專利名稱：用于制造端子結(jié)構(gòu)的方法和用于制造電子器件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
在本說明書中，將描述包括用絕緣膜覆蓋的導(dǎo)體的端子結(jié)構(gòu)。此外，還將描述提供 有具有這樣的結(jié)構(gòu)的端子的電子器件。
背景技術(shù)：
通過固化包括增強(qiáng)材料(例如玻璃纖維或玻璃填充料等)的半固化片(prepreg) 形成的樹脂層應(yīng)用于印刷線路板、電子器件或其類似物的支撐體、絕緣膜、保護(hù)材料或其類 似物(例如，參見專利文件1至4)。由于形成多層布線，穿透使用半固化片形成的樹脂層的 開口在該層中形成以便與外部形成電連接部分。例如，專利文件1公開印刷線路板的絕緣層使用半固化片形成并且在該絕緣層中 的開口用激光處理、鉆孔或沖孔形成。專利文件2和3公開開口通過執(zhí)行激光束照射步驟或光學(xué)光刻步驟在固化的半固 化片中形成以便形成用固化的半固化片密封的電子器件的連接端子。專利文件4公開電子部件的支撐體使用半固化片形成并且形成樹脂層，其中電子 部件和電連接到該電子部件的導(dǎo)體嵌入其中并且研磨該樹脂層的表面以便暴露該導(dǎo)體。參考文獻(xiàn)[專利文件1]日本公布的專利申請No. 2007-091822[專利文件2]日本公布的專利申請No. 2008-257710[專利文件3]日本公布的專利申請No. 2008-262547[專利文件4]日本公布的專利申請No. 2002-29000
發(fā)明內(nèi)容
通過使用包括增強(qiáng)材料的半固化片作為密封膜，電子元件可以用包括該增強(qiáng)材料 的樹脂膜密封；因此，電子元件的強(qiáng)度可以增加。同時(shí)，在開口在密封膜中形成以便暴露電 子元件的抽取端子的情況下，增強(qiáng)材料還需要與樹脂膜一起被去除。當(dāng)開口在樹脂膜中形 成時(shí)增強(qiáng)材料是麻煩的。如在專利文件1中公開的，開口用鉆孔、沖孔和用激光束的處理在使用半固化片 形成的樹脂膜中形成。對于在電子元件用其密封的樹脂層中開口的形成，鉆孔處理和沖孔 處理是不合適的。采用用激光束的處理以便不損傷電子元件。然而，使用激光束形成開口的步驟耗費(fèi)許多時(shí)間并且需要技術(shù)，因?yàn)殡y以確定樹 脂膜和增強(qiáng)材料是否都去除。從而，取決于操作者的技術(shù)，樹脂膜和/或增強(qiáng)材料可能去除 不充分，從而在開口中暴露的區(qū)域的面積可能變化。因此，通過開口電連接的兩個(gè)導(dǎo)體的連 接電阻值變化，其使得難以制造具有具備設(shè)計(jì)值的電特性的電氣元件。另外，在采用使用激光束形成開口的步驟的情況下，對電子元件的機(jī)械沖擊與鉆 孔或沖孔比較是小的；然而，電子元件的性能因激光束的能量而降低的可能性不能完全消 除。在本發(fā)明的發(fā)明者的研究中，發(fā)現(xiàn)具有小尺寸的電子元件和用低電壓驅(qū)動(dòng)的高性能電子元件的特性在一些情況下由于在密封層中形成開口的步驟中的激光束照射而降低。在本說明書中的技術(shù)目的是提供用于使用除激光束照射之外的手段在通過固化 包括增強(qiáng)材料的半固化片形成的絕緣膜中高準(zhǔn)確度地形成開口的方法。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，用于制造端子結(jié)構(gòu)的方法包括在絕緣表面上形成使用導(dǎo)體 形成的突出物，緊密地貼附包括增強(qiáng)材料的半固化片到絕緣表面和突出物的表面以形成半 固化片的頂面的一部分(其由于該突出物而突出)，固化緊密貼附到絕緣表面和突出物的 表面的半固化片以形成包括增強(qiáng)材料的絕緣膜，并且去除絕緣膜的頂面的突出部分連同增 強(qiáng)材料以在絕緣膜中形成開口。注意突出物的一部分可在形成開口的步驟中去除。根據(jù)該實(shí)施例，開口可以使用除激光束照射之外的手段在通過固化包括增強(qiáng)材料 的半固化片形成的絕緣膜中高準(zhǔn)確度地容易地形成。這是因?yàn)楦鶕?jù)該實(shí)施例，開口形成的 位置可以根據(jù)突出物形成的位置采用自對準(zhǔn)的方式確定，并且開口形成的位置的準(zhǔn)確度可 以通過突出物形成的位置的準(zhǔn)確度確保并且開口的形狀和尺寸可以通過改變突出物的高 度和形狀控制。因此，在形成開口的步驟中，像執(zhí)行激光束照射的位置的確定等的高度準(zhǔn)確 對準(zhǔn)是不需要的。通過研磨包括增強(qiáng)材料的絕緣膜，開口可以在絕緣膜中形成。如上文描述的，開口 可以采用自對準(zhǔn)方式在絕緣膜中形成。因此，通過在平行于水平表面的方向上簡單地研磨 絕緣膜，開口可以采用自對準(zhǔn)方式在絕緣膜中形成。在根據(jù)上文的實(shí)施例的制造方法中，絕緣膜可通過固化代替包括增強(qiáng)材料的半固 化片的不包括增強(qiáng)材料的未固化樹脂膜形成。在該情況下，上文的有利效果也可以獲得。作 為增強(qiáng)材料，可以使用纖維片。在開口形成后，可形成緊密貼附到突出物的導(dǎo)體。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，用于制造電子器件的方法包括在第一絕緣膜上形成電連接 到電子元件中的至少一個(gè)的導(dǎo)電突出物，緊密地貼附包括增強(qiáng)材料的半固化片到第一絕緣 膜的頂面和突出物的表面以形成半固化片的頂面的一部分(其由于該突出物而突出)，固 化緊密貼附到第一絕緣膜的頂面和突出物的表面的半固化片以形成包括增強(qiáng)材料的第二 絕緣膜，并且去除第二絕緣膜的頂面的突出部分連同增強(qiáng)材料以在第二絕緣膜中形成開 口。注意突出物的一部分可在形成開口的步驟中去除。從而，根據(jù)上文的實(shí)施例，如上文描述的，在用于制造電子器件的方法中，開口可 以使用除激光束照射之外的手段在通過固化包括增強(qiáng)材料的半固化片形成的絕緣膜中高 準(zhǔn)確度地容易地形成。根據(jù)上文的實(shí)施例，在用于制造電子器件的方法中，纖維片可以用作增強(qiáng)材料。在 開口形成后，可形成緊密貼附到突出物的導(dǎo)體。第二絕緣膜可通過固化不包括增強(qiáng)材料的 未固化樹脂膜形成。根據(jù)上文的實(shí)施例，在用于制造電子器件的方法中，在電子元件提供在當(dāng)電子元 件形成時(shí)使用的襯底上的情況下，可執(zhí)行將襯底與電子元件分離的步驟。例如，優(yōu)選地在第 二絕緣膜形成后對用第二絕緣膜密封的電子元件進(jìn)行該步驟。在該情況下，襯底可在開口 在第二絕緣膜中形成前或后分離。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，在用于制造電子器件的方法中，開口在包括增強(qiáng)材料的絕 緣膜(固化的半固化片)中形成的位置的準(zhǔn)確度采用自對準(zhǔn)方式通過突出物形成的位置的 準(zhǔn)確度確保并且開口的形狀和尺寸可以通過改變突出物的高度和形狀控制。因此，通過應(yīng)用該實(shí)施例，開口可以使用除激光束照射之外的手段在包括增強(qiáng)材料的絕緣膜中高準(zhǔn)確度 地容易地形成。


圖1A至1D是圖示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例用于制造電子器件的方法的示例的剖 視圖。圖2A至2D是圖示跟在圖ID中的步驟后面的步驟的示例的剖視圖。圖3是圖示在絕緣膜中形成開口的步驟(在圖2B中的步驟)的另一個(gè)結(jié)構(gòu)示例 的剖視圖。圖4A和4B是圖示跟在圖2B中的步驟后面的步驟的示例的剖視圖。圖5A至5C是圖示跟在圖2B中的步驟后面的步驟的示例的剖視圖。圖6是圖示在絕緣膜中形成開口的步驟中使用的研磨機(jī)的結(jié)構(gòu)的示例的視圖。圖7是圖示在絕緣膜中形成開口的步驟中使用的研磨機(jī)的結(jié)構(gòu)的示例的視圖。圖8A是圖示在圖IC中施加于半固化片的片狀纖維體的結(jié)構(gòu)的示例的平面圖，并 且圖8B是沿在圖8A中的線A1-A2獲取的剖視圖。圖9是圖示在圖IC中施加于半固化片的片狀纖維體的結(jié)構(gòu)的示例的平面圖。圖10是圖示在圖IC中施加于半固化片的片狀纖維體的結(jié)構(gòu)的示例的平面圖。圖11是圖示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的電子器件的結(jié)構(gòu)的示例的框圖。圖12是圖示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的電子器件的結(jié)構(gòu)的示例的框圖。圖13是圖示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的電子器件的結(jié)構(gòu)的示例的框圖。圖14A至14D是圖示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例用于制造電子器件的方法的示例的 剖視圖。圖15A至15D是圖示跟在圖14D中的步驟后面的步驟的示例的剖視圖。圖16A至16C是圖示跟在圖15D中的步驟后面的步驟的示例的剖視圖。圖17A和17B是圖示跟在圖16C中的步驟后面的步驟的示例的剖視圖。圖18A和18B是圖示跟在圖17B中的步驟后面的步驟的示例的剖視圖。圖19A是圖示跟在圖18B中的步驟后面的步驟的示例和電子器件的結(jié)構(gòu)示例的剖 視圖，并且圖19B至19D是各自圖示在圖19A中的電子器件的結(jié)構(gòu)示例的平面圖。圖20A和20B是圖示跟在圖16C中的步驟后面的步驟的另一個(gè)結(jié)構(gòu)示例的剖視 圖。圖21A和21B是圖示跟在圖20B中的步驟后面的步驟的示例的剖視圖。
具體實(shí)施例方式在本說明書中公開的本發(fā)明的實(shí)施例將參考附圖描述。注意在本說明書中提及的 附圖中，在不同的附圖中用相同的標(biāo)號表示的部件代表相同的部件。因此，在一些情況下將 省略關(guān)于這樣的部件的重復(fù)的說明。另外，本領(lǐng)域內(nèi)那些技術(shù)人員容易認(rèn)識(shí)到在本說明書中公開的本發(fā)明的模式不限 于在實(shí)施例中的說明并且可以采用各種方式修改。即，在本說明書中公開的本發(fā)明不應(yīng)該 解釋為限于實(shí)施例的說明。
