專(zhuān)利名稱(chēng)：一種薄膜晶體管陣列基板、顯示器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜晶體管陣列基板、顯示器及其制 造方法。
背景技術(shù)：
信息化社會(huì)越來(lái)越需要輕薄便攜式的顯示設(shè)備，目前比較成熟的產(chǎn)品是TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶體管)液晶顯示器。TFT液晶顯示器主要是由TFT陣列基板、對(duì)向彩膜基板以及夾在兩基板中間的液 晶層構(gòu)成。其中，TFT陣列基板主要包括玻璃基板，和在玻璃基板上層疊設(shè)置的柵極金屬層、 柵絕緣層、半導(dǎo)體層、源漏極金屬層、絕緣膜保護(hù)層和透明像素層等。TFT陣列基板的制造過(guò) 程是通過(guò)多次曝光、顯影和刻蝕，將掩模版上的圖案轉(zhuǎn)至基板上的，從而形成了各種元件的 圖案。為了滿(mǎn)足大顯示面積的需求，TFT液晶顯示器面板的尺寸越來(lái)越大，使TFT陣列基 板的制作過(guò)程也越發(fā)復(fù)雜。為了增大TFT陣列基板的尺寸，掩模版的尺寸也需要隨之增大， 但是由于曝光機(jī)對(duì)掩模版尺寸的限定，以及大尺寸掩模版存在制造困難、成本過(guò)高、日常存 放使用不便等問(wèn)題，使得在制造TFT陣列基板時(shí)，需要將大尺寸的陣列基板劃分成若干區(qū) 域，分別制作各區(qū)域?qū)?yīng)的掩模版，在制造時(shí)用這些掩模版分別曝光，最終拼合成大尺寸的 TFT陣列基板。然而，發(fā)明人在研究過(guò)程中發(fā)現(xiàn)，當(dāng)采用上述方法制造的TFT陣列基板形成TFT液 晶顯示器后，在通電工作時(shí)，各圖案拼接區(qū)域經(jīng)常出現(xiàn)顯示亮度存在明顯差異的現(xiàn)象，這種 差異是由于拼合曝光產(chǎn)生的，稱(chēng)為曝光姆拉現(xiàn)象。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例提供一種薄膜晶體管陣列基板、顯示器及其制造方法，能夠減弱各 拼接區(qū)域的顯示亮度差異。為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案如下一種薄膜晶體管陣列基板，包括至少兩個(gè)拼接區(qū)域，各拼接區(qū)域內(nèi)的薄膜晶體管 TFT圖案中，漏極與柵極金屬層均形成重疊區(qū)域，至少一個(gè)拼接區(qū)域內(nèi)的TFT圖案中，漏極 從柵極金屬層的第一邊界延伸至與所述第一邊界相對(duì)的第二邊界的外部，所述漏極包括與 所述柵極金屬層形成的重疊區(qū)域以及延伸至所述柵極金屬層第二邊界外部的容余區(qū)域；各 拼接區(qū)域內(nèi)的重疊區(qū)域的面積差值小于閾值。進(jìn)一步，所述容余區(qū)域在向所述第二邊界外部延伸方向上的長(zhǎng)度大于等于曝光機(jī) 的拼接曝光對(duì)位誤差值。進(jìn)一步，各拼接區(qū)域內(nèi)的所述重疊區(qū)域面積相等。進(jìn)一步，所述重疊區(qū)域與所述容余區(qū)域所包圍的圖形為矩形。一種薄膜晶體管液晶顯示器，包括薄膜晶體管陣列基板，所述薄膜晶體管陣列基板包括至少兩個(gè)拼接區(qū)域，各拼接區(qū)域內(nèi)的薄膜晶體管TFT圖案中，漏極與柵極金屬層均 形成重疊區(qū)域，至少一個(gè)拼接區(qū)域內(nèi)的TFT圖案中，漏極從柵極金屬層的第一邊界延伸至 與所述第一邊界相對(duì)的第二邊界的外部，所述漏極包括與所述柵極金屬層形成的重疊區(qū)域 以及延伸至所述柵極金屬層第二邊界外部的容余區(qū)域；各拼接區(qū)域內(nèi)的重疊區(qū)域的面積差 值小于閾值。進(jìn)一步，所述容余區(qū)域在向所述第二邊界外部延伸方向上的長(zhǎng)度大于等于曝光機(jī) 的拼接曝光對(duì)位誤差值。進(jìn)一步，各拼接區(qū)域內(nèi)的所述重疊區(qū)域面積相等。進(jìn)一步，所述重疊區(qū)域與所述容余區(qū)域所包圍的圖形為矩形。