專利名稱：陶瓷電子部件和其制造方法以及集合部件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及陶瓷電子部件和其制造方法以及集合部件，特別涉及在主面上形成 外部端子電極那樣的外部導(dǎo)體，并通過將集合部件沿著規(guī)定的斷線斷開而得到的陶瓷電子 部件和其制造方法，以及可通過分割而將多個陶瓷電子部件取出的集合部件。
背景技術(shù)：
近年來，在手機或個人電腦等電子設(shè)備中采用了許多以疊層陶瓷電容器為代表的 疊層陶瓷電子部件。一般，疊層陶瓷電子部件具有長方體形狀的陶瓷坯體和在陶瓷坯體的 外表面上形成的一對外部端子電極。很多情況下，外部端子電極是通過使用浸漬法在陶瓷 坯體端部涂敷導(dǎo)電性漿料并烘烤而形成的，且在這種情況下，各外部端子電極以陶瓷坯體 的一個端面為中心跨越5個面而形成。但是，最近幾年，在電子部件的安裝形式變得多樣化、對用途特殊化型電子部件的 需求增大等的背景下，隨著陶瓷電子部件的外部端子電極的形狀或配置多樣化的進行，也 提出了例如在陶瓷坯體的1個面上或者相對置的2個面上形成外部端子電極型的設(shè)計方案 (例如，參照專利文獻1和2)。如上所述，在陶瓷坯體的1個面上或相對置的2個面上形成外部端子電極的情況 下，可以用浸漬法以外的方法形成外部端子電極。例如，可采用如下的方法在構(gòu)成用于多 個陶瓷電子部件的多個陶瓷坯體的集合部件的主面上印刷外部端子電極用導(dǎo)電性漿料并 烘烤后，將集合部件分割，取出用于各陶瓷電子部件的陶瓷坯體(例如，參照專利文獻3，特 別是第0003段)。在此，由于將被分割的集合部件由燒結(jié)過的硬陶瓷形成，所以，若用切塊機 (dicer)這種切割方法進行分割，則有可能使各陶瓷電子部件的陶瓷坯體破損或出現(xiàn)缺口。 為了解決該問題，上述專利文獻3中提出用板狀的切割刀壓著切割未燒成的集合部件，但 是使用該方法的話，會產(chǎn)生切斷后的生片之間容易粘在一起的問題。因此，作為可想到的方法，可舉出在制造陶瓷多層基板等時經(jīng)常使用的斷開 (break)法。在斷開法中，在未燒成的集合部件上形成斷開凹槽，燒成后，沿著斷開凹槽將集 合部件分割，因此，不會發(fā)生使用上述切塊機或板狀切割刀時的問題。另外，由于能以集合 部件的狀態(tài)進行鍍層工序或測試工序，所以，生產(chǎn)效率也很優(yōu)異。雖然作為斷開法，提出了各種方案，但其中專利文獻4所公開的斷開法很有意義。 根據(jù)專利文獻4所記載的技術(shù)，通過形成非連續(xù)的直線狀的斷開凹槽，在進行操作工序的 處理時，可防止集合部件出現(xiàn)不希望看到的破損。另一方面，近年來，由于力圖實現(xiàn)多層布線基板的小型化，所以提出了將陶瓷電子 部件埋入多層布線基板內(nèi)部的技術(shù)方案。例如，在專利文獻5中記載了疊層用模塊的制造 方法，其具有如下的工序在基板內(nèi)部埋入陶瓷電子部件時，例如，使在陶瓷電子部件的主 面上形成的外部端子電極在上面，將陶瓷電子部件收納入芯基板內(nèi)部，形成絕緣側(cè)以覆蓋 芯基板和陶瓷電子部件，用激光貫穿絕緣層，形成到達外部端子電極表面的通孔，在通孔中填充導(dǎo)電體，將布線電路和外部端子電極電連接。在上述埋入過程中，需要激光照射具有很高的精度。因為如果不小心使激光射到 陶瓷坯體，則有可能損害到陶瓷電子部件的特性。因此，優(yōu)選被埋入的陶瓷電子部件的外部端子電極盡可能面積大，例如，關(guān)于專利 文獻1和2中所示類型的疊層陶瓷電子部件，如圖17所示，需要設(shè)計成僅留有1個必要的 間隙，以使外部端子電極2和3的各自面積盡量的大。但是，可知當(dāng)使用沿著形成非連續(xù)的孔狀連線式的凹槽的規(guī)定的斷線斷開的斷開 法，制造形成上述間隙窄的多個外部端子電極的陶瓷電子部件的情況下，容易發(fā)生“斷開不 良”的問題?！皵嚅_不良”是指在由于斷開而出現(xiàn)的陶瓷坯體的側(cè)面上的沿著間隙部分的 部分沒有整齊地被斷開，從而在側(cè)面上形成突起(被斷開的另外一側(cè)上形成凹陷)，或以間 隙部分為起點，在陶瓷坯體上出現(xiàn)破損或缺口。如專利文獻4所記載的那樣，若以相等間距形成用于引導(dǎo)斷開的非連續(xù)性的大小 相同的凹部，可很容易地配置在窄的間隙部分不形成斷開引導(dǎo)用的凹部而將間隙部分夾在 中間的2個斷開引導(dǎo)用凹部。這種情況下，在占據(jù)了主面的一大半的外部端子電極形成部， 雖然可很容易地將拉伸應(yīng)力集中于斷開引導(dǎo)用凹部之間，但是另一方面，在面積窄并且處 于比外部端子電極形成部略低的位置上的間隙部分，很難將拉伸應(yīng)力集中。因此，可推測容 易發(fā)生以間隙部分為起點的“斷開不良”。專利文獻1 日本特開2006-216622號公報專利文獻2 日本特開2006-339337號公報專利文獻3 日本特開平9460187號公報專利文獻4 日本特開2003-273272號公報專利文獻5 日本特開2005-064446號公報

