專利名稱：襯底處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種襯底處理裝置，尤其涉及一種能夠?qū)σr底實(shí)施諸如退火、沉積和刻蝕等預(yù)定工序的襯底處理裝置。
背景技術(shù)：
襯底處理裝置是一種能夠在處理空間-腔室的內(nèi)空間處于大氣壓力或真空壓力的狀態(tài)下對(duì)襯底實(shí)施諸如預(yù)熱、退火、沉積和刻蝕等預(yù)定工序的裝置。這種襯底處理裝置隨諸如用于液晶顯示器(IXD)面板的玻璃襯底變大而變大。對(duì)于襯底處理裝置來(lái)說(shuō)，維持有適宜溫度的處理環(huán)境很重要，這使得襯底能夠被有效處理。為了控制腔室內(nèi)處理空間的溫度，該腔室的壁體形成有流動(dòng)路徑，傳熱介質(zhì)沿其流動(dòng)?；蛘?，該襯底處理裝置在腔室的外壁上設(shè)置有諸如加熱器的溫度控制元件，該溫度控制元件被配置為通過(guò)沿該腔室的壁體的熱傳導(dǎo)來(lái)對(duì)處理空間實(shí)施溫度控制。盡管如此，當(dāng)流動(dòng)路徑經(jīng)受腔室的壁體上的特別加工或腔室的外壁上安裝有加熱器時(shí)，將存在以下問題。首先，由于處理空間的溫度是通過(guò)控制該腔室的控制溫度來(lái)控制的，該處理空間的溫度可能受到腔室材料、腔室外部環(huán)境等因素的影響。這可能導(dǎo)致難以控制處理空間的溫度。特別地，當(dāng)通過(guò)傳統(tǒng)的襯底處理裝置來(lái)控制腔室的溫度時(shí)，腔室可能出現(xiàn)熱變形。 由于較大的腔室熱變形嚴(yán)重，可能嚴(yán)重影響處理環(huán)境或縮短裝置的使用壽命。其次，當(dāng)襯底處理裝置較大時(shí)，將顯著增加用于溫度控制的整體溫度控制體積。這可能增加使處理空間的溫度控制穩(wěn)定進(jìn)行所需花費(fèi)的時(shí)間。這還可能需要較高性能的溫度控制元件。由此可能會(huì)增加整體的制造成本、維護(hù)成本和維修成本，并且可能會(huì)限制溫度控制方法的實(shí)施。第三，在腔室的壁體內(nèi)特別加工流動(dòng)路徑的情況下，可能不易在腔室的壁體內(nèi)形成流動(dòng)路徑。并且這可能會(huì)增加腔室的整體制造成本。第四，在腔室的外壁表面上安裝用于控制處理空間的溫度的加熱器的情況下，該處理空間的溫度控制可能受到腔室材料、腔室外部環(huán)境等因素的影響。這可能增加整體的溫度控制體積。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一個(gè)目的在于提供一種能夠通過(guò)在腔室的內(nèi)表面上安裝溫度控制元件而直接對(duì)腔室內(nèi)的處理空間實(shí)施溫度控制的襯底處理裝置。為了實(shí)現(xiàn)這些以及其他優(yōu)勢(shì)并且根據(jù)本發(fā)明的目的，如在此具體并廣泛描述地， 提供一種襯底處理裝置，包括腔室，用于形成密封的處理空間；覆蓋元件，用于覆蓋該腔室的內(nèi)表面的至少一部分；以及溫度控制元件，安裝于該覆蓋元件和該腔室之間，以便于控制該處理空間的溫度。
該溫度控制元件可以通過(guò)間隔元件安裝為與該腔室的內(nèi)表面具有間隙。該溫度控制元件和該腔室的內(nèi)表面之間的間隙可以為空的間隙，或可以由間隔元件填充。該溫度控制元件可以包括溫度控制板，該溫度控制板具有可供用于溫度控制的傳熱介質(zhì)沿其流動(dòng)的流動(dòng)路徑，或可以包括平面薄膜加熱器。該溫度控制元件可以包括多個(gè)溫度控制組件，并且這些溫度控制組件所生成的熱量可以被整體控制或單獨(dú)控制。可以在該溫度控制元件和腔室的內(nèi)表面之間安裝絕緣元件。該襯底處理裝置可以為用于在真空狀態(tài)下對(duì)襯底實(shí)施真空處理的真空處理裝置， 或可以為傳送模塊，或可以為真空進(jìn)樣裝置。根據(jù)本發(fā)明的襯底處理裝置可以具有以下優(yōu)勢(shì)首先，由于溫度控制元件安裝在腔室的內(nèi)表面上以直接控制處理空間的溫度，可以使得處理空間的溫度控制變得容易。