技術(shù)編號(hào)：6942311
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造工藝領(lǐng)域，尤其涉及一種。 背景技術(shù)隨著深亞微米半導(dǎo)體(De印Sub-micron Semiconductor)技術(shù)的發(fā)展，設(shè)計(jì)和制造的半導(dǎo)體器件尺寸和包括擊穿電壓在內(nèi)的電路參數(shù)越來越小，而相應(yīng)影響半導(dǎo)體器件的性能的因素也就越來越多。其中，由于銅從金屬層中擴(kuò)散而引起的金屬層擊穿電壓降低或失效成為影響半導(dǎo)體器件性能的一個(gè)重要因素。圖IA是半導(dǎo)體器件布線層的結(jié)構(gòu)圖。如圖IA所示，其中，摻雜氮的碳化硅 (Nitrogen dopped Sili...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。