專利名稱：制作半導(dǎo)體器件柵極的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造工藝，特別涉及一種制作半導(dǎo)體器件柵極的方法。
背景技術(shù)：
目前，隨著超大規(guī)模集成電路的迅速發(fā)展，芯片的集成度越來(lái)越高，電路設(shè)計(jì)尺寸越來(lái)越小，因器件的高密度、小尺寸引發(fā)的各種效應(yīng)對(duì)半導(dǎo)體制作結(jié)果的影響也日益突出。 特別是45nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)以下的工藝中，電路關(guān)鍵尺寸(CD，Critical Dimension)的變化對(duì)于器件性能的影響越來(lái)越大。眾所周知，由于柵極通常具有半導(dǎo)體制造工藝中的最小物理尺寸，并且柵極的寬度通常是晶片上最重要的關(guān)鍵尺寸，因此在半導(dǎo)體器件制造過(guò)程中柵極的制作是流程中最關(guān)鍵的步驟之一。圖IA和圖IB為現(xiàn)有技術(shù)制作柵極結(jié)構(gòu)的工藝流程中各步驟所獲得的器件的剖視圖。首先，如圖IA所示，在襯底上定義器件有源區(qū)并完成淺溝槽隔離后形成前端器件層100。所述襯底可以是包含半導(dǎo)體元素的硅材料，例如單晶、多晶或非晶結(jié)構(gòu)的硅或硅鍺 (SiGe)，也可以是絕緣體上硅(SOI)。在前端器件層100上形成厚度約為20-50埃的柵氧化物層101，柵氧化物層101可以是通過(guò)氧化工藝在氧蒸氣環(huán)境中、約800 1000攝氏度的溫度下形成的二氧化硅層。在柵氧化物層101上利用化學(xué)氣相沉積(CVD)等方法，沉積隨后要刻蝕形成柵極的柵極材料層102。柵極材料層102的材料可以是但不限于多晶硅。沉積后可立刻進(jìn)行摻雜以有效降低多晶硅柵極的電阻值，提高器件性能。在柵極材料層102 上形成第二柵極氧化物層103。在第二柵極氧化物層103上形成具有圖案的光刻膠層104。 另外，根據(jù)工藝需求，還可以在沉積光刻膠層104之前形成諸如氮化硅層等的其它層。然后，如圖IB所示，以光刻膠層104為掩膜，對(duì)第二柵極氧化物層103、柵極材料層 102、第一柵氧化物層101依次進(jìn)行刻蝕，然后經(jīng)曝光顯影等工藝，形成柵極。然而在晶片表面的大部分區(qū)域中，為了實(shí)現(xiàn)器件的整體功能，這些區(qū)域中既包括器件十分密集的區(qū)域，也就是器件密度較高的區(qū)域，我們稱之為密集區(qū)(Dense)；又包括器件比較稀疏，亦即器件密度較低的區(qū)域，我們稱之為非密集區(qū)(ISO)。圖2是說(shuō)明半導(dǎo)體器件柵極間距(Pitch)的示意圖，如圖2所示，在襯底200上包含柵極間距較小的密集區(qū)210 和柵極間距較大的非密集區(qū)220。實(shí)踐中發(fā)現(xiàn)，在同樣的刻蝕條件下，器件密集區(qū)和非密集區(qū)刻蝕形成的柵極的刻蝕CD偏差(刻蝕前后的關(guān)鍵尺寸變化)和剖面結(jié)構(gòu)并不相同。具體地說(shuō)，隨著間距的擴(kuò)大，非密集區(qū)的刻蝕CD偏差逐漸變小，使得非密集區(qū)的刻蝕CD偏差小于密集區(qū)的刻蝕CD 偏差，因此導(dǎo)致在全間距范圍內(nèi)呈現(xiàn)較大的刻蝕CD偏差范圍，難以精確地控制非密集區(qū)的柵極的關(guān)鍵尺寸。此外，受以上刻蝕CD偏差波動(dòng)的影響，刻蝕后的非密集區(qū)多晶硅柵的輪廓大多呈錐形，這也會(huì)對(duì)器件的性能產(chǎn)生不利影響。因此，目前光刻技術(shù)中急需一種解決在多晶硅柵制造過(guò)程中隨著CD的不斷減小而導(dǎo)致的全間距范圍內(nèi)刻蝕CD偏差范圍較大的問題有效方法。

發(fā)明內(nèi)容
在發(fā)明內(nèi)容部分中引入了一系列簡(jiǎn)化形式的概念，這將在具體實(shí)施方式
