專利名稱：半導(dǎo)體發(fā)光器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
實施方案涉及半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制造方法。
背景技術(shù)：
III V族氮化物半導(dǎo)體由于它們的物理和化學(xué)特性而被廣泛用作發(fā)光器件如發(fā) 光二極管(LED)或者激光二極管(LD)的主要材料。例如，III V族氮化物半導(dǎo)體包括組 成式為InxAlyGa1^yN (0彡χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)的半導(dǎo)體材料。LED是能夠利用化合物半導(dǎo)體的特性通過將電信號轉(zhuǎn)化成紅外線或光從而發(fā)射和 接收信號的半導(dǎo)體器件。LED也用作光源。利用氮化物半導(dǎo)體材料的LED或LD主要用于發(fā)光器件以提供光。例如，LED或LD 用作各種產(chǎn)品例如移動電話的鍵盤的發(fā)光部分、電子顯示板或其他發(fā)光器件的光源。

發(fā)明內(nèi)容
實施方案提供一種半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制造方法，其能夠改善發(fā)光結(jié)構(gòu)的側(cè)向的 光提取角。實施方案提供一種半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制造方法，其能夠通過在發(fā)光結(jié)構(gòu)的外表 面上形成粗糙結(jié)構(gòu)來改善在發(fā)光結(jié)構(gòu)的側(cè)向發(fā)出的光的光提取角。根據(jù)一個實施方案的半導(dǎo)體發(fā)光器件包括包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、第一導(dǎo)電半 導(dǎo)體層下的有源層和有源層下的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層的發(fā)光結(jié)構(gòu)；發(fā)光結(jié)構(gòu)下的溝道層，其 中溝道層的內(nèi)部部分沿發(fā)光結(jié)構(gòu)的外周部分設(shè)置，溝道層的外部部分延伸到發(fā)光結(jié)構(gòu)之 外；和發(fā)光結(jié)構(gòu)下的第二電極層。根據(jù)一個實施方案的半導(dǎo)體發(fā)光器件包括包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、第一導(dǎo)電半 導(dǎo)體層下的有源層、和有源層下的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層的發(fā)光結(jié)構(gòu)；發(fā)光結(jié)構(gòu)下的溝道層， 其中溝道層的內(nèi)部部分沿發(fā)光結(jié)構(gòu)的外周部分設(shè)置，溝道層的外部部分延伸到發(fā)光結(jié)構(gòu)之 夕卜，在溝道層的頂表面的外部部分上形成的粗糙結(jié)構(gòu)；發(fā)光結(jié)構(gòu)上的第一電極層；和發(fā)光 結(jié)構(gòu)下的第二電極層。一種制造根據(jù)實施方案的半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法包括利用多個化合物半導(dǎo)體層 形成發(fā)光結(jié)構(gòu)；在發(fā)光結(jié)構(gòu)的外表面上形成粗糙結(jié)構(gòu)；在發(fā)光結(jié)構(gòu)的頂表面的外部部分和 粗糙結(jié)構(gòu)上形成溝道層；在溝道層和發(fā)光結(jié)構(gòu)上形成第二電極層，通過臺面蝕刻移除發(fā)光 結(jié)構(gòu)的外周部分來暴露溝道層的外部部分。實施方案可改善側(cè)向的發(fā)光效率。
實施方案可改善發(fā)光器件的光提取角。實施方案可改善外部發(fā)光效率。


圖1是顯示根據(jù)一個實施方案的半導(dǎo)體發(fā)光器件的側(cè)截面圖；和
圖2到9是說明制造根據(jù)所述實施方案的半導(dǎo)體發(fā)光器件的步驟的視圖。
具體實施例方式在實施方案的描述中，應(yīng)理解，應(yīng)理解當(dāng)層(或膜)、區(qū)域、圖案或者結(jié)構(gòu)稱為在襯 底、各層(或膜)、區(qū)域、墊或者圖案“上”或“下”時，其可以直接在所述襯底、各層(或膜)、 區(qū)域、墊或者圖案上或下，或者也可存在一個或更多個中間層。因此，其含義應(yīng)該根據(jù)本公 開的精神來判斷。參考附圖描述層的位置。附圖中所示的每個元件的厚度和尺度可以放大、省略或示意性繪制以清楚說明。 元件的尺寸可以不是完全反映實際尺寸。此后，將參考附圖描述實施方案。圖1是顯示根據(jù)一個實施方案的半導(dǎo)體發(fā)光器件側(cè)截面圖。參考圖1，根據(jù)該實施方案的半導(dǎo)體發(fā)光器件100包括發(fā)光結(jié)構(gòu)110、具有粗糙結(jié) 構(gòu)125的溝道層、第二電極層130和導(dǎo)電支撐構(gòu)件140。發(fā)光結(jié)構(gòu)110包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層111、有源層113和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層115。 有源層113置于第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層111和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層115之間。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層111可以包括至少一個摻雜有第一導(dǎo)電摻雜劑的半導(dǎo)體層。第 一導(dǎo)電半導(dǎo)體層111可以包括III-V族化合物半導(dǎo)體。例如，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層111可以 由選自GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN和AlInN中的至少一種形成。