專利名稱：晶圓表面光阻去邊的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及的是一種半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域的方法，特別涉及的是一種晶圓表面光阻去邊的方法。
背景技術(shù)：
隨著集成電路的發(fā)展，晶體管的密集程度的增加和關(guān)鍵尺寸的縮小，光刻工藝過程中產(chǎn)生的缺陷對器件良率，質(zhì)量具有重要直接相關(guān)的影響，其中晶圓邊界的清潔和定義開始變得更加重要。在光刻工藝過程中，光阻旋涂在晶圓表面上，在靠近晶圓邊界處的上下表面都有光阻的堆積；在后續(xù)的蝕刻或者離子注入工藝過程中，這些堆積在晶圓邊界的光阻很可能與晶圓的機(jī)械操作手臂發(fā)生接觸碰撞，從而導(dǎo)致顆粒污染的產(chǎn)生。所以，光刻工藝過程中通常會(huì)進(jìn)行晶圓表面光阻去邊以避免上述問題的產(chǎn)生?，F(xiàn)有技術(shù)中晶圓表面光阻去邊的方法主要分為化學(xué)去邊法(EBR，edge bead removal)和晶圓邊緣曝光法(WEE，wafer edge expoSure)?；瘜W(xué)去邊法是利用晶圓在涂光阻過程中，通常向晶圓邊緣噴灑溶劑以消除晶圓邊緣光阻。該方法的缺點(diǎn)是去邊時(shí)間長、溶劑耗材成本高且光阻切邊不規(guī)整，可能導(dǎo)致晶圓缺陷影響制程良率。邊緣曝光法是在涂光阻后且在曝光前使用WEE裝置平臺(tái)，S卩將晶圓通過真空吸附到旋轉(zhuǎn)平臺(tái)上，在晶圓邊緣上方固定一套紫外曝光鏡頭和一個(gè)光闌，紫外曝光鏡頭經(jīng)過光闌以產(chǎn)生一定大小尺寸的均勻照明光斑，然后利用旋轉(zhuǎn)臺(tái)的旋轉(zhuǎn)來實(shí)現(xiàn)晶圓邊緣曝光。相比化學(xué)去邊法，晶圓邊緣曝光法有生產(chǎn)效率高、裝置成本低，過程易于控制且切邊形狀規(guī)整平滑等優(yōu)點(diǎn)。如圖1所示，由于光源中透鏡存在不均勻的問題，因此透鏡邊緣的光經(jīng)過光闌會(huì)散射到非去邊區(qū)域，造成實(shí)際的去邊區(qū)域大于欲去邊區(qū)域，最終是在殘留的光阻邊緣上產(chǎn)生一個(gè)傾斜面，使得殘留的光阻的表面不平整。傾斜面在光照的情況下，會(huì)呈現(xiàn)彩色 (Rainbow Color)，因此TOE方法產(chǎn)生的該缺陷被稱為彩虹(Rainbow)缺陷。現(xiàn)有技術(shù)在去邊過程中所用的光闌的長度多為10mm、寬度為4mm，因此在殘留的光阻邊緣上產(chǎn)生的傾斜面的寬度約為200um。當(dāng)掩模上圖案的線寬大于90nm時(shí)，所述Rainbow缺陷對半導(dǎo)體器件的性能可以忽略不計(jì)。但是，隨著技術(shù)的發(fā)展，半導(dǎo)體器件的尺寸越來越小，相應(yīng)地，掩模上圖案的尺寸也越來越小，當(dāng)掩模上圖案的線寬小于90nm時(shí)，Rainbow缺陷的影響就日益凸顯出來，尤其是后續(xù)顯影后的Rainbow缺陷區(qū)域存在圖案時(shí)，由于此時(shí)已破壞圖案所在的晶圓，所以 Rainbow缺陷區(qū)域會(huì)使其上存在的圖案遭到破壞，變得不完整或完全消失，從而嚴(yán)重影響后面的刻蝕和清洗工藝，最終影響制備出的半導(dǎo)體器件的性能。