專利名稱：一種led器件和晶圓級(jí)led器件以及二者的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于LED技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種倒裝結(jié)構(gòu)的LED器件和晶圓級(jí)LED器件以及二者的封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(LED)是一種半導(dǎo)體制造技術(shù)加工的電致發(fā)光器件，主要發(fā)光原理是化合物半導(dǎo)體材料在加載正向電壓的條件下，有源電子與空穴復(fù)合產(chǎn)生光子，其中380-780 納米波長的光能夠被人眼識(shí)別稱為可見光。目前由于LED的光效問題被極大地改善，LED被廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域，包括背光單元、汽車、電信號(hào)、交通信號(hào)燈、照明裝置等。LED按封裝結(jié)構(gòu)不同可分為正裝、倒裝、垂直三種。其中，傳統(tǒng)倒裝LED封裝通過凸點(diǎn)工藝將LED芯片與基板電性連接在一起在LED 芯片的上表面設(shè)置P電極凸點(diǎn)和N電極凸點(diǎn)，在基板上設(shè)置基板金屈凸點(diǎn)，采用共晶焊或焊料焊接的方式將P電極凸點(diǎn)和N電極凸點(diǎn)與所述基板金屈凸點(diǎn)電性連接，從而實(shí)現(xiàn)LED芯片與基板的電性連接。然而，上述封裝凸點(diǎn)工藝容易出現(xiàn)凸點(diǎn)之間對(duì)位不精確、以及凸點(diǎn)之間出現(xiàn)高度差等問題，進(jìn)一步引起電氣連接問題，降低了封裝的可靠性以及生產(chǎn)良率，尤其對(duì)于晶圓級(jí)封裝，更是困難。為了解決以上對(duì)位不精確的問題，中國專利CN101488M4A中公開了一種發(fā)光元件及其制造方法，采用ACF (各向異性導(dǎo)電膜)來實(shí)現(xiàn)LED芯片與基板的電性連接，提高封裝的可靠性。ACF(各向異性導(dǎo)電膜)是一種軟膠，其特點(diǎn)在于Z軸電氣導(dǎo)通方向與XY絕緣平面的電阻特性具有明顯的差異性。因此，通過ACF可以實(shí)現(xiàn)芯片與基板的良好電性連接。同時(shí)，為了提高光效，中國專利CN101488M4A在基板的上表面增加了反射層，這也是目前行業(yè)內(nèi)的通常做法。LED芯片發(fā)出的部分光通過基板的上表面增加的反射層反射出去，提高了光效。為了進(jìn)一步提高LED器件的光效，經(jīng)過申請人的仔細(xì)研究分析，其反射層設(shè)置在基板的上表面，LED芯片發(fā)出的光需要透過ACF才能到達(dá)反射層，被反射的光還需要再次透過ACF才有可能被提取出，也即是被反射的光需至少兩次通過ACF才有可能被提取出。因此，這就要求ACF最好為透射率100%的透明材料，否則會(huì)對(duì)光產(chǎn)生很大的吸收作用，同時(shí) ACF內(nèi)的導(dǎo)電粒子也會(huì)對(duì)反射光有很大影響，進(jìn)一步降低了 LED的光提取效率，從而，影響了 LED器件的光效。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的在于提供一種LED器件和一種晶圓級(jí)LED器件以及二者的封裝結(jié)構(gòu)， 其具有更高的光效和可靠的電氣連接性。為了實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明所采取的技術(shù)方案如下 一種LED器件，包括LED芯片、基板、以及反射層；為了保障現(xiàn)有倒轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)LED芯片的電氣連接可靠性，所述LED芯片與所述基板通過各向異性導(dǎo)電膜(ACF)電性連接在一起； 為了提高其光效，將現(xiàn)有LED器件中的反射層位置由基板上表面改到LED芯片的上表面，使之不再需要透過ACF就可以直接反射出。