其次，由于沒有采用使用腔室熱傳導(dǎo)的傳統(tǒng)方法，而是通過(guò)在腔室的內(nèi)表面上安裝溫度控制元件來(lái)控制處理空間的溫度，可以使腔室的熱變形最小化。第三，由于用于控制處理空間內(nèi)溫度的溫度控制元件安裝在腔室的內(nèi)表面上，可以便于制造并且可以降低整體的溫度控制體積，以顯著節(jié)省制造成本。第四，由于溫度控制元件安裝在腔室的內(nèi)表面上以便直接控制處理空間內(nèi)的溫度，可以顯著減少整體的溫度控制量。這可以節(jié)省制造成本和維護(hù)/維修成本。第五，由于顯著減少了整體的溫度控制量，使得處理空間內(nèi)的溫度環(huán)境可以快速穩(wěn)定化，以提高產(chǎn)量。第六，由于溫度控制元件安裝在腔室的內(nèi)表面上，可以采用使用傳熱介質(zhì)、薄膜加熱器等的多種溫度控制方法?？梢詼p少襯底處理裝置的整體尺寸和重量?？梢允骨皇业臒嶙冃巫钚』２⑶?，由于不需要在腔室內(nèi)特別加工流動(dòng)路徑，可以很容易地制造腔室。第七，由于溫度控制元件和腔室之間形成有空的間隙，可以使傳導(dǎo)至腔室外部的熱量最小化。這可以防止熱量損失，由此進(jìn)一步減少溫度控制量。此外，由于通過(guò)空的間隙使傳導(dǎo)至腔室的熱量最小化，可以防止腔室的熱變形。第八，由于溫度控制元件包括多個(gè)溫度控制組件，可以容易地控制處理空間的溫度，并且可以顯著縮短使溫度環(huán)境穩(wěn)定化所需花費(fèi)的時(shí)間。第十，由于減少了溫度控制量，可以很容易地使用平面薄膜加熱器作為溫度控制元件。由于平面薄膜加熱器具有較輕的重量和較薄的厚度，這可以減少襯底處理裝置的整體尺寸和重量。此外，可以以較低的成本制造和維護(hù)/維修該平面薄膜加熱器。下面將結(jié)合附圖進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明，以使得本發(fā)明的前述和其他目的、特征以及優(yōu)勢(shì)更加明顯。


包含的附圖被并入且構(gòu)成說(shuō)明書的一部分，用于進(jìn)一步理解本發(fā)明，說(shuō)明本發(fā)明示的實(shí)施例，并與該說(shuō)明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。附圖中
圖1為根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的襯底處理裝置的剖視圖；圖2為圖1中‘A’部分的放大圖；以及圖3與圖2相對(duì)應(yīng)，示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的襯底處理裝置。
具體實(shí)施例方式參考附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。接下來(lái)，將參考附圖對(duì)根據(jù)本發(fā)明的襯底處理裝置進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。根據(jù)本發(fā)明的襯底處理裝置用于對(duì)襯底實(shí)施預(yù)定工序。該襯底處理裝置可以包括真空進(jìn)樣(load lock)裝置、真空處理裝置、傳送模塊等中的所有，或可以包括其中的至少一個(gè)。圖1是根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的襯底處理裝置的剖視圖，圖2是圖1中‘A’部分的放大圖，并且圖3與圖2相對(duì)應(yīng)，示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的襯底處理裝置。如所示出的，根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的襯底處理裝置是一種用于在諸如用于 LCD面板的玻璃襯底、用于太陽(yáng)能電池的基片等的襯底2上實(shí)施諸如沉積的預(yù)定工序的真空處理裝置。