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是提供可解決上述問題的陶瓷電子部件和其制造方法，以及 可通過分割將多個陶瓷電子部件取出的集合部件。本發(fā)明適合于這樣一種陶瓷電子部件，其具有包括相互對置的第1和第2主面以 及連接第1和第2主面之間的第1 第4側(cè)面的陶瓷坯體；和在陶瓷坯體的至少第1主面 上形成的外部導(dǎo)體。在這種陶瓷電子部件中，至少在第1側(cè)面形成沿著連接第1和第2主面之間的方 向延伸、并且至少到達第1主面的多個凹槽。另外，這些凹槽相當(dāng)于在集合部件上為了引導(dǎo) 斷開而沿著規(guī)定的斷線設(shè)置的斷開引導(dǎo)孔的一半。在第1主面的與第1側(cè)面相接的第1棱邊部上形成外部導(dǎo)體的端緣所位于的至 少2個第1區(qū)域；和位于相鄰的2個第1區(qū)域之間并且外部導(dǎo)體的端緣所不位于的至少1 個第2區(qū)域。并且，上述多個凹槽的特征為包括以跨越第1區(qū)域以及第2區(qū)域的方式配置的至 少1個跨越凹槽。在第2區(qū)域中，相鄰的凹槽既可以相互重合，也可以各自獨立。在本發(fā)明的優(yōu)選實施方式中，外部導(dǎo)體包括使端緣位于上述至少2個第1區(qū)域中的一個的第1外部導(dǎo)體、和使端緣位于上述至少2個第1區(qū)域中的另外一個的第2外部導(dǎo) 體，第1外部導(dǎo)體和第2外部導(dǎo)體在第1主面上相互獨立地形成。在上述實施方式中，本發(fā)明的陶瓷電子部件是構(gòu)成具有被疊層的多個電介質(zhì)層、 和隔著電介質(zhì)層相互對置設(shè)置的第1及第2內(nèi)部電極的疊層陶瓷電容器的陶瓷電子部件， 此時，第1外部導(dǎo)體與第1內(nèi)部電極電連接；第2外部導(dǎo)體與第2內(nèi)部電極電連接。如上所述，當(dāng)陶瓷電子部件構(gòu)成疊層陶瓷電容器時，電介質(zhì)層和第1及第2內(nèi)部電 極既可以在與第1主面垂直的方向上延伸，也可以在與第1主面平行的方向上延伸。在后 者的情況下，第1外部導(dǎo)體經(jīng)由第1貫通導(dǎo)體與第1內(nèi)部電極電連接，第2外部導(dǎo)體經(jīng)由第 2貫通導(dǎo)體與第2內(nèi)部電極電連接。本發(fā)明的陶瓷電子部件中，凹槽既能以到達第1及第2主面兩者的方式形成，也能 以僅到達第1主面的方式形成。另外，優(yōu)選上述跨越凹槽和與該跨越凹槽相鄰的其他凹槽之間的間距小于該其他 凹槽之間的間距?；蛘撸靼疾垡材芤远枷嗟鹊拈g距配置。本發(fā)明也適用于在第2主面上也形成外部導(dǎo)體的陶瓷電子部件。本發(fā)明的陶瓷電子部件中，優(yōu)選第1主面的與對置于第1側(cè)面的第2側(cè)面相接的 第2棱邊部也具有與第1棱邊部相同的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的陶瓷電子部件被埋入布線基板中使用，在使用激光在布線基板上形成到 達外部導(dǎo)體的貫通導(dǎo)體的情況下，優(yōu)選外部導(dǎo)體至少其表面由Cu構(gòu)成。另外，本發(fā)明也面向制造如上所述的陶瓷電子部件的方法。本發(fā)明的陶瓷電子部件的制造方法具有集合部件的準(zhǔn)備工序；和通過沿著斷線 將集合部件分割，從而取出多個陶瓷電子部件的工序。上述集合部件具有相互對置的第1 和第2主面，且至少在第1主面上形成外部導(dǎo)體，并且以在連接第1和第2主面之間的方向 上延伸的方式形成多個斷開引導(dǎo)孔，各斷開引導(dǎo)孔的開口端至少位于第1主面上，多個斷 開引導(dǎo)孔以沿著規(guī)定的斷線分布的方式排列。另外，上述斷開引導(dǎo)孔，可以使其開口端至少位于第1主面上，所以既可以在使開 口端位于第1和第2主面的兩個面上，并且以具有在厚度方向上貫穿集合部件的貫穿部的 方式形成；也可以在使開口端僅位于第1主面上，并且以具有在厚度方向上不貫穿集合部 件的凹部的方式形成。從第1主面?zhèn)瓤磿r，上述集合部件在斷線上具有與外部導(dǎo)體交叉的第1區(qū)域、和不 與外部導(dǎo)體交叉的第2區(qū)域。并且，多個斷開引導(dǎo)孔包括以跨越第1區(qū)域以及第2區(qū)域的方式配置的至少1個 跨越斷開引導(dǎo)孔。本發(fā)明還面向能有利地應(yīng)用于上述陶瓷電子部件的制造方法的集合部件，更具體 而言，面向通過沿著規(guī)定的斷線進行分割，能取出多個陶瓷電子部件的集合部件。本發(fā)明的集合部件具有相互對置的第1和第2主面。至少在第1主面上形成外部 導(dǎo)體，并且以在連接第1和第2主面之間的方向上延伸的方式形成多個斷開引導(dǎo)孔。各斷 開引導(dǎo)孔的開口端至少位于第1主面上。另外，多個斷開引導(dǎo)孔以沿著斷線進行分布的方 式排列。從第一主面?zhèn)瓤磿r，上述集合部件在斷線上具有與外部導(dǎo)體交叉的第1區(qū)域、和不與外部導(dǎo)體交叉的第2區(qū)域。并且，多個斷開引導(dǎo)孔包括以跨越第1區(qū)域以及第2區(qū)域的方式配置的至少1個 跨越斷開引導(dǎo)孔。