如果第一導(dǎo)電 半導(dǎo)體層111是N型半導(dǎo)體層，則第一導(dǎo)電摻雜劑是N型摻雜劑。例如，N型摻雜劑可選自 V族元素。第一電極119設(shè)置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層111的頂表面上。粗糙結(jié)構(gòu)可以形成在第 一導(dǎo)電半導(dǎo)體層111的頂表面的部分或整個區(qū)域上。有源層113形成在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層111下。有源層113具有單量子阱結(jié)構(gòu)或多 量子阱結(jié)構(gòu)(MQW)。有源層113可具有由III-V族化合物半導(dǎo)體材料形成的包括阱層和勢 壘層的堆疊結(jié)構(gòu).例如，有源層113具有InGaN阱層/GaN勢壘層或AlGaN阱層/GaN勢壘 層的堆疊結(jié)構(gòu)。有源層113由根據(jù)待發(fā)出的光的波長的帶隙能的材料制成。例如，在波長為460 到470nm的藍(lán)光的情況下，有源層113具有包括InGaN阱層/GaN勢壘層的單量子阱結(jié)構(gòu)或 多量子阱結(jié)構(gòu)。有源層113可包括能夠提供可見光波段的光如藍(lán)光、紅光和綠光的材料。導(dǎo)電覆層可形成在有源層113上和/或下。導(dǎo)電覆層可包括AlGaN層。第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層115設(shè)置在有源層113下。第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層115包括至少一 個摻雜有第二導(dǎo)電摻雜劑的半導(dǎo)體層。第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層115可包括III-V族化合物半導(dǎo) 體。例如，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層115可由選自GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN和AlInN 中的至少一種形成。如果第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層115是P型半導(dǎo)體層，則第二導(dǎo)電摻雜劑是P 型摻雜劑。例如，P型摻雜劑可選自III族元素。第三導(dǎo)電半導(dǎo)體層(未顯示)可形成在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層115上。如果第一導(dǎo)電 半導(dǎo)體層111是P型半導(dǎo)體層，則第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層115是N型半導(dǎo)體層。第三導(dǎo)電半導(dǎo) 體層可以摻雜有第一導(dǎo)電摻雜劑。發(fā)光結(jié)構(gòu)110可包括N-P結(jié)結(jié)構(gòu)、P-N結(jié)結(jié)構(gòu)、N-P-N結(jié) 結(jié)構(gòu)和P-N-P結(jié)結(jié)構(gòu)中的一種。
溝道層120和第二電極130在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層115下排列。
溝道層的內(nèi)部部分(內(nèi)側(cè)部分)120沿第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的外周部分設(shè)置在 第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層115下。溝道層的外部部分(外側(cè)部分)120延伸到第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層 115之外，使得溝道層130在發(fā)光結(jié)構(gòu)110的外周區(qū)域118處暴露出。溝道層120可以由具有透光性的導(dǎo)電材料或絕緣材料形成。溝道層120制備為框 的形式，并設(shè)置在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層115和第二電極層130之間。溝道層120 可包括選自 IT0、IZ0、IZT0、IAZ0、IGZ0、IGT0、AZ0 和 ATO 的導(dǎo)電材料。 另外，溝道層120可包括選自Si02、Si0x、Si0xNy、Si3N4、Al2O3和TiO2的絕緣材料。在溝道層 120包含絕緣材料時，第二電極層130和發(fā)光結(jié)構(gòu)110之間的間隙可以變寬。另外，溝道層 120可改善相對于第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的粘附性能。由于在之后進(jìn)行臺面蝕刻時溝道層120通過隔離蝕刻工藝而暴露，所以溝道層 120可稱為隔離層。另外，由于溝道層120在隔離蝕刻工藝期間作為蝕刻停止層，所以溝道 層120可稱為蝕刻停止層。粗糙結(jié)構(gòu)125形成在溝道層120上。粗糙結(jié)構(gòu)125可具有各種截面形狀，例如錐 形、三角形、多邊形、凸透鏡形或隨機(jī)形狀。粗糙結(jié)構(gòu)125涉及非平面或非平坦表面。粗糙 結(jié)構(gòu)125可包括通過圖案化工藝形成的突出結(jié)構(gòu)。粗糙結(jié)構(gòu)125可包括規(guī)則地或無規(guī)地突 出的多個凸起，并可以相對于垂直線傾斜。如果粗糙結(jié)構(gòu)125由絕緣材料形成，則粗糙結(jié)構(gòu)125可與發(fā)光結(jié)構(gòu)110的外表面 接觸。另外，如果粗糙結(jié)構(gòu)125由導(dǎo)電材料形成，則粗糙結(jié)構(gòu)125與發(fā)光結(jié)構(gòu)間隔開預(yù)定距罔。溝道層120的粗糙結(jié)構(gòu)125可設(shè)置為對應(yīng)于發(fā)光結(jié)構(gòu)110的一側(cè)、兩個相反側(cè)或 所有的側(cè)面。另外，溝道層120的粗糙結(jié)構(gòu)125可以設(shè)置為對應(yīng)于具有不對稱尺寸和形狀 的發(fā)光結(jié)構(gòu)110的兩側(cè)(例如，左側(cè)和右側(cè)和/或前側(cè)和后側(cè))。