專利名稱：半導(dǎo)體器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件，并且特別地涉及一種技術(shù)，該技術(shù)可有效適用于在 便攜式電話或大尺寸顯示器中使用的液晶顯示(LCD)驅(qū)動(dòng)器。
背景技術(shù)：
例如，在如LCD驅(qū)動(dòng)器這樣的半導(dǎo)體器件中，隨著液晶顯示屏的分辨率變得更高， 從半導(dǎo)體器件向液晶顯示面板發(fā)送非常大量的信號，并且因此現(xiàn)在存在對半導(dǎo)體器件的多 輸出的需求，也就是，要使作為半導(dǎo)體器件的外部終端的突起(bump)數(shù)和在突起下方形成 的電極焊盤數(shù)增加。由于需要保證在半導(dǎo)體芯片安裝側(cè)上建立高鍵合強(qiáng)度和鍵合精度及標(biāo)準(zhǔn)等，所以 與半導(dǎo)體元件和布線的尺寸減小相比，不能使各個(gè)這樣的電極焊盤的尺寸太小。因此，在多 輸出型半導(dǎo)體器件中，例如采用一種方法，其中在朝向布置有半導(dǎo)體元件和布線的半導(dǎo)體 芯片的內(nèi)側(cè)的區(qū)域中，設(shè)置電極焊盤。在專利文獻(xiàn)1中，描述了使半導(dǎo)體芯片的主表面的一個(gè)區(qū)域內(nèi)布置的多個(gè)電極焊 盤的基礎(chǔ)(base) —致，以使多個(gè)電極焊盤的高度一致的效果，在這個(gè)區(qū)域內(nèi)布置有半導(dǎo)體 元件和布線。在專利文獻(xiàn)2中，描述了在LCD驅(qū)動(dòng)器中形成的內(nèi)部電路與電極焊盤之間設(shè)置保 護(hù)元件的效果。[專利文獻(xiàn)1] 日本未審專利公開No. 2004-95577[專利文獻(xiàn)2]日本未審專利公開No. 2002-246470

發(fā)明內(nèi)容
對于如LCD驅(qū)動(dòng)器這樣的半導(dǎo)體器件，存在有減小半導(dǎo)體芯片的面積的需求。然 而，如上所述，與半導(dǎo)體元件的尺寸和布線的尺寸相比，難以減小電極焊盤的尺寸。因而，需 要有效地使用由布線等占用的區(qū)域。本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種技術(shù)，它能擴(kuò)大在一個(gè)半導(dǎo)體芯片的主表面上的布 線區(qū)域，特別是在一個(gè)LCD驅(qū)動(dòng)器的半導(dǎo)體芯片主表面中的信號布線區(qū)域，而不增加芯片面積。從以下描述及附圖，本發(fā)明的以上和其他目的及新穎特征將變得顯而易見。以下是對這里公開的本發(fā)明的典型方式的概要。一種半導(dǎo)體器件，包括一個(gè)第一區(qū)域，布置在例如IXD驅(qū)動(dòng)器的半導(dǎo)體器件的半 導(dǎo)體芯片的端側(cè)上，在第一區(qū)域內(nèi)形成有一個(gè)第一保護(hù)元件；一個(gè)第二區(qū)域，關(guān)于第一區(qū)域 布置在半導(dǎo)體芯片的內(nèi)側(cè)上，在第二區(qū)域內(nèi)形成有一個(gè)第二保護(hù)元件；和一個(gè)第三區(qū)域，關(guān) 于第二區(qū)域布置在半導(dǎo)體芯片的內(nèi)側(cè)上，在第三區(qū)域內(nèi)形成有一個(gè)內(nèi)部電路，其中在第二 區(qū)域的第一區(qū)域側(cè)上，設(shè)置一個(gè)輸出端口(outlet port)，用于來自第一和第二保護(hù)元件的 布線，該布線提供內(nèi)部電路與第一和第二保護(hù)元件之間的電連接。本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體器件，包括矩形形狀的半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底具 有第一長邊，與所述第一長邊相對的第二長邊，第一短邊以及與所述第一短邊相對的第二 短邊；多個(gè)第一突起，形成在所述半導(dǎo)體襯底上方并且沿著所述第一長邊安置；多個(gè)第二 突起，形成在所述半導(dǎo)體襯底上方并且沿著所述第二長邊安置；多個(gè)布線，形成在所述第一 突起下方；以及多個(gè)虛設(shè)布線，形成在所述第一突起下方并且與所述布線形成在同一層，其 中安置在所述第一短邊或者所述第二短邊附近的所述虛設(shè)布線的數(shù)目大于安置在所述第 一長邊的中心部分附近的所述虛設(shè)布線的數(shù)目。本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體器件，包括矩形形狀的半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底具 有第一長邊，與所述第一長邊相對的第二長邊，第一短邊以及與所述第一短邊相對的第二 短邊；多個(gè)第一突起，形成在所述半導(dǎo)體襯底上方并且沿著所述第一長邊安置；多個(gè)第二 突起，形成在所述半導(dǎo)體襯底上方并且沿著所述第二長邊安置；多個(gè)布線，形成在所述第一 突起下方；多個(gè)虛設(shè)布線，形成在所述第一突起下方并且與所述布線形成在同一層；多個(gè) 保護(hù)元件，形成在所述半導(dǎo)體襯底上，與所述布線電連接并且在平面圖中安置在所述第一 突起下方，其中所述虛設(shè)布線不與保護(hù)元件電連接，以及其中安置在所述第一短邊或者所 述第二短邊附近的所述虛設(shè)布線的數(shù)目大于安置在所述第一長邊的中心部分附近的所述 虛設(shè)布線的數(shù)目。以下是對這里公開的本發(fā)明的典型方式所獲得的效果的簡短描述?？梢栽诓辉黾影雽?dǎo)體芯片的面積情況下，擴(kuò)大半導(dǎo)體芯片的主表面上的布線面 積。