實(shí)施例1在該實(shí)施例中，將描述用由包括增強(qiáng)材料的固化的半固化片或固化的樹脂膜形成 的絕緣膜覆蓋的端子結(jié)構(gòu)和用于制造該端子結(jié)構(gòu)的方法。此外，在該實(shí)施例中，還將描述提 供有具有這樣的結(jié)構(gòu)的端子的電子器件和用于制造該電子器件的方法。端子結(jié)構(gòu)該實(shí)施例的端子結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)體、包括增強(qiáng)材料并且覆蓋該導(dǎo)體的樹脂膜和在與該 導(dǎo)體重疊的該樹脂膜的區(qū)域中形成的開口。在該開口中，導(dǎo)體暴露在樹脂膜的表面，從而該 導(dǎo)體可以電連接到另一個(gè)導(dǎo)體。絕緣表面的說明在端子結(jié)構(gòu)中，第一導(dǎo)體例如在絕緣表面上形成。作為絕緣表面，例如，例如用沉 積方法(例如CVD方法或PVD方法)、氧化處理或其類似方法形成的絕緣膜；樹脂襯底；樹 脂膜；玻璃襯底；或石英襯底等絕緣體的表面。電子器件的說明該實(shí)施例的電子器件包括一個(gè)或多個(gè)電子元件、具有凸出部分或凹陷部分的導(dǎo)體 (其電連接到電子元件中的至少一個(gè))和包括增強(qiáng)材料并且覆蓋該電子元件和該導(dǎo)體的樹 脂膜，和在與該導(dǎo)體重疊的該樹脂膜的區(qū)域中形成的開口。在該開口中，導(dǎo)體暴露在樹脂膜 的表面，從而該導(dǎo)體可以電連接到另一個(gè)導(dǎo)體。用于制造該實(shí)施例的端子結(jié)構(gòu)的方法和用于制造該實(shí)施例的電子器件的方法以 及該端子結(jié)構(gòu)和該電子器件的結(jié)構(gòu)將參照圖IA至1D、圖2A至2D、圖3、圖4A和4B以及圖 5A至5C描述。如在圖IA中圖示的，制備一個(gè)或多個(gè)電子元件110在其上形成的襯底100，其中絕 緣膜101在其之間。對于電子元件110沒有特別限制并且實(shí)踐者可以確定種類、結(jié)構(gòu)、數(shù)量 和制造方法。作為電子元件110的具體示例，給出晶體管、電阻器、整流器、電容器、存儲(chǔ)元 件、光電轉(zhuǎn)換元件、發(fā)光元件、傳感器元件和線路板。電子元件110 (晶體管)的說明在圖IA中，具有SOI結(jié)構(gòu)的晶體管圖示為電子元件110的示例并且晶體管的數(shù)量 為了簡化起見是一個(gè)。如在圖IA中圖示的，半導(dǎo)體層111、充當(dāng)柵電極的導(dǎo)電膜112和充 當(dāng)源電極和/或漏電極的導(dǎo)電膜113(其在晶體管中)在絕緣膜101上形成。這里，絕緣膜 101充當(dāng)晶體管的基極絕緣膜。半導(dǎo)體層111至少包括溝道形成區(qū)、源區(qū)和漏區(qū)。晶體管的 半導(dǎo)體層111用絕緣膜102覆蓋并且導(dǎo)電膜112在絕緣膜102上形成。這里，絕緣膜102 充當(dāng)晶體管的柵極絕緣膜。導(dǎo)電膜112用絕緣膜103覆蓋并且導(dǎo)電膜113在絕緣膜103上 形成。作為襯底100，可以使用例如半導(dǎo)體襯底、玻璃襯底、石英襯底、藍(lán)寶石襯底、陶瓷 襯底、不銹鋼襯底或金屬襯底等襯底。作為半導(dǎo)體襯底，可以使用通過將晶錠(ingot)切片 獲得的硅晶圓、其中單晶半導(dǎo)體層在襯底上形成且在其之間具有絕緣膜的SOI襯底或其類 似物。此外，在例如通過將晶錠切片獲得的硅晶圓等半導(dǎo)體襯底用作襯底100的情況下，包 括半導(dǎo)體區(qū)的電子元件110在硅晶圓(襯底100)上形成。絕緣膜101至103中的每個(gè)具有單層結(jié)構(gòu)或分層結(jié)構(gòu)。用作絕緣膜101至103的 絕緣膜考慮電子元件110的制造工藝的條件和這些膜的功能而被選擇。例如，可以使用包含硅和/或鍺作為它的成分的絕緣膜，例如氧化硅膜、氮化硅膜、氧氮化硅膜、氮化氧化硅 膜、氧化鍺膜、氮化鍺膜、氧氮化鍺膜或氮化氧化鍺膜等。此外，可使用下列由金屬氧化物 形成的絕緣膜，例如氧化鋁、氧化鉭或氧化鉿等；由金屬氮化物形成的絕緣膜，例如氮化鋁； 由金屬氧氮化物形成的絕緣膜，例如氧氮化鋁等；或由金屬氮化氧化物形成的絕緣膜，例如 氮化氧化鋁等。此外，可使用由例如丙烯酸、聚酰亞胺、聚酰胺、聚酰亞胺酰胺或苯并環(huán)丁烯 (benzocyclobutene)等樹脂材料形成的樹脂膜。注意在本說明書中，氧氮化物是其中氧的 含量大于氮的含量的物質(zhì)并且氮化氧化物是其中氮的含量大于氧的含量的物質(zhì)。存在下列用于形成這些絕緣膜的方法的典型示例例如PECVD(等離子激發(fā)CVD) 方法或熱CVD方法等CVD方法(化學(xué)氣相沉積方法)；例如濺射方法或氣相沉積方法等PVD 方法(物理氣相沉積方法)；ALD方法(原子層沉積方法)；用于用液體或膏材料形成膜的 方法，例如旋涂法、液滴排出法或浸漬涂布法等；用等離子體或熱的固相氧化處理或固相氮 化處理；和其類似方法。此外，導(dǎo)電膜112和113中的每個(gè)具有單層結(jié)構(gòu)或分層結(jié)構(gòu)。導(dǎo)電膜112和113中 的每個(gè)可以使用包含單個(gè)金屬(例如鉭、鎢、鈦、鉬、鋁、鉻、鈮、金、銀、銅或鉬等)作為它的 主要成分的金屬膜、合金膜、金屬化合物膜或其類似物形成。例如，作為金屬膜，給出銅膜、 純鋁膜和Si、Nb或其類似物添加到其中的鋁膜。作為合金膜，給出鋁銅合金膜和鋁釹合金 膜。作為金屬化合物膜，給出例如氮化鈦膜或氮化鎢膜等金屬氮化物膜和例如硅化鎳或硅 化鈷等硅化物膜。這些導(dǎo)電膜可以用例如濺射方法或氣相沉積方法等PVD方法；用于用液 體或膏材料形成膜的方法，例如印刷法、液滴排出法或浸漬涂布法等；焊接法；電鍍法；或 其類似方法形成。接著，如在圖IA中圖示的，絕緣膜104形成以覆蓋電子元件110，并且電連接到電 子元件Iio的導(dǎo)電膜113的導(dǎo)電膜114在絕緣膜104上形成。導(dǎo)電膜114形成以電連接在 絕緣膜104上形成的導(dǎo)電突出物到電子元件110并且構(gòu)成包括在電子器件中的電子元件 110的連接部分。從而，導(dǎo)電膜114電連接到電子元件110中的至少一個(gè)。絕緣膜104可以采用與絕緣膜101至103的那些相似的方式形成。例如，在絕緣 膜104具有氮化氧化硅膜和樹脂膜的雙層結(jié)構(gòu)的情況下，具有開口的絕緣膜104可以形成 如下。首先，具有大約50nm至300nm的厚度的氮化氧化硅膜在PECVD設(shè)備中使用SiH4、N20、 NH3和H2作為源氣體在絕緣膜103上形成。然后，由未固化的光敏環(huán)氧苯酚樹脂材料形成 的膜用印刷法在氮化氧化硅膜上形成。接著，該未固化的樹脂膜用具有適當(dāng)波長的光照射 以固化，使得具有大于1 μ m至30 μ m的厚度的樹脂膜形成。在那時(shí)，將成為導(dǎo)電膜113和 導(dǎo)電膜114之間的導(dǎo)電區(qū)域的樹脂膜的部分沒有固化。然后，蝕刻將成為導(dǎo)電區(qū)域的在第 一層中的氮化氧化硅膜的部分，從而完成包括開口的絕緣膜104。然后，導(dǎo)電膜114在絕緣膜104上形成。導(dǎo)電膜114可以采用與導(dǎo)電膜112和113 的那些相似的方式形成。例如，鈦膜用濺射方法形成并且該鈦膜蝕刻以形成導(dǎo)電膜114。接著，導(dǎo)電突出物120如在圖IB中圖示的在絕緣膜104(絕緣表面)上形成。導(dǎo) 電突出物120也稱為凸點(diǎn)并且可起電子器件的端子部分的作用。導(dǎo)電突出物120(在下文 中稱為“突出物120”)電連接到包括在電子器件中的電子元件110中的至少一個(gè)。在該實(shí) 施例中，突出物120形成與導(dǎo)電膜114緊密接觸，由此突出物120電連接到電子元件110。 備選地，突出物120可形成與導(dǎo)電膜113緊密接觸而沒有形成導(dǎo)電膜114。
突出物120優(yōu)選地使用具有流動(dòng)性的導(dǎo)電材料形成，該流動(dòng)性的導(dǎo)電材料例如包 含導(dǎo)電微?；?qū)щ姺勰┑膶?dǎo)電膏或包含導(dǎo)電微?；?qū)щ姺勰┑膶?dǎo)電液體等。這是因?yàn)楫?dāng)使 用這樣的導(dǎo)電材料時(shí)，突出物120可以用液滴排出法(包括噴墨法、點(diǎn)涂法和其類似方法)、 例如絲網(wǎng)印刷法等印刷法或其類似方法形成。這些方法允許凸出導(dǎo)體在凸出導(dǎo)體需要形成 的部分處形成，而沒有使用例如CVD設(shè)備或?yàn)R射設(shè)備等復(fù)雜沉積設(shè)備的沉積步驟和用于形 成光掩模的曝光步驟。導(dǎo)電膏的說明導(dǎo)電膏和導(dǎo)電液體是導(dǎo)電顆?；?qū)щ姺勰┓稚⒃谄渲械牟牧匣驅(qū)щ婎w?；?qū)щ?粉末溶解在其中的導(dǎo)電材料。例如，作為包含在導(dǎo)電液體中的導(dǎo)電粉末或?qū)щ婎w粒的材 料，給出例如Ag、Au、Cu、Ni、Pt、Pd或Nb等的金屬；這些金屬材料中的任何的合金(例如 Ag-Pd)；例如氧化銦或氧化鋅等導(dǎo)電氧化物材料；以及其類似物。此外，作為導(dǎo)電粉末或?qū)?電顆粒溶解或分散在其中的介質(zhì)(溶劑或分散介質(zhì))，例如，給出可光固化樹脂和熱固性樹 脂的前驅(qū)材料。作為可UV固化樹脂，給出丙烯酸樹脂和環(huán)氧樹脂。作為熱固性樹脂，給出 聚酰亞胺樹脂。突出物120可使用焊膏形成。這里，突出物120使用商業(yè)上可獲得的銀膏形成。銀膏用印刷法在突出物120將 形成的區(qū)域中采用凸出形狀形成。然后，銀膏在烤箱中烘烤，使得形成包含銀的突出物120。 與電子元件110的任何部分比較，突出物120從絕緣膜104的頂面突出。半固化片的貼附接著，制備包括增強(qiáng)材料131的未固化(不完全固化)的半固化片130，并且該未 固化的半固化片130(在下文中稱為“半固化片130”)提供在電子器件的絕緣膜104側(cè)上 并且緊密地貼附到絕緣膜104和突出物120的表面。半固化片130在這樣的狀態(tài)下固化， 從而絕緣膜104和突出物120的表面用包括增強(qiáng)材料131的絕緣膜140覆蓋(參見圖IC 和ID和圖2A)。該絕緣膜140起電子元件110 (電子器件)的密封膜的作用。如在圖IC中圖示的，未固化的半固化片130由包括增強(qiáng)材料131的未固化樹脂 132形成。注意不包括增強(qiáng)材料131的未固化樹脂膜可代替半固化片130使用。優(yōu)選使用 包括增強(qiáng)材料131的半固化片130，因?yàn)榭梢栽鰪?qiáng)端子結(jié)構(gòu)和電子器件。作為未固化樹脂132(在下文中稱為“樹脂132”)的樹脂材料，可以使用例如環(huán)氧 樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚酰亞胺樹脂、雙馬來酰亞胺_三嗪樹脂或氰酸酯樹脂等熱固性樹 脂。備選地，可使用例如聚苯醚樹脂、聚醚酰亞胺樹脂或含氟樹脂等熱塑性樹脂。例如，當(dāng) 樹脂132由聚酰亞胺樹脂形成時(shí)，樹脂132固化以形成由形成的聚酰亞胺樹脂形成的樹脂 層。注意用于樹脂132的樹脂材料的數(shù)量不限于一個(gè)并且可使用多個(gè)樹脂材料。注意在該說明書中，未固化樹脂層和未固化的半固化片指處于未固化狀態(tài)的那些 和處于不完全固化狀態(tài)兩者。后面的狀態(tài)也稱為半固化狀態(tài)。作為用于半固化片130的增強(qiáng)材料131，給出纖維、片狀纖維體(也稱為纖維片)、 填充料和其類似物。片狀纖維體是使用纖維形成的片狀物質(zhì)，并且例如紡織織物(woven fabric)和無紡織物(nonwovenfabric)各自對應(yīng)于片狀纖維體?？椩煊糜谄瑺罾w維體的紡 織織物的方式不特別限制并且例如，平紋機(jī)織物、斜紋織物、緞紋織物或其類似物可以用作 片狀纖維體。
