專利名稱：一種光學(xué)成像器件結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光學(xué)傳感器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種光學(xué)傳感器內(nèi)部成像器件結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
光學(xué)傳感器技術(shù)已經(jīng)廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代科技、國防和工農(nóng)業(yè)等領(lǐng)域。其主要采用感光元件將探測(cè)到的光波信號(hào)轉(zhuǎn)換成相應(yīng)的電學(xué)信號(hào)，以供后繼信號(hào)處理系統(tǒng)進(jìn)行識(shí)別、處理。圖1(a)所示為光學(xué)傳感器內(nèi)部單個(gè)成像器件結(jié)構(gòu)示意圖。每個(gè)成像器件包括控制柵極(Control Gate)CG、浮動(dòng)?xùn)艠O(Floating Gate)TO、源極S、漏極D與P型摻雜襯底 B，而襯底Β和浮動(dòng)?xùn)艠Ore，以及浮動(dòng)?xùn)艠Ore和控制柵極CG之間都采用氧化層隔離。圖1(b)所示為第一種對(duì)單個(gè)成像器件進(jìn)行成像操作的示意圖。當(dāng)成像器件受到光波輻射時(shí)，其襯底中將產(chǎn)生光電子，而光電子的數(shù)目與光輻射強(qiáng)度成正比。若在光波輻射成像器件前，將成像器件的源極S、漏極D以及襯底B接到參考電勢(shì)Vref，將成像器件的控制柵極CG接相對(duì)于參考電勢(shì)為VP的高頻脈沖，成像器件襯底將進(jìn)入深耗盡狀態(tài)，在縱向電場(chǎng)的作用下，部分光電子會(huì)發(fā)生FN隧穿，到達(dá)浮動(dòng)?xùn)艠Ore中，而發(fā)生隧穿的電子數(shù)量和光電子的數(shù)量成比例，也就和光波輻射強(qiáng)度成比例。根據(jù)以上原理就能將光波信號(hào)轉(zhuǎn)換為電學(xué)信號(hào)存儲(chǔ)在成像器件的浮動(dòng)?xùn)艠Ore中。圖1(d)所示為對(duì)成像器件內(nèi)部信息進(jìn)行讀取操作的示意圖。在成像器件的源極 S和襯底B上施加參考電勢(shì)Vref，在其漏極施加相對(duì)于參考電勢(shì)為VRD的電平，在其控制柵極CG上施加一相對(duì)于參考電勢(shì)為VR的電平，則在成像器件的漏極D和源極S之間就會(huì)產(chǎn)生電流Ids，此電流的大小與成像器件的閾值電壓VT成比例，而成像器件的閾值電壓VT與成像器件浮動(dòng)?xùn)艠Ore中的電子數(shù)量成正比，因此按此方法得到的讀取電流Ids就可以反映成像器件內(nèi)部所存儲(chǔ)的電學(xué)信息。圖3所示為簡(jiǎn)單的對(duì)光學(xué)傳感器內(nèi)部成像器件進(jìn)行成像、讀取的原理性流程圖。 在光學(xué)傳感器每次成像之前都將對(duì)成像器件進(jìn)行復(fù)位操作，然后成像。在需要對(duì)成像信息進(jìn)行處理時(shí)可以通過讀取成像器件的漏極電流Ids得到所存儲(chǔ)的信息，然后將此信號(hào)進(jìn)行放大后可用做后繼信號(hào)處理。

發(fā)明內(nèi)容
(一)要解決的技術(shù)問題有鑒于此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種光學(xué)成像器件結(jié)構(gòu)，以消除共模噪聲和工藝偏差對(duì)讀取結(jié)果的影響，使得到的光波輻射信息更加接近真實(shí)情況。( 二 )技術(shù)方案為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種光學(xué)成像器件結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)是由多個(gè)結(jié)構(gòu)完全相同的成像器件構(gòu)成的成像陣列，該多個(gè)成像器件被分為若干組，每一組中的成像器件具有相同的數(shù)目和相同的排列結(jié)構(gòu)，且每組成像器件均包括一個(gè)參考單元和至少一個(gè)成像單元，該參考單元和成像單元是結(jié)構(gòu)完全相同的成像器件，每組成像器件中的參考單元和成像單元相距近，工藝偏差小，在執(zhí)行復(fù)位、成像、讀取操作時(shí)受到的共模干擾相同。