專(zhuān)利名稱(chēng)：接觸孔測(cè)試裝置和有源區(qū)接觸孔對(duì)柵極的漏電流測(cè)試方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體測(cè)試裝置和方法，特別涉及一種接觸孔測(cè)試裝置和有源區(qū)接觸孔對(duì)柵極的漏電流測(cè)試方法。
背景技術(shù)：
目前，隨著集成電路的工藝的集成度進(jìn)入納米級(jí)，影響集成電路性能和可靠性的工藝環(huán)節(jié)越來(lái)越多。在金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, MOSFET)器件結(jié)構(gòu)中，表示有源區(qū)(Active Area, AA)接觸孔 (Contact, CT)和柵極(poly)相對(duì)位置的AA CT處剖面圖如圖1所示，包括晶圓內(nèi)被淺溝槽隔離(Shallow Trench Isolation，STI) 102 隔離的 AA101，在每個(gè)AAlOl中部的晶圓器件面100上都有一個(gè)AA CT103，在每個(gè)AACT103和STI之間的晶圓器件面上有一層很薄的柵氧化層106，柵氧化層106上方是帶側(cè)墻105的polyl04。其中， 側(cè)墻105的位置是在polyl04的兩邊側(cè)壁上(圖中其余空白部分都為層間介質(zhì)，在半導(dǎo)體器件中，由于層間介質(zhì)的存在，AA CT處的剖面圖無(wú)法看到剖面之后的結(jié)構(gòu)，如polyl04上的polyCT，以下剖視圖同)。由集成電路的失效分析結(jié)果發(fā)現(xiàn)，AA CT和poly CT的開(kāi)路或電阻太大是制作過(guò)程中的主要問(wèn)題。此外，AA CT的位置也會(huì)極大影響CT工藝和性能、以及AA CT對(duì)poly的漏電流。例如，poly與AA CT之間層間介質(zhì)中的雜質(zhì)和殘留物會(huì)影響AA CT的接觸，造成AA CT電阻變大甚至斷路以及poly對(duì)AA CT的漏電流的增加；如果AA CT的位置發(fā)生偏移，造成AA CT與poly或側(cè)墻的距離太近，也會(huì)使AA CT到AA的電阻變大甚至斷路，使漏電流問(wèn)題變得更加嚴(yán)重?，F(xiàn)有技術(shù)的有源區(qū)接觸孔測(cè)試裝置的俯視圖如圖2所示，包括多行和多列的帶狀有源區(qū)201，其中采用STI隔離(圖中未畫(huà)出)；在每個(gè)有源區(qū)201的長(zhǎng)度方向上的兩側(cè)生成有源區(qū)接觸孔203，從第一行第二列的有源區(qū)接觸孔203開(kāi)始，通過(guò)頂端的第一金屬線207連接成有源區(qū)接觸孔鏈路，直到最后一行倒數(shù)最后第二列的有源區(qū)接觸孔207為止，其中第一行第一列的有源區(qū)接觸孔207及最后一行最后一列的有源區(qū)接觸孔207分別通過(guò)具有自由端的金屬線209懸空。在圖2中，在邊緣處的兩列有源區(qū)接觸孔203通過(guò)第一金屬線連接時(shí)，所述第一金屬線為折彎金屬線208連接。為了更好地說(shuō)明圖2所示的結(jié)構(gòu)，其有源區(qū)接觸孔處垂直于第一金屬連線延伸方向的剖視圖如圖3所示，包括晶圓器件面100以下STI202和AA201交替結(jié)構(gòu)，每個(gè)AA201 中部的晶圓器件面100上各有一個(gè)有源區(qū)接觸孔203，有源區(qū)接觸孔203上方為第一金屬連線207(在半導(dǎo)體器件中，由于層間介質(zhì)的存在，剖視圖無(wú)法看到剖面之后的結(jié)構(gòu)，以下剖視圖同)?，F(xiàn)有的柵極接觸孔的測(cè)試裝置的俯視圖如圖4所示，包括STI402以及柵氧化層406(俯視圖中被poly404遮擋，未畫(huà)出)之上生長(zhǎng)有行、列對(duì)齊的若干poly404 ；每個(gè)poly404兩端分別生長(zhǎng)有柱狀poly CT403 ；從第一行第二列的poly CT403開(kāi)始，通過(guò)頂端的第二金屬線407連接成poly CT403鏈路，直到最后一行倒數(shù)最后第二列的poly CT403為止，其中第一行第一列的poly CT403及最后一行最后一列的poly CT403分別通過(guò)具有自由端的金屬線409懸空。