一種薄膜晶體管陣列基板的制造方法，包括在玻璃基板上的至少一個(gè)拼接區(qū)域內(nèi)形成層疊的第一功能薄膜層，該第一功能薄 膜層包括柵極金屬層；在所述第一功能薄膜層的上方形成源、漏極，以形成TFT圖案，其中，所述拼接區(qū) 域內(nèi)的TFT圖案中，漏極從柵極金屬層的第一邊界延伸至與所述第一邊界相對(duì)的第二邊界 的外部，所述漏極包括與所述柵極金屬層形成的重疊區(qū)域以及延伸至所述柵極金屬層第二 邊界外部的容余區(qū)域；各拼接區(qū)域內(nèi)漏極與柵極金屬層形成的重疊區(qū)域的面積差值小于閾 值；在形成的TFT圖案上方形成第二功能薄膜層，獲得薄膜晶體管陣列基板。進(jìn)一步，所述容余區(qū)域在向所述第二邊界外部延伸方向上的長(zhǎng)度大于等于曝光機(jī) 的拼接曝光對(duì)位誤差值。一種薄膜晶體管液晶顯示器的制造方法，包括在玻璃基板上的至少一個(gè)拼接區(qū)域內(nèi)形成層疊的第一功能薄膜層，該第一功能薄 膜層包括柵極金屬層；在所述第一功能薄膜層的上方形成源、漏極，以形成TFT圖案，其中，所述拼接區(qū) 域內(nèi)的TFT圖案中，漏極從柵極金屬層的第一邊界延伸至與所述第一邊界相對(duì)的第二邊界 的外部，所述漏極包括與所述柵極金屬層形成的重疊區(qū)域以及延伸至所述柵極金屬層第二 邊界外部的容余區(qū)域；各拼接區(qū)域內(nèi)漏極與柵極金屬層形成的重疊區(qū)域的面積差值小于閾 值；在形成的TFT圖案上方形成第二功能薄膜層，獲得薄膜晶體管陣列基板；將所述薄膜晶體管陣列基板與已形成的對(duì)向彩膜基板貼合，進(jìn)入后續(xù)制程，形成 薄膜晶體管液晶顯示器。本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)改變拼接區(qū)域內(nèi)TFT圖案中漏極圖案的形狀，使得曝光機(jī)即使 在圖案的拼接方向上對(duì)掩模版間的位置設(shè)定存在一定誤差時(shí)，也能保證各拼接區(qū)域內(nèi)漏極 與柵極金屬層形成的重疊區(qū)域面積相差不大，從而減弱了各拼接區(qū)域內(nèi)TFT圖案對(duì)應(yīng)的顯 示亮度的差異，減少了曝光姆拉現(xiàn)象的產(chǎn)生。


通過(guò)附圖所示，本發(fā)明的上述及其它目的、特征和優(yōu)勢(shì)將更加清晰。在全部附圖中 相同的附圖標(biāo)記指示相同的部分。并未刻意按實(shí)際尺寸等比例縮放繪制附圖，重點(diǎn)在于示出本發(fā)明的主旨。圖la-b是現(xiàn)有技術(shù)中形成TFT圖案的平面結(jié)構(gòu)示意圖；圖lc是現(xiàn)有技術(shù)中拼接形成的大尺寸TFT圖案的平面結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是圖lc中兩拼接區(qū)域內(nèi)的TFT圖案的平面結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是TFT結(jié)構(gòu)中寄生電容等效電路示意圖；圖4是本發(fā)明實(shí)施例一種TFT陣列基板中一個(gè)TFT圖案的平面結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是本發(fā)明實(shí)施例一種TFT陣列基板中兩拼接區(qū)域內(nèi)TFT圖案的平面結(jié)構(gòu)示意 圖；圖6是本發(fā)明實(shí)施例中兩拼接區(qū)域內(nèi)TFT陣列圖案的平面結(jié)構(gòu)示意圖；圖7是本發(fā)明實(shí)施例一種薄膜晶體管陣列基板的制造方法流程圖；圖8是本發(fā)明實(shí)施例一種薄膜晶體管顯示器的制造方法流程圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明 的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說(shuō)明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以 采用其他不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施，因此本發(fā)明不受下面公開(kāi)的具體實(shí)施例的限 制。其次，本發(fā)明結(jié)合示意圖進(jìn)行詳細(xì)描述，在詳述本發(fā)明實(shí)施例時(shí)，為便于說(shuō)明，表 示裝置結(jié)構(gòu)的示意圖會(huì)不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是示例，其在此不應(yīng) 限制本發(fā)明保護(hù)的范圍。