圖1是示意表示根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的主要部分的平面圖；圖2是示意表示第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件中的內(nèi)部電路與保護(hù)元件之間的連接 的平面圖；圖3是圖2所示的半導(dǎo)體器件中的內(nèi)部電路與保護(hù)元件之間的連接的連接示圖；圖4是示意表示圖1中的半導(dǎo)體器件的主要部分的平面圖；圖5是示意表示圖4中的半導(dǎo)體器件的主要部分的平面圖；圖6是沿圖5中的X-X，線所取的截面圖；圖7是示意表示根據(jù)第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造過程中的半導(dǎo)體器件的主 要部分的平面圖8是示意表示根據(jù)第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造過程中的半導(dǎo)體器件的主 要部分的平面圖；圖9是示意表示根據(jù)第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造過程中的半導(dǎo)體器件的主 要部分的平面圖；圖10是示意表示根據(jù)第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造過程中的半導(dǎo)體器件的主 要部分的平面圖；圖11是示意表示根據(jù)第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造過程中的半導(dǎo)體器件的主 要部分的平面圖；圖12是示意表示根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件中的內(nèi)部電路與保護(hù)元 件之間的連接的平面圖；圖13是示意表示根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的半導(dǎo)體器件中的內(nèi)部電路與保護(hù)元 件之間的連接的平面圖；圖14是示意表示根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的半導(dǎo)體器件中的內(nèi)部電路與保護(hù)元 件之間的連接的平面圖；圖15(a)和圖15(b)是各自示意表示LCD面板的一例的平面圖；圖16是示意表示IXD驅(qū)動(dòng)器的一例的平面圖；圖17是示意表示本發(fā)明人作了研究的LCD驅(qū)動(dòng)器的主要部分的平面圖；圖18是示意表示本發(fā)明人作了研究的LCD驅(qū)動(dòng)器中的內(nèi)部電路與保護(hù)元件之間 的連接的一例的平面圖；圖19是示意表示本發(fā)明人作了研究的LCD驅(qū)動(dòng)器中的內(nèi)部電路與保護(hù)元件之間 的連接的另一例的平面圖；和圖20是表示作為設(shè)置有根據(jù)本發(fā)明的LCD驅(qū)動(dòng)器的系統(tǒng)的一例，一個(gè)便攜式電話 的整個(gè)配置的方塊圖。
具體實(shí)施例方式以下將參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例。在用于說明實(shí)施例的所有附圖中，相 同部件用相同的參考標(biāo)號識別，并且將省略其重復(fù)解釋。圖20是表示作為設(shè)置有根據(jù)本發(fā)明的LCD驅(qū)動(dòng)器的系統(tǒng)的一例，一個(gè)便攜式電話 的整個(gè)配置的方塊圖。本例的便攜式電話包括一個(gè)作為顯示裝置的IXD顯示區(qū)域(液晶顯示區(qū)域)103， 一個(gè)用于發(fā)射和接收的天線310，一個(gè)用于聲音輸出的揚(yáng)聲器320，一個(gè)例如由CCD (電荷耦 合裝置)或MOS傳感器構(gòu)成的固體圖像拾取裝置340，一個(gè)例如由DSP (數(shù)字信號處理器) 構(gòu)成，用于對從固體圖像拾取裝置340提供的圖像信號進(jìn)行處理的圖像信號處理器230，一 個(gè)根據(jù)本發(fā)明的作為液晶顯示驅(qū)動(dòng)控制器的LCD驅(qū)動(dòng)器104，一個(gè)關(guān)于揚(yáng)聲器320和麥克風(fēng) 330用于輸入和輸出信號的聲音接口 241，一個(gè)在它與天線310之間用于輸入和輸出信號的 高頻接口 242，一個(gè)適合對聲音信號和發(fā)射/接收信號執(zhí)行信號處理等的基帶部分250，一 個(gè)例如由具有多媒體處理功能，例如，根據(jù)MPEG(活動(dòng)圖像專家組)方法的活動(dòng)畫面處理、 分辨率調(diào)整功能和Java高速處理功能的微處理器所構(gòu)成的應(yīng)用處理器260，一個(gè)用于電源 的IC 270，和用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的存儲(chǔ)器281和282。
應(yīng)用處理器260還擁有一種功能，即，除從固體圖像拾取裝置340提供的圖像信號 夕卜，還對通過高頻接口 242從另一個(gè)便攜式電話接收的活動(dòng)畫面數(shù)據(jù)進(jìn)行處理。液晶控制 器驅(qū)動(dòng)器104、基帶部分250、應(yīng)用處理器260、存儲(chǔ)器281、282和圖像信號處理電路230連 接在一起，以便允許通過系統(tǒng)總線291傳送數(shù)據(jù)。在圖20所示的便攜式電話系統(tǒng)中，除系 統(tǒng)總線291外，還設(shè)置有顯示器數(shù)據(jù)總線292，并且液晶控制器驅(qū)動(dòng)器104、應(yīng)用處理器260 和存儲(chǔ)器281與顯示器數(shù)據(jù)總線292連接。
基帶部分250由一個(gè)聲音信號處理器251、一個(gè)ASIC(專用集成電路)252和一個(gè) 微型計(jì)算機(jī)253構(gòu)成。聲音信號處理器251例如由一個(gè)DSP (數(shù)字信號處理器)構(gòu)成，并且 適合執(zhí)行聲音信號處理。ASIC 252提供定制功能(用戶邏輯)。微型計(jì)算機(jī)253作為一個(gè) 系統(tǒng)控制器，產(chǎn)生基帶信號，執(zhí)行顯示控制，并且控制整個(gè)系統(tǒng)。在存儲(chǔ)器281、282中，存儲(chǔ)器281是一個(gè)通常由SRAM或SDRAM構(gòu)成的易失性存儲(chǔ) 器，并且例如用作一個(gè)幀緩存器，其中存儲(chǔ)從各種圖像處理所產(chǎn)生的圖像數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器282 是一個(gè)非易失性存儲(chǔ)器，并且例如由一個(gè)能夠每次以預(yù)定塊單元擦除的閃速存儲(chǔ)器構(gòu)成。 