高強(qiáng)度纖維優(yōu)選地用作用于增強(qiáng)材料131的纖維。高強(qiáng)度纖維具體地是具有高拉 伸彈性模量的纖維或具有高楊氏模量的纖維。作為高強(qiáng)度纖維，給出聚乙烯醇纖維，聚酯纖 維，聚酰胺纖維，聚乙烯纖維，芳綸纖維(aramid fiber)，聚對苯撐苯并二噁唑纖維(polypa raphenylenebenzobisoxazole)，玻璃纖維，碳纖維和其類似物。作為玻璃纖維，給出使用E 玻璃、S玻璃、D玻璃、Q玻璃或其類似物的玻璃纖維。例如，由玻璃纖維形成的紡織織物叫 做玻璃布。對于用于增強(qiáng)材料131的紗束(例如，橫截面形狀或處理方法)沒有特別限制。橫 截面形狀可是環(huán)形，橢圓形或扁平形狀。使用已經(jīng)經(jīng)受纖維開松的紗束形成的片狀纖維體 優(yōu)選地用于增強(qiáng)材料131，因?yàn)榻?jīng)受纖維開松的紗束具有大的寬度，在厚度方向上具有更少 的單紗，從而容易在橫截面上變平。使紗束在橫截面上變平使纖維體的厚度小，其減小增強(qiáng) 材料131的厚度。因此，未固化的半固化片130可以是薄的。圖1D(貼附半固化片)和圖2A(固化半固化片)在樹脂132是熱固性樹脂的情況下，緊密貼附半固化片130到絕緣膜104和突出 物120的表面的步驟和固化半固化片130的步驟可以使用真空熱壓執(zhí)行。半固化片130放 置在絕緣膜104側(cè)上并且半固化片130和襯底100如在圖IC中圖示的被按壓，使得半固化 片130如在圖ID中圖示的緊密地貼附到絕緣膜104和突出物120的表面。當(dāng)使用真空熱 壓按壓時(shí)半固化片130被加熱，由此半固化片130固化(變硬)。從而，包括增強(qiáng)材料131 的絕緣膜140如在圖2A中圖示的形成。在絕緣膜140中，樹脂142對應(yīng)于已經(jīng)固化的樹脂 132。因此，絕緣膜140也可以稱為包括增強(qiáng)材料131的樹脂膜。在樹脂132是可光固化樹脂的情況下，半固化片130可固化如下。半固化片130 和襯底100用真空壓制(真空熱壓)按壓，由此半固化片130如在圖ID中圖示的緊密地貼 附到絕緣膜104和突出物120的表面。然后，執(zhí)行光照射。在該實(shí)施例中，如在圖ID中圖示的，半固化片130貼附到襯底100，其中在覆蓋突 出物120的區(qū)域(每個(gè)由虛線環(huán)繞的區(qū)域133)中的半固化片130的部分與半固化片130 的其他區(qū)域相比突出。在該步驟的生產(chǎn)率和重復(fù)能力方面，從絕緣膜104的頂面突出的突 出物120的高度H(厚度H)優(yōu)選地大于或等于還沒有經(jīng)受貼附步驟的半固化片130的厚度 T的一半(參見圖1C)。S卩，優(yōu)選地滿足H≥T/2。接著，如在圖2B中圖示的，絕緣膜140的頂面的突出部分與增強(qiáng)材料131的突出 部分一起被去除，使得開口 143在絕緣膜140中形成。開口 143可以通過例如研磨包括增 強(qiáng)材料131的絕緣膜140形成。如上文描述的，提供突出物120的絕緣膜140的區(qū)域133 突出；從而，通過應(yīng)用研磨步驟，待去除以暴露突出物120(區(qū)域133)的絕緣膜140的區(qū)域 可以容易地選擇性去除。即，因?yàn)殚_口 143在絕緣膜140中形成的位置根據(jù)突出物120的 位置采用自對準(zhǔn)的方式確定，用于形成開口 143的對準(zhǔn)準(zhǔn)確度由在形成突出物120的步驟 中的對準(zhǔn)準(zhǔn)確度確保。因此，操作者的技術(shù)在絕緣膜140中形成開口143的研磨步驟中與 其中使用激光束的步驟相比沒有那么重要。在該實(shí)施例中，開口143的尺寸和形狀可以通過改變突出物120的高度和形狀控制。從而，代替突出物120，像突出物120的突出導(dǎo)體可提供在開口143待形成的區(qū)域中。 從而部分地提供有凸出部分的導(dǎo)體包括形成電子器件的端子的部分和形成電極或布線的部分。
在本說明書中研磨處理可是只要對象可以被研磨的任何處理并且在它的類別中 包括例如機(jī)械拋光處理和化學(xué)機(jī)械拋光處理、修整處理(dressing treatment)和擦光處理 等拋光處理。在從絕緣膜104的頂面突出的絕緣膜140的部分被完全去除之前，去除絕緣膜140 的一部分的步驟不是必須執(zhí)行。只必須暴露在襯底100上提供的突出部分120中的所有。 例如，如在圖2B中圖示的，突出的絕緣膜140的上部可在研磨步驟中去除。當(dāng)絕緣膜140 被研磨時(shí)突出物120也可被研磨。備選地，如在圖3中圖示的，研磨量可增加使得覆蓋沒有 提供突出物120的區(qū)域的絕緣膜140的部分也被去除。在圖3中，由虛線指示的部分代表 在去除絕緣膜140的步驟中去除的部分。通過改變研磨量，可以控制在絕緣膜140中形成的開口 143的尺寸(從絕緣膜140 暴露的突出物120的部分的面積)。因此，在該實(shí)施例中，從絕緣膜140暴露的突出物120 的部分的面積的變化與使用激光束形成開口 143的步驟比較可以減小。因此，電子器件的 電特性的變化可以減小，其增加電子器件自己的可靠性。從而，當(dāng)突出物120的高度增加時(shí)，可以擴(kuò)大在襯底100上的多個(gè)開口 143的面積 變化的允許范圍。當(dāng)襯底的尺寸增加時(shí)，在襯底100上的絕緣膜140的開口 143的面積可 能變化；因此，增加突出物120的高度是有利有效的。為了在絕緣膜140中可靠地形成多個(gè) 開口 143，突出物120的高度可設(shè)置為高并且突出物120的研磨量可增加。備選地，沒有改 變突出物120的高度，突出物120的研磨量增加使得絕緣膜140的頂面如在圖3中圖示的 整體研磨，由此可以獲得相似的有利效果。接著，如在圖2C中圖示的，導(dǎo)體121形成以緊密地貼附到突出物120。導(dǎo)體121可 以使用具有流動(dòng)性的導(dǎo)電材料(例如包含導(dǎo)電微粒或?qū)щ姺勰┑膶?dǎo)電膏或包含導(dǎo)電微粒 或?qū)щ姺勰┑膶?dǎo)電液體等)采用與在圖IB中的突出物120的方式相似的方式形成。用這 樣的導(dǎo)電材料形成的導(dǎo)體121可以用液滴排出法(包括噴墨法、點(diǎn)涂法和其類似方法)、例 如絲網(wǎng)印刷法等印刷法或其類似方法形成與突出物120接觸。然后，導(dǎo)電材料用熱處理、光 照射或類似方法固化(變硬)，由此形成導(dǎo)體121。從而，在電子器件中，包括突出物120和導(dǎo)體121的端子部分形成。注意導(dǎo)體121 可不僅包括形成電子器件的端子部分的部分還包括形成布線或另一個(gè)電極的部分。注意在使用突出物120而沒有形成導(dǎo)體121來與另一個(gè)電氣器件電連接是可能的 情況下，導(dǎo)體121不是必須形成的。通過形成導(dǎo)體121，端子部分與在電子器件的絕緣膜140 側(cè)上的任何其他部分相比可以突出；因此，與另一個(gè)電氣器件的電連接部分的可靠性可以 增加，其是優(yōu)選的。接著，如在圖2D中圖示的，切割在襯底100上形成的堆疊以便獲得個(gè)體電子器件 151。該步驟可以用例如劃片或劃線等處理執(zhí)行。在襯底100切割前，襯底100可通過執(zhí)行 研磨處理或其類似處理減薄。如在圖2D中圖示的，電子器件151包括一個(gè)或多個(gè)用絕緣膜104覆蓋的電子元件 110、在絕緣膜104上形成并且各自使用電連接到電子元件110中的至少一個(gè)的導(dǎo)體形成的 突出物120和導(dǎo)體121，以及包括增強(qiáng)材料131的絕緣膜140，其覆蓋突出物120和絕緣膜 104。絕緣膜140在電子器件151的突出物120側(cè)上形成密封膜。開口 143在提供突出物 120的絕緣膜140的部分中形成，并且突出物120和導(dǎo)體121在開口 143中電連接。從而，電子器件151可以通過導(dǎo)體121電連接至另一個(gè)電子器件(例如集成電路、布線電路或天 線)。在襯底100上形成的堆疊切割之前，包括增強(qiáng)材料131的半固化片130還可貼附 到襯底100的沒有提供有堆疊的表面。在半固化片130貼附后，半固化片130固化以形成 覆蓋襯底100的沒有提供有堆疊的表面的絕緣膜160，如在圖4A中圖示的。絕緣膜160采 用與絕緣膜140的方式相似的方式由包括增強(qiáng)材料131的樹脂142形成。注意絕緣膜160 可通過固化不包括增強(qiáng)材料131的未固化樹脂膜形成。然后，如在圖4B中圖示的，切割絕 緣膜140和絕緣膜160之間的堆疊以便獲得個(gè)體電子器件152。電子器件152的結(jié)構(gòu)與在 圖2D中的電子器件151的結(jié)構(gòu)相似，不同的是包括增強(qiáng)材料131的絕緣膜160在襯底100 的后表面上形成。如在圖5A中圖示的，用于制造電子元件110的襯底100可與電子元件110分離。 然后，包括增強(qiáng)材料131的半固化片130貼附到絕緣膜101并且然后，半固化片固化以形成 覆蓋絕緣膜101的絕緣膜161 (參見圖5B)。絕緣膜161采用與絕緣膜140的方式相似的方 式由包括增強(qiáng)材料131的樹脂142形成。注意絕緣膜161可通過固化不包括增強(qiáng)材料131 的未固化樹脂膜形成。然后，如在圖5C中圖示的，切割絕緣膜140和絕緣膜161之間的堆疊以便獲得個(gè) 體電子器件153。分離襯底100的步驟可在開口 143在絕緣膜140中形成之前執(zhí)行。在該情況下， 執(zhí)行直到并且包括圖IA中的步驟的步驟，襯底100分離，并且絕緣膜161形成。然后，開口 143在絕緣膜140中形成。電子器件153的結(jié)構(gòu)與在圖2D中的電子器件151的結(jié)構(gòu)相似，不同的是襯底100 去除并且包括增強(qiáng)材料131的絕緣膜161在絕緣膜101上形成。絕緣膜140和161起電子 器件153的密封膜的作用。通過去除襯底100，可以制造可以是弧形或彎曲的電子器件153。如上文描述的，在該實(shí)施例中，開口在包括增強(qiáng)材料的絕緣膜(樹脂膜)中形成的 位置的準(zhǔn)確度采用自對準(zhǔn)方式確保并且開口的形狀和尺寸可以通過改變突出物的高度和 形狀控制。因此，通過應(yīng)用該實(shí)施例，與使用激光束的情況相比，開口可以在包括增強(qiáng)材料 的絕緣膜中高準(zhǔn)確度并且很容易地形成。因此，端子結(jié)果和電子器件可以具有更高可靠性。注意開口在使用包括增強(qiáng)材料的半固化片形成的絕緣膜中形成的方法在該實(shí)施 例中描述；然而，該實(shí)施例還可以應(yīng)用于開口在通過固化不包括增強(qiáng)材料的未固化樹脂膜 形成的絕緣膜中形成的情況，其引起相似的有利效果。