專利名稱：彈性接點(diǎn)及其制造方法、以及接點(diǎn)基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種與IC封裝(package)等的電子部件的電極抵接的彈性接點(diǎn)及其 制造方法。
背景技術(shù)：
在下述專利文獻(xiàn)1中公開(kāi)了一種在NiP層的表面被覆有Pd層(被覆層)的彈性 接點(diǎn)的發(fā)明。另外，在專利文獻(xiàn)l中公開(kāi)了一種具備多個(gè)所述彈性接點(diǎn)的接點(diǎn)薄板。
對(duì)于形成所述接點(diǎn)薄板而言，在支撐基板中以對(duì)構(gòu)成多個(gè)彈性接點(diǎn)的芯部進(jìn)行了 電分離的狀態(tài)來(lái)進(jìn)行支撐，接著，利用無(wú)電解鍍敷法使Ni合金層析出于各芯部的表面，還 利用無(wú)電解鍍敷法使Pd層析出于Ni合金層的表面。
專利文獻(xiàn)1日本特開(kāi)2008-78032號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)2日本特開(kāi)2000-195588號(hào)公報(bào) 但是，通過(guò)提高NiP層的P的含有量以使彈性性能提高，作為彈性接點(diǎn)是優(yōu)選的，
另一方面通過(guò)化學(xué)穩(wěn)定(缺乏活性)的P的量增加卻存在不能在NiP層的表面適當(dāng)?shù)匚龀?br> Pd層的問(wèn)題。特別是，通過(guò)微小型化彈性接點(diǎn)，從而上述課題變得更加顯著。 并且，通過(guò)不能穩(wěn)定地析出Pd層，從而生出了能損害作為接點(diǎn)的接觸可靠性和焊
錫接合可靠性的問(wèn)題。 另外，在如上述以往的利用無(wú)電解鍍敷法的結(jié)構(gòu)中，如引用文獻(xiàn)2那樣，作為Pd層 的基底不能采用通過(guò)電解鍍敷來(lái)獲得的Ni。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明是用于解決上述以往的課題，其目的在于提供一種特別是在通過(guò)無(wú) 電解鍍敷來(lái)層疊鍍敷NiX層和Pd層的結(jié)構(gòu)中可穩(wěn)定地析出所述Pd層，以提高接觸可靠性 等的彈性接點(diǎn)及其制造方法、以及接點(diǎn)基板及其制造方法。 本發(fā)明中的彈性接點(diǎn)其特征在于，所述彈性接點(diǎn)包括利用NiX(其中X為P、 W、
Mn、Ti、Be、B中的任一種以上)進(jìn)行無(wú)電解鍍敷的非晶質(zhì)狀態(tài)的NiX層；在所述NiX層的表
面上由NiX被無(wú)電解鍍敷，且元素X的含有量比所述NiX層少的晶質(zhì)狀態(tài)的基底層；和被無(wú)
電解鍍敷到所述基底層的表面上的Pd或Pd合金的金屬層。 另外，本發(fā)明中的彈性接點(diǎn)的制造方法其特征在于，包括以下的工序。 由無(wú)電解鍍敷法形成由NiX構(gòu)成的非晶質(zhì)狀態(tài)的NiX層的工序，其中X為P、W、Mn、
Ti、Be、B中的任一種以上； 由無(wú)電解鍍敷法在所述NiX層的表面形成由NiX構(gòu)成且元素X的含有量比所述 NiX層少的晶質(zhì)狀態(tài)的基底層的工序，其中X為P、 W、 Mn、 Ti、 Be、 B中的任一種以上；禾口
由無(wú)電解鍍敷法在所述基底層的表面形成Pd或Pd合金的金屬層的工序。