上述方案中，所述成像器件是基于傳統(tǒng)的浮柵型成像器件結(jié)構(gòu)，由硅襯底B、源極 S、漏極D、浮動(dòng)?xùn)艠Ore、控制柵極CG構(gòu)成，其中，硅襯底B位于器件最下層；源極S和漏極D 位于硅襯底B上，且相距一定距離；浮動(dòng)?xùn)艠Ore位于器件結(jié)構(gòu)的中間層，在硅襯底之上，且在源極S和漏極D之間；控制柵極CG位于器件結(jié)構(gòu)的最上層，在浮動(dòng)?xùn)艠Ore之上；該硅襯底B與該浮動(dòng)?xùn)艠Ore之間，以及該浮動(dòng)?xùn)艠Ore與該控制柵極CG之間都采用絕緣層隔離。上述方案中，所述每組成像器件包括一個(gè)參考單元CO和一個(gè)成像單元Cl，該參考單元CO和成像單元Cl是結(jié)構(gòu)完全相同的成像器件，該參考單元CO和該成像器件Cl相鄰排列且位于成像陣列中的同一列或同一行。上述方案中，所述每組成像器件包括一個(gè)參考單元和兩個(gè)成像單元，該參考單元 CO、第一成像單元Cl和第二成像單元C2是結(jié)構(gòu)完全相同的成像器件，該參考單元CO位于第一成像單元Cl與第二成像單元C2的中間，第一成像單元Cl和第二成像單元C2相對(duì)于參考單元CO呈對(duì)稱分布，并且參考單元CO、第一成像單元Cl和第二成像單元C2分布在同一列或同一行上。上述方案中，所述每組成像器件包括一個(gè)參考單元和三個(gè)成像單元，該參考單元 CO、第一成像單元Cl、第二成像單元C2和第三成像單元C3是結(jié)構(gòu)完全相同的成像器件，該參考單元CO位于第一成像單元Cl與第二成像單元C2的中間，第一成像單元Cl和第二成像單元C2相對(duì)于參考單元CO呈對(duì)稱分布，并且參考單元⑶、第一成像單元Cl和第二成像單元C2分布在同一列或同一行上；若參考單元CO、第一成像單元Cl和第二成像單元C2排列在同一行上，第三成像單元C3則排列在位于參考單元CO同一列上且與參考單元CO相鄰的位置；若參考單元⑶、第一成像單元Cl和第二成像單元C2位于同一列上，第三成像單元 C3則位于參考單元CO的同一行上且與參考單元CO相鄰的位置。上述方案中，所述每組成像器件包括一個(gè)參考單元和四個(gè)成像單元，該參考單元 CO、第一成像單元Cl、第二成像單元C2、第三成像單元C3和第四成像單元C4是結(jié)構(gòu)完全相同的成像器件，該參考單元CO位于第一成像單元Cl與第二成像單元C2的中間，第一成像單元Cl和第二成像單元C2相對(duì)于參考單元CO呈對(duì)稱分布，并且參考單元⑶、第一成像單元Cl和第二成像單元C2分布在同一列或同一行上；若參考單元⑶、第一成像單元Cl和第二成像單元C2排列在同一行上，第三成像單元C3則排列在位于參考單元CO同一列上且與參考單元CO相鄰的位置；若參考單元CO、第一成像單元Cl和第二成像單元C2位于同一列上，第三成像單元C3則位于參考單元⑶的同一行上且與參考單元CO相鄰的位置；第四成像單元C4位于與參考單元CO和成像單元C3的同一行或同一列上，且位置與成像單元C3 —起相對(duì)于參考單元CO對(duì)稱，因此，第一成像單元Cl、參考單元C0、第二成像單元C2的分布與第三成像單元C3、參考單元C0、第四成像單元C4的分布都位于同一條直線上；若第一成像單元Cl、參考單元⑶、第二成像單元C2分布于同一行上，則第三成像單元C3、參考單元C0、第四成像單元C4分布于同一列上；反之若第一成像單元Cl、參考單元 C0、第二成像單元C2分布于同一列上，則第三成像單元C3、參考單元C0、第四成像單元C4 分布于同一行上。
