專利名稱：半導(dǎo)體器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件，并且更加具體地涉及具有在基板的上方提供的諸如 焊盤的襯墊的半導(dǎo)體器件。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，通常具有2. 7或者更小的介電常數(shù)(k值)的低介電常數(shù)絕緣膜(低k 膜 )已經(jīng)被日益更多地用于多層互連結(jié)構(gòu)中的絕緣間層。然而，低k膜的機(jī)械強(qiáng)度通常較 差。因此存在下述問(wèn)題，在引線鍵合、探針探測(cè)等等的工藝中焊盤被施加有負(fù)荷時(shí)絕緣間層 可能破裂或分離，并且因此成品的產(chǎn)量趨于降低。國(guó)際專利公開(kāi)No. W02005/096364公布一種半導(dǎo)體器件，該半導(dǎo)體器件使用具有 差的強(qiáng)度和粘性的低介電常數(shù)絕緣間層，其被構(gòu)造為大量的沒(méi)有被電氣地連接至電路的加 強(qiáng)通孔圖案形成在上和下互連層中形成的加強(qiáng)互連圖案相互重疊的區(qū)域中，以相互連接加 強(qiáng)互連圖案。根據(jù)此描述，由于增加的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，在制造工藝或者封裝中的膜的破裂或者分 離可以是可抑制的。日本特開(kāi)專利公開(kāi)No. 2004-235416公布了一種半導(dǎo)體器件，該半導(dǎo)體器件具有 焊盤，該焊盤形成在半導(dǎo)體基板上；上部銅互連層，該上部銅互連層形成在焊盤下方，并且 具有比其中形成電路互連的層更大的面積的比率；以及下部銅互連層，該下部銅互連層電 氣地分離上部銅互連層，并且比上部銅互連層更加接近于半導(dǎo)體基板地形成。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)日本特開(kāi)專利申請(qǐng)No. 2004-235416的描述，通過(guò)在焊盤的下方提供具有大 的銅的面積比率的上部銅互連層，可以在探測(cè)或引線鍵合的工藝中緩和可能被施加給諸如 低k膜的絕緣膜的負(fù)荷，并且因此在抵抗焊盤上的沖擊方面改進(jìn)層結(jié)構(gòu)。然而，隨著近來(lái)在 新一代的LSI中的焊盤間節(jié)距的減小，焊接線的直徑也減小。因此，存在焊接工藝中每單位 面積的負(fù)荷增加的趨勢(shì)。因此，特別在低k膜的增加的組成比率下，僅通過(guò)被提供在焊盤的 下方的具有大的銅的面積的比率的上部銅互連層，時(shí)常不能將施加給焊盤的沖擊吸收到令 人滿意的程度。在這樣的情況下，預(yù)計(jì)在下層中可能發(fā)生絕緣間層的分離從而使層結(jié)構(gòu)變 形，并且因此增加焊盤的分離的發(fā)生幾率。根據(jù)本發(fā)明，提供了一種半導(dǎo)體器件，其包括基板；多層互連結(jié)構(gòu)，該多層互連結(jié)構(gòu)形成在基板的上方，并且至少在層的一部分中包 含由低k膜組成的絕緣間層；以及焊盤，該焊盤形成在基板上方的多層互連結(jié)構(gòu)上方，該多層互連結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括
下部多層互連結(jié)構(gòu)，該下部多層互連結(jié)構(gòu)具有在其中堆疊的包含形成于在平面圖 中與焊盤重疊的區(qū)域中的互連的互連級(jí)絕緣間層，和包含形成于在平面圖中與焊盤重疊的 區(qū)域中的通孔的通孔級(jí)絕緣間層；上部多層互連結(jié)構(gòu)，該上部多層互連結(jié)構(gòu)形成在下部多層互連結(jié)構(gòu)的上方并具有 在其中堆疊的包含形成于在平面圖中與焊盤重疊的區(qū)域中的互連的互連級(jí)絕緣間層；和包 含形成于在平面圖與焊盤重疊的區(qū)域中的通孔的通孔級(jí)絕緣間層；以及中間絕緣膜，該中間絕緣膜形成在下部多層互連結(jié)構(gòu)和上部多層互連結(jié)構(gòu)之間，在平面圖中與焊盤重疊的區(qū)域中，上部多層互連結(jié)構(gòu)中的通孔和互連形成為與焊 盤電氣地連接。在平面圖中與焊盤相重疊的區(qū)域中，中間絕緣膜不具有在其中形成的導(dǎo)電材料 層，該導(dǎo)電材料層連接上部多層互連結(jié)構(gòu)中的通孔或者互連和下部多層互連結(jié)構(gòu)中的通孔 或者互連，并且 在平面圖中與焊盤重疊的區(qū)域中，由被包含在下部多層互連結(jié)構(gòu)中的通孔級(jí)絕緣 間層中的通孔占據(jù)的面積的比率小于由被包含在上部多層互連結(jié)構(gòu)中的通孔級(jí)絕緣間層 中的通孔占據(jù)的面積的比率。注意，而且上面描述的組件的所有的任意組合，并且在方法、器件等等當(dāng)中進(jìn)行的 本發(fā)明中的表述的任何交換都可以作為本發(fā)明的實(shí)施例。


結(jié)合附圖，根據(jù)某些優(yōu)選實(shí)施例的以下描述，本發(fā)明的以上和其它方面、優(yōu)點(diǎn)和特 征將更加明顯，其中圖1是示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的示例性構(gòu)造的截面圖；圖2是示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中的半導(dǎo)體器件的示例性構(gòu)造的平面圖；圖3A和圖3B是圖1中所示的半導(dǎo)體器件的橫剖圖；圖4是示出將焊接線焊接到半導(dǎo)體器件的焊盤的過(guò)程的截面圖；圖5A和圖5B是示出本發(fā)明的第一實(shí)施例中的半導(dǎo)體器件的效果的截面圖；圖6是示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中的半導(dǎo)體器件的效果的圖；圖7A和圖7B是示出本發(fā)明的實(shí)施例中的半導(dǎo)體器件的其它示例性構(gòu)造的截面 圖；以及圖8至圖10是示出本發(fā)明的實(shí)施例中的半導(dǎo)體器件的其它示例性構(gòu)造的截面圖。