此外，在實(shí)際制作中應(yīng)包含長(zhǎng)度、寬度及深度的三維空間尺寸?，F(xiàn)有技術(shù)中使用掩模版在基板上形成TFT圖案時(shí)，如圖la所示，在利用柵極掩模 板形成陣列排布的柵極金屬層11后，又在各柵極金屬層11上依次形成柵絕緣層和半導(dǎo)體 層(為圖示清楚，柵絕緣層和半導(dǎo)體層未在圖中示出)，然后如圖lb所示，利用源漏極掩模 板在各柵極金屬層11的上方同時(shí)形成源極12、漏極13。在形成大尺寸TFT陣列基板時(shí)，需 要多組掩模板(包括柵極掩模板和源漏極掩模板等)分別形成各區(qū)域圖案，最終各區(qū)域拼 接形成大尺寸圖案，以?xún)山M掩模板形成圖案為例，如圖lc所示(為圖示清楚，柵絕緣層和半 導(dǎo)體層未在圖中示出)，在利用第一、二柵極掩模板分別形成圖中左側(cè)的第一柵極金屬層和 右側(cè)的第二柵極金屬層后，利用第一源漏掩模板在圖中左側(cè)的第一柵極金屬層上形成第一 源漏極陣列圖案，利用第二源漏極掩模板在圖中右側(cè)的第二柵極金屬層上形成第二源漏極 陣列圖案，從而兩側(cè)圖案均形成后即可拼接成大尺寸的TFT陣列圖案。然而，該拼接形成的TFT陣列圖案在最終形成TFT液晶顯示器后，通電工作時(shí)，各 圖案拼接區(qū)域經(jīng)常出現(xiàn)顯示亮度存在差異的現(xiàn)象，發(fā)明人經(jīng)過(guò)研究發(fā)現(xiàn)，顯示亮度存在明 顯差異的原因是由各拼接區(qū)域中的漏極與下層?xùn)艠O金屬層之間的重疊區(qū)域面積明顯不同 造成的。如圖2所示，以圖lc中利用第一源漏極掩模板形成的左側(cè)的一個(gè)TFT圖案20，和 利用第二源漏極掩模板形成的右側(cè)的一個(gè)TFT圖案30為例，進(jìn)行說(shuō)明。利用第一源漏極掩模版形成的TFT圖案20中，第一漏極21與下層的第一柵極金 屬層22形成第一重疊區(qū)域23 ；利用第二源漏極掩模版形成的TFT圖案30中第二漏極31，與下層的第二柵極金屬層32形成第二重疊區(qū)域33 (為圖示清楚，柵絕緣層和半導(dǎo)體層未在 圖中示出)。第一漏極21與第一柵極金屬層22，和第二漏極31與第二柵極金屬層32、分別形 成寄生電容Cgd，顯然，第一重疊區(qū)域23、第二重疊區(qū)域33兩重疊區(qū)域的面積分別會(huì)對(duì)各自 區(qū)域?qū)?yīng)的寄生電容的電容值產(chǎn)生直接影響。根據(jù)TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)及其工作原理，如圖3所示的電路示意圖可知， 當(dāng)柵極電 壓劇烈變化時(shí)，電壓的波動(dòng)會(huì)通過(guò)Cgd電容影響到顯示電極(漏極)的電壓，使得顯示電極 的電壓值大于或小于正確的電壓值，因此在信號(hào)來(lái)源即驅(qū)動(dòng)集成電路中可以設(shè)置通用電極 的補(bǔ)償電壓，使得顯示電極與通用電極的電壓差值能夠保持正確值，而驅(qū)動(dòng)集成電路提供 的補(bǔ)償電壓是唯一的。所以，如果第一重疊區(qū)域23、第二重疊區(qū)域33各自對(duì)應(yīng)的Cgd電容 相同時(shí)，則通過(guò)驅(qū)動(dòng)集成電路提供的相同的補(bǔ)償電壓，可以使得各Cgd電容對(duì)應(yīng)的顯示電 極的電壓值相同，從而圖2中兩TFT圖案20、30對(duì)應(yīng)的顯示亮度相同，進(jìn)而在圖Ic所示的 左右兩側(cè)圖案的顯示亮度就會(huì)相同，反之，如果第一重疊區(qū)域23、第二重疊區(qū)域33各自對(duì) 應(yīng)的Cgd電容不同，由于驅(qū)動(dòng)集成電路提供的補(bǔ)償電壓相同，各Cgd電容對(duì)應(yīng)的顯示電極的 電壓值仍然不同，進(jìn)而就會(huì)導(dǎo)致兩TFT圖案20、30對(duì)應(yīng)的顯示亮度存在差異，進(jìn)而圖Ic中 左右兩側(cè)圖案的顯示亮度存在差異，當(dāng)?shù)谝恢丿B區(qū)域23與第二重疊區(qū)域33的面積相差較 大時(shí)，各對(duì)應(yīng)區(qū)域間的顯示亮度就會(huì)存在較為明顯的差異。