(發(fā)明效果)若利用本發(fā)明，則為了得到例如間隙尺寸窄的多個外部端子電極形成在主面上的 陶瓷電子部件，也就是為了得到在陶瓷坯體的主面的與一個側(cè)面相接的棱邊部，形成了存 在外部導(dǎo)體的端緣的至少2個第1區(qū)域、和位于相鄰的2個第1區(qū)域之間并且不存在外部 導(dǎo)體的端緣的至少1個第2區(qū)域的陶瓷電子部件，而在沿著排列了多個斷開引導(dǎo)孔的規(guī)定 的斷線將集合部件斷開時，可順利地進行斷開，難以發(fā)生陶瓷坯體的側(cè)面出現(xiàn)突起或凹部、 陶瓷坯體損傷或缺口之類的“斷開不良”的問題。因此，在實施如下工序，S卩，在使形成于陶瓷電子部件的主面上的外部導(dǎo)體在例如 上面、并將陶瓷電子部件收納入布線基板內(nèi)部的狀態(tài)下，用激光貫穿布線基板的一部分，形 成到達外部導(dǎo)體表面的通孔，并通過在通孔內(nèi)填充導(dǎo)電體，將布線電路與外部導(dǎo)電體電連 接時，即使為了可不需要很高的激光照射精度而擴大被埋入的陶瓷電子部件的外部導(dǎo)體的 面積，也能夠?qū)⒂糜诘玫竭@種電子部件的集合部件順利并良好地斷開。


圖1是表示作為本發(fā)明的第1實施方式的陶瓷電子部件的疊層陶瓷電容器11的 俯視圖。圖2是圖1所示的疊層陶瓷電容器11的正視圖。圖3是圖1所示的疊層陶瓷電容器11的LT剖視圖，(a)表示第1內(nèi)部電極31通 過的截面，(b)表示第2內(nèi)部電極32通過的截面。圖4是圖1所示的疊層陶瓷電容器11的WT剖視圖。圖5是圖1的一部分的放大圖。圖6是表示在為了制造圖1所示的疊層陶瓷電容器11而制造的集合部件41的第 1主面42上，形成了外部端子電極用導(dǎo)電性漿料膜43的狀態(tài)的俯視圖。圖7是表示在圖6所示的集合部件41上，形成了多個斷開引導(dǎo)孔48 50的狀態(tài) 的放大俯視圖。圖8是與用于說明本發(fā)明的第2實施方式的圖5對應(yīng)的圖。圖9是與用于說明本發(fā)明的第3實施方式的圖5對應(yīng)的圖。圖10是與用于說明本發(fā)明的第4實施方式的圖5對應(yīng)的圖。圖11是與用于說明本發(fā)明的第5實施方式的圖2對應(yīng)的圖。圖12是與用于說明本發(fā)明的第6實施方式的圖3對應(yīng)的圖，(a)表示第1內(nèi)部電 極31通過的截面，(b)表示第2內(nèi)部電極32通過的截面。圖13用于說明本發(fā)明的第7實施方式，是疊層陶瓷電容器Ilf的LT剖視圖。圖14是圖13所示的疊層陶瓷電容器Ilf的LW剖視圖，(a)表示第1內(nèi)部電極31 通過的截面，(b)表示第2內(nèi)部電極32通過的截面。圖15是與用于說明本發(fā)明的第8實施方式的圖1對應(yīng)的圖。圖16是與表示實驗例中制造的比較例中的疊層陶瓷電容器的圖5對應(yīng)的圖。
圖17是表示將外部端子電極2以及3的面積盡可能設(shè)計得很寬的現(xiàn)有陶瓷電子 部件的俯視圖。圖中11、11a、lib、11c、lid、lie、Ilf 疊層陶瓷電容器12、42、57 第 1 主面13第2主面14、62 第 1 側(cè)面15、63 第 2 側(cè)面18電容器本體19、20外部端子電極21 間隙24 凹槽25跨越凹槽27、66第1棱邊部28、46 第 1 區(qū)域29、47 第 2 區(qū)域30電介質(zhì)層31第1內(nèi)部電極32第2內(nèi)部電極37第2棱邊部41集合部件43外部端子電極用導(dǎo)電性漿料膜48斷開引導(dǎo)孔49跨越斷開引導(dǎo)孔51、52貫通導(dǎo)體55陶瓷電子部件56陶瓷坯體58外部導(dǎo)體
具體實施例方式圖1至圖4是表示作為本發(fā)明的第1實施方式的陶瓷電子部件的疊層陶瓷電容器 11的圖。在此，圖1是俯視圖，圖2是正視圖，圖3以及圖4是剖視圖。另外，在圖1以及圖 2中，L、W以及T分別表示長度方向、寬度方向以及厚度方向，圖3為LT剖視圖，圖4為WT 剖視圖。另外，在圖3中，(a)和(b)表示相互不同的截面。如圖1和圖2所示，疊層陶瓷電容器11具有作為陶瓷坯體的電容器本體18，該陶 瓷坯體具有彼此相對置的第1主面以及第2主面12和13，以及連接第1主面以及第2主面 12和13之間的第1 第4側(cè)面14 17。另外，在電容器本體18的第1主面12上，隔著間隙21，彼此獨立地形成作為外部 導(dǎo)體的第1以及第2外部端子電極19和20，在第2主面13上，也同樣形成第1以及第2外部端子電極19和20。第1以及第2外部端子電極19和20都包含襯底層22和在襯底層 22上所形成的鍍膜23。另外，在電容器本體18的第1以及第2側(cè)面14和15上，形成多個凹槽M以及 25。凹槽M以及25以在連接第1以及第2主面12和13之間的方向上延伸，并且以一直 到達第1以及第2主面12和13兩個面的方式形成。在電容器本體18的第3以及第4側(cè) 面16和17上也形成凹槽洸。另外，在第1主面12上的與第1側(cè)面14相接的第1棱邊部27上，形成存在第1 或第2外部端子電極19或20的端緣的2個第1區(qū)域觀、和位于相鄰的2個第1區(qū)域觀之 間并且不存在第1以及第2外部端子電極19和20的任意一個端緣的1個第2區(qū)域四。如圖3以及圖4所示，疊層陶瓷電容器11具有疊層的多個電介質(zhì)層30 ；和隔著 電介質(zhì)層以彼此相對置的方式設(shè)置的多組第1以及第2內(nèi)部電極31和32。在本實施方式 中，電介質(zhì)層30以及第1和第2內(nèi)部電極31與32，相對于第1主面12，即相對于安裝面， 向垂直方向延伸。