專利名稱：顯示器件的制造方法和顯示器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及尤其適合于有機(jī)EL(電致發(fā)光)顯示器件或者液晶顯示器件等顯示器件的制造方法，本發(fā)明還涉及顯示器件。
背景技術(shù)：
目前在制造平板顯示器(Flat Panel Display, FPD)時(shí)主要的問題是提高薄膜晶 體管(Thin Film Transistor, TFT)基板的成品率。例如，在用于有機(jī)EL顯示器件的TFT基 板的情況下，因?yàn)槌诵盘?hào)線和掃描線之外還存在多條電位供給線，所以像素中的布線密 度增加，使得像素結(jié)構(gòu)極其復(fù)雜，這導(dǎo)致缺陷產(chǎn)品的概率極高。另一方面，即使在用于液晶 顯示器件的TFT基板的情況下，假想顯示器件的尺寸增大到與等離子體顯示器件的尺寸相 當(dāng)?shù)乃揭蚨擄@示器件的大型化和像素的高精度化得以發(fā)展，但缺陷數(shù)量相應(yīng)地增多， 因此也將導(dǎo)致成品率大幅度下降的主要問題。以高概率出現(xiàn)的缺陷包括層間短路。層間短路是指在上層導(dǎo)電膜和下層導(dǎo)電膜彼 此交叉或彼此重疊的位置上，上層導(dǎo)電膜和下層導(dǎo)電膜由于絕緣膜的缺陷或非絕緣性雜質(zhì) 的混入而發(fā)生電連接的現(xiàn)象。這種層間短路通常產(chǎn)生在例如布線的交叉部中或產(chǎn)生在保持 電荷的電容器中，特別是在有機(jī)EL顯示器件的情況下，在電容器中的產(chǎn)生概率很高。其原 因是由于與液晶顯示器件的驅(qū)動(dòng)方法不同，因此有機(jī)EL顯示器件中的電容器面積與液晶 顯示器件中的電容器面積相比非常大。如果在電容器中產(chǎn)生層間短路，則部分像素不發(fā)光， 或部分像素與周圍的像素相比所發(fā)出的光過度明亮，從而導(dǎo)致圖像顯示性能顯著下降。例如可以用減少雜質(zhì)的制造工序管理來減少這種缺陷產(chǎn)品。然而，難以完全地避 免缺陷產(chǎn)品。因此，目前在TFT基板的制造過程中修復(fù)缺陷的步驟(修復(fù)步驟)是必需的。 例如，日本專利申請(qǐng)公開公報(bào)No. 200177198 (JP-A-2001-77198)和日本專利申請(qǐng)公開公報(bào) No. 11-282010 (JP-A-11-282010)分別公開了一種通過激光照射來修復(fù)層間短路的方法。然而，在JP-A-2001-77198的方法中，通過激光照射來切斷上層布線和下層布路 中的一者，然后形成旁通布線，這導(dǎo)致工藝過程變得復(fù)雜。在JP-A-11-282010的方法中，通 過激光照射來切斷上層布線和下層布線中的一者，然后把該布線重新連接到先前設(shè)置的冗 余布線，這導(dǎo)致的困難是在布線密度原本就很高的有機(jī)EL顯示器件的布線板中，無法保 證用于上述冗余布線的空間。此外，JP-A-2001-77198和JP-A-11-282010的方法都涉及在布線的交叉部中的缺 陷修復(fù)，而電容中的缺陷的修復(fù)方法過去一直沒有被研發(fā)。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述問題，本發(fā)明的目的在于提供一種能夠修復(fù)在布線板的電容器中或布線 的交叉部中形成的層間短路的顯示器件制造方法，本發(fā)明的目的還在于提供一種能夠抑制 由于布線板的電容器中的層間短路而引起的顯示不良的顯示器件。本發(fā)明實(shí)施方案的顯示器件的制造方法包括如下步驟形成布線板，所述布線板 在基板上依次設(shè)有下層導(dǎo)電膜、絕緣膜和上層導(dǎo)電膜；修復(fù)層間短路，所述層間短路是在所 述上層導(dǎo)電膜和所述下層導(dǎo)電膜之間發(fā)生的短路；以及在所述布線板上形成顯示元件，其 中在修復(fù)所述層間短路的步驟中，將脈沖寬度為10皮秒以下的激光照射到包含所述層間 短路的短路包含區(qū)域，以便把短路包含區(qū)域內(nèi)的所述下層導(dǎo)電膜、所述絕緣膜和所述上所 述層導(dǎo)電膜中的至少上層導(dǎo)電膜除去。本發(fā)明實(shí)施方案的顯示器件包括布線板，所述布線板在基板上依次設(shè)有下層導(dǎo) 電膜、絕緣膜和上層導(dǎo)電膜；以及顯示元件，各所述顯示元件形成在所述布線板上，其中，所 述布線板設(shè)有像素驅(qū)動(dòng)電路，各個(gè)所述像素 驅(qū)動(dòng)電路具有晶體管、電容器和所述顯示元件， 各個(gè)所述晶體管包括所述下層導(dǎo)電膜、所述絕緣膜和所述上層導(dǎo)電膜，所述電容器包括所 述下層導(dǎo)電膜、所述絕緣膜和所述上層導(dǎo)電膜，并且所述電容器具有開口部，所述開口部?jī)?nèi) 的所述下層導(dǎo)電膜、所述絕緣膜和所述上層導(dǎo)電膜中的至少所述上層導(dǎo)電膜被除去。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的顯示器件，在布線板的電容器的開口部中，把下層導(dǎo)電膜、 絕緣膜和上層導(dǎo)電膜中的至少上層導(dǎo)電膜除去，因此能夠可靠地修復(fù)制造工序中所形成的 層間短路。因此，這抑制了由電容器中的層間短路而引起的顯示不良，例如，抑制了部分像 素不發(fā)光或者部分像素與周圍的像素相比所發(fā)出的光過度明亮的現(xiàn)象。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的顯示器件的制造方法，在修復(fù)層間短路的步驟中，將脈沖 寬度為10皮秒以下的激光照射到包含該層間短路的短路包含區(qū)域，以便把該短路包含區(qū) 域內(nèi)的下層導(dǎo)電膜、絕緣膜和上層導(dǎo)電膜中的至少上層導(dǎo)電膜除去，因此能夠修復(fù)在布線 板的電容器中或布線的交叉部中形成的層間短路。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的顯示器件，因?yàn)椴季€板的電容器設(shè)有開口部，該開口部?jī)?nèi) 的下層導(dǎo)電膜、絕緣膜和上層導(dǎo)電膜中的至少上層導(dǎo)電膜被除去，所以能夠抑制由電容器 中的層間短路所引起的顯示不良。本發(fā)明的其它和進(jìn)一步的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)在以下的描述中更充分地呈現(xiàn)。


圖1是示出了本發(fā)明第一實(shí)施方案的顯示器件的結(jié)構(gòu)的圖。圖2是示出了圖1所示像素驅(qū)動(dòng)電路的示例的平面圖。圖3是示出了圖2所示電容器的結(jié)構(gòu)的截面圖。圖4是示出了圖2所示電容器的另一種結(jié)構(gòu)的截面圖。圖5是示出了圖2所示像素驅(qū)動(dòng)電路的等效電路的圖。圖6是示出了圖1所示顯示區(qū)域的結(jié)構(gòu)的截面圖。圖7A和圖7B是用于按照工序順序說明圖1所示顯示器件的制造方法的平面圖和 截面圖。圖8是示出了用于修復(fù)圖7A和圖7B所示層間短路的修復(fù)裝置的結(jié)構(gòu)的圖。