具體實(shí)施例方式根據(jù)我們的深入調(diào)查本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，通過(guò)將半導(dǎo)體器件構(gòu)造為可以隨著負(fù)荷朝著 更深側(cè)傳播，通過(guò)絕緣間層逐漸地吸收在引線鍵合或者探針探測(cè)的工藝中施加給焊盤的負(fù) 荷，從而可以成功地避免通常由于絕緣間層的分離導(dǎo)致的層結(jié)構(gòu)的變形，并且從而可以減 少焊盤的分離的發(fā)生幾率。為了實(shí)現(xiàn)該構(gòu)造，本發(fā)明采用中間絕緣膜以分離多層互連結(jié)構(gòu) 的下部分和上部分，同時(shí)將由通孔占據(jù)的面積的不同比率設(shè)置給單獨(dú)的部分。國(guó)際專利申請(qǐng)No. W02005/096364描述被提供有增強(qiáng)通孔圖案的構(gòu)造，但是與本 發(fā)明的構(gòu)造不同，沒(méi)有考慮進(jìn)入上和下部分的多層互連結(jié)構(gòu)的分離，同時(shí)將由通孔占據(jù)的面積的不同比率設(shè)置給單獨(dú)的部分。雖然日本特開(kāi)專利申請(qǐng)公開(kāi)No. 2004-235416描述了 由互連占據(jù)的面積的比率，但也沒(méi)有考慮通孔。因此，考慮到防止通常由于絕緣間層的分離 導(dǎo)致的層結(jié)構(gòu)變形并且考慮到將焊盤的分離的發(fā)生抑制到低水平還存在問(wèn)題。根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)造，被連接至焊盤的互連和通孔被提供在平面圖中與焊盤重疊的 區(qū)域中的上部多層互連結(jié)構(gòu)中。由于此構(gòu)造，即使在探針探測(cè)或者引線鍵合的工藝中被施 加有負(fù)荷，可以改進(jìn)上部多層互連結(jié)構(gòu)的強(qiáng)度，并且從而可以防止絕緣間層破裂。此外，不 具有在其中形成的導(dǎo)電材料的中間絕緣膜，被提供在上部多層互連結(jié)構(gòu)的下面。因此，通過(guò) 中間絕緣膜可以緩和被施加給焊盤的任何沖擊，并且因此在一定程度上可以改進(jìn)對(duì)沖擊的 抵抗。另外，由于在被形成在中間絕緣膜的下面的 下部多層互連結(jié)構(gòu)中由通孔占據(jù)的面積 的比率設(shè)置為小的值，隨著負(fù)荷朝著更深(更下)側(cè)傳播可以通過(guò)下部多層互連結(jié)構(gòu)逐漸 地吸收并且緩和不能通過(guò)上部多層互連結(jié)構(gòu)和中間絕緣膜吸收的沖擊。因此，絕緣間層和 焊盤的分離的發(fā)生可以被抑制到低水平，并且因此可以改進(jìn)最終產(chǎn)品的產(chǎn)量。根據(jù)本發(fā)明，在其中形成有焊盤的半導(dǎo)體器件中，即使焊盤被施加有負(fù)荷，絕緣間 層和焊盤的分離的發(fā)生可以被抑制到低水平，并且從而可以改進(jìn)最終產(chǎn)品的產(chǎn)量。現(xiàn)在在此將參考示例性實(shí)施例來(lái)描述本發(fā)明。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將會(huì)理解能夠使 用本發(fā)明的教導(dǎo)完成許多可替選的實(shí)施例并且本發(fā)明不限于為解釋性目的而示出的實(shí)施 例。參考附圖將會(huì)解釋本發(fā)明的實(shí)施例。注意，附圖中所有類似的組件被給予類似的 附圖標(biāo)記或者符號(hào)，其解釋將沒(méi)有必要進(jìn)行重復(fù)。圖1是示出本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的示例性構(gòu)造的截面圖，并且圖2是本實(shí)施例 的半導(dǎo)體器件的示例性構(gòu)造的平面圖。半導(dǎo)體器件100包括基板1 ；多層互連結(jié)構(gòu)，該多層互連結(jié)構(gòu)被形成在基板的上 方；以及焊盤72 (襯墊)，該焊盤72被形成在多層互連結(jié)構(gòu)的上方。由于在平面圖中與焊 盤72重疊的下方的區(qū)域(在下文中，被稱為“焊盤布置區(qū)域94”)中，本實(shí)施例中的半導(dǎo)體 器件100在結(jié)構(gòu)上具有特性特征，從而在此附圖僅示出其中形成有焊盤72的區(qū)域。在基板1的上方，形成通常其中掩埋有晶體管等等的絕緣間層2。多層互連結(jié)構(gòu)形 成在絕緣間層2的上方。通過(guò)使用諸如氧化硅膜的具有相對(duì)大的機(jī)械強(qiáng)度的材料可以構(gòu)造 這里的絕緣間層2。盡管在這里沒(méi)有示出，但是絕緣間層2具有多個(gè)其中形成的接觸，通過(guò) 該接觸基板1中的擴(kuò)散層與上層中的互連相接觸。在本實(shí)施例中，形成在基板1上的絕緣間層2的上方的多層互連結(jié)構(gòu)包含形成在 其下部分中并且更加接近基板1的下部多層互連結(jié)構(gòu)90，和形成其上部分中、在下部多層 互連結(jié)構(gòu)90上方并且更加接近焊盤72的上部多層互連結(jié)構(gòu)92。在下部多層互連結(jié)構(gòu)90 和上部多層互連結(jié)構(gòu)92之間，提供中間通孔級(jí)絕緣間層48(中間絕緣膜)。通過(guò)諸如硅基板的半導(dǎo)體基板可以構(gòu)造基板1。