第1以及第2內(nèi)部電極31和32分別具有電容部33以及34和引出部35 以及36，并分別與第1以及第2外部端子電極19和20電連接。圖5是表示圖1的一部分的放大圖。如圖5中清楚地顯示，上述多個凹槽M以及 25被劃分為以跨越第1區(qū)域觀以及第2區(qū)域四的方式配置的跨越凹槽25和除此之外的 凹槽24。上述跨越凹槽25以外的凹槽M具有沿著第1棱邊部27的長度為D1的半圓形狀， 多個凹槽M以間距P1相互等間距地設(shè)置。在此，所謂的間距，是指連接相鄰的凹槽M的 各自的沿著第1棱邊部27的中點的距離。另外，凹槽M的形狀，并不限于圖中所示的半圓 形狀，也可以是三角形、四角形、橢圓等形狀?？缭桨疾?5的沿著第1棱邊部27的長度為D2, 3個面積相同并且截面為半圓狀 的凹槽被設(shè)置為以間距P2互相重合并連接。在本實施方式中，跨越凹槽25形成在整個第2 區(qū)域四上。因此，可以說，應(yīng)該以跨越一方的第1區(qū)域觀以及第2區(qū)域四的方式配置的 跨越凹槽25和應(yīng)該以跨越另一方的第1區(qū)域觀以及第2區(qū)域四的方式配置的跨越凹槽 25是公共的凹槽。另外，構(gòu)成跨越凹槽25的上述截面為半圓狀的槽，也可以被替換為三角 形、四角形、橢圓形等形狀。當(dāng)將凹槽M之間的間距設(shè)為P1，將構(gòu)成跨越凹槽25的截面為半圓狀的槽之間的 間距設(shè)為P2時，優(yōu)選滿足P1 > P2的關(guān)系。凹槽M和25，雖然相當(dāng)于后面提到的制造工序 中的斷開工序結(jié)束后的斷開引導(dǎo)孔48以及49(參照圖7)的一半，但是，像這樣，在相當(dāng)于 第1以及第2外部端子電極19和20之間的間隙21部分的第2區(qū)域四中，通過縮短斷開 引導(dǎo)孔的間距，可實現(xiàn)順利的斷開，從而可靠地抑制結(jié)構(gòu)缺陷。另外，對于相鄰的凹槽M與構(gòu)成跨越凹槽25的最端處的截面為半圓狀的槽之間 的間距P3，優(yōu)選P1 >P2。由于這樣能夠使斷開引導(dǎo)孔集中在跨越凹槽25附近，所以能夠?qū)?現(xiàn)更順利的斷開。另外，關(guān)于尺寸的優(yōu)選條件如下。優(yōu)選跨越凹槽25以外的凹槽M的長度D1為80 120 μ m。優(yōu)選跨越凹槽25的長度込為160 240 μ m。優(yōu)選跨越凹槽25以外的凹槽M的間距P1為150 250 μ m。
優(yōu)選構(gòu)成跨越凹槽25的截面為半圓狀的槽的間距P2為40 60 μ m。優(yōu)選相鄰的凹槽M與構(gòu)成跨越凹槽25的最端處的截面為半圓狀的槽之間的間距 P3 為 150 250 μ m。優(yōu)選在電容器本體18的第3側(cè)面16所形成的凹槽沈以及在第4側(cè)面17所形成 的凹槽26分別按照相等的間距配置。相當(dāng)于第2區(qū)域四的長度的間隙21的尺寸G優(yōu)選140 160 μ m。優(yōu)選D1CG15優(yōu)選D2>G。在本實施方式中，第1主面12上的與和第1側(cè)面14相對置的第2側(cè)面15相接的 第2棱邊部37，也和第1棱邊部27 —樣，存在第1以及第2區(qū)域28和29，凹槽M和25滿 足與第1棱邊部27的情況相同的關(guān)系。不過，本發(fā)明可適用于存在第2區(qū)域的各棱邊部， 且只要在至少1個棱邊部上滿足上述關(guān)系即可。另外，關(guān)于第1以及第2外部端子電極19和20、以及凹槽對、25、和沈的配置，在 第1主面12和第2主面13上配置相同。電容器本體18的厚度優(yōu)選0. 3 1. 5mm。作為構(gòu)成電容器本體18中具有的電介質(zhì)層30的電介質(zhì)陶瓷，可以使用以BaTi03、 CaTi03> SrTi03> CdrO3等為主要成分的電介質(zhì)陶瓷。另外，也可以使用在這些主要成分中 添加了 Mn化合物、!^e化合物、Cr化合物、Co化合物、M化合物等副成分的電介質(zhì)陶瓷。優(yōu) 選電介質(zhì)層30的各厚度為1 10 μ m。作為構(gòu)成內(nèi)部電極31以及32的導(dǎo)電成分，可以使用例如，Ni、Cu、Ag、Pd、Ag_Pd合 金、Au等金屬。優(yōu)選內(nèi)部電極31以及32的各厚度為1 10 μ m。作為構(gòu)成外部端子電極19以及20的襯底層22的導(dǎo)電成分，可以使用例如，Ni、 Cu、Ag、Pd、Ag-Pd合金、Au等金屬。襯底層22或使用由燒結(jié)金屬構(gòu)成的厚膜導(dǎo)體形成，或 通過直接實施鍍層而形成。在襯底層22中可以包含玻璃，也可以包含與構(gòu)成電介質(zhì)層30 的陶瓷同種類的陶瓷。襯底層22的厚度優(yōu)選5 40 μ m。作為構(gòu)成外部端子電極19以及20的鍍膜23的金屬，可以使用例如Ni、Cu、Sn、 Sn-H3合金、Au等。鍍膜23能夠以多層形成。鍍膜23的每1層的厚度優(yōu)選1 10 μ m。另 外，在襯底層22和鍍膜23之間，雖然圖中沒有顯示，但也可以形成用于緩解應(yīng)力的樹脂層。在將本發(fā)明的陶瓷電子部件埋入布線基板中使用的情況下，優(yōu)選外部導(dǎo)體的至少 表面由Cu構(gòu)成。