為了更好地說(shuō)明圖4所示的結(jié)構(gòu)，其poly CT垂直于第一金屬連線延伸方向處的剖視圖如圖5所示，包括晶圓器件面100以下的STI402，晶圓器件面100上等距排列了若干極薄的柵氧化層406，柵氧化層406上方是poly404，每個(gè)poly404上方各有一個(gè)poly CT403, poly CT403上方為第一金屬連線407。AA CT或poly CT的CT測(cè)試方法和步驟如下步驟1、AA CT的第一金屬線或poly CT的第二金屬線的任意一端接地；步驟2、AA CT的第一金屬線或poly CT的第二金屬線的另一端加載電流或電壓；步驟3、測(cè)量AA CT的第一金屬線或poly CT的第二金屬線上的電流或電壓，并根據(jù)加載的電流值或電壓值和測(cè)量得到的電壓值或電流值計(jì)算電阻值，與預(yù)定電阻值相比較，超出預(yù)定區(qū)間則說(shuō)明有AA CT或poly缺陷。上述兩種結(jié)構(gòu)只能分別測(cè)出單一 AA CT和poly的性能，卻無(wú)法體現(xiàn)ploy和AA CT 之間的相互影響，也不能真實(shí)反映MOSFET器件制造過(guò)程中可能出現(xiàn)的缺陷。例如在poly 及其側(cè)墻的制造工藝過(guò)程中，可能在兩根相鄰的poly之間留下殘留物或雜質(zhì)，導(dǎo)致AA CT 與poly之間的漏電流增加，或影響AA CT的阻值；此外，AA CT相對(duì)poly的位置偏移也可能造成AA CT與poly之間的漏電流或AA CT阻值的異常。因此，需要設(shè)計(jì)一種更接近實(shí)際工藝情況的測(cè)試裝置，同時(shí)包括AA和poly以及AA CT和poly CT，并測(cè)試AA CT和poly的性能，以及AA CT對(duì)poly的漏電流。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供一種接觸孔測(cè)試裝置和有源區(qū)接觸孔對(duì)柵極的漏電流測(cè)試方法，該裝置及方法能夠在測(cè)試時(shí)，體現(xiàn)Ploy和AA CT之間的相互影響，真實(shí)反映MOSFET 器件制造過(guò)程中的缺陷。為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明的技術(shù)方案具體是這樣實(shí)現(xiàn)的一種接觸孔測(cè)試裝置，包括若干個(gè)在長(zhǎng)度方向上平行的帶狀有源區(qū)；在所述每個(gè)有源區(qū)的長(zhǎng)度方向上的兩側(cè)分別生成多行的兩列有源區(qū)接觸孔，從第一行第二列的有源區(qū)接觸孔開(kāi)始，通過(guò)頂端的第一金屬線連接成有源區(qū)接觸孔鏈路，直到最后一行倒數(shù)最后第二列的有源區(qū)接觸孔為止，其中第一行第一列的有源區(qū)接觸孔及最后一行最后一列的有源區(qū)接觸孔分別通過(guò)具有自由端的金屬線懸空；在兩列有源區(qū)接觸孔之間的有源區(qū)上的柵氧化層表面，具有長(zhǎng)度大于有源區(qū)寬度的柵極，在柵極的兩端分別生成柵極接觸孔，從第一行第二列的柵極接觸孔開(kāi)始，通過(guò)頂端的第二金屬線連接成柵極鏈路，直到最后一行倒數(shù)最后第二列的柵極接觸孔為止，其中第一行第一列的柵極接觸孔及最后一行最后一列的柵極接觸孔分別通過(guò)具有自由端的金屬線懸空。
4