盡管在附圖中沒(méi)有示出，基板1被 提供有諸如晶體管、電阻器以及電容器的半導(dǎo)體基板，以及包含用于連接這些半導(dǎo)體元件 的電路互連的內(nèi)部電路。通過(guò)形成在多層互連結(jié)構(gòu)中的任何層中的互連、形成在基板1中 的擴(kuò)散層、以及通常由雜質(zhì)擴(kuò)散多晶硅組成的導(dǎo)電層可以構(gòu)造電路互連。在本實(shí)施例中，內(nèi) 部電路可以被提供在焊盤布置區(qū)域94外部的區(qū)域中，或者內(nèi)部電路的一部分可以被布置 在焊盤布置區(qū)域94中以給出焊盤下電路(CUP)結(jié)構(gòu)。在焊盤下電路(CUP)結(jié)構(gòu)中，內(nèi)部電路可以被提供在焊盤布置區(qū)域94中的下部多層互連結(jié)構(gòu)90中。通過(guò)按照此順序堆疊的蝕刻停止膜13、下部互連級(jí)絕緣間層14、阻擋絕緣膜17、 下部通孔級(jí)絕緣間層18、下部互連級(jí)絕緣間層24、阻擋絕緣膜27、下部通孔級(jí)絕緣間層28、 下部互連級(jí)絕緣間層34、阻擋絕緣膜37、下部通孔級(jí)絕緣間層38、下部互連級(jí)絕緣間層44、 以及阻擋絕緣膜47來(lái)構(gòu)造下部多層互連結(jié)構(gòu)90。 下部互連級(jí)絕緣間層14、下部互連絕緣間層24、下部互連級(jí)絕緣間層34、以及下 部互連級(jí)絕緣間層44具有分別形成在其中的下部互連15、下部互連25、下部互連35、以及 下部互連45?？梢酝ㄟ^(guò)主要由銅組成的金屬膜、以及分別被形成為與金屬膜的側(cè)表面和 下表面接觸的阻擋金屬膜26、阻擋金屬膜36、阻擋金屬膜46來(lái)構(gòu)造下部互連15、下部互連 25、下部互連35、以及下部互連45中的每一個(gè)?？梢酝ㄟ^(guò)通常含有諸如Ta或者Ru的難熔 金屬的材料來(lái)構(gòu)造阻擋金屬膜16、阻擋金屬膜26、阻擋金屬膜36、以及阻擋金屬膜46。在 一個(gè)示例性情況下，這些阻擋金屬膜可以由含有堆疊的膜的Ta組成。下部通孔級(jí)絕緣間層18、下部通孔級(jí)絕緣間層28、以及下部通孔級(jí)絕緣間層38具 有分別形成在其中的下部通孔19、下部通孔29、以及下部通孔39。類似于互連，也可以通過(guò) 主要由銅組成的金屬膜以及分別形成為與金屬膜的下表面和側(cè)表面接觸的阻擋金屬膜26、 阻擋金屬膜36、以及阻擋金屬膜46來(lái)構(gòu)造下部通孔19、下部通孔29、以及下部通孔39中的 每一個(gè)。而且可以類似于諸如阻擋金屬膜16的上述阻擋金屬膜來(lái)構(gòu)造這些阻擋金屬膜。注 意，在這里示出為構(gòu)造雙鑲嵌結(jié)構(gòu)同時(shí)分別與下部互連25、下部互連35、以及下部互連45 集成在一起的下部通孔19、下部通孔29、以及下部通孔39可以替代地構(gòu)造單鑲嵌結(jié)構(gòu)。通過(guò)按照此順序堆疊的上部互連級(jí)絕緣間層54、阻擋絕緣膜57、上部通孔級(jí)絕緣 間層58、以及上部互連級(jí)絕緣間層64來(lái)構(gòu)造上部多層互連結(jié)構(gòu)92。上部互連級(jí)絕緣間層54和上部互連級(jí)絕緣間層64具有分別形成在其中的上部互 連55和上部互連65。類似于下部多層互連結(jié)構(gòu)90中的互連，也通過(guò)主要由銅組成的金屬 膜，和分別形成為與金屬膜的下表面和側(cè)表面接觸的阻擋金屬膜56和阻擋金屬膜66來(lái)構(gòu) 造上部互連55和上部互連65中的每一個(gè)。上部通孔級(jí)絕緣間層58具有形成在其中的上 部通孔59。也可以通過(guò)主要由銅組成的金屬膜，和形成為與金屬膜的下表面和側(cè)表面接觸 的阻擋金屬膜66來(lái)構(gòu)造上部通孔59中的每一個(gè)。而且可以類似于阻擋金屬膜16來(lái)構(gòu)造 阻擋金屬膜。注意，在這里示出為構(gòu)造雙鑲嵌結(jié)構(gòu)同時(shí)與上部互連65集成在一起的上部通 孔59可以替代地構(gòu)造單鑲嵌結(jié)構(gòu)。通過(guò)上部通孔59連接上部互連55和上部互連65。例如，被包括在下部多層互連結(jié)構(gòu)90和上部多層互連結(jié)構(gòu)92中的與單獨(dú)的互連 和單獨(dú)的通孔接觸的阻擋金屬膜的厚度可以被調(diào)整為大約3nm到20nm。例如在32nm結(jié)中， 各個(gè)互連可以總計(jì)金屬膜和阻擋金屬膜的厚度從而給出大約SOnm到120nm的總厚度。通過(guò)由多孔硅、多孔SiOC、多孔SiOCH、無(wú)孔SiOC或者SiOCH、HSQ(含氫倍半硅氧 烷)、梯形氧化物(L。x)、以及無(wú)定形碳示例的通常采用的低k膜材料來(lái)構(gòu)造下部互連級(jí)絕 緣間層14、下部互連級(jí)絕緣間層24、下部互連級(jí)絕緣間層34、以及下部互連級(jí)絕緣間層44。 這些絕緣間層的厚度通?？梢员徽{(diào)整為大約50nm到120nm。而且可以使用類似于在下部多層互連結(jié)構(gòu)90中的下部互連級(jí)絕緣間層中使用的 材料來(lái)構(gòu)造上部互連級(jí)絕緣間層54和上部互連級(jí)絕緣間層64。上部互連級(jí)絕緣間層54的 厚度通常可以被調(diào)整為大約50nm到120nm。上部互連級(jí)絕緣間層64的厚度通常可以被調(diào)整為大約800nm。通過(guò)由諸如多孔硅、多孔SiOC、多孔SiOCH、無(wú)孔SiOC或者SiOCH、HSQ(含氫倍半 硅氧烷)、梯形氧化物(L。x)、以及無(wú)定形碳的低k膜材料示例的通常采用的絕緣膜材料；和 諸如SiO2的絕緣膜材料來(lái)構(gòu)造下部通孔級(jí)絕緣間層18、下部通孔級(jí)絕緣間層28、下部通孔 級(jí)絕緣間層38、中間通孔級(jí)絕緣間層以及上部通孔級(jí)絕緣間層58。這些絕緣間層的厚度通 ?？梢员徽{(diào)整為大約30nm到150nm。通?？梢酝ㄟ^(guò)SiCN和SiC來(lái)構(gòu)造阻擋絕緣膜17、阻擋絕緣膜27、阻擋絕緣膜37、 阻擋絕緣膜47、阻擋絕緣膜57、以及阻擋絕緣膜67。這些絕緣膜的厚度通常可以調(diào)整為大 約 IOnm 到 5 Onm ο可以使用類似于在下部多層互連結(jié)構(gòu)90中的下部通孔級(jí)絕緣間層中使用的材料 來(lái)構(gòu)造中間通孔級(jí)絕緣間層48。中間通孔級(jí)絕緣間層48的厚度通?？梢员徽{(diào)整為大約 30nm 至Ij 180nm。