圖9是示出了從底視截面圖觀察圖8所示局部修復(fù)部的結(jié)構(gòu)的平面圖。圖10是用于說明接著圖7A及圖7B的后一個(gè)步驟的平面圖。圖11是對(duì)于作為上層導(dǎo)電膜(上層電極)的主要構(gòu)成材料的鋁(Al)示出了脈沖 寬度和熱擴(kuò)散長(zhǎng)度之間的關(guān)系的圖。圖12A和圖12B分別是用于說明接著圖10的后一個(gè)步驟的截面圖。圖13A和圖13B分別是用于說明接著圖12A及圖12B的后一個(gè)步驟的截面圖。圖14A和圖14B分別是用于說明接著圖13A及圖13B的后一個(gè)步驟的截面圖。圖15示出了本發(fā)明第二實(shí)施方案的顯示器件的像素驅(qū)動(dòng)電路示例的平面圖。圖16是示出了圖15所示電容器的結(jié)構(gòu)的截面圖。圖17是示出了圖15所示電容器的另一種結(jié)構(gòu)的截面圖。圖18是示出了用于說明圖15所示顯示器件的制造方法的流程圖。圖19是示出了用于說明圖18所示的各步驟的圖。圖20示出了本發(fā)明第三實(shí)施方案的顯示器件的像素驅(qū)動(dòng)電路示例的平面圖。圖21是示出了圖20所示交叉部的結(jié)構(gòu)的截面圖。圖22是示出了圖20所示交叉部的另一種結(jié)構(gòu)的截面圖。圖23A和圖23B是用于按照工序順序說明圖19所示顯示器件的制造方法的平面 圖和截面圖。圖24是用于說明接著圖23A及圖23B的后一個(gè)步驟的圖。圖25示出了本發(fā)明第四實(shí)施方案的顯示器件的像素驅(qū)動(dòng)電路示例的平面圖。圖26是示出了圖25所示交叉部的結(jié)構(gòu)的截面圖。圖27是示出了圖25所示交叉部的另一種結(jié)構(gòu)的截面圖。圖28是用于說明圖25所示顯示器件的制造方法的平面圖。圖29A和圖29B分別是用于說明本發(fā)明實(shí)施例的結(jié)果的照片。圖30A和圖30B分別是用于說明本發(fā)明實(shí)施例的另一個(gè)結(jié)果的照片。圖31是示出了本發(fā)明實(shí)施例的另一個(gè)結(jié)果的圖。圖32是示出了包括上述各實(shí)施方案的顯示器件的模塊的示意性結(jié)構(gòu)的平面圖。圖33是示出了各實(shí)施方案的顯示器件的應(yīng)用例1的外觀的立體圖。圖34A是示出了從前側(cè)觀察到的應(yīng)用例2的外觀的立體圖，并且圖34B是示出了 從后側(cè)觀察到的應(yīng)用例2的外觀的立體圖。圖35是應(yīng)用例3的外觀的立體圖。圖36是應(yīng)用例4的外觀的立體圖。圖37A是應(yīng)用例5在打開狀態(tài)下的正視圖，圖37B是該應(yīng)用例5在打開狀態(tài)下的 側(cè)視圖，圖37C是該應(yīng)用例5在閉合狀態(tài)下的正視圖，圖37D是該應(yīng)用例5在閉合狀態(tài)下的 左視圖，圖37E是該應(yīng)用例5在閉合狀態(tài)下的右視圖，圖37E是該應(yīng)用例5在閉合狀態(tài)下的 俯視圖，圖37G是該應(yīng)用例5在閉合狀態(tài)下的仰視圖。
具體實(shí)施例方式以下參照附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方案。按照以下順序進(jìn)行說明1.第一實(shí)施方案(電容器；將激光照射到短路包含區(qū)域的示例)
2.第二實(shí)施方案(電容器；判斷層間短路的尺寸，并將激光照射到包圍該層間短 路周圍的框形區(qū)域的示例)3.第三實(shí)施方案(線的交叉部；將激光照射到短路包含區(qū)域的示例)4.第四實(shí)施方案(線的交叉部；將激光照射到包圍層間缺陷周圍的框形區(qū)域的示 例)5.實(shí)施例
第一實(shí)施方案圖1示出了本發(fā)明第一實(shí)施方案的顯示器件的結(jié)構(gòu)。該顯示器件用于超薄型有機(jī) 發(fā)光彩色顯示器件等，并且例如在布線板1上具有多個(gè)隨后說明的作為顯示元件的有機(jī)發(fā) 光元件10RU0G和10B。有機(jī)發(fā)光元件10RU0G和IOB按照矩陣樣子被布置在布線板1的 中央處的顯示區(qū)域110內(nèi)。在布線板1中，像素驅(qū)動(dòng)電路111形成在基板11上的顯示區(qū)域110內(nèi)，都作為用 于圖像顯示的驅(qū)動(dòng)器的信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路112和掃描線驅(qū)動(dòng)電路113形成在顯示區(qū)域110的 周邊。圖2示出了像素驅(qū)動(dòng)電路111的平面結(jié)構(gòu)的示例。像素驅(qū)動(dòng)電路111在由例如玻 璃等構(gòu)成的基板11上依次設(shè)有下層導(dǎo)電膜120、絕緣膜131 (圖2中未示出，參照?qǐng)D3)和上 層導(dǎo)電膜140。在本說明書中，在圖2及其它的平面圖中，下層導(dǎo)電膜120用斜向右下的斜 線標(biāo)記，上層導(dǎo)電膜140用斜向右上的斜線標(biāo)記，以便更容易區(qū)分下層導(dǎo)電膜120和上層導(dǎo) 電膜140。下層導(dǎo)電膜120包括各條掃描線121和連接到這些掃描線的布線，S卩，要作為電容 器(保持電容)CS的下層電極122的布線及要作為寫晶體管Trl和驅(qū)動(dòng)晶體管Tr2各自的 柵極的布線。下層導(dǎo)電膜120具有例如大約IOOnm的厚度并且由諸如鉬(Mo)等構(gòu)成。絕 緣膜131具有例如大約300nm的厚度并且由諸如二氧化硅(SiO2)等構(gòu)成。上層導(dǎo)電膜140包括信號(hào)線141和電源電位供給線142以及連接到它們的布線， 艮口，要作為電容器CS的上層電極143的布線及要作為寫晶體管Trl和驅(qū)動(dòng)晶體管Tr2各自 的源極和漏極的布線。上層導(dǎo)電膜140例如是由50nm厚的鈦(Ti)層、900nm厚的鋁(Al) 層和50nm厚的鈦(Ti)層構(gòu)成的層疊膜，且該層疊膜的總厚度例如是大約lOOOnm。在下層導(dǎo)電膜120、絕緣膜131和上層導(dǎo)電膜140上可形成有絕緣膜132(圖2未 示出，參照?qǐng)D3)。絕緣膜132例如具有大約300nm的厚度并且由諸如氮化硅(SiN)等構(gòu)成。圖3示出了電容器CS的截面結(jié)構(gòu)的示例。電容器CS具有開口部161，開口部161 內(nèi)的上層電極143、絕緣膜131和下層電極122已被除去。因此，在該顯示器件中，可以抑制 由電容器CS中的層間短路所引起的顯示不良。開口部161是作為當(dāng)修復(fù)在制造工序期間在電容器CS中形成的層間短路時(shí)所做 出的修復(fù)痕跡而殘留下來的開口部，因此不一定必須形成在所有有機(jī)發(fā)光元件10RU0G和 IOB的像素驅(qū)動(dòng)電路111的各個(gè)電容器CS中。圖4示出了電容器CS的截面結(jié)構(gòu)的另一示例。在開口部161中，也可以只把上層 電極143、絕緣膜131和下層電極122中的上層電極143除去。在這種情況下，在絕緣膜131 和下層電極122中可能會(huì)留下引起層間短路的導(dǎo)電雜質(zhì)162。如圖3所示，優(yōu)選把開口部161內(nèi)的上層電極143、絕緣膜131和下層電極122都除去。而不是如圖4所示只有上層電極143被除去。這是因?yàn)檫@樣能夠?qū)崿F(xiàn)穩(wěn)定且可靠的修復(fù)。具體地，如圖4所示當(dāng)下層電極122沒有被完全除去時(shí)，構(gòu)成下層電極122的導(dǎo)電材 料可能會(huì)擴(kuò)散到絕緣膜131中，從而可能導(dǎo)致與上層電極143發(fā)生短路。圖5示出了圖2所示的像素驅(qū)動(dòng)電路111的等效電路。像素驅(qū)動(dòng)電路形成在稍后說明的第一電極13的下層，并且是有源驅(qū)動(dòng)電路，該有源驅(qū)動(dòng)電路包括寫晶體管Trl、驅(qū)動(dòng) 晶體管Tr2、在晶體管Trl與Tr2之間的電容器(保持電容)Cs以及通過驅(qū)動(dòng)晶體管Tr2連 接到電源電位供給線142的有機(jī)發(fā)光元件IOR (或IOG或10B)。寫晶體管Trl的柵極連接到掃描線121。寫晶體管Trl的源極和漏極中的一者連接到信號(hào)線141，另一者連接到電容器CS的上層電極133并且通過連接孔151連接到驅(qū)動(dòng)晶 體管Tr2的柵極。電容器CS的下層電極122通過連接孔152連接到電源電位供給線142。 驅(qū)動(dòng)晶體管Tr2的源極和漏極中的一者連接到電源電位供給線142，另一者連接到有機(jī)發(fā) 光元件IOR (或IOG或10B)的稍后說明的第一電極13。掃描線121主要按行方向設(shè)置著，信號(hào)線141和電源電位供給線142主要按列方向(垂直于掃描線121的方向)設(shè)置著。在各條信號(hào)線141和各條掃描線121的交叉處對(duì) 應(yīng)于一個(gè)像素，即，有機(jī)發(fā)光元件10RU0G和IOB中的一者。每條信號(hào)線141連接到信號(hào)線 驅(qū)動(dòng)電路112，圖像信號(hào)DS從信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路112通過信號(hào)線141提供到寫晶體管Trl的 源電極。每條掃描線121連接到掃描線驅(qū)動(dòng)電路113，掃描信號(hào)SS從掃描線驅(qū)動(dòng)電路113 通過掃描線121依次提供到寫晶體管Trl的柵電極。圖6示出了顯示區(qū)域110的截面結(jié)構(gòu)。在顯示區(qū)域110中，發(fā)出紅光的有機(jī)發(fā)光 元件10R、發(fā)出綠光的有機(jī)發(fā)光元件IOG和發(fā)出藍(lán)光的有機(jī)發(fā)光元件IOB在整體上以矩陣樣 子依次布置著。例如，有機(jī)光元件10RU0G和IOB都具有帶狀(長(zhǎng)方形)平面形狀，并且逐 個(gè)發(fā)光顏色地在縱長(zhǎng)方向上呈列的方式布置著。彼此接近的有機(jī)光元件10RU0G和IOB的
