專利名稱：吸盤及其承片臺(tái)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光刻設(shè)備的固定裝置，且特別涉及一種用于光刻設(shè)備中的晶片承載裝置，如包括有吸盤的承片臺(tái)。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)中的光刻設(shè)備，主要用于集成電路IC或其它微型器件的制造。通過光刻設(shè)備，具有不同掩模圖案的多層掩模在精確對(duì)準(zhǔn)下依次成像在涂覆有光刻膠的晶片上，例如半導(dǎo)體晶片或LCD液晶面板。光刻設(shè)備是一種將掩模圖案曝光成像到晶片上的設(shè)備。已知的光刻設(shè)備包括步進(jìn)重復(fù)式和步進(jìn)掃描式。不論哪種光刻設(shè)備，需具有相應(yīng)的裝置作為掩模版和晶片的載體，裝載有掩模版/晶片的載體產(chǎn)生精確的相互運(yùn)動(dòng)來滿足光刻需要。上述掩模版的載體被稱之為承版臺(tái)，晶片的載體被稱之為承片臺(tái)。承版臺(tái)和承片臺(tái)分別位于光刻設(shè)備的掩模臺(tái)分系統(tǒng)和工件臺(tái)分系統(tǒng)中，為上述分系統(tǒng)的核心模塊。在承版臺(tái)和承片臺(tái)的相互運(yùn)動(dòng)中，須保證掩模版和晶片始終被可靠地定位，也即上述掩模版和晶片的六個(gè)自由度皆被限制住。在承片臺(tái)模塊中，直接用于定位且夾持晶片的裝置稱之為吸盤，吸盤又被定位且夾持在承片臺(tái)模塊的核心部件方鏡上表面，方鏡由一系列驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)，可產(chǎn)生多個(gè)自由度的運(yùn)動(dòng)，從而完成對(duì)承片臺(tái)模塊的位置調(diào)整，使晶片完成調(diào)平調(diào)焦的要求。已知技術(shù)采用真空吸附的方法使晶片定位，在美國(guó)專利US6257564B1，US6664549B2, US200910027649A1,中國(guó)專利200510113862. 6A中均有提出采用真空吸附的方式使晶片定位在吸盤上表面，提出了吸盤上表面若干形態(tài)的分布，以優(yōu)化在真空吸附時(shí)對(duì)晶片產(chǎn)生的變形、熱應(yīng)力等影響。但現(xiàn)有的專利或其他文獻(xiàn)資料中并未涉及吸盤下表面的結(jié)構(gòu)，對(duì)于優(yōu)化吸盤下表面結(jié)構(gòu)以更加精確可靠地定位晶片未有明確描述。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提出一種應(yīng)用于光刻設(shè)備的晶片承載裝置，以使得晶片更均勻地吸附在吸盤表面上，以更精確可靠地定位晶片。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明之其中之一技術(shù)方案提出一種吸盤，位于光刻設(shè)備中的承片臺(tái)中，所述吸盤具有上表面和下表面，所述吸盤的上表面用于承載晶片，所述吸盤的下表面包括下表面密封邊緣凸起，圍繞設(shè)置在所述吸盤下表面的邊緣；多個(gè)中空環(huán)形凸起， 設(shè)置在吸盤的下表面密封邊緣凸起所圍設(shè)的區(qū)域之內(nèi)并與所述吸盤共圓心，每一中空環(huán)形凸起內(nèi)開設(shè)有未貫穿吸盤上下表面的環(huán)形腔，其中，至少其中之一的中空環(huán)形凸起的環(huán)形腔設(shè)有真空連通區(qū)域；多個(gè)徑向凸起，每一徑向凸起沿所述吸盤的徑向設(shè)置并連接所述設(shè)有真空連通區(qū)域的中空環(huán)形凸起至其他一些中空環(huán)形凸起，每一徑向凸起內(nèi)開設(shè)有未貫穿吸盤上下表面的徑向空腔，以與各個(gè)中空環(huán)形凸起內(nèi)的環(huán)形腔相互連通；以及多個(gè)真空通孔，位于每一環(huán)形腔內(nèi)并貫穿所述吸盤的上下表面。