例如，在將本實施方式的疊層陶瓷電容器11埋入布線基板使用的情況下， 構(gòu)成外部端子電極19以及20的最外層的鍍膜23優(yōu)選通過鍍銅而形成。如上述專利文獻 5所記載，在埋入時，雖然用激光貫穿布線基板的絕緣層而形成到達外部端子電極表面的通 孔，但是由于鍍銅容易反射激光(特別是(X)2激光)，所以能夠抑制激光對部件的損壞。接下來，對疊層陶瓷電容器11的制造工序的一個例子進行說明。(1)準(zhǔn)備陶瓷生片、內(nèi)部電極用導(dǎo)電性漿料、以及外部端子電極用導(dǎo)電性漿料。在 陶瓷生片或各種導(dǎo)電性漿料中，雖然含有粘合劑以及溶劑，但是可以使用眾所周知的有機 粘合劑或有機溶劑。(2)在陶瓷生片上，通過例如絲網(wǎng)印刷等，按照規(guī)定的圖案印刷內(nèi)部電極用導(dǎo)電性 漿料，形成內(nèi)部電極用導(dǎo)電性漿料膜。
(3)將印刷了內(nèi)部電極用導(dǎo)電性漿料膜的陶瓷生片以規(guī)定的張數(shù)疊層，在其上下 疊層規(guī)定張數(shù)的沒有印刷內(nèi)部電極用導(dǎo)電性漿料膜的外層用陶瓷生片，制作生的集合部 件。根據(jù)需要，用靜水壓沖壓等方法在生的集合部件的疊層方向上施加壓力。(4)如圖6所示，在生的集合部件41的第1主面42上，通絲網(wǎng)印刷等按照規(guī)定的 圖案印刷外部端子電極用導(dǎo)電性漿料，形成外部端子電極用導(dǎo)電性漿料膜43。通過沿著用 虛線表示的斷線44以及45進行斷開，可從集合部件41取出多個疊層陶瓷電容器11。從 第1主面42側(cè)看集合部件41時，在斷線44上具有與外部端子電極用導(dǎo)電性漿料膜43交 叉的第1區(qū)域46、和不與外部端子電極用導(dǎo)電性漿料膜43交叉的第2區(qū)域47。在與生的集合部件41的第1主面42相反的第2主面上同樣形成外部端子電極用 導(dǎo)電性漿料膜。(5)如圖7的放大圖所示，在集合部件41上形成多個斷開引導(dǎo)孔48 50。斷開引 導(dǎo)孔48 50以在連接第1主面42和第2主面之間的方向上延伸的方式形成，在本實施方 式中，在第1主面42與第2主面之間貫通，使其開口端位于第1主面42以及第2主面上。 多個斷開引導(dǎo)孔48 50以沿著斷線44以及55分布的方式排列。多個斷開引導(dǎo)孔48 50也包含所謂的孔狀接線狀態(tài)的孔。另外，在本實施方式中，從整體來看集合部件41時，沿著與應(yīng)該取出的疊層陶瓷 電容器11的電容器本體18的第1以及第2側(cè)面14和15平行的方向，多個斷開引導(dǎo)孔48 之間以相等的間距進行配置。另一方面，沿著與電容器本體18的第3以及第4側(cè)面16和 17平行的方向，以相等的間距配置多個斷開引導(dǎo)孔50。另外，斷開引導(dǎo)孔49構(gòu)成為以跨越上述第1區(qū)域46和第2區(qū)域47的方式配置， 且3個相同面積的截面為圓形的孔相互重合并且連接地配置。以下，有時會將“斷開引導(dǎo)孔 49”稱為“跨越斷開引導(dǎo)孔49”。上述截面為圓形的各孔的直徑和斷開引導(dǎo)孔48以及50的 各自的直徑優(yōu)選都相同。作為形成斷開引導(dǎo)孔48 50的方法，可以使用激光或NC打孔機等。在圖7中，當(dāng)從斷開引導(dǎo)孔48以及49的分布方向看時，印刷了外部端子電極用導(dǎo) 電性漿料膜43的部分是圖6所示的第1區(qū)域46，這是最終成為疊層陶瓷電容器11中的第 1區(qū)域觀的部分，在該部分形成了多個斷開引導(dǎo)孔48。在圖7中，同樣，當(dāng)從斷開引導(dǎo)孔48以及49所分布方向看時，未印刷外部端子電 極用導(dǎo)電性漿料膜43的部分是圖6所示的第2區(qū)域47，這是最終成為疊層陶瓷電容器11 中的第2區(qū)域四的部分，在該部分上形成了跨越斷開引導(dǎo)孔49。例如，為了形成圖5所示的跨越凹槽25，只要通過縮短照射間距，反復(fù)進行激光照 射，形成多個孔，從而形成跨越斷開引導(dǎo)孔49即可。另外，為了形成下面要提到的圖10所 示的跨越凹槽25，只要在保持激光照射的狀態(tài)下，以規(guī)定的距離移動激光來形成跨越斷開 引導(dǎo)孔49即可。為了在間隙部分上通過一次的激光照射來定點地形成1個孔，例如，由于每次都 需要對間隙部分進行感知(sensing)來形成孔等，所以用于形成斷開引導(dǎo)孔的工序時間會 變長。但是，如上所述，在形成多個窄間距的孔或長的孔的情況下，即使多少引起位置偏離， 也可在間隙部分可靠地配置孔，并可縮短用于形成斷開引導(dǎo)孔的工序時間。(6)燒成生的集合部件41。燒成溫度，雖然根據(jù)陶瓷生片、內(nèi)部電極用導(dǎo)電性漿料以及外部端子電極用導(dǎo)電性漿料的各材料的不同而不同，但是例如900 1300°C為優(yōu)選。 由此，包含在陶瓷生片中的陶瓷以及內(nèi)部電極用導(dǎo)電性漿料進行燒結(jié)，得到電容器本體18， 并且，外部端子電極用導(dǎo)電性漿料也進行燒結(jié)，外部端子電極19以及20的襯底層22形成 在電容器本體18上。(7)在集合部件41的狀況下實施鍍層，在外部端子電極19以及20的襯底層22上 形成鍍膜23。