在上部多層互連結(jié)構(gòu)92中的上部互連級(jí)絕緣間層64的上方，提供的按照此順序 堆疊的阻擋絕緣膜67、通孔級(jí)絕緣間層68、保護(hù)絕緣膜73、以及聚酰亞胺膜74。通過(guò)保護(hù) 絕緣膜73和聚酰亞胺膜74來(lái)構(gòu)造鈍化膜。例如，可以通過(guò)SiCN膜構(gòu)造保護(hù)絕緣膜73。注意，為了便于解釋，使得在圖2中實(shí)際上形成在焊盤互連75上方的聚酰亞胺膜 74為透明的。圖2示出焊盤互連75的焊盤內(nèi)邊緣75a和焊盤外邊緣75b、和聚酰亞胺膜74 的內(nèi)邊緣74a、以及焊盤通孔69的外邊緣69b。焊盤互連75和焊盤72的焊盤通孔69的外 周部分覆蓋有聚酰亞胺膜74，從而焊盤通孔69僅暴露在由聚酰亞胺膜74的內(nèi)邊緣74a指 定的區(qū)域中。焊盤互連75的焊盤外邊緣75b和焊盤內(nèi)邊緣75a覆蓋有聚酰亞胺膜74。如 圖2中所示，本實(shí)施例中的焊盤布置區(qū)域94可以是由焊盤72的焊盤外邊緣75b包圍的區(qū) 域。通過(guò)焊盤通孔69和焊盤互連75來(lái)構(gòu)造焊盤72。通常通過(guò)主要由鋁組成的金屬材 料來(lái)構(gòu)造焊盤通孔69和焊盤互連75。其扁平部分中的焊盤通孔69的厚度通?？梢员徽{(diào)整 為大約0. 8 μ m至2 μ m。焊盤72被形成為在被布置在被形成在其下方的阻擋金屬膜70和 上部互連65之間的同時(shí)與上部互連65相接觸?？梢酝ㄟ^(guò)包含諸如Ta的難熔金屬的材料 來(lái)構(gòu)造阻擋金屬膜70。例如，可以通過(guò)使用包含TiN的材料來(lái)構(gòu)造阻擋金屬膜70。在其扁 平部分中的阻擋金屬膜70的厚度通?？梢员徽{(diào)整為大約50nm至300nm。在本實(shí)施例中，被包含在上部多層互連結(jié)構(gòu)92中的上部互連65和上部互連55在 平面圖中幾乎占據(jù)與焊盤72相同的區(qū)域。上部互連65和上部互連55可以被形成為分別 以一體的方式分布在焊盤布置區(qū)域94的整個(gè)區(qū)域的上方。在本實(shí)施例中，上部互連65和 上部互連55可以被構(gòu)造為具有大于具有形成在其中的內(nèi)部電路的層的面積的比率。在本 實(shí)施例中，由被包含在上部多層互連結(jié)構(gòu)92中的上部互連級(jí)絕緣間層中的互連占據(jù)的面 積的比率可以被調(diào)整為70%或者更大。因此可以改進(jìn)沖擊抵抗。由被包括在上部多層互連 結(jié)構(gòu)92中的互連級(jí)絕緣間層中的互連占據(jù)的面積的比率可以被調(diào)整為95%或者更小。因 此可以避免在用于形成互連的化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)的工藝中可能出現(xiàn)的碟形。這里的面積 的比率(也被稱為“數(shù)據(jù)比率”)可以被定義為通過(guò)將在平面圖中位于焊盤布置區(qū)域94中 的互連的總面積除以焊盤布置區(qū)域94的面積(由附圖中的焊盤外邊緣75b包圍的區(qū)域) 獲得的值。
通過(guò)上部通孔59，上部互連65和上部互連55可以被包含在焊盤布置區(qū)域94中。 換言之，本實(shí)施例中的上部多層互連結(jié)構(gòu)92可以理解為具有形成在其中的被電氣地連接 至焊盤布置區(qū)域94中的焊盤72的互連和通孔的層。在這里焊盤72可以被構(gòu)造為通過(guò)上 部互連65、上部通孔59、以及上部互連55被連接至半導(dǎo)體器件100的內(nèi)部電路(未示出)。另一方面，在本實(shí)施例中的焊盤布置區(qū)域94中，不存在連接下部多層互連結(jié)構(gòu)90 的頂層中的下部互連45和上部多層互連結(jié)構(gòu)92的底層中的上部互連55的諸如通孔的導(dǎo) 電材料。在本實(shí)施例中，在下部多層互連結(jié)構(gòu)90和上部多層互連結(jié)構(gòu)92之間提供中間通 孔級(jí)絕緣間層48。在中間通孔級(jí)絕緣間層48中，在焊盤布置區(qū)域94中，不存在連接下部 多層互連結(jié)構(gòu)90的頂層中的下部互連45和上部多層互連結(jié)構(gòu)92的底層中的上部互連55 的導(dǎo)電材料。換言之，本實(shí)施例中的下部多層互連結(jié)構(gòu)90可以理解為具有形成在其中的沒(méi) 有被連接至焊盤布置區(qū)域94中的焊盤72的通孔和互連的層。然而，下部多層互連結(jié)構(gòu)90 可以被構(gòu)造為被包含在其中的互連和通孔通過(guò)形成在焊盤布置區(qū)域94的外部的通孔被電 氣地連接至焊盤72。盡管沒(méi)有具體地限制，由被包含在下部多層互連結(jié)構(gòu)90中的下部互連級(jí)絕緣間 層中的互連占據(jù)的面積的比率通?？梢员徽{(diào)整為15%或者較大。因此可以提高沖擊抵抗。 由被包括在下部多層互連結(jié)構(gòu)90中的下部互連級(jí)絕緣間層中的互連占據(jù)的面積的比 率可 以被調(diào)整為95%或者較小。因此可以避免在用于形成互連的化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)的工藝中 可能出現(xiàn)的碟形。