部分中進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。本發(fā)明的發(fā)明內(nèi)容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護(hù)的技術(shù)方案的保護(hù)范圍。為了解決在多晶硅柵制造過(guò)程中隨著CD的不斷減小而導(dǎo)致的全間距范圍內(nèi)刻蝕 CD偏差范圍較大的問題，本發(fā)明提出了一種制作半導(dǎo)體器件柵極的方法，所述方法依次包括下列步驟在前端器件層上形成第一柵氧化物層；在所述第一柵氧化物層上形成柵極材料層；在所述柵極材料層上形成第二柵氧化物層；在所述第二柵氧化物層上形成犧牲層； 在所述犧牲層上形成抗反射涂層；在所述抗反射涂層上形成具有圖案的光刻膠層；以所述光刻膠層為掩膜，對(duì)所述抗反射涂層進(jìn)行刻蝕，使刻蝕開口進(jìn)入到所述犧牲層內(nèi)；以所述光刻膠層和所述抗反射涂層為掩膜，通入刻蝕氣體對(duì)所述犧牲層進(jìn)行刻蝕；以所述犧牲層為掩膜依次刻蝕所述第二柵氧化物層、所述柵極材料層和所述第一柵氧化物層；以及去除犧牲層，以形成所述半導(dǎo)體器件柵極。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，所述方法還包括在形成所述第二柵氧化物層之后，且在形成所述犧牲層之前，在所述第二柵氧化物層上形成阻擋層。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，所述制作半導(dǎo)體器件柵極的方法的特征在于，對(duì)所述抗反射涂層進(jìn)行刻蝕的步驟包括主刻蝕和過(guò)刻蝕。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，所述制作半導(dǎo)體器件柵極的方法的特征在于，所述犧牲層通過(guò)旋涂式玻璃法形成。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，所述制作半導(dǎo)體器件柵極的方法的特征在于，所述犧牲層是無(wú)定形碳層，且所述刻蝕氣體包含二氧化硫。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，所述制作半導(dǎo)體器件柵極的方法的特征在于，所述刻蝕氣體還包含氧氣和保護(hù)氣體。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，所述制作半導(dǎo)體器件柵極的方法的特征在于，所述氧氣的流速是50-200sccm，所述保護(hù)氣體的流速是10_150sccm。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，所述制作半導(dǎo)體器件柵極的方法的特征在于，所述二氧化硫的流速是50-250sccm。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，所述制作半導(dǎo)體器件柵極的方法的特征在于，所述犧牲層是有機(jī)抗反射材料層。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，所述制作半導(dǎo)體器件柵極的方法的特征在于，所述犧牲層的厚度為500-3000埃。根據(jù)本發(fā)明，能夠有效地解決在多晶硅柵制造過(guò)程中隨著CD的不斷減小而導(dǎo)致的全間距范圍內(nèi)刻蝕CD偏差范圍較大的問題，從而提高了柵極關(guān)鍵尺寸控制的精確度，改善了器件的電學(xué)性能。


本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實(shí)施例及其描述，用來(lái)解釋本發(fā)明的原理。在附圖中，