如上述，在通過(guò)無(wú)電解鍍敷對(duì)NiX層和Pd或Pd合金的金屬層進(jìn)行層疊鍍敷的結(jié) 構(gòu)及制造方法中，通過(guò)利用無(wú)電解鍍敷法在NiX層的表面設(shè)置元素X的含有量小的晶質(zhì)狀態(tài)的基底層，從而即使以超小型化形成彈性接點(diǎn)也能穩(wěn)定地析出所述金屬層。因此，能夠得 到可具備良好的彈性功能并且與以往相比能提高接觸可靠性及焊錫接合可靠性的超小型 化的彈性接點(diǎn)。 在本發(fā)明中優(yōu)選元素X為P，所述NiX層的P含有量為9 30質(zhì)量％，所述基底 層的P含有量為3 8質(zhì)量％ 。因此，能適當(dāng)?shù)貙iX層處于非晶質(zhì)狀態(tài)該，將基底層處于 晶質(zhì)狀態(tài)。 另外，在本發(fā)明中，即使將所述彈性接點(diǎn)設(shè)為收納在縱橫長(zhǎng)度設(shè)為0. 5mm以下的 正方形的范圍內(nèi)的大小，只要是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)就能穩(wěn)定地析出Pd或Pd合金的金屬層。
上述的彈性接點(diǎn)的結(jié)構(gòu)及制造方法適合于固定支撐多個(gè)彈性接點(diǎn)的接點(diǎn)基板的 結(jié)構(gòu)及制造方法。 且有，在接點(diǎn)基板的制造方法中其特征在于，接點(diǎn)基板的制造方法包括分別電分 離而形成多個(gè)芯部并由支撐基板支撐各芯部的工序，由無(wú)電解鍍敷法在各芯部的表面對(duì)所 述NiX層、所述基底層及所述金屬層進(jìn)行層疊鍍敷。
(發(fā)明效果) 根據(jù)本發(fā)明，在對(duì)由無(wú)電解鍍敷形成的NiX層和Pd或Pd合金的金屬層進(jìn)行層疊 鍍敷的結(jié)構(gòu)及制造方法中，通過(guò)由無(wú)電解鍍敷法在NiX層的表面設(shè)置元素X的含有量小的 晶質(zhì)狀態(tài)的基底層，從而能穩(wěn)定地析出所述金屬層。因此，能夠得到可具備良好的彈性功能 并且與以往相比能提高接觸可靠性及焊錫接合可靠性的超小型化的彈性接點(diǎn)。


圖1是作為本實(shí)施方式的連接裝置的部分剖視圖。 圖2是表示圖1所示的連接裝置的彈性接點(diǎn)附近的放大剖視圖(彈性接點(diǎn)在側(cè)面 圖中示出)。 圖3(a)是接點(diǎn)薄板的放大俯視圖，(b)是圖3(a)的圓圈A包圍的一個(gè)彈性接點(diǎn) 的放大俯視圖。 圖4(a)是沿圖3(b)的B-B線切斷，從箭頭方向觀看的彈性臂的放大剖視圖，(b) 是進(jìn)一步放大表示圖4(a)的部分剖視圖。 圖5是表示具備了本實(shí)施方式中的多個(gè)彈性接點(diǎn)的接點(diǎn)薄板的制造方法的工序 圖(剖視圖)。 圖6是排列了多個(gè)接點(diǎn)薄板的加工薄板的剖視圖。 圖7是用于說(shuō)明連續(xù)地進(jìn)行層疊鍍敷的工序的無(wú)電解鍍敷槽的剖視圖。 符號(hào)說(shuō)明1-連接裝置，10-基臺(tái)，20-彈性接點(diǎn)，21-固定部，22-彈性臂，23-芯
部，24-樹(shù)脂薄板(支撐基板)，25_接點(diǎn)薄板(接點(diǎn)基板)，27_加工薄板，30-夾具，32_NiX
層，33-基底層，34-金屬層，40-電子部件，50-NiX鍍敷槽，51-基底鍍敷槽，52-金屬鍍敷槽。
具體實(shí)施例方式
圖1是連接裝置的部分剖視圖，圖2是表示圖1所示的連接裝置的彈性接點(diǎn)附近 的放大剖視圖(彈性接點(diǎn)由側(cè)面圖示出)，圖3(a)是接點(diǎn)薄板的放大俯視圖，圖3(b)是圖3(a)的由圓圈A包圍的一個(gè)彈性接點(diǎn)的放大俯視圖，圖4(a)是沿著圖3(b)的B-B線切斷， 從箭頭方向看到的彈性臂的放大剖視圖，圖4(b)是進(jìn)一步放大表示圖4(a)的部分剖視圖。