相比較現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明由于采用了具有徑向空腔的徑向凸起，其連接所述設(shè)有真空連通區(qū)域的中空環(huán)形凸起至其他一些中空環(huán)形凸起，以此方式真空能快速地建立至吸盤的大部分面積，使得真空通過各個(gè)中空環(huán)形凸起中的環(huán)形腔內(nèi)的真空通孔導(dǎo)向吸盤上表面以吸附晶片的吸附效果更具均勻性，有利于更精確可靠地定位晶片。本發(fā)明之另一技術(shù)方案提出一種承片臺(tái)，其用于光刻設(shè)備中，所述承片臺(tái)包括吸盤和方鏡，吸盤具有上表面和下表面，吸盤上表面用以承載晶片，吸盤下表面置于方鏡上表面上，其吸盤下表面包括下表面密封邊緣凸起，圍繞設(shè)置在所述吸盤下表面的邊緣；以及多個(gè)真空通孔，設(shè)置在吸盤的下表面密封邊緣凸起所圍設(shè)的區(qū)域之內(nèi)并貫穿所述吸盤的上下表面。相比較現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明由于在吸盤下表面設(shè)置下表面密封邊緣凸起以及真空孔，以使真空通過真空通孔導(dǎo)向吸盤上表面以使得吸附晶片的吸附效果更具均勻性，有利于更精確可靠地定位晶片。


圖Ia是承片臺(tái)模塊承載晶片的結(jié)構(gòu)示意圖；圖Ib是圖Ia中的承片臺(tái)模塊的分解示意圖；圖加所示為本發(fā)明第一實(shí)施例中的吸盤上表面結(jié)構(gòu)示意圖；圖2b所示為本發(fā)明第一實(shí)施例中的吸盤下表面結(jié)構(gòu)示意圖；圖3所示為本發(fā)明第二實(shí)施例中的吸盤下表面結(jié)構(gòu)示意圖；圖如為第一實(shí)施例或第二實(shí)施例中的支撐凸起的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4b為第一實(shí)施例或第二實(shí)施例中的支撐凸起的分布示意圖；圖5為本發(fā)明第二實(shí)施例中吸盤以機(jī)械夾持方式初步定位的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式為了更了解本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容，特舉具體實(shí)施例并配合所附圖式說明如下。圖Ia是承片臺(tái)模塊承載晶片的結(jié)構(gòu)示意圖。承片臺(tái)模塊主要包括吸盤101和方鏡102，其中吸盤101上承載晶片103，吸盤101 為圓形，由真空、靜電吸附或其他方式固定在方鏡102上。方鏡102上表面主要用于承載吸盤101以及晶片103，其下表面連接了調(diào)整其位姿的多自由度執(zhí)行器，從而完成對(duì)晶片103 的定位。圖Ib是圖Ia中的承片臺(tái)模塊的分解示意圖。本發(fā)明基于真空吸附的原理，方鏡102的上表面具有第一真空口 11 和第二真空口 114b、114c，方鏡102上表面所需的真空皆由下表面的多自由度執(zhí)行器連通。本發(fā)明中方鏡102的材料可以為SiC陶瓷或微晶玻璃，吸盤101的材料可以為SiC陶瓷或微晶玻璃或其他熱膨脹系數(shù)小于5X10_7°C (25°C 500°C)的材料。吸盤101還包括第一預(yù)留孔106，第一預(yù)留孔106縱向貫穿吸盤101。對(duì)應(yīng)于第一預(yù)留孔106的位置處，方鏡102上方設(shè)置第二預(yù)留孔106’。在晶片定位的過程中，方鏡102 下方需要設(shè)置晶片交接裝置，晶片交接裝置接收晶片并將其放置在吸盤101上。晶片交接裝置具有3個(gè)針狀接收裝置，能夠自第一預(yù)留孔106和第二預(yù)留孔106’所預(yù)留出的通道進(jìn)行垂向運(yùn)動(dòng)。第一預(yù)留孔106、第二預(yù)留孔106’的個(gè)數(shù)與晶片交接裝置的結(jié)構(gòu)有關(guān)，圖Ib所示為是3個(gè)，在其他實(shí)施例中，亦可為4個(gè)。圖加所示為本發(fā)明第一實(shí)施例中的吸盤上表面結(jié)構(gòu)示意圖；圖2b所示為本發(fā)明第一實(shí)施例中的吸盤下表面結(jié)構(gòu)示意圖。請(qǐng)同時(shí)參考圖加和圖2b，吸盤101的厚度優(yōu)選5 8mm，其Rx/Ry向的剛度大于晶片Rx/Ry向剛度。