該襯底處理裝置可以被配置為通過(guò)在真空狀態(tài)下形成等離子來(lái)執(zhí)行真空處理。在此，該襯底處理裝置可以對(duì)諸如用于太陽(yáng)能電池的基片的一個(gè)或多個(gè)襯底2實(shí)施真空處理。在同時(shí)對(duì)多個(gè)襯底2進(jìn)行真空處理的情況下，可以將多個(gè)襯底2以裝載在托盤上的方式進(jìn)行傳送。如果待處理的襯底2是用于LCD面板的玻璃襯底，其可以為矩形。該襯底處理裝置可以包括腔室10，其形成用于對(duì)襯底2進(jìn)行真空處理的密封處理空間12，襯底支撐單元20，用于在其上安裝襯底2，噴頭30，用于向處理空間12內(nèi)注入至少一種用于形成等離子體的工藝氣體，等等。該腔室10可以具有多種配置。例如，該腔室10可以包括腔體16和與該腔體16 可拆卸地耦合的頂蓋14。該腔體16可以通過(guò)與設(shè)置于其上方的頂蓋14相耦合的方式形成處理空間12。該腔體16的側(cè)壁可以形成有一個(gè)或多個(gè)門18，用于將襯底2引入處理空間12內(nèi)或從其內(nèi)移出。該門18可以通過(guò)門閥(未示出)打開或關(guān)閉。根據(jù)將襯底2引入腔體16內(nèi)的方式， 該門18可以僅形成于該腔體16的一側(cè)處，或兩個(gè)彼此面對(duì)的位置處。該頂蓋14可以具有多種配置。例如，該頂蓋14可以被配置為通過(guò)與設(shè)置于其下方的腔體16耦合的方式形成處理空間12。該噴頭30可以耦合至該頂蓋14的下側(cè)，用于傳熱和導(dǎo)電。該腔室10可以連接有供氣管路32和排氣管(未示出)，該供氣管路32與一供氣設(shè)備相連以便于向該處理空間12內(nèi)提供工藝氣體，并且該排氣管與一真空泵相連以便于排除在該處理空間12內(nèi)生成的氣體以及便于實(shí)施壓力控制。該腔室10的內(nèi)表面可以覆蓋有覆蓋元件50 (例如，襯墊)，以便在真空處理過(guò)程中不與等離子體直接接觸。該覆蓋元件50可以覆蓋腔室10的內(nèi)表面，由此避免該腔室10的內(nèi)表面與等離子體接觸。真空處理過(guò)程中可以使用任何可以防止腔室10的內(nèi)表面與等離子體相接觸的材料作為覆蓋元件50。如果腔室10接地，可以形成覆蓋元件50以滿足真空處理裝置的電氣特性。該覆蓋元件50可以由熱傳導(dǎo)材料制成，以便通過(guò)溫度控制元件60 (稍后解釋)傳熱。即，該覆蓋元件50可以由諸如鋁或鋁合金或不銹鋼(SUQ的材料制成。還可以對(duì)該覆蓋元件50的暴露于處理空間12的表面做陽(yáng)極氧化處理。該覆蓋元件50可以覆蓋腔室10的整個(gè)內(nèi)表面。盡管如此，在腔室10的內(nèi)表面和襯底支撐單元20的側(cè)表面之間安裝有擋板34的情況下，該處理空間的擋板34的下部可以與等離子體隔離。相應(yīng)地，可以僅將該覆蓋元件50安裝于擋板34的上方。該擋板34可以包括多個(gè)用于控制排氣和排氣量的排氣孔34B。該覆蓋元件50可以整體形成為與腔室10的內(nèi)表面相對(duì)應(yīng)的形狀?？商鎿Q地，該覆蓋元件50可以包括多個(gè)用于使制造和安裝便利化的元件。該覆蓋元件50可以安裝為使得處理空間12內(nèi)的氣體無(wú)法進(jìn)入覆蓋元件50和腔室10的內(nèi)表面之間。用于支撐待真空處理的襯底2的襯底支撐單元20可以安裝于腔體16處。可以在該襯底支撐單元20處安裝諸如用于加電的電極元件的多種部件。噴頭30可以用于向處理空間12內(nèi)噴灑由供氣管路32提供的氣體。并且，噴頭30 可以根據(jù)氣體的種類、氣體的數(shù)量和注入方法而具有不同的配置。在該襯底處理裝置中，可以對(duì)處理空間12加電以便形成等離子體。該襯底處理裝置可以根據(jù)加電方式而具有不同的配置。例如，可以對(duì)頂蓋14和噴頭30施加射頻(RF)功率并且將安裝于襯底支撐單元20 內(nèi)的電極元件(未示出)接地?？商鎿Q地，可以將頂蓋14和噴頭30接地并且對(duì)電極元件施加射頻功率。