另外，本發(fā)明在使用電鍍的方面上具有特殊意義。理由如下在集合部件41中，應(yīng) 該被取出的各疊層陶瓷電容器11的第1以及第2外部端子電極19和20，在除去斷開引導(dǎo) 孔48 50以外的部分上是各自連接的，僅僅在集合部件41的端緣部配置的疊層陶瓷電容 器11的第1以及第2外部端子電極19和20上，連接電解電鍍的供電端子，就可對各外部 端子電極進行供電。(8)在集合部件41的狀態(tài)下，分別測定應(yīng)該被取出的多個疊層陶瓷電容器11的特性。(9)沿著斷線44以及45分割集合部件41，取出多個疊層陶瓷電容器11。另外，外部端子電極19以及20的襯底層22，可如上所述，與用于獲得電容器本體 18的燒成同時進行燒成而形成，或者也可在用于獲得電容器本體18的燒成之后，在斷開之 前，通過涂覆導(dǎo)電性漿料并進行烘烤而形成。圖8是與用于說明本發(fā)明的第2實施方式的圖5對應(yīng)的圖。在圖8中，對相當(dāng)于 圖5所示要素的要素，標(biāo)注相同的參照符號，并省略重復(fù)的說明。在圖8所示的疊層陶瓷電容器Ila中，跨越凹槽25的形成樣式與圖5所示的形成 樣式不同。即，在該疊層陶瓷電容器Ila中形成了 2個跨越凹槽25。2個跨越凹槽25以相 互獨立的狀態(tài)形成，一方的跨越凹槽25以跨越一方的第1區(qū)域觀以及第2區(qū)域四的方式 配置；另一方的跨越凹槽25以跨越另一方的第1區(qū)域觀以及第2區(qū)域四的方式配置。在本實施方式的情況下，跨越凹槽25之間的排列間距P2、其他的凹槽M之間的排 列間距P1、以及相鄰的凹槽M和25之間的排列間距P3被設(shè)置成相等。因此，在凹槽M以 及25的形成時，由于無需改變激光照射或NC打孔機等的間距，因此，可提高制造效率。圖9是與用于說明本發(fā)明的第3實施方式的圖5對應(yīng)的圖。在圖9中，對相當(dāng)于 圖5所示要素的要素，標(biāo)注相同的參照符號，并省略重復(fù)的說明。在圖9所示的疊層陶瓷電容器lib中，在跨越凹槽25的各兩側(cè)連接了凹槽對，且 在第1區(qū)域觀和第2區(qū)域四的各邊界區(qū)域中形成了 3個連續(xù)的凹槽M以及25。在這種實施方式的情況下，跨越凹槽25和與跨越凹槽25相鄰的其他凹槽M之間 的排列間距P2比跨越凹槽25以外的凹槽M之間的排列間距P1小。因此，由于凹槽M以 及25集中在第1區(qū)域觀和第2區(qū)域四的各邊界區(qū)域上，所以可實現(xiàn)順利的斷開，并抑制 結(jié)構(gòu)缺陷。圖10是與用于說明本發(fā)明的第4實施方式的圖5對應(yīng)的圖。在圖10中，對相當(dāng) 于圖5所示要素的要素，標(biāo)注相同的參照符號，并省略重復(fù)的說明。在圖10所示的疊層陶瓷電容器Ilc中，雖然跨越凹槽25是以跨越第1區(qū)域觀以 及第2區(qū)域四的方式配置的，但是，如圖5所示，不是多個半圓狀的槽互相重合連接在一起 的凹槽，而是1個獨立的凹槽。當(dāng)將沿著跨越凹槽25之外的凹槽M的第1棱邊部27的長度設(shè)為D1，將沿著跨越凹槽25的第1棱邊部27的長度設(shè)為&時，優(yōu)選滿足D1 < D2。在用于得到滿足這些條件的疊層陶瓷電容器Ilc的集合部件上，作為斷開引導(dǎo) 孔，雖然以不涉及到與相當(dāng)于外部端子電極19和20之間的間隙21部分的第2區(qū)域四對 應(yīng)的區(qū)域的方式，形成在與第1區(qū)域觀對應(yīng)的區(qū)域中形成的多個斷開引導(dǎo)孔、和在與第2 區(qū)域四對應(yīng)的區(qū)域中形成的跨越斷開引導(dǎo)孔，但是，使沿著跨越斷開引導(dǎo)孔的斷線的長度 (相當(dāng)于込)比沿著其他的斷開引導(dǎo)孔的斷線的長度(相當(dāng)于01)長。因此，根據(jù)該實施方式，可實現(xiàn)順利的斷開，并抑制結(jié)構(gòu)缺陷。另外，在本實施方式中，與第1實施方式的情況相同，優(yōu)選凹槽M的長度D1* 80 120 μ m ；跨越凹槽25的長度D2為160 240 μ m ；凹槽24的間距P1為150 250μπι ； 相鄰的凹槽M與跨越凹槽25之間的間距P3為150 250 μ m ；相當(dāng)于第2區(qū)域四的長度 的間隙21的尺寸G為140 160 μ m山< G、以及D2彡G。圖11是與用于說明本發(fā)明的第5實施方式的圖2對應(yīng)的圖。在圖11中，對相當(dāng) 于圖2所示要素的要素，標(biāo)注相同的參照符號，并省略重復(fù)的說明。在圖11所示的疊層陶瓷電容器Ild中，其特征為凹槽M和25，以只達到第1主 面12，而不達到第2主面13的方式形成。在用于得到具有這種結(jié)構(gòu)的疊層陶瓷電容器Ild的集合部件上，斷開引導(dǎo)孔以不 達到第2主面的方式形成。例如，當(dāng)形成多個貫穿的斷開引導(dǎo)孔的情況下，斷開雖然變得容 易，但在制造過程的操作時，存在有時無意中會損壞集合部件的問題。對此，通過用半貫穿 狀態(tài)形成斷開引導(dǎo)孔，在操作時，可避免無意中損壞集合部件。另外，如圖11所示，凹槽M和25可以是截面呈錐形的形狀。