本實(shí)施例采用雙通道的方案。所謂雙通道，即吸盤101的下表面分布有分別獨(dú)立的兩路真空，一路用于將吸盤101自身吸附在方鏡102的上表面，另一路用于將晶片103吸附在吸盤101的上表面。吸盤101的下表面IOlB包括下表面密封邊緣凸起110和下表面預(yù)留孔邊緣凸起 112。其中下表面預(yù)留孔邊緣凸起112包圍第一預(yù)留孔106的邊緣，隔離第一預(yù)留孔106。 下表面密封邊緣凸起110圍繞設(shè)置在吸盤101下表面的邊緣，下表面密封邊緣凸起110和下表面預(yù)留孔邊緣凸起112等高。當(dāng)吸盤101吸附在方鏡102上時(shí)，下表面密封邊緣凸起 110、吸盤101下表面、方鏡102上表面和下表面預(yù)留孔邊緣凸起112內(nèi)部形成第一空間。吸盤101的下表面IOlB包括第一區(qū)域113a，第一真空連通區(qū)域113a的位置對(duì)應(yīng)于第一真空口 114a，第一區(qū)域113a與第一空間連通。將吸盤101自身吸附在方鏡102的上表面的真空通道包括方鏡102上方的第一真空口 114a、第一真空口 11 連通的第一區(qū)域113a與第一空間。第一真空口 11 提供真空源，進(jìn)而在第一區(qū)域113a處形成真空，第一區(qū)域113a與第一空間連通，第一空間內(nèi)形成真空，進(jìn)而吸盤101吸附在方鏡上表面；此路真空即用于將吸盤101自身吸附在方鏡102的上表面。將晶片103吸附在吸盤101上表面的另外一路真空通道描述如下吸盤101的下表面IOlB具有多個(gè)中空環(huán)形凸起111，這些中空環(huán)形凸起111的半徑不同，設(shè)置在吸盤101的下表面密封邊緣凸起110所圍設(shè)的區(qū)域之內(nèi)并以所述吸盤 101的圓心為中心。吸盤101下表面還包括多個(gè)徑向凸起11，每個(gè)徑向凸起11沿所述吸盤101的徑向設(shè)置并連接與其同側(cè)的各個(gè)不同半徑的中空環(huán)形凸起111，即在吸盤101的左側(cè)設(shè)置的徑向凸起11連接左側(cè)的各個(gè)中空環(huán)形凸起；而在吸盤101的右側(cè)設(shè)置的徑向凸起Illd連接右側(cè)的各個(gè)中空環(huán)形凸起lllc、lllb、llla。每一中空環(huán)形凸起111內(nèi)開設(shè)有未貫穿吸盤上下表面的環(huán)形腔llla、lllb、lllc，每一徑向凸起11內(nèi)開設(shè)有未貫穿吸盤上下表面的徑向空腔llld、llle，徑向空腔IllcUllle與環(huán)形腔111a、111b、Illc相連通， 形成第二空間，使得真空從連通有第二真空口 114b (即為真空連通區(qū)域)的左側(cè)中空環(huán)形凸起111內(nèi)的環(huán)形腔Illa經(jīng)由徑向凸起11依次導(dǎo)入到其他左側(cè)中空環(huán)形凸起內(nèi)的環(huán)形腔lllb、lllc，并且真空也從連通有第二真空口 114c(即為真空連通區(qū)域)的右側(cè)中空環(huán)形凸起111內(nèi)的環(huán)形腔Illa經(jīng)由徑向凸起11依次導(dǎo)入到其他右側(cè)中空環(huán)形凸起內(nèi)的環(huán)形腔lllb、lllc，以此方式真空能快速地建立至吸盤的大部分面積，使得真空通過各個(gè)中空環(huán)形凸起中環(huán)形腔llla、lllb、lllc內(nèi)的真空通孔109 (以下將描述)導(dǎo)向吸盤101上表面以吸附晶片103的吸附效果更具均勻性，有利于更精確可靠地定位晶片。環(huán)形腔llla、lllb、 Illc內(nèi)的吸盤101包括有多個(gè)真空通孔109，這些真空通孔109貫穿吸盤101的上下表面， 將吸盤101下表面的真空輸送至吸盤101的上表面，也即輸送至晶片103的下表面，用于吸附晶片。中空環(huán)形凸起111、徑向凸起11與下表面密封邊緣凸起110、下表面預(yù)留孔邊緣凸起112等高，這些凸起寬度優(yōu)選0. 5 3mm，高度優(yōu)選0. 1 0. 5mm。環(huán)形腔111a、111b、Illc或空腔lllcUllle的位置對(duì)應(yīng)于第二真空口 114b、114c，用以在第二空間形成真空壓力腔。