圖1所示的連接裝置1具有基臺(tái)10?；_(tái)10的平面形狀例如是四邊形狀，在基臺(tái) 10的4個(gè)邊的每一邊都形成有幾乎垂直立起的側(cè)壁部10a。由4個(gè)邊的側(cè)壁部10a包圍的 區(qū)域?yàn)榘疾?，該底?0b的上表面是固定面12。并且，在固定面12上設(shè)置有接點(diǎn)薄板(接 點(diǎn)基板)25。 如圖3(a)所示，在接點(diǎn)薄板25中，多個(gè)彈性接點(diǎn)20由樹(shù)脂薄板(支撐基板)24 支撐。各彈性接點(diǎn)20彼此空出規(guī)定間隔有規(guī)則地排列著。 如圖3 (b)所示，彈性接點(diǎn)20是彈性臂22和固定部21 —體式形成且彈性臂22從 所述固定部21延伸出的形態(tài)。在圖3(b)中，雖然所述彈性臂22以盤(pán)繞形狀形成的，但是 并不特別限定形狀。 如圖2所示，彈性接點(diǎn)20的固定部21在連接裝置1內(nèi)經(jīng)由焊錫層14被接合于形 成在固定面12上的焊盤(pán)部13上。焊錫層14是由不含鉛的焊錫形成的，例如錫鉍合金或錫 銀合金。 另外，如圖l所示，在連接裝置1中設(shè)置有電子部件40。電子部件40是IC封裝 等，IC軸承(bearing)芯片等的各種電子部件被密封于主體部41內(nèi)。在主體部41的底面 41a上設(shè)置有多個(gè)突出電極42，每個(gè)突出電極42在主體部41內(nèi)的電路中導(dǎo)通。該實(shí)施方 式的電子部件40其突出電極42是球形狀。另外，突出電極42也可以是裁頭圓錐形狀等。
突出電極42是以含錫的導(dǎo)電性的合金形成的。即以不含鉛的焊錫形成的，例如錫 鉍合金或錫銀合金。 本實(shí)施方式的連接裝置1例如是用于檢測(cè)電子部件40的裝置，如圖1所示，作為 被檢查物的電子部件40被安裝在基臺(tái)10的凹部?jī)?nèi)。此時(shí)，電子部件40以設(shè)置在主體部41 的底面41a上的各突出電極42被配置在彈性接點(diǎn)20上的方式進(jìn)行定位。在基臺(tái)10上設(shè) 置有未圖示的按壓用的蓋體，若使該蓋體覆蓋在基臺(tái)IO上，則通過(guò)蓋體向箭頭F方向按壓 電子部件40。通過(guò)該按壓力，各突出電極42被壓在彈性臂22上，壓壞立體成形的彈性臂 22，從而突出電極42和彈性臂22能分別導(dǎo)通。 在連接裝置1用于所謂的老化(burn in)檢查的情況下，以在規(guī)定的溫度下進(jìn)行 設(shè)定的狀態(tài)下，電流從外部檢查用的電路經(jīng)由彈性接點(diǎn)20被給予到突出電極42，從而進(jìn)行 電子部件40的主體部41內(nèi)的電路是否斷路的檢查?；蛘?，規(guī)定的信號(hào)從彈性接點(diǎn)20給予 到突出電極42，從而進(jìn)行主體部41內(nèi)的電路的工作實(shí)驗(yàn)。 檢查完成的電子部件40從連接裝置1中取出，接著應(yīng)檢查的電子部件40被設(shè)置 在連接裝置l內(nèi)，同樣能進(jìn)行檢查。反復(fù)進(jìn)行該檢查。因此，新的電子部件40的突出電極 42依次接觸于彈性接點(diǎn)20的彈性臂22。 如圖4所示，彈性接點(diǎn)20是具有芯部23、覆蓋所述芯部23的表面整體的NiX層 32、覆蓋所述NiX層的表面整體的基底層33、和覆蓋所述基底層33的表面整體的金屬層34 而構(gòu)成的。 芯部23例如是對(duì)Cu板或Cu合金板進(jìn)行蝕刻加工而形成的。 所述NiX層32是由NiX(其中，X為P、W、Mn、Ti、Be、B中的任一種以上)構(gòu)成的，