例如，當(dāng)利用激光形 成應(yīng)該成為凹槽M和25的斷開引導(dǎo)孔的情況下，由于激光能量的衰減，隨著射入位置變 深，激光的力量變?nèi)?。這樣就會形成呈錐形形狀的斷開引導(dǎo)孔。另外，不僅在半貫穿的斷開 引導(dǎo)孔的情況下，在圖2所示的應(yīng)該成為全貫穿的凹槽M以及25的斷開引導(dǎo)孔的情況下， 也可以形成錐形。圖12是與用于說明本發(fā)明的第6實施方式的圖3對應(yīng)的圖。在圖12中，對相當(dāng) 于圖3所示要素的要素，標(biāo)注相同的參照符號，并省略重復(fù)的說明。在圖12所示的疊層陶瓷電容器lie中，第1以及第2外部端子電極19和20只形 成在第1主面12上。即使是這種類型的疊層陶瓷電容器lie，本發(fā)明也可有效地發(fā)揮功能。圖13以及圖14是用于說明本發(fā)明的第7實施方式的圖，圖13與圖3 —樣是LT 剖視圖，圖14是LW剖視圖。另外，在圖14中，(a)和(b)表示彼此不同的截面。在圖13以 及圖14中，對相當(dāng)于圖3等所示要素的要素，標(biāo)注相同的參照符號，并省略重復(fù)的說明。在圖13以及圖14所示的疊層陶瓷電容器Ilf中，電介質(zhì)層30以及第1和第2內(nèi) 部電極31以及32，相對于第1主面12，即，相對于安裝面，向平行方向延伸，第1外部端子 電極19通過第1貫通導(dǎo)體51與第1內(nèi)部電極31電連接，第2外部端子電極20通過第2 貫通導(dǎo)體52與第2內(nèi)部電極32電連接。即使是這種類型的疊層陶瓷電容器llf，本發(fā)明也可有效地發(fā)揮功能。以上，雖然關(guān)聯(lián)疊層陶瓷電容器對本發(fā)明進行了說明，但是本發(fā)明也可適用于疊 層陶瓷電容器以外的陶瓷電子部件。圖15是與用于說明本發(fā)明的第8實施方式的圖1對應(yīng)的圖。在圖15中，對相當(dāng)于圖1所示要素的要素，標(biāo)注相同的參照符號，并省略重復(fù)的說明。圖15所示的陶瓷電子部件55，并不局限于構(gòu)成疊層陶瓷電容器的陶瓷電子部件。 這種陶瓷電子部件55，雖然具有對應(yīng)于上述電容器本體18的陶瓷坯體56，但在陶瓷坯體56 的第1主面57上所形成的外部導(dǎo)體58具有第1以及第2導(dǎo)體部59和60、和將這些第1以 及第2導(dǎo)體部59和60相互連接的連接部61。連接部61的寬度被設(shè)為比較細，其結(jié)果是， 在第1主面57的第1側(cè)面62 —側(cè)、以及與第1側(cè)面62相對置的第2側(cè)面63 —側(cè)上，分別 形成第1以及第2切口 64以及65。本實施方式中，在與第1主面57的第1側(cè)面62相接的第1棱邊部66上，形成存 在外部導(dǎo)體58的端緣的至少2個第1區(qū)域觀，和位于相鄰的2個第1區(qū)域觀之間并且不 存在外部導(dǎo)體58的端緣的至少1個第2區(qū)域四。另外，以跨越第1區(qū)域28以及第2區(qū)域 29的方式配置跨越凹槽25，其他凹槽M配置在第1區(qū)域28上。下面，對用于確認(rèn)本發(fā)明效果而實施的實驗例進行說明。根據(jù)上述制造過程，制作了作為實施例以及比較例的樣品的疊層陶瓷電容器。作 為實施例以及比較例的樣品的疊層陶瓷電容器的設(shè)計都如下表1所示。表權(quán)利要求
1.一種陶瓷電子部件，其特征為具有包括相互對置的第1和第2主面以及連接上述第1和第2主面之間的第1 第 4側(cè)面的陶瓷坯體；和在上述陶瓷坯體的至少上述第1主面上形成的外部導(dǎo)體，至少在上述第1側(cè)面，形成沿著連接上述第1和第2主面之間的方向延伸、并且至少到 達上述第1主面的多個凹槽，在上述第1主面的與上述第1側(cè)面相接的第1棱邊部形成 上述外部導(dǎo)體的端緣所位于的至少2個第1區(qū)域；和位于相鄰的2個上述第1區(qū)域之間、并且上述外部導(dǎo)體的端緣所不位于的至少1個第 2區(qū)域，上述多個凹槽包括以跨越上述第1區(qū)域以及上述第2區(qū)域的方式配置的至少1個跨 越凹槽。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷電子部件，其特征為 在上述第2區(qū)域中，相鄰的上述凹槽是相互重合的。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷電子部件，其特征為 在上述第2區(qū)域中，相鄰的上述凹槽是相互獨立的。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項所述的陶瓷電子部件，其特征為上述外部導(dǎo)體包括使上述端緣位于上述至少2個第1區(qū)域的一個的第1外部導(dǎo)體；和 使上述端緣位于上述至少2個第1區(qū)域的另一個的第2外部導(dǎo)體，上述第1外部導(dǎo)體和上述第2外部導(dǎo)體在上述第1主面上相互獨立地形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陶瓷電子部件，其特征為該陶瓷電子部件是構(gòu)成疊層陶瓷電容器的陶瓷電子部件，上述疊層陶瓷電容器具有被 疊層的多個電介質(zhì)層、和隔著上述電介質(zhì)層相互對置設(shè)置的第1及第2內(nèi)部電極，上述第1外部導(dǎo)體與上述第1內(nèi)部電極電連接，上述第2外部導(dǎo)體與上述第2內(nèi)部電 極電連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陶瓷電子部件，其特征為上述電介質(zhì)層和上述第1及第2內(nèi)部電極在與上述第1主面相垂直的方向上延伸。