專利名稱：制造半導(dǎo)體器件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造工藝領(lǐng)域，尤其涉及一種制造半導(dǎo)體器件的方法。
背景技術(shù)：
隨著深亞微米半導(dǎo)體(De印Sub-micron Semiconductor)技術(shù)的發(fā)展，設(shè)計(jì)和制造的半導(dǎo)體器件尺寸和包括擊穿電壓在內(nèi)的電路參數(shù)越來越小，而相應(yīng)影響半導(dǎo)體器件的性能的因素也就越來越多。其中，由于銅從金屬層中擴(kuò)散而引起的金屬層擊穿電壓降低或失效成為影響半導(dǎo)體器件性能的一個(gè)重要因素。圖IA是半導(dǎo)體器件布線層的結(jié)構(gòu)圖。如圖IA所示，其中，摻雜氮的碳化硅 (Nitrogen dopped Silicon Carbite，NDC)層103A與前端器件層105A之間有低介電材料 (例如，應(yīng)用材料公司推出的Black Diamond材料)層102A和銅金屬層101A。為防止銅從金屬層中擴(kuò)散而影響所制造的半導(dǎo)體器件的性能，需要確保低介電材料層102A和摻雜氮的碳化硅層103A及銅金屬層101A和摻雜氮的碳化硅層103A間的粘著層完整，并處于良好的粘著狀態(tài)。但在一般情況下，半導(dǎo)體制造環(huán)境中會(huì)存在一定量的包括揮發(fā)性化合物(VolatileOrganic Compound, V0C)在內(nèi)的易于附著在晶圓表面的物質(zhì)。當(dāng)這些揮發(fā)性化合物附著在晶圓表面時(shí)，它們會(huì)破壞低介電材料層102A和摻雜氮的碳化硅層103A及銅金屬層101A和摻雜氮的碳化硅層103A間之間的粘著面104A，這樣銅金屬層 101A中的銅原子就會(huì)容易擴(kuò)散到被破壞的低介電材料層102A和摻雜氮的碳化硅層間的粘著面104A中，進(jìn)而可能將相鄰的銅金屬層101A連接在一起，從而對(duì)所制造的半導(dǎo)體器件的電路參數(shù)帶來不利影響，此時(shí)，低介電材料層102A和摻雜氮的碳化硅層間的粘著面104A也稱為弱點(diǎn)(Weak Point)。因此就必須控制半導(dǎo)體器件制造環(huán)境中的揮發(fā)性化合物的含量， 來使低介電材料層102A和摻雜氮的碳化硅層103A及銅金屬層101A和摻雜氮的碳化硅層 103A間之間的粘著層完整，并處于良好的粘著狀態(tài)。圖IB是現(xiàn)有技術(shù)對(duì)同一測試半導(dǎo)體器件在不同工藝下的擊穿電壓韋伯分布圖。 如圖IB所示，其中，橫坐標(biāo)為擊穿電壓，單位為V，縱坐標(biāo)為揮發(fā)性化合物的含量，單位為 ppbv (Parts of Contaminant Per Billion Partsof Vapor), IB ^^^ΜΜΞ.^ ^JETj 形、菱形和交叉線所標(biāo)示出來的韋伯概率分布點(diǎn)分別代表不同的工藝條件，由于本發(fā)明不涉及具體的半導(dǎo)體制造工藝條件，因此不對(duì)這些工藝條件做詳細(xì)解釋。由圖IB可以看出， 半導(dǎo)體器件的擊穿電壓的韋伯分布圖中，存在大量低于80V的擊穿電壓值的概率分布，而對(duì)于所制造的半導(dǎo)體器件來說，擊穿電壓越高，半導(dǎo)體器件的性能就越好。因此，半導(dǎo)體制造工藝環(huán)境中的揮發(fā)性化合物的含量對(duì)所制造的半導(dǎo)體器件的性能有很大影響?，F(xiàn)有技術(shù)通過控制整個(gè)半導(dǎo)體器件制造環(huán)境中的揮發(fā)性化合物的含量，來減小半導(dǎo)體器件制造過程中的揮發(fā)性化合物對(duì)所制造的半導(dǎo)體器件的性能的影響。采用這種方式，不僅揮發(fā)性化合物的含量很難控制并保持穩(wěn)定，而且極大地提高了生產(chǎn)成本。因此，需要一種制造半導(dǎo)體器件的方法，來減小半導(dǎo)體器件制造過程中的揮發(fā)性化合物對(duì)所制造的半導(dǎo)體器件的性能的影響。

發(fā)明內(nèi)容
在發(fā)明內(nèi)容部分中引入了一系列簡化形式的概念，這將在具體實(shí)施方式