且由無(wú)電解鍍敷法形成的。元素X優(yōu)選為P，此時(shí)P的含有量被調(diào)整為9 30質(zhì)量％左右，
5成為非晶質(zhì)狀態(tài)。由此，利用NiX層32能夠得到高彈性系數(shù)和高拉伸強(qiáng)度，且能夠有效地 提高彈性功能。且有，所謂"非晶質(zhì)狀態(tài)"是指非晶質(zhì)占整體的60體積％以上，優(yōu)選占80體 積％以上，進(jìn)一步優(yōu)選占90體積％以上，且除了非晶質(zhì)以外還可以包括3nm 15nm左右粒 徑的結(jié)晶。P含有量更優(yōu)選9 12質(zhì)量X左右。 即使在作為元素X而選擇了 P以外的元素的情況下，也能適當(dāng)?shù)卣{(diào)整元素X的含 有量，NiX層32成為非晶質(zhì)狀態(tài)。 基底層33由NiX(其中，X為P、W、Mn、Ti、Be、B中的任一種以上)構(gòu)成，且由無(wú)電 解鍍敷法形成。元素X優(yōu)選為P，此時(shí)P含有量被調(diào)整為3 8質(zhì)量％左右，成為晶質(zhì)狀態(tài)。
基底層33中所包括的元素X的含有量設(shè)定得比NiX層32中所含有的元素X的含 有量少。另外，基底層33與NiX層32不同，為晶質(zhì)層。 因此，基底層33與NiX層32相比，由于彈性系數(shù)及拉伸強(qiáng)度低且不能如NiX層32 那樣有效地發(fā)揮彈性功能，故膜厚與NiX層32相比形成得十分薄。圖4(b)所示的NiX層 32的膜厚Hl為9 20 ii m左右，基底層33的膜厚H2為0. 01 0. 1 y m左右。由此，未損 害NiX層32中的彈性功能，且能使彈性臂22適當(dāng)?shù)貜椥宰冃?。另外，即使由此將所述基?層33形成得薄，基底層33的元素X的組成比與NiX層32相比也設(shè)定得十分少，即使多少 會(huì)在與NiX層32的界面發(fā)生元件擴(kuò)散，也能在基底層33的表層側(cè)適當(dāng)?shù)乇３衷豖的含 有量少的晶質(zhì)狀態(tài)，且能適當(dāng)?shù)匕l(fā)揮與接著說(shuō)明的金屬層34相對(duì)的基底功能。
所謂構(gòu)成基底層33的晶質(zhì)狀態(tài)是指結(jié)晶占整體50%以上的狀態(tài)，更優(yōu)選所述結(jié) 晶占80 %以上。另夕卜，優(yōu)選結(jié)晶的粒徑為3nm 15nm左右。 接著，覆蓋所述基底層33的表面整體的金屬層34是利用Pd或Pd合金而被無(wú)電 解鍍敷形成的。對(duì)Pd合金能例示Pd-P、 Pd-Co、 Pd-Ni、 Pd-Cu等。 圖4(b)所示的金屬層34的膜厚H3是以0.01 liim左右形成的。在本實(shí)施方 式中，雖然所述金屬層34是彈性接點(diǎn)20的最外層，但是例如還可以對(duì)所述金屬層34的表 面實(shí)施快速Au鍍敷。 在本實(shí)施方式中，如上述NiX層32、基底層33及金屬層34都能利用無(wú)電解鍍敷法 形成。換言之，不能使用電解鍍敷法。在本實(shí)施方式中，雖然能提高所述NiX層32的元素 X的含有量、處于非晶質(zhì)狀態(tài)、提高彈性功能，但是另一方面由于NiX層32的表面作為金屬 層34的基底不合適，故利用與NiX層32同樣地可實(shí)施無(wú)電解鍍敷的NiX形成基底層33，此 時(shí)為了提高表面活性以提高基底功能的元素X的含有量比NiX層32少，從而已晶質(zhì)化。由 此，利用無(wú)電解鍍敷法能使Pd或Pd合金的金屬層34穩(wěn)定地析出于表面整體。