進(jìn)一步，其反射層為導(dǎo)電反射層，所述反射層設(shè)置在所述LED芯片的上表面，具體是所述導(dǎo)電反射層完全覆蓋在LED芯片的P型氮化鎵的外表面，既可實(shí)現(xiàn)全面反射發(fā)光層產(chǎn)生的光，還能夠利用其本身的導(dǎo)電性能將P型氮化鎵與P電極凸點(diǎn)電性連接，同時(shí)起到歐姆接觸層的作用。其中，所述反射層由以下任一金屈材料、或者它們的合金構(gòu)成的金屈層 錫、鋁、鉬、金、鍺、以及銀。進(jìn)一步，其反射層為導(dǎo)電或非導(dǎo)電反射層，所述反射層設(shè)置在所述LED芯片的上表面，具體是在LED的P型氮化鎵上生長有一歐姆接觸層，所述導(dǎo)電或非導(dǎo)電反射層覆蓋在LED芯片的P電極凸點(diǎn)兩側(cè)的所述歐姆接觸層的外表面。其中，所述反射層為由氧化鋁、 二氧化硅、以及二氧化鈦組成的分布式布拉格反射層、或者由以下任一金屈材料、或者它們的合金構(gòu)成的金屈層錫、鋁、鉬、金、鍺、以及銀。具體的，所述各向異性導(dǎo)電膜(ACF)包括粘結(jié)材料和導(dǎo)電粒子；所述粘結(jié)材料包括熱固性材料和熱塑性材料，所述導(dǎo)電粒子包括以下其中任一金屈材料、或者它們的合金、 或者至少一種以下金屈材料包裹的樹脂金、銅、鋁、鎳、以及鉬。具體的，一種前述LED器件的封裝結(jié)構(gòu)，所述LED器件包括LED芯片和基板，在所述LED芯片外涂覆有光轉(zhuǎn)換物質(zhì)層，在所述光轉(zhuǎn)換物質(zhì)層外包裹有光學(xué)結(jié)構(gòu)層。具體的，所述光轉(zhuǎn)化物質(zhì)層為有機(jī)染料、稀土有機(jī)配合物、稀土無機(jī)發(fā)光材料、或者半導(dǎo)體量子點(diǎn)；所述光學(xué)結(jié)構(gòu)層的材料為聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、硅膠(Silicone)、聚丙烯(EP)、聚苯二甲酸乙二醇酯(PET)、以及玻璃中的一種或者幾種一種晶圓級(jí)LED器件，包括晶圓級(jí)LED芯片和基板，所述晶圓級(jí)LED芯片包括多顆 LED芯片；同樣，為了提供其光效和保障電氣連接的可靠性，在每顆LED芯片的上表面都設(shè)置有一反射層，所述晶圓級(jí)LED芯片與所述基板通過各向異性導(dǎo)電膜(ACF)實(shí)現(xiàn)電性連接。一種包括前述晶圓級(jí)LED器件的封裝結(jié)構(gòu)，所述晶圓級(jí)LED器件包括晶圓級(jí)LED 芯片和基板，在所述圓級(jí)LED芯片外涂覆有光轉(zhuǎn)換物質(zhì)層，在每顆LED芯片的光轉(zhuǎn)換物質(zhì)層外覆蓋有光學(xué)結(jié)構(gòu)層。本發(fā)明將反射層置于LED芯片的上表面，通過各向異性導(dǎo)電膜(ACF)將LED芯片倒裝在基板上，提高了封裝的可靠性，有效防止了 ACF對(duì)光的吸收與散射，進(jìn)一步提高了光效，同時(shí)使得ACF不受材料選擇的限制，并且易于實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)封裝，提高了生產(chǎn)效率。


圖1是現(xiàn)有LED芯片的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本發(fā)明實(shí)施例一的基本結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本發(fā)明實(shí)施例一的封裝結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是本發(fā)明實(shí)施例一的LED芯片的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是本發(fā)明實(shí)施例一的基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6是本發(fā)明實(shí)施例一的外封裝結(jié)構(gòu)示意圖；圖7是本發(fā)明實(shí)施例二的結(jié)構(gòu)示意圖8是本發(fā)明實(shí)施例三的LED芯片的結(jié)構(gòu)示意圖；圖9是本發(fā)明實(shí)施例四的基本結(jié)構(gòu)示意圖；圖10是本發(fā)明實(shí)施例四的封裝結(jié)構(gòu)示意圖。圖中I-LED芯片11-藍(lán)寶石襯底、12-N型氮化鎵、13-發(fā)光層、14-P型氮化鎵、15-反射層、16-P電極凸點(diǎn)、17-N電極凸點(diǎn)、18-歐姆接觸層；2-基板21-基板本體、22-第一金屈電極層、23-通孔、24-第二金屈電極層、 25-導(dǎo)熱焊盤、26-金屈引線；3-ACF (各向異性導(dǎo)電膜)；4-外封裝層41-光轉(zhuǎn)換物質(zhì)層、42-光學(xué)結(jié)構(gòu)層。