部分中進(jìn)一步詳細(xì)說明。本發(fā)明的發(fā)明內(nèi)容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護(hù)的技術(shù)方案的保護(hù)范圍。為解決半導(dǎo)體器件制造過程中的揮發(fā)性化合物對(duì)所制造的半導(dǎo)體器件的性能的影響的問題，提高所制造的半導(dǎo)體器件的性能，本發(fā)明提供了一種制造半導(dǎo)體器件的方法， 所述方法包括以下步驟在前端器件層上的低介電材料層中形成出露所述前端器件層的溝槽，在所述溝槽內(nèi)以及所述低介電材料層表面形成銅金屬層；對(duì)所述銅金屬層進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光處理，出露所述低介電材料層；
對(duì)所述低介電材料層進(jìn)行表面致密處理；在所述銅金屬層和所述低介電材料層上形成摻雜氮的碳化硅層。進(jìn)一步的，所述表面致密處理選自02等離子體清洗處理、O3等離子清洗處理、N2O 等離子體清洗處理中的至少一種。進(jìn)一步的，通過化學(xué)氣相沉積在所述銅金屬層和所述低介電材料層上形成摻雜氮的碳化硅層。進(jìn)一步的，所述表面致密處理與所述化學(xué)氣相沉積的間隔時(shí)間控制在2個(gè)小時(shí)以內(nèi)。進(jìn)一步的，所述A等離子體清洗處理包括使用軟凝聚態(tài)常溫A等離子體進(jìn)行清洗處理。進(jìn)一步的，所述A等離子體通過高頻放電法產(chǎn)生。進(jìn)一步的，所述高頻放電法包括通過源功率控制等離子體反應(yīng)室中的離子濃度，所述等離子體反應(yīng)室的溫度為 15°C至35°C，所述等離子體反應(yīng)室的壓力為5mt至50mt，所述等離子體反應(yīng)室中的氧氣的流量為10標(biāo)準(zhǔn)立方厘米/分鐘至100標(biāo)準(zhǔn)立方厘米/分鐘，氦氣的流量為50標(biāo)準(zhǔn)立方厘米/分鐘至500標(biāo)準(zhǔn)立方厘米/分鐘。進(jìn)一步的，所述等離子體反應(yīng)室的溫度為25°C，所述等離子體反應(yīng)室的壓力為 25mt，所述等離子體反應(yīng)室中的氧氣的流量為55標(biāo)準(zhǔn)立方厘米/分鐘，氦氣的流量為275 標(biāo)準(zhǔn)立方厘米/分鐘。根據(jù)本發(fā)明的方法可以有效解決半導(dǎo)體器件制造過程中的揮發(fā)性化合物對(duì)所制造的半導(dǎo)體器件的性能的影響的問題，節(jié)約半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)成本，使所制造的半導(dǎo)體器件的質(zhì)量易于控制，提高所制造的半導(dǎo)體器件的性能。


本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實(shí)施例及其描述，用來解釋本發(fā)明的原理。在附圖中，圖IA是半導(dǎo)體器件布線層的結(jié)構(gòu)圖；圖IB是現(xiàn)有技術(shù)對(duì)同一測試半導(dǎo)體器件在不同工藝下的擊穿電壓韋伯分布圖；圖2A是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的制造半導(dǎo)體器件的方法的流程圖2B是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的制造半導(dǎo)體器件的方法的在前端器件層上的低介電材料層上形成銅金屬層后的半導(dǎo)體器件布線層的結(jié)構(gòu)圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的制造半導(dǎo)體器件的方法的對(duì)同一測試半導(dǎo)體器件在不同工藝下的擊穿電壓韋伯分布圖。