另外，在本實(shí)施方式中，即使彈性接點(diǎn)20被超小型化也能適當(dāng)?shù)乩脽o(wú)電解鍍 敷法穩(wěn)定地析出金屬層34。例如，若圖3(b)所示的彈性接點(diǎn)20以收納在縱橫長(zhǎng)度設(shè)為 0. 5mm以下的正方形的范圍內(nèi)的大小形成，則雖然在未設(shè)置基底層33的以往方式中成品率 為50%左右，但是通過(guò)如本實(shí)施方式那樣設(shè)置基底層33能將成品率改進(jìn)到99%。
另外，例如在利用了 Au層來(lái)取代金屬層34的情況下，若在制造工序時(shí)或使用時(shí)實(shí) 施27(TC左右的退火，則Ni擴(kuò)散直到表面，接點(diǎn)可靠性容易降低，另外在彈性接點(diǎn)20與焊 錫之間容易生成脆的金屬間化合物。對(duì)此，作為彈性接點(diǎn)20的表層能析出Pd或Pd合金的 金屬層34，并且由于在本實(shí)施方式中能穩(wěn)定地析出所述金屬層34(能以幾乎一定的厚度形 成)，故能適當(dāng)?shù)靥岣咦鳛榻狱c(diǎn)的接觸可靠性及焊錫接合可靠性。因此，在本實(shí)施方式中，能
6功能并且與以往相比能提高接觸可靠性及焊錫可靠性的超小型化 的彈性接點(diǎn)20。且有，雖然圖4的層疊鍍敷結(jié)構(gòu)只可以是彈性臂22，但是通過(guò)固定部21也 以由圖4所示的層疊鍍敷結(jié)構(gòu)形成，從而如圖2所示在固定部21和焊盤(pán)部13之間設(shè)置焊 錫層14的結(jié)構(gòu)中，能有效地提高固定部21中的焊錫接合性。
接著，對(duì)彈性接點(diǎn)20的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。 在圖5(a)所示的工序中，如圖3(a)所示那樣排列形成圖3 (b)所示的彈性接點(diǎn)20 的形狀的多個(gè)芯部23，由樹(shù)脂薄板(支撐基板)24對(duì)分別分離形成的所述芯部23進(jìn)行固定 支撐。所述芯部23例如是對(duì)Cu板或Cu合金板進(jìn)行蝕刻加工形成的。對(duì)Cu合金能例示科 森合金。如圖3(b)所示，彈性接點(diǎn)20是具有固定部21和從固定部21延伸出來(lái)形成的彈 性臂22的形狀。此時(shí)，能夠以收納在縱橫長(zhǎng)度設(shè)為0. 5mm以下的正方形的范圍內(nèi)的方式形 成各彈性接點(diǎn)20。 且有，在樹(shù)脂薄板24中形成有孔24a，使彈性臂22與所述孔24a的位置相對(duì)置，以 將每個(gè)彈性接點(diǎn)20固定于樹(shù)脂薄片24(參照?qǐng)D5(a))。固定的方法例如使用粘結(jié)劑進(jìn)行。 圖3(b)的彈性接點(diǎn)20的平面形狀只是一個(gè)例子。在圖3(b)中，雖然彈性臂22形成為盤(pán) 繞形狀，但是并不限定于該形狀。 并且，如圖6所示，能夠得到將多個(gè)接點(diǎn)薄板25支撐到支撐板26上的狀態(tài)的加工 薄板27。雖然在加工薄板27上固定支撐有多個(gè)彈性接點(diǎn)20，但是每個(gè)彈性接點(diǎn)20處于電 分離的狀態(tài)。因此，利用無(wú)電解鍍敷法進(jìn)行圖5(b)、圖5(c)中的鍍敷工序。