基于第一重疊區(qū)域23、第二重疊區(qū)域33兩區(qū)域的面積分別對(duì)各自區(qū)域?qū)?yīng)的寄 生電容的電容值會(huì)產(chǎn)生直接影響，為了保證各拼接區(qū)域中TFT圖案的顯示亮度的均勻，在 制造TFT陣列基板時(shí)，第一重疊區(qū)域23與第二重疊區(qū)域33的面積必須盡可能相等?，F(xiàn)有技術(shù)中，如圖2所示，在兩側(cè)的TFT圖案20、30中，在第一、二漏極21、31均朝 向各自對(duì)應(yīng)的柵極金屬層22、32延伸的方向上(在圖2中也即左右方向)，第一漏極21的 邊界位于第一柵極金屬層22的內(nèi)部，第二漏極32的邊界也位于第二柵極金屬層32的內(nèi) 部，第一、二重疊區(qū)域分別占據(jù)了靠近第一、第二柵極金屬層22、32邊界的區(qū)域。然而，由于 曝光機(jī)存在一定的拼接曝光對(duì)位誤差，也即曝光機(jī)在使用不同掩模版在基板上形成拼接圖 案時(shí)，在圖案的拼接方向上(也即圖中的左右方向)對(duì)掩模版間的位置設(shè)定存在一定誤差， 所以在形成上述第一漏極21和第二漏極31圖案時(shí)，很容易造成第一、二重疊區(qū)域的面積不 等，如圖2所示，在形成上述第二漏極31圖案時(shí)，若第二源漏極掩模版向圖中右側(cè)移動(dòng)一誤 差位移，就會(huì)導(dǎo)致第一重疊區(qū)域23的面積與第二重疊區(qū)域33的面積具有較大的差異，進(jìn)而 就會(huì)產(chǎn)生兩拼接區(qū)域中TFT圖案的顯示亮度明顯不同，也即曝光姆拉現(xiàn)象。基于此，本發(fā)明實(shí)施例提供一種TFT陣列基板、顯示器及其制造方法，通過(guò)改變拼 接區(qū)域內(nèi)TFT圖案中漏極圖案的形狀，使得曝光機(jī)即使在圖案的拼接方向上對(duì)掩模版間的 位置設(shè)定存在一定誤差時(shí)，也能保證各拼接區(qū)域中漏極與下層的柵極金屬層形成的重疊區(qū) 域面積相差不大，從而減弱了現(xiàn)有技術(shù)中各拼接區(qū)域中TFT圖案對(duì)應(yīng)的顯示亮度的差異， 減少了曝光姆拉現(xiàn)象的產(chǎn)生。下面通過(guò)具體的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。參見(jiàn)圖4，為本發(fā)明實(shí)施例一種TFT陣列基板中一個(gè)TFT圖案的平面結(jié)構(gòu)示意圖。TFT陣列基板可以包括在玻璃基板上層疊設(shè)置的柵極金屬層、柵絕緣層、半導(dǎo)體 層、源、漏極金屬層、絕緣膜保護(hù)層和透明像素層等。為了滿(mǎn)足大顯示面積的要求，制造大尺寸TFT陣列基板時(shí)，需要采用多組掩模版分別形成各拼接區(qū)域的圖案，最終各拼接區(qū)域的圖案拼合在一起后形成大尺寸的TFT陣列基板，因此，在該TFT陣列基板中會(huì)存在至少兩個(gè) 拼接區(qū)域。各拼接區(qū)域內(nèi)的TFT圖案中漏極與柵極金屬層均形成重疊區(qū)域，且各拼接區(qū)域 的TFT圖案中所述重疊區(qū)域的面積差值小于閾值。其中，至少某一拼接區(qū)域中TFT圖案的結(jié)構(gòu)如圖4所示，該圖以該拼接區(qū)域中的任 一個(gè)TFT圖案為例，為了示意清楚，在圖中位于源、漏極和柵極金屬層之間的功能薄膜層未 示出，例如柵絕緣層、半導(dǎo)體層。在本實(shí)施例的TFT圖案中，在形成的柵極金屬層41的上方利用源漏極掩模板同時(shí) 形成漏極42和源極43。漏極42與源極43大體位于同一平面，并不重疊，且均延伸到柵極 金屬層41的上方，其中，柵極金屬層41的形成過(guò)程及其結(jié)構(gòu)可以與現(xiàn)有技術(shù)相同。該TFT圖案中，在漏極42向柵極金屬層41延伸的方向上，漏極42從柵極金屬層 41的第一邊界411延伸至柵極金屬層41的第二邊界412的外部，第一邊界411和第二邊 界412相對(duì)，漏極42包括與下方的柵極金屬層41形成的重疊區(qū)域421，和延伸到第二邊界 412外部的容余區(qū)域422。在本實(shí)施例中，源極43也可以具有與漏極42相類(lèi)似的結(jié)構(gòu)，源極43從第二邊界 412延伸至第一邊界411的外部，當(dāng)然，由于源極43不影響顯示亮度，該源極43也可以采用 其它的圖案形狀，此處不作限定。根據(jù)以上結(jié)構(gòu)，該拼接區(qū)域內(nèi)漏極42在向柵極金屬層41延伸的方向上，跨越了柵 極金屬層41的兩個(gè)邊界，并在柵極金屬層41的第二邊界外還延伸出容余區(qū)域422。