專利名稱：發(fā)光器件、發(fā)光器件封裝以及照明系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
實施例涉及半導(dǎo)體發(fā)光器件和具有半導(dǎo)體發(fā)光器件的發(fā)光器件封裝。
背景技術(shù)：
III-V族氮化物半導(dǎo)體已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于諸如藍(lán)色和綠色發(fā)光二極管(LED)的 光學(xué)裝置、諸如MOSFET(金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)和HEMT(異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管)的 高速切換裝置、以及照明裝置或者顯示裝置的光源。特別地，包括III族氮化物半導(dǎo)體的 發(fā)光器件具有與從可見光頻帶到紫外光頻帶相對應(yīng)的直接基本帶隙(directfimdamental bandgap)，使得能夠高效率地發(fā)射光。氮化物半導(dǎo)體主要用于LED (發(fā)光二極管)或者LD (激光二極管)，并且已經(jīng)不斷 地進(jìn)行研究以提高氮化物半導(dǎo)體的光效率或者制造工藝。

發(fā)明內(nèi)容
實施例提供具有新的有源層的發(fā)光器件。實施例提供包括如下有源層的發(fā)光器件，所述有源層具有高的銦密度的團(tuán)簇 (cluster)。實施例提供包括具有改善的表面缺陷密度的有源層的發(fā)光器件。實施例能夠提高發(fā)光器件、發(fā)光器件封裝、以及照明系統(tǒng)的可靠性。實施例提供一種發(fā)光器件，包括第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層；有源層，所述有源層包 括被交替地布置在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層上的多個阻擋層和多個阱層；以及有源層上的第 二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層，其中，至少一個阱層包括具有l(wèi)Ell/cm2或者更大的密度的銦團(tuán)簇。實施例提供一種發(fā)光器件，包括第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層；有源層，所述有源層包 括被交替地布置在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層上的阻擋層和阱層；以及有源層上的第二導(dǎo)電類 型半導(dǎo)體層，其中，至少一個阱層包括具有l(wèi)Ell/cm2或者更大的密度的銦團(tuán)簇，并且有源層 的表面上的缺陷密度低于第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的表面上的缺陷密度。實施例提供一種發(fā)光器件封裝，包括主體；主體上的多個引線電極；發(fā)光器件， 該發(fā)光器件被布置在引線電極的至少一個上，并且被電氣地連接到引線電極；以及成型構(gòu) 件，該成型構(gòu)件用于成型發(fā)光器件，其中，發(fā)光器件包括第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層；有源層， 所述有源層包括被交替地布置在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層上的阻擋層和阱層；以及有源層上 的第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層，其中，至少一個阱層包括具有l(wèi)Ell/cm2或者更大的密度的銦團(tuán) 簇。


圖1是示出根據(jù)第一實施例的發(fā)光器件的截面圖；圖2是根據(jù)實施例的基于有源層的生長溫度和銦的成分(content)的相位圖；圖3是示出根據(jù)實施例和比較示例的PL強(qiáng)度的圖4是示出根據(jù)第二實施例的發(fā)光器件的截面圖；圖5是示出根據(jù)第三實施例的發(fā)光器件的截面圖；圖6是示出圖1的發(fā)光器件中的橫向電極的截面圖；圖7是示出圖1的發(fā)光器件中的垂直電極的截面圖；圖8是示出包括圖6中所示的發(fā)光器件的發(fā)光器件封裝的截面圖；圖9是示出根據(jù)實施例的顯示裝置的圖；圖10是根據(jù)實施例的另一顯示裝置的圖；以及圖11是示出根據(jù)實施例的照明裝置的圖。