具體實(shí)施例方式在下文的描述中，給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對(duì)本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說顯而易見的是，本發(fā)明可以無需一個(gè)或多個(gè)這些細(xì)節(jié)而得以實(shí)施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對(duì)于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進(jìn)行描述。為了徹底了解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳細(xì)的步驟，以便說明本發(fā)明是如何解決半導(dǎo)體器件制造過程中的揮發(fā)性化合物對(duì)所制造的半導(dǎo)體器件的性能的影響的問題。顯然，本發(fā)明的施行并不限定于半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)人員所熟習(xí)的特殊細(xì)節(jié)。本發(fā)明的較佳實(shí)施例詳細(xì)描述如下，然而除了這些詳細(xì)描述外，本發(fā)明還可以具有其他實(shí)施方式。為了克服半導(dǎo)體器件制造過程中的揮發(fā)性化合物對(duì)所制造的半導(dǎo)體器件的性能的影響，并節(jié)約生產(chǎn)成本，本發(fā)明提出了一種制造半導(dǎo)體器件的方法來克服這一問題。圖2A是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的制造半導(dǎo)體器件的方法的流程圖，圖2B是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的制造半導(dǎo)體器件的方法的在前端器件層上的低介電材料層上形成銅金屬層后的半導(dǎo)體器件布線層的結(jié)構(gòu)圖，同時(shí)參考圖IA所示的半導(dǎo)體器件布線層的結(jié)構(gòu)圖。如圖1A、圖2A和圖2B所示，本實(shí)施例的方法可以包括步驟201在前端器件層105A上的低介電材料層102A中形成出露前端器件層105A 的溝槽，在溝槽內(nèi)以及低介電材料層102A表面形成銅金屬層101A。由于本發(fā)明并不涉及具體的溝槽和銅金屬層IOlA的形成過程，因此為了防止與本發(fā)明產(chǎn)生混淆，不對(duì)具體的溝槽和銅金屬層IOlA的形成過程進(jìn)行詳細(xì)描述。步驟202對(duì)銅金屬層IOlA進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光處理，出露低介電材料層102A。具體來說，在半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)過程中，為使晶圓或其他襯底材料表面平坦化以提高晶圓或其他襯底材料表面的平整度，進(jìn)而便于后續(xù)半導(dǎo)體器件制造工藝環(huán)節(jié)的進(jìn)行， 需要對(duì)晶圓或其他襯底材料進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光(Chemical-Mechanical Planarization, CMP)處理。對(duì)銅金屬層IOlA進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光處理，可以使銅金屬層表面平坦化，去除多余的雜質(zhì)，并且出露低介電材料層102A，以便于后續(xù)半導(dǎo)體器件制造工藝環(huán)節(jié)的進(jìn)行。由于本發(fā)明并不涉及具體的化學(xué)機(jī)械拋光處理過程，因此為了防止與本發(fā)明產(chǎn)生混淆，不對(duì)具體的化學(xué)機(jī)械拋光處理過程進(jìn)行詳細(xì)描述。步驟203對(duì)低介電材料層102A進(jìn)行表面致密處理。具體來說，為了減小半導(dǎo)體器件制造環(huán)境中的揮發(fā)性化合物對(duì)半導(dǎo)體器件的影響，本發(fā)明不去設(shè)法減小半導(dǎo)體器件制造環(huán)境中的揮發(fā)性化合物含量。而是在半導(dǎo)體器件的制造過程中，通過減小半導(dǎo)體器件制造環(huán)境中的揮發(fā)性化合物在半導(dǎo)體器件的低介電材料層102A表面的附著能力，來減小半導(dǎo)體器件制造環(huán)境中的揮發(fā)性化合物對(duì)半導(dǎo)體器件的影響。