存儲(chǔ)器282用于存儲(chǔ)對整個(gè)便攜式電話系統(tǒng)的控制程序和控制數(shù)據(jù)，包括顯示器控制。在使用這樣的IXD驅(qū)動(dòng)器的系統(tǒng)中，可以把一個(gè)點(diǎn)陣型的彩色TFT液晶顯示面板 用作液晶顯示區(qū)域103，其中按矩陣形狀排列顯示像素。此外，在液晶顯示區(qū)域103具有兩 個(gè)TFT液晶面板的情況下，也能由單個(gè)LCD驅(qū)動(dòng)器來驅(qū)動(dòng)它。例如，在如LCD驅(qū)動(dòng)器這樣的半導(dǎo)體器件中，與減小半導(dǎo)體芯片的面積和獲得多 輸出結(jié)構(gòu)有關(guān)，以下將參照圖15至圖19關(guān)于本發(fā)明人作了研究的內(nèi)容給出描述。圖15(a)和圖15(b)是各自示意表示IXD面板(液晶顯示面板)101的平面圖。圖 16是示意表示IXD驅(qū)動(dòng)器104的平面圖。圖17是示意表示IXD驅(qū)動(dòng)器104的主要部分的 平面圖。圖18是示意表示內(nèi)部電路108與保護(hù)元件118、119的連接的平面圖，其中使電極 焊盤110以Z字形排列。圖19是示意表示內(nèi)部電路108與保護(hù)元件118、119的連接的平 面圖，其中使電極焊盤110以直線排列。如圖15所示，IXD面板101包括一個(gè)布置在襯底102，例如玻璃襯底上的IXD顯示 區(qū)域103，一個(gè)布置在IXD顯示區(qū)域103附近的IXD驅(qū)動(dòng)器104，和一個(gè)布置在IXD顯示區(qū) 域103的背側(cè)上的作為光源的背光(未表示)。在LCD顯示區(qū)域103內(nèi)，在襯底102上以 矩陣形狀排列用于顯示屏的多個(gè)像素，以便分別定位在像素選擇柵極線和源極線的交叉點(diǎn) 上(未表示)。此外，在襯底102上形成多條襯底布線105，以將柵極線和源極線與LCD驅(qū) 動(dòng)器104的突起(外部輸出端子)電連接。因此，從LCD驅(qū)動(dòng)器104提供的輸出信號通過 襯底布線105使IXD顯示區(qū)域103內(nèi)的像素置為ON或OFF。經(jīng)過關(guān)于減小IXD面板的尺寸的研究，本發(fā)明人首次發(fā)現(xiàn)有以下問題。更特別地，如在圖15(a)和圖15(b)中以比較方式所示的那樣，如果使IXD面板 101的尺寸，即襯底102的尺寸減小，即使IXD顯示區(qū)域103的尺寸保持不變，也使一般為平 面矩形的IXD驅(qū)動(dòng)器104的芯片面積減小。而且，如圖15 (b)所示，因?yàn)镮XD驅(qū)動(dòng)器104布 置成靠近并沿著IXD顯示區(qū)域103，所以從減小芯片面積的觀點(diǎn)來說，有效的是，從位于IXD 顯示區(qū)域103的LCD驅(qū)動(dòng)器104的長邊引出所有輸出，也就是，采用所謂的單邊輸出，而不 從IXD驅(qū)動(dòng)器104的短邊弓丨出輸出。也就是，在IXD驅(qū)動(dòng)器104的四邊中的長邊上設(shè)置電極 焊盤110，并且在短邊上不設(shè)置。因此，如圖15(b)所示，IXD驅(qū)動(dòng)器104的長邊變得更長，并且其短邊變得更短，使得LCD驅(qū)動(dòng)器104的平面形狀趨于變得更細(xì)，并且可以實(shí)現(xiàn)芯片面 積的減小，即LCD面板的減小。然而，如以下將詳細(xì)描述，出現(xiàn)多輸出結(jié)構(gòu)在IXD驅(qū)動(dòng)器104的長邊上帶來的問題。如圖16所示，一般為平面矩形的IXD驅(qū)動(dòng)器104包括輸入側(cè)內(nèi)部電路107和 輸出 側(cè)內(nèi)部電路108，例如包括MIS晶體管和二極管，它們在一個(gè)構(gòu)成半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體襯底 106上形成。通過與內(nèi)部電路107電連接的用于輸入的多個(gè)電極焊盤109，從外部向內(nèi)部電 路107輸入信號。另一方面，通過與內(nèi)部電路108電連接的用于輸出的多個(gè)電極焊盤110， 將來自內(nèi)部電路108的輸出信號輸出。布置在右邊和左邊的內(nèi)部電路108是用于LCD面板 101中TFT晶體管的柵極的輸出電路，而中央的內(nèi)部電路108是用于TFT晶體管的源極的輸 出電路。在半導(dǎo)體襯底106上形成多條信號線111，以將內(nèi)部電路108和電極焊盤110相互 電連接。標(biāo)號112指示在半導(dǎo)體襯底106上由信號線111占用的信號線區(qū)域。例如，如圖17所示，用于IXD驅(qū)動(dòng)器104的輸出的電極焊盤110沿IXD驅(qū)動(dòng)器104 的芯片端側(cè)按兩行以Z字形排列。在圖17中，標(biāo)號113指示劃線區(qū)域，用于從半導(dǎo)體晶片 分割出各半導(dǎo)體芯片，標(biāo)號114和115指示元件區(qū)域，其中形成保護(hù)元件(未表示)，標(biāo)號 116指示元件區(qū)域，其中形成內(nèi)部電路108，以及標(biāo)號117指示元件隔離區(qū)域，用于使元件區(qū) 域115與116之間絕緣和隔開。例如，在電源內(nèi)部電路108與GND內(nèi)部電路108之間設(shè)置 兩個(gè)保護(hù)元件，用于靜電保護(hù)。圖16所示的信號線111形成在元件隔離區(qū)域117上方。因此，在圖17中，將圖16 所示的信號線區(qū)域112和元件隔離區(qū)域117以重疊狀態(tài)表示。也就是，如圖17所示，按從芯片端側(cè)向芯片中央側(cè)的次序，排列劃線區(qū)域113、元 件區(qū)域114、元件區(qū)域115、元件隔離區(qū)域117和元件區(qū)域116。在圖18中，表示出一種狀態(tài)，其中用于輸出的電極焊盤110以Z字形排列，并且保 護(hù)元件118和119與一個(gè)內(nèi)部電路108電連接。保護(hù)元件118和119通過布線120電連接。 內(nèi)部電路108和保護(hù)元件119通過信號線111電連接。更特別地，信號線111的一端從保 護(hù)元件119引出，并且其相對端與內(nèi)部電路108電連接。