在其他一些實(shí)施例中，每個(gè)徑向凸起11可連接左側(cè)的連通有真空口 114a (對(duì)應(yīng)第一真空連通區(qū)域113a)的中空環(huán)形凸起111至其他中空環(huán)形凸起111，如在另外一側(cè)右側(cè)的中空環(huán)形凸起111，使得吸盤101的上表面IOlA包括上表面密封邊緣凸起104和上表面預(yù)留孔邊緣凸起 107。上表面預(yù)留孔邊緣凸起107包圍第一預(yù)留孔106的邊緣，用以隔離第一預(yù)留孔106。 上表面密封邊緣凸起104包圍吸盤101上表面的邊緣。至此，當(dāng)晶片103被吸附在吸盤101 的上表面時(shí)，吸盤101的上表面、晶片103下表面、上表面預(yù)留孔邊緣凸起107與上表面密封邊緣凸起104形成第三空間，第三空間與第二空間之間通過真空通孔109連通。由第二真空口 114b、114c所提供真空源，第二空間由真空通孔109連通至吸盤101的上表面，進(jìn)而， 真空在晶片103下表面、吸盤101上表面、上表面密封邊緣凸起104和上表面預(yù)留孔密封邊緣107之間形成，而將晶片103吸附在吸盤101上。具有本領(lǐng)域通常知識(shí)者應(yīng)當(dāng)能夠知道，如果在吸盤和方鏡上不設(shè)置第一和第二預(yù)留孔，則無需進(jìn)一步設(shè)置下表面預(yù)留孔邊緣凸起112和上表面預(yù)留孔邊緣凸起107，轉(zhuǎn)而考慮其他晶片的接收方式，例如是由反向吸附裝置直接將晶片放置在吸盤101的上表面。在本實(shí)施例中，第一真空口 11 和第二真空口 114b，IHc受不同控制器控制，獨(dú)立開啟或關(guān)閉。例如先開啟第一真空口 114a，以將吸盤101真空吸附在方鏡102上，再開啟第二真空口 114b，以吸附晶片103至吸盤101上方。為了將晶片103平穩(wěn)地支撐在吸盤101上表面，吸盤101上表面沿多個(gè)半徑不同的環(huán)形路徑105a、105b、105c等距設(shè)置多個(gè)支撐凸起108，這些支撐凸起108的高度相同， 直徑很小，間距也很小，這樣可以使晶片被吸附在支撐凸起上，由于晶片與支撐凸起的接觸面積小，且支撐凸起的間距小，晶片被真空吸附時(shí)的變形也小。優(yōu)選的，支撐凸起的直徑為 0. 1 1mm，間距為2 3mm，高度為0. 1 0. 4mm。為了使支撐凸起上表面具有一定耐磨性，可在其上表面鍍厚度小于Ium的耐磨涂層。支撐凸起的直徑和間距越小，對(duì)晶片變形的改善越明顯，支撐凸起的高度越低，吸盤對(duì)顆粒的敏感度越高。上表面的外側(cè)密封邊緣凸起104和上表面預(yù)留孔密封邊緣凸起 107的寬度優(yōu)選0.5mm。密封邊緣凸起與支撐凸起高度可以相等，亦可不等，不等值優(yōu)選為密封邊緣凸起的高度低于支撐凸起高度，高度差為支撐凸起高度的1/20 1/100，且控制在1 IOum內(nèi)。以上結(jié)構(gòu)參數(shù)與加工工藝和上表面的真空流量相關(guān)。本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠根據(jù)工藝參數(shù)的不同調(diào)整結(jié)構(gòu)參數(shù)。方鏡102上表面的第一真空口 11 和第二真空口 114b、114c，受不同的控制裝置進(jìn)行控制，例如第一真空口 IHa為常開，則吸盤101能夠長(zhǎng)期穩(wěn)固地吸附在方鏡102上，當(dāng)晶片103傳輸至吸盤101上方時(shí)，再開啟第二真空口 114b、114c，對(duì)晶片101進(jìn)行吸附。對(duì)于厚度為5 8mm的吸盤，其Rx/Ry向吸盤的剛度大于晶片的剛度，雙通道結(jié)構(gòu)有利于實(shí)現(xiàn)吸盤的連續(xù)夾持，不會(huì)使晶片產(chǎn)生二次變形而破壞其內(nèi)部結(jié)構(gòu)。圖3所示為本發(fā)明第二實(shí)施例中的吸盤下表面結(jié)構(gòu)示意圖。