圖IA和圖IB為現(xiàn)有技術(shù)制作柵極結(jié)構(gòu)的工藝流程中各步驟所獲得的器件的剖視圖；圖2是說(shuō)明半導(dǎo)體器件柵極間距(Pitch)的示意圖；圖3A至圖3E是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例制作柵極結(jié)構(gòu)的工藝流程中各步驟所獲得的器件的剖視圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明方法制造的柵極的SEM剖面圖；圖5是不增加犧牲層的情況下刻蝕CD偏差隨柵極間距變化的曲線；圖6是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式增加犧牲層的情況下刻蝕CD偏差隨柵極間距變化的曲線；圖7是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例所述的制作柵極的工藝流程圖。
具體實(shí)施例方式在下文的描述中，給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對(duì)本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)顯而易見的是，本發(fā)明可以無(wú)需一個(gè)或多個(gè)這些細(xì)節(jié)而得以實(shí)施。在其它的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對(duì)于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進(jìn)行描述。為了徹底了解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳細(xì)的步驟，以便說(shuō)明本發(fā)明是如何通過(guò)改進(jìn)制作柵極的工藝來(lái)解決全間距范圍內(nèi)刻蝕CD偏差范圍較大的問題。顯然，本發(fā)明的施行并不限定于半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)人員所熟習(xí)的特殊細(xì)節(jié)。本發(fā)明的較佳實(shí)施例詳細(xì)描述如下，然而除了這些詳細(xì)描述外，本發(fā)明還可以具有其它實(shí)施方式。參照?qǐng)D3A至圖3E，示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例制作柵極結(jié)構(gòu)的工藝流程中各步驟所獲得的器件的剖視圖。首先，如圖3A所示，在襯底上定義器件有源區(qū)并完成淺溝槽隔離后形成前端器件層300。所述襯底可以是包含半導(dǎo)體元素的硅材料，例如單晶、多晶或非晶結(jié)構(gòu)的硅或硅鍺 (SiGe)，也可以是絕緣體上硅(SOI)。在前端器件層300上形成厚度約為20-50埃的第一柵氧化物層301，柵氧化物層301可以是通過(guò)氧化工藝在氧蒸氣環(huán)境中約800 1000攝氏度的溫度下形成的二氧化硅層。在第一柵氧化物層301上利用化學(xué)氣相沉積(CVD)等方法， 沉積隨后要刻蝕形成柵極的柵極材料層302。柵極材料層302的材料可以是但不限于多晶硅。沉積后可立刻進(jìn)行摻雜以有效降低多晶硅柵極的電阻值，提高器件性能。在柵極材料層302上形成第二柵氧化物層303。第二柵氧化物層303是通過(guò)爐管氧化的氧化物，進(jìn)行氧化工藝的目的是修復(fù)多晶硅柵的晶格。在第二柵氧化物層303的表面上沉積一層厚度約為 500-3000埃的犧牲層304。該犧牲層304可以是通過(guò)旋涂式玻璃法(S0G，spin on glasses) 形成的，其實(shí)例還可以包括但不限于以CVD方式沉積的無(wú)定形碳和有機(jī)抗反射材料。在犧牲層304表面上形成厚度約為100-500埃的抗反射涂層305，抗反射涂層305的材料可以是氮氧化硅(SiON)、氮化硅(Si3N4)或者氮化硅與氧化物的混合物。在抗反射涂層305上形成具有圖案的光刻膠層306。另外，根據(jù)工藝需求，還可以在第二柵氧化物層303和犧牲層 304之間形成由常用絕緣材料形成的阻擋層。然后，如圖;3B所示，以圖案化的光刻膠層306為掩膜，對(duì)抗反射涂層305進(jìn)行主刻蝕，主刻蝕速度較快，刻蝕到抗反射涂層305內(nèi)一定深度后停止，以獲得帶有開口區(qū)的抗反