仍可替換地，可以對(duì)頂蓋14、噴頭30和電極元件中的每一個(gè)分別施加不同頻率的射頻功率。如圖2和3中所示，該襯底處理裝置還可以包括溫度控制元件60，其被配置為控制處理空間12內(nèi)的溫度。該溫度控制元件60可以被安裝于腔室10和覆蓋元件50之間。更具體地，該溫度控制元件60可以由覆蓋元件50覆蓋。相應(yīng)地，該溫度控制元件 60可以在不受等離子體或真空壓力影響的情況下對(duì)該處理空間12簡(jiǎn)單實(shí)施諸如直接加熱或冷卻的溫度控制。該溫度控制元件60可以一體形成。該溫度控制元件60還可以包括平面切割形式的多個(gè)組件，以便于制造和運(yùn)輸。為了容易安裝于腔室10內(nèi)，該溫度控制元件60可以依照該腔室10的內(nèi)表面結(jié)構(gòu)等實(shí)施為多個(gè)溫度控制組件。該多個(gè)溫度控制組件可以具有相同的形狀和結(jié)構(gòu)?？商鎿Q地，考慮到腔室10的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，為了使該腔室10的處理空間12內(nèi)的溫度分布一致，該溫度控制組件可以具有適宜的形狀和結(jié)構(gòu)。該多個(gè)溫度控制組件可以安裝為便于與相鄰的溫度控制組件相接觸或分離。該多個(gè)溫度控制組件所生成的熱量可以被整體控制或至少部分單獨(dú)控制。溫度控制元件60可以根據(jù)溫度控制方法而具有不同的配置。如圖2中所示，溫度控制元件60可以通過(guò)使用諸如冷卻傳熱介質(zhì)或加熱傳熱介質(zhì)的用于溫度控制的傳熱介質(zhì)來(lái)控制生成的熱量。該溫度控制元件60可以包括溫度控制板62，其具有供傳熱介質(zhì)沿其流動(dòng)的流動(dòng)路徑64。可選擇地，根據(jù)溫度控制板62的材料等，該溫度控制板62和覆蓋元件50之間可以安裝絕緣元件。該覆蓋元件50可以構(gòu)成該溫度控制板62的至少一部分。還可以額外安裝一個(gè)覆蓋元件50，使得在維護(hù)和維修時(shí)可以使用新的覆蓋元件替換該覆蓋元件50?？梢酝ㄟ^(guò)腔室10的一個(gè)或多個(gè)連接孔IOA將流動(dòng)路徑64與安裝于腔室10外側(cè)的傳熱介質(zhì)供應(yīng)單元相連接。如果難于直接將該流動(dòng)路徑64與腔室10的連接孔IOA相連接，可以通過(guò)連接管路72等將該流動(dòng)路徑64與該傳熱介質(zhì)供應(yīng)單元連接。該流動(dòng)路徑64可以具有多種配置。 腔室10的連接孔IOA可以以穿透方式形成于腔室10處。在此，該連接孔IOA可以通過(guò)焊接、密封元件、螺釘?shù)让芊猓员苊馓幚砜臻g12的真空壓力泄露。可以通過(guò)螺釘、聯(lián)結(jié)元件等將該溫度控制元件60固定于腔室10的內(nèi)表面上，然后將覆蓋元件50安裝于該溫度控制元件60上方?？商鎿Q地，可以將該溫度控制元件60耦合至該覆蓋元件50處，然后再安裝于腔室10上?？梢允褂枚喾N方法將溫度控制元件60安裝至腔室10上。例如，如圖2和3中所示，可以通過(guò)多個(gè)螺釘74將溫度控制元件60與覆蓋元件50 —起固定安裝在腔室10的內(nèi)表面上。螺釘74可以安裝在溫度控制元件60和覆蓋元件50的孔75，76處，并且可以耦合至腔室10的內(nèi)表面處。如圖2和3所示，在不需要將腔室10與覆蓋元件50電連接的情況下，螺釘74可以由電導(dǎo)材料制成，并且腔室10和覆蓋元件50可以安裝為便于相互電連接。如圖2和3 中所示，在腔室10和覆蓋元件50之間需要絕緣的情況下，可以在溫度控制元件60的孔75 處安裝絕緣元件77。當(dāng)螺釘74由導(dǎo)電材料制成時(shí)，處理空間12內(nèi)的等離子體可能受到影響。為避免這一問題，螺釘74暴露于處理空間12的部分可以覆有抗等離子體材料，或可以由抗等離子材料的帽元件78覆蓋。溫度控制元件60可以安裝為與腔室10的內(nèi)表面具有間隙12A。