專利名稱：基板處理設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本教導(dǎo)的一方面涉及一種基板處理設(shè)備，以便熱處理基板和/或在基板上形成薄膜。
背景技術(shù)：
平板顯示裝置由于其重量更輕且外形更薄，正在取代陰極射線管顯示裝置。平板 顯示裝置包括液晶顯示(LCD)裝置和有機發(fā)光二極管(0LED)顯示裝置。與液晶顯示裝置 相比，有機發(fā)光二極管顯示裝置提供改進的亮度和視角，且不需要背光單元，從而實現(xiàn)超薄 的厚度。為了產(chǎn)生光，有機發(fā)光二極管顯示裝置使用激子發(fā)射的能量，其中當(dāng)從陰極注入 的電子和從陽極注入的空穴結(jié)合時，在有機薄膜中形成激子。根據(jù)其驅(qū)動方法，有機發(fā)光二 極管顯示裝置分為被動矩陣式0LED和主動矩陣式0LED。主動矩陣式0LED具有包括薄膜晶 體管(TFTs)的電路。通過使用有機材料或無機材料在基板上形成根據(jù)確定的圖案具有電特性的薄膜 從而制造出平板顯示裝置。然后，該薄膜被熱處理。在該情況下，薄膜主要由諸如濺射過程 的物理氣相沉積(PVD)方法形成，其中等離子體被應(yīng)用于沉積目標(biāo)；或由諸如原子層沉積 (ALD)過程的化學(xué)氣相沉積(CVD)方法形成，其中包括原材料的反應(yīng)氣體被噴射到基板上， 以化學(xué)方法在基板上形成原材料的原子層。與物理氣相沉積方法相比，化學(xué)氣相沉積方法產(chǎn)生具有優(yōu)良均勻性和分級覆蓋 (step coverage)的薄膜，并能夠同時處理多個基板。因此，它被廣泛用于形成無定形硅層 和隔離層，例如氮化層或氧化層。通常，為了使用化學(xué)氣相沉積方法同時在多個基板上形成薄膜，或熱處理基板，基 板處理設(shè)備包括用于處理多個基板的處理室、基板在其中堆疊的船形器皿、位于處理室外 部以加熱處理室內(nèi)部的加熱器，和將船形器皿移進和移出處理室的輸送器。但是，由于加熱器位于處理室外部，且處理室為了容納船形器皿而通常較大，所以 難于均勻地加熱處理室的內(nèi)部。特別是，船形器皿中的基板不能被均勻地加熱。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的各個方面提供一種基板處理設(shè)備，其通過均勻地加熱處理室的內(nèi)部而均 勻地加熱船形器皿中堆疊的多個基板。根據(jù)一個示例性方面，提供的基板處理設(shè)備包括處理室；其中堆疊多個基板的 船形器皿(坩堝)；位于處理室外部的外部加熱器；將船形器皿移進和移出處理室的輸送 器；位于輸送器下方的下部加熱器；和位于船形器皿中間、基板之間的中間加熱器。根據(jù)本發(fā)明另一方面，該提供一種基板處理設(shè)備，包括處理室，該處理室包括多 支管和布置在所述多支管上的蓋；容納基板的船形器皿；布置為圍繞所述蓋的外部加熱 器；將所述船形器皿移進和移出所述處理室的輸送器；布置在所述輸送器下方的下部加熱器；和布置在所述船形器皿中位于所述基板之間的船形器皿加熱器。本發(fā)明的其他方面和/或優(yōu)點一部分將在下面的說明中提出，且一部分可由該說 明明顯得出，或可通過本發(fā)明的實踐而獲得。


通過下面示例性實施例的說明，結(jié)合附圖，本發(fā)明的這些和/或其他方面和優(yōu)點 將變得明顯和更容易理解，其中圖1是顯示根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的基板處理設(shè)備的剖視圖。
