140、以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層130的橫向 側(cè)處 。另外，絕緣構(gòu)件145能夠形成在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層150的頂表面的一部分上。連接構(gòu) 件185至少覆蓋在連接構(gòu)件185的一端186和另一端187之間的絕緣構(gòu)件145的一部分。 艮口，連接構(gòu)件185的一端186接觸第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層I30同時(shí)與第二電極180形成為一體 并且連接構(gòu)件185的另一端187接觸第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層150以至少覆蓋絕緣構(gòu)件145的一 部分。絕緣構(gòu)件145防止連接構(gòu)件185和發(fā)光結(jié)構(gòu)的每層發(fā)生電氣短路。同時(shí)，如圖1中所示，絕緣構(gòu)件145形成在除了接觸界面138之外的溝槽135的內(nèi) 壁處，但是實(shí)施例不限于此。例如，絕緣構(gòu)件可以包括從由Si02、SixOy, Si3N4, SixNy、SiOxNy、A1203、以及 TiO2 組 成的組中選擇的至少一個(gè)。參考圖1和圖10，能夠移除其中沒有形成連接構(gòu)件185的發(fā)光結(jié)構(gòu)的第一區(qū)域A。 由于通過溝槽135分離并且絕緣第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層130，因此第一區(qū)域A不會(huì)有助于有源層 140的光發(fā)射，因此即使第一區(qū)域A被移除也能夠?qū)崿F(xiàn)實(shí)施例的效果。在下文中，將會(huì)參考圖3至圖9詳細(xì)地描述根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件的制造方法。在 下面的描述中，為了避免重復(fù)將會(huì)省略先前已經(jīng)描述的元件或者結(jié)構(gòu)的詳情。另外，為了便 于解釋，假定發(fā)光結(jié)構(gòu)形成在襯底110下面。圖3至圖9是示出用于根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光器件的制造過程的截面圖。參考圖3，發(fā)光結(jié)構(gòu)形成在襯底110上。即，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層130形成在襯底110上，有源層140形成在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體 層130上，并且第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層150形成在有源層140上。另外，包括II至VI族化合物半導(dǎo)體的非導(dǎo)電半導(dǎo)體層和/或緩沖層能夠被成在 第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層130和襯底110之間，但是實(shí)施例不限于此。襯底110 可以包括從由 Al203、SiC、Si、GaAs、GaN、Zn0、GaP、InP、以及 Ge 組成的組 中選擇的至少一個(gè)。參考圖4，沿著第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層150的外圍部分形成保護(hù)層158。通過沉積工藝 能夠形成保護(hù)層158，但是實(shí)施例不限于此。保護(hù)層I58 可以包括從由 Si02、Six0y、Si3N4、SixNy、Si0xNy、Al203、Ti02、IT0、AZ0、以 及ZnO組成的組中選擇的至少一個(gè)。參考圖5，歐姆接觸層155形成在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層150的頂表面和保護(hù)層158的 內(nèi)部上。反射層160形成在歐姆接觸層155和保護(hù)層158上。另外，第一電極170形成在 反射層160上。如果反射層160具有最小化歐姆接觸電阻的功能，那么歐姆接觸層155可以被省 略，并且實(shí)施例不限于此。參考圖6，得到的結(jié)構(gòu)被翻轉(zhuǎn)使得襯底110被布置在最上層并且從第二導(dǎo)電半導(dǎo) 體層130移除襯底110。通過LLO(激光剝離)方案和/或蝕刻方案能夠移除襯底110，但是實(shí)施例不限于 此。