由此可 見(jiàn)，在形成漏極時(shí)，在漏極向柵極金屬層延伸的方向上，即使曝光機(jī)存在一定的拼接曝光對(duì) 位誤差，例如向圖4中右側(cè)偏移一誤差值，由于容余區(qū)域的存在，可以使拼接區(qū)域的漏極與 的柵極金屬層形成的重疊區(qū)域仍然橫跨柵極金屬層的兩邊界，使得該拼接區(qū)域內(nèi)重疊區(qū)域 的面積基本不變，且與其它拼接區(qū)域的重疊區(qū)域面積差值在閾值范圍內(nèi)，從而各拼接區(qū)域 內(nèi)重疊區(qū)域?qū)?yīng)的寄生電容大致相同，在后續(xù)形成的顯示器工作時(shí)，各拼接區(qū)域內(nèi)TFT圖 案對(duì)應(yīng)的顯示亮度的差異可以得到減弱，也減少了曝光姆拉現(xiàn)象的產(chǎn)生。在其它實(shí)施例中，各拼接區(qū)域TFT圖案中的漏極均可以采用上述圖案或結(jié)構(gòu)，且 各拼接區(qū)域中漏極與柵極金屬層形成的重疊區(qū)域的面積差值小于閾值，該閾值可以根據(jù)對(duì) TFT陣列基板上圖案拼接處顯示亮度的差異要求而確定，例如，如果要求圖案拼接處顯示亮 度一致，則可以設(shè)定各拼接區(qū)域內(nèi)的重疊區(qū)域面積均相等。而且，如果使得各拼接區(qū)域內(nèi)漏 極與柵極金屬層形成的重疊區(qū)域面積相同，還可以對(duì)漏極進(jìn)行更進(jìn)一步的限定，例如在漏 極向柵極金屬層延伸的方向上，各拼接區(qū)域內(nèi)漏極的重疊區(qū)域和容余區(qū)域包圍的區(qū)域中單 位長(zhǎng)度的面積均相等。具體的通過(guò)以下實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明。如圖5所示，為本發(fā)明實(shí)施例一種TFT陣列基板中兩拼接區(qū)域內(nèi)TFT圖案的平面 結(jié)構(gòu)示意圖。本實(shí)施例中TFT陣列基板包括至少A、B兩個(gè)拼接區(qū)域，以分別位于兩拼接區(qū)域內(nèi) 的兩個(gè)TFT圖案為例進(jìn)行說(shuō)明(為圖示清楚，柵絕緣層和半導(dǎo)體層未在圖中示出)。本實(shí)施例中，A、B拼接區(qū)域內(nèi)TFT圖案的柵極金屬層與源極、漏極的結(jié)構(gòu)關(guān)系與前 述實(shí)施例類(lèi)似。在形成A拼接區(qū)域的TFT圖案時(shí)，首先利用掩模板形成柵極金屬層51，然后利用源漏極掩模板在柵極金屬層51上方形成漏極52，該漏極52從柵極金屬層51的第一邊界511 延伸至與第一邊界511相對(duì)的第二邊界512的外部，漏極52包括與柵極金屬層51形成的 重疊區(qū)域521，以及位于第二邊界512外部的容余區(qū)域522，重疊區(qū)域521和容余區(qū)域522 所包圍的區(qū)域?yàn)榫匦?，因此在漏極52向柵極金屬層51延伸的方向上，重疊區(qū)域521和容余 區(qū)域522包圍的區(qū)域中單位長(zhǎng)度的面積均相同。在該拼接區(qū)域內(nèi)，假設(shè)曝光機(jī)對(duì)源漏極掩 模板的定位不存在誤差，此時(shí)漏極52的容余區(qū)域522完全位于第二邊界512的外部。在形成B拼接誒區(qū)域的TFT圖案時(shí)，首先利用掩模板形成B拼接區(qū)域內(nèi)的柵極金 屬層61，然后利用源漏極掩模板在柵極金屬層61上方形成漏極62，在該拼接區(qū)域內(nèi)，曝光 機(jī)對(duì)源漏極掩模板的定位存在誤差，使得源漏極掩模板向圖5中的右側(cè)(圖中箭頭指向) 偏移一誤差值，形成的漏極62仍然從柵極金屬層61的第一邊界611延伸至與第一邊界611 相對(duì)的第二邊界612的外部，但由于偏移誤差的存在，該漏極62的容余區(qū)域622部分進(jìn)入 柵極金屬層61的第二邊界612內(nèi)部，因此漏極62與柵極金屬層61形成的重疊區(qū)域621中 包含了部分容余區(qū)域622，重疊區(qū)域621和容余區(qū)域622所包圍的區(qū)域同樣為矩形，因此在 漏極62向柵極金屬層61延伸的方向上，重疊區(qū)域621和容余區(qū)域622包圍的區(qū)域中單位 長(zhǎng)度的面積均相同，因此，即使源漏極掩模板偏移一誤差值，由于容余區(qū)域622的存在，重 疊區(qū)域621仍然可以橫跨柵極金屬層61的兩邊界，其面積與重疊區(qū)域521的面積相等。