組合形成一個(gè)像素。有機(jī)發(fā)光元件10RU0G和IOB各自都具有如下結(jié)構(gòu)其中，像素驅(qū)動(dòng)電路111的驅(qū) 動(dòng)晶體管Tr2、平坦化層12、作為陽極的第一電極13、絕緣膜14、稍后說明的包括發(fā)光層的 有機(jī)層15和作為陰極的第二電極16從基板11側(cè)按上述順序?qū)盈B起來。如果需要的話，這些有機(jī)光元件10RU0G和IOB可以被由諸如氮化硅(SiN)或氧 化硅(SiO)等構(gòu)成的保護(hù)膜17覆蓋著，此外，利用夾在中間的由諸如熱固化樹脂或紫外線 固化樹脂等構(gòu)成的粘接層20，把由諸如玻璃等構(gòu)成的密封基板30粘附到保護(hù)膜17的整個(gè) 表面上，從而密封有機(jī)光元件。如果需要的話，在密封基板30上可設(shè)置有彩色濾光片31和 作為黑矩陣的遮光膜(未示出)。驅(qū)動(dòng)晶體管Tr2通過設(shè)置在平坦化層12中的連接孔12A與第一電極13電連接。 平坦化層12使形成有像素驅(qū)動(dòng)電路111等的布線板1的表面變平坦，并且因?yàn)橛屑?xì)小的連 接孔12A形成在平坦化層12中，所以平坦化層12優(yōu)選由能夠提供高的圖形精度的材料構(gòu) 成。例如，平坦化層12的構(gòu)成材料例如是諸如聚酰亞胺等有機(jī)材料或諸如二氧化硅(SiO2) 等無機(jī)材料。對(duì)應(yīng)于各個(gè)有機(jī)發(fā)光元件10RU0G和IOB都形成有第一電極13。第一電極13還 具有反射層的功能，并且由諸如鉬(Pt)、金(Au)、銀(Ag)、鉻(Cr)或鎢(W)等金屬構(gòu)成或者 由上述金屬的金屬合金構(gòu)成。絕緣膜14保證了第一電極13與第二電極16之間的隔離，并精確地將各個(gè)有機(jī)光元件IORUOG和IOB中的發(fā)光區(qū)域的形狀制成想要的形狀，并且例如
由聚酰亞胺構(gòu)成。例如，有機(jī)層15具有如下結(jié)構(gòu)其中，空穴輸運(yùn)層、發(fā)光層和電子輸運(yùn)層從第一電極13側(cè)按上述順序?qū)盈B起來?？昭ㄝ斶\(yùn)層用于提高向發(fā)光層的空穴注入效率。把電壓施加 到發(fā)光層，因此發(fā)生電子和空穴的復(fù)合，使得發(fā)光層發(fā)出光。電子輸運(yùn)層用于提高向發(fā)光層 的電子注入效率。有機(jī)發(fā)光元件IOR的空穴輸運(yùn)層的構(gòu)成材料例如是雙[(N-萘基)-N_苯 基]聯(lián)苯胺(α -NPD)，有機(jī)發(fā)光元件IOR的發(fā)光層的構(gòu)成材料例如是2，5_雙-[4_ [N- (4-甲 氧苯基)-N-苯基氨]]苯乙烯基苯-1，4-二腈(BSB)，有機(jī)發(fā)光元件IOR的電子輸運(yùn)層的 構(gòu)成材料例如是8-羥基喹啉鋁配合物(Alq3)。有機(jī)發(fā)光元件IOB的空穴輸運(yùn)層的構(gòu)成材 料例如是α-NPD，有機(jī)發(fā)光元件IOB的發(fā)光層的構(gòu)成材料例如是4，4'-雙(2，2' -二苯 基1，2_亞乙烯基)聯(lián)苯(DPVBi)，有機(jī)發(fā)光元件IOB的電子輸運(yùn)層的構(gòu)成材料例如是Alq3。 有機(jī)發(fā)光IOG的空穴輸運(yùn)層的構(gòu)成材料例如是α -NPD，有機(jī)發(fā)光元件IOG的發(fā)光層的構(gòu)成 材料例如是混合有1體積％的香豆素6(C6)的Alq3,有機(jī)發(fā)光元件IOG的電子輸運(yùn)層的構(gòu) 成材料例如是Alq3。第二電極16例如是半透射型電極，發(fā)光層中產(chǎn)生的光從第二電極16側(cè)獲得。第 二電極16由諸如銀(Ag)、鋁(Al)、鎂(Mg)、鈣(Ca)或鈉(Na)等金屬構(gòu)成或者由上述金屬 的金屬合金構(gòu)成。上述顯示器件例如可按下列方式制造出來。形成布線板的步驟首先，準(zhǔn)備好由上述材料構(gòu)成的基板11，然后形成大約IOOnm厚的鉬膜，然后通過 光刻法使該鉬膜形成預(yù)定的圖形。因此，形成了下層導(dǎo)電膜120，該下層導(dǎo)電膜包括各條掃 描線121和連接到這些掃描線的布線，即，要作為電容器CS的下層電極122的布線以及要 作為寫晶體管Trl和驅(qū)動(dòng)晶體管Tr2各自的柵極的布線等。此時(shí)，可能會(huì)有導(dǎo)電性雜質(zhì)162 附著在下層電極122上。接下來，將具有上述厚度且由上述材料構(gòu)成的絕緣膜131形成在下層導(dǎo)電膜120 上。此時(shí)，雜質(zhì)162不一定會(huì)全部被絕緣膜131覆蓋，可能部分地從絕緣膜131露出。接下來，在絕緣膜131上形成總厚度大約為IOOOnm且由鈦(Ti)層、鋁(Al)層和 鈦(Ti)層構(gòu)成的層疊膜，然后通過光刻法使其形成預(yù)定的圖形。由此，形成了上層導(dǎo)電膜 140，該上層導(dǎo)電膜包括各條信號(hào)線141、各條電源電位供給線142以及與它們連接的布線， 艮口，要作為電容器CS的上層電極143的布線及要作為寫晶體管Trl和驅(qū)動(dòng)晶體管Tr2各自 的源極和漏極的布線。因此，形成了在基板11上設(shè)有像素驅(qū)動(dòng)電路111的布線板1。可利 用與像素驅(qū)動(dòng)電路111相同的工序來形成信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路112和掃描線驅(qū)動(dòng)電路113。修復(fù)層間短路的步驟在此工序中，如圖7A和圖7B所示，可能在電容器CS中出現(xiàn)了下層電極122由于 雜質(zhì)162因而與上層電極143發(fā)生短路的層間短路163。因此，例如通過電學(xué)檢測(cè)來檢查層 間短路163的存在，然后通過光學(xué)檢測(cè)來獲取該層間短路的位置或尺寸?？梢酝ㄟ^例如使 用陣列檢測(cè)儀(玻璃基板電學(xué)檢測(cè)儀)的電荷探測(cè)方法來執(zhí)行電學(xué)檢測(cè)。在該電荷探測(cè)方 法中，基本上按照與實(shí)際操作中相同的方法向全部像素中寫入電荷，在經(jīng)過一定的時(shí)間后 讀取所寫入的電荷，從電荷的轉(zhuǎn)變來判定各個(gè)像素的缺陷。在光學(xué)檢測(cè)中，例如，通過圖形檢驗(yàn)來檢查層間短路163的位置和尺寸。按照如下這種方法來執(zhí)行圖形檢驗(yàn)通過顯微鏡 將像素驅(qū)動(dòng)電路111放大，通過電荷耦合器(Charge Coupled Device, (XD)照相機(jī)等來讀 取所放大的圖像，通過圖像處理來檢測(cè)異常，評(píng)價(jià)相鄰像素之間的圖像差異，當(dāng)發(fā)現(xiàn)顯著差 異時(shí)，就確定相關(guān)的像素是有缺陷的。層間短路163的原因除了是由于如上所述的導(dǎo)電雜 質(zhì)162等在光刻步驟中產(chǎn)生的缺陷之外，還可能包括絕緣膜131的缺陷。然后，通過修復(fù)裝置來修復(fù)層間短路163。圖8示出了修復(fù)裝置800的結(jié)構(gòu)。例 如，修復(fù)裝置800包括用于觀察層間短路163的光學(xué)系統(tǒng)810 ；用于使光學(xué)系統(tǒng)810與布 線板1相對(duì)移動(dòng)的移動(dòng)構(gòu)件820 ；和用于修復(fù)層間短路163的修復(fù)構(gòu)件830。光學(xué)系統(tǒng)810 例如包括物鏡811。移動(dòng)構(gòu)件820例如包括X-Y平臺(tái)。