具體實(shí)施例方式實(shí)施例1如圖1所示，為現(xiàn)有LED芯片的結(jié)構(gòu)示意圖，其包括常規(guī)的藍(lán)寶石襯底11、N型氮化鎵12、發(fā)光層13、P型氮化鎵14、P電極凸點(diǎn)16和N電極凸點(diǎn)17，LED芯片在倒裝前，位于P型氮化鎵這一面為通常意義的上表面。如圖2所示，本實(shí)施例公開了一種LED器件，包括LED芯片1和基板2，LED芯片1 倒裝在基板2上，通過ACF 3實(shí)現(xiàn)LED芯片1與基板2的電性連接，以使二者之間的電性連接更加可靠。其中，ACF包括粘結(jié)材料和導(dǎo)電粒子，所述粘結(jié)材料包括熱固性材料和熱塑性材料；所述導(dǎo)電粒子包括以下其中任一金屈材料、或者它們的合金、或者至少一種以下金屈材料包裹的樹脂金、銅、鋁、鎳、以及鉬。如圖4所示，其LED芯片1包括常規(guī)的藍(lán)寶石襯底11、N型氮化鎵12、發(fā)光層13、 P型氮化鎵14、P電極凸點(diǎn)16和N電極凸點(diǎn)17，為了提高光效，在現(xiàn)有LED芯片1上增加了反射層15，反射層15為導(dǎo)電反射層，設(shè)置在LED芯片的上表面，具體如圖所示，導(dǎo)電反射層完全覆蓋在LED芯片的P型氮化鎵14的外表面。該LED芯片的具體結(jié)構(gòu)如圖3所示在藍(lán)寶石襯底11上生長成N型氮化鎵12，N型氮化鎵12上生長成發(fā)光層13，發(fā)光層13上生長有P型氮化鎵14。通過光刻、刻蝕、鈍化層保護(hù)和金屈層沉積等工藝步驟，在P 型氮化鎵14上生長反射層15，最后經(jīng)過裂片工藝，在反射層15層上形成P電極凸點(diǎn)16，在 N型氮化鎵12上形成N電極凸點(diǎn)17，而且P電極和N電極位于LED芯片的同一側(cè)。其中， P/N電極凸點(diǎn)的材料可以為Ag、Au、Al、Cu、Cr、Ni中的一種、多種或其合金，制造金屈凸點(diǎn)的工藝可以是蒸發(fā)、電鍍、金屈線植球工藝。其中，反射層15為以下任一金屈材料、或者它們的合金構(gòu)成的金屈層錫、鋁、鉬、金、鍺、以及銀。其中，反射層15為導(dǎo)電反射層，所述導(dǎo)電反射層覆蓋在LED芯片的P型氮化鎵14的下表面，既可實(shí)現(xiàn)全面反射發(fā)光層產(chǎn)生的光， 還能夠利用其本身的導(dǎo)電性能將P型氮化鎵與P電極凸點(diǎn)電性連接。如圖5所示，其基板2為陶瓷基板、硅基板、撓性基板或玻璃基板?；?通過電鍍工藝在基板本體21的上表面形成第一金屈電極層22，然后采用激光通孔工藝在基板本體21中形成電極通孔23，再通過電鍍工藝在通孔23中填入導(dǎo)電材料，形成基板2上下電極之間的電路連接通道，再通過光刻、腐蝕或剝離工藝將第一金屈電極層形成對(duì)應(yīng)于LED芯片的圖形和連線。基板2的下表面兩端形成相互隔離的第二金屈電極層24，中間設(shè)有導(dǎo)熱焊盤25。其中，第二金屈電極層M和導(dǎo)熱焊盤25的材料可以為Ni、Au、Ag、Al、Ti、W中的一種、多種或合金，填充的導(dǎo)電材料為Au、Cu、Al、Ni、In、Sn中的一種或者多種的合金。如圖3所示，本實(shí)施例還公開了一種包括前述LED器件的封裝結(jié)構(gòu)，包括LED芯片 1、基板2、ACF 3、以及外封裝層4。如圖6所示，外封裝層4包括光轉(zhuǎn)換物質(zhì)層41和光學(xué)結(jié)構(gòu)層42。其中，光轉(zhuǎn)換物質(zhì)層41涂覆在LED芯片1外，緊貼LED芯片1，光光轉(zhuǎn)化物質(zhì)層為有機(jī)染料、稀土有機(jī)配合物、稀土無機(jī)發(fā)光材料、或者半導(dǎo)體量子點(diǎn)；該光轉(zhuǎn)化物質(zhì)層41 用于將LED芯片1發(fā)出的光色轉(zhuǎn)化為想要的光色，如將藍(lán)光轉(zhuǎn)化為白光等。