為了進(jìn)一步保證曝光機(jī)存在拼接曝光對(duì)位誤差時(shí)，重疊區(qū)域621的面積與重疊區(qū) 域521的面積相同，容余區(qū)域622在向柵極金屬層61的第二邊界612外部延伸方向上的長(zhǎng) 度可以大于等于曝光機(jī)的拼接曝光對(duì)位誤差值。以上實(shí)施例中在與漏極向柵極金屬層延伸方向的垂直方向上，漏極的重疊區(qū)域的 兩側(cè)邊均位于柵極金屬層的邊界內(nèi)部，還可以進(jìn)一步在柵極金屬層上設(shè)定容余距離，使重 疊區(qū)域在垂直于延伸方向上的側(cè)邊到柵極金屬層在該垂直于延伸方向上的邊界的最小距 離不小于該容余距離，如圖5所示，重疊區(qū)域的上邊界距離柵極金屬層的上邊界的最小距 離不小于容余距離。以上實(shí)施例中，均以TFT陣列基板中某一拼接區(qū)域內(nèi)的一個(gè)TFT圖案為例進(jìn)行說(shuō) 明的，在實(shí)際生成過(guò)程中，在利用多組掩模版分別形成的多個(gè)拼接區(qū)域時(shí)，會(huì)同時(shí)形成呈陣 列分布的多個(gè)TFT圖案，如圖6所示(為圖示清楚，柵絕緣層和半導(dǎo)體層未在圖中示出)。由此可知，當(dāng)曝光機(jī)在利用各掩模版形成上述拼接區(qū)域的TFT圖案時(shí)，在漏極向 柵極金屬層延伸的方向上，即使曝光機(jī)存在一定的拼接曝光對(duì)位誤差，例如圖5，在利用掩 模板形成右側(cè)拼接區(qū)域的TFT圖案時(shí)，即使掩模板向右側(cè)移動(dòng)一誤差值，由于漏極上容余 區(qū)域的存在且其長(zhǎng)度不小于拼接曝光對(duì)位誤差值，仍然可以保證右側(cè)拼接區(qū)域的TFT圖案 中漏極與下層的柵極金屬層形成的重疊區(qū)域與左側(cè)拼接區(qū)域中的相同，從而各重疊區(qū)域?qū)?應(yīng)的寄生電容相同，在后續(xù)形成的顯示器通電工作時(shí)，使得各拼接區(qū)域中TFT圖案對(duì)應(yīng)的 顯示亮度相同，減少了曝光姆拉現(xiàn)象的產(chǎn)生。本發(fā)明實(shí)施例還可以提供一種TFT液晶顯示器，該顯示器可以包括如前述實(shí)施例 所描述的TFT陣列基板，還可以包括與該TFT陣列基板相互貼合的對(duì)向彩膜基板(又稱(chēng)為 CF基板)，此處不再贅述。下面通過(guò)具體的實(shí)施例對(duì)形成上述TFT陣列基板的方法進(jìn)行說(shuō)明。參見(jiàn)圖7，為本發(fā)明實(shí)施例一種薄膜晶體管 列基板的制造方法流程圖。
該方法可以包括
步驟701，在玻璃基板上的至少一個(gè)拼接區(qū)域內(nèi)形成層疊的第一功能薄膜層，該第 一功能薄膜層包括柵極金屬層。該第一功能薄膜可以包括柵極金屬層、柵絕緣層、半導(dǎo)體層等，各層具體的形成過(guò) 程與現(xiàn)有技術(shù)類(lèi)似，此處不再贅述。步驟702，在第一功能薄膜層的上方形成源、漏極，以形成TFT圖案。該步驟中拼接區(qū)域內(nèi)形成的源、漏極圖案位于第一功能薄膜層的上方，具體是在 柵極金屬層的上方利用源漏極掩模板同時(shí)形成源、漏極金屬層，以形成TFT圖案，其中包括 光刻膠的涂布、曝光、顯影、刻蝕等步驟，該形成過(guò)程與現(xiàn)有技術(shù)類(lèi)似，此處不再贅述。源、漏 極金屬層與柵極金屬層之間還存在其它薄膜層，例如柵絕緣層、半導(dǎo)體層等。其中，該拼接區(qū)域內(nèi)的漏極從柵極金屬層的第一邊界延伸至與第一邊界相的第二 邊界的外部，該漏極包括與柵極金屬層形成的重疊區(qū)域和延伸至柵極金屬層第二邊界外部 的容余區(qū)域。各拼接區(qū)域內(nèi)TFT圖案中的重疊區(qū)域的面積差值小于閾值。該閾值可以根據(jù)對(duì) TFT陣列基板上圖案拼接處顯示亮度的差異要求而確定，例如，如果要求圖案拼接處顯示亮 度一致，則可以設(shè)定各拼接區(qū)域內(nèi)重疊區(qū)域面積相等。為了使得在漏極向柵極金屬層延伸的方向上，曝光機(jī)存在拼接曝光對(duì)位誤差時(shí)， 各拼接區(qū)域內(nèi)漏極與下層的柵極金屬層形成的重疊區(qū)域面積均相同，還可以在漏極向柵極 金屬層延伸的方向上，使拼接區(qū)域內(nèi)TFT圖案中的重疊區(qū)域和容余區(qū)域所包圍的區(qū)域，單 位長(zhǎng)度的面積相等。