該實(shí)施例可以適當(dāng)?shù)嘏c任意其他實(shí)施例結(jié)合。實(shí)施例2在該實(shí)施例中，將描述在絕緣膜140中形成開口 143的步驟(參見圖2B)。圖6和 圖7是圖示研磨機(jī)的結(jié)構(gòu)的示例的視圖。在圖6和圖7中的研磨機(jī)使優(yōu)先去除絕緣膜140 的頂面的突出部分成為可能。研磨機(jī)的結(jié)構(gòu)示例1和研磨步驟在下文中，將描述在圖6中的研磨機(jī)201的結(jié)構(gòu)和在圖2B的步驟中如何使用研磨 機(jī) 201。如在圖6中圖示的，研磨機(jī)201包括具有研磨面的研磨面板210、使研磨面板210旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)單元211、支撐處理襯底200的襯底支撐單元212、使襯底支撐單元212旋轉(zhuǎn)的 旋轉(zhuǎn)單元213以及向研磨面供應(yīng)液體214的噴嘴215。例如，吸盤可以應(yīng)用于襯底支撐單元 212并且純水、漿或其類似物可以用作液體214。為了執(zhí)行在圖2B中的步驟，首先，已經(jīng)經(jīng)受直到并且包括在圖2A中的步驟的步驟 的處理襯底200固定到襯底支撐單元212。處理襯底200固定到襯底支撐單元212使得在 絕緣膜140側(cè)(上面提供凸出部分的側(cè))上的處理襯底200的表面面對研磨面板210。然 后，絕緣膜140通過與關(guān)于處理襯底200旋轉(zhuǎn)的研磨面板210接觸而被研磨。在那時(shí)，可旋 轉(zhuǎn)研磨面板210和處理襯底200中的一個(gè)或兩個(gè)。為了優(yōu)先地去除絕緣膜140的突出部分， 處理襯底200優(yōu)選地與研磨面均勻地接觸。因此，處理襯底200可通過向處理襯底200均 勻施加力而與研磨面板210接觸。此外，例如純水等液體214可按需要供應(yīng)。研磨機(jī)的結(jié)構(gòu)示例2和研磨步驟接著，將描述在圖7中的研磨機(jī)202的結(jié)構(gòu)和在圖2B的步驟中如何使用研磨機(jī) 202。如在圖7中圖示的，研磨機(jī)202包括具有研磨面的研磨帶220、用于使研磨帶220 轉(zhuǎn)動(dòng)的運(yùn)送機(jī)輥221至223和用于傳送處理襯底200的載物臺(tái)224。來自馬達(dá)或其類似物 的驅(qū)動(dòng)力傳遞到運(yùn)送機(jī)輥221，并且運(yùn)送機(jī)輥221由該驅(qū)動(dòng)力轉(zhuǎn)動(dòng)。載物臺(tái)224具有固定處 理襯底200的單元，例如吸盤等，并且可以在由箭頭230示出的方向上傳送。此外，研磨機(jī) 202可像研磨機(jī)201 —樣提供有向處理襯底200供應(yīng)液體的單元。為了執(zhí)行在圖2B中的步驟，首先，已經(jīng)經(jīng)受直到并且包括圖2A中的步驟的步驟 的處理襯底200固定到載物臺(tái)224。處理襯底200固定到載物臺(tái)224使得在絕緣膜140側(cè) (上面提供凸出部分的側(cè))上的處理襯底200的表面與研磨帶220接觸。然后，載物臺(tái)224 在由箭頭230示出的方向上傳送使得研磨帶220和處理襯底200彼此接觸。在那時(shí)，調(diào)節(jié) 載物臺(tái)224傳送的速率和研磨帶220轉(zhuǎn)動(dòng)的速率以便力均勻地施加到研磨帶220和處理襯 底 200。在圖2B中的步驟中，可傳送載物臺(tái)224以便僅絕緣膜140的突出區(qū)域與研磨帶 220接觸。因?yàn)榇心サ膮^(qū)域是絕緣膜140的一部分突出的區(qū)域133，絕緣膜140和研磨帶 220彼此接觸的區(qū)域不必特別控制。在該情況下，可傳送載物臺(tái)224以便絕緣膜140的頂面 與研磨帶220整體接觸。無論如何，僅需要控制研磨量和去除絕緣膜140的一部分使得突 出物120暴露。通過形成突出物120，開口 143的位置采用自對準(zhǔn)的方式確定，并且開口 143的形 狀和尺寸可以通過改變突出物120的形狀和高度控制。從而，開口 143可以用研磨處理在 絕緣膜140中高準(zhǔn)確度地形成而沒有研磨機(jī)的復(fù)雜操作。因此，甚至當(dāng)使用提供有在一個(gè)平面中旋轉(zhuǎn)的研磨面板210的研磨機(jī)201 (其在圖 6中圖示)時(shí)，開口 143可以高準(zhǔn)確度地形成。當(dāng)使用提供有在一個(gè)平面中轉(zhuǎn)動(dòng)的研磨帶 220的研磨機(jī)202 (其在圖7中圖示)時(shí)，載物臺(tái)224只在由箭頭230示出的方向上平行地 傳送，由此開口 143可以高準(zhǔn)確度地形成。該實(shí)施例可以適當(dāng)?shù)嘏c任意其他實(shí)施例結(jié)合。實(shí)施例3在該實(shí)施例中，將描述可以應(yīng)用于在圖ID中圖示的半固化片130的增強(qiáng)材料131的片狀纖維體。通過使用使用這樣的片狀纖維體形成的增強(qiáng)材料131，可以增加電子器件的 強(qiáng)度，其是優(yōu)選的。片狀纖維體的結(jié)構(gòu)示例1圖8A是圖示片狀纖維體251的結(jié)構(gòu)的示例的平面圖。圖8B是圖示片狀纖維體 251的結(jié)構(gòu)的示例的剖視圖，其沿在圖8A中的線A1-A2獲取。如在圖8A中圖示的，片狀纖維體251是平紋織物，其通過交替地編織經(jīng)紗261和 緯紗262使得它們彼此交叉而獲得。片狀纖維體251具有籃孔263，其每個(gè)是既不包括經(jīng)紗 261也不包括緯紗262的區(qū)域。對于用于片狀纖維體251的紗束(經(jīng)紗261和緯紗262)(例如，橫截面形狀或處 理方法)沒有特別限制。橫截面形狀可是環(huán)形、橢圓形或扁平形狀。已經(jīng)經(jīng)受纖維開松的 紗束優(yōu)選地用于經(jīng)紗261和緯紗262，因?yàn)榻?jīng)受纖維開松的紗束具有大的寬度，在厚度方向 上具有更少數(shù)量的單紗，從而容易在橫截面上變平。例如，如在圖8B中圖示的，通過使用具 有扁平橫截面的經(jīng)紗261和具有扁平橫截面的緯紗262，片狀纖維體251可以是薄的。片狀纖維體的結(jié)構(gòu)示例2作為增加固化的半固化片強(qiáng)度的手段，給出減小籃孔的面積。圖9圖示具有這樣 的結(jié)構(gòu)示例的片狀纖維體252的平面圖。如在圖9中圖示的，片狀纖維體252是平紋織物， 其通過交替地編織經(jīng)紗261和緯紗262使得它們彼此交叉而獲得，像片狀纖維體251 —樣。 在片狀纖維體252中，如與片狀纖維體251比較，經(jīng)紗261和緯紗262的密度是高的并且籃 孔263是小的。片狀纖維體的結(jié)構(gòu)示例3用于片狀纖維體的紡織織物不限于平紋織物。圖10圖示這樣的片狀纖維體的結(jié) 構(gòu)的示例。圖10是片狀纖維體253的平面圖。如在圖10中圖示的，片狀纖維體253通過 交替地編制十根經(jīng)紗261和十根緯紗262使得它們彼此交叉而獲得。此外，為了更有效地使用固化的半固化片保護(hù)電子器件，片狀纖維體(251、252和 253)中的每個(gè)的籃孔263的面積優(yōu)選地小于當(dāng)電子器件使用時(shí)局部按壓的該電子器件的 部分的面積。例如，在電子器件用像例如鋼筆或鉛筆等書寫用具的具有尖端的工具按壓的 情況下，籃孔263的形狀優(yōu)選地是具有其中每個(gè)具有0. Olmm到0. 2mm的長度的邊的四邊 形。在實(shí)施例1中形成開口 143的步驟中，通過控制絕緣膜140的研磨量，絕緣膜140 的一部分可以與增強(qiáng)材料131的一部分一起去除。因此，即使當(dāng)例如玻璃布等片狀纖維體 用于增強(qiáng)材料131時(shí)，開口 143可以高生產(chǎn)率地形成。該實(shí)施例可以適當(dāng)?shù)嘏c任意其他實(shí)施例結(jié)合。實(shí)施例4在該實(shí)施例中，作為示例，將描述能夠通過無線通信傳送和接收數(shù)據(jù)的電子器件 的結(jié)構(gòu)和該電子器件的制造方法。圖11是圖示根據(jù)該實(shí)施例的電子器件300的結(jié)構(gòu)的示例的框圖。如在圖11中圖 示的，電子器件300包括天線301和功能電路302，其包括多個(gè)電子元件。天線301發(fā)送并 且接收載波。對于天線301，選擇具有適合在其中執(zhí)行通信的頻帶的結(jié)構(gòu)的那個(gè)。功能電 路302至少具有處理由天線301接收的載波的功能和/或產(chǎn)生從天線301傳送的載波的功能。載波(carrier wave)是AC波的信號，其也稱為carrier。在無線通信中，載波的 頻率或振幅根據(jù)代表數(shù)據(jù)的信號而改變(調(diào)制)以產(chǎn)生調(diào)制波，并且數(shù)據(jù)通過調(diào)制波的傳 送和接收傳輸。存在若干種用于調(diào)制載波的方法。其中數(shù)據(jù)由載波的振幅代表的調(diào)制方法 叫做振幅調(diào)制。其中數(shù)據(jù)由載波的頻率代表的調(diào)制方法叫做頻率調(diào)制。作為電子器件300的具體示例，可以給出可以無接觸傳輸數(shù)據(jù)的IC芯片(也稱為 無線芯片)。另外，還可以給出執(zhí)行無接觸個(gè)體識(shí)別所采用的射頻識(shí)別(RFID)標(biāo)簽。RFID 標(biāo)簽還稱為RF標(biāo)簽、無線標(biāo)簽、電子標(biāo)簽或IC標(biāo)簽?？梢杂糜贗C芯片或RFID標(biāo)簽的電子器件300的結(jié)構(gòu)的示例將參照圖12和圖13 描述。圖12是圖示電子器件300的結(jié)構(gòu)的示例的框圖并且圖13是圖示電子器件300的結(jié) 構(gòu)的另一個(gè)示例的框圖。首先，將描述在圖12中的電子器件300的結(jié)構(gòu)。在圖12中的電子器件300中，功 能電路302從功能方面可以分為電源部分311和邏輯電路部分312。電源部分311是用于向電子器件300供應(yīng)電力的器件并且包括例如整流電路321、 電力存儲(chǔ)部分322和恒壓電路323。整流電路321是從由天線301接收的信號(載波)產(chǎn) 生DC電壓的電路。電力存儲(chǔ)部分322是存儲(chǔ)由整流電路321產(chǎn)生的直流電壓的電路從而 包括例如多個(gè)電容器。恒壓電路323是使由整流電路321產(chǎn)生的電壓恒定的電路。邏輯電路部分312具有從由天線301接收的信號(載波)抽取數(shù)據(jù)的功能，產(chǎn)生 代表數(shù)據(jù)并且從天線301傳送的載波的功能，和其類似功能。