在襯底110已經(jīng)被移除之后，通過蝕刻工藝部分地移除第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層130的 表面，或者從第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層150移除緩沖層(未示出)和/或非導(dǎo)電半導(dǎo)體層(未示 出)，但是實(shí)施例不限于此。參考圖7，發(fā)光結(jié)構(gòu)進(jìn)行臺(tái)面蝕刻工藝，使得臺(tái)面結(jié)構(gòu)形成在發(fā)光結(jié)構(gòu)的橫向側(cè) 處。然后，執(zhí)行蝕刻工藝和/或激光工藝以通過第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層130和有源層140 形成溝槽135，使得能夠暴露第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層150，但是實(shí)施例不限于此。參考圖8，絕緣構(gòu)件145形成在除了接觸界面138之外的溝槽135的內(nèi)壁處。絕緣 構(gòu)件145使發(fā)光結(jié)構(gòu)與將會(huì)在后續(xù)工藝中形成的連接構(gòu)件185絕緣。絕緣構(gòu)件145形成在 溝槽135中第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層150、有源層140、以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層130的橫向側(cè)處。另 夕卜，絕緣構(gòu)件145形成在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層150的頂表面的一部分上。此外，絕緣構(gòu)件145 形成在溝槽135附近第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層130的一部分上。通過沉積工藝能夠形成絕緣構(gòu)件145，但是實(shí)施例不限于此。絕緣構(gòu)件145 可以包括從由 Si02、SixOy, Si3N4, SixNy、SiOxNy、A1203、以及 TiO2 組成 的組中選擇的至少一個(gè)。參考圖9，第二電極180形成在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層130上。另外，沿著溝槽135形 成連接構(gòu)件185。連接構(gòu)件185的一端186接觸第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層I30并且連接構(gòu)件185 的另一端187通過接觸界面138接觸第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層150。連接構(gòu)件185能夠與第二電 極1 80形成為一體。通過鍍工藝和沉積工藝中的至少一個(gè)能夠形成連接構(gòu)件185，但是實(shí)施例不限于 此。連接構(gòu)件185接觸第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層130和第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層150以與第二導(dǎo)電 半導(dǎo)體層130和第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層150中的一個(gè)形成肖特基接觸，并且與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體 層130和第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層150中的另一個(gè)形成歐姆接觸。連接構(gòu)件185可以包括從由 Al、Ti以及Cr組成的組中選擇的至少一個(gè)，但是實(shí)施例不限于此。詳細(xì)地，在接觸界面138處可以產(chǎn)生高于用于發(fā)光器件1的操作電壓的勢壘。因 此，必須施加高于勢壘的電壓以允許電流流過第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層150。例如，勢壘處于4V至 6V的范圍。勢壘可以取決于發(fā)光器件1的設(shè)計(jì)規(guī)則而變化并且實(shí)施例不限于此。由于勢壘高于用于發(fā)光器件1的操作電壓，因此，如果正向電壓被施加給發(fā)光器 件1，那么電流不會(huì)流過接觸界面138，而是流過發(fā)光結(jié)構(gòu)，使得發(fā)光器件1發(fā)射光。相反地，如果高于勢壘的反向電壓被施加給發(fā)光器件1，例如，如果由于ESD或者 浪涌現(xiàn)象導(dǎo)致高于勢壘的電壓被施加給發(fā)光器件1，那么電流會(huì)流過接觸界面138，并且然 后經(jīng)由第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層150流過歐姆接觸層155和第一電極170，使得能夠針對源于ESD 或者浪涌現(xiàn)象的高壓保護(hù)發(fā)光結(jié)構(gòu)。第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層130形成為在其頂表面上形成有凹凸結(jié)構(gòu)以提高發(fā)光器件1的 光提取效率。在下文中，將會(huì)描述根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光器件和發(fā)光器件的制造方法。在第二 實(shí)施例的下述描述中，為了避免重復(fù)將會(huì)省略先前在第一實(shí)施例中已經(jīng)描述的元件或者結(jié) 構(gòu)的詳情。