所述柵極的寬度小于兩列有源區(qū)接觸孔之間的距離?！N利用上述的裝置進(jìn)行有源區(qū)接觸孔對(duì)柵極的漏電流測(cè)試方法，該方法包括，將有源區(qū)接觸孔鏈路的任意一端接地，在有源區(qū)接觸孔鏈路的另一端加電壓；檢測(cè)有源區(qū)接觸孔鏈路對(duì)柵極鏈路的電流，判斷是否出現(xiàn)漏電流。對(duì)N型摻雜的柵極，所述有源區(qū)接觸孔鏈路加載正電壓。對(duì)P型摻雜的柵極，所述有源區(qū)接觸孔鏈路加載負(fù)電壓。一種接觸孔測(cè)試裝置，該裝置包括若干個(gè)在長(zhǎng)度方向上平行的帶狀有源區(qū)；在每個(gè)有源區(qū)的長(zhǎng)度方向上形成一行有源區(qū)接觸孔，在每一行中，所述有源區(qū)接觸孔通過(guò)頂端的第一金屬線連接，每一行的第一金屬線的一端邊緣通過(guò)頂端的第二金屬線連接，形成梳狀；在每行有源區(qū)接觸孔之間的有源區(qū)上的柵氧化層表面形成長(zhǎng)度大于有源區(qū)長(zhǎng)度的柵極，在遠(yuǎn)離第二金屬線的一側(cè)，在每個(gè)柵極上形成柵極接觸孔，將所述柵極接觸孔通過(guò)頂部的第三金屬線連接。一種利用上述裝置進(jìn)行有源區(qū)接觸孔對(duì)柵極的漏電流測(cè)試方法，該方法包括，使得第三金屬線的一端接地；在第二金屬線上加載電壓；檢測(cè)第一金屬線對(duì)柵極的電流，判斷是否出現(xiàn)漏電流。對(duì)N型摻雜的柵極，所述第二金屬線上加載正電壓。對(duì)P型摻雜的柵極，所述第二金屬線上加載負(fù)電壓。由上述的技術(shù)方案可見(jiàn)，本發(fā)明提供了一種同時(shí)包括有源區(qū)接觸孔、柵極和柵極接觸孔的測(cè)試裝置，提出了利用此裝置測(cè)出有源區(qū)接觸孔對(duì)柵極的漏電流的方法，此測(cè)試裝置和方法在對(duì)有源區(qū)接觸孔和柵極測(cè)試時(shí)，就可以體現(xiàn)Ploy和AA CT之間的相互影響， 真實(shí)反映MOSFET器件制造過(guò)程中的缺陷。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)有源區(qū)接觸孔和柵極相對(duì)位置的剖面圖2為現(xiàn)有技術(shù)的有源區(qū)接觸孔測(cè)試裝置的俯視圖3為現(xiàn)有技術(shù)AA CT在CT處的剖面圖4為現(xiàn)有技術(shù)poly CT測(cè)試裝置的俯視圖5為現(xiàn)有技術(shù)poly CT在CT處的剖面圖6為本發(fā)明接觸孔測(cè)試裝置的俯視圖7為本發(fā)明接觸孔測(cè)試裝置在AA CT處的剖面圖8為本發(fā)明AA CT對(duì)poly的梳型結(jié)構(gòu)測(cè)試裝置的俯視圖9為本發(fā)明AA CT對(duì)poly的梳型結(jié)構(gòu)測(cè)試裝置在AA CT處的剖面圖。
具體實(shí)施例方式
為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案、及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下參照附圖并舉實(shí)施例， 對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。
由于現(xiàn)有技術(shù)是分別對(duì)AA CT和poly進(jìn)行測(cè)試的，所以無(wú)法反映兩者之間的影響，就會(huì)無(wú)法真實(shí)反映MOSFET器件制造過(guò)程中的缺陷。為了解決這個(gè)問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種更接近實(shí)際工藝情況的接觸孔測(cè)試結(jié)構(gòu)，同時(shí)包括AA CT、poly和poly CT，通過(guò)對(duì)此結(jié)構(gòu)的測(cè)試反映的是AA CT和poly CT的性能，AA CT和poly之間的工藝相關(guān)性以及AA CT 對(duì)poly漏電流。具體實(shí)施例一一種接觸孔測(cè)試裝置，此測(cè)試裝置的俯視圖如圖6所示，包括，若干個(gè)在長(zhǎng)度方向上平行的帶狀有源區(qū)601，該有源區(qū)601在寬度上通過(guò)STI602 隔離；在每個(gè)有源區(qū)601的長(zhǎng)度方向上的兩側(cè)分別生成多行的兩列有源區(qū)接觸孔603， 從第一行第二列的有源區(qū)接觸孔603開(kāi)始，通過(guò)頂端的第一金屬線607連接成有源區(qū)接觸孔鏈路，直到最后一行倒數(shù)最后第二列的有源區(qū)接觸孔603為止，其中第一行第一列的有源區(qū)接觸孔603及最后一行最后一列的有源區(qū)接觸孔603分別通過(guò)具有自由端的金屬線 