因而，從保護(hù)元件119引出并且與 內(nèi)部電路108連接的信號線111所占用的區(qū)域是信號線區(qū)域112。在圖19中，用于輸出的電極焊盤110以直線排列，但是如以上Z字形布局的情況 那樣，信號線111的一端從保護(hù)元件119引出，并且其相對端與內(nèi)部電路108電連接。如先前所述，液晶顯示屏上的像素在液晶顯示區(qū)域內(nèi)以矩陣形狀排列，以便分別 定位在像素選擇柵極線和源極線的交叉點(diǎn)上。因此，隨著液晶顯示屏的分辨率變得更高，像 素選擇柵極線和源極線數(shù)也增加，也就是，從LCD驅(qū)動(dòng)器104向柵極線和源極線提供的用于 輸出的電極焊盤110數(shù)增加。而且，因?yàn)楸仨毐ＷC要求的鍵合強(qiáng)度和鍵合精度，并且滿足應(yīng)用于作為芯片安裝 側(cè)的LCD面板101的標(biāo)準(zhǔn)，所以與信號線111等的尺寸減小相比，不能使各電極焊盤110的 尺寸較小。由于這個(gè)原因，看情況，芯片面積由電極焊盤數(shù)來確定。此外，如圖16所示，為了形成作為IXD驅(qū)動(dòng)器104的外部輸出端子的突起，必須以 間距Pl來排列用作突起的基礎(chǔ)的用于輸出的電極焊盤110。因此，用于輸出的電極焊盤110 的間距Pl比內(nèi)部電路108側(cè)上的信號線111的間距P2大，在該側(cè)，信號線與電極焊盤110電連接。作為結(jié)果，由信號線111占用的信號線區(qū)域112也變得較大。 也就是，當(dāng)減小IXD驅(qū)動(dòng)器104的芯片面積時(shí)，出現(xiàn)這樣的問題，即位于IXD驅(qū)動(dòng) 器104的長邊上的用于輸出的電極焊盤110的數(shù)目增加，不僅帶來信號線111的數(shù)目增加， 而且?guī)硇盘柧€區(qū)域112的尺寸增加，以及芯片面積的增加。(第一實(shí)施例)參照圖1至圖11，以下將就根據(jù)應(yīng)用于IXD驅(qū)動(dòng)器的本發(fā)明的第一實(shí)施例的半導(dǎo) 體器件，給出描述，對其要求半導(dǎo)體芯片的面積的減小和多輸出結(jié)構(gòu)。圖1是示意表示以1指示的半導(dǎo)體器件的主要部分的平面圖。在同一圖中還以透 視狀態(tài)表示了電極焊盤9。在半導(dǎo)體器件1的半導(dǎo)體芯片的主表面上，按從芯片端側(cè)向芯片中央側(cè)(沿圖1 中的垂直方向)的次序排列劃線區(qū)域2、元件區(qū)域3、元件區(qū)域4、元件隔離區(qū)域5和元件區(qū) 域6。元件區(qū)域6是一個(gè)其中形成例如包括MIS晶體管和二極管的內(nèi)部電路7的區(qū)域。 元件隔離區(qū)域5是一個(gè)其中例如形成LOCOS (硅的局部氧化)的區(qū)域，用于絕緣和隔離例如 其中形成如MIS晶體管這樣元件的區(qū)域。有時(shí)有這樣一種情況，其中在一個(gè)不是元件隔離 區(qū)域5的區(qū)域內(nèi)也形成L0C0S，但是在本實(shí)施例中，位于元件區(qū)域4與6之間的區(qū)域指定為 元件隔離區(qū)域5?？梢允褂梅Q為SGI (淺槽隔離)或STI (淺溝隔離)的槽或溝型隔離區(qū)域， 形成元件隔離區(qū)域5。例如，通過在半導(dǎo)體襯底中形成的溝中沉積一個(gè)絕緣膜，例如氧化膜 或氮化膜，來形成STI。如后面將要詳細(xì)描述，信號線8越過(passover)元件隔離區(qū)域5， 信號線8布置在內(nèi)部電路7與電極焊盤9之間，以將兩者相互電連接。劃線區(qū)域2是一個(gè)用于從半導(dǎo)體晶片切割出半導(dǎo)體芯片的區(qū)域。元件區(qū)域3和4 是其中形成保護(hù)元件的區(qū)域，以保護(hù)內(nèi)部電路7免遭靜電影響，并且由此防止例如MIS晶體 管的柵絕緣膜的靜電擊穿。電極焊盤9沿半導(dǎo)體器件1的芯片端側(cè)按兩行以Z字形排列。在本實(shí)施例中，電 極焊盤9排列在元件區(qū)域3、4、元件隔離區(qū)域5和元件區(qū)域6上。通過信號線8，從內(nèi)部電 路7向電極焊盤9輸出信號。用10指示的信號線區(qū)域是一個(gè)在半導(dǎo)體器件1的半導(dǎo)體芯片上由信號線8占用 的區(qū)域，其信號線將內(nèi)部電路7和電極焊盤9相互電連接。圖1表示這樣一種情況，其中信 號線區(qū)域10從其中形成內(nèi)部電路7的元件區(qū)域6伸出，然后通過元件隔離區(qū)域5，并且進(jìn)一 步至元件區(qū)域4的一部分?，F(xiàn)在將對圖1與在本發(fā)明的這個(gè)詳細(xì)描述開始處參考的圖17之間作一比較。假 定圖1中從芯片端到元件區(qū)域6的尺寸以及從芯片端到元件區(qū)域116的尺寸(沿圖1和圖 17各自所示的垂直方向的尺寸)幾乎一致，則由信號線8占用的信號線區(qū)域10的尺寸比由 信號線111占用的信號線區(qū)域112的尺寸大。換句話說，圖1所示的信號線8的數(shù)目比圖 17所示的信號線111的數(shù)目大。這表明在圖1所示的半導(dǎo)體器件1中，能增加信號線8的 數(shù)目，而不擴(kuò)大其芯片面積。圖2是示意表示圖1所示的半導(dǎo)體器件1中的主要部分的連接的平面圖，還以透 視狀態(tài)表示了電極焊盤9。標(biāo)號11指示在圖1所示的元件區(qū)域3內(nèi)形成的保護(hù)元件，以及標(biāo)號12指示在圖1所示的元件區(qū)域4內(nèi)形成的保護(hù)元件。標(biāo)號13指示布線，用于將保護(hù)元件11和12相互電連接。如圖2所示，信號線8各自在其一端與內(nèi)部電路7電連接，并且在其相對端與一個(gè) 輸出端口 29連接。圖3是表示圖2所示的半導(dǎo)體器件1中的主要部分的連接的連接示圖。 圖3表示一種例如將二極管用作保護(hù)元件11和12的情況。如圖3所示，內(nèi)部電路7和電極焊盤9電連接在一起，并且來自內(nèi)部電路7的信號 通過信號線8輸出到用于輸出的電極焊盤9。用于保護(hù)內(nèi)部電路7免遭靜電擊穿的保護(hù)元 件11和12電連接在內(nèi)部電路7與各電極焊盤9之間，并且分別與電源側(cè)和GND側(cè)電連接。現(xiàn)在將對圖2與先前參考的圖18之間作一比較。圖2表示了由信號線8占用的 信號線區(qū)域10，而在圖18中表示了由信號線111占用的信號線區(qū)域112。