除了第二電極180與連接構(gòu)件185隔開之外，根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光器件2與根 據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光器件1相同。圖11是示出根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光器件的視圖。參 考圖11，發(fā)光器件2包括第一電極170、反射層160、保護(hù)層158、歐姆接觸層 155、第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層150、有源層140、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層130、第二電極180、連接構(gòu)件 185以及絕緣構(gòu)件145。第二電極180能夠形成在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層130上。沿著溝槽135形成連接構(gòu)件185。連接構(gòu)件185的一端186接觸第二導(dǎo)電半導(dǎo)體 層130并且連接構(gòu)件185的另一端187接觸第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層150。第二電極180與連接構(gòu)件185的一端186隔開。另外，第二電極180與連接構(gòu)件 185的一端186電氣地絕緣。盡管第二電極180與連接構(gòu)件185隔開，但是由于第二導(dǎo)電 半導(dǎo)體層130具有導(dǎo)電性，因此連接構(gòu)件185能夠針對ESD或者浪涌現(xiàn)象保護(hù)發(fā)光器件2。 詳細(xì)地，當(dāng)源自ESD或者浪涌現(xiàn)象的高壓被施加給第二電極180時(shí)，由于第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層 130具有導(dǎo)電性，在第二電極180、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層130、連接構(gòu)件185、第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層 150、歐姆接觸層155、反射層160以及第一電極170之間形成電流路徑，使得能夠防止源自 ESD或者浪涌現(xiàn)象的高反向電壓破壞發(fā)光結(jié)構(gòu)。如果沒有形成該電流路徑，那么發(fā)光結(jié)構(gòu)會(huì) 由于源自ESD或者浪涌現(xiàn)象的高反向電壓而導(dǎo)致被破壞。在下文中，將會(huì)描述根據(jù)第三實(shí)施例的發(fā)光器件和發(fā)光器件的制造方法。在第三 實(shí)施例的描述中，為了避免重復(fù)將會(huì)省略先前在第一實(shí)施例中已經(jīng)描述的元件或者結(jié)構(gòu)的 詳情。除了沿著發(fā)光結(jié)構(gòu)的外圍部分形成連接構(gòu)件之外，根據(jù)第三實(shí)施例的發(fā)光器件與 根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光器件相同。圖12是示出根據(jù)第三實(shí)施例的發(fā)光器件的截面圖。參考圖12，發(fā)光器件3包括第一電極(未示出)、反射層(未示出)、保護(hù)層158、 歐姆接觸層(未示出)、第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層150、有源層140、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層130、第二電 極180、連接構(gòu)件185a以及絕緣構(gòu)件145a。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層150、有源層140、以及第二 導(dǎo)電半導(dǎo)體層130可以組成發(fā)光結(jié)構(gòu)。沿著發(fā)光結(jié)構(gòu)的外圍部分形成溝槽135a。溝槽135a的深度和形狀與根據(jù)第一實(shí) 施例的溝槽135的深度和形狀相同，但是實(shí)施例不限于此。通過蝕刻或者激光鉆孔工藝能夠形成溝槽135a。溝槽135a延伸通過第二導(dǎo)電半 導(dǎo)體層130和有源層140并且通過溝槽135a部分地移除第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層150使得通過 溝槽135a暴露第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層150。接觸界面能夠形成在暴露的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層150和連接構(gòu)件185a之間。詳細(xì) 地，沿著發(fā)光結(jié)構(gòu)的外圍部分形成接觸界面。