609懸空；在兩列有源區(qū)接觸孔603之間的有源區(qū)上的柵氧化層表面(俯視圖中被poly4804 遮擋，未畫(huà)出)，具有長(zhǎng)度大于有源區(qū)寬度的柵極604，在柵極604的兩端分別生成柵極接觸孔606，從第一行第二列的柵極接觸孔606開(kāi)始，通過(guò)頂端的第二金屬線610連接成柵極鏈路，直到最后一行倒數(shù)最后第二列的柵極接觸孔606為止，其中第一行第一列的柵極接觸孔606及最后一行最后一列的柵極接觸孔606分別通過(guò)具有自由端的金屬線懸空。在該圖中，對(duì)于在邊緣的相鄰兩列的有源區(qū)接觸孔的連接，采用的是頂端的彎曲形狀的頂層的第一金屬線608相連接。在該方案中，經(jīng)由相關(guān)摻雜工藝，poly將有源區(qū)分隔成溝道區(qū)(poly下方的AA)和源漏區(qū)(poly兩側(cè)的AA)，具有不同的摻雜類(lèi)型。例如，溝道區(qū)為N型而源漏區(qū)為P型，或者溝道區(qū)為P型而源漏區(qū)為N型。具體地，在該方案中，對(duì)于在邊緣的柵極接觸孔，其可以通過(guò)頂端的第三金屬線 611接出，且第三金屬線611的另一端有柵極接觸孔612，對(duì)于相鄰兩列的柵極接觸孔612， 通過(guò)頂層的第四金屬線613連接。具體地，在該方案中，對(duì)于第一行第一列的柵極接觸孔606及最后一行最后一列的柵極接觸孔606分別通過(guò)頂端的第三金屬線611接出，且第三金屬線611的另一端有柵極接觸孔612，通過(guò)具有自由端的金屬線懸空。為了更好說(shuō)明同時(shí)包括AA CT測(cè)試鏈和poly CT測(cè)試鏈的接觸孔測(cè)試裝置的結(jié)構(gòu)，給出了如圖7所示AA CT103垂直于第一金屬連線延伸方向處的剖面圖，包括在晶圓器件面以下的左右兩個(gè)梯形STI602和中間的AA101，AA601上方的晶圓器件面上交替出現(xiàn)的 AA CT603和柵氧化層606，柵氧化層上方的poly604，以及AA CT603上方的第一金屬直線 607(在半導(dǎo)體器件中，由于層間介質(zhì)的存在，剖視圖無(wú)法看到剖面之后的結(jié)構(gòu)，以下剖視圖同)。接觸孔測(cè)試裝置分別進(jìn)行poly CT測(cè)試、AA CT對(duì)poly漏電流測(cè)試和AA CT測(cè)試的方法和步驟如下Upoly CT 測(cè)試
步驟1、poly CT測(cè)試鏈的任意一端接地；步驟2、在poly CT測(cè)試鏈的另一端加載電流或電壓；步驟3、測(cè)量poly CT測(cè)試鏈的電壓或電流，并根據(jù)加的電流值或電壓值和測(cè)量得到的電壓值或電流值計(jì)算電阻值，與預(yù)定電阻值相比較，超出預(yù)定區(qū)間則說(shuō)明有poly CT缺陷。2、AA CT對(duì)poly的漏電流測(cè)試步驟1、poly CT測(cè)試鏈的任意一端接地；本步驟中，poly CT測(cè)試鏈接地是為了確保MOSFET器件處于斷開(kāi)狀態(tài)，即確保溝道區(qū)未形成反形層，與源漏區(qū)AA處于不同的PN極性。步驟2、在AA CT測(cè)試鏈的另一端加載電壓；本步驟中，對(duì)N形摻雜的AA CT測(cè)試鏈加載正電壓，對(duì)P形摻雜的AA CT測(cè)試鏈加載負(fù)電壓，其目的是確保源漏區(qū)AA與溝道區(qū)AA之間的PN結(jié)處于反偏狀態(tài)，排除AA CT經(jīng)由源漏區(qū)AA、溝道區(qū)AA、柵氧化層到poly的漏電流的干擾。步驟3、檢測(cè)AA CT對(duì)poly的電流，判斷是否出現(xiàn)漏電流，此判斷方法為公知技術(shù)。3、AA CT 測(cè)試步驟1、保持poly CT測(cè)試鏈的任意一端接地；本步驟中，保持poly CT測(cè)試鏈的任意一端接地的目的是確保MOSFET器件處于斷開(kāi)狀態(tài)，使poly隔開(kāi)的AA之間處于斷開(kāi)狀態(tài)。