專(zhuān)利名稱(chēng)：P型硅襯底背面金屬化的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體芯片制造背面金屬化技術(shù)，尤其涉及一種P型輕摻硅襯底背面 金屬化的其制作方法。
背景技術(shù)：
背面金屬化是制作功率分立器件芯片的一步關(guān)鍵工序。目前對(duì)于P型硅襯底分立 器件芯片，其襯底一般采用電阻率為10_2Ω 至100Ω · cm的摻硼材料片，雜質(zhì)濃度約在 IO18CnT3至1014cm_3，與一般的金屬較難形成良好的歐姆接觸，如常用的金屬Ti與P型硅襯 底接觸會(huì)表現(xiàn)出輕微的整流特性，從而使器件應(yīng)用時(shí)存在較大的接觸電阻，導(dǎo)致耗散功率 增加，影響器件特性。圖1所示為傳統(tǒng)背面金屬化結(jié)構(gòu)，在P型硅襯底上依次包括金屬Ti、金屬Ni和金 屬Ag，其實(shí)現(xiàn)方法是在減薄后的P型硅襯底上按次序依次蒸發(fā)金屬Ti、金屬Ni、金屬Ag。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是為了克服已有技術(shù)的不足，本發(fā)明還提供了一種P型硅襯底背面 金屬化的制作方法P型硅襯底背面金屬化的制作方法包括如下步驟(1)在芯片減薄后，在背面蒸發(fā)一層Al薄層；(2)在A(yíng)l薄層上依次蒸發(fā)金屬Ni和金屬Ag ；(3)進(jìn)行一次350°C、50°C的溫度處理，使鋁薄層與硅形成鋁硅合金的同時(shí)，使三 價(jià)鋁摻入硅中，形成表面摻鋁硅層，提高襯底硅表面P型雜質(zhì)濃度，降低P型襯底硅與背面 金屬的接觸電阻。本發(fā)明同背景技術(shù)相比優(yōu)點(diǎn)在于有效地降低芯片的背面接觸電阻，降低器件的耗
散功率。


圖1傳統(tǒng)背面金屬化結(jié)構(gòu)圖2本發(fā)明提出的P型硅襯底背面金屬化結(jié)構(gòu)圖3傳統(tǒng)背面金屬化結(jié)構(gòu)的伏安特性曲線(xiàn)圖4本發(fā)明背面金屬化結(jié)構(gòu)的伏安特性曲線(xiàn)
具體實(shí)施例方式以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明內(nèi)容進(jìn)一步說(shuō)明。P型硅襯底背面金屬化的制作方法包括如下步驟(1)在芯片減薄后，在背面蒸發(fā)一層Al薄層；(2)在A(yíng)l薄層上依次蒸發(fā)金屬Ni和金屬Ag ；
(3)進(jìn)行一次350°C、50°C的溫度處理，使鋁薄層與硅形成鋁硅合金的同時(shí)，使三 價(jià)鋁摻入硅中，形成表面摻鋁硅層，提高襯底硅表面層P型雜質(zhì)濃度，降低P型襯底硅與背 面金屬的接觸電阻。通過(guò)圖3我們可以看出傳統(tǒng)背面金屬化結(jié)構(gòu)中，伏安特性曲線(xiàn)表現(xiàn)出輕微的整流 接觸特性，而本發(fā)明提出的P型硅襯底背面金屬化的制作方法形成的結(jié)構(gòu)其伏安特性曲線(xiàn) 表現(xiàn)為良好的歐姆接觸特性。應(yīng)該理解到的是，上述實(shí)施例只是對(duì)本發(fā)明的說(shuō)明，而不是對(duì)本發(fā)明的限制，任何 不超出本發(fā)明實(shí)質(zhì)精神范圍內(nèi)的發(fā)明創(chuàng)造，均落入本發(fā)明保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
P型硅襯底背面金屬化的制作方法，其特征在于包括如下步驟(1)在芯片減薄后，在背面蒸發(fā)一層Al薄層；(2)在A(yíng)l層上依次蒸發(fā)金屬Ni和金屬Ag；(3)進(jìn)行一次350℃~450℃的溫度處理，使鋁薄層與硅形成鋁硅合金的同時(shí)，使三價(jià)鋁摻入硅中，形成表面摻鋁硅層。
全文摘要
本發(fā)明提供的P型硅襯底背面金屬化的制作方法包括如下步驟(1)在芯片減薄后，在背面蒸發(fā)一層Al薄層；(2)在A(yíng)l薄層上依次蒸發(fā)金屬Ni和金屬Ag；(3)進(jìn)行一次350℃～450℃的溫度處理，使鋁薄層與硅形成鋁硅合金的同時(shí)，使三價(jià)鋁摻入硅中，形成表面摻鋁硅層，提高襯底硅表面P型雜質(zhì)濃度，降低P型襯底硅與背面金屬的接觸電阻。本發(fā)明優(yōu)點(diǎn)在于有效地降低芯片的背面接觸電阻，降低器件的耗散功率。
文檔編號(hào)H01L21/60GK101950737SQ20101027977
公開(kāi)日2011年1月19日 申請(qǐng)日期2010年9月3日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月23日
發(fā)明者孔建峰, 王平, 王英杰, 范偉宏, 韓非 申請(qǐng)人:杭州士蘭集成電路有限公司