修復(fù)構(gòu)件830例如具有被設(shè)置在移動(dòng)構(gòu)件820上的布線板1與物鏡811之間的局 部修復(fù)部831。局部修復(fù)部831在物鏡811下方具有窗口 831A和激光照射室831B，可從窗 口 831A觀察層間短路163，或者透過窗口 831A照射激光LB以進(jìn)行修復(fù)步驟。修復(fù)構(gòu)件830還具有用于激光加工處理的脈沖激光源832、用于激光CVD (化學(xué)氣 相沉積)法的連續(xù)波(Continuous Wave, Cff)激光源833、局部排氣系統(tǒng)835、壓縮氣體供給 系統(tǒng)836、壓縮氣體排氣系統(tǒng)837和吹掃用氣體供給系統(tǒng)838。脈沖激光源832可以產(chǎn)生脈沖寬度為10皮秒以下的激光LB。局部排氣系統(tǒng)835 局部地對(duì)激光照射室831B進(jìn)行排氣，以便排出被激光加工過程除去的布線材料等。壓縮氣 體供給系統(tǒng)836通過使用可以是諸如氬(Ar)或氮?dú)?N2)等不活潑氣體的壓縮氣體Gl來 使局部修復(fù)部831浮起。壓縮氣體排氣系統(tǒng)837排出該壓縮氣體Gl并因此在局部修復(fù)部 831和布線板1之間形成具有極大彈性常數(shù)的彈性，由此來抑制局部修復(fù)部831的浮起高 度D的變化從而提供浮起的剛性。吹掃用氣體供給系統(tǒng)838將諸如氬(Ar)氣等吹掃用氣 體G2吹到窗口 831A以防止被激光加工過程除去的布線材料附著到該窗口 831A上。視需 要，修復(fù)構(gòu)件830也可以具有用于提供激光CVD法用的氣體的沉積材料供給系統(tǒng)，或用于金 屬微粒涂覆法的涂敷液體供給系統(tǒng)(兩個(gè)系統(tǒng)均未示出)。如圖9所示，在局部修復(fù)部831的底面上設(shè)置有送風(fēng)部831C和壓縮氣體抽吸孔 831D，送風(fēng)部831C包括用于吹出例如氮?dú)?N2)等壓縮氣體Gl的多孔鋁，壓縮氣體抽吸孔 831D用于排出流入到激光LB照射位置附近區(qū)域的壓縮氣體G1。送風(fēng)部831C通過壓縮氣 體Gl使局部修復(fù)部831相對(duì)于布線板1浮起。壓縮氣體抽吸孔831D抽吸壓縮氣體G1，并 且通過壓縮氣體排氣系統(tǒng)837排出該氣體。修復(fù)裝置800例如可以按下列方式來修復(fù)層間短路163。首先，在進(jìn)行修復(fù)前，優(yōu)選使局部修復(fù)部831預(yù)先浮起例如大約IOOm左右。這是 為了當(dāng)即使有翹曲或隆起在布線板ι上產(chǎn)生時(shí)，也可以防止布線板1與局部修復(fù)部831接 觸而造成損傷。為了使局部修復(fù)部831浮起，從壓縮氣體供給系統(tǒng)836提供例如氬(Ar)或 氮?dú)?N2)作為壓縮氣體G1，該壓縮氣體Gl通過送風(fēng)部831C吹向移動(dòng)構(gòu)件820。此外，優(yōu)選的是，通過吹掃用氣體供給系統(tǒng)838向窗口 831A吹出200ccm的氮?dú)庾?為吹掃用氣體G2。接下來，使移動(dòng)移動(dòng)構(gòu)件820在水平方向上移動(dòng)，并且因此把布線板1插入到局部 修復(fù)部831和移動(dòng)構(gòu)件820之間的間隙中。接下來，壓縮氣體排氣系統(tǒng)837開始排氣，并且 通過閥837A來控制壓縮氣體Gl的壓力或流量，以把局部修復(fù)部831的浮起高度D調(diào)整為例如20 μ m。然后，如圖10所示，把脈沖寬度為10皮秒以下的激光LB照射到包含層間短路163 的短路包含區(qū)域164，S卩，以覆蓋住層間短路163的方式進(jìn)行照射。圖11示出了脈沖寬度和 作為上層導(dǎo)電膜140(上層電極143)的主要構(gòu)成材料的鋁(Al)的熱擴(kuò)散長(zhǎng)度之間的關(guān)系。
熱擴(kuò)散長(zhǎng)度可以表示為熱擴(kuò)散長(zhǎng)度[μηι]= 2λ/熱擴(kuò)散系數(shù)Cm2脈沖寬度[s]。鋁的
熱擴(kuò)散系數(shù)假定為9.98X10_4m2/s。最好把熱擴(kuò)散長(zhǎng)度調(diào)節(jié)到0. 1 μ m以下以防止上層導(dǎo) 電膜140 (上層電極143)與下層導(dǎo)電膜120(下層電極122)之間的短路。為了實(shí)現(xiàn)這個(gè)目 的，從圖11可知將激光LB的脈沖寬度調(diào)節(jié)到10皮秒以下即可。激光LB的每一個(gè)脈沖的能量密度優(yōu)選地調(diào)節(jié)到0. 03J/cm2到0. 5J/cm2的范圍內(nèi)。 理由如下當(dāng)能量密度小于0. 03J/cm2時(shí)，因?yàn)樵撃芰棵芏鹊陀诓牧系募庸ら撝?，不能進(jìn)行 加工。當(dāng)能量密度大于0. 5J/cm2時(shí)，材料容易熔化，因此可能導(dǎo)致下層電極122可與上層 電極143短路。具體地說，將激光LB調(diào)節(jié)到波長(zhǎng)為400nm、頻率為500Hz、脈沖寬度為3皮秒、照射 束形狀為IOym正方形，并且在靜止?fàn)顟B(tài)下輸出4000個(gè)脈沖以照射大約8秒鐘，同時(shí)將布 線板1的表面上的能量密度設(shè)置為0. 2J/cm2。通過小孔(未示出)將激光LB整形然后照 射出去，同時(shí)使用放大倍數(shù)為50和動(dòng)作距離為15mm的光學(xué)系統(tǒng)810的物鏡811來觀察該 激光LB。因此，除去了短路包含區(qū)域164內(nèi)的下層電極122、絕緣膜131和上層電極143，并 且因此修復(fù)層間短路163，從而形成如圖2和圖3所示的開口部161?？商娲兀鐖D4所 示只把短路包含區(qū)域164內(nèi)的下層電極122、絕緣膜131和上層電極143中的上層電極143 除去。在這種情況下，將激光LB調(diào)節(jié)到波長(zhǎng)為400nm、頻率為500Hz、脈沖寬度為3皮秒以 及照射束形狀為IOym正方形，并且在靜止?fàn)顟B(tài)下輸出4000個(gè)脈沖以照射大約8秒鐘，同 時(shí)將布線板1的表面上的能量密度設(shè)置為0. 03J/cm2。在布線板1上形成有機(jī)發(fā)光元件10RU0G和IOB的步驟這樣，修復(fù)了布線板1中的層間短路163。然后，如圖12A所示，將感光樹脂涂敷在 布線板1的整個(gè)表面上以形成平坦化層12，通過曝光和顯影使該平坦化層成為預(yù)定的圖形 且同時(shí)形成有連接孔12A，然后烘烤。在形成平坦化層12后，如圖12B所示，通過例如濺射法來形成由上述材料構(gòu)成的 第一電極13，并且通過例如蝕刻來使其成形為預(yù)定的圖形。在形成第一電極13后，將感光樹脂涂敷在平坦化層12的整個(gè)表面上，然后通過例 如光刻來形成與發(fā)光區(qū)域?qū)?yīng)的開口部，然后烘烤該感光樹脂，因此形成了如圖13A所示 的絕緣膜14。在形成絕緣膜14后，如圖13B和圖14A所示，依次形成有機(jī)層15和第二電極16， 有機(jī)層15包括各自具有上述厚度且由上述材料構(gòu)成的空穴注入層、空穴輸運(yùn)層、發(fā)光層、 電子輸運(yùn)層和電子注入層。因此，形成了有機(jī)光元件10RU0G和10B.在形成有機(jī)發(fā)光元件10RU0G和IOB后，如圖14B所示，通過例如蒸發(fā)沉積法或 CVD法來形成由上述材料構(gòu)成的保護(hù)膜17。此外，在由上述材料構(gòu)成的密封基板30上通過旋涂法等涂敷紅色濾光片的材料， 然后通過光刻技術(shù)來使該涂敷材料圖形化，然后進(jìn)行烘烤，因此形成了紅色濾光片。接下來，用與形成紅色濾光片相同的方法依次形成藍(lán)色濾光片和綠色濾光片，從而形成彩色濾 光片31。然后，在保護(hù)膜17上形成粘接層20，之后以將粘接層20夾在保護(hù)膜17與密封基 板30之間的方式把密封基板30粘附到保護(hù)膜17上。因此，完成了圖1至圖6所示的顯示 器件。在以這種方法獲得的顯示器件中，掃描信號(hào)SS從掃描線驅(qū)動(dòng)電路113通過寫晶體管Trl的柵電極提供到各個(gè)像素，圖像信號(hào)DS從信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路112通過寫晶體管Trl提 供到保持電容CS，并且被保持在保持電容CS中。