在如此構(gòu)造的半導(dǎo)體器件中100中，在焊盤布置區(qū)域94中，由被包含在下部多層 互連結(jié)構(gòu)90中的通孔級(jí)絕緣間層中的下部通孔占據(jù)的面積比率可以被設(shè)置為小于被包含 在上部多層互連結(jié)構(gòu)92中的上部通孔級(jí)絕緣間層58中的上部通孔59占據(jù)的面積的比率。 這里的面積的比率(而且被稱為“數(shù)據(jù)比率”)可以被定義為將平面圖中位于焊盤布置區(qū) 域94中的通孔的基于掩模的總面積除以焊盤布置區(qū)域94的面積(由附圖中的焊盤外邊緣 75b包圍的區(qū)域)獲得的值。圖3A是示出被包含在上部多層互連結(jié)構(gòu)92中的上部通孔級(jí)絕緣間層58和形成 在其中的上部通孔59的示例性構(gòu)造的橫剖圖。圖3A對(duì)應(yīng)于沿著圖1的線A-A’截取的截 面圖。圖3B是示出被包含在下部多層互連結(jié)構(gòu)90中的下部通孔級(jí)絕緣間層38和形成在 其中的下部通孔39的示例性構(gòu)造的橫剖圖。圖3B對(duì)應(yīng)于沿著圖1的線B-B’截取的截面 圖。為了簡(jiǎn)單理解單層中由通孔占據(jù)的面積的比率，示意性地示出這些附圖中的通孔。如圖3A中所示，二十五個(gè)上部通孔59被布置在上部通孔級(jí)絕緣間層58中以形成 5X5矩陣。另一方面，如圖3B中所示，四個(gè)下部通孔39被布置在下部通孔級(jí)絕緣間層38 中以形成2X2矩陣。盡管沒(méi)有示出，但是在下部通孔級(jí)絕緣間層28中并且在下部通孔級(jí) 絕緣間層18中，單層中由通孔占據(jù)的面積的比率可以被設(shè)置為小于上部通孔級(jí)絕緣間層 58的面積的比率，類似于下部通孔級(jí)絕緣間層38。圖3A和圖3B示出上部通孔59和下部通孔39具有相同的開(kāi)口尺寸的示例性情況。 對(duì)于所有的通孔具有相同的開(kāi)口尺寸的情況，下部通孔級(jí)絕緣間層18、下部通孔級(jí)絕緣間 層28、以及下部通孔級(jí)絕緣間層38中的每一個(gè)可以具有比上部通孔級(jí)絕緣間層58具有的 數(shù)目小的通孔。通過(guò)此構(gòu)造，可以吸收在探測(cè)和引線鍵合的工藝中被施加給焊盤72的任何沖擊，并且因此可以將絕緣間層的分離的發(fā)生抑制到低水平。在下面將會(huì)解釋可能的機(jī)制。圖4是示出將焊接線78焊接到半導(dǎo)體器件100的焊盤72的過(guò)程的剖視圖。在到 焊盤72的引線鍵合的工藝中，形成在焊接線78的末端處的球77接觸焊盤72，并且被焊接 到焊盤72，同時(shí)在預(yù)定的條件下被施加有負(fù)荷和超聲波。在此工藝中，焊盤72被施加有負(fù) 荷，并且結(jié)果產(chǎn)生沖擊。圖5A是示意性地示出在焊盤72處產(chǎn)生的沖擊傳播到本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件100 的多層互連結(jié)構(gòu)的模式的剖視圖。在本實(shí)施例中，幾乎占據(jù)與焊盤72相同的區(qū)域的上部互連65形成在焊盤72的下 方，如上所述。在上部互連65的下方，形成幾乎占據(jù)與焊盤72相同的區(qū)域的上部互連55。 在 上部互連65和上部互連55之間，提供具有大的面積比率的上部通孔59。結(jié)果，上部互連 55、上部通孔59以及上部互連65被構(gòu)造為好像它們給出單個(gè)的厚的焊盤。此部分被示出 為圖5A中的上部多層互連結(jié)構(gòu)92。與通常由氧化膜組成的絕緣間層相比較，由于由諸如銅 的金屬的膜組成的通孔和互連在彈性上較大，這表示對(duì)外部施加的力的排斥性質(zhì)，從而通 過(guò)在焊盤72的下方提供這樣構(gòu)造的互連和通孔可以在強(qiáng)度上和在對(duì)在引線鍵合的工藝中 可能施加的沖擊的抵抗方面改進(jìn)上部多層互連結(jié)構(gòu)。因此，在半導(dǎo)體器件100的上部分中， 可以防止絕緣間層引起破裂。在上部多層互連結(jié)構(gòu)92的下方，提供不具有形成在其中的導(dǎo)電材料層的中間通 孔級(jí)絕緣間層48。因此，通過(guò)中間通孔級(jí)絕緣間層48可以緩和可能被施加給焊盤72的任 何沖擊，并且因此在一定程度上可以改進(jìn)對(duì)于沖擊的抵抗。然而，上部多層互連結(jié)構(gòu)92和中間通孔級(jí)絕緣間層48沒(méi)有完全吸收的引起施加 給焊盤72的沖擊的一部分的負(fù)荷可能時(shí)常通過(guò)中間通孔級(jí)絕緣間層48施加給下部多層互 連結(jié)構(gòu)90。結(jié)果，下部多層互連結(jié)構(gòu)90可以偶然地引起膜的分離，和層結(jié)構(gòu)的變形。考慮防止膜的這種分離，重要的是，均勻地分布從上部分傳播的負(fù)荷。通過(guò)減少由 諸如本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件100中的下部多層互連結(jié)構(gòu)90的單獨(dú)的通孔級(jí)絕緣間層中的 通孔占據(jù)的面積的比率，可以以有效的方式表達(dá)在引線鍵合和探測(cè)的工藝中向下分布負(fù)荷 的操作。通過(guò)減少單獨(dú)的通孔級(jí)絕緣間層中由通孔占據(jù)的面積的比率，隨著它朝著更深側(cè) 傳播可以逐漸地緩和從上部分施加的負(fù)荷，并且從而可以吸收沖擊。這樣可以防止膜的分 罔。另一方面，對(duì)于由下部多層互連結(jié)構(gòu)90中的單獨(dú)的通孔級(jí)絕緣間層中的通孔占 據(jù)的面積的比率大的情況，可以僅在小緩和程度的情況下直接地允許被施加給下部多層互 連結(jié)構(gòu)90的負(fù)荷朝著更深側(cè)傳播。