具體實施例方式現(xiàn)在將詳細(xì)參考本發(fā)明的示例性實施例，附圖中示出了它們的例子，在所有附圖 中相似的附圖標(biāo)記指代相似的元件。以下參考附圖描述示例性實施例以解釋本發(fā)明的各個方面。圖1是根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的基板處理設(shè)備100的剖面圖。參照圖1，基板處 理設(shè)備100包括在其中堆疊多個基板S的船形器皿110、處理室120、外部加熱器130、下部 加熱器142、中間加熱器115和將船形器皿110移進和移出處理室120的輸送器140?；錝通常平行地堆疊在船形器皿110中。中間加熱器115位于船形器皿110的 中間，在基板s之間。中間加熱器115與位于處理室120外部的外部加熱器130協(xié)力操作 以均勻地加熱基板S。通常中間加熱器115供應(yīng)到船形器皿110中心的基板S的熱量比供 應(yīng)到位于船形器皿110端部的基板S的熱量多。船形器皿110可包括基板固定器112以固 定基板S，以便當(dāng)船形器皿110移動時防止損壞基板。雖然所示的基板S垂直地堆疊在船形器皿110中，但是根據(jù)一些方面，基板S可水 平地堆疊。在任一情況下，中間加熱器115的長軸通常布置為與堆疊在船形器皿110中的 基板S的長軸平行。處理室120提供空間用于同時形成和/或熱處理堆疊在船形器皿110中的基板S 上的薄膜。處理室120包括多支管124和蓋122，多支管124具有進口管102和出口管104， 反應(yīng)氣體通過進口管102從反應(yīng)氣體供應(yīng)器200被引入，沒有與基板S反應(yīng)的反應(yīng)氣體通 過出口管104被排放，蓋122位于多支管124上，以密封處理室120。第一管125可在處理 室120中位于蓋122和船形器皿110之間，以隔離處理室120 (使船形器皿110的熱量損失 達到最小)。多支管124的底部打開，使得船形器皿110可通過多支管124的底部進入或退出。 可水平移動的關(guān)閉器160位于多支管124的下側(cè)，使得處理室120在船形器皿110進入處 理室120后可關(guān)閉。多支管124的出口管104可連接到排放泵300，以排放反應(yīng)氣體和排空 處理室120內(nèi)部的氣體。加熱器130位于處理室120外部并加熱處理室120。加熱器130可包括沿處理室 120的側(cè)表面布置的第一加熱器132和沿處理室120的頂表面布置的第二加熱器134。加 熱器130可類似于熔爐并可圍繞處理室120。輸送器140包括被布置為靠近船形器皿110的底側(cè)的下部加熱器142。輸送器140 可進一步包括位于下部加熱器142下方的隔熱器145，以隔離處理室142的底端。隔熱器145可包括多個隔離板144和支撐隔離板144的固定器146?；逄幚碓O(shè)備100可進一步包括位于輸送器140和第一管125之間的第二管170， 以便利用輸送器140和第一管125之間的空間進一步隔離處理室120。第二管170的長度 d可對應(yīng)于輸送器140與第一管125的重疊區(qū)域。第二管170布置在輸送器140周圍，并具有連接到多支管124的進口管102的孔 175。氣體噴射器150被連接到孔175并將反應(yīng)氣體供應(yīng)器200供應(yīng)的反應(yīng)氣體噴射到堆疊 在船形器皿110中的基板S上。第二管170密封船形器皿110和第一管125之間的空間。 氣體噴射器150優(yōu)選延伸至船形器皿110的端部，以便將反應(yīng)氣體均勻地噴射到堆疊在船 形器皿110中的基板Si。在基板處理設(shè)備中，處理室的內(nèi)部被均勻加熱，以均勻地加熱位于船形器皿的上 部、中部和下部的基板。外部加熱器位于處理室的外部，下部加熱器位于輸送器之中，中間 加熱器位于船形器皿的中間，以便執(zhí)行均勻加熱。因此，根據(jù)本發(fā)明的基板處理設(shè)備均勻地加熱處理室的內(nèi)部，并將位于船形器皿 中部的基板、位于船形器皿上部的基板和位于船形器皿下部的基板加熱至均勻的溫度，由 此在基板上均勻地形成薄膜和/或熱處理基板。雖然已經(jīng)顯示和描述了本發(fā)明的幾個示例性實施例，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理 解的是，在不背離由權(quán)利要求及其等同物限定范圍的本發(fā)明的原則和精神的情況下，可以 對這些示例性實施例作出修改。
權(quán)利要求
一種基板處理設(shè)備，包括處理室；容納基板的船形器皿；布置在所述處理室的外部的外部加熱器；將所述船形器皿移進和移出所述處理室的輸送器；布置在所述處理室下方的下部加熱器；和位于所述船形器皿的中間的中間加熱器。