例如，邏輯電路部分312包括 解調(diào)電路331、時(shí)鐘產(chǎn)生/校正電路332、代碼識(shí)別/判斷電路333、存儲(chǔ)控制器334、存儲(chǔ)器 335、編碼電路336和調(diào)制電路337。解調(diào)電路331是解調(diào)由天線301接收的載波的電路。時(shí)鐘產(chǎn)生/校正電路332是 基于從解調(diào)電路331輸出的信號產(chǎn)生時(shí)鐘信號并且校正時(shí)鐘信號的電路。代碼識(shí)別/判斷電路333識(shí)別包括在由天線301接收的載波中的代碼并且做出判 斷。此外，代碼識(shí)別/判斷電路333具有循環(huán)冗余校驗(yàn)(CRC)功能，用于辨別傳輸誤差。作 為由代碼識(shí)別/判斷電路333識(shí)別的代碼，可以給出幀結(jié)束(EOF)信號、幀開始(SOF)信號、 旗標(biāo)、命令碼、掩碼長度(mask length)、掩碼值(mask value)和其類似物。存儲(chǔ)控制器334基于由代碼識(shí)別/判斷電路333識(shí)別的代碼產(chǎn)生用于從存儲(chǔ)器 335讀出數(shù)據(jù)的信號。存儲(chǔ)器335至少包括只讀存儲(chǔ)器(ROM)。作為ROM的示例，可以給出 掩模ROM和PR0M。此外，存儲(chǔ)器335可包括例如隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)等存儲(chǔ)電路，其能夠 重寫數(shù)據(jù)。作為能夠重寫數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)電路，例如可以使用DRAM、SRAM、FeRAM、EEPROM或閃 存。編碼電路336編碼待從電子器件300傳送的數(shù)據(jù)，例如從存儲(chǔ)器335讀出的數(shù)據(jù) 或其類似物等。調(diào)制電路337基于已經(jīng)在編碼電路336中編碼的數(shù)據(jù)調(diào)制信號以產(chǎn)生可以 從天線301傳送的載波。接著，將描述在圖13中的電子器件300的結(jié)構(gòu)。電子器件300起算術(shù)處理單元的 作用，其通過與外部設(shè)備的無線通信運(yùn)行。在圖13中的電子器件300中，功能電路302從 功能方面可以分為模擬電路部分341、數(shù)字電路部分342和電力存儲(chǔ)部分343。模擬電路部分341包括具有諧振電容器的諧振電路351、恒壓電路352、整流電路353、解調(diào)電路354、調(diào)制電路355、復(fù)位電路356、震蕩電路357和電源控制電路358。數(shù)字電路部分342包括RF接口 361、控制寄存器362、時(shí)鐘控制器363、中央處理單 元(CPU) 364、CPU 接口 365、RAM 366 和 R0M367。在圖13中的電子器件300的運(yùn)行在下文中粗略地描述。由天線301接收的信號 (載波)輸入到模擬電路部分341并且感應(yīng)電動(dòng)勢在諧振電路351中產(chǎn)生。感應(yīng)電動(dòng)勢通 過整流電路353存儲(chǔ)在電力存儲(chǔ)部分343中。電力存儲(chǔ)部分343可以使用例如陶瓷電容器 或電偶層電容器等電容器形成。復(fù)位電路356產(chǎn)生復(fù)位并且初始化數(shù)字電路部分342的信號。例如，復(fù)位電路356 產(chǎn)生在電源電壓增加后延遲地升高的信號作為復(fù)位信號。震蕩電路357根據(jù)由恒壓電路 352產(chǎn)生的控制信號改變時(shí)鐘信號的頻率和占空比。解調(diào)電路354是解調(diào)接收的信號的電 路，并且調(diào)制電路355是調(diào)制信號使得待傳送的數(shù)據(jù)包括在載波中的電路。例如，當(dāng)在電子器件300中處理信號所采用的調(diào)制方法是幅移鍵控(ASK)法(其 是振幅調(diào)制方法中的一個(gè))時(shí)，解調(diào)電路354優(yōu)選地使用低通濾波器形成。解調(diào)電路354 基于幅度的變化使接收的信號二值化。在另一方面，調(diào)制電路355改變諧振電路351的諧 振點(diǎn)，由此改變信號的振幅。時(shí)鐘控制器363根據(jù)電源電壓或在CPU364中消耗的電流產(chǎn)生用于改變時(shí)鐘信號 的頻率和占空比的控制信號。電源電壓由電源控制電路358監(jiān)測。由天線301接收的信號由解調(diào)電路354解調(diào)。所解調(diào)的信號由RF接口 361分解 為控制命令、數(shù)據(jù)和其類似的?？刂泼畲鎯?chǔ)在控制寄存器362中?？刂泼畎ǖ桨?在數(shù)字電路部分342中的電路的指令，例如用于從R0M367讀出數(shù)據(jù)的指令、用于向RAM366 寫數(shù)據(jù)的指令或到CPU364的算術(shù)指令。CPU364 通過 CPU 接 口 365 訪問 R0M367、RAM366 和控制寄存器 362。CPU 接 口 365 根據(jù)由CPU364請求的地址產(chǎn)生允許CPU364訪問R0M367、RAM366和控制寄存器362中的任 何哪個(gè)的訪問信號。存在若干CPU364的算術(shù)處理方法，并且其中通過軟件執(zhí)行處理的方法是這些方 法中的一個(gè)。在該方法中，例如，R0M367存儲(chǔ)操作系統(tǒng)(OS)并且CPU364讀取存儲(chǔ)在R0M367 中的程序以執(zhí)行。另一個(gè)方法是其中處理由專用運(yùn)算電路進(jìn)行的方法，即，其中處理由硬件 進(jìn)行的方法。另一個(gè)方法是其中使用硬件和軟件的方法。在該方法中，算術(shù)處理的部分由 專用運(yùn)算電路進(jìn)行而算術(shù)處理的另一部分由CPU364使用程序進(jìn)行。接著，將描述用于制造電子器件300的方法的示例。該實(shí)施例將描述包括分離用 于制造電子器件的襯底的步驟的制造方法。例如，在實(shí)施例1中描述的制造方法中，作為這 樣的方法，分離膜(例如，包括硅的膜)在襯底100和充當(dāng)基底的絕緣膜101之間形成并且 通過蝕刻去除，使得電子器件可以與襯底100分離。備選地，電子器件可采用包括金屬作為 它的主要成分的分離膜在襯底100和充當(dāng)基底的絕緣膜101之間形成并且施加物理力于分 離膜以便引起沿分離膜分離的這樣的方式與襯底100分離。應(yīng)用后面的方法的電子器件300的制造方法的示例將在下文參照圖14A至14C、圖 15A禾口 15B、圖16A禾口 16B、圖17和圖18A至18D描述。首先，如在圖14A中圖示的，制備用于制造功能電路302的電子元件的襯底。這里， 作為襯底，使用玻璃襯底400。功能電路302在玻璃襯底400上形成的基底絕緣膜401上形成。分離膜402在基底絕緣膜401和玻璃襯底400之間形成使得在功能電路302制造后功 能電路302與玻璃襯底400分離。在分離膜402形成之前，基底膜403在玻璃襯底400上形成并與其緊密接觸?；?底膜403是分離膜402的基底膜并且形成以便提高分離膜402和玻璃襯底400之間的粘附 力?；啄?03可以使用具有單層結(jié)構(gòu)或分層結(jié)構(gòu)的絕緣膜形成。作為用于形成基底膜403 的絕緣膜，可以使用氧化硅膜、氧氮化硅膜、氮化氧化硅膜、氮化硅膜、金屬氧化物膜或其類 似物。這里，具有IOOnm厚度的氧氮化硅膜用PECVD方法形成。接著，分離膜402與基底膜403接觸形成。這里，作為分離膜402，具有50nm厚度 的鎢膜用濺射方法形成。在該制造方法中，通過施加機(jī)械力于分離膜402，分離優(yōu)先在分離膜402內(nèi)和/或 在分離膜402和基底絕緣膜401之間的界面處弓丨起使得功能電路302與玻璃襯底400分離。 為了可引起這樣的分離，分離膜402使用例如鎢膜、鉬膜、鎢和鉬的合金膜、鎢和/或鉬的氧 化膜、鎢和/或鉬的氧氮化膜、鎢和/或鉬的氮化氧化膜或鎢和/或鉬的氮化膜。此外，分 離膜402可以使用從上文選擇的膜的堆疊形成。這些膜可以用濺射法、PECVD法、液體排出 法或其類似方法形成。分離膜402可采用鎢膜、鉬膜或鎢和鉬的合金膜形成為第一層并且第一層的氮化 膜、氧化膜、氧氮化膜、或氮化氧化膜形成為第二層這樣的方式形成。備選地，分離膜402可 采用鎢膜、鉬膜或鎢和鉬的合金膜在基底膜403上形成并且該膜經(jīng)受氧化處理這樣的方式 形成。作為氧化處理，可以使用熱氧化處理、用氧或N2O等離子體的等離子氧化處理、用具 有強(qiáng)氧化力的溶液(例如臭氧水等)的表面處理，或其類似的。接著，具有單層結(jié)構(gòu)或堆疊層結(jié)構(gòu)的基底絕緣膜401與分離膜402接觸形成?？梢?耐受制造電子器件300的后面步驟的絕緣膜選擇為基底絕緣膜401并且可以采用與在圖IA 中的絕緣膜101的方式相似的方式形成。這里，基底絕緣膜401具有三層結(jié)構(gòu)；具有IOOnm 至700nm厚度的氧氮化硅膜形成為第一層，具有20nm至IOOnm厚度的氮化氧化硅膜形成為 第二層，并且具有50nm至150nm厚度的氧氮化硅膜形成為第三層。這些膜通過PECVD法形 成。接著，功能電路302在基底絕緣膜401上制造。多個(gè)功能電路302在相同的過程 中在玻璃襯底400上同時(shí)制造。制造各包括η溝道晶體管和ρ溝道晶體管的兩個(gè)功能電路 302的過程在圖中圖示。如在圖14Β中圖示，半導(dǎo)體膜405在基底絕緣膜401上形成以便制造功能電路 302。這里，晶體硅膜形成為半導(dǎo)體膜405。例如，晶體硅膜可以采用具有40nm至SOnm厚度 的非晶硅膜使用H2和SiH4的混合氣體用PECVD法形成然后該非晶硅膜通過用NchYVO4激 光器(1064nm的基波)的第二諧波照射結(jié)晶這樣的方式形成。備選地，非晶硅膜可在加熱 爐中用熱處理結(jié)晶。接著，抗蝕劑掩模在半導(dǎo)體膜405上形成并且半導(dǎo)體膜405使用該抗蝕劑掩模被 蝕刻以具有期望的形狀，使得半導(dǎo)體膜420和半導(dǎo)體膜430如在圖14C中圖示的在基底絕 緣膜401上形成。半導(dǎo)體膜420是η溝道晶體管的半導(dǎo)體層并且半導(dǎo)體膜430是ρ溝道晶 體管的半導(dǎo)體層。在用于蝕刻半導(dǎo)體膜405的抗蝕劑掩模去除后，如果需要的話，充當(dāng)施主 或受主的雜質(zhì)元素添加到半導(dǎo)體膜420和/或半導(dǎo)體膜430以便控制晶體管的閾值電壓。備選地，添加雜質(zhì)元素的步驟可在半導(dǎo)體膜405蝕刻之前執(zhí)行并且可按需要在后面的步驟 中執(zhí)行。接著，如在圖14C中圖示的，絕緣膜406形成以便覆蓋半導(dǎo)體膜420和半導(dǎo)體膜 430。絕緣膜406充當(dāng)晶體管中的每個(gè)的柵絕緣膜。絕緣膜406可以采用與在圖2A中的絕 緣膜102的方式相似的方式形成。這里，具有IOnm至IOOnm的厚度的氧氮化硅膜用PECVD 法形成。此外，在絕緣膜用PECVD法或其類似的方法形成后，絕緣膜可經(jīng)受用微波激發(fā)的高 密度等離子體的氮化處理。