具體實施例方式在實施例的描述中，將會理解的是，當(dāng)層(或者膜)、區(qū)域、圖案或結(jié)構(gòu)被稱為在另 一襯底、另一層(或膜)、另一區(qū)域、另一墊或另一圖案“上”或“下”時，它能夠“直接”或“間 接”位于其它襯底、層(或膜)、區(qū)域、墊或圖案上，或者也可以存在一個或者多個中間層。將會參考附圖描述該層的位置。另外，出于方便或清楚的目的而示意性地繪制附 圖中所示的每層的厚度。另外，元件的尺寸沒有完全反映實際尺寸。在下文中，將會參考附圖描述根據(jù)實施例的半導(dǎo)體發(fā)光器件。圖1是示出根據(jù)第一實施例的發(fā)光器件的側(cè)面截面圖。參考圖1，發(fā)光器件100包括襯底101、緩沖層103、第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層105、 有源層107、以及第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層109。襯底101可以包括諸如藍(lán)寶石(Al2O3)襯底或者玻璃襯底的透射襯底。襯底101可 以包括導(dǎo)電材料、絕緣材料、或者金屬材料。優(yōu)選地，襯底101可以包括從由GaN、SiC、ZnO、 Si、GaP, GaAs,以及Gii2O3組成的組中選擇的一個，但是實施例不限于此。光提取結(jié)構(gòu)能夠 被形成在襯底101上。優(yōu)選地，光提取結(jié)構(gòu)包括具有被形成在襯底101上的條紋結(jié)構(gòu)或者 透鏡結(jié)構(gòu)的突起。根據(jù)實施例，III族氮化物半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)是在襯底的表面上生長的外 延層，但是實施例不限于此。另外，II至VI族化合物半導(dǎo)體層能夠以層或者圖案的形式形成在襯底101上。II 至VI族化合物半導(dǎo)體層可以包括包含能夠減少晶格失配的材料的結(jié)構(gòu)或者光提取結(jié)構(gòu)。通過諸如電子束蒸發(fā)器、PVD (物理氣相沉積)、CVD(化學(xué)氣相沉積)、PLD(等離子 體激光沉積)、復(fù)式熱蒸發(fā)器(dual-type thermal evaporator)、濺射、以及MOCVD (金屬有 機(jī)化學(xué)氣相沉積)的生長設(shè)備可以生長化合物半導(dǎo)體層，但是實施例不限于此。緩沖層103能夠被形成在襯底101上。例如，緩沖層103可以包括如下的III-V族 化合物半導(dǎo)體，所述III-V族化合物半導(dǎo)體包括從由GaN、AlN、AWaN、InGaN、InN、IniUGaN、 AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP、以及AlGaInP組成的組中選擇的一個。通過使用具有 InxAlyGa1^yN(0彡χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)的組成式的半導(dǎo)體材料，或者通過使用 諸如SiO的氧化物材料能夠形成緩沖層。緩沖層103可以包括單層或者能夠減少襯底101 和化合物半導(dǎo)體層之間的晶格失配的超晶格結(jié)構(gòu)(SLS)。超晶格結(jié)構(gòu)可以包括hGaN/GaN 的堆疊結(jié)構(gòu)。能夠提供諸如未摻雜的氮化物半導(dǎo)體層的未摻雜的半導(dǎo)體層。未摻雜的半導(dǎo)體層 被特意用于指示未被摻雜導(dǎo)電摻雜物的半導(dǎo)體層。未摻雜的半導(dǎo)體層具有顯著地低于第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的導(dǎo)電性。例如，未摻雜的半導(dǎo)體層包括具有第一導(dǎo)電屬性的未摻雜的 GaN層。緩沖層103和/或未摻雜的半導(dǎo)體層能夠被省略。發(fā)光結(jié)構(gòu)層104被形成在緩沖層103上。發(fā)光結(jié)構(gòu)層104可以具有N-P結(jié)結(jié)構(gòu)、 P-N結(jié)結(jié)構(gòu)、N-P-N結(jié)結(jié)構(gòu)、或者P-N-P結(jié)結(jié)構(gòu)，其中“N”稱為N型半導(dǎo)體層，“P”稱為P型 半導(dǎo)體層，并且“_”指的是具有被布置在有源層的兩側(cè)處或者被直接地堆疊在有源層上的 P型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和N型半導(dǎo)體層的結(jié)構(gòu)。優(yōu)選地，發(fā)光結(jié)構(gòu)104包括第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層105、有源層107、以及第二導(dǎo)電 類型半導(dǎo)體層109。第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層105能夠被布置在有源層107和襯底101之間，優(yōu)選地，在 緩沖層103上。第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層105可以包括被摻雜有第一導(dǎo)電摻雜物的III-V族 化合物半導(dǎo)體。例如，第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層105可以包括從由GaN、A1N、AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP,以及 AlGaInP 組成的組中選擇的一個。