接觸界面可以具有通過使用氧或氮等離子體 加工第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層150的頂表面形成的凹凸結(jié)構(gòu)，但是實(shí)施例不限于此。沿著溝槽135能夠形成連接構(gòu)件185a，其中連接構(gòu)件185a的一端186a接觸第二 導(dǎo)電半導(dǎo)體層130并且連接構(gòu)件185a的另一端187a通過接觸界面接觸第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層 150。沿著溝槽135a形成接觸連接構(gòu)件185a的另一端187a的接觸界面，使得接觸界面可 以具有盡可能大的面積。因此，當(dāng)由于ESD或者浪涌現(xiàn)象導(dǎo)致施加高反向電壓時(shí)，電流路徑被分布為使得能夠快速地阻擋ESD或者浪涌現(xiàn)象。因此，能夠最小化由ESD或者浪涌現(xiàn)象 引起的發(fā)光結(jié)構(gòu)的破壞。在下文中，將會(huì)描述根據(jù)第四實(shí)施例的發(fā)光器件和發(fā)光器件的制造方法。在第四 實(shí)施例的下述描述中，為了避免重復(fù)將會(huì)省略先前在第一實(shí)施例中已經(jīng)描述的元件或者結(jié) 構(gòu)的詳情。除了電流阻擋層153形成在歐姆接觸層155和第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層150之間之外， 根據(jù)第四實(shí)施例的發(fā)光器件4與根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光器件1相同。圖13是示出根據(jù)第四實(shí)施例的發(fā)光器件4的截面圖。參考圖13，發(fā)光器件4包括第一電極170、反射層160、保護(hù)層158、歐姆接觸層 155、電流阻擋層153、第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層150、有源層140、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層130、第二電極 180、連接構(gòu)件185以及絕緣構(gòu)件145。電流阻擋層153形成在歐姆接觸層155和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層I30之間。電流阻擋 層153的至少一部分可以在垂直方向上與第二電極180重疊。因此，電流阻擋層153防止電流集中在第一和第二電極170和180之間的最短距 離的范圍內(nèi)，從而提高發(fā)光器件4的發(fā)光效率。由于電流阻擋層IM干擾電流流動(dòng)，因此電 流不會(huì)流過電流阻擋層153。因此，在第一和第二電極170和180之間垂直地流動(dòng)的電流會(huì) 干擾電流阻擋層153，使得電流被分布到與電流阻擋層153相鄰的歐姆接觸層155。電流阻擋層153包括具有電絕緣屬性或者與第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層150形成肖特基 接觸的材料，但是實(shí)施例不限于此。例如，電流阻擋層153可以包括從由aiO、SiO2, SiOx, SiOxNy、Si3N4, A1203、TiOx, Ti、Al、以及Cr組成的組中選擇的至少一個(gè)，但是實(shí)施例不限于 此。在下文中，將會(huì)描述根據(jù)第五實(shí)施例的發(fā)光器件和發(fā)光器件的制造方法。在第五 實(shí)施例的下述描述中，為了避免重復(fù)將會(huì)省略先前在第一實(shí)施例中已經(jīng)描述的元件或者結(jié) 構(gòu)的詳情。除了鈍化層190形成在發(fā)射光的發(fā)光結(jié)構(gòu)的至少一側(cè)上之外根據(jù)第五實(shí)施例的 發(fā)光器件5與根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光器件1相同。圖14是示出根據(jù)第五實(shí)施例的發(fā)光器件的截面圖。參考圖14，發(fā)光器件5包括第一電極170、反射層160、保護(hù)層158、歐姆接觸層 155、第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層150、有源層140、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層130、第二電極180、連接構(gòu)件 185、絕緣構(gòu)件145、以及鈍化層190。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層130、有源層140以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層150可以組成發(fā)射光的 包括III至V族化合物半導(dǎo)體材料的發(fā)光結(jié)構(gòu)。鈍化層190能夠形成在發(fā)光結(jié)構(gòu)的至少一側(cè)上。詳細(xì)地，鈍化層190的一端形成 在發(fā)光結(jié)構(gòu)的頂表面上，即，形成在絕緣構(gòu)件145上。