為了解決上述問題，現(xiàn)有技術(shù)提出了在光源和晶圓之間添加光路調(diào)整裝置，所述光路調(diào)整裝置包括鉻縫和聚光透鏡組，聚光透鏡組由若干聚光透鏡組成，該裝置中鉻縫充當(dāng)光闌的功能，經(jīng)鉻縫后的光經(jīng)過聚光透鏡組聚光后，光源發(fā)射的光到達(dá)晶圓時(shí)散射的光就比較少，從而Rainbow缺陷區(qū)域的寬度比較小，改善了晶圓邊緣圖案的質(zhì)量，但是光路調(diào)整裝置的成本很高，不利于實(shí)際使用。
因此，在半導(dǎo)體的制造過程中，需要一種能簡單有效地減小Rainbow缺陷區(qū)域的寬度的晶圓表面光阻去邊方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的問題是在晶圓表面光阻去邊過程中，改善晶圓邊緣圖案的質(zhì)量，減小Rainbow缺陷區(qū)域的寬度。為解決上述問題，本發(fā)明提供了一種晶圓表面光阻去邊的方法，包括獲取晶圓制造的半導(dǎo)體器件的最小線寬；當(dāng)所述半導(dǎo)體器件的最小線寬大于90nm時(shí)，采用化學(xué)去邊法或/和光闌孔徑長度為第一固定長度、寬度為第一固定寬度的晶圓邊緣曝光方法去除晶圓邊緣第一寬度的光阻；當(dāng)所述半導(dǎo)體器件的最小線寬小于或者等于90nm時(shí)，至少包括采用光闌孔徑長度為第二固定長度、寬度為第二固定寬度的晶圓邊緣曝光方法去除晶圓邊緣第二寬度的光阻；其中第一固定寬度大于第二固定寬度，第一固定寬度大于第一寬度，第二固定寬度大于第二寬度，晶圓邊緣的欲去邊寬度大于或等于第一寬度，晶圓邊緣的欲去邊寬度大于第 ■~ 覓度ο可選地，所述第一固定長度的取值范圍是5-10mm，所述第一固定寬度的取值范圍是 2-4mm?？蛇x地，所述第二固定長度的取值范圍是1-lOmm，所述第二固定寬度的取值范圍是 0.4-2mm?？蛇x地，所述當(dāng)所述半導(dǎo)體器件的最小線寬小于或者等于90nm時(shí)，包括先采用化學(xué)去邊法去除晶圓邊緣第三寬度的光阻；再采用光闌孔徑長度為第二固定長度、寬度為第二固定寬度的晶圓邊緣曝光方法去除晶圓邊緣第二寬度的光阻，其中第三寬度大于第二寬度，第三寬度和第二寬度的和等于晶圓邊緣的欲去邊寬度?？蛇x地，所述當(dāng)所述半導(dǎo)體器件的最小線寬小于或者等于90nm時(shí)，包括先采用化學(xué)去邊法去除晶圓邊緣第四寬度的光阻；然后采用光闌孔徑長度為第二固定長度、寬度為第二固定寬度的晶圓邊緣曝光方法去除晶圓邊緣第五寬度的光阻；最后采用光闌孔徑長度為第二固定長度、寬度為第二固定寬度的晶圓邊緣曝光方法去除晶圓邊緣第二寬度的光阻，其中第四寬度大于第五寬度，第五寬度大于或等于第二寬度，第二固定寬度大于第五寬度，第四寬度、第五寬度和第二寬度的和等于晶圓邊緣的欲去邊寬度?？蛇x地，所述當(dāng)所述半導(dǎo)體器件的最小線寬小于或者等于90nm時(shí)，包括采用光闌孔徑長度為第一固定長度、寬度為第一固定寬度的晶圓邊緣曝光方法去除晶圓邊緣第三寬度的光阻；再采用光闌孔徑長度為第二固定長度、寬度第二固定寬度的晶圓邊緣曝光方法去除晶圓邊緣第二寬度的光阻，其中第一固定寬度大于第三寬度，第三寬度大于第二寬度，第二寬度和第三寬度的和等于晶圓邊緣的欲去邊寬度。可選地，所述當(dāng)所述半導(dǎo)體器件的最小線寬小于或者等于90nm時(shí)，包括先采用光闌孔徑長度為第一固定長度、寬度為第一固定寬度的晶圓邊緣曝光方法去除晶圓邊緣第四寬度的光阻；然后采用光闌孔徑長度為第二固定長度、寬度為第二固定寬度的晶圓邊緣曝光方法去除晶圓邊緣第五寬度的光阻；最后采用光闌孔徑長度為第二固定長度、寬度為