接著，如在圖14C中圖示的，導(dǎo)電膜441和導(dǎo)電膜442在絕緣膜406上形成。導(dǎo)電 膜441形成η溝道晶體管的柵電極(或柵布線)并且導(dǎo)電膜442形成ρ溝道晶體管的柵電 極(或柵布線)。這里，導(dǎo)電膜441和442中的每個(gè)形成以具有雙層結(jié)構(gòu)。首先，具有20nm 至50nm厚度的氮化鉭膜用濺射方法在絕緣膜406上形成然后具有IOOnm至300nm的厚度 的鎢膜用濺射方法在氮化鉭膜上形成。接著，抗蝕劑掩模在鎢膜上形成。氮化鉭膜和鎢膜 的堆疊使用抗蝕劑掩模蝕刻，使得形成導(dǎo)電膜441和442。接著，如在圖14D中圖示的，η型低濃度雜質(zhì)區(qū)423在半導(dǎo)體膜420中形成并且ρ 型高濃度雜質(zhì)區(qū)432在半導(dǎo)體膜430中形成。η型低濃度雜質(zhì)區(qū)423形成η溝道晶體管的 高電阻區(qū)并且P型高濃度雜質(zhì)區(qū)432起ρ溝道晶體管的源和漏區(qū)的作用。為了形成這些區(qū)域，首先，形成覆蓋半導(dǎo)體膜430的抗蝕劑掩模。給予η型導(dǎo)電性 的雜質(zhì)元素用導(dǎo)電膜441作為掩模添加到半導(dǎo)體膜420，使得η型低濃度雜質(zhì)區(qū)423在半導(dǎo) 體膜420中形成。在半導(dǎo)體膜420中在該步驟中沒有添加雜質(zhì)元素的區(qū)域成為溝道形成區(qū) 421。然后，在覆蓋半導(dǎo)體膜430的抗蝕劑掩模去除后，形成覆蓋半導(dǎo)體膜420的抗蝕劑掩 模。給予P型導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素用導(dǎo)電膜442作為掩模添加到半導(dǎo)體膜430，使得ρ型高濃 度雜質(zhì)區(qū)432在半導(dǎo)體膜430中形成。然后，去除抗蝕劑掩模。在半導(dǎo)體膜430中在添加 雜質(zhì)元素的步驟中沒有添加雜質(zhì)元素的區(qū)域成為溝道形成區(qū)431。至于在圖14D中圖示的步驟，可首先形成P型高濃度雜質(zhì)區(qū)432然后可形成η型 低濃度雜質(zhì)區(qū)423。在該實(shí)施例中，磷(P)、砷(As)或其類似物可以用作給予η型電導(dǎo)型的雜質(zhì)元素， 并且硼(B)、鋁(Al)、鎵(Ga)或其類似物可以用作給予ρ型電導(dǎo)型的雜質(zhì)元素。接著，如在圖15Α中圖示的，絕緣膜407形成以便覆蓋絕緣膜406、導(dǎo)電膜441和導(dǎo) 電膜442。絕緣膜407可以采用與在圖IA中的絕緣膜103的方式相似的方式形成。這里， 絕緣膜407形成以具有雙層結(jié)構(gòu)；具有50nm至150nm厚度的氧化硅膜用PECVD法形成為第 一層，具有IOOnm至250nm厚度的低溫氧化(LTO)膜用熱CVD法(在200°C至500°C的處理 溫度進(jìn)行)形成為第二層。接著，絕緣膜407和絕緣膜406受到蝕刻。該蝕刻步驟通過主要在垂直方向的各 向異性蝕刻執(zhí)行。通過這樣的各向異性蝕刻，使用絕緣膜407形成的側(cè)壁可以如在圖15B 中圖示的在導(dǎo)電膜441和導(dǎo)電膜442的側(cè)面上形成。此外，用導(dǎo)電膜441、導(dǎo)電膜442和絕 緣膜407覆蓋的絕緣膜406的區(qū)域，在該蝕刻步驟中留下而絕緣膜406的其他區(qū)域被去除。接著，如在圖15C中圖示的，充當(dāng)源和漏區(qū)的η型高濃度雜質(zhì)區(qū)422在半導(dǎo)體膜 420中形成。首先，形成覆蓋半導(dǎo)體膜430的抗蝕劑掩模，然后給予η型導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素 添加到半導(dǎo)體膜420。在添加該雜質(zhì)元素的該步驟中，導(dǎo)電膜441和絕緣膜407充當(dāng)掩模，η型高濃度雜質(zhì)區(qū)422在半導(dǎo)體膜420中采用自對準(zhǔn)方式形成，在圖14D中圖示的步驟中形 成的η型低濃度雜質(zhì)區(qū)423留在與絕緣膜407重疊的部分中。接著，如在圖15D中圖示的，絕緣膜408形成以便覆蓋半導(dǎo)體膜420、半導(dǎo)體膜 430、導(dǎo)電膜441和導(dǎo)電膜442。然后，導(dǎo)電膜443至445在絕緣膜408上形成。絕緣膜408可以采用與在圖IA中的絕緣膜103的方式相似的方式形成。這里，絕 緣膜408形成以具有三層結(jié)構(gòu)。首先，作為第一層，具有20nm至IOOnm厚度的氧氮化硅膜 用PECVD方法形成。之后，執(zhí)行熱處理以激活添加到半導(dǎo)體膜420和半導(dǎo)體膜430的雜質(zhì) 元素。然后，作為第二層，具有IOOnm至300nm厚度的氮化氧化硅膜用PECVD方法形成，并 且作為第三層，具有200nm至1 μ m厚度的氧氮化硅膜用PECVD方法形成。接著，為了導(dǎo)電膜443和導(dǎo)電膜444分別電連接到η型高濃度雜質(zhì)區(qū)422和ρ型 高濃度雜質(zhì)區(qū)432，蝕刻絕緣膜408使得形成開口。然后，將成為導(dǎo)電膜443至445的導(dǎo)電 膜在絕緣膜408上形成。該導(dǎo)電膜可以采用與在圖IA中的導(dǎo)電膜113的方式相似的方式 形成。這里，作為導(dǎo)電膜，具有三層的導(dǎo)電膜用濺射方法形成。第一層是具有50nm至150nm 厚度的鈦膜，第二層是具有200nm至400nm厚度的純鋁膜，并且第三層是與第一層相同的鈦 膜。然后，在該具有三層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電膜上形成抗蝕劑掩模，并且使用該抗蝕劑掩模蝕刻該導(dǎo) 電膜，使得形成導(dǎo)電膜443至445。導(dǎo)電膜443電連接到η型高濃度雜質(zhì)區(qū)422，并且它們中的每個(gè)起η溝道晶體管的 源電極、源布線、漏電極或漏布線的作用。導(dǎo)電膜444電連接到ρ型高濃度雜質(zhì)區(qū)432，并 且它們中的每個(gè)起P溝道晶體管的源電極、源布線、漏電極或漏布線的作用。此外，導(dǎo)電膜 445形成其中功能電路302和天線301彼此電連接的部分。通過上述步驟，功能電路302的電子元件(η溝道晶體管491和ρ溝道晶體管492) 完成。接著，形成功能電路302的連接端子和天線301的步驟的示例參照圖16Α至16C和 圖17Α描述。如在圖16Α中圖示的，絕緣膜409形成以覆蓋導(dǎo)電膜443至445。這里，絕緣膜409 形成以具有雙層結(jié)構(gòu)。致密絕緣膜形成為第一層以便保護(hù)功能電路302的電子元件。這里， 具有50nm至200nm厚度的氮化硅膜用PECVD方法形成為第一層。作為第二層，具有1 μ m 至3μπι厚度的樹脂膜(例如，聚酰亞胺膜)使用光敏樹脂材料形成以使功能電路302的上 表面變平。開口用暴露處理形成在對應(yīng)于導(dǎo)電膜445的樹脂膜的部分中。然后，第一層的 氮化硅膜經(jīng)受蝕刻使得開口形成在與樹脂膜中的開口重疊的部分中。接著，電連接到導(dǎo)電膜445的導(dǎo)電膜451在絕緣膜409上形成并且突出物452對 應(yīng)于導(dǎo)電膜451形成。這里，作為導(dǎo)電膜451，具有IOOnm至300nm厚度的鈦膜用濺射方法 形成。突出物452可以采用與在圖IB中的突出物120的方式相似的方式形成。這里，導(dǎo) 電膜451用絲網(wǎng)印刷方法涂有銀膏。然后，烘烤銀膏，使得包括銀的突出物452形成。突出 物452是在玻璃襯底400上的最突出部分。突出物452也可以看作具有凸出部分的導(dǎo)體。導(dǎo)電膜445、導(dǎo)電膜451和突出物452形成功能電路302的端子部分450。注意端 子部分450可以在不形成導(dǎo)電膜451的情況下僅使用突出物452形成。接著，制備使用包括增強(qiáng)材料461的未固化樹脂462形成的半固化片460。與在圖 IC中的半固化片130相似的那個(gè)可以用作半固化片460。半固化片460當(dāng)它固化時(shí)優(yōu)選地具有10 μ m至100 μ m的厚度。這用于保護(hù)功能電路302并且用于向具有還未固化的半固 化片460的功能電路302提供柔韌性。此外，為了可形成突出物452使得突出物452的高 度可是半固化片460的厚度的一半或更多并且為了可使功能電路302變薄，固化的半固化 片460優(yōu)選地具有10 μ m至30 μ m的厚度。然后，如在圖16B中圖示的，半固化片460提供在電子器件的絕緣膜409側(cè)上并且 半固化片460緊密地貼附到絕緣膜409、導(dǎo)電膜451和突出物452。在半固化片460中，因 為突出物452，覆蓋突出物452的區(qū)域464中的部分與在其他區(qū)域中的部分相比突出。半固化片460在這樣的狀態(tài)下固化，使得包括增強(qiáng)材料461的絕緣膜465如在圖 16C中圖示的形成。在絕緣膜465中，樹脂463對應(yīng)于已經(jīng)固化的樹脂462。即，絕緣膜465 還可以看作包括增強(qiáng)材料461的樹脂膜。此外，絕緣膜465起功能電路302的密封膜的作 用。這里，包括玻璃纖維的片狀纖維體用于半固化片460的增強(qiáng)材料461并且熱固性 樹脂用于半固化片460的樹脂462的樹脂材料。在圖16B和16C中圖示的步驟使用真空熱 壓作為一系列步驟執(zhí)行。即，半固化片460通過真空熱壓貼著玻璃襯底400被按壓，同時(shí)半 固化片460堆疊在絕緣膜409側(cè)上，然后半固化片460固化(變硬)以形成絕緣膜465。接著，去除在區(qū)域464中并且覆蓋突出物452的絕緣膜465的部分。因此，開口 466在區(qū)域464中形成使得突出物452 (端子部分450)如在圖17A中圖示的暴露。因?yàn)樵?區(qū)域464中的絕緣膜465的部分與在其他區(qū)域中的部分相比突出，該步驟可以采用與在圖 2B中的步驟的方式相似的方式執(zhí)行并且優(yōu)選地用研磨處理執(zhí)行。此外，可以使用在實(shí)施例 2中描述的研磨方法。備選地，導(dǎo)體可通過執(zhí)行與圖2C中步驟相似的步驟與突出物452緊 密接觸形成。在該實(shí)施例中，激光束不用于形成在絕緣膜465中的開口 466，由此功能電路302 不被激光束損傷。因此，容易獲得功能電路302的電子元件的小型化和高性能。從而，成為 高性能電路的在圖13中圖示的包括CPU364的功能電路302可以高產(chǎn)率地制造。通過上文的步驟，制造各自提供有端子部分450的功能電路302。接著，執(zhí)行分離 功能電路302與玻璃襯底400的步驟。該分離步驟可以例如如下執(zhí)行。從絕緣膜465側(cè)執(zhí)行用UV激光束照射使得溝槽(沒有圖示)在玻璃襯底400上 的堆疊中形成以便達(dá)到分離膜402。通過形成溝槽，在分離膜402內(nèi)和/或在基底絕緣膜 401和分離膜402之間界面處引起分離。