特別地，根據(jù)保持電容CS所保持的信號(hào)來 控制驅(qū)動(dòng)晶體管Tr2的導(dǎo)通或斷開，于是把驅(qū)動(dòng)電流注入到各個(gè)有機(jī)發(fā)光元件10RU0G和 IOB中，因此使空穴與電子產(chǎn)生復(fù)合，從而發(fā)出光。所發(fā)出的光穿過第二電極16、彩色濾光 片31和密封基板30，然后被獲取到。按這種方法，在本實(shí)施方案的顯示器件的制造方法中，在修復(fù)層間短路163的步 驟中將脈沖寬度為10皮秒以下的激光LB照射到包含層間短路163的短路包含區(qū)域164，以 便把短路包含區(qū)域164內(nèi)的下層電極122、絕緣膜131和上層電極143中的至少上層電極 143除去，因此可以修復(fù)在布線板1的電容器CS中形成的層間短路163。特別地，短路包含區(qū)域164內(nèi)的下層電極122、絕緣膜131和上層電極143都被除 去，以使得修復(fù)過程穩(wěn)定且可靠。按照本實(shí)施方案的顯示器件，因?yàn)椴季€板1中的電容器CS具有開口部161，且該開 口部161內(nèi)的下層電極122、絕緣膜131和上層電極143中的至少上層電極143除去，所以 能夠抑制由于電容器CS中的層間短路163所引起的顯示不良。第二實(shí)施方案圖15示出了本發(fā)明第二實(shí)施方案的顯示器件的像素驅(qū)動(dòng)電路111的平面結(jié)構(gòu)示 例。本顯示器件除了電容器CS具有槽165以外，其他結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施方案的顯示器件相同。 因此，相同的元件用相同的附圖標(biāo)記或符號(hào)來表示。圖16示出了電容器CS的截面結(jié)構(gòu)的示例。在電容器CS中，層間短路163以原狀 保留著，槽165包圍在層間短路163的周圍。在槽165中，除去了上層電極143、絕緣膜131 和下層電極122。因此，在本顯示器件中，如同第一實(shí)施方案那樣，可以抑制由電容器CS中 的層間短路所引起的顯示不良。槽165是作為當(dāng)修復(fù)在制造工序期間在電容器CS中形成的層間短路時(shí)所做出的 修復(fù)痕跡而殘留下來的槽，因此不一定必須形成在所有有機(jī)發(fā)光元件10RU0G和IOB的像 素驅(qū)動(dòng)電路111的各個(gè)電容器CS中。圖17示出了電容器CS的截面結(jié)構(gòu)的另一示例?？梢耘c開口部161那樣，在槽165 中，只除去了上層電極143、絕緣膜131和下層電極122中的上層電極143。在這種情況下， 在絕緣膜131和下層電極122中可能會(huì)留下引起層間短路的導(dǎo)電雜質(zhì)162。優(yōu)選的是如圖16所示把槽165中的上層電極143、絕緣膜131和下層電極122都 除去，而不是如圖17所示只除去上層電極143。這是因?yàn)檫@樣能實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定且可靠的修復(fù)。在同一布線板1或同一顯示器件中可以組合設(shè)有槽165和開口部161。在這種情 況下，如以下的制造方法所述，優(yōu)選根據(jù)層間短路163的尺寸來恰當(dāng)?shù)厥褂貌?65和開口部 161。
例如，可按下列方式制造出上述顯示器件。形成布線板的步驟首先，根據(jù)圖7A和圖7B所示的步驟在基板11上形成下層導(dǎo)電膜120、絕緣膜131 和上層導(dǎo)電膜140，因此如同在第一實(shí)施方案中那樣形成了布線板1。修復(fù)層間短路的步驟接下來，如同第一實(shí)施方案那樣，通過例如電學(xué)檢測(cè)來檢查層間短路163的存在， 然后通過光學(xué)檢測(cè)來獲取該層間短路的位置或尺寸(圖18中的步驟S101)。然后，利用圖8和圖9所示的修復(fù)裝置來修復(fù)層間短路163。此時(shí)，激光LB的照射 方法優(yōu)選根據(jù)層間短路163的尺寸的不同而不同。這是為了無論層間短路163的尺寸是多 少時(shí)，都能夠可靠地修復(fù)該層間短路163。具體地，如圖18所示，為層間短路163的尺寸設(shè)定某一閾值(例如，20μπι正方 形)，并判斷層間短路163的尺寸是在該閾值以下還是大于該閾值。當(dāng)層間短路163的尺 寸在該閾值以下(20 μ m正方形或更小)時(shí)，優(yōu)選將激光LB照射到短路包含區(qū)域164 (步驟 S102)。這是因?yàn)檫@樣能夠使加工面積最小化，并且能夠通過靜止地照射激光LB來減少加 工時(shí)間。在這種情況下，修復(fù)方法與第一實(shí)施方案中的修復(fù)方法相同。相反，當(dāng)層間短路163的尺寸大于該閾值(大于20μπι正方形)時(shí)，優(yōu)選將激光LB 照射到包圍層間短路163周圍的框形區(qū)域166內(nèi)(步驟S103)。這是因?yàn)楫?dāng)層間短路163 的尺寸較大時(shí)，用于對(duì)激光LB的束形狀進(jìn)行調(diào)整的狹縫尺寸可能不適合于上述尺寸，或者 即使狹縫尺寸適合于上述尺寸時(shí)，在照射平面內(nèi)的激光能量分布也變差，以致于使修復(fù)可 靠性降低。在這種情況下，例如，將激光LB調(diào)節(jié)成波長(zhǎng)為400nm、頻率為500Hz、脈沖寬度為3 皮秒和照射束形狀為8 μ m正方形，并且通過掃描速度為5 μ m/s的掃描法按照6掃描來照 射脈沖激光LB，同時(shí)將布線板1的表面上的能量密度設(shè)置為0. 2J/cm2。因此，將框形區(qū)域166內(nèi)的下層電極122、絕緣膜131和上層電極143除去，使得層 間短路163與電容器CS分離，并因此形成了如圖15和圖16所示的槽165。可替代地，如圖17所示那樣，只把框形區(qū)域166內(nèi)的下層電極122、絕緣膜131和 上層電極143中的上層電極143除去。在這種情況下，例如，將激光LB調(diào)節(jié)成波長(zhǎng)為400nm、 頻率為500Hz、脈沖寬度為3皮秒和照射束形狀為8 μ m正方形，并且通過掃描速度為5 μ m/ s的掃描法按照6掃描來照射脈沖激光LB，同時(shí)將布線板1的表面上的能量密度設(shè)置為 0. 03J/cm2。即使按這種方法，也可以修復(fù)層間短路163，并且可以形成槽165。在布線板1上形成有機(jī)發(fā)光元件10RU0G和IOB的步驟按照上述方式，修復(fù)了布線板1中的層間短路163。然后，根據(jù)如圖12A到圖14B 所示的步驟，形成有機(jī)光元件10RU0G和10B，因此與第一實(shí)施方案中一樣形成了本顯示器 件。本顯示器件的作用與第一實(shí)施方案中顯示器件的作用相同。于是，在本實(shí)施方案的顯示器件的制造方法中，因?yàn)樵谛迯?fù)層間163的步驟中根 據(jù)層間短路163的尺寸來改變激光LB的照射方法，所以無論在布線板1的電容器CS中形 成的層間短路163的尺寸是多少都能夠可靠地修復(fù)該層間短路163。具體地，當(dāng)層間短路163的尺寸在閾值以下時(shí)，將激光LB照射到短路包含區(qū)域164。因此，由于在靜止?fàn)顟B(tài)下照射激光LB，因此可以使加工面積最小化并且可以減少加工時(shí)間。相反，當(dāng)層間短路163的尺寸大于閾值時(shí)，將激光LB照射到包圍層間短路163周圍的框形區(qū)域166。因此，即使當(dāng)層間短路163的尺寸較大時(shí)，也可以抑制修復(fù)可靠性的降 低。此外，因?yàn)榭蛐螀^(qū)域166內(nèi)的下層電極122、絕緣膜131和上層電極143都被除去，所以可以穩(wěn)定且可靠地修復(fù)層間短路。根據(jù)本實(shí)施方案的顯示器件，因?yàn)椴季€板1中的電容器CS具有槽165，該槽165中的下層電極122、絕緣膜131和上層電極143中的至少上層電極143被除去，所以可以抑制 由電容器CS中的層間短路163所引起的顯示不良。第三實(shí)施方案圖20示出了本發(fā)明第三實(shí)施方案的顯示器件的像素驅(qū)動(dòng)電路111的平面結(jié)構(gòu)示例。