步驟2、AA CT測(cè)試鏈的任意一端接地；步驟3、在AA CT測(cè)試鏈的另一端加電流或電壓；步驟4、測(cè)量AA CT測(cè)試鏈的電壓或電流，并根據(jù)加的電流值或電壓值和測(cè)量得到的電壓值或電流值計(jì)算電阻值，與預(yù)定電阻值相比較，超出預(yù)定區(qū)間則說(shuō)明有AA CT缺陷。具體實(shí)施例二另一種接觸孔測(cè)試裝置，此測(cè)試裝置的俯視圖如圖6所示，包括若干個(gè)在長(zhǎng)度方向上平行的帶狀有源區(qū)801 ；在每個(gè)有源區(qū)801的長(zhǎng)度方向上形成一行有源區(qū)接觸孔803，在每一行中，所述有源區(qū)接觸孔803通過(guò)頂端的第一金屬線802連接，每一行的第一金屬線802的一端邊緣通過(guò)頂端的第二金屬線805連接，形成梳狀；在每行有源區(qū)接觸孔801之間的有源區(qū)上的柵氧化層表面806(俯視圖中被 poly4804遮擋，未畫(huà)出)形成長(zhǎng)度大于有源區(qū)長(zhǎng)度的柵極804，在遠(yuǎn)離第二金屬線805的一側(cè)，在每個(gè)柵極上形成柵極接觸孔806，將所述柵極接觸孔806通過(guò)頂部的第三金屬線807 連接。在該方案中，經(jīng)由相關(guān)摻雜工藝，poly將有源區(qū)分隔成溝道區(qū)(poly下方的AA)和源漏區(qū)(poly兩側(cè)的AA)，具有不同的摻雜類(lèi)型。例如，溝道區(qū)為N型而源漏區(qū)為P型，或者溝道區(qū)為P型而源漏區(qū)為N型。為了更好說(shuō)明AA CT對(duì)poly的梳型結(jié)構(gòu)測(cè)試裝置的結(jié)構(gòu)，給出了如圖9所示的AA CT803垂直于第一金屬連線延伸方向處的剖面圖，包括在晶圓器件面以下的左右兩個(gè)梯形STI802和中間的AA801，AA801上方的晶圓器件面上交替出現(xiàn)的AA CT803和柵氧化層806，柵氧化層上方的poly804，以及AA CT803上方的第一金屬連線805。AA CT對(duì)poly的梳型結(jié)構(gòu)測(cè)試裝置中AACT對(duì)poly漏電流測(cè)試方法步驟1、保持梳型結(jié)構(gòu)poly的任意一端接地；本步驟中，保持梳型結(jié)構(gòu)poly的任意一端接地的目的是確保MOSFET器件處于斷開(kāi)狀態(tài)，即確保溝道區(qū)未形成反型層，與AA處于不同的P/N極性。步驟2、在梳型結(jié)構(gòu)AA CT的一端加載電壓；本步驟中，對(duì)N形摻雜的梳型結(jié)構(gòu)AA CT加載正電壓，對(duì)P形摻雜的梳型結(jié)構(gòu)AA CT加載負(fù)電壓，其目的是確保源漏區(qū)AA與溝道區(qū)AA之間的PN結(jié)處于反偏狀態(tài)，排除AA CT 經(jīng)由源漏區(qū)AA、溝道區(qū)AA、柵氧化層到poly的漏電流的干擾。步驟3、檢測(cè)AA CT對(duì)poIy的電流，判斷是否出現(xiàn)漏電流，此判斷方法為公知技術(shù)。具體實(shí)施例二的AA CT對(duì)poly的梳型結(jié)構(gòu)測(cè)試裝置相比具體實(shí)施例一能夠形成更加密集的AA CT排列，其AA CT的密度更大，因此AA CT對(duì)poly的梳型結(jié)構(gòu)測(cè)試裝置捕捉到造成AA CT到poly之間漏電流的工藝缺陷的機(jī)率也更大，效果更好。以上所述，僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非用于限定本發(fā)明的保護(hù)范圍。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種接觸孔測(cè)試裝置，包括若干個(gè)在長(zhǎng)度方向上平行的帶狀有源區(qū)；在所述每個(gè)有源區(qū)的長(zhǎng)度方向上的兩側(cè)分別生成多行的兩列有源區(qū)接觸孔，從第一行第二列的有源區(qū)接觸孔開(kāi)始，通過(guò)頂端的第一金屬線連接成有源區(qū)接觸孔鏈路，直到最后一行倒數(shù)最后第二列的有源區(qū)接觸孔為止，其中第一行第一列的有源區(qū)接觸孔及最后一行最后一列的有源區(qū)接觸孔分別通過(guò)具有自由端的金屬線懸空；在兩列有源區(qū)接觸孔之間的有源區(qū)上的柵氧化層表面，具有長(zhǎng)度大于有源區(qū)寬度的柵極，在柵極的兩端分別生成柵極接觸孔，從第一行第二列的柵極接觸孔開(kāi)始，通過(guò)頂端的第二金屬線連接成柵極鏈路，直到最后一行倒數(shù)最后第二列的柵極接觸孔為止，其中第一行第一列的柵極接觸孔及最后一行最后一列的柵極接觸孔分別通過(guò)具有自由端的金屬線懸空。