在圖5 (b)所示的工序中，將加工薄板27加入到圖7所示的NiX鍍敷槽50，利用無(wú) 電解鍍敷法以覆蓋各彈性接點(diǎn)20的芯部23的表面的方式鍍敷形成由NiX(其中，X為P、W、 Mn、 Ti、 Be、 B中的任一種以上)構(gòu)成的NiX層32。此時(shí)，在將NiX層32設(shè)為NiP時(shí)，P的 含有量以成為9 30質(zhì)量％ (優(yōu)選12質(zhì)量％以下)的范圍內(nèi)的方式進(jìn)行調(diào)整以將NiX層 32形成為非晶質(zhì)狀態(tài)。 接著，從NiX鍍敷槽50中取出所述加工薄板27，并將所述加工薄板27加入到圖7 的基底鍍敷槽51。并且，利用無(wú)電解鍍敷法以覆蓋各彈性接點(diǎn)20的NiX層32的表面的方 式鍍敷形成由NiX(其中，X為P、 W、 Mn、 Ti、 Be、 B中的任一種以上)構(gòu)成的基底層33。此 時(shí)，基底層33中所包括的元素X的含有量比NiX層32中所包括的元素X的含有量少，且以 晶質(zhì)狀態(tài)形成。例如，將基底層33設(shè)為NiP時(shí)，以P的含有量在3 8質(zhì)量％的范圍內(nèi)的 方式進(jìn)行調(diào)整，且將基底層33形成為晶質(zhì)狀態(tài)。另外，以比所述NiX層32更十分薄的膜厚 形成所述基底層33。 接著，從基底鍍敷槽51取出所述加工薄板27，并將所述加工薄板27加入到圖7的 金屬鍍敷槽52。并且，如圖5(c)所示，利用無(wú)電解鍍敷法以覆蓋各彈性接點(diǎn)20的基底層 33的表面的方式鍍敷形成Pd或Pd合金的金屬層34?？梢詫⑺鼋饘賹?4作為彈性接點(diǎn) 20的最外層，還能對(duì)金屬層34的表面實(shí)施快速Au鍍敷。 接著，在圖5(d)所示的工序中，從金屬鍍敷槽52中取出加工薄板27，接著一邊維 持采用夾具30將各彈性接點(diǎn)20的各彈性臂22頂上去的狀態(tài)，一邊對(duì)各彈性接點(diǎn)20的各 彈性臂22實(shí)施加熱處理。加熱處理后，去掉所述夾具30。在該加熱處理中去除內(nèi)部的殘留 應(yīng)力，彈性接點(diǎn)20能以立體形狀發(fā)揮彈性力。且有，優(yōu)選將加熱溫度調(diào)整在150°C 300°C 的范圍內(nèi)。另外，加熱時(shí)間優(yōu)選在1分鐘 1小時(shí)的范圍內(nèi)。示出一個(gè)例子，通過(guò)將加熱溫
7度設(shè)為25(TC、將加熱時(shí)間設(shè)為10分鐘，則能適當(dāng)?shù)亓Ⅲw成形彈性臂22。且有，也可以不進(jìn) 行圖5(d)的立體成形工序。 由此，在本實(shí)施方式中，在圖5(b)的工序中，利用無(wú)電解鍍敷法在各彈性接點(diǎn)20 形成了非晶質(zhì)狀態(tài)的NiX層32以后，利用無(wú)電解鍍敷法設(shè)置元素X的含有量比NiX層32 少的晶質(zhì)狀態(tài)的基底層33。因此，例如即使以收納在縱橫長(zhǎng)度設(shè)為0. 5mm以下的范圍內(nèi)的 方式以超小型化形成各彈性接點(diǎn)20，也能利用無(wú)電解鍍敷法穩(wěn)定地析出Pd或Pd合金的金 屬層34。 彈性接點(diǎn)20的結(jié)構(gòu)并不一定具有圖4(a)所示的芯部23。另外，也可以利用多個(gè) 彈性接點(diǎn)20被固定支撐到樹(shù)脂薄板24上的接點(diǎn)薄片25以外的結(jié)構(gòu)。其中，在以電分離上 述多個(gè)彈性接點(diǎn)20的狀態(tài)下固定支撐到樹(shù)脂薄板24上的方式中，由于需要分別分離形成 芯部23并利用無(wú)電解鍍敷對(duì)各芯部23形成層疊鍍敷部分，故本發(fā)明的使用特別適用于圖 3(a)所示的接點(diǎn)薄板的結(jié)構(gòu)及圖5所示的接點(diǎn)薄板的制造方法。
權(quán)利要求