該顯示器件除了開口部161被設(shè)置在掃描線121與信號(hào)線141的交叉部IS中以外，其 他結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施方案中的顯示器件相同。因此，相同的元件用相同的附圖標(biāo)記或符號(hào)來表不。圖21示出了交叉部IS的截面結(jié)構(gòu)的示例。在開口部161中，除去了信號(hào)線141、 絕緣膜131和掃描線121。因此，在該顯示器件中，可以抑制由交叉部IS中的層間短路所引 起的顯示不良。開口部161是作為當(dāng)修復(fù)在制造工序期間在交叉部IS中形成的層間短路時(shí)所做 出的修復(fù)痕跡而殘留下來的開口部，因此不一定必須形成在所有交叉部IS中。圖22示出了交叉部IS的截面結(jié)構(gòu)的另一示例。在開口部中，如同在第一實(shí)施方 案中那樣，只把信號(hào)線141、絕緣膜131和掃描線121中的信號(hào)線141除去。在這種情況下， 在絕緣膜131和掃描線121中可能會(huì)留下引起層間短路的導(dǎo)電雜質(zhì)162。優(yōu)選如圖21所示把開口部161中的信號(hào)線141、絕緣膜131和掃描線121都除去， 而不是如圖22所示只把信號(hào)線141除去。這是因?yàn)檫@樣能實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定且可靠的修復(fù)。例如，可以按下列方式制造出上述顯示器件。形成布線板的步驟首先，根據(jù)圖7A和圖7B所示的步驟在基板11上形成下層導(dǎo)電膜120、絕緣膜131 和上層導(dǎo)電膜140，因此如同在第一實(shí)施方案中那樣形成了布線板1。修復(fù)層間短路的步驟在該步驟中，如圖23A和圖23B所示，在交叉部IS中可能出現(xiàn)由于雜質(zhì)162而使 掃描線121與信號(hào)線141發(fā)生短路處的層間短路163。因此，例如，通過電學(xué)檢測(cè)來檢查層 間短路163的存在，然后通過光學(xué)檢測(cè)來獲取該層間短路的位置或尺寸。接下來，通過如圖8和圖9所示的修復(fù)裝置，將激光LB照射到如圖24所示的短路 包含區(qū)域164以修復(fù)層間短路163。在布線板1上形成有機(jī)發(fā)光元件10RU0G和IOB的步驟以上述方式，修復(fù)了布線板1中的層間短路163。然后，根據(jù)如圖12A到圖14B所 示的步驟來形成有機(jī)光元件10RU0G和10B，因此如同第一實(shí)施方案中一樣形成了本顯示 器件。
本顯示器件的作用與第一實(shí)施方案中顯示器件的作用相同。這樣，在本實(shí)施方案的顯示器件的制造方法中，在修復(fù)層間短路163的步驟中，將 脈沖寬度為10皮秒以下的激光LB照射到包含層間短路163的短路包含區(qū)域164內(nèi)，以便 把短路包含區(qū)域164內(nèi)的掃描線121、絕緣膜131和信號(hào)線141中的至少信號(hào)線141除去， 因此，可修復(fù)在布線板1的交叉部IS中形成的層間短路163。特別地，因?yàn)槎搪钒瑓^(qū)域164內(nèi)的掃描線121、絕緣膜131和信號(hào)線141都被除 去，所以可以穩(wěn)定且可靠地修復(fù)層間短路。根據(jù)本實(shí)施方案的顯示器件，由于布線板1中的交叉部IS具有開口部161，該開口 部161內(nèi)的掃描線121、絕緣膜131和信號(hào)線141中的至少信號(hào)線141被除去，因此可以抑 制由交叉部IS中的層間短路163所引起的顯示不良。本實(shí)施方案也可以適用于掃描線121與電源電位供給線142的交叉部IS。第四實(shí)施方案圖25示出了本發(fā)明第四實(shí)施方案的顯示器件的像素驅(qū)動(dòng)電路111的平面結(jié)構(gòu)示 例。該顯示器件除了把槽165設(shè)置在掃描線121與信號(hào)線141的交叉部IS中以外，其他結(jié) 構(gòu)與第二實(shí)施方案中的顯示器件相同。因此，相同的元件用相同的附圖標(biāo)記或符號(hào)來表示。圖26示出了交叉部IS的截面結(jié)構(gòu)的示例。在交叉部IS中，層間短路163以原樣 被保留著，槽165包圍在層間短路163的周圍。在槽165中，除去了信號(hào)線141、絕緣膜131 和掃描線121。因此，如同在第三實(shí)施方案中那樣，在本顯示器件中可以抑制由交叉部IS中 的層間短路所引起的顯示不良。槽165是作為當(dāng)修復(fù)在制造工序期間在交叉部IS中形成的層間短路時(shí)所做出的 修復(fù)痕跡而殘留下來的槽，因此不一定必須形成在所有交叉部IS中。圖27示出了交叉部IS的截面結(jié)構(gòu)的另一示例。在槽165中，可以只把信號(hào)線141、 絕緣膜131和掃描線121中的信號(hào)線141除去。在這種情況下，在絕緣膜131和掃描線121 中可能會(huì)留下引起層間短路的導(dǎo)電雜質(zhì)162。優(yōu)選如圖26所示把槽165內(nèi)的信號(hào)線141、絕緣膜131和掃描線121都除去，而不 是如圖27所示只把信號(hào)線141除去。這是因?yàn)檫@樣能實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定且可靠的修復(fù)。在同一布線板1或同一顯示器件中可以組合地設(shè)有槽165和開口部161。在這種 情況下，如以下的制造方法所述，優(yōu)選根據(jù)層間短路163的尺寸來恰當(dāng)?shù)厥褂貌?65和開口 部 161。例如，可按下列方式制造上述顯示器件。形成布線板的步驟首先，根據(jù)圖7A和圖7B所示的步驟在基板11上形成下層導(dǎo)電膜120、絕緣膜131 和上層導(dǎo)電膜140，因此如同第一實(shí)施方案中那樣形成了布線板1。修復(fù)層間短路的步驟接下來，通過例如電學(xué)檢測(cè)來檢查如圖23A和圖23B所示交叉部IS中的層間短路 163是否存在，然后如同第二實(shí)施方案(步驟S101)中那樣利用圖18所示的步驟通過光學(xué) 檢測(cè)來獲取層間短路163的位置或尺寸。 然后，利用圖8和圖9所示的修復(fù)裝置來修復(fù)層間短路163。此時(shí)，如同在第二實(shí) 施方案中那樣，激光LB的照射方法優(yōu)選根據(jù)層間短路163的尺寸的不同而不同。這是為了無論層間短路163的尺寸是多少都能夠可靠地修復(fù)該層間短路163。具體地，為層間短路163的尺寸設(shè)定某一閾值(例如，20 μ m正方形)，根據(jù)如圖18所示的步驟來判斷層間短路163的尺寸是在該閾值以下還是大于該閾值。當(dāng)層間短路 163的尺寸在該閾值以下(20μπι正方形或更小)時(shí)，優(yōu)選將激光LB照射到短路包含區(qū)域 164 (步驟S102)。在這種情況下，修復(fù)方法與第一實(shí)施方案或第三實(shí)施方案中的修復(fù)方法 相同。相反，當(dāng)層間短路163的尺寸大于該閾值(大于20μπι正方形)時(shí)，優(yōu)選將激光LB 照射到包圍層間短路163周圍的框形區(qū)域166 (步驟S103)。這是因?yàn)楫?dāng)層間短路163的尺 寸較大時(shí)，用于對(duì)激光LB的束形狀進(jìn)行調(diào)整的狹縫尺寸可能不適合于上述尺寸，或即使當(dāng) 狹縫尺寸適合于上述尺寸時(shí)，在照射平面內(nèi)的激光能量分布也變差，從而使修復(fù)可靠性降 低。在這種情況下，修復(fù)方法與第二實(shí)施方案中的修復(fù)方法相同。在布線板1 h形成有機(jī)發(fā)光元件10R、10G和IOB的步驟如上所述，修復(fù)了布線板1中的層間短路163。然后，根據(jù)如圖12A到圖14B所示的 步驟形成有機(jī)光元件10RU0G和10B，因此，如同第一實(shí)施方案中一樣形成了本顯示器件。本顯示器件的作用與第一實(shí)施方案中顯示器件的作用相同。如上所述，根據(jù)本實(shí)施方案的顯示器件的制造方法，因?yàn)樵谛迯?fù)層間163的步驟 中根據(jù)層間短路163的尺寸的不同使激光LB的照射方法不同，所以無論在布線板1的交叉 部IS中形成的層間短路163的尺寸是多少都能夠可靠地修復(fù)該層間短路163。具體地，當(dāng)層間短路163的尺寸在閾值以下時(shí)，將激光LB照射到短路包含區(qū)域164。 