圖5B示出具有大的由下部多層互連結(jié)構(gòu)90的通孔級(jí) 絕緣間層中的通孔占據(jù)的面積比率的構(gòu)造。在此種構(gòu)造中，可以直接地允許被施加給下部 多層互連結(jié)構(gòu)90的負(fù)荷朝著更深側(cè)傳播，并且然后集中在底層中的下部互連15和下部通 孔19層之間(由附圖中的虛線包圍的部分)。作為形成在基板1的上方的第一互連層的形 成在基板1和下部互連15之間的絕緣間層2通常由除了低k膜之外的諸如二氧化硅膜的 相對(duì)硬的絕緣膜組成。而且基板1具有大的硬度。為此，在下部多層互連結(jié)構(gòu)90的下方不 存在緩和層，從而不能分布負(fù)荷。如果僅沒(méi)有如上所述地成功地分布負(fù)荷，那么在負(fù)荷集中 的位置處可能出現(xiàn)膜的分離，并且層結(jié)構(gòu)可以變形。結(jié)果，焊盤72可以更容易由于在傳輸 期間對(duì)包裝材料的滾壓或碰撞、在探測(cè)和線焊接工藝中在絕緣間層中產(chǎn)生的破裂、或者在組裝為成品的工藝中可能施加的沖擊而引起分離等等。從另一方面，每個(gè)下部通孔級(jí)絕緣間層包含兩種類型的組成，即通常由具有大的 楊氏模量的銅組成的通孔，和具有小的楊氏模量的絕緣間層。在探測(cè)和引線鍵合的工藝中 向下施加的負(fù)荷下，在同一層中存在楊氏模量一很大地不同的兩種組成可以導(dǎo)致各處不同 變形模式。例如，由多孔SiOC組成的通孔級(jí)絕緣間層將會(huì)具有大約4Gpa的楊氏模量。另 一方面，銅具有大約IlOGpa的楊氏模量。因此，在下部通孔級(jí)絕緣間層中可能出現(xiàn)不同的 變形模式。在楊氏模量很大地不同的兩種材料的存在下，通過(guò)極度地增加材料中的任意一 個(gè)的組成比率，系統(tǒng)的整個(gè)楊氏模量可以更能假定為均勻的，并且因此在負(fù)荷下系統(tǒng)可以 不易變形。在本實(shí)施例中，由被包含在下部多層互連結(jié)構(gòu)90中的下部通孔級(jí)層問(wèn)絕緣膜18、 下部通孔級(jí)絕緣間層28、以及下部通孔級(jí)絕緣間層38中的每一個(gè)中的通孔占據(jù)的面積的 比率可以被調(diào)整為小于4%。通過(guò)調(diào)整，在每層中可以增加絕緣膜的組成比率，整層的整體 彈性可以近似為均勻的值，并且因此在負(fù)荷下層可以不易變形。結(jié)果，可以以更加有效的方 式避免在探測(cè)和線焊接工藝中的絕緣間層的破裂，以及絕緣膜或者焊盤72的分離。 圖6是示出在圖1中所示的構(gòu)造中的焊盤布置區(qū)域94中由包含在下部多層互連 結(jié)構(gòu)90中的下部互連級(jí)絕緣間層中的通孔占據(jù)的面積的比率與線剪切測(cè)試中的缺陷率之 間的關(guān)系的圖。在測(cè)試中，多孔SiOC被用于單獨(dú)的通孔級(jí)絕緣間層，并且多孔硅被用于單獨(dú)的互 連級(jí)絕緣間層。由被包含在上部多層互連結(jié)構(gòu)92中的上部通孔級(jí)絕緣間層58中的上部 通孔占據(jù)的面積的比率被設(shè)置為20%。由被包含在下部多層互連結(jié)構(gòu)90中的下部互連 級(jí)絕緣間層中的每一個(gè)中的互連占據(jù)的面積的比率分別被設(shè)置為25%，并且由被包含在上 部多層互連結(jié)構(gòu)92中的上部互連級(jí)絕緣間層中的每一個(gè)占據(jù)的面積的比率分別被設(shè)置為 88. 9%。這樣構(gòu)造的半導(dǎo)體器件100進(jìn)行球剪切測(cè)試，其中探針被勾在焊接線78上并且 在橫向方向中進(jìn)行拉動(dòng)。在12g的焊接中的最佳負(fù)荷下，對(duì)于由通孔占據(jù)的面積的比率為 3.2%，發(fā)現(xiàn)球剪切測(cè)試中的缺陷率幾乎為零。另一方面，對(duì)于由通孔占據(jù)的面積的比率為 4. 5%，發(fā)現(xiàn)球剪切測(cè)試中的缺陷率約為2%，并且對(duì)于面積比率為7. 3%，缺陷率增加達(dá)到 約8%。另外，在不是最佳負(fù)荷的IOg的負(fù)荷下，對(duì)于由通孔占據(jù)的面積的比率為3.2%，球 剪切測(cè)試中的缺陷率被減少成低至對(duì)于由通孔占據(jù)的面積的比率為7. 3%時(shí)獲得的值的約 80%。在本實(shí)施例中，由被包括在上部多層互連結(jié)構(gòu)92中的上部通孔絕緣間層58中的 通孔占據(jù)的面積的比率可以被調(diào)整為4%或者更大，并且更加優(yōu)選為7%或者更大。通過(guò)將 由通孔占據(jù)的面積的比率調(diào)整為7%或者更大，上部多層互連結(jié)構(gòu)92可以保持在足夠的強(qiáng) 度級(jí)別上。如上所述，根據(jù)本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件100的構(gòu)造，被連接至焊盤72的通孔和互
連被提供在上部多層互連結(jié)構(gòu)92中的焊盤布置區(qū)域中。由于由被包含在上部多層互連結(jié)
構(gòu)92中的層的通孔占據(jù)的面積的比率被設(shè)置為高級(jí)別，可以改進(jìn)上部多層互連結(jié)構(gòu)92的
強(qiáng)度，并且因此即使在探測(cè)和引線鍵合的工藝中可能施加的負(fù)荷下可以防止絕緣間層破 m農(nóng)。
另外，不具有形成在其中的導(dǎo)電材料層的中間通孔級(jí)絕緣間層48被提供在上部 多層互連結(jié)構(gòu)92的下方。因此，通過(guò)中間通孔級(jí)絕緣間層48可以緩和可能施加給焊盤72 的沖擊，并且因此在一定程度上可以提高對(duì)沖擊的抵抗。因此可以防止焊盤布置區(qū)域94中 的單層變形，并且因此可以防止焊盤72分離。由于在中間通孔級(jí)絕緣間層48的下方形成的下部多層互連結(jié)構(gòu)90中由通孔占據(jù) 的面積的比率被設(shè)置為低級(jí)別，從而隨著它朝著更深側(cè)傳播可以通過(guò)絕緣間層逐漸地吸收 被施加給焊盤72、但是沒(méi)有被上部多層互連結(jié)構(gòu)92和中間通孔級(jí)絕緣間層48充分地吸收 的沖擊。因此，絕緣間層和焊盤的分離的發(fā)生可以被抑制到低水平，并且因此可以提高最終