溝道層120的粗糙結(jié)構(gòu)125可以突出預(yù)定高度D2。例如，預(yù)定高度D2為50nm以 上。粗糙結(jié)構(gòu)125的頂表面的位置比有源層113的頂表面的位置高。溝道層120和粗糙結(jié)構(gòu)125可改變在發(fā)光結(jié)構(gòu)110的側(cè)向發(fā)出的或由第二電極層 130反射的光的入射角，從而改善外部發(fā)光效率。第二電極層130形成在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層115和溝道層120下。第二電極層130 可由包含選自Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf及其組合的至少一種的至少一 個層形成。具有預(yù)定圖案的歐姆層(未顯示)可以形成在第二電極層130和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體 層115之間。歐姆層可具有矩陣圖案、交叉圖案、多邊形圖案或圓形圖案。歐姆層可以由選 自ITO (氧化銦錫)、IZO (氧化銦鋅)、IZTO (氧化銦鋅錫)、IAZO (氧化銦鋁鋅)、IGZO (氧 化銦鎵鋅)、IGTO (氧化銦鎵錫)、AZO (氧化鋁鋅)和ATO (氧化銻錫)的至少一種形成。導(dǎo)電支撐構(gòu)件140形成在第二電極層130下。導(dǎo)電支撐構(gòu)件140可以由選自銅、 金、和載體晶片(例如，Si、Ge、GaAs、ZnO和SiC)的材料形成。圖2到9是示出制造根據(jù)一個實施方案的半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法的視圖。參考圖2，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層111形成在襯底101上，有源層113形成在第一導(dǎo)電 半導(dǎo)體層111上。第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層115形成在有源層113上。
襯底101可以由選自A1203、GaN、SiC、ZnO, Si、GaP、InP和GaAs的材料形成。在 襯底101上可以形成預(yù)定的凸凹圖案?？梢栽谝r底101上形成其它的半導(dǎo)體層，比如緩沖 層和/或未摻雜的半導(dǎo)體層，而沒有限制。如果第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層111是N型半導(dǎo)體層，則第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層115是P型半 導(dǎo)體層。相反，如果第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層111是P型半導(dǎo)體層，則第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層115是N 型半導(dǎo)體層。在襯底101和第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層111之間可以形成其它的半導(dǎo)體層，例如緩 沖層和/或未摻雜的半導(dǎo)體層。該半導(dǎo)體層在薄膜生長之后移除或分離。參考圖3，粗糙結(jié)構(gòu)116形成在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的頂表面的外部部分上。粗 糙結(jié)構(gòu)116沿第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的外部部分的上部形成預(yù)定的深度D2。預(yù)定的深度 D2為500nm以上。另外，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層111的預(yù)定部分可以因粗糙結(jié)構(gòu)116而暴露。第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層115中粗糙結(jié)構(gòu)116的寬度Dl必須設(shè)定為使得可以實現(xiàn)粗糙 結(jié)構(gòu)功能，而對發(fā)光區(qū)域沒有影響。例如，粗糙結(jié)構(gòu)116的寬度Dl為1000咸到5000厶。粗糙結(jié)構(gòu)116涉及非平坦表面。粗糙結(jié)構(gòu)116可包括通過圖案化工藝形成的突出 結(jié)構(gòu)。粗糙結(jié)構(gòu)116可以通過干蝕刻第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層115形成。在其中具有預(yù)定形狀的 掩模圖案已經(jīng)形成在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層115上的狀態(tài)下進(jìn)行干蝕刻。另外，可以在其中已 經(jīng)在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層115上形成無規(guī)則層的狀態(tài)下進(jìn)行干蝕刻。無規(guī)則層可包括光刻膠 層或金屬層。粗糙結(jié)構(gòu)116可具有各種截面形狀，例如反錐形、多邊形、凸透鏡形或隨機(jī)形狀。 可以規(guī)則地或不規(guī)則地提供多個粗糙結(jié)構(gòu)116。粗糙結(jié)構(gòu)116在單個芯片之間的邊界區(qū)域處形成。例如，粗糙結(jié)構(gòu)116可以設(shè)置 為對應(yīng)于發(fā)光結(jié)構(gòu)110的一個頂側(cè)、兩個相反頂側(cè)或所有頂側(cè)，而沒有限制。另外，粗糙結(jié) 構(gòu)116可以設(shè)置為對應(yīng)于具有不對稱尺寸和形狀的發(fā)光結(jié)構(gòu)110的兩側(cè)(例如，左側(cè)與右 側(cè)和/或前側(cè)與后側(cè))。參考圖3和4，溝道層120形成在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的頂表面的外周部分上。 