因此，由于在靜止?fàn)顟B(tài)下照射激光LB，因此可以使加工面積最小化并且可以減少加工時(shí)間。相反，當(dāng)層間短路163的尺寸大于閾值時(shí)，將激光LB照射到包圍層間短路163周 圍的框形區(qū)域166。因此，即使層間短路163的尺寸較大時(shí)，也可以抑制修復(fù)可靠性的降低。此外，因?yàn)榭蛐螀^(qū)域166內(nèi)的掃描線121、絕緣膜131和信號(hào)線141都被除去，所以 可以穩(wěn)定且可靠地修復(fù)層間短路。根據(jù)本實(shí)施方案的顯示器件，因?yàn)椴季€板1中的交叉部IS具有槽165，該槽165內(nèi) 的掃描線121、絕緣膜131和信號(hào)線141中的至少信號(hào)線141被除去，所以可以抑制由交叉 部IS中的層間短路163所引起的顯示不良。本實(shí)施方案可應(yīng)用于掃描線121與電源電位供給線142的交叉部IS。實(shí)施例下面，說明本發(fā)明的具體實(shí)施例。實(shí)施例1按與第一實(shí)施方案中相同的方式制作布線板1。對(duì)于所得到的布線板1，測(cè)出在電 容器CS中形成的層間短路163的尺寸。結(jié)果，該層間短路的直徑為5 μ m。將具有10皮秒以下脈沖寬度的激光LB照射到包含層間短路163的短路包含區(qū)域 164，S卩，以覆蓋層間短路163的方式進(jìn)行照射。此時(shí)，把激光LB調(diào)節(jié)到波長(zhǎng)為400nm、頻率 為500Hz、脈沖寬度為3皮秒和照射束形狀為10 μ m正方形，并且在靜止?fàn)顟B(tài)下輸出4000個(gè) 脈沖以照射大約8秒鐘，同時(shí)將布線板1的表面上的能量密度設(shè)置為0. 2J/cm2。通過小孔 (未示出)使激光LB整形并且照射除去，同時(shí)使用放大倍數(shù)為50和動(dòng)作距離為15mm的光 學(xué)系統(tǒng)810的物鏡811來觀察激光LB。
因此，把短路包含區(qū)域164內(nèi)的下層電極122、絕緣膜131和上層電極143都除去，因此修復(fù)了層間短路163，并且形成了開口部161。圖29A和圖29B分別示出了開口部161的反射照片和透射照片。從圖29B可知，光穿過了開口部161，由此可以確認(rèn)已把開口部161中的下層電極122除去。圖30A和圖30B分別示出了開口部161的頂部和截面的掃描電子顯微鏡 (Scanning Electron Microscope, SEM)照片。從圖30B可知，可以確認(rèn)上層電極143的鋁 層和鈦層、絕緣膜131以及下層電極122的鉬層都被除去。當(dāng)在被修復(fù)的電容器CS的下層電極122與上層電極143之間施加OV到200V的電 壓時(shí)，檢測(cè)漏電流值。圖31圖示出了檢測(cè)結(jié)果。從圖31可知，即使外加電壓增加到200V， 也不會(huì)出現(xiàn)介電擊穿，因此可以確定實(shí)現(xiàn)了可靠的修復(fù)。對(duì)比例1作為對(duì)比例1，除了使用脈沖寬度大于10皮秒的激光以外，按照與實(shí)施例1中相同的方式來修復(fù)層間短路。此時(shí)，將激光LB調(diào)節(jié)到波長(zhǎng)為532nm、頻率為10Hz、脈沖寬度為 10納秒和照射束形狀為8 μ m正方形，并在靜止的狀態(tài)下輸出5個(gè)脈沖以進(jìn)行照射，同時(shí)將布線板的表面上的能量密度設(shè)置為2. OJ/cm2。如同在實(shí)施例1中那樣，在修復(fù)對(duì)比例1的電容器以后來檢測(cè)漏電流值。結(jié)果，漏電流值是10mA，這是測(cè)量上限的電流值。也就是說，電容器仍然短路，而未能修復(fù)層間短路。也就是說，可以認(rèn)為，當(dāng)將脈沖寬度為10皮秒以下的激光LB照射到包括層間短路163的短路包含區(qū)域164時(shí)，能夠修復(fù)在布線板1的電容器CS中形成的層間短路163。實(shí)施例2除了把短路包含區(qū)域164內(nèi)的下層電極122、絕緣膜131和上層電極143中的至少上層電極143除去以外，按與實(shí)施例1中相同的方式來修復(fù)層間短路163。此時(shí)，將激光LB 調(diào)節(jié)到波長(zhǎng)為400nm、頻率為500Hz、脈沖寬度為3皮秒和照射束形狀為10 μ m正方形，并且 在靜止?fàn)顟B(tài)下輸出4000個(gè)脈沖以照射大約8秒鐘，同時(shí)將布線板1的表面上的能量密度設(shè) 置為 0. 03J/cm2。如同在實(shí)施例1中那樣，也檢測(cè)實(shí)施例2的被修復(fù)電容器的漏電流。結(jié)果，在150V到200V的外加電壓下出現(xiàn)了介電擊穿。具體地，因?yàn)槎搪钒瑓^(qū)域164內(nèi)的下層電極122、絕緣膜131和上層電極143都被除去，所以能夠穩(wěn)定且可靠地修復(fù)層間短路。也就是說，可以明確的是，當(dāng)短路包含區(qū)域164內(nèi)的下層電極122、絕緣膜131和上層電極143都被除去后，能夠穩(wěn)定且可靠地修復(fù)層間短路。模塊和應(yīng)用例以下將說明在上述各個(gè)實(shí)施方案中說明的顯示器件的應(yīng)用例。各個(gè)實(shí)施方案的顯示器件可以用于能夠以圖像或圖畫的形式顯示從外部輸入的視頻信號(hào)或在內(nèi)部產(chǎn)生的視 頻信號(hào)的任何領(lǐng)域中的電子裝置，這種電子裝置例如是電視機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、筆記本電腦、諸 如移動(dòng)電話等移動(dòng)終端、攝像機(jī)等。 例如，各個(gè)實(shí)施方案的顯示器件作為圖32所示的模塊被裝配到后面說明的例如應(yīng)用例1至應(yīng)用例5等各種電子裝置中。在該模塊中，例如，在被轉(zhuǎn)印基板11的一邊設(shè)有從密封基板30和粘接層20暴露出來的區(qū)域210，通過延長(zhǎng)信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路120的布線和掃 描線驅(qū)動(dòng)電路130的布線在暴露區(qū)域210上形成外部連接端子(未示出)。這些外部連接 端子上可以設(shè)有用于輸入/輸出信號(hào)的柔性印刷電路(FPC) 220。應(yīng)用例1圖33示出了應(yīng)用各個(gè)實(shí)施方案的顯示器件的電視機(jī)的外觀。例如，該電視機(jī)具有 包括前面板310和濾光玻璃320的圖像顯示屏300，并且圖像顯示屏300例如采用各個(gè)實(shí)施 方案的顯示器件。應(yīng)用例2圖34A和圖34B示出了應(yīng)用各個(gè)實(shí)施方案的顯示器件的數(shù)碼相機(jī)的外觀。例如， 該數(shù)碼相機(jī)具有閃光用的發(fā)光部410、顯示部420、菜單開關(guān)430和快門按鈕440，并且顯示 部420例如采用各個(gè)實(shí)施方案的顯示器件。應(yīng)用例3圖35示出了應(yīng)用各個(gè)實(shí)施方案的顯示器件的筆記本電腦的外觀。例如，該筆記本 電腦具有主體510、用于字母等的輸入操作的鍵盤520和用于顯示圖像的顯示部530，并且 顯示部530例如采用各個(gè)實(shí)施方案的顯示器件。應(yīng)用例4圖36示出了應(yīng)用各個(gè)實(shí)施方案的顯示器件的攝像機(jī)的外觀。例如，該攝像機(jī)具有 主體610、設(shè)置在主體610的前側(cè)面上且用于拍攝物體的鏡頭620、拍攝開始/停止開關(guān)630 和顯示部640，并且顯示部640例如采用各個(gè)實(shí)施方案的顯示器件。應(yīng)用例5圖37A至圖37G示出了應(yīng)用各個(gè)實(shí)施方案的顯示器件的移動(dòng)電話的外觀。例如，該 移動(dòng)電話包括通過鉸鏈部730彼此連接的上殼體710和下殼體720，并且具有顯示屏740、 副顯示屏750、圖片燈760和照相機(jī)770。顯示屏740或副顯示屏750例如采用各個(gè)實(shí)施方 案的顯示器件。以上雖然已經(jīng)說明了本發(fā)明的各實(shí)施方案，但是本發(fā)明不限于這些實(shí)施方案，可 以做出各種修改和變形。