具體的可以通過(guò)設(shè)定漏極的幾何形狀進(jìn)行限定，例如通過(guò)設(shè)計(jì)掩模版使漏極重疊 區(qū)域、容余區(qū)域均為矩形，而且還可以使容余區(qū)域在向柵極金屬層的第二邊界外部延伸方 向上的長(zhǎng)度大于等于曝光機(jī)的拼接曝光對(duì)位誤差值。本步驟中，該拼接區(qū)域內(nèi)的TFT圖案與前述實(shí)施例中的TFT結(jié)構(gòu)類(lèi)似，此處不再贅 述。步驟703，在形成的TFT圖案上方形成第二功能薄膜層，獲得薄膜晶體管陣列基 板。其中，第二功能薄膜可以是絕緣膜保護(hù)層、透明像素層等薄膜層。通過(guò)上述方法，當(dāng)曝光機(jī)在利用掩模版分別形成上述拼接區(qū)域的漏極時(shí)，在漏極 向柵極金屬層延伸的方向上，即使曝光機(jī)存在一定的拼接曝光對(duì)位誤差，由于容余區(qū)域的 存在且其長(zhǎng)度不小于拼接曝光對(duì)位誤差值，可以使各拼接區(qū)域中，漏極與下層的柵極金屬 層形成的重疊區(qū)域面積相同，從而各拼接區(qū)域中重疊區(qū)域?qū)?yīng)的寄生電容相同，在后續(xù)形 成的顯示器通電工作時(shí)，使得各拼接區(qū)域的TFT圖案對(duì)應(yīng)的顯示亮度相同，減少了曝光姆 拉現(xiàn)象的產(chǎn)生。參見(jiàn)圖8，為本發(fā)明實(shí)施例一種薄膜晶體管顯示器的制造方法流程圖。該方法可以包括步驟801，在玻璃基板上的至少一個(gè)拼接區(qū)域內(nèi)形成層疊的第一功能薄膜層，該第 一功能薄膜層包括柵極金屬層。步驟802，在第一功能薄膜層的上方形成源、漏極，以形成TFT圖案。
步驟803，在形成的TFT圖案上方形成第二功能薄膜層，獲得TFT陣列基板。步驟801 803與前述實(shí)施例中的步驟701 703類(lèi)似，此處不再贅述。步驟804，將TFT陣列基板與已形成的對(duì)向彩膜基板貼合，進(jìn)入后續(xù)制程，形成TFT 液晶顯示器。
通過(guò)上述方法，使TFT陣列基板中各拼接區(qū)域內(nèi)的TFT圖案中漏極與下層的柵極 金屬層形成的重疊區(qū)域面積相同，從而各拼接區(qū)域內(nèi)重疊區(qū)域?qū)?yīng)的寄生電容相同，在形 成的顯示器通電工作時(shí)，使得各拼接區(qū)域中TFT圖案對(duì)應(yīng)的顯示亮度相同，減少了曝光姆 拉現(xiàn)象的產(chǎn)生。以上所述的本發(fā)明實(shí)施方式，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明保護(hù)范圍的限定。任何在本發(fā)明 的精神和原則之內(nèi)所作的修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的權(quán)利要求保護(hù)范 圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
一種薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，包括至少兩個(gè)拼接區(qū)域，各拼接區(qū)域內(nèi)的薄膜晶體管TFT圖案中，漏極與柵極金屬層均形成重疊區(qū)域，至少一個(gè)拼接區(qū)域內(nèi)的TFT圖案中，漏極從柵極金屬層的第一邊界延伸至與所述第一邊界相對(duì)的第二邊界的外部，所述漏極包括與所述柵極金屬層形成的重疊區(qū)域以及延伸至所述柵極金屬層第二邊界外部的容余區(qū)域；各拼接區(qū)域內(nèi)的重疊區(qū)域的面積差值小于閾值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述容余區(qū)域在向所述 第二邊界外部延伸方向上的長(zhǎng)度大于等于曝光機(jī)的拼接曝光對(duì)位誤差值。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，各拼接區(qū)域內(nèi)的所述重 疊區(qū)域面積相等。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述重疊 區(qū)域與所述容余區(qū)域所包圍的圖形為矩形。