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述柵極的寬度小于兩列有源區(qū)接觸孔之間的距離。
3.一種利用權(quán)利要求1所述的裝置進(jìn)行有源區(qū)接觸孔對(duì)柵極的漏電流測(cè)試方法，該方法包括，將有源區(qū)接觸孔鏈路的任意一端接地，在有源區(qū)接觸孔鏈路的另一端加電壓；檢測(cè)有源區(qū)接觸孔鏈路對(duì)柵極鏈路的電流，判斷是否出現(xiàn)漏電流。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，對(duì)N型摻雜的柵極，所述有源區(qū)接觸孔鏈路加載正電壓。
5.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，對(duì)P型摻雜的柵極，所述有源區(qū)接觸孔鏈路加載負(fù)電壓。
6.一種接觸孔測(cè)試裝置，該裝置包括若干個(gè)在長(zhǎng)度方向上平行的帶狀有源區(qū)；在每個(gè)有源區(qū)的長(zhǎng)度方向上形成一行有源區(qū)接觸孔，在每一行中，所述有源區(qū)接觸孔通過(guò)頂端的第一金屬線連接，每一行的第一金屬線的一端邊緣通過(guò)頂端的第二金屬線連接，形成梳狀；在每行有源區(qū)接觸孔之間的有源區(qū)上的柵氧化層表面形成長(zhǎng)度大于有源區(qū)長(zhǎng)度的柵極，在遠(yuǎn)離第二金屬線的一側(cè)，在每個(gè)柵極上形成柵極接觸孔，將所述柵極接觸孔通過(guò)頂部的第三金屬線連接。
7.一種利用權(quán)利要求6所述的裝置進(jìn)行有源區(qū)接觸孔對(duì)柵極的漏電流測(cè)試方法，該方法包括，使得第三金屬線的一端接地；在第二金屬線上加載電壓；檢測(cè)第一金屬線對(duì)柵極的電流，判斷是否出現(xiàn)漏電流。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，對(duì)N型摻雜的柵極，所述第二金屬線上加載正電壓。
9.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，對(duì)P型摻雜的柵極，所述第二金屬線上加載負(fù)電壓。
全文摘要
一種接觸孔測(cè)試裝置和有源區(qū)接觸孔對(duì)柵極的漏電流測(cè)試方法，若干個(gè)在長(zhǎng)度方向上平行的帶狀有源區(qū)；在所述每個(gè)有源區(qū)的兩側(cè)分別生成多行的兩列有源區(qū)接觸孔，從第一行第二列的有源區(qū)接觸孔開(kāi)始，通過(guò)頂端的第一金屬線連接成有源區(qū)接觸孔鏈路，直到最后一行倒數(shù)最后第二列的有源區(qū)接觸孔為止；在兩列有源區(qū)接觸孔之間的有源區(qū)上的柵氧化層表面，具有長(zhǎng)度大于有源區(qū)寬度的柵極，在柵極的兩端分別生成柵極接觸孔，從第一行第二列的柵極接觸孔開(kāi)始，通過(guò)頂端的第二金屬線連接成柵極鏈路，直到最后一行倒數(shù)最后第二列的柵極接觸孔為止。此測(cè)試裝置和方法能真實(shí)反映MOSFET器件制造過(guò)程中可能出現(xiàn)的缺陷。
文檔編號(hào)H01L21/66GK102157496SQ20101011080
公開(kāi)日2011年8月17日 申請(qǐng)日期2010年2月12日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月12日
發(fā)明者郭強(qiáng), 龔斌 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司