在圖18中，從內(nèi) 部電路108伸出的信號線111與保護(hù)元件118的內(nèi)部電路108側(cè)連接，并且因此由信號線 111占用的信號線區(qū)域112既不越過保護(hù)元件118，也不越過保護(hù)元件119。另一方面，在 圖2中，從內(nèi)部電路7伸出的信號線8各自與位于關(guān)聯(lián)保護(hù)元件11與12之間的布線13連 接，并且因此由信號線8占用的信號線區(qū)域10越過保護(hù)元件12。如以上結(jié)合圖1所述，通 過在保護(hù)元件12上方設(shè)置信號線區(qū)域10，可以增加信號線8的數(shù)目，而不擴(kuò)大半導(dǎo)體器件 1的芯片面積。因而，因?yàn)橛糜诒Ｗo(hù)元件11、12與內(nèi)部電路7之間的電連接的信號線8是從位于 保護(hù)元件11和12之間的布線13引出，所以變得可以在保護(hù)元件12上方布置信號線8，使 得即便信號線數(shù)增加，也不需要增加芯片面積。也就是，因?yàn)樵诒Ｗo(hù)元件12上方設(shè)置由信 號線8占用的信號線區(qū)域10，所以不必增加芯片面積。因此，在信號線數(shù)相同的條件下，通過應(yīng)用本發(fā)明，能減小半導(dǎo)體芯片的主表面上 的布線區(qū)域，特別是具有多輸出結(jié)構(gòu)的LCD驅(qū)動(dòng)器的半導(dǎo)體芯片主表面之內(nèi)占用的信號線 區(qū)域?，F(xiàn)在將就本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件1中位于電極焊盤9下面的部分提供以下描述。 圖4是示意表示圖1所示的半導(dǎo)體器件1的主要部分的平面圖，電極焊盤9以透視狀態(tài)表示。圖4中的標(biāo)號9a和9b指示定位在沿半導(dǎo)體器件1的芯片端側(cè)按兩行以Z字形排 列的電極焊盤的內(nèi)側(cè)(沿圖4中垂直方向之下部)的電極焊盤。電極焊盤9a和9b用于輸 出來自內(nèi)部電路7的信號。另一方面，標(biāo)號9c和9d指示定位在沿半導(dǎo)體器件1的芯片端 側(cè)按兩行以Z字形排列的電極焊盤的外側(cè)(沿圖4中垂直方向之上部)的電極焊盤。電極 焊盤9c和9d也布置成用于輸出來自內(nèi)部電路7的信號。信號線8從內(nèi)部電路7向以上提 到的輸出端口 29逐步排列。這是因?yàn)閮?nèi)部電路7中的布線間距和相鄰電極焊盤9之間的 間隔相互不同，并且后者較大。標(biāo)號14指示與內(nèi)部電路7和保護(hù)元件11、12中任何一個(gè)都不電連接的虛設(shè)線 (dummy line)。在圖4中，虛設(shè)線14位于電極焊盤9b和9d下面。在位于作為IXD驅(qū)動(dòng)器 的半導(dǎo)體器件1的外圍邊沿部分的電極焊盤9下方，信號線8的數(shù)目比在LCD驅(qū)動(dòng)器的中 央部分的電極焊盤9下方的信號線8的數(shù)目小，所以位于外圍邊沿部分的電極焊盤9下方 的布線占用率變低。因此，布置虛設(shè)線14，以使布線占用率均勻。由15指示的區(qū)域表示一個(gè)在半導(dǎo)體器件1的半導(dǎo)體芯片上由虛設(shè)線14占用的虛 設(shè)線區(qū)域。信號線區(qū)域10與虛設(shè)線區(qū)域15之間的比較表示，信號線區(qū)域10內(nèi)的虛設(shè)線14的數(shù)目比虛設(shè)線區(qū)域15內(nèi)的虛設(shè)線14的數(shù)目大。換句話說，布置在LCD驅(qū)動(dòng)器104的外 圍邊沿部分(圖4中右側(cè))的虛設(shè)線的數(shù)目比布置在IXD驅(qū)動(dòng)器104的中央部分(圖4中 左側(cè))的虛設(shè)線14的數(shù)目大。 用于內(nèi)部電路7等的電源和GND線布置在電極焊盤9c和9d下方，但是在圖中未 表示，因?yàn)檫@里的描述是針對分別在電極焊盤9a和9b下面的信號線8和虛設(shè)線4。如上所述，從保護(hù)元件11和12之間形成的布線13上的輸出端口 29引出信號線 8，以將保護(hù)元件11和12與內(nèi)部電路7電連接，由此可以將信號線8布置在保護(hù)元件12上 方。因此，在電極焊盤9a下方存在多條信號線8。在這種情況下，通過使電極焊盤9a下方 布置的信號線的布線占用均勻，可以使電極焊盤9a的上表面相互幾乎齊平，也就是，能改 善電極焊盤9a的上表面的平度。而且，通過使電極焊盤9a的上表面相互幾乎齊平，可以使 接合到其上的突起的頂部相互幾乎齊平。在本實(shí)施例中，當(dāng)描述為布線占用幾乎相等時(shí)，將10%之內(nèi)的范圍，更優(yōu)選地5% 之內(nèi)的范圍識別為制造過程中的誤差，并且表達(dá)為布線占用均勻。形成各電極焊盤9下方 的布線，使得在各電極焊盤下方并且在各布線層中，其布線占用為50%或更多。形成虛設(shè)線14，以使電極焊盤9下方的區(qū)域內(nèi)的布線占用均勻。因而，在電極焊 盤9b下方存在多條虛設(shè)線14，并且因此，通過使電極焊盤9b下方布置的布線的布線占用均 勻，可以使電極焊盤9b的上表面相互幾乎齊平。而且，通過使電極焊盤9b的上表面相互幾 乎齊平，可以使接合到其上的突起的頂部相互幾乎齊平。布置成用于使電極焊盤9下方區(qū) 域內(nèi)的布線占用均勻的虛設(shè)線14，可以補(bǔ)充為電極焊盤9d下方的區(qū)域。因而，由于在半導(dǎo)體器件1的半導(dǎo)體芯片上形成的電極焊盤9的上表面平度優(yōu)良， 所以能以不引起任何不便的滿意方式，通過突起，將多個(gè)電極焊盤9(9a至9d)上分別形成 的突起與半導(dǎo)體芯片的封裝連接在一起。其次，將就根據(jù)本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件1的主要部分的結(jié)構(gòu)給出描述。圖5是一 個(gè)平面圖，示意表示圖4中的半導(dǎo)體器件1的主要部分，更具體地，表示在沿芯片端側(cè)按兩 行以Z字形排列的電極焊盤外側(cè)(沿圖4中垂直方向之上)定位的電極焊盤9的附近。圖 6是沿圖5中的X-X’線所取的截面圖。在圖5中，為了表示布線層Ml至M4之間的布局關(guān) 系，沒有對布線層Ml和M4畫陰影線，但是對布線層M2和M3畫陰影線。