產(chǎn)品的產(chǎn)量。 當(dāng)在裝運(yùn)之前通過(guò)探針探測(cè)檢查產(chǎn)品時(shí)，用于探測(cè)的探針接觸焊盤72。根據(jù)本發(fā) 明的產(chǎn)品充分地防止可能施加的沖擊，從而可以防止焊盤72下方的絕緣間層破裂。由于由被包含在下部多層互連結(jié)構(gòu)90中的下部通孔級(jí)絕緣間層中的通孔占據(jù)的 面積的比率小，因此對(duì)于內(nèi)部電路的一部分被形成焊盤布置區(qū)域94中以給出焊盤下電路 (CUP)結(jié)構(gòu)的情況也可以獲得上述效果，而沒(méi)有反面影響內(nèi)部電路的互連的布局。接下來(lái)，將會(huì)解釋本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件100的修改示例。圖7A和圖7B是示出圖5A中所示的半導(dǎo)體器件100的修改示例的示意圖。雖然 在圖5A中示出的示例是被包括在下部多層互連結(jié)構(gòu)90中的單獨(dú)的下部通孔級(jí)絕緣間層具 有相同的由通孔占據(jù)的面積的比率，但是它們可以替代地具有不同的面積的比率。在圖7A和圖7B中示出的示例中，在所有下部通孔級(jí)絕緣間層中最下面的下部通 孔級(jí)絕緣間層18 (具有形成在其中的通孔19的絕緣間層)中，由包含在下部多層互連結(jié) 構(gòu)90中的單獨(dú)的下部通孔級(jí)絕緣間層的通孔占據(jù)的面積的比率最大。如參考圖5B已經(jīng)解 釋的，由于在下部多層互連結(jié)構(gòu)90的下方不存在緩和層，從而在下部多層互連結(jié)構(gòu)90的 下方不能緩和負(fù)荷。如果下部互連15向下下沉，那么層結(jié)構(gòu)不會(huì)被壓縮，并且因此可能變 形。因此下部通孔級(jí)絕緣間層18可以被構(gòu)造為具有由通孔占據(jù)的大的面積比率，從而保持 足夠的強(qiáng)度級(jí)別。即使通過(guò)此構(gòu)造，由下部通孔級(jí)絕緣間層18中的通孔占據(jù)的面積的比率 還被保持小于與上述相類似的下部多層互連結(jié)構(gòu)90的上部通孔級(jí)絕緣間層中的面積的比 率，從而下部多層互連結(jié)構(gòu)90可以保持吸收沖擊的效應(yīng)。在圖7A中所示的構(gòu)造中，在較高級(jí)別的高度的層中由通孔占據(jù)的面積的比率被 設(shè)置為較小。圖8是示出與此種構(gòu)造相對(duì)應(yīng)的半導(dǎo)體器件100的示例性構(gòu)造的圖。借助于 此構(gòu)造，從上部分可以逐漸地向下緩和施加給上部多層互連結(jié)構(gòu)92的負(fù)荷。在圖7B中所示的構(gòu)造中，在結(jié)構(gòu)的中間的下部通孔級(jí)絕緣間層28 (具有形成在其 中的通孔29的絕緣間層)中使由通孔占據(jù)的面積的比率最小。圖9是示出與此種構(gòu)造相 對(duì)應(yīng)的半導(dǎo)體器件100的示例性構(gòu)造的圖。借助于此構(gòu)造，可以通過(guò)結(jié)構(gòu)的中間的層(下 部通孔級(jí)絕緣間層28)緩和施加給下部多層互連結(jié)構(gòu)90的負(fù)荷和從下部互連15反作用的 力。圖10是示出其中通過(guò)倒裝芯片焊接本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件100通過(guò)凸塊79連接 至互連基板80的構(gòu)造的截面圖。這里的半導(dǎo)體器件100具有焊盤82替代圖1中所示的焊盤72。類似于焊盤72， 通過(guò)焊盤通孔69和焊盤互連75來(lái)構(gòu)造焊盤82。通過(guò)諸如主要由鋁或者銅組成的金屬材料的通常被用于芯片倒裝焊接的焊盤材料可以構(gòu)造焊盤通孔69和焊盤互連75。通過(guò)諸如金、金/鎳合金、焊料等等的通常被用于倒裝芯片焊接的凸塊材料來(lái)構(gòu)造凸塊79。構(gòu)造的其它 方面可以與圖1中所示的半導(dǎo)體器件100的相同。而且在此構(gòu)造中，當(dāng)將凸塊79放置在其中的同時(shí)焊接半導(dǎo)體器件100的焊盤82 和互連基板80時(shí)焊盤82會(huì)被施加有沖擊。由于本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件100被構(gòu)造為如上 所述地緩和沖擊，從而可以將絕緣間層和凸塊的分離的發(fā)生抑制到低級(jí)別，并且因此可以
提高最終產(chǎn)品的產(chǎn)量。參考附圖，在上面已經(jīng)描述本發(fā)明的實(shí)施例，僅用于解釋目的，同時(shí)允許采用除了 在上面描述的那些之外的任何其它構(gòu)造。例如，雖然本實(shí)施例示例上部多層互連結(jié)構(gòu)92包含兩層互連，并且下部多層互連 結(jié)構(gòu)90包含四層互連，包括焊盤72的焊盤互連的總共七層互連的情況，但是可以適當(dāng)?shù)匦?改單個(gè)結(jié)構(gòu)中的互連的層的數(shù)目。盡管在上述實(shí)施例中沒(méi)有示出，但是在具有形成在其中的互連或者通孔的絕緣層 的上方常常提供用于在化學(xué)機(jī)械拋光的工藝中保護(hù)目的的覆蓋絕緣膜。被包含在下部多層 互連結(jié)構(gòu)90中的絕緣間層的一部分可以是除了低k膜的膜，并且被用于上部多層互連結(jié)構(gòu) 92的絕緣間層的一部分可以是低k膜，其中可以適當(dāng)?shù)亟M合兩種情況。例如，還可以允許的是，將被包含在下部多層互連結(jié)構(gòu)90中的下部通孔級(jí)絕緣間 層中的下部通孔的節(jié)距設(shè)置為比包含在上部多層互連結(jié)構(gòu)92中的上部通孔級(jí)絕緣間層中 的上部通孔的節(jié)距寬。顯然的是，本發(fā)明不限于上述實(shí)施例，而是可以在不脫離本發(fā)明的范圍和精神的 情況下進(jìn)行修改和變化。