5射涂層305。在主刻蝕完成后，抗反射涂層305的開口區(qū)并未進(jìn)入到犧牲層。接著，如圖3C所示，對(duì)抗反射涂層305進(jìn)行過(guò)刻蝕，除去開口區(qū)內(nèi)剩余部分的抗反射涂層305，并使開口進(jìn)入到犧牲層304內(nèi)。主刻蝕和過(guò)刻蝕都可以選用等離子體刻蝕?？涛g氣體包括但不限于包括CF4、CHF3、 CH2F2、C3F8、C4F8等氟代烴氣體中的一種或幾種，還可以包含諸如氬氣(Ar)和氦氣(He)等保護(hù)氣體。然后，如圖3D所示，以光刻膠層306和抗反射涂層305為掩膜刻蝕犧牲層304。該刻蝕過(guò)程可以選用等離子體刻蝕，刻蝕氣體可以是常用的刻蝕氣體，但優(yōu)選包含二氧化硫 (SO2)、氧氣和保護(hù)氣體，其中保護(hù)氣體可以是氬氣(Ar)和氦氣(He)。二氧化硫的流速可以是50-250sccm，氧氣的流速可以是50-200sccm，保護(hù)氣體的流速可以是10_150sccm，其中， sccm是標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)下，也就是1個(gè)大氣壓、25攝氏度下每分鐘1立方厘米(Icm3Aiin)的流量。 這樣就將光刻膠層306上的圖案轉(zhuǎn)移到犧牲層304上。同時(shí)，在對(duì)犧牲層進(jìn)行刻蝕的過(guò)程中，光刻膠層被完全消耗，因此節(jié)省了光刻膠剝離的工藝步驟。最后，如圖3E所示，以具有精確圖案的犧牲層304為掩膜依次刻蝕第二柵氧化物層303、柵極材料層302和第一柵氧化物層301，然后經(jīng)過(guò)剝離等工藝去除犧牲層304，形成柵極。根據(jù)本發(fā)明制作柵極的工藝，可以使非密集區(qū)的柵極剖面結(jié)構(gòu)變得垂直。其效果已通過(guò)光學(xué)特征尺寸(0⑶)測(cè)量而得到驗(yàn)證。0⑶是一種相對(duì)較新的整合測(cè)量形式，應(yīng)用于生產(chǎn)過(guò)程中的先進(jìn)工藝控制(APC)。該技術(shù)利用CD柵格結(jié)構(gòu)形成的衍射光對(duì)膜厚、CD大小以及剖面結(jié)構(gòu)進(jìn)行測(cè)量，而且這種測(cè)量技術(shù)是非破壞性的，因此具有較高的生產(chǎn)效率。采用OCD測(cè)量對(duì)密集區(qū)和非密集區(qū)刻蝕形成的柵極剖面結(jié)構(gòu)進(jìn)行檢測(cè)時(shí)，結(jié)果顯示，對(duì)于非密集區(qū)來(lái)說(shuō)，根據(jù)本發(fā)明方法形成的柵極的側(cè)壁與襯底之間的夾角由原來(lái)的89. 47°提高到89. 92°。如圖4所示，柵極的側(cè)壁與襯底的垂直性很好。此外，本發(fā)明的方法對(duì)密集區(qū)的柵極剖面并無(wú)顯著影響，即密集區(qū)的柵極剖面仍可保持原有的垂直形態(tài)。另外，利用刻蝕⑶偏差(Etch⑶Bias)來(lái)定義刻蝕前后的線寬變化，刻蝕⑶偏差可以通過(guò)下列公式計(jì)算刻蝕CD 偏差=ADI CD-AEI CD其中，ADI⑶是顯影后檢查的線寬，即刻蝕前光刻膠的線寬；AEI CD是刻蝕后檢查的線寬，即光刻膠去掉后被刻蝕材料的線寬?？涛gCD偏差范圍等于刻蝕CD偏差的最大值減去最小值。圖5是不增加犧牲層的情況下刻蝕CD偏差隨柵極間距變化的曲線。如圖5所示， 隨著柵極間距的改變，刻蝕CD偏差變化明顯，尤其對(duì)于間距較大的非密集區(qū)，隨著間距的變大，曲線呈明顯的下降趨勢(shì)。在該實(shí)例中，刻蝕CD偏差的最大值約為14.9nm，刻蝕CD偏差的最小值對(duì)應(yīng)于間距最大點(diǎn)，約為6. 2nm,計(jì)算得到刻蝕⑶偏差范圍為8. 7nm。對(duì)于45nm 及以下工藝節(jié)點(diǎn)來(lái)說(shuō)，柵極線寬只有幾十納米，因此刻蝕CD偏差范圍為8. 7nm表示器件的 CDU相對(duì)較差?？涛gCD偏差范圍較大會(huì)影響柵極關(guān)鍵尺寸的控制，甚至?xí)绊懻麄€(gè)光刻工藝的精度。