該光轉(zhuǎn)化物質(zhì)層41根據(jù)需要可以為緊貼芯片表面透明材料的保形層、半球形、方形中的一種。其中，光學(xué)結(jié)構(gòu)層42包裹在光轉(zhuǎn)換物質(zhì)層41外，光學(xué)結(jié)構(gòu)層42的材料為聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、硅膠(Silicone)、聚丙烯(EP)、聚苯二甲酸乙二醇酯(PET)、以及玻璃中的一種或者幾種，光學(xué)結(jié)構(gòu)層42用于外部形狀的調(diào)整，可以是實(shí)現(xiàn)該封裝結(jié)構(gòu)不同的光型要求，光學(xué)結(jié)構(gòu)層42的形狀為半球形，有利于出光。以下詳細(xì)說明本實(shí)施例LED器件的制造方法步驟Sl 制造LED芯片1。在藍(lán)寶石襯底11上生長有N型氮化鎵12、P型氮化鎵 14、發(fā)光層13的外延片上，經(jīng)過光刻、刻蝕、鈍化層保護(hù)和金屈層沉積等系列工藝步驟，在P 型氮化鎵上生長反射層15，最后經(jīng)過裂片工藝，在LED芯片上形成P電極和N電極及其上的金屈凸點(diǎn)16和17。步驟S2 在基板2上，先通過電鍍工藝在基板2的上、下表面分別形成第一金屈電極層22和第二金屈電極層24，并分別形成相互絕緣的P區(qū)和N區(qū)。采用激光通孔工藝在基板本體21中形成通孔23，然后用電鍍工藝在通孔中填入導(dǎo)電材料，實(shí)現(xiàn)第一金屈電極層P 區(qū)和N區(qū)分別與第二金屈電極層P區(qū)和N區(qū)之間的電路連接通道。再通過光刻、腐蝕或剝離工藝將第一金屈電極層22形成對(duì)應(yīng)于LED芯片的圖形和連線，下表面在兩端、中央分別形成相互隔離的第二金屈電極層M的P區(qū)和N區(qū)、導(dǎo)熱焊盤25。步驟S3 將LED芯片1倒裝在基板2的上表面。LED芯片1通過ACF3倒裝在基板 3上，在基板2上鋪設(shè)一層或多層ACF，LED芯片1置于基板2上，LED芯片1的P區(qū)、N區(qū)電極凸點(diǎn)分別與基板上的P區(qū)、N區(qū)電極對(duì)應(yīng)，通過加熱、壓力或紫外光照射的方法是各向性導(dǎo)電膜固化，實(shí)現(xiàn)芯片與基板電極的電性連接。步驟S4 在LED芯片1上涂覆光轉(zhuǎn)換物質(zhì)層41。將YAG基黃色光轉(zhuǎn)換物質(zhì)預(yù)先混入透明膠和稀釋劑中制成熒光膠混合物，然后采用全自動(dòng)化噴涂設(shè)備在透明膠體層上噴涂一層光轉(zhuǎn)換層41，所噴涂的光轉(zhuǎn)換物質(zhì)層41為單一層。步驟S5 形成光學(xué)結(jié)構(gòu)層42。選擇具有一定粘度的硅膠作為光學(xué)結(jié)構(gòu)材料，通過模具注塑成型工藝制成半球形狀與光轉(zhuǎn)換物質(zhì)層粘結(jié)，再經(jīng)熱固化，脫模即形成光學(xué)結(jié)構(gòu)層42。實(shí)施例2如圖7所示，本實(shí)施例與實(shí)施例1的區(qū)別在于本實(shí)施例中采用金屈引線沈從基板2側(cè)面引至底面連通第一金屈電極層22和第二金屈電極層對(duì)，且外封裝層4中的光學(xué)結(jié)構(gòu)層42外形為方形結(jié)構(gòu)。光學(xué)結(jié)構(gòu)層42用于外部形狀的調(diào)整，可以是實(shí)現(xiàn)該封裝結(jié)構(gòu)不同的光型要求，其材料可以為聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、硅膠(Silicone)、聚丙烯(EP)、聚苯二甲酸乙二醇酯(PET)、以及玻璃中的一種或者幾種。采用方形的外形結(jié)構(gòu)可以做成小體積且易成型。實(shí)施例3本實(shí)施例也公開了一種LED器件，本實(shí)施例與實(shí)施例一的不同在于反射層的具體位置略有變化，如圖8所示其LED芯片1包括常規(guī)的藍(lán)寶石襯底11、N型氮化鎵12、發(fā)光層13、P型氮化鎵 14,P電極凸點(diǎn)16和N電極凸點(diǎn)17 ；不同在于本實(shí)施例在在LED的P型氮化鎵14上生長有一歐姆接觸層18，導(dǎo)電或非導(dǎo)電反射層15覆蓋在LED芯片的P電極凸點(diǎn)兩側(cè)的所述歐姆接觸層的外表面。