上述方案中，所述每組成像器件包括一個(gè)參考單元和至少五個(gè)的成像單元，而每組中的成像單元的部分分布在與參考單元相同的列上，而其他成像單元?jiǎng)t分布在與參考單元相同的行上。上述方案中，所述每組成像器件包括九個(gè)完全相同的基于傳統(tǒng)的浮柵型器件結(jié)構(gòu)的成像器件，這九個(gè)成像器件構(gòu)成一個(gè)三行、三列的陣列，其中位于最中心的，第二行、第二列的器件作為這一組器件的參考單元⑶，其余八個(gè)器件作為成像單元。(三)有益效果從上述技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明具有以下有益效果1、在不增加外圍讀取電路復(fù)雜程度的前提下，通過略微增加成像器件的面積，使得最終對(duì)光波輻射信息的讀取結(jié)果采用有光輻射時(shí)成像器件的信息和無光輻射時(shí)成像器件的成像信息之間的差模信號(hào)，從而消除了共模噪聲對(duì)讀取結(jié)果的影響。2、由于同一組器件中成像單元與參考單元相隔較近，工藝偏差對(duì)它們的影響大致相同，而讀取結(jié)果采用它們的差模信息，因此可以消除工藝偏差對(duì)讀取結(jié)果的影響。綜合以上兩條有益效果，采用此成像器件結(jié)構(gòu)以及成像、讀取方法得到的光波輻射信息更加接近真實(shí)情況。


圖1為光學(xué)傳感器內(nèi)單個(gè)成像器件結(jié)構(gòu)圖以及相應(yīng)的兩種成像原理示意圖
圖2為對(duì)光學(xué)傳感器內(nèi)成像器件存儲(chǔ)信息的讀取示意圖3為簡(jiǎn)單的成像器件成像、讀取操作流程圖4為本發(fā)明第一較佳實(shí)施例中器件排列f 化示意圖5為本發(fā)明第二較佳實(shí)施例中器件排列f 化示意圖6為本發(fā)明第三較佳實(shí)施例中器件排列f 化示意圖7為本發(fā)明第四較佳實(shí)施例中器件排列f 化示意圖8為本發(fā)明第五較佳實(shí)施例中器件排列f 化示意圖9為本發(fā)明其他實(shí)施例中器件排列簡(jiǎn)化示意圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合具體實(shí)施例，并參照附圖，對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說明。本發(fā)明提供的這種光學(xué)成像器件結(jié)構(gòu)，是由多個(gè)結(jié)構(gòu)完全相同的成像器件構(gòu)成的成像陣列，該多個(gè)成像器件被分為若干組，每一組中的成像器件具有相同的數(shù)目和相同的排列結(jié)構(gòu)，且每組成像器件均包括一個(gè)參考單元和至少一個(gè)成像單元，該參考單元和成像單元是結(jié)構(gòu)完全相同的成像器件，每組成像器件中的參考單元和成像單元相距近，工藝偏差小，在執(zhí)行復(fù)位、成像、讀取操作時(shí)受到的共模干擾相同。在保證以上特征的同時(shí)，還應(yīng)使每組器件的填充因子盡量大。其中，成像器件是基于傳統(tǒng)的浮柵型成像器件結(jié)構(gòu)，由硅襯底B、源極S、漏極D、浮動(dòng)?xùn)艠Ore、控制柵極CG構(gòu)成，其中，硅襯底B位于器件最下層；源極S和漏極D位于硅襯底 β上，且相距一定距離；浮動(dòng)?xùn)艠Ore位于器件結(jié)構(gòu)的中間層，在硅襯底之上，且在源極s和漏極D之間；控制柵極CG位于器件結(jié)構(gòu)的最上層，在浮動(dòng)?xùn)艠Ore之上；該硅襯底B與該浮動(dòng)?xùn)艠Ore之間，以及該浮動(dòng)?xùn)艠Ore與該控制柵極CG之間都采用絕緣層隔離。圖4 (a)和圖2所示為本發(fā)明第一較佳實(shí)施例，每組器件包括兩個(gè)單元的器件結(jié)構(gòu)示意圖之一。此實(shí)施例中每組所包含的兩個(gè)單元分布在同一行上，其中CO為參考單元，Cl 為成像單元。參考單元CO和成像單元Cl具有完全相同的結(jié)構(gòu)，并呈現(xiàn)對(duì)稱分布，因此它們的位置可以相互交換。圖4(b)所示為本發(fā)明第一較佳實(shí)施例的每組器件包括兩個(gè)單元的器件結(jié)構(gòu)示意圖之二。此實(shí)施例中每組所包含的兩個(gè)單元分布在同一列上，其中CO為參考單元，Cl為成像單元。參考單元CO和成像單元Cl具有完全相同的結(jié)構(gòu)，并呈現(xiàn)對(duì)稱分布， 因此它們的位置可以相互交換。由圖可知，本實(shí)施例的兩種器件結(jié)構(gòu)的填充因子約為50%。 而光學(xué)傳感器內(nèi)部所有器件都是由若干如此排列的組構(gòu)成。圖5(a)所示為本發(fā)明的第二較佳實(shí)施例的每組器件包括三個(gè)單元的器件排列簡(jiǎn)化示意圖之一。