在圖5中，對一個(gè) 擴(kuò)散層23也畫陰影線。此外，圖6所示的突起16在圖5中未表示。然而，在突起16下方， 形成有布線層Ml至M4以及期望的半導(dǎo)體元件(例如，作為保護(hù)元件11和12的pn結(jié)二極 管)。半導(dǎo)體襯底21例如由ρ型單硅(Si)晶體構(gòu)成，并且在其主表面中的器件形成表 面上，形成有元件隔離區(qū)域22和與其鄰近的擴(kuò)散層23。元件隔離區(qū)域22各自由例如用 LOCOS (硅的局部氧化)方法形成的氧化硅(例如，SiO2)膜構(gòu)成。元件隔離區(qū)域22可以按 槽形或溝形(SGI 淺槽隔離，或STI 淺溝隔離)形成。在半導(dǎo)體襯底21的主表面上，形成有一個(gè)內(nèi)部電路(未表示)，例如包括MIS晶體 管，以及例如由Pn結(jié)二極管構(gòu)成的保護(hù)元件11和12。作為保護(hù)元件11和12的pn結(jié)二極 管用于防止靜電擊穿，并且由半導(dǎo)體襯底21的η型或ρ型阱24與上覆的ρ型或η型擴(kuò)散 層23之間的pn結(jié)形成。 在內(nèi)部電路與保護(hù)元件11和12上方，形成有布線層Ml至M4，它們通過層間絕緣膜25相互絕緣和隔開。布線層Ml至M4例如用鋁(或鋁合金)作為主要成分形成，但是可 以是用銅(或銅合金)作為主要成分形成的嵌入(damascene)結(jié)構(gòu)的布線層。通過將包含 銅作為主要成分的導(dǎo)電膜，嵌入到相鄰布線層之間布置的層間膜之內(nèi)形成的槽中，使嵌入 結(jié)構(gòu)的布線層各自形成。布線層Ml通過接觸孔Hl，與位于布線層Ml下面的內(nèi)部電路和保護(hù)元件11、12電 連接。布線層M2通過接觸孔H2，與布線層Ml電連接。布線層M3通過接觸孔H3，與布線層 M2電連接。此外，布線層M4通過接觸孔H4，與布線層M3電連接。
電極焊盤9由布線層M4構(gòu)成。同樣地，布線8由布線層M2和M3構(gòu)成。此外，布線 13由布線層Ml構(gòu)成。突起16通過布線層M4(電極焊盤9)上形成的金屬基膜26接合到布 線層M4。金屬基膜26具有改善突起16對電極焊盤9和層間絕緣膜25的附著的功能。例 如，金屬基膜26由單一高熔點(diǎn)金屬膜，例如鈦(Ti)或鈦鎢(TiW)膜，或一個(gè)將鎳(Ni)膜和 金(Au)膜從下到上按這樣次序?qū)盈B在鈦膜上的層疊膜構(gòu)成。突起16例如通過使用金(Au) 的電鍍法形成。如圖5和圖6所示，半導(dǎo)體器件1包括一個(gè)在半導(dǎo)體襯底21的主表面上由信號線 8占用的信號線區(qū)域10，和一個(gè)在主表面上由電源線27占用的電源線區(qū)域28。信號線8和電源線27由布線層M2和M3構(gòu)成。與作為外部輸出端子的突起16電 連接的電極焊盤9，由覆蓋在布線層M3上面的布線層M4構(gòu)成。此外，將保護(hù)元件11和12 相互電連接的布線13，由位于布線層M2下面的布線層Ml構(gòu)成。從形成在半導(dǎo)體器件1的主表面上的內(nèi)部電路伸出的信號線8越過保護(hù)元件12， 并且通過在布線13上形成的輸出端口 29中的接觸孔H2和H3，與布線13電連接。此外，布 線13通過接觸孔H2、H3和H4，與電極焊盤9電連接。來自內(nèi)部電路的信號通過這些連接 輸出到外部。另一方面，為了防止例如從外部施加在內(nèi)部電路上的靜電所引起的內(nèi)部電路的擊 穿，例如為了防止MIS晶體管的柵絕緣膜的擊穿，在內(nèi)部電路與電極焊盤9之間電連接保護(hù) 元件11和12。如圖6所示，在大約定位于保護(hù)元件11和12之間的布線13上，設(shè)置輸出端口 29， 用于從關(guān)聯(lián)保護(hù)元件11和12引出各信號線8。因而，在其中形成保護(hù)元件11和12的區(qū) 域上方，構(gòu)成一個(gè)能夠用作信號線區(qū)域10的區(qū)域。根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)，例如，在位于內(nèi)部電路側(cè) (沿圖6中橫向的左側(cè))的布線13上設(shè)置各信號線8的輸出端口 29的情況下，關(guān)于信號線 區(qū)域10，信號線8不設(shè)置在保護(hù)元件11上方。然而，在一個(gè)半導(dǎo)體器件中，其中從像LCD驅(qū) 動(dòng)器那樣的內(nèi)部電路擴(kuò)展了(develop)大量輸出，則由信號線數(shù)增加所引起的信號線區(qū)域 10的尺寸增加對芯片面積施加了較大影響。因此，通過采用這樣的結(jié)構(gòu)，其中在大約定位在 兩個(gè)保護(hù)元件之間的布線上，設(shè)置輸出端口 29，以從關(guān)聯(lián)保護(hù)元件11和12引出各信號線， 則變得可以在保護(hù)元件12上方，并且進(jìn)一步在迄今還未用作信號線區(qū)域10的保護(hù)元件11 上方，布置信號線8。因此，即使信號線區(qū)域10變得更大，也可以避免芯片面積的增加。換 句話說，通過在大約定位于兩個(gè)保護(hù)元件之間的布線13上，設(shè)置從保護(hù)元件11和12的信 號線輸出端口 29，變得可以將信號線8也布置在迄今還未用作信號線區(qū)域10的電極焊盤9 下面的區(qū)域內(nèi)，所以即使信號線區(qū)域10變得更大，也能避免芯片面積的增加。此外，在將信 號線8布置在電極焊盤9下方的情況下，通過使電極焊盤9下方布置的布線的布線占用均勻，能使電極焊盤9的上表面相互接近齊平，也就是，能改善它們的平度。此外，通過使電極 焊盤9的上表面相互接近齊平，可以使接合到其上的突起16的頂部相互接近齊平。其次，以下關(guān)于半導(dǎo)體器件的制造過程的一例提供描述。圖7至圖11是示意表示 制造過程中半導(dǎo)體器件的主要部分的平面圖。沿圖5中X-X’線所取的圖6的截面圖，與沿 圖7至圖11中X-X’線所取的截面圖相應(yīng)。首先，如圖6所示，在半導(dǎo)體襯底21的主表面上，例如通過LOCOS方法形成元件隔 離區(qū)域22，隨后形成內(nèi)部電路(未表示)以及保護(hù)元件11和12，其中該半導(dǎo)體襯底21構(gòu) 成具有基本平面圓形的半導(dǎo)體晶片。隨后，通過CVD (化學(xué)氣相沉積)在半導(dǎo)體襯底21的主表面上沉積一個(gè)絕緣膜，并 且然后通過光刻或干法蝕刻技術(shù)，在絕緣膜的預(yù)定位置形成接觸孔HI。