例如，雖然在各實(shí)施方案中把電源電位供給線142形成在上層導(dǎo) 電膜140中，但是這些電源電位供給線也可以形成在下層導(dǎo)電膜120中。此外，例如，雖然各實(shí)施方案已經(jīng)說明了把本發(fā)明實(shí)施方案的顯示器件的制造方 法應(yīng)用于使用有機(jī)發(fā)光元件10RU0G和IOB的有機(jī)發(fā)光顯示器件的情況，但是本發(fā)明也可 以廣泛地應(yīng)用于諸如液晶顯示器件等其它平板顯示器件。此外，例如，雖然各實(shí)施方案已經(jīng)說明了修復(fù)裝置800的具體結(jié)構(gòu)，但是修復(fù)裝置 800的結(jié)構(gòu)不限于此。例如，雖然各實(shí)施方案已經(jīng)說明了通過移動(dòng)構(gòu)件820來使布線板1相 對(duì)于光學(xué)系統(tǒng)810進(jìn)行移動(dòng)的情況，但是也可以使光學(xué)系統(tǒng)810相對(duì)于布線板1進(jìn)行移動(dòng)， 或者使兩者相對(duì)于彼此進(jìn)行移動(dòng)。另外，例如，雖然各實(shí)施方案已經(jīng)說明了通過使用壓縮氣體Gl來使局部修復(fù)部 831浮起的情況，但浮起方法不限于這種使用壓縮氣體Gl的靜態(tài)壓力浮起方法。也可以把 局部修復(fù)部831固定到支架等上。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解的是，依據(jù)設(shè)計(jì)要求和其他因素，可以在本發(fā)明所附的 權(quán)利要求或其等同物的范圍內(nèi)進(jìn)行各種修改、組合、次組合及改變。
權(quán)利要求
一種顯示器件的制造方法，其包括以下步驟形成布線板，所述布線板在基板上依次設(shè)有下層導(dǎo)電膜、絕緣膜和上層導(dǎo)電膜；修復(fù)層間短路，所述層間短路是在所述上層導(dǎo)電膜與所述下層導(dǎo)電膜之間發(fā)生的短路；以及在所述布線板上形成顯示元件；其中，在修復(fù)所述層間短路的步驟中，將脈沖寬度為10皮秒以下的激光照射到包含所述層間短路的短路包含區(qū)域，把所述短路包含區(qū)域內(nèi)的所述下層導(dǎo)電膜、所述絕緣膜和所述上層導(dǎo)電膜中的至少所述上層導(dǎo)電膜除去。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示器件的制造方法，其中，在修復(fù)所述層間短路的步驟中，把 所述短路包含區(qū)域內(nèi)的所述上層導(dǎo)電膜、所述絕緣膜和所述下層導(dǎo)電膜都除去。
3.如權(quán)利要求1所述的顯示器件的制造方法，其中，在修復(fù)所述層間短路的步驟中，使 所述激光的照射方法根據(jù)所述層間短路的尺寸的不同而不同。
4.如權(quán)利要求3所述的顯示器件的制造方法，其中，在修復(fù)所述層間短路的步驟中，判 斷所述層間短路的尺寸是在閾值以下還是大于所述閾值，當(dāng)所述層間短路的尺寸在所述閾 值以下時(shí)，將所述激光照射到所述短路包含區(qū)域，而當(dāng)所述層間短路的尺寸大于所述閾值 時(shí)，將所述激光照射到包圍所述層間短路周圍的框形區(qū)域。
5.如權(quán)利要求1所述的顯示器件的制造方法，其中，所述布線板設(shè)有像素驅(qū)動(dòng)電路，各個(gè)所述像素驅(qū)動(dòng)電路具有晶體管、電容器和所述顯 示元件，各個(gè)所述晶體管包括所述下層導(dǎo)電膜、所述絕緣膜和所述上層導(dǎo)電膜，所述電容器 包括所述下層導(dǎo)電膜、所述絕緣膜和所述上層導(dǎo)電膜，并且在修復(fù)所述層間短路的步驟中，修復(fù)在所述電容器中產(chǎn)生的層間短路。
6.如權(quán)利要求1所述的顯示器件的制造方法，其中，所述布線板設(shè)有掃描線和信號(hào)線，各所述掃描線包括所述下層導(dǎo)電膜和所述上層導(dǎo)電 膜中的一者，各所述信號(hào)線包括所述下層導(dǎo)電膜和所述上層導(dǎo)電膜中的另一者，并且在修復(fù)所述層間短路的步驟中，修復(fù)在各所述掃描線與各所述信號(hào)線的交叉部中產(chǎn)生 的層間短路。
7.如權(quán)利要求6所述的顯示器件的制造方法，其中，各所述顯示元件是有機(jī)發(fā)光元件，所述布線板設(shè)有包括所述下層導(dǎo)電膜或所述上層導(dǎo)電膜的電源電位供給線，并且在修復(fù)所述層間短路的步驟中，修復(fù)在各所述電源電位供給線與各所述信號(hào)線或各所 述掃描線的交叉部中產(chǎn)生的層間短路。
8.如權(quán)利要求1所述的顯示器件的制造方法，其中，所述激光的每一個(gè)脈沖的能量密 度是0. 03J/cm2以上且0. 5J/cm2以下。
9.如權(quán)利要求1所述的顯示器件的制造方法，其中，在使所述激光靜止的狀態(tài)下照射 所述激光。
10.如權(quán)利要求1所述的顯示器件的制造方法，其中，在使所述激光進(jìn)行掃描的狀態(tài)下 照射所述激光。
11.一種顯示器件，其包括布線板，所述布線板在基板上依次設(shè)有下層導(dǎo)電膜、絕緣膜和上層導(dǎo)電膜；以及顯示元件，各所述顯示元件形成在所述布線板上，其中，所述布線板設(shè)有像素驅(qū)動(dòng)電路，各個(gè)所述像素驅(qū)動(dòng)電路具有晶體管、電容器和所 述顯示元件，各個(gè)所述晶體管包括所述下層導(dǎo)電膜、所述絕緣膜和所述上層導(dǎo)電膜，所述電 容器包括所述下層導(dǎo)電膜、所述絕緣膜和所述上層導(dǎo)電膜，并且所述電容器具有開口部，該開口部?jī)?nèi)的所述下層導(dǎo)電膜、所述絕緣膜和所述上層導(dǎo)電 膜中的至少所述上層導(dǎo)電膜被除去。
12.如權(quán)利要求11所述的顯示器件，其中，所述布線板設(shè)有掃描線和信號(hào)線，各所述掃描線包括所述下層導(dǎo)電膜和所述上層導(dǎo)電 膜中的一者，各所述信號(hào)線包括所述下層導(dǎo)電膜和所述上層導(dǎo)電膜中的另一者，并且各所述掃描線與各所述信號(hào)線的交叉部具有開口部，該開口部?jī)?nèi)的所述下層導(dǎo)電膜、 所述絕緣膜和所述上層導(dǎo)電膜中的至少所述上層導(dǎo)電膜被除去。
13.如權(quán)利要求12所述的顯示器件，其中， 各所述顯示元件是有機(jī)發(fā)光元件，所述布線板設(shè)有包括所述下層導(dǎo)電膜或所述上層導(dǎo)電膜的電源電位供給線，并且 各所述電源電位供給線與各所述掃描線或各所述信號(hào)線的交叉部具有開口部，該開口 部?jī)?nèi)的所述下層導(dǎo)電膜、所述絕緣膜和所述上層導(dǎo)電膜中的至少所述上層導(dǎo)電膜被除去。
14.如權(quán)利要求11所述的顯示器件，其中，所述電容器包括層間短路，所述層間短路是在所述上層導(dǎo)電膜與所述下層導(dǎo)電膜之間發(fā)生的短路，以及槽，所述槽包圍所述層間短路的周圍，并且所述槽內(nèi)的所述下層導(dǎo)電膜、所述絕緣膜和 所述上層導(dǎo)電膜中的至少所述上層導(dǎo)電膜被除去。
全文摘要
本發(fā)明提供了顯示器件的制造方法，在該制造方法中可以修復(fù)在布線板的電容器中或在布線的交叉部中形成的層間短路，并且本發(fā)明還提供了顯示器件。上述顯示器件的制造方法包括以下步驟形成布線板，所述布線板在基板上依次設(shè)有下層導(dǎo)電膜、絕緣膜和上層導(dǎo)電膜；修復(fù)層間短路，所述層間短路是在所述上層導(dǎo)電膜與所述下層導(dǎo)電膜之間發(fā)生的短路；以及在所述布線板上形成顯示元件。在修復(fù)所述層間短路的步驟中，將脈沖寬度為10皮秒以下的激光照射到包含所述層間短路的短路包含區(qū)域，把所述短路包含區(qū)域內(nèi)的所述下層導(dǎo)電膜、所述絕緣膜和所述上層導(dǎo)電膜中的至少所述上層導(dǎo)電膜除去。本發(fā)明能夠抑制因?qū)娱g短路引起的顯示不良。
文檔編號(hào)H01L21/768GK101800195SQ201010104368
公開日2010年8月11日 申請(qǐng)日期2010年2月2日 優(yōu)先權(quán)日2009年2月10日
發(fā)明者古立學(xué), 輿石亮 申請(qǐng)人:索尼公司