5第二固定寬度的晶圓邊緣曝光方法去除晶圓邊緣第二寬度的光阻，其中第一固定寬度大于第四寬度，第四寬度大于第五寬度，第五寬度大于或者等于第二寬度，第二固定寬度大于第五寬度，第四寬度、第五寬度和第二寬度的和等于晶圓邊緣的欲去邊寬度?？蛇x地，所述化學(xué)去邊法采用丙二醇單甲醚(PGME)或丙二醇單甲醚乙酸酯 (PGMEA)或環(huán)己酮作為化學(xué)去邊劑。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)首先判斷欲去邊晶圓所在半導(dǎo)體器件的最小線寬，當(dāng)最小線寬大于90nm時(shí)，采用現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)行晶圓表面光阻去邊；當(dāng)最小線寬小于或者等于90nm時(shí)，通過在最后步驟中調(diào)小WEE方法中的孔徑值，使得Rainbow缺陷區(qū)域從200 μ m降至50 μ m,從而使得Rainbow缺陷對于線寬小于或等于90nm的半導(dǎo)體器件的性能基本沒有影響，且方法簡單、成本低。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)中產(chǎn)生Rainbow缺陷的示意圖；圖2是實(shí)施例1中晶圓表面光阻去邊方法的流程示意圖；圖3為實(shí)施例1中TOE方法的示意圖；圖4是實(shí)施例2中晶圓表面光阻去邊方法的流程示意圖；圖5是實(shí)施例3中晶圓表面光阻去邊方法的流程示意圖；圖6是實(shí)施例4中晶圓表面光阻去邊方法的流程示意圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施例的限制。正如背景技術(shù)部分所述，晶圓表面光阻去邊處理是半導(dǎo)體器件制造過程中不可或缺的步驟，但是隨著掩模上圖案線寬的不斷縮小，WEE方法去除晶圓邊緣所引起的Rainbow 缺陷成為影響半導(dǎo)體器件的重要原因，因此，有必要采取簡單有效的措施改善晶圓表面光阻去邊過程中引起的Rainbow缺陷，使得Rainbow區(qū)域的寬度明顯下降。因此，在制造半導(dǎo)體器件時(shí)，為了解決上述問題，本發(fā)明提供了晶圓表面光阻去邊的方法，包括獲取晶圓制造的半導(dǎo)體器件的最小線寬；當(dāng)所述半導(dǎo)體器件的最小線寬大于90nm時(shí)，采用化學(xué)去邊法或/和光闌孔徑長度為第一固定長度、寬度為第一固定寬度的晶圓邊緣曝光方法去除晶圓邊緣第一寬度的光阻；當(dāng)所述半導(dǎo)體器件的最小線寬小于或者等于90nm時(shí)，至少包括采用光闌孔徑長度為第二固定長度、寬度為第二固定寬度的晶圓邊緣曝光方法去除晶圓邊緣第二寬度的光阻；其中第一固定寬度大于第二固定寬度，第一固定寬度大于第一寬度，第二固定寬度大于第二寬度，晶圓邊緣的欲去邊寬度大于或等于第一寬度，晶圓邊緣的欲去邊寬度大于第■~ 覓度O在上述過程中，所述第一固定長度的取值范圍是5-10mm，所述第一固定寬度的取值范圍是2-4mm;所述第二固定長度的取值范圍是1-lOmm，所述第二固定寬度的取值范圍是 0.4-2mm。