隨后，例如通過濺射，在絕緣膜上從下到上依次沉積例如氮化鈦膜、鈦膜、鋁膜和 氮化鈦膜。然后通過光刻或干法蝕刻技術(shù)，使這樣層疊的金屬膜經(jīng)歷構(gòu)圖，以形成布線層 Ml。圖7是示意表示布線層Ml的平面圖。也就是，在元件區(qū)域3和4內(nèi)形成越過保護(hù)元件 11和12的布線層Ml。同樣地，然后在層間絕緣膜25中形成接觸孔H2，并且在層間絕緣膜25上形成布 線層M2。圖8是示意表示布線層M2的平面圖。也就是，在元件區(qū)域3內(nèi)形成越過保護(hù)元 件11的電源線27，而在元件區(qū)域4和5內(nèi)形成越過保護(hù)元件12的信號線8。如上關(guān)于圖 4所述，從內(nèi)部電路7向輸出端口 29逐步地排列信號線8?？辞闆r，如上關(guān)于圖4所述，來 形成虛設(shè)線14。同樣地，然后在層間絕緣膜25中形成接觸孔H3，并且在層間絕緣膜25上形成布 線層M3。圖9是示意表示布線層M3的平面圖。也就是，在元件區(qū)域3內(nèi)形成越過保護(hù)元 件11的電源線27，而在元件區(qū)域4和5內(nèi)形成越過保護(hù)元件12的信號線8。如上關(guān)于圖 4所述，從內(nèi)部電路7向輸出端口 29逐步地排列信號線8?？辞闆r，如上關(guān)于圖4所述，來 形成虛設(shè)線14。同樣地，然后在層間絕緣膜25中形成接觸孔H4，并且在層間絕緣膜25上形成布 線層M4。圖10是示意表示布線層M4的平面圖。也就是，在元件區(qū)域3、4和元件隔離區(qū)域 5內(nèi)，形成包括電極焊盤9的布線層M4。布線層Ml至M3及作為半導(dǎo)體元件的保護(hù)元件11 和12位于電極焊盤9下面，并且在布線層Ml至M3中的電極焊盤9下方的布線占用相等。 形成布線，以便在各電極焊盤9下方的布線占用相等。隨后，沉積用于表面保護(hù)的層間絕緣膜25，然后形成孔，對其部分地暴露布線層 M4，并且形成電極焊盤9。圖11是示意表示電極焊盤的平面圖。其次，例如通過濺射，在層間絕緣膜25上沉積一個(gè)諸如單一高熔點(diǎn)金屬膜的導(dǎo)體 膜，例如鈦膜或鈦鎢膜，或者一個(gè)通過在鈦膜上從下到上依次層疊鎳膜和金膜而形成的層 疊膜，并且在導(dǎo)體膜上形成一個(gè)光致抗蝕劑圖形，以使突起形成區(qū)域暴露，并且覆蓋另外區(qū) 域。然后，例如通過使用金的噴鍍來形成突起16，隨后除去光致抗蝕劑圖形，并且隨后 通過蝕刻除去作為基膜的導(dǎo)體膜，以形成金屬基膜26。這樣完成在電極焊盤9上具有突起 16的半導(dǎo)體器件1。(第二實(shí)施例)
在先前第一實(shí)施例中，如圖2所示，在沿芯片端側(cè)按兩行以Z字形排列有電極焊盤 9的半導(dǎo)體器件中，在保護(hù)元件11和12之間設(shè)置用于信號線8的輸出端口 29。在本第二 實(shí)施例中，將就一種其中在芯片端側(cè)上形成用于信號線8的輸出端口的半導(dǎo)體器件給出描 述。圖12是示意表示根據(jù)本第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件中的主要部分的連接的平面 圖，其中電極焊盤9以透視狀態(tài)表示。如圖12所示，在保護(hù)元件11的芯片端側(cè)(沿圖12中垂直方向的上側(cè))，形成用于 信號線8的輸出端口 29，信號線8提供從保護(hù)元件11和12至內(nèi)部電路7的電連接，由此信 號線8能布置在保護(hù)元件12上方，并且進(jìn)一步布置在保護(hù)元件11上方。因此，即使信號線 數(shù)增加，也不需要擴(kuò)大芯片面積。更特別地，因?yàn)樵诒Ｗo(hù)元件12上方設(shè)置一個(gè)信號線區(qū)域 10作為信號線8所占用的區(qū)域，所以不必?cái)U(kuò)大芯片面積。因此，在信號線數(shù)相同的條件下，通過應(yīng)用本發(fā)明，能減小半導(dǎo)體芯片的主表面上 的布線區(qū)域，特別是具有多輸出結(jié)構(gòu)的LCD驅(qū)動(dòng)器的半導(dǎo)體芯片主表面之內(nèi)占用的信號線 區(qū)域。(第三實(shí)施例)在先前第一實(shí)施例中，如圖2所示，在沿芯片端側(cè)按兩行以Z字形排列有電極焊盤 9的半導(dǎo)體器件中，在保護(hù)元件11和12之間設(shè)置用于信號線8的輸出端口 29。在本第三 實(shí)施例中，將就一種沿芯片端側(cè)按一行直線排列電極焊盤9的半導(dǎo)體器件給出描述。圖13是示意表示根據(jù)本第三實(shí)施例的半導(dǎo)體器件中的主要部分的連接的平面 圖，其中電極焊盤9以透視狀態(tài)表示。如圖13所示，即使在電極焊盤9的直線布局的情況下，也能從位于保護(hù)元件11和 12之間的布線13上形成的輸出端口 29，引出提供從保護(hù)元件11和12至內(nèi)部電路7的電 連接的信號線8，并且能布置在保護(hù)元件12上方。因此，即使信號線數(shù)增加，也不需要擴(kuò)大 芯片面積。更特別地，因?yàn)樵诒Ｗo(hù)元件12上方設(shè)置一個(gè)信號線區(qū)域10作為信號線8所占 用的區(qū)域，所以不必?cái)U(kuò)大芯片面積。因此，在信號線數(shù)相同的條件下，通過應(yīng)用本發(fā)明，能減小在半導(dǎo)體芯片的主表面 上的布線區(qū)域，特別是在具有多輸出結(jié)構(gòu)的LCD驅(qū)動(dòng)器的半導(dǎo)體芯片主表面之內(nèi)占用的信 號線區(qū)域。(第四實(shí)施例)在先前第三實(shí)施例中，如圖13所示，在沿芯片端側(cè)按一行直線排列有電極焊盤9的半導(dǎo)體器件中，在保護(hù)元件11和12之間設(shè)置用于信號線8的輸出端口 29。在本第四實(shí) 施例中，以下將就一種其中在芯片端側(cè)形成用于信號線8的輸出端口 29的半導(dǎo)體器件給出 描述。圖14是示意表示根據(jù)本第四實(shí)施例的半導(dǎo)體器件中的主要部分的連接的平面圖，其中電極焊盤9以透視狀態(tài)表示。如圖14所示，在保護(hù)元件11的芯片端側(cè)(沿圖14中垂直方向的上側(cè))，形成用于信號線8的輸出端口 29，提供從保護(hù)元件11和12至內(nèi)部電路7的電連接，由此信號線8能 布置在保護(hù)元件12上方，并且進(jìn)一步布置在保護(hù)元件11上方。