另外，鈍化層190的另一端沿著發(fā)光 結(jié)構(gòu)的橫向側(cè)延伸到保護(hù)層158上。鈍化層190可以防止在發(fā)光結(jié)構(gòu)和外部電極之間出現(xiàn)電氣短路，從而最小化發(fā)光 器件5的缺陷率并且提高發(fā)光器件5的可靠性。例如，鈍化層190 包括從由 ZnO, SiO2, SiOx、SiOxNy, Si3N4、Al2O3、以及 TiOx 組成的 組中選擇的至少一個(gè)。通過熱化學(xué)氧化發(fā)光結(jié)構(gòu)能夠?qū)⑩g化層制備為氧化層，但是實(shí)施例不限于此。圖15是示出根據(jù)實(shí)施例的包括發(fā)光器件的發(fā)光器件封裝的截面圖。參考圖15，發(fā)光器件封裝30包括主體20、形成在主體20上的第一和第二電極層 31和32、提供在主體20上并且被電氣地連接到第一和第二電極層31和32的發(fā)光器件1 以及包圍發(fā)光器件1的成型構(gòu)件40。主體20可以包括硅、合成樹脂或者金屬材料。當(dāng)從頂部看時(shí)，主體20具有形成有 傾斜內(nèi)壁53的腔體50。第一和第二電極層31和32被相互電氣地隔離并且通過穿過主體20形成。詳細(xì) 地，第一和第二電極層31和32的一端被布置在腔體50中并且第一和第二電極層31和32 中的另一端被附著到主體20的外表面并且被暴露到外部。第一和第二電極層31和32將電力提供給發(fā)光器件并且通過反射從發(fā)光器件1發(fā) 射的光來提高光效率。此外，第一和第二電極層31和32將從發(fā)光器件1產(chǎn)生的熱發(fā)散到 外部。發(fā)光器件1能夠被安裝在主體20上或者第一或第二電極層31或32上。發(fā)光器件1的第一和第二布線171和181能夠被電氣地連接到第一和第二電極層 31和32中的一個(gè)，但是實(shí)施例不限于此。成型構(gòu)件40包圍發(fā)光器件1以保護(hù)發(fā)光器件1。另外，成型構(gòu)件40可以包括發(fā)光 材料以改變從發(fā)光器件1發(fā)射的光的波長。根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件或者發(fā)光器件封裝能夠被應(yīng)用于燈單元。燈單元包括多個(gè) 發(fā)光器件或者多個(gè)發(fā)光器件封裝。燈單元可以包括如圖16和圖17中所示的顯示裝置和圖 18中所示的照明裝置。另外，燈單元可以包括照明燈、信號(hào)燈、車輛的頭燈、以及電子標(biāo)識(shí) 牌。圖16是示出根據(jù)實(shí)施例的顯示裝置的分解透視圖。參考圖16，顯示裝置1000包括導(dǎo)光板1041 ；發(fā)光模塊1031，該發(fā)光模塊1031用 于將光提供給導(dǎo)光板1041 ；反射構(gòu)件1022，該反射構(gòu)件1022被提供在導(dǎo)光板1041的下方； 光學(xué)片1051，該光學(xué)片1051被提供在導(dǎo)光板1041上方；顯示面板1061，該顯示面板1061 被提供在光學(xué)片1051上方；以及底蓋1011，該底蓋1011用于容納導(dǎo)光板1041、發(fā)光模塊 1031、以及反射構(gòu)件1022。然而，實(shí)施例不限于上述結(jié)構(gòu)。底蓋1011、反射片1022、導(dǎo)光板1041以及光學(xué)片1051可以組成燈單元1050。導(dǎo)光板1041漫射光以提供表面光。導(dǎo)光板1041可以包括透射材料。例如，導(dǎo)光 板1041可以包括諸如PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)的丙烯基樹脂、PET (聚對苯二甲酸乙二 酯)、PC(聚碳酸酯)、C0C(環(huán)烯烴共聚合物)以及PEN(聚鄰苯二甲酸酯)樹脂中的一個(gè)。發(fā)光模塊1031被布置在導(dǎo)光板1041的一側(cè)處以將光提供給導(dǎo)光板1041的至少 一側(cè)。發(fā)光模塊1031用作顯示裝置的光源。提供至少一個(gè)發(fā)光模塊1031以直接或間接地從導(dǎo)光板1041的一側(cè)提供光。發(fā)光 模塊1031可以包括根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件封裝30和襯底1033。發(fā)光器件封裝30被布置 在襯底1033上同時(shí)以預(yù)定的間隔相互隔開。襯底1033可以包括印刷電路板(PCB)，但是實(shí) 施例不限于此。另外，襯底1033還可以包括金屬核PCB (MCPCB)或者柔性PCB (FPCB)，但是 實(shí)施例不限于此。如果發(fā)光器件封裝30被安裝在底蓋1011的側(cè)面上或者散熱板上，那么襯底1033可以被省略。散熱板部分地接觸底蓋1011的頂表面。因此，從發(fā)光器件封裝30 產(chǎn)生的熱能夠通過散熱板被發(fā)射到頂蓋1011。另外，發(fā)光器件封裝30被布置為使得發(fā)光器件封裝30的出光表面與導(dǎo)光板1041 隔開預(yù)定的距離，但是實(shí)施例不限于此。發(fā)光器件封裝30可以將光直接或者間接地提供給 是導(dǎo)光板1041的一側(cè)的光入射表面，但是實(shí)施例不限于此。