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陶瓷電子部件，其特征為上述電介質(zhì)層和上述第1及第2內(nèi)部電極在與上述第1主面平行的方向上延伸， 上述第1外部導(dǎo)體經(jīng)由第1貫通導(dǎo)體與上述第1內(nèi)部電極電連接，上述第2外部導(dǎo)體 經(jīng)由第2貫通導(dǎo)體與上述第2內(nèi)部電極電連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任意一項所述的陶瓷電子部件，其特征為 上述凹槽以到達上述第1及第2主面兩者的方式形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任意一項所述的陶瓷電子部件，其特征為 上述凹槽以僅到達上述第1主面的方式形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任意一項所述的陶瓷電子部件，其特征為上述跨越凹槽和與上述跨越凹槽相鄰的其他的上述凹槽之間的間距小于上述其他的 凹槽之間的間距。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任意一項所述的陶瓷電子部件，其特征為上述各凹槽都以相等的間距配置。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至11中任意一項所述的陶瓷電子部件，其特征為在上述第2主面上也形成上述外部導(dǎo)體。
13.根據(jù)權(quán)利要求1至12中任意一項所述的陶瓷電子部件，其特征為上述第1主面的與對置于上述第1側(cè)面的上述第2側(cè)面相接的第2棱邊部也具有與上 述第1棱邊部相同的結(jié)構(gòu)。
14.根據(jù)權(quán)利要求1至13中任意一項所述的陶瓷電子部件，其特征為上述外部導(dǎo)體至少其表面由Cu構(gòu)成。
15.一種陶瓷電子部件的制造方法，具有準(zhǔn)備集合部件的工序，上述集合部件具有相互對置的第1和第2主面，且至少在上述第 1主面上形成外部導(dǎo)體，并且以在連接上述第1和第2主面之間的方向上延伸的方式形成多 個斷開引導(dǎo)孔，各上述斷開引導(dǎo)孔的開口端至少位于上述第1主面上，多個上述斷開引導(dǎo) 孔以沿著規(guī)定的斷線進行分布的方式排列；和通過沿著上述斷線將上述集合部件分割，從而取出多個陶瓷電子部件的工序，該陶瓷電子部件的制造方法的特征為從上述第1主面?zhèn)瓤磿r，上述集合部件在上述斷線上具有與上述外部導(dǎo)體交叉的第1 區(qū)域、和不與上述外部導(dǎo)體交叉的第2區(qū)域，上述多個斷開引導(dǎo)孔包括以跨越上述第1區(qū)域以及上述第2區(qū)域的方式配置的至少1 個跨越斷開引導(dǎo)孔。
16.一種集合部件，其通過沿著規(guī)定的斷線分割，從而能夠取出多個陶瓷電子部件，其 特征為具有相互對置的第1和第2主面，且至少在上述第1主面上形成外部導(dǎo)體，并且以在連 接上述第1和第2主面之間的方向上延伸的方式形成多個斷開引導(dǎo)孔，各上述斷開引導(dǎo)孔 的開口端至少位于上述第1主面上，多個上述斷開引導(dǎo)孔以沿著上述斷線進行分布的方式 排列，從上述第1主面?zhèn)瓤磿r，該集合部件在上述斷線上具有與上述外部導(dǎo)體交叉的第1區(qū) 域、和不與上述外部導(dǎo)體交叉的第2區(qū)域，上述多個斷開引導(dǎo)孔包括以跨越上述第1區(qū)域以及上述第2區(qū)域的方式配置的至少1 個跨越斷開引導(dǎo)孔。
全文摘要
本發(fā)明提供一種陶瓷電子部件和其制造方法以及集合部件，其克服了如下問題即，為了獲得在主面上形成間隙尺寸窄的多個外部端子電極的陶瓷電子部件，當(dāng)沿著以孔狀連線方式排列了多個斷開引導(dǎo)孔的規(guī)定的斷線將集合部件斷開時，由于間隙尺寸窄，不能進行順利的斷開。集合部件(41)在排列了斷開引導(dǎo)孔(48)、(49)的斷線上，具有與外部端子電極用導(dǎo)電性漿料膜(43)交叉的第1區(qū)域(46)、和不交叉的第2區(qū)域(47)。多個斷開引導(dǎo)孔包括以跨越第1區(qū)域(46)以及第2區(qū)域(47)的方式配置的至少1個跨越斷開引導(dǎo)孔(49)。
文檔編號H01G4/38GK102054586SQ20101051832
公開日2011年5月11日 申請日期2010年10月20日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月29日
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