因此，多個(gè)功能電路302可以用相對弱的力(可以 通過手施加的力)與玻璃襯底400分離。接著，如在圖17B中圖示的，使用例如聚對苯二甲 酸乙二醇酯(PET)膜等樹脂膜形成的熱分離型粘合膜470 (在下文中稱為“膜470”)貼附 到絕緣膜465。然后，如在圖17B中圖示的，在基底絕緣膜401上的堆疊與玻璃襯底400分 離。該分離步驟可以使用例如提供有卷繞輥的分離設(shè)備執(zhí)行。備選地，該分離步驟可以用 手或通過用一雙鑷子拉膜470執(zhí)行。接著，為了保護(hù)由于玻璃襯底400的去除而暴露的基底絕緣膜401，形成使用包括 增強(qiáng)材料的半固化片形成的保護(hù)膜。此外，為了形成該保護(hù)膜，可以使用與用于形成絕緣膜 465的半固化片460相似的那個(gè)。未固化的半固化片460貼附到基底絕緣膜401，并且半固 化片460通過真空熱壓固化，其中半固化片460緊密貼附到基底絕緣膜401。因此，如在圖 18A中圖示的，包括增強(qiáng)材料461的絕緣膜467在基底絕緣膜401側(cè)上形成。該絕緣膜467是包括增強(qiáng)材料461的樹脂膜并且起功能電路302的密封膜的作用。接著，由膜470支撐的堆疊分為個(gè)體功能電路302。該步驟可以通過劃片、劃線等 執(zhí)行。這里，執(zhí)行使用UV激光束劃線。從絕緣膜467側(cè)執(zhí)行用UV激光束照射，使得溝槽在 由膜470支撐的堆疊中形成。如在圖18B中圖示的，通過形成該溝槽，形成由膜470支撐的 多個(gè)功能電路302。為了分離功能電路302與膜470，可加熱膜470使得膜470的粘性降低。接著，天線301電連接到功能電路302。這里，作為天線301，使用包括使用例如聚 酯等樹脂形成的膜500和在該膜500上形成的導(dǎo)電膜501的膜天線。作為膜500，優(yōu)選地使 用具有柔韌性并且使用絕緣材料形成的膜。因?yàn)楣δ茈娐?02具有其中電子元件用絕緣膜 465和絕緣膜467 (其中的每個(gè)使用樹脂形成)密封的結(jié)構(gòu)，功能電路302是柔韌的并且可 彎曲的。因此，當(dāng)天線301使用可彎曲的膜天線形成時(shí)，在圖19A中的電子器件300也可以 是柔韌的。例如，作為膜500，可以使用例如聚酯膜、聚碳酸酯膜、丙烯酸膜或聚酰亞胺膜等樹 脂膜。導(dǎo)電膜501包括形成天線的主體的部分和電連接到功能電路302的端子部分。除端 子部分外，導(dǎo)電膜501的表面用使用例如樹脂等絕緣材料形成的層覆蓋。如在圖19A中圖示的，天線301的導(dǎo)電膜501和功能電路302的端子部分450 (突 出物452)彼此電連接。這里，導(dǎo)電膜501和突出物452使用導(dǎo)體510彼此電連接，該導(dǎo)體 510使用導(dǎo)電膏形成。不用說，用于連接導(dǎo)電膜501和突出物452的手段不限于導(dǎo)電膏。實(shí) 踐者可以考慮導(dǎo)電膜501和突出物452的結(jié)構(gòu)(例如，形狀、材料或制造方法)適當(dāng)?shù)剡x擇 手段。例如，使用各向異性導(dǎo)電膜或焊膏形成導(dǎo)體510是可能的。備選地，突出物452和導(dǎo) 電膜501可通過超聲接合、熱壓接合等彼此緊密貼附而不形成導(dǎo)體510。圖 19B 至 19D導(dǎo)電膜501可根據(jù)由電子器件300傳送和接收的載波的頻帶、通信距離等具有適 當(dāng)?shù)慕Y(jié)構(gòu)(例如，形狀，大小)。天線301 (導(dǎo)電膜501)的結(jié)構(gòu)的三個(gè)示例參照圖19B至19D 描述。例如，當(dāng)頻帶為從125kHz帶到135kHz帶或13. 56MHz帶時(shí)，回路天線、線圈天線或 螺旋天線可用作天線301。圖19B圖示其中環(huán)路天線應(yīng)用于天線301的電子器件300的平 面圖。另外，圖19C和19D分別圖示在UHF帶(860至960MHz帶)中使用的電子器件300 的結(jié)構(gòu)示例和在2. 45GHz帶中使用的電子器件300的結(jié)構(gòu)示例。在圖19C中的電子器件 300的天線301是偶極天線并且在圖19D中的電子器件300的天線301是貼片天線(patch antenna)0在該實(shí)施例中，激光束不用于形成在絕緣膜465中的開口 466，由此功能電路302 不被激光束損傷。因此，容易獲得功能電路302的電子元件的小型化和高性能。從而，成為 高性能電路的在圖13中圖示的包括CPU364的功能電路302可以高產(chǎn)率地制造。另外，該實(shí)施例的電子器件300可嵌入紙中或插入兩個(gè)塑料基底之間，由此可以 制造IC卡。此外，在圖19A中的電子器件300嵌入紙中，并且票據(jù)、有價(jià)證券、不記名債券 和證書可以使用該紙形成。電子器件300嵌入，由此證書等可以各自具有驗(yàn)證功能并且可 以獲得防偽效果。此外，電子器件300可通過固定到各種商品和物體而被使用。作為用于固定電子 器件300到商品和物體的方法，存在例如將電子器件300嵌入商品和物體中以及將電子器件300貼附到商品和物體的表面等方法。因?yàn)樵搶?shí)施例的電子器件300具有柔韌性，電子 器件300貼附到的物體的外觀不太可能被損壞，并且電子器件300可以固定到曲面。此外， 作為電子器件300固定到的商品和物體，例如，可以給出下列包裝容器(例如包裝紙和瓶 子等)、記錄介質(zhì)(例如藍(lán)光盤、DVD和USB存儲(chǔ)器等)、衣服和附件(例如包、眼鏡和衣服 等)、食物、植物、動(dòng)物(例如牲畜和寵物)、商品和在產(chǎn)品和行李上的貨運(yùn)標(biāo)簽和標(biāo)記。當(dāng)電 子器件300固定到這些商品和物體時(shí)，容易將物體的檢查、分銷管理、歷史管理等系統(tǒng)化。例如，當(dāng)電子器件300固定到產(chǎn)品的貨運(yùn)標(biāo)簽或價(jià)格標(biāo)簽并且存儲(chǔ)在電子器件 300中的數(shù)據(jù)用閱讀器/記錄器(其提供在傳送帶旁邊)讀取時(shí)，獲得關(guān)于制造過程、分銷 過程、配送地點(diǎn)等的數(shù)據(jù)，從而產(chǎn)品檢查和庫存管理可以高效率地執(zhí)行。注意該實(shí)施例可以適當(dāng)?shù)嘏c任意其他實(shí)施例結(jié)合。實(shí)施例5在用于制造電子器件300的方法中，根據(jù)實(shí)施例4，執(zhí)行在覆蓋突出物452的絕緣 膜465中形成開口 466的步驟，然后執(zhí)行分離玻璃襯底400與功能電路302的步驟(參見 圖17A和17B)。在該實(shí)施例中，將描述用于制造電子器件300的方法的示例，其中這些步驟 采用倒序執(zhí)行。說明將參照圖20A和20B和圖21A和21B給出。首先，執(zhí)行直到并且包括圖16C中的步驟的步驟。接著，如在圖20A中圖示的，熱 分離型粘合膜471貼附到電子器件的絕緣膜465側(cè)。然后，在基底絕緣膜401上形成的堆 疊與玻璃襯底400分離。該步驟可以采用與在圖17B中的步驟的方式相似的方式執(zhí)行。然 后，用于保護(hù)基底絕緣膜401的絕緣膜467如在圖20B中圖示的形成。該步驟可以采用與 在圖18A中的步驟的方式相似的方式執(zhí)行。接著，如在圖21A中圖示的，絕緣膜465選擇性地去除使得開口 466形成。該步驟 可以采用與在圖17A中的步驟的方式相似的方式執(zhí)行。在去除絕緣膜465的步驟(例如， 研磨步驟)之前，加熱熱分離型粘合膜471以分離。此外，另一個(gè)熱分離型粘合膜472 (在 下文中稱為“膜472”)貼附到電子器件的絕緣膜467側(cè)。注意膜472可在開口 466形成后 貼附。接著，由膜472支撐的堆疊切成各個(gè)功能電路302。該步驟可通過例如劃片或劃線 等處理執(zhí)行，像在圖18B中的步驟一樣。這里，劃線使用激光束執(zhí)行。UV激光束照射從絕緣 膜465側(cè)執(zhí)行，由此溝槽在由膜472支撐的堆疊中形成。因此，如在圖21B中圖示的，形成 由膜472支撐的多個(gè)功能電路302。然后，加熱膜472使得功能電路302與膜472分離，天線301電連接到功能電路 302，從而電子器件300完成(參見圖19A)。與天線301的連接可以像在圖19A中的步驟一 樣執(zhí)行。該實(shí)施例可以適當(dāng)?shù)嘏c任意其他實(shí)施例結(jié)合。實(shí)施例6在用于制造電子器件300的方法中，根據(jù)實(shí)施例4，執(zhí)行在覆蓋突出物452的絕緣 膜465中形成開口 466的步驟，然后執(zhí)行分離玻璃襯底400與功能電路302的步驟(參見 圖17A和17B)。在分離玻璃襯底400的步驟之前，功能電路302可使用暴露的突出物452 檢查。在該檢查步驟中確定為有缺陷的功能電路302不連接到天線301。在用于制造電子器件300的方法中，根據(jù)實(shí)施例5，檢查步驟可相似地執(zhí)行。在圖21A中的步驟中，功能電路302可使用暴露的突出物452檢查。在該檢查步驟中確定為有缺 陷的功能電路302不連接到天線301。根據(jù)該實(shí)施例的制造方法的應(yīng)用不限于對實(shí)施例4和5的應(yīng)用。該實(shí)施例是用于 制造電子器件的方法，其中用增強(qiáng)材料覆蓋的突出物暴露，然后使用該突出物執(zhí)行檢查。該申請基于在2009年8月7日向日本專利局提交的日本專利申請序列號 2009-185126，其的全部內(nèi)容通過引用結(jié)合于此。
權(quán)利要求
1.一種用于制造端子結(jié)構(gòu)的方法，其包括步驟 在絕緣表面上形成使用導(dǎo)體形成的突出物；貼附包括增強(qiáng)材料的半固化片到所述絕緣表面和所述突出物的表面以形成所述半固 化片的頂面的一部分，其由于所述突出物而突出；固化貼附到所述絕緣表面和所述突出物的表面的所述半固化片以形成包括所述增強(qiáng) 材料的絕緣膜；以及去除所述絕緣膜的頂面的突出部分連同所述增強(qiáng)材料以在所述絕緣膜中形成開口。
2.如權(quán)利要求1所述的用于制造端子結(jié)構(gòu)的方法，其中所述開口通過研磨所述絕緣膜 在所述絕緣膜中形成。
3.如權(quán)利要求1所述的用于制造端子結(jié)構(gòu)的方法，進(jìn)一步包括步驟 在所述開口形成后形成與所述突出物接觸的導(dǎo)體。
4.如權(quán)利要求1所述的用于制造端子結(jié)構(gòu)的方法，其中所述增強(qiáng)材料是片狀纖維體。
5.一種用于制造電子器件的方法，其包括步驟 制備用第一絕緣膜覆蓋的一個(gè)或多個(gè)電子元件；在所述第一絕緣膜上形成使用電連接到所述電子元件中的至少一個(gè)的導(dǎo)體形成的突 出物；貼附包括增強(qiáng)材料的半固化片到所述第一絕緣膜的頂面和所述突出物的表面以形成 所述半固化片的頂面的一部分，其由于所述突出物而突出；固化貼附到所述第一絕緣膜的頂面和所述突出物的表面的所述半固化片以形成包括 所述增強(qiáng)材料的第二絕緣膜；以及去除所述第二絕緣膜的頂面的突出部分連同所述增強(qiáng)材料以在所述第二絕緣膜中形 成開口。