第 一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層105可以包括具有ΜχΑ ρ ^Ν (0彡χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1) 的組成式的半導(dǎo)體材料。第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層105是N型半導(dǎo)體層。N型半導(dǎo)體層可以包括諸如Si、Ge、 Sn.Se或者Te的N型摻雜物。第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層105可以用作電極接觸層，并且能夠 被制備為單層或者多層，但是實施例不限于此。另外，第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層105可以包括包含異質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體層的超晶格結(jié)構(gòu)。 超晶格結(jié)構(gòu)包括GaN/InGaN或者GaN/AWaN的堆疊結(jié)構(gòu)。超晶格結(jié)構(gòu)可以至少包括被相互 交替地堆疊的兩對異質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體層，并且具有數(shù)個A或者更大的厚度。第一導(dǎo)電包覆層可以被形成在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層105和有源層107之間。第 一導(dǎo)電包覆層可以包括GaN基半導(dǎo)體，并且具有比被形成在有源層107中的阻擋層171和 173的帶隙更大的帶隙，以限定載流子。有源層107可以具有單量子阱結(jié)構(gòu)或者多量子阱結(jié)構(gòu)。有源層107可以具有包 括作為由III-V族化合物半導(dǎo)體材料構(gòu)成的阱層171和阻擋層173的堆疊結(jié)構(gòu)。例如，有 源層107可以包括haAlbGa(1_a_b)N阻擋層17lAnxAlyGaa_x_y)N阱層172，其中0彡a彡1， 0 ^ b ^ 1,0 ^ a+b ^ 1,0 < χ ^ 1,0 ^ y ^ 1，并且 0 彡 x+y 彡 1。能夠一次至二十次重 復(fù)地堆疊阻擋層171和阱層172，但是實施例限于此。阻擋層171和173能夠分別被布置在 有源層107的最上側(cè)和最下側(cè)處，并且阻擋層171的數(shù)目可以比阱層172的數(shù)目至少大于 1，但是實施例不限于此。與第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層105相鄰的有源層107的第一阻擋層171能夠被摻雜有 η型摻雜物，并且與第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層109相鄰的有源層107的第二阻擋層173可以具 有比其它的阻擋層的摻雜物濃度小的摻雜物濃度。第二阻擋層173的摻雜物濃度被稱為η 型摻雜物和/或P型摻雜物的濃度。為了生長有源層107，通過在采用氮和/或氫作為載體氣體的同時，在第一溫度Tl 下選擇性地提供ΝΗ3、TMGa(或者TEGa)、TMln或者TMAl來交替地生長阻擋層171和阱層 172。第一溫度Tl處于700°C至800°C的范圍內(nèi)。用于阻擋層171和173的生長溫度可以 等于或者高于用于阱層172的生長溫度。至少一個阱層172的生長率是0. Olnm/sec或者更小。至少一個阱層172的厚度大約是3nm或者更大，優(yōu)選地，為3nm至4nm。在至少一個阱層172中的銦(In)組分是12% 或者更大。能夠在阱層172上形成單阻擋層或者多阻擋層。在阱層172與阻擋層171和173之間存在銦組分的差。在薄膜生長工藝期間，通 過控制銦流動速率可以調(diào)整銦組分。即，為了減少銦組分，則升高生長溫度或者減小銦的流 動速率。詳細(xì)地，通過使用具有比用于阱層172的材料的銦組分更低的銦組分的半導(dǎo)體材 料，能夠生長阻擋層171和173。阻擋層171和173的帶隙可以大于阱層172的帶隙。另外，當(dāng)阱層172與阻擋層171和173被交替地生長時要求有穩(wěn)定時間，以穩(wěn)定用 于各層的生長溫度。例如，將穩(wěn)定時間給定為在用于阻擋層171的生長溫度被變成用于阱 層172的生長溫度，或者用于阱層172的生長溫度被變成用于阻擋層171和173的生長溫 度的時段。通過利用穩(wěn)定時間能夠形成有源層107。第二導(dǎo)電包覆層能夠被形成在第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層109和有源層107之間。第 二導(dǎo)電包覆層可以包括GaN基半導(dǎo)體層，并且具有比被形成在有源層107中的阻擋層171 和173的帶隙更大的帶隙，以限定載流子。第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層109被形成在有源層107上。