本實(shí)施例為采用單通道的方案。所謂單通道是指在吸盤101下表面僅有一路真空，用于同時(shí)吸附晶片103和吸盤101之用。單通道吸盤的厚度優(yōu)選1 2mm，材料為SCHOTT 生產(chǎn)的微晶玻璃，其Rx/Ry向的剛度與晶片Rx/Ry向的剛度大致相同。單通道方案吸盤上表面形態(tài)與雙通道方案相同，本實(shí)施例僅描述與第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)不同之處。方鏡102上表面的第一真空口 IHa和第二真空口 114b、IHc在本實(shí)施例中均受同一控制器控制，同時(shí)開啟或關(guān)閉，因此以下均稱為真空口 114a、114b和lHc。吸盤101’的下表面101B’包括下表面密封邊緣凸起110’和下表面預(yù)留孔邊緣凸起112’。其中下表面預(yù)留孔邊緣凸起112’包圍第一預(yù)留孔106的邊緣，用以隔離第一預(yù)留孔106。下表面密封邊緣凸起110，包圍吸盤101，下表面的邊緣。當(dāng)吸盤101，定位在方鏡 102上時(shí)，下表面密封邊緣凸起110’、吸盤101’下表面、方鏡102上表面和下表面預(yù)留孔邊緣凸起107，內(nèi)部形成第四空間，第四空間與真空口 114a、114b和IHc連通。第四空間內(nèi)的吸盤101，還包括有多個(gè)真空通孔109，這些真空通孔109貫穿吸盤 101，的上下表面，將吸盤101，下表面的真空輸送至吸盤101，的上表面，也即輸送至晶片 103的下表面。真空腔在吸盤上表面外側(cè)密封邊緣凸起104和上表面預(yù)留孔密封邊緣凸起 107之間(第五空間)形成，晶片103被可靠定位。為了更好地支撐晶片103，吸盤101’的上表面密封邊緣凸起104和上表面預(yù)留孔邊緣凸起107之間分布了等距環(huán)形分布的支撐凸起108，吸盤101’的下表面密封邊緣凸起 110’和下表面預(yù)留孔邊緣凸起112’之間也分布了等距環(huán)形分布的支撐凸起108’。優(yōu)選的，多個(gè)支撐凸起108的直徑為0. 1 1mm，間距為2 3mm，高度為0. 1 0.4mm。為了使支撐凸起上表面具有一定耐磨性，可在其上表面鍍厚度小于Ium的耐磨涂層。支撐凸起的直徑和間距越小，對(duì)晶片變形的改善越明顯，支撐凸起的高度越低，吸盤對(duì)顆粒的敏感度越高。上表面密封邊緣凸起104、下表面密封邊緣凸起110’、上表面預(yù)留孔密封邊緣凸起107和下表面預(yù)留孔邊緣凸起112’的寬度優(yōu)選0. 5mm，密封邊緣凸起與支撐凸起高度可以相等，亦可不等。不等值優(yōu)選為密封邊緣凸起的高度低于支撐凸起的高度，高度差為支撐凸起高度的1/20 1/100，且控制在1 IOum以內(nèi)，以上參數(shù)與加工工藝和上下表面的真
空流量相關(guān)。圖如為第一實(shí)施例或第二實(shí)施例中的支撐凸起的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4b為第一實(shí)施例或第二實(shí)施例中的支撐凸起的分布示意圖這里所繪的支撐凸起可以是吸盤上表面支撐凸起108，以及下表面支撐凸起 108，。請(qǐng)參考圖如，支撐凸起108可以為圓柱形，圓柱形的上端是倒角或者是圓角。支撐凸起108也可以是矩形(也可為正方形)且上端是倒角(如圖如所示)、或三角形、菱形、 橢圓、半圓等其他幾何形狀。支撐凸起108也可以是圓臺(tái)形，上表面面積小于下表面面積， 上下表面呈15° 30°的楔角，優(yōu)選楔角為15°。請(qǐng)參考圖4b，支撐凸起的分布方式可以是矩形等距分布也可以是圓周等距分布， 其中優(yōu)選圓周等距分布。本發(fā)明的實(shí)施例中，支撐凸起的徑向間距固定為3mm。在圖4b吸盤中心位置設(shè)置一個(gè)支撐凸起，第一圓周11 的半徑為3mm，其上均布多個(gè)支撐凸起，第二圓周11 的半徑為6mm，其上均布多個(gè)支撐凸起；第三圓周115c的半徑為9mm，其上均布多個(gè)支撐凸起，其他的支撐凸起可以根據(jù)吸盤的大小以相同規(guī)律，即等半徑差的圓周，均布于吸盤101的上表面。圖5為本發(fā)明第三實(shí)施例中吸盤以機(jī)械夾持方式初步定位的結(jié)構(gòu)示意圖。請(qǐng)結(jié)合參考圖la、3以及圖5。由于在第二實(shí)施例中，當(dāng)真空口未開啟時(shí)，夾持器 116能夠用以將吸盤101夾持并初步固定在方鏡102上。圖5僅示出了夾持器116將吸盤 101固定在方鏡102上之后的部分剖面圖。