溝道層 120 可以由選自 IT0、IZ0、IZT0、IAZ0、IGZ0、IGT0、AZ0、AT0、Si02、Si0x、Si0xNy、Si3N4、 Al2O3和TiO2的材料形成。溝道層120形成為具有粗糙結(jié)構(gòu)125，粗糙結(jié)構(gòu)125的形狀對應(yīng)于粗糙結(jié)構(gòu)116的 形狀。粗糙結(jié)構(gòu)125形成在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層115、有源層113和第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層111的 外周部分上。溝道層120制備為框的形式并設(shè)置在單個芯片的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的外周部 分上。溝道層120和粗糙結(jié)構(gòu)125可以通過使用相同的材料或兩種不同的材料形成。參考圖5和6，第二電極層130形成在溝道層130和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層115上，導(dǎo) 電支撐構(gòu)件140形成在第二電極層130上。第二電極層130和導(dǎo)電支撐構(gòu)件140是作為第二電極的導(dǎo)電層。具有預(yù)定圖案的 歐姆層(未顯示)可以形成在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層115和第二電極層130之間。第二電極層130 可以由包含選自 Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf 及 其組合中的至少一種的至少一個層形成。導(dǎo)電支撐構(gòu)件140可以通過使用選自銅、金和載 體晶片(例如，Si、Ge、GaAS、ZnO和SiC)的材料形成為具有預(yù)定厚度。參考圖6和7，設(shè)置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層111下的襯底101通過激光剝離(LLO)技術(shù)除去。即，如果具有預(yù)定波長的激光照射到襯底101上，則熱能集中在襯底101和第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層111之間的界面表面上，使得襯底101與第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層111分離。襯底101 可以通過其它技術(shù)除去。例如，如果其它半導(dǎo)體層如緩沖層存在于襯底101和第一導(dǎo)電半 導(dǎo)體層111之間，則將濕蝕刻劑注入緩沖層，以移除緩沖層，從而移除襯底101。在移除襯底101之后，通過ICP/RIE (感應(yīng)耦合等離子體/反應(yīng)性離子蝕刻)技術(shù) 拋光第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層111的底表面。參考圖7和8，在移除襯底101之后，進(jìn)行臺面蝕刻以在芯片邊界區(qū)暴露出溝道層 120的外圍下部。臺面蝕刻可以為干蝕刻或濕蝕刻。如果溝道層120包括導(dǎo)電材料，則由于溝道層120的歐姆特性導(dǎo)致可以提高發(fā)光 效率。如果溝道層120包括絕緣材料，則第二電極層130和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層115之間的 間隙可變寬。粗糙結(jié)構(gòu)125沿溝道層120的外部部分下部處的發(fā)光結(jié)構(gòu)110的外部部分而暴 露。粗糙結(jié)構(gòu)125突出，使得粗糙結(jié)構(gòu)125可以在發(fā)光結(jié)構(gòu)110的層疊方向暴露。具有預(yù)定圖案的第一電極119可以形成在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層111下。粗糙結(jié)構(gòu)可 以形成在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層111的底表面上。在形成第一電極119之前或之后，可以進(jìn)行 切割工藝，以提供單個芯片。根據(jù)實施方案的半導(dǎo)體發(fā)光器件110，粗糙結(jié)構(gòu)125在溝道層120的外部部分的下 部處在發(fā)光結(jié)構(gòu)Iio的層疊方向上沿發(fā)光結(jié)構(gòu)110的外周區(qū)域118突出。粗糙結(jié)構(gòu)125可 以改變從發(fā)光結(jié)構(gòu)110發(fā)出的或從形成在溝道層120下的第二電極層130反射的光的入射 角，從而提高外部發(fā)光效率。盡管參考多個說明性實施方案描述了一些實施方案，但是應(yīng)理解本領(lǐng)域技術(shù)人員 可知道的多個其它變化和實施方案在本公開原理的精神和范圍內(nèi)。更具體地，在本公開、附 圖和所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)，對象組合布置的構(gòu)件和/或布置中能夠有多種變化和改變。 除了構(gòu)件和/或布置中的變化和改變之外，可替代的用途對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言也是明 顯的。實施方案可應(yīng)用于發(fā)光器件以提供光。
權(quán)利要求
一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，包括包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、在所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層下的有源層和在所述有源層下的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層的發(fā)光結(jié)構(gòu)；在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)下的溝道層，其中所述溝道層的內(nèi)部部分沿所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的外周部分設(shè)置，所述溝道層的外部部分延伸到所述發(fā)光結(jié)構(gòu)之外；和在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)下的第二電極層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述溝道層包括選自ITO、IZO、IZTO、 