第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層109 可以包括被摻雜有第二導(dǎo)電摻雜物的III-V族化合物半導(dǎo)體。例如，III-V族化合物半導(dǎo) 體可以包括從由 GaN、AlN、AlGaN、InGaN, InN, InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、 以及AlGaInP組成的組中選擇的一個。優(yōu)選地，通過使用具有hxAly(}ai_x_yN(0彡χ彡1， O^y^ 1)的組成式的半導(dǎo)體材料能夠形成第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層109。第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層109能夠被制備為單層或者多層。如果第二導(dǎo)電類型半導(dǎo) 體層109被制備為多層，那么第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層109可以包括超晶格結(jié)構(gòu)，諸如AlGaN/ GaN。第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層109是被摻雜有諸如Mg、Be、或者Si的P型摻雜物的P型 半導(dǎo)體層。第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層109可以用作電極接觸層，但是實施例不限于此。另外，發(fā)光結(jié)構(gòu)層104可以具有包括P型半導(dǎo)體的第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層105和 包括N型半導(dǎo)體的第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層109。具有與第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層105相反的 極性的第三導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層(未示出)能夠被形成在第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層109上。如圖2中所示，當(dāng)阱層172中的銦組分Xln是處于10%至20%的范圍內(nèi)時，有源層 107保持在亞穩(wěn)區(qū)Dl中。然而，如果在有源層107的阱層172的生長的工藝中已經(jīng)確定大 多數(shù)屬性，那么當(dāng)在有源層107已經(jīng)被生長之后的后續(xù)工藝中執(zhí)行最佳化時，波長很少會 發(fā)生變化。根據(jù)實施例，有源層107的阱層172的生長率是0. Olnm/sec或者更小，阱層172 的厚度是3nm或者更大，并且阱層172的銦組分是12%或者更大。在這樣的情況下，生長 阱層172，并且然后在已經(jīng)經(jīng)過穩(wěn)定時間之后生長阻擋層171。這樣，阱層172與阻擋層 171和173能夠被交替地生長。阻擋層171和173可以比阱層172更厚。阱層172滿足 InxAly(iai_x_yN的組成式，其中χ是處于0. 12至0.2的范圍內(nèi)，優(yōu)選地，在0. 12至0. 15。在有源層107已經(jīng)被生長之后，執(zhí)行熱退火工藝以提高光學(xué)特性。以第二溫度 T2(T2 > Tl)執(zhí)行熱退火工藝，以最優(yōu)化有源層107的光學(xué)特性。第二溫度Τ2高于阱層172 的生長溫度或者第一溫度，并且被設(shè)置為800至1100°C的范圍內(nèi)。可以取決于有源層107的生長溫度而改變第二溫度T2。根據(jù)實施例，在有源層107已經(jīng)完成生長之后并且在第二 導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層109被生長之前執(zhí)行熱退火工藝。熱退火工藝可以保護(hù)有源層107的阱 層172，并且防止微粒被分解或者蒸發(fā)，同時提高界面特性、光學(xué)特性、以及厚度均勻性。同時，在高于有源層107的阱層172的生長溫度的溫度下執(zhí)行至少一個熱退火工 藝，使得能夠防止阱層172的質(zhì)量退化并且能夠提高光效率。作為高密度銦團(tuán)簇的富銦團(tuán) 簇(In rich cluster)，或者可以在至少一個阱層172中誘發(fā)量子點(quantum dot)。為了便 于解釋，高密度銦團(tuán)簇將會被稱為銦團(tuán)簇。銦團(tuán)簇具有比阱層172中的銦組分更高的銦組 分。另外，銦團(tuán)簇具有20nm或者更小的尺寸，優(yōu)選地，為1至20nm。阱層172中的銦團(tuán)簇的 密度可以是lEll/cm2或者更大(例如，lEll/cm2至lE13/cm2)。銦團(tuán)簇具有比化/明 ！