本發(fā)明首先判斷欲去邊晶圓所在半導(dǎo)體器件的最小線寬，當(dāng)最小線寬大于90nm 時(shí)，采用現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)行晶圓表面光阻去邊；當(dāng)最小線寬小于或者等于90nm時(shí)，先采用現(xiàn)有技術(shù)去除大部分寬度的邊緣光阻，但在最后步驟中調(diào)小WEE方法中的孔徑值，使得Rainbow 缺陷區(qū)域從200 μ m降至50 μ m,從而使得Rainbow缺陷對于線寬小于或等于90nm的半導(dǎo)體器件的性能基本沒有影響，且方法簡單、成本低。下面通過4個(gè)實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明，以下實(shí)施例的目的都是為了去除寬度為3mm 的晶圓邊緣。實(shí)施例1如圖2所示，本實(shí)施例具體包括以下步驟S100，獲取晶圓制造的半導(dǎo)體器件的最小線寬，得到本實(shí)施例中所述半導(dǎo)體器件的最小線寬為90nm。Sl 10，采用化學(xué)去邊法去除晶圓邊緣寬度為2. 5mm的光阻。本實(shí)施例在采用化學(xué)去邊法去除晶圓邊緣寬度為2. 5mm的光阻時(shí)，具體包括使用化學(xué)去邊劑在給晶圓涂光阻的過程中，本實(shí)施例通過向邊緣噴灑丙二醇單甲醚(PGME) 以消除晶圓邊緣2. 5mm的光阻。在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，還可以采用丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)或環(huán)己酮等作為化學(xué)去邊劑。S120，利用光闌孔徑長度為10mm、寬度為Imm的TOE方法去除晶圓邊緣寬度為 0. 5mm的光阻。如圖3所示，利用光闌孔徑長度為10mm、寬度為Imm的TOE方法去除晶圓邊緣寬度為0. 5mm的光阻，具體包括在晶圓涂光阻后且曝光前，將晶圓通過真空吸附到旋轉(zhuǎn)平臺(tái)上，在晶圓邊緣上方固定一套紫外曝光鏡頭，且在所述紫外曝光鏡頭下方設(shè)置一個(gè)光闌，所述光闌上存成一個(gè)長度為10mm、寬度為Imm的長方形透光區(qū)域，所述透光區(qū)域的中心位于所述紫外曝光鏡頭的正下方，然后利用旋轉(zhuǎn)臺(tái)調(diào)整晶圓的邊緣位置與透光區(qū)域中心的相對位置，使透過透光區(qū)域的紫外光照射在晶圓寬度為0. 5mm的邊緣上。這樣通過旋轉(zhuǎn)晶圓使紫外光透過所述透光區(qū)域時(shí)，透過的紫外光就去除了寬度為0. 5mm的晶圓邊緣。至此，就去除了寬度為3mm的晶圓邊緣。本實(shí)施例在得知晶圓制備的半導(dǎo)體器件的最小線寬等于90nm后，首先通過化學(xué)去邊法去除晶圓的大部分邊緣，然后通過小孔徑的WEE方法去除晶圓剩余的邊緣，這樣可以去除由于化學(xué)洗邊導(dǎo)致的光阻切邊的不規(guī)整型。通過比較圖1和圖3又可知，本實(shí)施例方法使得Rainbow缺陷區(qū)域大大減小，從而不影響半導(dǎo)體器件的性能。實(shí)施例2如圖4所示，本實(shí)施例具體包括以下步驟S200，獲取晶圓制造的半導(dǎo)體器件的最小線寬，得到本實(shí)施例中所述半導(dǎo)體器件的最小線寬為90nm。