反射構(gòu)件1022被布置在導(dǎo)光板1041的下方。反射構(gòu)件1022朝著顯示面板1061 反射通過導(dǎo)光板1041的底表面向下行進(jìn)的光，從而提高顯示面板1061的亮度。例如，反射 構(gòu)件1022可以包括PET、PC或者PVC樹脂，但是實(shí)施例不限于此。反射構(gòu)件1022可以用作 底蓋1011的頂表面，但是實(shí)施例不限于此。底蓋1011可以在其中容納導(dǎo)光板1041、發(fā)光模塊1031、以及反射構(gòu)件1022。為 此，底蓋1011具有容納部分1012，其具有帶有開口的頂表面的盒形狀，但是實(shí)施例不限于 此。底蓋1011能夠與頂蓋(未示出)耦接，但是實(shí)施例不限于此。 能夠通過使用金屬材料或者樹脂材料通過按壓工藝或者擠出工藝制造底蓋1011。 另外，底蓋1011可以包括具有優(yōu)異的導(dǎo)熱性的金屬或者非金屬材料，但是實(shí)施例不限于 此。例如，顯示面板1061是包括彼此相對的第一和第二透明襯底和被插入在第一和 第二襯底之間的液晶層的LCD面板。偏振板能夠被附著到顯示面板1061的至少一個(gè)表面， 但是實(shí)施例不限于此。顯示面板1061通過阻擋從發(fā)光模塊1031產(chǎn)生的光或者允許光從其 經(jīng)過來顯示信息。顯示裝置1000能夠被應(yīng)用于各種便攜式終端、筆記本計(jì)算機(jī)的監(jiān)視器、 膝上電腦的監(jiān)視器、以及電視。光學(xué)片1051被布置在顯示面板1061和導(dǎo)光板1041之間并且至少包括一個(gè)透射 片。例如，光學(xué)片1051包括漫射片、水平和垂直棱鏡片和亮度增強(qiáng)片中的至少一個(gè)。漫射 片漫射入射光，水平和垂直棱鏡片將入射光集中在顯示面板1061上，并且亮度增強(qiáng)片通過 重新使用丟失的光提高亮度。另外，保護(hù)片能夠被提供在顯示面板1061上，但是實(shí)施例不 限于此。導(dǎo)光板1041和光學(xué)片1051能夠被提供在發(fā)光模塊1031的光路徑中作為光學(xué)構(gòu) 件，但是實(shí)施例不限于此。圖17是示出根據(jù)實(shí)施例的顯示裝置的截面圖。參考圖17，顯示裝置1100包括底蓋1152、其上布置發(fā)光器件封裝30的襯底1120、 光學(xué)構(gòu)件1154、以及顯示面板1155。襯底1120和發(fā)光器件封裝30可以組成發(fā)光模塊1060。另外，底蓋1152、至少一 個(gè)模塊1060、以及光學(xué)構(gòu)件IlM可以組成燈單元(未示出)。底蓋1151可以被提供有容納部分1153，但是實(shí)施例不限于此。光學(xué)構(gòu)件IlM可以包括透鏡、導(dǎo)光板、漫射片、水平和垂直棱鏡片、以及亮度增強(qiáng) 片中的至少一個(gè)。導(dǎo)光板可以包括PC或者PMMA(甲基丙烯酸甲酯)。導(dǎo)光板能夠被省略。 漫射片漫射入射光，水平和垂直棱鏡片將入射光集中在顯示面板1155上，并且亮度增強(qiáng)片 通過重新使用丟失的光提高亮度。光學(xué)構(gòu)件IlM被布置在發(fā)光模塊1060的上方以將從發(fā)光模塊1060發(fā)射的光轉(zhuǎn) 換為表面光。另外，光學(xué)構(gòu)件IIM可以漫射或者收集光。
圖18是示出根據(jù)實(shí)施例的照明裝置的透視圖。參考圖18，照明裝置1500包括外殼1510 ；發(fā)光模塊1530，該發(fā)光模塊1530被安 裝在外殼1510中；以及連接端子1520，該連接端子1520被安裝在外殼1510中以從外部電 源接收電力。優(yōu)選地，外殼1510包括具有優(yōu)異的散熱性能的材料。例如，外殼1510包括金屬材 料或者樹脂材料。發(fā)光模塊1530可以包括襯底1532，和被安裝在襯底1532上的發(fā)光器件封裝30。 發(fā)光器件封裝30被相互隔開或者以矩陣的形式布置。襯底1532包括印有電路圖案的絕緣構(gòu)件。例如，襯底1532包括PCB、MCPCB、柔性 PCB、陶瓷 PCB、FR-4 襯底。另外，襯底1532可以包括有效地反射光的材料。涂層能夠形成在襯底1532的表 面上。這時(shí)，涂層具有有效地反射光的白色或者銀色。至少一個(gè)發(fā)光器件封裝30被安裝在襯底1532上。每個(gè)發(fā)光器件封裝30可以包 括至少一個(gè)LED (發(fā)光二極管)芯片。LED芯片可以包括發(fā)射具有紅、綠、藍(lán)或者白色的可見 光的LED，和發(fā)射UV光的UV (紫外線)LED。發(fā)光模塊1530的發(fā)光器件封裝30能夠不同地組合以提供各種顏色和亮度。例如， 能夠布置白色LED、紅色LED以及綠色LED以實(shí)現(xiàn)高顯色指數(shù)(CRI)。連接端子1520被電氣地連接到發(fā)光模塊1530以將電力提供給發(fā)光模塊1530。連 接端子1520具有與外部電源插座螺旋耦合的形狀，但是實(shí)施例不限于此。例如，能夠以被 插入到外部電源的插腳的形式制備連接端子1520或者通過布線將連接端子1520連接到外 部電源。根據(jù)實(shí)施例，發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、有源層以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層。