力 阱層中的銦(In)的組分更高的組分。銦團(tuán)簇可以具有不規(guī)則的形狀或者隨機(jī)的形狀，并且以隨機(jī)的間隔被相互隔開。另外，熱退火時間比有源層107的穩(wěn)定時間長。例如，熱退火時間大約是20分鐘。具有上述結(jié)構(gòu)的發(fā)光器件可以具有相對于靜電放電(ESD)的改善的耐久性和改 善的光致發(fā)光(photo Iuminescence(PL))強(qiáng)度，并且能夠提高諸如工作電壓的發(fā)光器件 100的電氣特性。因此，能夠提供具有高的光致發(fā)光強(qiáng)度和可靠性的發(fā)光器件。由于熱退火 工藝，發(fā)光器件100能夠發(fā)射低于有源層107的本征材料的帶隙的能量的光。有源層107 的阱層172可以具有矩形、錐形、或者梯形的帶隙。如圖3中所示，從有源層107發(fā)射的光的波長可以被延長Inm或者更多，并且光的 光致發(fā)光強(qiáng)度可以被提高了大約10%或者更多。由于在已經(jīng)形成有源層107之后執(zhí)行退火工藝，所以能夠發(fā)射具有適合于發(fā)光器 件的光致發(fā)光強(qiáng)度的光，而不需要在有源層107和第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層109之間形成的 諸如P-AWaN/GaN的超晶格結(jié)構(gòu)和/或P_AWaN。另外，即使諸如圖案化藍(lán)寶石襯底(PSS) 的附加圖案沒有被形成在襯底101上，也能夠提供具有最佳的光發(fā)射的有源層107。有源層107的表面上的缺陷密度，即，最上表面上的缺陷密度是lE8/cm2或者更 小。缺陷密度可以包括電勢凹坑或者V-pit。第二阻擋層173可以被布置在有源層107的 最上層處。通過熱退火工藝能夠改善有源層107的表面上的缺陷密度，即，第二阻擋層173的 表面上的缺陷密度。當(dāng)執(zhí)行熱退火工藝時，有源層107中的h和( 的原子(atom)遷移到 缺陷區(qū)域并且相互組合，從而能夠改善有源層107的表面上的缺陷密度。另外，通過熱退火 工藝，h和( 的原子被組合在缺陷區(qū)域中，使得能夠生長具有高質(zhì)量的InGaN層。有源層107的第二阻擋層173的表面上的缺陷密度可以低于第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體 層105的下表面或者頂表面上的缺陷密度。另外，第二阻擋層173的缺陷密度可以低于阻 擋層171的缺陷密度，其中，所述第二阻擋層173與第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層105相比離第二 導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層109更近，所述阻擋層171與第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層109相比離第一導(dǎo) 電類型半導(dǎo)體層105更近。由于通過熱退火工藝能夠減少有源層107的表面上的缺陷密度，所以能夠提高具 有高質(zhì)量的有源層107。另外，能夠防止由缺陷引起的低的電流和耐受電壓，使得能夠提高 有源層107的內(nèi)部量子效率。如圖3中所示，由于具有上述結(jié)構(gòu)的阱層和熱退火工藝，根據(jù)實施例的有源層發(fā)射具有比比較示例的長2. 3nm的波長的光，并且與比較示例的相比較光致發(fā)光強(qiáng)度被增加 了大約50%。在阱層具有2nm的厚度，并且h組分是10%的條件下獲得比較示例。當(dāng)生 長有源層時確定有源層的特性。根據(jù)實施例，通過在預(yù)定的條件下已經(jīng)生長阱層和有源層之后的后續(xù)工藝來最優(yōu) 化有源層，使得發(fā)光器件能夠提高光致發(fā)光強(qiáng)度，同時增強(qiáng)相對于ESD的耐久性和諸如工 作電壓的電氣特性。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)具有高的光致發(fā)光強(qiáng)度和高的可靠性的發(fā)光器件。表1示出實施例和比較示例的電壓、功率以及ESD特性。表 權(quán)利要求
1.一種發(fā)光器件，包括第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層；有源層，所述有源層包括被交替地布置在所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層上的阻擋層和阱 層；以及所述有源層上的第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層，其中，所述至少一個阱層包括具有l(wèi)Ell/cm2或者更大的密度的銦團(tuán)簇。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述阱層包括具有hxAlyGa(1_x_y)N(0 < χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)的組成式的材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述阱層的至少一個銦團(tuán)簇具有20nm或者 更小的尺寸。