S210，采用光闌孔徑長度為10mm、寬度為4mm的TOE方法去除晶圓邊緣寬度為 2. 7mm的光阻。本實(shí)施例采用光闌孔徑長度為10mm、寬度為4mm的TOE方法去除晶圓邊緣寬度為 2. 7mm的光阻，具體包括在晶圓涂光阻后且曝光前，將晶圓通過真空吸附到旋轉(zhuǎn)平臺(tái)上， 在晶圓邊緣上方固定一套紫外曝光鏡頭，且在所述紫外曝光鏡頭下方設(shè)置一個(gè)光闌，所述光闌上存在一個(gè)長為10mm、寬為4mm的長方形透光區(qū)域，所述透光區(qū)域的中心位于所述紫外曝光鏡頭的正下方，然后利用旋轉(zhuǎn)臺(tái)調(diào)整晶圓的邊緣位置與透光區(qū)域中心的相對位置， 使透過透光區(qū)域的紫外光照射在晶圓寬度為2. 7mm的邊緣上。這樣通過旋轉(zhuǎn)晶圓使紫外光透過所述透光區(qū)域時(shí)，透過的紫外光就去除了寬度為2. 7mm的晶圓邊緣。S220，利用光闌孔徑長度為5mm、寬度為0. 6mm的TOE方法去除晶圓邊緣寬度為 0. 3mm的光阻。本實(shí)施例利用光闌孔徑長度為5mm、寬度為0. 6mm的TOE方法去除晶圓邊緣寬度為 0. 3mm的光阻，具體包括將晶圓傳送至另一個(gè)具有更小光闌孔徑的TOE裝置平臺(tái)，即將晶圓通過真空吸附到旋轉(zhuǎn)平臺(tái)上，在晶圓邊緣上方固定著另一套紫外曝光鏡頭，且該套紫外曝光鏡頭下方存在一個(gè)光闌，該光闌上存在一個(gè)長為5mm、寬0. 6mm的長方形透光區(qū)域， 所述透光區(qū)域的中心位于所述紫外曝光鏡頭的正下方，然后利用旋轉(zhuǎn)臺(tái)調(diào)整晶圓的邊緣位置與透光區(qū)域中心的相對位置，使透過透光區(qū)域的紫外光照射在晶圓寬度為0. 3mm的邊緣上。這樣通過旋轉(zhuǎn)晶圓使紫外光透過所述透光區(qū)域時(shí)，透過的紫外光就去除了寬度為0. 3mm 的晶圓邊緣。至此，就去除了寬度為3mm的晶圓邊緣。本實(shí)施例在得知晶圓制備的半導(dǎo)體器件的最小線寬等于90nm后，首先通過大孔徑的WEE方法去除晶圓的大部分邊緣，然后通過小孔徑的WEE方法去除晶圓剩余的邊緣，使得Rainbow缺陷區(qū)域從200 μ m降至50 μ m,從而使得Rainbow缺陷對于線寬等于90nm的半導(dǎo)體器件的性能基本沒有影響。實(shí)施例3如圖5所示，本實(shí)施例具體包括以下步驟S300，獲取晶圓制造的半導(dǎo)體器件的最小線寬，得到本實(shí)施例中所述半導(dǎo)體器件的最小線寬為45nm。S310，采用光闌孔徑長度為10mm、寬度為4mm的TOE方法去除晶圓邊緣寬度為 2. 4mm的光阻。本實(shí)施例采用光闌孔徑長度為10mm、寬度為4mm的TOE方法去除晶圓邊緣寬度為 2. 4mm的光阻，具體包括在晶圓涂光阻后且曝光前，將晶圓放在第一個(gè)TOE裝置平臺(tái)上， 即將晶圓通過真空吸附到旋轉(zhuǎn)平臺(tái)上，在晶圓邊緣上方固定一套紫外曝光鏡頭，且在所述紫外曝光鏡頭下方設(shè)置第一光闌，所述第一光闌上存在一個(gè)長為10mm、寬為4mm的長方形透光區(qū)域，所述透光區(qū)域的中心位于所述紫外曝光鏡頭的正下方，然后利用旋轉(zhuǎn)臺(tái)調(diào)整晶圓的邊緣位置與透光區(qū)域中心的相對位置，使透過透光區(qū)域的紫外光照射在晶圓寬度為 2. 