此實(shí)施例中每組所包含的三個(gè)單元分布在同一行上，其中中間方塊為參考單元⑶，兩邊方塊分別為第一成像單元Cl和第二成像單元C2，并且參考單元⑶、第一成像單元Cl和第二成像單元C2采用完全相同的設(shè)計(jì)，且由于第一成像單元Cl和第二成像單元 C2的位置關(guān)于參考單元CO對(duì)稱分布，因此它們的位置可以相互調(diào)換。圖5(b)所示為本發(fā)明的第二較佳實(shí)施例的每組器件包括三個(gè)單元的器件排列簡(jiǎn)化示意圖之二。此實(shí)施例中每組所包含的是哪個(gè)單元分布在同一列上，其中中間方塊為參考單元C0，上下方塊分別為第一成像單元Cl和第二成像單元C2，并且參考單元⑶、第一成像單元Cl和第二成像單元C2 采用完全相同的設(shè)計(jì)，且由于第一成像單元Cl和第二成像單元C2的位置關(guān)于參考單元⑶ 對(duì)稱分布，因此它們的位置可以相互調(diào)換。由圖可知，本實(shí)施例的兩種器件結(jié)構(gòu)的填充因子大約為66. 7%，器件整體面積可以比第一實(shí)施例有所減小。而光學(xué)傳感器內(nèi)部所有器件都是由若干如此排列的組構(gòu)成。根據(jù)所述的第一種和第二種單組器件的排列方式的特征，還可以以此類推得到更多的分組方式及排列方式，這些方式中每組器件包括四個(gè)或者四個(gè)以上更多的器件，而這些器件都包括一個(gè)參考單元和其他若干成像單元，并且同一組內(nèi)的所有器件都分布在同一行或者同一列上，參考單元位于所有器件的最中央。而光學(xué)傳感器內(nèi)部所有器件都是由若干如此排列的組構(gòu)成。圖6(a)所示為本發(fā)明的第三較佳實(shí)施例的每組器件包括四個(gè)單元的器件排列簡(jiǎn)化圖之一。此實(shí)施例中每組所包含的四個(gè)單元分別為參考單元⑶、第一成像單元Cl、第二成像單元C2和第三成像單元C3。其中第一成像單元Cl、第二成像單元C2與參考單元CO 分布在同一行上，且位于參考單元的兩側(cè)，而第三成像單元C3與參考單元CO位于同一列上且位于參考單元的上方。由于第一成像單元Cl、第二成像單元C2和第三成像單元C3具有完全相同的結(jié)構(gòu)，因此它們的位置可以位于與參考單元CO處于同一行或者處于同一列的相鄰四個(gè)位置中的任意三個(gè)位置，由此產(chǎn)生本實(shí)施例中四個(gè)單元的其他三種器件排列分布簡(jiǎn)化圖，如圖6 (b)、圖6 (c)、圖6 (d)所以，且第一成像單元Cl、第二成像單元C2和第三成像單元C3的在本實(shí)施例中的位置可以相互調(diào)換。由圖可知，本實(shí)施例的兩種器件結(jié)構(gòu)的填充因子大約為75%，器件整體面積可以比第二實(shí)施例有所減小。而光學(xué)傳感器內(nèi)部所有器件都是由若干如此排列的組構(gòu)成。圖7所示為本發(fā)明的第四較佳實(shí)施例的每組器件包括五個(gè)單元的器件排列簡(jiǎn)化圖。此實(shí)施例中每組所包含的五個(gè)單元分別為參考單元⑶、第一成像單元Cl、第二成像單元C2、第三成像單元C3和第四成像單元C4。其中參考單元CO位于這一組器件的最中央， 第一成像單元Cl和第二成像單元C2與成像單元CO位于同一行，且分布于成像單元CO的兩側(cè)，第三成像單元C3和第四成像單元C4與參考單元CO位于同一列，且分布于成像單元 CO的兩側(cè)。由于第一成像單元Cl、第二成像單元C2、第三成像單元C3和第四成像單元C4 的器件結(jié)構(gòu)完全相同，因此它們?cè)趫D中的位置可以相互調(diào)換。由圖可知，本實(shí)施例的兩種器件結(jié)構(gòu)的填充因子大約為80%，器件整體面積可以比第三實(shí)施例有所減小。而光學(xué)傳感器內(nèi)部所有器件都是由若干如此排列的組構(gòu)成。根據(jù)所述的第三種和第四種單組器件的排列方式的特征，還可以以此類推得到更多的分組方式及排列方式，這些分組方式中每組器件包括一個(gè)參考單元和五個(gè)或五個(gè)以上的成像單元，而每組中的成像單元的部分分布在與參考單元相同的列上，而其他成像單元?jiǎng)t分布在與參考單元相同的行上。而光學(xué)傳感器內(nèi)部所有器件都是由若干如此排列的組構(gòu)成。圖8所示為本發(fā)明的第五較佳實(shí)施例的每組器件包括九個(gè)單元的器件排列簡(jiǎn)化圖。這組器件中的九個(gè)器件呈現(xiàn)出一個(gè)三行、三列的陣列，其中位于最中央的，第二排、第二列的單元作為參考單元C0，其余八個(gè)單元作為成像單元。