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述阱層的銦團(tuán)簇具有不規(guī)則的形狀或者 隨機(jī)的形狀。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，其中，所述銦團(tuán)簇具有比所述至少一個阱層中的 銦(In)組分更高的組分。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述阱層中的銦組分是處于10%至20%的 范圍內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述阱層具有至少3nm的厚度。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述有源層的表面上的缺陷密度比所述第 一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的表面上的缺陷密度低。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光器件，其中，所述有源層的表面上的所述缺陷密度是 lE8/cm2或者更小。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光器件，其中，所述有源層的最上邊的層是第一阻擋層， 并且從所述第一阻擋層的表面獲得所述有源層的缺陷密度。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光器件，進(jìn)一步包括在所述有源層和所述第二導(dǎo)電類型 半導(dǎo)體層之間的第二導(dǎo)電緩沖層，其中，所述第二導(dǎo)電緩沖層包括InMGaN或者AWaN。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光器件，進(jìn)一步包括在所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層上的 第三導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層，其中，所述第三導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層具有與所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo) 體層的極性相反的極性。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光器件，其中，所述至少一個阱層具有3nm至4nm的厚度， 所述厚度比所述阻擋層的厚度薄。
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光器件，其中，與所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層相比離所述 第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層更近的所述阻擋層包括η型摻雜物。
15.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光器件，其中，與所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層相比較離所 述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層更近的所述阻擋層的缺陷密度比與所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層 相比較離所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層更近的所述阻擋層的缺陷密度低。
全文摘要
本發(fā)明公開一種發(fā)光器件和具有發(fā)光器件的發(fā)光器件封裝以及照明系統(tǒng)。發(fā)光器件包括第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層；有源層，其包括被交替地布置在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層上的阻擋層和阱層；以及有源層上的第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層。至少一個阱層包括具有1E11/cm2或者更大的密度的銦團(tuán)簇。
文檔編號H01L33/02GK102097552SQ201010579229
公開日2011年6月15日 申請日期2010年12月3日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月4日
發(fā)明者尹浩相, 沈相均 申請人:Lg伊諾特有限公司