4mm的邊緣上。這樣通過旋轉(zhuǎn)晶圓使紫外光透過所述透光區(qū)域時(shí)，透過的紫外光就去除了寬度為2. 4mm的晶圓邊緣。S320，利用光闌孔徑長度為5mm、寬度為0. 6mm的TOE方法去除晶圓邊緣寬度為0. 4mm的光阻。本實(shí)施例利用光闌孔徑長度為5mm、寬度為0. 6mm的TOE方法去除晶圓邊緣寬度為 0. 4mm的光阻，具體包括將晶圓傳送至第二個(gè)具有更小光闌孔徑的WEE裝置平臺(tái)，即將晶圓通過真空吸附到旋轉(zhuǎn)平臺(tái)上，在晶圓邊緣上方固定一套紫外曝光鏡頭，且在所述紫外曝光鏡頭下方設(shè)置第二光闌，所述第二光闌上存在一個(gè)長為5mm、寬0. 6mm的長方形透光區(qū)域，所述透光區(qū)域的中心位于所述紫外曝光鏡頭的正下方，然后利用旋轉(zhuǎn)臺(tái)調(diào)整晶圓的邊緣位置與透光區(qū)域中心的相對位置，使透過透光區(qū)域的紫外光照射在晶圓寬度為0. 4mm的邊緣上。這樣通過旋轉(zhuǎn)晶圓使紫外光透過所述透光區(qū)域時(shí)，透過的紫外光就去除了寬度為 0. 4mm的晶圓邊緣。S330，利用光闌孔徑長度為5mm、寬度為0. 6mm的TOE方法去除晶圓邊緣寬度為 0. 2mm的光阻。本實(shí)施例利用光闌孔徑長度為5mm、寬度為0. 6mm的TOE方法去除晶圓邊緣寬度為 0. 2mm的光阻，具體包括繼續(xù)利用第二個(gè)具有更小光闌孔徑的WEE裝置平臺(tái)，包括利用旋轉(zhuǎn)臺(tái)調(diào)整晶圓的邊緣位置與透光區(qū)域中心的相對位置，使透過透光區(qū)域的紫外光照射在晶圓寬度為0. 2mm的邊緣上。這樣通過旋轉(zhuǎn)晶圓使紫外光透過所述透光區(qū)域時(shí)，透過的紫外光就去除了寬度為0. 2mm的晶圓邊緣。至此，就去除了寬度為3mm的晶圓邊緣。在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，還可以將步驟S310替換為在給晶圓涂光阻的過程中采用化學(xué)去邊法去除晶圓邊緣寬度為2. 4mm的光阻，步驟S300、S320和步驟S330不變。與實(shí)施例1相同，本實(shí)施例的Rainbow缺陷區(qū)域會(huì)進(jìn)一步減少。實(shí)施例4如圖6所示，本實(shí)施例具體包括以下步驟S400，獲取晶圓制造的半導(dǎo)體器件的最小線寬，得到本實(shí)施例中所述半導(dǎo)體器件的最小線寬為120nm。S410，直接采用光闌孔徑長度為10mm、寬度為4mm的TOE方法去除晶圓邊緣寬度為3mm的光阻。具體為在晶圓涂光阻后且曝光前，將晶圓通過真空吸附到旋轉(zhuǎn)平臺(tái)上，在晶圓邊緣上方固定一套紫外曝光鏡頭，且在所述紫外曝光鏡頭下方設(shè)置一個(gè)光闌，所述光闌上存在一個(gè)長為10mm、寬為4mm的長方形透光區(qū)域，所述透光區(qū)域的中心位于所述紫外曝光鏡頭的正下方，然后利用旋轉(zhuǎn)臺(tái)調(diào)整晶圓的邊緣位置與透光區(qū)域中心的相對位置，使透過透光區(qū)域的紫外光照射在晶圓寬度為3mm的邊緣上。這樣通過旋轉(zhuǎn)晶圓使紫外光透過所述透光區(qū)域時(shí)，透過的紫外光就去除了寬度為3mm的晶圓邊緣。