6.如權(quán)利要求5所述的用于制造電子器件的方法，其中所述開口通過研磨所述第二絕 緣膜在所述第二絕緣膜中形成。
7.如權(quán)利要求5所述的用于制造電子器件的方法，進(jìn)一步包括步驟 在所述開口形成后形成與所述突出物接觸的導(dǎo)體。
8.如權(quán)利要求5所述的用于制造電子器件的方法，其中所述增強(qiáng)材料是片狀纖維體。
9.一種用于制造電子器件的方法，其包括步驟 在襯底上形成分離膜；在所述分離膜上形成第一絕緣膜； 在所述第一絕緣膜上形成包括多個(gè)電子元件的電路； 形成覆蓋所述電路的第二絕緣膜；在所述第二絕緣膜上形成使用電連接到所述電子元件中的至少一個(gè)的導(dǎo)體形成的突 出物；貼附包括第一增強(qiáng)材料的第一半固化片到所述第二絕緣膜的頂面和所述突出物的表 面以形成所述第一半固化片的頂面的一部分，其由于所述突出物而突出；固化貼附到所述第二絕緣膜的頂面和所述突出物的表面的所述第一半固化片以形成 包括所述第一增強(qiáng)材料的第三絕緣膜；去除所述第三絕緣膜的頂面的突出部分連同所述第一增強(qiáng)材料以在所述第三絕緣膜中形成開口；分離所述電路與所述襯底；在所述襯底分離后貼附包括第二增強(qiáng)材料的第二半固化片到所述第一絕緣膜以便覆 蓋所述第一絕緣膜；以及固化所述第二半固化片以形成包括所述第二增強(qiáng)材料的第四絕緣膜。
10.如權(quán)利要求9所述的用于制造電子器件的方法，進(jìn)一步包括步驟 電連接天線到由在所述第三絕緣膜中形成的所述開口暴露的所述突出物。
11.如權(quán)利要求9所述的用于制造電子器件的方法，進(jìn)一步包括步驟在所述襯底與所述電路分離前形成與由所述開口暴露的所述突出物緊密接觸的導(dǎo)體。
12.如權(quán)利要求9所述的用于制造電子器件的方法，進(jìn)一步包括步驟在所述襯底與所述電路分離前形成與由所述開口暴露的所述突出物緊密接觸的導(dǎo)體；以及電連接所述導(dǎo)體和天線。
13.如權(quán)利要求9所述的用于制造電子器件的方法，其中所述開口通過研磨所述第三 絕緣膜在所述第三絕緣膜中形成。
14.如權(quán)利要求9所述的用于制造電子器件的方法，其中所述第一增強(qiáng)材料和所述第 二增強(qiáng)材料是片狀纖維體。
15.如權(quán)利要求9所述的用于制造電子器件的方法，其中所述電路在所述分離膜內(nèi)的 區(qū)域與所述襯底分離。
16.如權(quán)利要求9所述的用于制造電子器件的方法，其中所述電路在所述分離膜和所 述第一絕緣膜之間的界面與所述襯底分離。
17.一種用于制造電子器件的方法，其包括步驟 在襯底上形成分離膜；在所述分離膜上形成第一絕緣膜； 在所述第一絕緣膜上形成包括多個(gè)電子元件的電路； 形成覆蓋所述電路的第二絕緣膜；在所述第二絕緣膜上形成使用電連接到所述電子元件中的至少一個(gè)的導(dǎo)體形成的突 出物；貼附包括第一增強(qiáng)材料的第一半固化片到所述第二絕緣膜的頂面和所述突出物的表 面以形成所述第一半固化片的頂面的一部分，其由于所述突出物而突出；固化貼附到所述第二絕緣膜的頂面和所述突出物的表面的所述第一半固化片以形成 包括所述第一增強(qiáng)材料的第三絕緣膜； 分離所述電路與所述襯底；在所述襯底分離后貼附包括第二增強(qiáng)材料的第二半固化片到所述第一絕緣膜以便覆 蓋所述第一絕緣膜；固化所述第二半固化片以形成包括所述第二增強(qiáng)材料的第四絕緣膜；以及 在所述第四絕緣膜形成后去除所述第三絕緣膜的頂面的突出部分連同所述第一增強(qiáng) 材料以在所述第三絕緣膜中形成開口。
18.如權(quán)利要求17所述的用于制造電子器件的方法，進(jìn)一步包括步驟電連接天線到由在所述第三絕緣膜中形成的所述開口暴露的所述突出物。
19.如權(quán)利要求17所述的用于制造電子器件的方法，進(jìn)一步包括步驟 在所述開口形成后形成與所述突出物接觸的導(dǎo)體。
20.如權(quán)利要求17所述的用于制造電子器件的方法，進(jìn)一步包括步驟 在所述開口形成后形成與所述突出物接觸的導(dǎo)體；以及電連接所述導(dǎo)體和天線。
21.如權(quán)利要求17所述的用于制造電子器件的方法，其中所述開口通過研磨所述第三 絕緣膜在所述第三絕緣膜中形成。
22.如權(quán)利要求17所述的用于制造電子器件的方法，其中所述第一增強(qiáng)材料和所述第 二增強(qiáng)材料是片狀纖維體。
23.如權(quán)利要求17所述的用于制造電子器件的方法，其中所述電路在所述分離膜內(nèi)的 區(qū)域與所述襯底分離。
24.如權(quán)利要求17所述的用于制造電子器件的方法，其中所述電路在所述分離膜和所 述第一絕緣膜之間的界面與所述襯底分離。
25.一種用于制造端子結(jié)構(gòu)的方法，其包括步驟 在絕緣表面上形成用導(dǎo)體形成的突出物；貼附樹脂膜到所述絕緣表面和所述突出物的表面以形成所述樹脂膜的頂面的一部分， 其由于所述突出物而突出；固化貼附到所述絕緣表面和所述突出物的表面的所述樹脂膜以形成絕緣膜；以及 去除所述絕緣膜的頂面的突出部分以在所述絕緣膜中形成開口。
26.如權(quán)利要求25所述的用于制造端子結(jié)構(gòu)的方法，其中所述開口通過研磨所述絕緣 膜在所述絕緣膜中形成。
27.如權(quán)利要求25所述的用于制造端子結(jié)構(gòu)的方法，進(jìn)一步包括步驟 在所述開口形成后形成與所述突出物接觸的導(dǎo)體。
28.一種用于制造電子器件的方法，其包括步驟 制備用第一絕緣膜覆蓋的一個(gè)或多個(gè)電子元件；在所述第一絕緣膜上形成用電連接到所述電子元件中的至少一個(gè)的導(dǎo)體形成的突出物；貼附樹脂膜到所述第一絕緣膜的頂面和所述突出物的表面以形成所述樹脂膜的頂面 的一部分，其由于所述突出物而突出；固化貼附到所述第一絕緣膜的頂面和所述突出物的表面的所述樹脂膜以形成第二絕 緣膜；以及去除所述第二絕緣膜的頂面的突出部分以在所述第二絕緣膜中形成開口。
29.如權(quán)利要求28所述的用于制造電子器件的方法，其中所述開口通過研磨所述第二 絕緣膜在所述第二絕緣膜中形成。
30.如權(quán)利要求28所述的用于制造電子器件的方法，進(jìn)一步包括步驟 在所述開口形成后形成與所述突出物接觸的導(dǎo)體。
31.一種用于制造電子器件的方法，其包括步驟 在襯底上形成分離膜；在所述分離膜上形成第一絕緣膜； 在所述第一絕緣膜上形成包括多個(gè)電子元件的電路； 形成覆蓋所述電路的第二絕緣膜；在所述第二絕緣膜上形成用電連接到所述電子元件中的至少一個(gè)的導(dǎo)體形成的突出物；貼附第一樹脂膜到所述第二絕緣膜的頂面和所述突出物的表面以形成所述第一樹脂 膜的頂面的一部分，其由于所述突出物而突出；固化貼附到所述第二絕緣膜的頂面和所述突出物的表面的所述第一樹脂膜以形成第三絕緣膜；去除所述第三絕緣膜的頂面的突出部分以在所述第三絕緣膜中形成開口； 分離所述電路與所述襯底；在所述襯底分離后貼附第二樹脂膜到所述第一絕緣膜以便覆蓋所述第一絕緣膜；以及 固化所述第二樹脂膜以形成第四絕緣膜。
32.如權(quán)利要求31所述的用于制造電子器件的方法，進(jìn)一步包括步驟 電連接天線到由在所述第三絕緣膜中形成的所述開口暴露的所述突出物。
33.如權(quán)利要求31所述的用于制造電子器件的方法，進(jìn)一步包括步驟在所述襯底與所述電路分離前形成與由所述開口暴露的所述突出物接觸的導(dǎo)體。
34.如權(quán)利要求31所述的用于制造電子器件的方法，進(jìn)一步包括步驟在所述襯底與所述電路分離前形成與由所述開口暴露的所述突出物接觸的導(dǎo)體；以及 電連接所述導(dǎo)體和天線。
35.如權(quán)利要求31所述的用于制造電子器件的方法，其中所述開口通過研磨所述第三 絕緣膜在所述第三絕緣膜中形成。
36.如權(quán)利要求31所述的用于制造電子器件的方法，其中所述電路在所述分離膜內(nèi)的 區(qū)域與所述襯底分離。
37.如權(quán)利要求31所述的用于制造電子器件的方法，其中所述電路在所述分離膜和所 述第一絕緣膜之間的界面與所述襯底分離。
38.一種用于制造電子器件的方法，其包括步驟 在襯底上形成分離膜；在所述分離膜上形成第一絕緣膜； 在所述第一絕緣膜上形成包括多個(gè)電子元件的電路； 形成覆蓋所述電路的第二絕緣膜；在所述第二絕緣膜上形成用電連接到所述電子元件中的至少一個(gè)的導(dǎo)體形成的突出物；貼附第一樹脂膜到所述第二絕緣膜的頂面和所述突出物的表面以形成所述第一樹脂 膜的頂面的一部分，其由于所述突出物而突出；固化貼附到所述第二絕緣膜的頂面和所述突出物的表面的所述第一樹脂膜以形成第 三絕緣膜；分離所述電路與所述襯底；在所述襯底分離后貼附第二樹脂膜到所述第一絕緣膜以便覆蓋所述第一絕緣膜；固化所述第二樹脂膜以形成第四絕緣膜；以及在所述第四絕緣膜形成后去除所述第三絕緣膜的頂面的突出部分以在所述第三絕緣 膜中形成開口。
39.如權(quán)利要求38所述的用于制造電子器件的方法，進(jìn)一步包括步驟 電連接天線到由在所述第三絕緣膜中形成的所述開口暴露的所述突出物。
40.如權(quán)利要求38所述的用于制造電子器件的方法，進(jìn)一步包括步驟 在所述開口形成后形成與所述突出物接觸的導(dǎo)體。
41.如權(quán)利要求38所述的用于制造電子器件的方法，進(jìn)一步包括步驟 在所述開口形成后形成與所述突出物接觸的導(dǎo)體；以及電連接所述導(dǎo)體和天線。
42.如權(quán)利要求38所述的用于制造電子器件的方法，其中所述開口通過研磨所述第三 絕緣膜在所述第三絕緣膜中形成。
43.如權(quán)利要求38所述的用于制造電子器件的方法，其中所述電路在所述分離膜內(nèi)的 區(qū)域與所述襯底分離。
44.如權(quán)利要求38所述的用于制造電子器件的方法，其中所述電路在所述分離膜和所 述第一絕緣膜之間的界面與所述襯底分離。
全文摘要
用于制造端子結(jié)構(gòu)的方法和用于制造電子器件的方法，為了提供用于使用除激光束照射之外的手段在暴露端子部分(用絕緣膜密封)的步驟中在該絕緣膜(其通過固化包括增強(qiáng)材料的半固化片而獲得)中高準(zhǔn)確度地形成開口的方法。突出物使用導(dǎo)體形成。包括增強(qiáng)材料的未固化的半固化片緊密貼附到該突出物并且該半固化片固化，使得包括該增強(qiáng)材料的絕緣膜形成。該絕緣膜的頂面的一部分由于該突出物而突出。該突出部分連同增強(qiáng)材料通過研磨處理等優(yōu)先去除以在絕緣膜中形成開口，使得暴露突出物的開口在絕緣膜中形成。
文檔編號H01L21/60GK101996904SQ20101025491
公開日2011年3月30日 申請日期2010年8月6日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月7日
發(fā)明者濱谷敏次, 福留貴浩 申請人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所