當(dāng)溫度控制元件60安裝為與腔室10的內(nèi)表面具有間隙12A時(shí)，可以避免該溫度控制元件60和腔室10之間的直接接觸。相應(yīng)地，可以避免該溫度控制元件60產(chǎn)生的熱量被熱傳導(dǎo)至腔室10。這可以使由于溫度控制元件60和腔室10之間的接觸所產(chǎn)生的至腔室10的熱傳遞所導(dǎo)致的熱量損失最小化。由此，可以使對(duì)處理空間12進(jìn)行溫度控制所需的能量最小化。可以使用多種方法使溫度控制元件60安裝為與腔室10的內(nèi)表面具有間隙12A。例如，可以通過(guò)在溫度控制元件60和腔室10的內(nèi)表面之間安裝一個(gè)或多個(gè)間隔元件61的方式使溫度控制元件60安裝為與腔室10的內(nèi)表面具有間隙12A。該間隔元件61可以用于避免溫度控制元件60和腔室10之間的熱傳遞。相應(yīng)地， 該間隔元件61可以由具有低熱導(dǎo)率的材料制成，或由具有低熱導(dǎo)率及低電導(dǎo)率的材料制成。在腔室10接地的情況下，優(yōu)選地，可以對(duì)覆蓋元件50施加與腔室10相同的電能。 相應(yīng)地，腔室10和覆蓋元件50可以通過(guò)螺釘74或額外的傳導(dǎo)工具等彼此電連接。該間隔元件61可以被配置為完全填充溫度控制元件60和腔室10內(nèi)表面之間的間隙12A，或可以被配置為使其間可以形成空隙或空的間隙。還可以在溫度控制元件60和腔室10內(nèi)表面之間安裝絕緣元件70。該絕緣元件 70可以用于實(shí)現(xiàn)電絕緣，或最小化傳遞至腔室10的熱量，或用于實(shí)現(xiàn)電絕緣且最小化傳遞的熱量。更具體地，由于使用絕緣元件70使得傳遞至腔室10外部的熱量最小化，可以顯著降低熱量損失。該絕緣元件70可以耦合至溫度控制元件60，并且可以與腔室10的內(nèi)表面以間隙 12A相間隔?？商鎿Q地，該絕緣元件70可以耦合至腔室10的內(nèi)表面，并且可以與該溫度控制元件60以間隙12A相間隔。仍可替換地，該絕緣元件71可以安裝于腔室10的內(nèi)表面和溫度控制元件60之間而不留間隙12A。僅通過(guò)絕緣元件70避免熱量損失。溫度控制元件60可以全部安裝于腔室10的內(nèi)表面上。由于該溫度控制元件60 用于控制處理空間12內(nèi)的溫度，其可以僅安裝于該處理空間12內(nèi)的擋板34的上方。可替換地，該溫度控制元件60可以安裝于處理空間12內(nèi)擋板34的上方，且可以部分延伸至處理空間12內(nèi)擋板34下方的一小部分。溫度控制元件60可以具有多種配置。如圖3中所示，該溫度控制元件60可以由耦合至覆蓋元件50的平面薄膜加熱器65實(shí)現(xiàn)。該平面薄膜加熱器65可以通過(guò)生熱材料，沉積在薄的薄膜上的諸如碳的高阻材料的電阻產(chǎn)生熱量。根據(jù)其類型，該平面薄膜加熱器65包括PET薄膜、聚酰亞胺(PI)薄膜、 XiCA薄膜等。平面薄膜加熱器65可以為由精確印制技術(shù)制成的厚度小于1 μ m的薄膜。相應(yīng)地， 當(dāng)在腔室10內(nèi)安裝這類薄膜狀的平面薄膜加熱器65時(shí)，因?yàn)槠浜穸群苄?，可能不需要較大的處理空間12。由于該平面薄膜加熱器65對(duì)襯底處理裝置的重量幾乎沒有影響，將不會(huì)增加襯底處理裝置的整體重量。由于平面薄膜加熱器65輕且薄，其可以使安裝過(guò)程變得容
易ο除非遭遇諸如切割等的物理?yè)p傷，這種平面薄膜加熱器65可以半永久使用。此外，由于平面薄膜加熱器65的表面溫度沒有超出特定溫度，將不會(huì)發(fā)生過(guò)熱現(xiàn)象，且維護(hù)和維修成本低?？梢酝ㄟ^(guò)插入腔室10的導(dǎo)線孔IlA內(nèi)的電線66由安裝于腔室10之外的電源單元對(duì)該平面薄膜加熱器65供電。腔室10的導(dǎo)線孔IlA可以被密封。還可以在平面薄膜加熱器65和覆蓋單元50之間以及平面薄膜加熱器65和腔室 10之間安裝用于電絕緣的電絕緣元件79。如所示出的，該電絕緣元件79可以由一個(gè)能夠同時(shí)實(shí)現(xiàn)熱絕緣和電絕緣的元件實(shí)現(xiàn)?？