另 外，連接構(gòu)件的一端接觸第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層并且連接構(gòu)件的另一端接觸第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層 以與第一和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層中的一個(gè)形成肖特基接觸。因此，當(dāng)源自ESD或者浪涌現(xiàn)象 的高反向電壓被施加給發(fā)光結(jié)構(gòu)時(shí)，通過與連接構(gòu)件形成肖特基接觸的第一或者第二導(dǎo)電 半導(dǎo)體層形成電流路徑，使得能夠防止高反向電壓破壞發(fā)光結(jié)構(gòu)。根據(jù)實(shí)施例，發(fā)光結(jié)構(gòu)包括溝槽，該溝槽延伸通過第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層和有源層以 暴露第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層，并且溝槽具有齒形狀。另外，與連接構(gòu)件形成肖特基接觸的第一或 者第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層能夠形成為在其表面上形成有具有凹凸結(jié)構(gòu)的接觸界面。因此，連接 構(gòu)件被布置在第一和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層之間并且接觸界面形成在第一或者第二導(dǎo)電半導(dǎo) 體層的表面上，使得當(dāng)源自ESD或者浪涌現(xiàn)象的高反向電壓被施加給發(fā)光結(jié)構(gòu)時(shí)，形成至 少繞過有源層的電流路徑，從而防止發(fā)光結(jié)構(gòu)被ESD或者浪涌現(xiàn)象破壞。根據(jù)實(shí)施例，沿著發(fā)光結(jié)構(gòu)的外圍部分形成溝槽，并且與連接構(gòu)件形成肖特基接 觸的第一或者第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層形成為在其表面上形成有具有凹凸結(jié)構(gòu)的接觸界面。因 此，能夠最大化接觸界面的面積，使得當(dāng)源自ESD或者浪涌現(xiàn)象的高反向電壓被施加給發(fā) 光結(jié)構(gòu)時(shí)分布電流路徑，從而快速地阻擋ESD或者浪涌現(xiàn)象。根據(jù)實(shí)施例，連接構(gòu)件的一端與第二電極形成為一體。因此，由ESD或者浪涌現(xiàn)象 引起的被提供到第二電極的高反向電壓繞過與連接構(gòu)件形成肖特基接觸的導(dǎo)電半導(dǎo)體層， 使得能夠針對ESD或者浪涌現(xiàn)象保護(hù)發(fā)光結(jié)構(gòu)。
根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件的制造方法包括下述步驟制備第一電極、在第一電極上 形成包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、有源層、以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層的發(fā)光結(jié)構(gòu)、在第二導(dǎo)電半導(dǎo) 體層上形成第二電極、以及制備連接構(gòu)件，其一端與第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層接觸并且；另一端與 第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層接觸，其中連接構(gòu)件與第一和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層中的一個(gè)形成肖特基接 觸。在本說明書中對于“一個(gè)實(shí)施例”、“實(shí)施例”、“示例性實(shí)施例”等的引用意味著結(jié) 合實(shí)施例描述的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性被包括在本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例中。在說明書中， 在各處出現(xiàn)的這類短語不必都表示相同的實(shí)施例。此外，當(dāng)結(jié)合任何實(shí)施例描述特定特征、 結(jié)構(gòu)或特性時(shí)，都認(rèn)為結(jié)合實(shí)施例中的其它實(shí)施例實(shí)現(xiàn)這樣的特征、結(jié)構(gòu)或特性也是本領(lǐng) 域技術(shù)人員所能夠想到的。雖然已經(jīng)參照本發(fā)明的多個(gè)示例性實(shí)施例描述了實(shí)施例，但是應(yīng)該理解，本領(lǐng)域 的技術(shù)人員可以想到多個(gè)其它修改和實(shí)施例，這將落入本發(fā)明原理的精神和范圍內(nèi)。