其中除了夾持器116之外，其余元件與第二實(shí)施例中的元件相同。夾持器116包括夾持吸盤的彈性夾持片116a和基體116b。彈性夾持片116a為柔性簧片，基體116b固定在方鏡102上，例如是用螺絲鎖固的方式來固定，其厚度為3 6mm。 柔性簧片116a用于夾持吸盤101，其厚度優(yōu)選為0. 2 0. 5mm。夾持器116的材料為熱膨脹系數(shù)較小的銦鋼(INVAR36)。利用夾持器116，當(dāng)吸盤101沒有開啟真空的狀態(tài)下，可以在吸盤101周圍平均地布置多個(gè)機(jī)械夾持器對(duì)吸盤進(jìn)行初步的垂向定位，防止其滑移。雖然本發(fā)明已以一些實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與潤(rùn)飾。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求書所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種吸盤，位于光刻設(shè)備中的承片臺(tái)中，所述吸盤具有上表面和下表面，所述吸盤的上表面用于承載晶片，其特征在于，所述吸盤的下表面包括下表面密封邊緣凸起，圍繞設(shè)置在所述吸盤下表面的邊緣；多個(gè)中空環(huán)形凸起，設(shè)置在吸盤的下表面密封邊緣凸起所圍設(shè)的區(qū)域之內(nèi)并與所述吸盤共圓心，每一中空環(huán)形凸起內(nèi)開設(shè)有未貫穿吸盤上下表面的環(huán)形腔，其中，至少其中之一的中空環(huán)形凸起的環(huán)形腔設(shè)有真空連通區(qū)域；多個(gè)徑向凸起，每一徑向凸起沿所述吸盤的徑向設(shè)置并連接所述設(shè)有真空連通區(qū)域的中空環(huán)形凸起至其他一些中空環(huán)形凸起，每一徑向凸起內(nèi)開設(shè)有未貫穿吸盤上下表面的徑向空腔，以與所述連接的各個(gè)中空環(huán)形凸起內(nèi)的環(huán)形腔相互連通；以及多個(gè)真空通孔，位于每一環(huán)形腔內(nèi)并貫穿所述吸盤的上下表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的吸盤，其特征在于，至少其中一個(gè)徑向凸起連接與其位于同側(cè)的各個(gè)中空環(huán)形凸起，該同側(cè)的各個(gè)中空環(huán)形凸起具有不同的半徑。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的吸盤，其特征在于，其中所述吸盤的厚度為5 8mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的吸盤，其特征在于，其中所述這些中空環(huán)形凸起、徑向凸起與下表面密封邊緣凸起高度相同。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的吸盤，其特征在于，其中所述吸盤的材料為碳化硅陶瓷、微晶玻璃或熱膨脹系數(shù)小于5 X ΙΟ—6/°C (25°C 500°C)的材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的吸盤，其特征在于，其中所述吸盤的上表面包括上表面密封邊緣凸起，圍繞設(shè)置在所述吸盤上表面的邊緣。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的吸盤，其特征在于，其中所述吸盤的上表面沿多個(gè)同圓心、不同半徑的環(huán)形路徑設(shè)置多個(gè)支撐凸起，所述支撐凸起的高度相同。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的吸盤，其特征在于，其中所述支撐凸起直徑為0.1 1mm，間距為2 3mm，高度為0. 1 0. 4mm。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的吸盤，其特征在于，其中所述支撐凸起與所述晶片接觸的表面鍍有耐磨涂層。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的吸盤，其特征在于，其中所述上表面密封邊緣凸起的高度與的支撐凸起的高度相同。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的吸盤，其特征在于，其中所述上表面密封邊緣凸起的高度低于支撐凸起的高度，二者高度差為支撐凸起的高度的1/20 1/100，且控制在1 IOum以內(nèi)。