IAZO、IGZO、IGTO、ΑΖΟ、ΑΤΟ、SiO2, SiOx、SiOxNy、Si3N4, Α1203、禾口 TiO2 的材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，還包括形成在所述溝道層的外部部分上的 粗糙結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述溝道層包括粗糙結(jié)構(gòu)，所述粗糙 結(jié)構(gòu)形成在暴露于所述發(fā)光結(jié)構(gòu)之外的溝道層的部分上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，還包括在所述第二電極層下的導(dǎo)電支撐構(gòu)件。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，還包括在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)上的第一電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述粗糙結(jié)構(gòu)從所述溝道層突出至少 50nmo
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述粗糙結(jié)構(gòu)具有錐形、多邊形和凸 起形中的至少一種。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述溝道層包括透光導(dǎo)電材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述溝道層包括絕緣材料。
11.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述粗糙結(jié)構(gòu)的頂表面比所述有源 層的頂表面高。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述第二電極層包括包含選自Ag、 Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf及其組合的材料的至少一個層。
13.一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，包括包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、在所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層下的有源層和在所述有源層下的第 二導(dǎo)電半導(dǎo)體層的發(fā)光結(jié)構(gòu)；在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)下的溝道層，其中所述溝道層的內(nèi)部部分沿所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的外周部分 設(shè)置，所述溝道層的外部部分延伸到所述發(fā)光結(jié)構(gòu)之外，和在所述溝道層的頂表面的外部 部分上形成粗糙結(jié)構(gòu)；在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)上的第一電極；和在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)下的第二電極層。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述溝道層包括選自ITO、ΙΖ0、 IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、ΑΖΟ、ΑΤΟ、SiO2, SiOx、SiOxNy、Si3N4, Α1203、禾口 TiO2 的材料。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，還包括在所述第二電極層下的導(dǎo)電支撐 構(gòu)件。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述粗糙結(jié)構(gòu)從所述溝道層突出至 少 50nm。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述粗糙結(jié)構(gòu)具有錐形、多邊形和 凸起形中的至少一種。
18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述溝道層包括透光的導(dǎo)電材料或 絕緣材料。
19.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述粗糙結(jié)構(gòu)的頂表面比所述有源 層的頂表面高。
20.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述第二電極層包括包含選自Ag、 Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf及其組合的材料的至少一個層。
全文摘要
公開了一種半導(dǎo)體發(fā)光器件。半導(dǎo)體發(fā)光器件包括包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層下的有源層、和在有源層下的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層的發(fā)光結(jié)構(gòu)；在發(fā)光結(jié)構(gòu)下的溝道層，其中溝道層的內(nèi)部部分沿發(fā)光結(jié)構(gòu)的外周部分設(shè)置，溝道層的外部部分延伸到發(fā)光結(jié)構(gòu)之外；和發(fā)光結(jié)構(gòu)下的第二電極層。
文檔編號H01L33/20GK101807645SQ20101012157
公開日2010年8月18日 申請日期2010年2月20日 優(yōu)先權(quán)日2009年2月16日
發(fā)明者丁煥熙 申請人:Lg伊諾特有限公司