商鎿Q地，該電絕緣元件79可以由多種元件組成。仍可替換地，盡管未示出，該溫度控制元件60可以由封裝加熱器(sheath heater)或燈式加熱器(lamp heater)實(shí)現(xiàn)。還可以將兩種或多種溫度控制方式結(jié)合使用。為了更有效地控制處理空間12的溫度，可以在噴頭30處或噴頭30和腔室10之間安裝額外的部件。還可以在襯底支撐單元20處安裝用于控制處理空間12內(nèi)的溫度的額外的部件。在上述優(yōu)選實(shí)施例中，溫度控制單元60安裝于真空處理裝置中。盡管如此，還可以將用于預(yù)熱的溫度控制元件60安裝于用于裝載和卸載襯底2的真空進(jìn)樣裝置內(nèi)。可替換地，當(dāng)需要其他溫度控制時(shí)，該溫度控制元件60可以應(yīng)用于所有的襯底處理裝置，包括襯底傳送器。 由于可以在不脫離其特征的情況下以多種方式實(shí)現(xiàn)這些特征，應(yīng)該能理解到，除非特別說(shuō)明，上面所描述的實(shí)施例不受前述說(shuō)明書中任何細(xì)節(jié)的限制，而應(yīng)該在所附權(quán)利要求書所限定的范圍內(nèi)得到廣泛解釋，并且因此，落入該權(quán)利要求書的邊界和范圍以及這些邊界和范圍的等同物內(nèi)的所有變化和變形都因此包含于所附權(quán)利要求書內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種襯底處理裝置，包括 腔室，用于形成密封處理空間；覆蓋元件，用于覆蓋所述腔室的內(nèi)表面的至少一部分；以及溫度控制元件，安裝于所述覆蓋元件和所述腔室之間，以便于控制所述處理空間的溫度。
2.如權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置，其中，所述溫度控制元件通過(guò)間隔元件安裝為與所述腔室的所述內(nèi)表面具有間隙。
3.如權(quán)利要求2所述的襯底處理裝置，其中，所述溫度控制元件和所述腔室的所述內(nèi)表面之間的所述間隙為空的間隙，或由所述間隔元件填充。
4.如權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置，其中，所述溫度控制元件包括溫度控制板，所述溫度控制板具有供用于溫度控制的傳熱介質(zhì)沿其流動(dòng)的流動(dòng)路徑。
5.如權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置，其中，所述溫度控制元件包括平面薄膜加熱器。
6.如權(quán)利要求1-5中任意一項(xiàng)所述的襯底處理裝置，其中，所述溫度控制元件包括多個(gè)溫度控制組件。
7.如權(quán)利要求6所述的襯底處理裝置，其中，整體控制或單獨(dú)控制所述溫度控制組件生成的熱量。
8.如權(quán)利要求1-5中任意一項(xiàng)所述的襯底處理裝置，其中，所述溫度控制元件和所述腔室的所述內(nèi)表面之間安裝有絕緣元件。
9.如權(quán)利要求1-5中任意一項(xiàng)所述的襯底處理裝置，其中，所述襯底處理裝置是用于在真空狀態(tài)下對(duì)襯底實(shí)施真空處理的真空處理裝置，或傳送單元，或真空進(jìn)樣裝置。
全文摘要
公開了一種襯底處理裝置，尤其公開了一種能夠?qū)σr底實(shí)施諸如退火、沉積和刻蝕等預(yù)定工序的襯底處理裝置。該襯底處理裝置包括腔室，用于形成密封處理空間，覆蓋元件，用于覆蓋所述腔室的內(nèi)表面的至少一部分，以及溫度控制元件，安裝于所述覆蓋元件和所述腔室之間，以便于控制所述處理空間的溫度。
文檔編號(hào)H01L21/00GK102222598SQ20101015099
公開日2011年10月19日 申請(qǐng)日期2010年4月19日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月19日
發(fā)明者崔日權(quán) 申請(qǐng)人:Ips株式會(huì)社