由于本實(shí)施例中晶圓所在半導(dǎo)體的最小線寬為120nm，因此可以直接采用現(xiàn)有技術(shù)中的晶圓表面光阻去邊方法，且最后得到的Rainbow缺陷不會(huì)影響半導(dǎo)體器件的性能。 需要說明的是，本實(shí)施例還可以采用其他現(xiàn)有技術(shù)中的晶圓表面光阻去邊方法，比如可以直接在給晶圓涂光阻的過程中采用化學(xué)去邊法去除3mm的晶圓邊緣；或者是先在給晶圓涂光阻的過程中采用化學(xué)去邊法去除2mm的邊緣光阻，再在晶圓涂光阻后且曝光前采用孔徑光闌長度為10mm、寬度為4mm的大孔徑TOE方法去除剩余的Imm的邊緣光阻等等。上述實(shí)施例都是首先判斷欲去邊晶圓所在半導(dǎo)體器件的最小線寬，當(dāng)最小線寬大于90nm時(shí)，采用現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)行晶圓表面光阻去邊；當(dāng)最小線寬小于或者等于90nm時(shí)，先采用現(xiàn)有技術(shù)去除大部分寬度的邊緣光阻，但在最后步驟中采用小孔徑的WEE方法，使得 Rainbow缺陷區(qū)域從200 μ m降至50 μ m,從而使得Rainbow缺陷對于線寬小于或等于90nm 的半導(dǎo)體器件的性能基本沒有影響，且方法簡單、成本低。 雖然本發(fā)明己以較佳實(shí)施例披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種晶圓表面光阻去邊的方法，其特征在于，包括獲取晶圓制造的半導(dǎo)體器件的最小線寬；當(dāng)所述半導(dǎo)體器件的最小線寬大于90nm時(shí)，采用化學(xué)去邊法或/和光闌孔徑長度為第一固定長度、寬度為第一固定寬度的晶圓邊緣曝光方法去除晶圓邊緣第一寬度的光阻；當(dāng)所述半導(dǎo)體器件的最小線寬小于或者等于90nm時(shí)，至少包括采用光闌孔徑長度為第二固定長度、寬度為第二固定寬度的晶圓邊緣曝光方法去除晶圓邊緣第二寬度的光阻； 其中第一固定寬度大于第二固定寬度，第一固定寬度大于第一寬度，第二固定寬度大于第二寬度，晶圓邊緣的欲去邊寬度大于或等于第一寬度，晶圓邊緣的欲去邊寬度大于第二寬度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓表面光阻去邊的方法，其特征是，所述第一固定長度的取值范圍是5-10mm，所述第一固定寬度的取值范圍是2-4mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓表面光阻去邊的方法，其特征是，所述第二固定長度的取值范圍是1-lOmm，所述第二固定寬度的取值范圍是0. 4_2mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶圓表面光阻去邊的方法，其特征是，所述當(dāng)所述半導(dǎo)體器件的最小線寬小于或者等于90nm時(shí)，包括先采用化學(xué)去邊法去除晶圓邊緣第三寬度的光阻；再采用光闌孔徑長度為第二固定長度、寬度為第二固定寬度的晶圓邊緣曝光方法去除晶圓邊緣第二寬度的光阻，其中第三寬度大于第二寬度，第三寬度和第二寬度的和等于晶圓邊緣的欲去邊寬度。