圖6是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式增加犧牲層的情況下刻蝕CD偏差隨柵極間距變化的曲線。如圖6所示，隨著柵極間距的改變，刻蝕CD偏差變化趨緩，非密集區(qū)曲線上各點(diǎn)的刻蝕CD偏差變大。從曲線上可以看出刻蝕CD偏差的最大值約為16. 5nm，刻蝕CD偏差的最小值約為11. 6nm,因此得到刻蝕CD偏差范圍為4. 9nm。與不增加犧牲層而形成柵極的刻蝕CD偏差范圍(如圖5所示)相比較，本發(fā)明的方法中，全間距范圍內(nèi)柵極的刻蝕CD偏差范圍縮小了約44%，因此有效提高了全間距范圍內(nèi)柵極關(guān)鍵尺寸控制的精確度。圖7的流程圖示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例所述的制作柵極的工藝流程圖。在步驟701中，在前端器件層上形成第一柵氧化物層，在第一柵氧化物層上沉積隨后要刻蝕形成柵極的柵極材料層，在柵極材料層上形成第二柵氧化物層，在第二柵氧化物層的表面上沉積一層犧牲層，在犧牲層表面上形成抗反射涂層，在抗反射涂層上形成具有圖案的光刻膠層。另外，根據(jù)工藝需求，還可以在第二柵氧化物層和犧牲層之間形成由常用絕緣材料形成的阻擋層。在步驟702中，以圖案化的光刻膠層為掩膜，對(duì)抗反射涂層進(jìn)行主刻蝕，以獲得帶有開口區(qū)的抗反射涂層。在主刻蝕完成后，抗反射涂層的開口區(qū)并未進(jìn)入到犧牲層。 在步驟703中，對(duì)抗反射涂層進(jìn)行過(guò)刻蝕，以將開口區(qū)內(nèi)的抗反射層完全刻蝕，并使開口進(jìn)入到犧牲層表面以下很淺的區(qū)域內(nèi)。在步驟704中，以光刻膠層和抗反射涂層為掩膜刻蝕犧牲層。在步驟705中，以具有圖案的犧牲層為掩膜依次刻蝕第二柵氧化物層、柵極材料層和第一柵氧化物層。在步驟706中，經(jīng)過(guò)剝離等工藝去除犧牲層，形成柵極。本發(fā)明利用包括犧牲層的多層結(jié)構(gòu)，將柵極圖案先轉(zhuǎn)移至犧牲層，然后以犧牲層為掩膜，并使用例如等氣體對(duì)犧牲層進(jìn)行刻蝕，有效地解決了刻蝕后在不同密度區(qū)域形成的柵極的刻蝕CD偏差范圍較大、關(guān)鍵尺寸可控性較差等問題。根據(jù)本發(fā)明的形成柵極的方法，增加了光刻膠的剩余邊緣，將整個(gè)間距上柵極的刻蝕CD偏差范圍縮小了近50%，并使得非密集區(qū)內(nèi)的柵極具有更好的剖面形狀。具有根據(jù)如上所述實(shí)施例制造的柵極的半導(dǎo)體器件可應(yīng)用于多種集成電路(IC) 中。根據(jù)本發(fā)明的IC例如是存儲(chǔ)器電路，如隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)、動(dòng)態(tài)RAM(DRAM)、同步 DRAM (SDRAM)、靜態(tài)RAM(SRAM)、或只讀存儲(chǔ)器(ROM)等等。根據(jù)本發(fā)明的IC還可以是邏輯器件，如可編程邏輯陣列(PLA)、專用集成電路(ASIC)、合并式DRAM邏輯集成電路(掩埋式 DRAM)或任意其它電路器件。根據(jù)本發(fā)明的IC芯片可用于例如用戶電子產(chǎn)品，如個(gè)人計(jì)算機(jī)、便攜式計(jì)算機(jī)、游戲機(jī)、蜂窩式電話、個(gè)人數(shù)字助理、攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、手機(jī)等各種電子產(chǎn)品中，尤其是射頻產(chǎn)品中。本發(fā)明已經(jīng)通過(guò)上述實(shí)施例進(jìn)行了說(shuō)明，但應(yīng)當(dāng)理解的是，上述實(shí)施例只是用于舉例和說(shuō)明的目的，而非意在將本發(fā)明限制于所描述的實(shí)施例范圍內(nèi)。此外本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施例，根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)還可以做出更多種的變型和修改，這些變型和修改均落在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍以內(nèi)。本發(fā)明的保護(hù)范圍由附屬的權(quán)利要求書及其等效范圍所界定。