因此，即使信號線數(shù)增加， 也不需要增加芯片面積。更特別地，因?yàn)樵诒Ｗo(hù)元件12上方提供一個(gè)由信號線8所占用的信號線區(qū)域10，所以不必增加芯片面積。因此，在信號線數(shù)相同的條件下，通過應(yīng)用本發(fā)明，能減小在半導(dǎo)體芯片的主表面上的布線區(qū)域，特別是具有多輸出結(jié)構(gòu)的LCD驅(qū)動(dòng)器的半導(dǎo)體芯片主表面之內(nèi)占用的信號 線區(qū)域。雖然以上通過其實(shí)施例具體地描述了本發(fā)明，但是不用說本發(fā)明不限于以上實(shí)施 例，而是在不違反本發(fā)明的精神的范圍下，可以進(jìn)行各種改變。雖然在以上描述中本發(fā)明主要應(yīng)用于LCD驅(qū)動(dòng)器，它作為本發(fā)明的背景屬于應(yīng)用 領(lǐng)域，但是對此不作限制。例如，本發(fā)明也可應(yīng)用于具有如SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)或 閃速存儲(chǔ)器(EEPR0M 電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器)這樣的存儲(chǔ)電路的半導(dǎo)體器件，或應(yīng)用 于一種在同一襯底上具有存儲(chǔ)電路和邏輯電路兩者的組合型的半導(dǎo)體器件。雖然第一實(shí)施例所示的半導(dǎo)體器件是四層的布線襯底，但是對其不作限制，而是 本發(fā)明也可應(yīng)用于具有較大布線層數(shù)的半導(dǎo)體器件。此外，雖然在第一實(shí)施例中，虛設(shè)線與內(nèi)部電路和保護(hù)元件中的任何一個(gè)都不電 連接，也就是，虛設(shè)線整個(gè)是虛設(shè)的并且處于浮動(dòng)狀態(tài)，它們可以由內(nèi)部電路中布線的一部 分來形成。本發(fā)明可廣泛用于半導(dǎo)體制造工業(yè)。
權(quán)利要求
一種半導(dǎo)體器件，包括矩形形狀的半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底具有第一長邊，與所述第一長邊相對的第二長邊，第一短邊以及與所述第一短邊相對的第二短邊；多個(gè)第一突起，形成在所述半導(dǎo)體襯底上方并且沿著所述第一長邊安置；多個(gè)第二突起，形成在所述半導(dǎo)體襯底上方并且沿著所述第二長邊安置；多個(gè)布線，形成在所述第一突起下方；以及多個(gè)虛設(shè)布線，形成在所述第一突起下方并且與所述布線形成在同一層，其中安置在所述第一短邊或者所述第二短邊附近的所述虛設(shè)布線的數(shù)目大于安置在所述第一長邊的中心部分附近的所述虛設(shè)布線的數(shù)目。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述半導(dǎo)體器件是液晶顯示驅(qū)動(dòng)器芯片。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件， 其中所述第一突起是輸出突起，以及 其中所述第二突起是輸入突起。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中將所述第一突起安置為在平面圖中形成Z字形。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件， 其中所述虛設(shè)布線是浮動(dòng)狀態(tài)。
6.一種半導(dǎo)體器件，包括矩形形狀的半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底具有第一長邊，與所述第一長邊相對的第二 長邊，第一短邊以及與所述第一短邊相對的第二短邊；多個(gè)第一突起，形成在所述半導(dǎo)體襯底上方并且沿著所述第一長邊安置； 多個(gè)第二突起，形成在所述半導(dǎo)體襯底上方并且沿著所述第二長邊安置； 多個(gè)布線，形成在所述第一突起下方；多個(gè)虛設(shè)布線，形成在所述第一突起下方并且與所述布線形成在同一層； 多個(gè)保護(hù)元件，形成在所述半導(dǎo)體襯底上，與所述布線電連接并且在平面圖中安置在 所述第一突起下方，其中所述虛設(shè)布線不與保護(hù)元件電連接，以及其中安置在所述第一短邊或者所述第二短邊附近的所述虛設(shè)布線的數(shù)目大于安置在 所述第一長邊的中心部分附近的所述虛設(shè)布線的數(shù)目。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其中所述半導(dǎo)體器件是液晶顯示驅(qū)動(dòng)器芯片。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件， 其中所述第一突起是輸出突起，以及 其中所述第二突起是輸入突起。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其中將所述第一突起安置為在平面圖中形成Z字形。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件， 其中所述虛設(shè)布線是浮動(dòng)狀態(tài)。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件， 其中所述保護(hù)元件是PN結(jié)二極管。
全文摘要
將提供從內(nèi)部電路至保護(hù)元件的電連接的信號線，從在保護(hù)元件之間布置的布線上形成的輸出端口引出，并且在保護(hù)元件上方及在電極焊盤下方提供由信號線所占用的信號線區(qū)域，其中內(nèi)部電路形成在一個(gè)半導(dǎo)體芯片的主表面上并且包括例如MIS晶體管，保護(hù)元件例如由二極管構(gòu)成。在不增加芯片面積的情況下，能擴(kuò)大半導(dǎo)體芯片的主表面上的布線區(qū)域。
文檔編號H01L23/528GK101807573SQ20101014239
公開日2010年8月18日 申請日期2006年2月14日 優(yōu)先權(quán)日2005年2月15日
發(fā)明者樋口和久, 鈴木進(jìn)也 申請人:株式會(huì)社瑞薩科技