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶圓表面光阻去邊的方法，其特征是，所述當(dāng)所述半導(dǎo)體器件的最小線寬小于或者等于90nm時(shí)，包括先采用化學(xué)去邊法去除晶圓邊緣第四寬度的光阻；然后采用光闌孔徑長度為第二固定長度、寬度為第二固定寬度的晶圓邊緣曝光方法去除晶圓邊緣第五寬度的光阻；最后采用光闌孔徑長度為第二固定長度、寬度為第二固定寬度的晶圓邊緣曝光方法去除晶圓邊緣第二寬度的光阻，其中第四寬度大于第五寬度，第五寬度大于或等于第二寬度，第二固定寬度大于第五寬度，第四寬度、第五寬度和第二寬度的和等于晶圓邊緣的欲去邊寬度。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶圓表面光阻去邊的方法，其特征是，所述當(dāng)所述半導(dǎo)體器件的最小線寬小于或者等于90nm時(shí)，包括采用光闌孔徑長度為第一固定長度、寬度為第一固定寬度的晶圓邊緣曝光方法去除晶圓邊緣第三寬度的光阻；再采用光闌孔徑長度為第二固定長度、寬度為第二固定寬度的晶圓邊緣曝光方法去除晶圓邊緣第二寬度的光阻，其中第一固定寬度大于第三寬度，第三寬度大于第二寬度，第二寬度和第三寬度的和等于晶圓邊緣的欲去邊寬度。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶圓表面光阻去邊的方法，其特征是，所述當(dāng)所述半導(dǎo)體器件的最小線寬小于或者等于90nm時(shí)，包括先采用光闌孔徑長度為第一固定長度、寬度為第一固定寬度的晶圓邊緣曝光方法去除晶圓邊緣第四寬度的光阻；然后采用光闌孔徑長度為第二固定長度、寬度為第二固定寬度的晶圓邊緣曝光方法去除晶圓邊緣第五寬度的光阻；最后采用光闌孔徑長度為第二固定長度、寬度為第二固定寬度的晶圓邊緣曝光方法去除晶圓邊緣第二寬度的光阻，其中第一固定寬度大于第四寬度，第四寬度大于第五寬度， 第五寬度大于或者等于第二寬度，第二固定寬度大于第五寬度，第四寬度、第五寬度和第二寬度的和等于晶圓邊緣的欲去邊寬度。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或4或5所述的晶圓表面光阻去邊的方法，其特征是，所述化學(xué)去邊法采用丙二醇單甲醚或丙二醇單甲醚乙酸酯或環(huán)己酮作為化學(xué)去邊劑。
全文摘要
一種半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域的晶圓表面光阻去邊的方法，包括獲取晶圓制造的半導(dǎo)體器件的最小線寬；當(dāng)所述半導(dǎo)體器件的最小線寬大于90nm時(shí)，采用化學(xué)去邊法或/和光闌孔徑長度為第一固定長度、寬度為第一固定寬度的晶圓邊緣曝光方法去除晶圓邊緣第一寬度的光阻；當(dāng)所述半導(dǎo)體器件的最小線寬小于或者等于90nm時(shí)，至少包括采用光闌孔徑長度為第二固定長度、寬度為第二固定寬度的晶圓邊緣曝光方法去除晶圓邊緣第二寬度的光阻；其中第一固定寬度大于第二固定寬度。本發(fā)明通過調(diào)小WEE方法中的孔徑值，使得Rainbow缺陷區(qū)域從200μm降至50μm，從而使得Rainbow缺陷對于半導(dǎo)體器件的性能沒有影響，且方法簡單、成本低。
文檔編號(hào)H01L21/027GK102479688SQ201010566050
公開日2012年5月30日 申請日期2010年11月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月29日
發(fā)明者胡華勇, 郝靜安 申請人:中芯國際集成電路制造(北京)有限公司