更加 具體地，在本說明書、附圖和所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)的主要內(nèi)容組合布置的組成部件和/ 或布置中，各種變化和修改都是可能的。除了組成部件和/或布置中的變化和修改之外，對 于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，替代使用也將是顯而易見的。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光器件，包括第一電極；發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括所述第一電極上方的第一半導(dǎo)體層、所述第一半導(dǎo)體層 上方的有源層、以及所述有源層上方的第二半導(dǎo)體層；所述第二半導(dǎo)體層上方的第二電極；以及連接構(gòu)件，所述連接構(gòu)件被電氣地連接到所述第二電極，并且被布置在所述第二半導(dǎo) 體層和所述第一半導(dǎo)體層之間，同時(shí)與所述第一半導(dǎo)體層形成肖特基接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括溝槽，其延伸通過所述第 二半導(dǎo)體層和所述有源層以暴露所述第一半導(dǎo)體層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，其中所述溝槽局部地形成在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)中并且 具有齒形狀。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，其中所述溝槽沿著所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的外圍部分形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述連接構(gòu)件與所述第二電極整體地形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，進(jìn)一步包括在所述溝槽的橫向側(cè)處的所述發(fā)光結(jié) 構(gòu)和所述連接構(gòu)件之間的絕緣構(gòu)件。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光器件，其中所述絕緣構(gòu)件分別被布置在所述第二半導(dǎo)體 層、所述有源層、以及所述第一半導(dǎo)體層的橫向側(cè)處。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述第一半導(dǎo)體層在其表面上包括具有凹凸 結(jié)構(gòu)的接觸界面。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光器件，其中所述接觸界面具有高于所述發(fā)光器件的操作 電壓的勢壘。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述連接構(gòu)件與所述第二電極隔開。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，進(jìn)一步包括在所述第一電極和所述第一半導(dǎo)體 層之間的歐姆接觸層；和在所述第一電極和所述歐姆接觸層之間的反射層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光器件，進(jìn)一步包括在所述歐姆接觸層和所述第一半導(dǎo) 體層之間的電流阻擋層。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光器件，其中所述電流阻擋層的至少一部分在垂直方向 上與所述第二電極重疊。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，進(jìn)一步包括所述發(fā)光器件結(jié)構(gòu)的至少一側(cè)上的 鈍化層。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述第一電極包括具有導(dǎo)電性的支撐構(gòu)件。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種發(fā)光器件。根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件可以包括第一電極；包括第一電極上方的第一半導(dǎo)體層、第一半導(dǎo)體層上方的有源層、以及有源層上方的第二半導(dǎo)體層的發(fā)光結(jié)構(gòu)；第二半導(dǎo)體層上方的第二電極；以及連接構(gòu)件，該連接構(gòu)件具有與第一半導(dǎo)體層接觸的一端和與第二半導(dǎo)體層接觸的另一端以與第一和第二半導(dǎo)體層中的一個(gè)形成肖特基接觸。
文檔編號(hào)H01L33/38GK102104100SQ201010579288
公開日2011年6月22日 申請日期2010年12月3日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月3日
發(fā)明者丁煥熙 申請人:Lg伊諾特有限公司