12.—種承片臺(tái)，其用于光刻設(shè)備中，所述承片臺(tái)包括吸盤和方鏡，吸盤具有上表面和下表面，吸盤上表面用以承載晶片，吸盤下表面置于方鏡上表面上，其特征在于吸盤下表面包括下表面密封邊緣凸起，圍繞設(shè)置在所述吸盤下表面的邊緣；以及多個(gè)真空通孔，設(shè)置在吸盤的下表面密封邊緣凸起所圍設(shè)的區(qū)域之內(nèi)并貫穿所述吸盤的上下表面。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的承片臺(tái)，其特征在于，吸盤下表面還包括多個(gè)中空環(huán)形凸起，設(shè)置在吸盤的下表面密封邊緣凸起所圍設(shè)的區(qū)域之內(nèi)并與所述吸盤共圓心，每一中空環(huán)形凸起內(nèi)開設(shè)有未貫穿吸盤上下表面的環(huán)形腔，其中，至少其中之一的中空環(huán)形凸起的環(huán)形腔設(shè)有真空連通區(qū)域；多個(gè)徑向凸起，每一徑向凸起沿所述吸盤的徑向設(shè)置并連接所述設(shè)有真空連通區(qū)域的中空環(huán)形凸起至其他一些中空環(huán)形凸起，每一徑向凸起內(nèi)開設(shè)有未貫穿吸盤上下表面的徑向空腔，以與各個(gè)中空環(huán)形凸起內(nèi)的環(huán)形腔相互連通；以及多個(gè)真空通孔，位于每一環(huán)形腔內(nèi)并貫穿所述吸盤的上下表面。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的吸盤，其特征在于，至少其中一個(gè)徑向凸起連接與其位于同側(cè)的各個(gè)中空環(huán)形凸起，該同側(cè)的各個(gè)中空環(huán)形凸起具有不同的半徑。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的吸盤，其特征在于，其中所述吸盤的厚度為5 8mm。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的承片臺(tái)，其特征在于，所述承片臺(tái)還包括用以夾持吸盤的夾持器，所述夾持器包括夾持吸盤的彈性夾持片，以及用以固定在方鏡上的基體。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的吸盤，其特征在于，其中所述吸盤的厚度為1 2mm。
全文摘要
本發(fā)明提出一種吸盤，所述吸盤的下表面包括多個(gè)中空環(huán)形凸起，每一中空環(huán)形凸起內(nèi)開設(shè)有未貫穿吸盤上下表面的環(huán)形腔，其中，至少其中之一的中空環(huán)形凸起的環(huán)形腔設(shè)有真空連通區(qū)域；多個(gè)徑向凸起，每一徑向凸起沿所述吸盤的徑向設(shè)置并連接所述設(shè)有真空連通區(qū)域的中空環(huán)形凸起至其他一些中空環(huán)形凸起，每一徑向凸起內(nèi)開設(shè)有未貫穿吸盤上下表面的徑向空腔，以與各個(gè)中空環(huán)形凸起內(nèi)的環(huán)形腔相互連通；以及多個(gè)真空通孔，位于每一環(huán)形腔內(nèi)并貫穿所述吸盤的上下表面。相比較現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明由于采用了具有徑向空腔的徑向凸起，能使真空快速地建立至吸盤的大部分面積，以使吸附晶片的吸附效果更具均勻性，有利于更精確可靠地定位晶片。
文檔編號(hào)H01L21/683GK102270596SQ201010128748
公開日2011年12月7日 申請(qǐng)日期2010年6月2日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月2日
發(fā)明者方潔, 李志龍, 齊芊楓 申請(qǐng)人:上海微電子裝備有限公司, 上海微高精密機(jī)械工程有限公司