通過對(duì)低介電材料層102A進(jìn)行表面致密處理，可以將低介電材料層102A的表面由疏松多孔結(jié)構(gòu)變?yōu)橹旅芙Y(jié)構(gòu)。這種致密結(jié)構(gòu)是通過致密處理，在低介電材料層102A的表面生成結(jié)構(gòu)致密的S^2層實(shí)現(xiàn)的。通過這種致密結(jié)構(gòu)，可以有效降低半導(dǎo)體器件制造環(huán)境中的揮發(fā)性化合物在低介電材料層102A表面的附著能力。因此就可以有效地減少低介電材料層102A表面附著的揮發(fā)性化合物，進(jìn)而銅金屬層IOlA中的銅原子就不容易擴(kuò)散到低介電材料層102A和摻雜氮的碳化硅層103A間的粘著面104A中，相鄰的銅金屬層IOlA就能良好地彼此隔絕，從而有效地提高所制造的半導(dǎo)體器件的電路參數(shù)。表面致密處理可以選擇&等離子體清洗處理、O3等離子清洗處理和N2O等離子體清洗處理等處理方式或幾種上述不同等離子體混合處理的方式進(jìn)行。需要進(jìn)行說明的是， 雖然本發(fā)明以上述清洗處理方式為例進(jìn)行了說明，但本發(fā)明并不局限于此，只要能使低介電材料層102A表面生成結(jié)構(gòu)致密的SW2層的清洗處理方式都應(yīng)納入本發(fā)明的范圍。步驟204在銅金屬層IOlA和低介電材料層102A上形成摻雜氮的碳化硅層103A。具體來說，在銅金屬層IOlA和經(jīng)過表面致密處理的低介電材料層102A上形成摻雜氮的碳化硅層103A的過程中。由于經(jīng)過表面致密處理的低介電材料層102A的表面有結(jié)構(gòu)致密的SiO2層，而揮發(fā)性化合物很難附著在結(jié)構(gòu)致密的SiO2層上。因此低介電材料層 102A和摻雜氮的碳化硅層103A間的粘著面104A就不會(huì)因?yàn)楦街袚]發(fā)性化合物，造成銅原子的擴(kuò)散而形成弱點(diǎn)。從而也就可以保證相鄰的銅金屬層IOlA能夠良好地彼此隔絕，從而有效地提高所制造的半導(dǎo)體器件的電路參數(shù)。優(yōu)選地，可通過化學(xué)氣相沉積(chemical vapor exposition，CVD)在銅金屬層 IOlA和低介電材料層102A上形成摻雜氮的碳化硅層103A。因?yàn)楸景l(fā)明并不涉及具體地化學(xué)氣相沉積過程，因此為防止與本發(fā)明產(chǎn)生混淆，不對(duì)化學(xué)氣相沉積的具體過程進(jìn)行詳細(xì)說明。優(yōu)選地，表面致密處理與化學(xué)氣相沉積的間隔時(shí)間控制在2個(gè)小時(shí)以內(nèi)?，F(xiàn)有技術(shù)在對(duì)銅金屬層IOlA進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光處理后到化學(xué)氣相沉積間的時(shí)間間隔必須控制在半小時(shí)以內(nèi)，否則會(huì)有大量的揮發(fā)性化合物附著在低介電材料層102A表面。由于通過本發(fā)明的方法對(duì)低介電材料層102A進(jìn)行表面致密處理后，使得揮發(fā)性化合物很難附著在低介電材料層102A表面。因而本發(fā)明的表面致密處理與化學(xué)氣相沉積的間隔時(shí)間可以延長至 2個(gè)小時(shí)以內(nèi)。也就是說，通過采用本發(fā)明的方法，可以延長半導(dǎo)體器件制造過程中的化學(xué)機(jī)械拋光處理到化學(xué)氣相沉積間的時(shí)間間隔，可以使化學(xué)氣相沉積工序的準(zhǔn)備時(shí)間延長， 有利于提高所制造的半導(dǎo)體器件的性能。本實(shí)施例的方法在半導(dǎo)體器件制造過程中，可以有效降低半導(dǎo)體器件制造過程中的揮發(fā)性化合物對(duì)所制造的半導(dǎo)體器件的性能的影響。并且不需減小半導(dǎo)體器件生產(chǎn)環(huán)境中的揮發(fā)性化合物的含量。相比現(xiàn)有技術(shù)來說，可以有效地降低生產(chǎn)成本，使所制造的半導(dǎo)體器件的質(zhì)量易于控制，有效地提高所制造的半導(dǎo)體器件的性能。優(yōu)選地，在上述步驟203中使用&等離子體清洗處理方法進(jìn)行表面致密處理時(shí)， 可選擇使用軟凝聚態(tài)常溫A等離子體進(jìn)行清洗處理。