一種彈性接點(diǎn)，包括由NiX被無(wú)電解鍍敷的非晶質(zhì)狀態(tài)的NiX層，其中X為P、W、Mn、Ti、Be、B中的任一種以上；在所述NiX層的表面上由NiX被無(wú)電解鍍敷，且元素X的含有量比所述NiX層少的晶質(zhì)狀態(tài)的基底層；和被無(wú)電解鍍敷到所述基底層的表面上的Pd或Pd合金的金屬層。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的彈性接點(diǎn)，其特征在于，元素X為P，所述NiX層的P含有量為9 30質(zhì)量％ ，所述基底層的P含有量為3 8質(zhì)量％。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的彈性接點(diǎn)，其特征在于，所述彈性接點(diǎn)是收納在縱橫長(zhǎng)度設(shè)為0. 5mm以下的正方形的范圍內(nèi)的大小。
4. 一種接點(diǎn)基板，其特征在于，權(quán)利要求1所述的彈性接點(diǎn)為多個(gè)，且以電分離的狀態(tài)被固定支撐到支撐基板。
5. —種彈性接點(diǎn)的制造方法，包括由無(wú)電解鍍敷法形成由NiX構(gòu)成的非晶質(zhì)狀態(tài)的NiX層的工序，其中X為P、W、Mn、Ti、Be、B中的任一種以上；由無(wú)電解鍍敷法在所述NiX層的表面形成由NiX構(gòu)成且元素X的含有量比所述NiX層少的晶質(zhì)狀態(tài)的基底層的工序，其中X為P、 W、 Mn、 Ti 、 Be 、 B中的任一種以上；禾口由無(wú)電解鍍敷法在所述基底層的表面形成Pd或Pd合金的金屬層的工序。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的彈性接點(diǎn)的制造方法，其特征在于，對(duì)元素X選擇P，將所述NiX層的P含有量調(diào)整在9 30質(zhì)量％的范圍內(nèi)，將所述基底層的P含有量調(diào)整在3 8質(zhì)量％的范圍內(nèi)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的彈性接點(diǎn)的制造方法，其特征在于，以收納在縱橫長(zhǎng)度設(shè)為0. 5mm以下的正方形的范圍內(nèi)的方式形成各彈性接點(diǎn)。
8. —種接點(diǎn)基板的制造方法，所述接點(diǎn)基板將由權(quán)利要求5 7中任一項(xiàng)所述的制造方法形成的多個(gè)彈性接點(diǎn)進(jìn)行了固定支撐，其特征在于，所述接點(diǎn)基板的制造方法具有分別電分離而形成多個(gè)芯部并由支撐基板支撐各芯部的工序，由無(wú)電解鍍敷法在各芯部的表面對(duì)所述NiX層、所述基底層及所述金屬層進(jìn)行層疊鍍敷。
全文摘要
本發(fā)明提供一種彈性接點(diǎn)及其制造方法、以及接點(diǎn)基板及其制造方法。彈性接點(diǎn)(20)具有利用NiX進(jìn)行無(wú)電解鍍敷的非晶質(zhì)狀態(tài)的NiX層(32)、利用NiX被無(wú)電解鍍敷到所述NiX層(32)的表面且元素X的含有量比所述NiX層(32)少的晶質(zhì)狀態(tài)的基底層(33)、和被無(wú)電解鍍敷到所述基底層(33)的表面的Pd或Pd合金的金屬層(34)。從而實(shí)現(xiàn)提供一種特別是在通過(guò)無(wú)電解鍍敷來(lái)對(duì)NiX層和Pd層進(jìn)行層疊鍍敷的結(jié)構(gòu)中，可穩(wěn)定地析出所述Pd層以提高接觸可靠性等的彈性接點(diǎn)及其制造方法的目的。
文檔編號(hào)H01L23/48GK101794942SQ201010108079
公開(kāi)日2010年8月4日 申請(qǐng)日期2010年1月28日 優(yōu)先權(quán)日2009年1月29日
發(fā)明者長(zhǎng)野真一 申請(qǐng)人:阿爾卑斯電氣株式會(huì)社