權(quán)利要求
1.一種制作半導(dǎo)體器件柵極的方法，所述方法依次包括下列步驟 在前端器件層上形成第一柵氧化物層；在所述第一柵氧化物層上形成柵極材料層； 在所述柵極材料層上形成第二柵氧化物層； 在所述第二柵氧化物層上形成犧牲層； 在所述犧牲層上形成抗反射涂層； 在所述抗反射涂層上形成具有圖案的光刻膠層；以所述光刻膠層為掩膜，對(duì)所述抗反射涂層進(jìn)行刻蝕，使刻蝕開口進(jìn)入到所述犧牲層內(nèi)；以所述光刻膠層和所述抗反射涂層為掩膜，通入刻蝕氣體對(duì)所述犧牲層進(jìn)行刻蝕； 以所述犧牲層為掩膜依次刻蝕所述第二柵氧化物層、所述柵極材料層和所述第一柵氧化物層；以及去除犧牲層，以形成所述半導(dǎo)體器件柵極。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，所述方法還包括在形成所述第二柵氧化物層之后，且在形成所述犧牲層之前，在所述第二柵氧化物層上形成阻擋層。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，對(duì)所述抗反射涂層進(jìn)行刻蝕的步驟包括主刻蝕和過(guò)刻蝕。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述犧牲層通過(guò)旋涂式玻璃法形成。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述犧牲層是無(wú)定形碳層，且所述刻蝕氣體包含二氧化硫。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述刻蝕氣體還包含氧氣和保護(hù)氣體。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述氧氣的流速是50-200Sccm，所述保護(hù)氣體的流速是10-150sccm。
8.如權(quán)利要求5-7中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述二氧化硫的流速是 50_250sccmo
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述犧牲層是有機(jī)抗反射材料層。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述犧牲層的厚度為500-3000埃。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種制作半導(dǎo)體器件柵極的方法，所述方法包括在前端器件層上形成第一柵氧化物層；在第一柵氧化物層上形成柵極材料層；在柵極材料層上形成第二柵氧化物層；在第二柵氧化物層上形成犧牲層；在犧牲層上形成抗反射涂層；在抗反射涂層上形成具有圖案的光刻膠層；以光刻膠層為掩膜，對(duì)抗反射涂層進(jìn)行刻蝕，使刻蝕開口進(jìn)入到犧牲層內(nèi)；以光刻膠層和抗反射涂層為掩膜，通入刻蝕氣體對(duì)犧牲層進(jìn)行刻蝕；以犧牲層為掩膜依次刻蝕第二柵氧化物層、柵極材料層和第一柵氧化物層；以及去除犧牲層，以形成半導(dǎo)體器件柵極。該方法解決了全間距范圍內(nèi)刻蝕CD偏差范圍較大的問題，從而能提高柵極關(guān)鍵尺寸控制的精確度，改善器件的電學(xué)性能。
文檔編號(hào)H01L21/28GK102194676SQ20101012468
公開日2011年9月21日 申請(qǐng)日期2010年3月11日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月11日
發(fā)明者孟曉瑩, 沈滿華, 黃怡 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司