P電極凸點(diǎn)16通過歐姆接觸層18直接與P型氮化鎵14電連接，此時(shí)反射層15可以是由氧化鋁、二氧化硅、以及二氧化鈦組成的分布式布拉格反射層(非導(dǎo)電反射層)，或者反射層15由以下任一金屈材料、或者它們的合金構(gòu)成的金屈層(導(dǎo)電反射層) 錫、鋁、鉬、金、鍺、以及銀。本實(shí)施例制作時(shí)，先在P型氮化鎵14上生長一歐姆接觸層18，再在歐姆接觸層上生長反射層15，最后通過蝕刻反射層15露出部分歐姆接觸層以便于連接P電極凸點(diǎn)16。實(shí)施例4本實(shí)施例公開了一種晶圓級(jí)LED器件，該晶圓級(jí)LED器件為單顆LED器件未切割之前的一種表現(xiàn)結(jié)構(gòu)形式，由該晶圓級(jí)LED器件可以通過切割得到任意數(shù)目的LED器件單顆LED器件、或者多顆LED器件構(gòu)成的LED模組器件。該晶圓級(jí)LED器件包括晶圓級(jí)LED 芯片和基板，所述晶圓級(jí)LED芯片包括多顆單獨(dú)的LED芯片，所謂晶圓級(jí)LED芯片就是單顆 LED芯片未切割之前的一種表現(xiàn)結(jié)構(gòu)形式。如圖9所示，本實(shí)施例中的晶圓級(jí)LED芯片同樣包括藍(lán)寶石襯底11、N型氮化鎵 12、發(fā)光層13、P型氮化鎵14、反射層15、P電極凸點(diǎn)16和N電極凸點(diǎn)17，只是多顆LED芯片的藍(lán)寶石襯底11連成一整塊以使多顆LED芯片集合在一起。同樣，為了提高光效，本實(shí)施例將反射層15設(shè)置在了每顆LED芯片的上表面，反射層15的具體位置和材料同實(shí)施例 1或者實(shí)施2。同樣，本實(shí)施例中的晶圓級(jí)LED芯片與基板通過一 ACF3實(shí)現(xiàn)電性連接，使二者之間的電性連接更加可靠。本實(shí)施例還公開了一種前述晶圓級(jí)LED器件的封裝結(jié)構(gòu)，如圖10所示，該封裝結(jié)構(gòu)在圖9所示晶圓級(jí)LED器件的基礎(chǔ)上增加了光轉(zhuǎn)換物質(zhì)層41和光學(xué)結(jié)構(gòu)層42。本實(shí)施例與實(shí)施例1的區(qū)別僅在于提供的是一種晶圓級(jí)封裝形式。本實(shí)施例提供一晶圓級(jí)芯片和基板，用ACF將晶圓級(jí)芯片固定在基板上，然后完成封裝結(jié)構(gòu)，最后利用激光切割工藝將LED晶圓切割成單顆或所需求數(shù)量的光源模組。使用ACF實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)封裝能夠很好的解決電極凸點(diǎn)對(duì)位不準(zhǔn)確，電極高度差等問題，提高了封裝的可靠性，且極大地提高了生產(chǎn)效率。相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明將反光層置于芯片外延層之上，通過ACF將LED芯片倒裝在基板上，提高了封裝的可靠性，有效防止了 ACF對(duì)光的吸收與散射，提高了光效，并使得 ACF不受材料選擇的限制，并且易于實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)封裝，提高了生產(chǎn)效率。以上詳細(xì)描述了本發(fā)明的較佳具體實(shí)施例，應(yīng)當(dāng)理解，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員無需創(chuàng)造性勞動(dòng)就可以根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)思作出諸多修改和變化。因此，凡本技術(shù)領(lǐng)域中技術(shù)人員依本發(fā)明構(gòu)思在現(xiàn)有技術(shù)基礎(chǔ)上通過邏輯分析、推理或者根據(jù)有限的實(shí)驗(yàn)可以得到的技術(shù)方案，均應(yīng)該在由本權(quán)利要求書所確定的保護(hù)范圍之中。
權(quán)利要求