權(quán)利要求
一種半導(dǎo)體器件，包括基板；多層互連結(jié)構(gòu)，所述多層互連結(jié)構(gòu)形成在所述基板的上方，并且至少在一部分層中包含由低k膜組成的絕緣間層；以及焊盤，所述焊盤形成在所述基板的上方的所述多層互連結(jié)構(gòu)的上方，所述多層互連結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括下部多層互連結(jié)構(gòu)，所述下部多層互連結(jié)構(gòu)具有堆疊在其中的包含形成于在平面圖中與所述焊盤重疊的區(qū)域中的互連的互連級(jí)絕緣間層，和包含形成于在平面圖中與所述焊盤重疊的區(qū)域中的通孔的通孔級(jí)絕緣間層；上部多層互連結(jié)構(gòu)，所述上部多層互連結(jié)構(gòu)具有堆疊在其中的包含形成于在平面圖中與所述焊盤重疊的區(qū)域中的互連的互連級(jí)絕緣間層，和包含形成于在平面圖中與所述焊盤重疊的區(qū)域中的通孔的通孔級(jí)絕緣間層，并且所述上部多層互連結(jié)構(gòu)形成在所述下部多層互連結(jié)構(gòu)的上方；以及中間絕緣膜，所述中間絕緣膜形成在所述下部多層互連結(jié)構(gòu)和所述上部多層互連結(jié)構(gòu)之間，其中在平面圖中與所述焊盤重疊的區(qū)域中，所述上部多層互連結(jié)構(gòu)中的所述通孔和所述互連形成為與所述焊盤電氣地連接，其中在平面圖中與所述焊盤重疊的所述區(qū)域中，所述中間絕緣膜不具有形成在其中的下述導(dǎo)電材料層，所述導(dǎo)電材料層連接所述上部多層互連結(jié)構(gòu)中的所述通孔或者所述互連與所述下部多層互連結(jié)構(gòu)中的所述通孔或者所述互連，并且其中在平面圖中與所述焊盤重疊的所述區(qū)域中，由被包含在所述下部多層互連結(jié)構(gòu)中的所述通孔級(jí)絕緣間層中的所述通孔占據(jù)的面積的比率小于由被包含在所述上部多層互連結(jié)構(gòu)中的所述通孔級(jí)絕緣間層中的所述通孔占據(jù)的面積的比率。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述下部多層互連結(jié)構(gòu)包括由所述低k膜組成的所述通孔級(jí)絕緣間層中的至少一個(gè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件， 其中所述低k膜是多孔膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件， 其中所述低k膜是多孔膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，在平面圖中與所述焊盤重疊的所述區(qū)域中，由被包含在所述下部多層互連結(jié)構(gòu) 中的所述通孔級(jí)絕緣間層中的所述通孔占據(jù)的面積的比率小于4%。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，在平面圖中與所述焊盤重疊的所述區(qū)域中，由被包含在所述上部多層互連結(jié)構(gòu) 中的所述通孔級(jí)絕緣間層中的所述通孔占據(jù)的面積的比率是7%或者更大。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，在平面圖中與所述焊盤重疊的所述區(qū)域中，由被包含在所述上部多層互連結(jié)構(gòu) 中的所述互連級(jí)絕緣間層中的所述互連占據(jù)的面積的比率是70%或者更大。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述下部多層互連結(jié)構(gòu)包含多個(gè)所述通孔級(jí)絕緣間層，并且 在平面圖中與所述焊盤重疊的所述區(qū)域中，由被包含在所述下部多層互連結(jié)構(gòu)中的所 述多個(gè)通孔級(jí)絕緣間層當(dāng)中最接近所述基板的通孔級(jí)絕緣間層中的所述通孔占據(jù)的面積 的比率大于由其它通孔級(jí)絕緣間層中的所述通孔占據(jù)的面積的比率。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件。在半導(dǎo)體器件中，下部多層互連結(jié)構(gòu)、中間通孔級(jí)絕緣間層、以及上部多層互連結(jié)構(gòu)被按照此順序堆疊在平面圖中與焊盤重疊的區(qū)域中；上部多層互連結(jié)構(gòu)的上部互連和通孔被形成為連接至焊盤布置區(qū)域中的焊盤；中間通孔級(jí)絕緣間層不具有形成在其中的連接上部多層互連結(jié)構(gòu)中的通孔或者互連與下部多層互連結(jié)構(gòu)中的通孔或者互連的導(dǎo)電材料層；并且由被包含在下部多層互連結(jié)構(gòu)中的通孔級(jí)絕緣間層中的通孔占據(jù)的面積的比率小于由被包含在上部多層互連結(jié)構(gòu)中的通孔級(jí)絕緣間層中的通孔占據(jù)的面積的比率。
文檔編號(hào)H01L23/532GK101937893SQ20101019495
公開(kāi)日2011年1月5日 申請(qǐng)日期2010年5月31日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月29日
發(fā)明者小田典明, 鄰真一 申請(qǐng)人:瑞薩電子株式會(huì)社