2.如權(quán)利要求1所述的基板處理設(shè)備，其中所述基板的長軸和所述中間加熱器平行。
3.如權(quán)利要求2所述的基板處理設(shè)備，進一步包括布置在所述下部加熱器下方的隔熱ο
4.如權(quán)利要求3所述的基板處理設(shè)備，其中所述隔熱器包括隔離板和分別支撐所述隔 離板的固定器。
5.如權(quán)利要求1所述的基板處理設(shè)備，其中所述處理室包括多支管，該多支管包括 進口管，用于供應(yīng)反應(yīng)氣體；出口管，排放氣體通過該出口管從所述處理室被泵出；和 蓋，該蓋布置在所述多支管上以封閉所述處理室。
6.如權(quán)利要求5所述的基板處理設(shè)備，進一步包括氣體供應(yīng)器以將所述反應(yīng)氣體供應(yīng) 到所述進口管。
7.如權(quán)利要求6所述的基板處理設(shè)備，進一步包括氣體噴射器，該氣體噴射器被連接 到所述進口管，且當(dāng)所述船形器皿被布置在所述處理室中時沿所述船形器皿的長度延伸。
8.如權(quán)利要求5所述的基板處理設(shè)備，進一步包括位于所述多支管下方的關(guān)閉器，以 打開和關(guān)閉所述處理室。
9.如權(quán)利要求5所述的基板處理設(shè)備，進一步包括連接到所述出口管的排放泵，以將 所述排放氣體通過所述出口管泵出。
10.如權(quán)利要求5所述的基板處理設(shè)備，進一步包括布置在所述蓋和所述船形器皿之 間的第一管。
11.如權(quán)利要求10所述的基板處理設(shè)備，進一步包括布置在所述輸送器周圍、位于所 述第一管內(nèi)側(cè)的第二管。
12.如權(quán)利要求11所述的基板處理設(shè)備，其中所述第二管的長度等于所述第一管和所 述輸送器的重疊區(qū)域。
13.如權(quán)利要求11所述的基板處理設(shè)備，其中所述第二管具有孔，所述反應(yīng)氣體通過 所述孔。
14.一種基板處理設(shè)備，包括處理室，該處理室包括多支管和布置在所述多支管上的蓋；容納基板的船形器皿；布置為圍繞所述蓋的外部加熱器；將所述船形器皿移進和移出所述處理室的輸送器；布置在所述輸送器下方的下部加熱器；和布置在所述船形器皿中位于所述基板之間的中間加熱器。
15.如權(quán)利要求14所述的基板處理設(shè)備，其中所述多支管包括 進口管，以將反應(yīng)氣體供應(yīng)到所述處理室；和出口管，排放氣體通過該出口管從所述處理室被泵出。
16.如權(quán)利要求15所述的基板處理設(shè)備，進一步包括第一管，該第一管布置在所述蓋和所述多支管的內(nèi)側(cè)，以隔離所述處理室； 第二管，該第二管布置在所述輸送器周圍位于所述第一管內(nèi)側(cè)，且具有被連接到所述 進口管的孔；和噴射器，該噴射器被連接到所述孔以將所述反應(yīng)氣體輸送到所述基板。
17.如權(quán)利要求16所述的基板處理設(shè)備，進一步包括 位于所述多支管下方的關(guān)閉器，以打開和關(guān)閉所述處理室；和隔熱器，該隔熱器布置在所述下部加熱器下方，且包括隔離板和分別支撐所述隔離板 的固定器。
18.如權(quán)利要求14所述的基板處理設(shè)備，其中所述中間加熱器布置在所述船形器皿的 中部。
全文摘要
本發(fā)明公開一種基板處理設(shè)備，其通過均勻地加熱基板，在多個基板上形成薄膜和熱處理基板。該基板處理設(shè)備包括處理室、其中堆疊基板的船形器皿、位于處理室外部的外部加熱器、將船形器皿移進和移出處理室的輸送器、位于輸送器下方的下部加熱器、和位于船形器皿中間的中間加熱器。
文檔編號H01L21/00GK101866853SQ201010128599
公開日2010年10月20日 申請日期2010年3月3日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月16日
發(fā)明者伊凡·邁丹丘克, 姜有珍, 崔寶京, 張錫洛, 徐晉旭, 樸炳建, 樸鐘力, 李東炫, 李吉遠(yuǎn), 李基龍, 梁泰勛, 洪鐘元, 白原奉, 羅興烈, 蘇炳洙, 鄭在琓, 鄭珉在, 鄭胤謨 申請人:三星移動顯示器株式會社