由于此8個(gè)成像單元的器件結(jié)構(gòu)完全相同，因此它們?cè)趫D中的位置可以相互調(diào)換。由圖可知，本實(shí)施例的兩種器件結(jié)構(gòu)的填充因子大約為88. 9%，器件整體面積可以比第四實(shí)施例有所減小。而光學(xué)傳感器內(nèi)部所有器件都是由若干如此排列的組構(gòu)成。圖9所示為其他四種較佳實(shí)施例中每組器件的排列簡(jiǎn)化示意圖。其中淺色填充的方塊都代表成像單元，其它方塊代表成像單元。綜上所述，本發(fā)明在不增加外圍電路復(fù)雜度的前提下，通過略微增加成像單元的面積，可有效的消除噪聲及工藝偏差等對(duì)成像信息的影響，使得最終得到的成像信息更加符合實(shí)際情況。以上所述的具體實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種光學(xué)成像器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，該結(jié)構(gòu)是由多個(gè)結(jié)構(gòu)完全相同的成像器件構(gòu)成的成像陣列，該多個(gè)成像器件被分為若干組，每一組中的成像器件具有相同的數(shù)目和相同的排列結(jié)構(gòu)，且每組成像器件均包括一個(gè)參考單元和至少一個(gè)成像單元，該參考單元和成像單元是結(jié)構(gòu)完全相同的成像器件，每組成像器件中的參考單元和成像單元相距近，工藝偏差小，在執(zhí)行復(fù)位、成像、讀取操作時(shí)受到的共模干擾相同。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)成像器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述成像器件是基于傳統(tǒng)的浮柵型成像器件結(jié)構(gòu)，由硅襯底B、源極S、漏極D、浮動(dòng)?xùn)艠Ore、控制柵極CG構(gòu)成，其中， 硅襯底B位于器件最下層；源極S和漏極D位于硅襯底B上，且相距一定距離；浮動(dòng)?xùn)艠Ore 位于器件結(jié)構(gòu)的中間層，在硅襯底之上，且在源極S和漏極D之間；控制柵極CG位于器件結(jié)構(gòu)的最上層，在浮動(dòng)?xùn)艠Ore之上；該硅襯底β與該浮動(dòng)?xùn)艠Ore之間，以及該浮動(dòng)?xùn)艠Ore與該控制柵極CG之間都采用絕緣層隔離。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)成像器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述每組成像器件包括一個(gè)參考單元CO和一個(gè)成像單元Cl，該參考單元CO和成像單元Cl是結(jié)構(gòu)完全相同的成像器件，該參考單元CO和該成像器件Cl相鄰排列且位于成像陣列中的同一列或同一行。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)成像器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述每組成像器件包括一個(gè)參考單元和兩個(gè)成像單元，該參考單元Co、第一成像單元Cl和第二成像單元C2是結(jié)構(gòu)完全相同的成像器件，該參考單元CO位于第一成像單元Cl與第二成像單元C2的中間，第一成像單元C 1和第二成像單元C2相對(duì)于參考單元CO呈對(duì)稱分布，并且參考單元⑶、第一成像單元Cl和第二成像單元C2分布在同一列或同一行上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)成像器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述每組成像器件包括一個(gè)參考單元和三個(gè)成像單元，該參考單元⑶、第一成像單元Cl、第二成像單元C2和第三成像單元C3是結(jié)構(gòu)完全相同的成像器件，該參考單元CO位于第一成像單元Cl與第二成像單元C2的中間，第一成像單元Cl和第二成像單元C2相對(duì)于參考單元CO呈對(duì)稱分布，并且參考單元⑶、第一成像單元Cl和第二成像單元C2分布在同一列或同一行上；若參考單元⑶、第一成像單元Cl和第二成像單元C2排列在同一行上，第三成像單元 C3則排列在位于參考單元CO同一列上且與參考單元CO相鄰的位置；若參考單元⑶、第一成像單元Cl和第二成像單元C2位于同一列上，第三成像單元C3 則位于參考單元CO的同一行上且與參考單元CO相鄰的位置。