1.一種LED器件，包括LED芯片、基板、以及反射層，其特征在于 所述LED芯片與所述基板通過各向異性導(dǎo)電膜(ACF)電性連接在一起； 所述反射層設(shè)置在所述LED芯片的上表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED器件，其特征在于 所述反射層為導(dǎo)電反射層；所述反射層設(shè)置在所述LED芯片的上表面，具體是 所述導(dǎo)電反射層完全覆蓋在LED芯片的P型氮化鎵的外表面。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的LED器件，其特征在于所述反射層由以下任一金屈材料、或者它們的合金構(gòu)成的金屈層錫、鋁、鉬、金、鍺、以及銀。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED器件，其特征在于 所述反射層為導(dǎo)電或非導(dǎo)電反射層；所述反射層設(shè)置在所述LED芯片的上表面，具體是在LED的P型氮化鎵上生長有一歐姆接觸層，所述導(dǎo)電或非導(dǎo)電反射層覆蓋在LED芯片的P電極凸點(diǎn)兩側(cè)的所述歐姆接觸層的外表面。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的LED器件，其特征在于所述反射層為由氧化鋁、二氧化硅、以及二氧化鈦組成的分布式布拉格反射層、或者由以下任一金屈材料、或者它們的合金構(gòu)成的金屈層錫、鋁、鉬、金、鍺、以及銀。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的LED器件，其特征在于 所述各向異性導(dǎo)電膜(ACF)包括粘結(jié)材料和導(dǎo)電粒子；所述粘結(jié)材料包括熱固性材料和熱塑性材料；所述導(dǎo)電粒子包括以下其中任一金屈材料、或者它們的合金、或者至少一種以下金屈材料包裹的樹脂金、銅、鋁、鎳、以及鉬。
7.一種包括權(quán)利要求1所述LED器件的封裝結(jié)構(gòu)，所述LED器件包括LED芯片和基板， 其特征在于在所述LED芯片外涂覆有光轉(zhuǎn)換物質(zhì)層，在所述光轉(zhuǎn)換物質(zhì)層外包裹有光學(xué)結(jié)構(gòu)層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述光轉(zhuǎn)化物質(zhì)層為有機(jī)染料、稀土有機(jī)配合物、稀土無機(jī)發(fā)光材料、或者半導(dǎo)體量子占. 所述光學(xué)結(jié)構(gòu)層的材料為聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、硅膠 (Silicone)、聚丙烯(EP)、聚苯二甲酸乙二醇酯(PET)、以及玻璃中的一種或者幾種
9.一種晶圓級(jí)LED器件，包括晶圓級(jí)LED芯片和基板，所述晶圓級(jí)LED芯片包括多顆 LED芯片，其特征在于在每顆LED芯片的上表面都設(shè)置有一反射層；所述晶圓級(jí)LED芯片與所述基板通過各向異性導(dǎo)電膜(ACF)實(shí)現(xiàn)電性連接。
10.一種包括權(quán)利要求9所述晶圓級(jí)LED器件的封裝結(jié)構(gòu)，所述晶圓級(jí)LED器件包括所述晶圓級(jí)LED芯片和基板，其特征在于在所述圓級(jí)LED芯片外涂覆有光轉(zhuǎn)換物質(zhì)層； 在每顆LED芯片的光轉(zhuǎn)換物質(zhì)層外覆蓋有光學(xué)結(jié)構(gòu)層。
全文摘要
本發(fā)明屈于LED技術(shù)領(lǐng)域，具體公開了一種LED器件和晶圓級(jí)LED器件以及二者的封裝結(jié)構(gòu)。本發(fā)明將反射層置于LED芯片的上表面，通過ACF將LED芯片倒裝在基板上，提高了封裝的可靠性，有效防止了ACF對(duì)光的吸收與散射，進(jìn)一步提高了光效，同時(shí)使得ACF不受材料選擇的限制，并且易于實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)封裝，提高了生產(chǎn)效率。
文檔編號(hào)H01L25/075GK102347436SQ20111032948
公開日2012年2月8日 申請日期2011年10月26日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月26日
發(fā)明者萬垂銘, 何貴平, 區(qū)偉能, 紀(jì)玲玲, 陳海英 申請人:晶科電子(廣州)有限公司