5.一種薄膜晶體管液晶顯示器，包括薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體 管陣列基板包括至少兩個(gè)拼接區(qū)域，各拼接區(qū)域內(nèi)的薄膜晶體管TFT圖案中，漏極與柵極 金屬層均形成重疊區(qū)域，至少一個(gè)拼接區(qū)域內(nèi)的TFT圖案中，漏極從柵極金屬層的第一邊 界延伸至與所述第一邊界相對(duì)的第二邊界的外部，所述漏極包括與所述柵極金屬層形成的 重疊區(qū)域以及延伸至所述柵極金屬層第二邊界外部的容余區(qū)域；各拼接區(qū)域內(nèi)的重疊區(qū)域 的面積差值小于閾值。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管液晶顯示器，其特征在于，所述容余區(qū)域在向所 述第二邊界外部延伸方向上的長(zhǎng)度大于等于曝光機(jī)的拼接曝光對(duì)位誤差值。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管液晶顯示器，其特征在于，各拼接區(qū)域內(nèi)的所述 重疊區(qū)域面積相等。
8.根據(jù)權(quán)利要求5至7中任意一項(xiàng)所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述重疊 區(qū)域與所述容余區(qū)域所包圍的圖形為矩形。
9.一種薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于，包括在玻璃基板上的至少一個(gè)拼接區(qū)域內(nèi)形成層疊的第一功能薄膜層，該第一功能薄膜層 包括柵極金屬層；在所述第一功能薄膜層的上方形成源、漏極，以形成TFT圖案，其中，所述拼接區(qū)域內(nèi) 的TFT圖案中，漏極從柵極金屬層的第一邊界延伸至與所述第一邊界相對(duì)的第二邊界的外 部，所述漏極包括與所述柵極金屬層形成的重疊區(qū)域以及延伸至所述柵極金屬層第二邊界 外部的容余區(qū)域；各拼接區(qū)域內(nèi)漏極與柵極金屬層形成的重疊區(qū)域的面積差值小于閾值；在形成的TFT圖案上方形成第二功能薄膜層，獲得薄膜晶體管陣列基板。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述容余區(qū)域在向所述第二邊界外部延 伸方向上的長(zhǎng)度大于等于曝光機(jī)的拼接曝光對(duì)位誤差值。
11.一種薄膜晶體管液晶顯示器的制造方法，其特征在于，包括在玻璃基板上的至少一個(gè)拼接區(qū)域內(nèi)形成層疊的第一功能薄膜層，該第一功能薄膜層 包括柵極金屬層；在所述第一功能薄膜層的上方形成源、漏極，以形成TFT圖案，其中，所述拼接區(qū)域內(nèi) 的TFT圖案中，漏極從柵極金屬層的第一邊界延伸至與所述第一邊界相對(duì)的第二邊界的外 部，所述漏極包括與所述柵極金屬層形成的重疊區(qū)域以及延伸至所述柵極金屬層第二邊界外部的容余區(qū)域；各拼接區(qū)域內(nèi)漏極與柵極金屬層形成的重疊區(qū)域的面積差值小于閾值； 在形成的TFT圖案上方形成第二功能薄膜層，獲得薄膜晶體管陣列基板； 將所述薄膜晶體管陣列基板與已形成的對(duì)向彩膜基板貼合，進(jìn)入后續(xù)制程，形成薄膜 晶體管液晶顯示器。
全文摘要
本發(fā)明提供一種薄膜晶體管陣列基板、顯示器及其制造方法。該TFT陣列基板包括至少兩個(gè)拼接區(qū)域，各拼接區(qū)域內(nèi)的TFT圖案中，漏極與柵極金屬層均形成重疊區(qū)域，至少一個(gè)拼接區(qū)域內(nèi)的TFT圖案中，漏極從柵極金屬層的第一邊界延伸至與所述第一邊界相對(duì)的第二邊界的外部，所述漏極包括與所述柵極金屬層形成的重疊區(qū)域以及延伸至所述柵極金屬層第二邊界外部的容余區(qū)域；各拼接區(qū)域內(nèi)的重疊區(qū)域的面積差值小于閾值。通過(guò)改變拼接區(qū)域內(nèi)TFT圖案中漏極圖案的形狀，保證了各拼接區(qū)域內(nèi)漏極與柵極金屬層形成的重疊區(qū)域面積相差不大，從而減弱了各拼接區(qū)域顯示亮度的差異，減少了曝光姆拉現(xiàn)象的產(chǎn)生。
文檔編號(hào)H01L27/32GK101872773SQ20101021287
公開(kāi)日2010年10月27日 申請(qǐng)日期2010年6月28日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月28日
發(fā)明者何基強(qiáng), 李林, 洪勝寶, 胡君文, 謝凡, 陳天佑 申請(qǐng)人:信利半導(dǎo)體有限公司