具體來說，由于軟凝聚態(tài)常溫A等離子體的清洗處理效果要優(yōu)于其他清洗處理方式，因此采用軟凝聚態(tài)常溫A等離子體進(jìn)行清洗處理，可以有效地提高清洗處理的效率。為對(duì)O2等離子體進(jìn)行清洗處理進(jìn)行更好地說明，現(xiàn)以通過高頻放電(High Frequency Discharge)法產(chǎn)生O2等離子體為例進(jìn)行詳細(xì)說明。需要說明的是，雖然本實(shí)施例以高頻放電法為例進(jìn)行詳細(xì)說明，但本發(fā)明并不局限于此，通過直流放電、輝光放電、電弧放電等方法產(chǎn)生A等離子體的實(shí)施方式也應(yīng)納入本發(fā)明的范圍。具體地，在采用高頻放電法產(chǎn)生O2等離子體時(shí)，通過高頻放電等離子體反應(yīng)室的源功率控制等離子體反應(yīng)室中的離子濃度，等離子體反應(yīng)室的溫度為15°C至35°C，這個(gè)溫度范圍可以有效地提高清洗效率。等離子體反應(yīng)室的壓力為5mt (毫托爾，1托爾=133.3 帕斯卡)至50mt，這個(gè)壓力范圍可以有效地保證反應(yīng)的正常進(jìn)行的前提下，提高清洗效率， 等離子體反應(yīng)室中的氧氣的流量為10標(biāo)準(zhǔn)立方厘米/分鐘至100標(biāo)準(zhǔn)立方厘米/分鐘，氦氣的流量為50標(biāo)準(zhǔn)立方厘米/分鐘至500標(biāo)準(zhǔn)立方厘米/分鐘。采用以上技術(shù)參數(shù)進(jìn)行 02等離子體清洗的效率高，清洗效果較優(yōu)。優(yōu)選地，高頻放電等離子體反應(yīng)室的溫度為25°C，等離子體反應(yīng)室的壓力為 25mt，等離子體反應(yīng)室中的氧氣的流量為55標(biāo)準(zhǔn)立方厘米/分鐘，氦氣的流量為275標(biāo)準(zhǔn)立方厘米/分鐘。采用以上技術(shù)參數(shù)進(jìn)行A等離子體清洗的效率最高，清洗效果最優(yōu)。圖3是根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的制造半導(dǎo)體器件的方法的對(duì)同一測試半導(dǎo)體器件在不同工藝下的擊穿電壓韋伯分布圖。如圖3所示，其中，橫坐標(biāo)為擊穿電壓，單位為 V，縱坐標(biāo)為揮發(fā)性化合物的含量，單位為ppbv，圖3中的一系列菱形和交叉線所標(biāo)示出來的概率分布點(diǎn)分別代表不同的工藝條件，由于本發(fā)明不涉及具體的半導(dǎo)體制造工藝條件， 因此不對(duì)這些工藝條件進(jìn)行詳細(xì)解釋。由圖3可以看出，采用本發(fā)明的方法，半導(dǎo)體器件的擊穿電壓的韋伯分布圖中的擊穿電壓值的概率分布均高于80V，而對(duì)與半導(dǎo)體器件來說，擊穿電壓越高，半導(dǎo)體器件的性能就越好。因此，本優(yōu)選實(shí)施例有效地克服了半導(dǎo)體器件制造過程中的揮發(fā)性化合物對(duì)所制造的半導(dǎo)體器件的性能的影響。本發(fā)明的方法在半導(dǎo)體器件制造過程中，可以有效降低半導(dǎo)體器件制造過程中的揮發(fā)性化合物對(duì)所制造的半導(dǎo)體器件的性能的影響。并且在提高所制造的半導(dǎo)體器件的性能的同時(shí)，不需減小半導(dǎo)體器件生產(chǎn)環(huán)境中的揮發(fā)性化合物的含量，相比現(xiàn)有技術(shù)來說，可以有效地降低生產(chǎn)成本，使所制造的半導(dǎo)體器件的質(zhì)量易于控制，有效地提高所制造的半導(dǎo)體器件的性能。本發(fā)明已經(jīng)通過上述實(shí)施例進(jìn)行了說明，但應(yīng)當(dāng)理解的是，上述實(shí)施例只是用于舉例和說明的目的，而非意在將本發(fā)明限制于所描述的實(shí)施例范圍內(nèi)。此外本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施例，根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)還可以做出更多種的變型和修改，這些變型和修改均落在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍以內(nèi)。本發(fā)明的保護(hù)范圍由附屬的權(quán)利要求書及其等效范圍所界定。