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)成像器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述每組成像器件包括一個(gè)參考單元和四個(gè)成像單元，該參考單元⑶、第一成像單元Cl、第二成像單元C2、第三成像單元C3和第四成像單元C4是結(jié)構(gòu)完全相同的成像器件，該參考單元CO位于第一成像單元 Cl與第二成像單元C2的中間，第一成像單元Cl和第二成像單元C2相對(duì)于參考單元CO呈對(duì)稱分布，并且參考單元⑶、第一成像單元Cl和第二成像單元C2分布在同一列或同一行上；若參考單元⑶、第一成像單元Cl和第二成像單元C2排列在同一行上，第三成像單元C3 則排列在位于參考單元CO同一列上且與參考單元CO相鄰的位置；若參考單元C0、第一成像單元Cl和第二成像單元C2位于同一列上，第三成像單元C3則位于參考單元⑶的同一行上且與參考單元CO相鄰的位置；第四成像單元C4位于與參考單元CO和成像單元C3的同一行或同一列上，且位置與成像單元C3 —起相對(duì)于參考單元CO對(duì)稱，因此，第一成像單元Cl、參考單元⑶、第二成像單元C2的分布與第三成像單元C3、參考單元CO、第四成像單元C4的分布都位于同一條直線上；若第一成像單元Cl、參考單元⑶、第二成像單元C2分布于同一行上，則第三成像單元 C3、參考單元CO、第四成像單元C4分布于同一列上；反之若第一成像單元Cl、參考單元CO、 第二成像單元C2分布于同一列上，則第三成像單元C3、參考單元CO、第四成像單元C4分布于同一行上。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)成像器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述每組成像器件包括一個(gè)參考單元和至少五個(gè)的成像單元，而每組中的成像單元的部分分布在與參考單元相同的列上，而其他成像單元?jiǎng)t分布在與參考單元相同的行上。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)成像器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述每組成像器件包括九個(gè)完全相同的基于傳統(tǒng)的浮柵型器件結(jié)構(gòu)的成像器件，這九個(gè)成像器件構(gòu)成一個(gè)三行、三列的陣列，其中位于最中心的，第二行、第二列的器件作為這一組器件的參考單元C0，其余八個(gè)器件作為成像單元。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種光學(xué)成像器件結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)是由多個(gè)結(jié)構(gòu)完全相同的成像器件構(gòu)成的成像陣列，該多個(gè)成像器件被分為若干組，每一組中的成像器件具有相同的數(shù)目和相同的排列結(jié)構(gòu)，且每組成像器件均包括一個(gè)參考單元和至少一個(gè)成像單元，該參考單元和成像單元是結(jié)構(gòu)完全相同的成像器件，每組成像器件中的參考單元和成像單元相距近，工藝偏差小，在執(zhí)行復(fù)位、成像、讀取操作時(shí)受到的共模干擾相同。本發(fā)明通過略微增加光學(xué)傳感器內(nèi)部成像器件的面積，避免了工藝失配、復(fù)位、成像和讀取操作引入的共模噪聲和非線性影響，獲得了更加接近實(shí)際的光學(xué)信息。
文檔編號(hào)H01L27/146GK102214663SQ20101014520
公開日2011年10月12日 申請(qǐng)日期2010年4月9日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月9日
發(fā)明者丁川, 冀永輝, 劉明, 王琴, 閆鋒, 龍世兵 申請(qǐng)人:中國科學(xué)院微電子研究所