權(quán)利要求
1.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟在前端器件層上的低介電材料層中形成出露所述前端器件層的溝槽，在所述溝槽內(nèi)以及所述低介電材料層表面形成銅金屬層；對(duì)所述銅金屬層進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光處理，出露所述低介電材料層；對(duì)所述低介電材料層進(jìn)行表面致密處理；在所述銅金屬層和所述低介電材料層上形成摻雜氮的碳化硅層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述表面致密處理選自02等離子體清洗處理、O3等離子清洗處理、N2O等離子體清洗處理中的至少一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，通過化學(xué)氣相沉積在所述銅金屬層和所述低介電材料層上形成摻雜氮的碳化硅層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述表面致密處理與所述化學(xué)氣相沉積的間隔時(shí)間控制在2個(gè)小時(shí)以內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述&等離子體清洗處理包括使用軟凝聚態(tài)常溫A等離子體進(jìn)行清洗處理。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述&等離子體通過高頻放電法產(chǎn)生。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述高頻放電法包括通過源功率控制等離子體反應(yīng)室中的離子濃度，所述等離子體反應(yīng)室的溫度為15°C至 35°C，所述等離子體反應(yīng)室的壓力為5mt至50mt，所述等離子體反應(yīng)室中的氧氣的流量為 10標(biāo)準(zhǔn)立方厘米/分鐘至100標(biāo)準(zhǔn)立方厘米/分鐘，氦氣的流量為50標(biāo)準(zhǔn)立方厘米/分鐘至500標(biāo)準(zhǔn)立方厘米/分鐘。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述等離子體反應(yīng)室的溫度為25°C，所述等離子體反應(yīng)室的壓力為25mt，所述等離子體反應(yīng)室中的氧氣的流量為55標(biāo)準(zhǔn)立方厘米/ 分鐘，氦氣的流量為275標(biāo)準(zhǔn)立方厘米/分鐘。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括在前端器件層上的低介電材料層中形成出露所述前端器件層的溝槽，在所述溝槽內(nèi)以及所述低介電材料層表面形成銅金屬層，對(duì)所述銅金屬層進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光處理，出露所述低介電材料層，對(duì)所述低介電材料層進(jìn)行表面致密處理，在所述銅金屬層和所述低介電材料層上形成摻雜氮的碳化硅層。根據(jù)本發(fā)明的方法能夠有效解決半導(dǎo)體器件制造過程中的揮發(fā)性化合物對(duì)所制造的半導(dǎo)體器件的性能的影響的問題，節(jié)約半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)成本，提高所制造的半導(dǎo)體器件的性能。
文檔編號(hào)H01L21/768GK102194737SQ20101013183
公開日2011年9月21日 申請(qǐng)日期2010年3月15日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月15日
發(fā)明者符雅麗, 韓秋華 申請(qǐng)人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司