專(zhuān)利名稱(chēng)：Sab工藝器件的制作方法及sab工藝器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件的制作方法，尤其是一種SAB工藝器件的制作方法。 本發(fā)明還涉及一種半導(dǎo)體器件，尤其是一種SAB工藝器件。
背景技術(shù)：
在電路中，常常會(huì)用到有自對(duì)準(zhǔn)的金屬硅化物(Salicide)和無(wú)自對(duì)準(zhǔn)的金屬硅 化物(Salicide)兩種器件，因此要用到金屬硅化物阻擋層(SAB)工藝?，F(xiàn)有工藝采用四乙 氧基硅烷(TEOS)與氧氣(O2)形成的氧化膜作為SAB膜，通過(guò)光刻和干刻來(lái)形成SAB區(qū)，但 是在對(duì)SAB膜進(jìn)行光刻和刻蝕的過(guò)程中，會(huì)對(duì)刻蝕掉SAB膜部分的側(cè)墻(spacer)造成影 響，使得有SAB膜的側(cè)墻的形貌很難與沒(méi)有SAB膜(non-SAB工藝)一致，如圖1所示，從而 導(dǎo)致側(cè)墻往往不均勻，使后續(xù)有源區(qū)的salicide形成不夠。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種SAB工藝器件的制作方法，以及采用這種 一種SAB工藝器件的制作方法制作的SAB工藝器件，能夠采用簡(jiǎn)單易行的步驟，使得SAB工 藝器件中的側(cè)墻形貌非常均勻，以保證后續(xù)工藝的順利進(jìn)行。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明SAB工藝器件的制作方法的技術(shù)方案是，在MOS器件 柵極側(cè)墻制作完成以及源漏區(qū)形成后，依次進(jìn)行在器件表面淀積一層氮化硅層；然后在氮化硅層上面淀積一層SAB膜；在器件表面涂布光刻膠，通過(guò)曝光保留部分MOS器件結(jié)構(gòu)上的光刻膠；先后刻蝕掉未覆蓋光刻膠的SAB膜和氮化硅層；去除剩余的光刻膠，以常規(guī)步驟完成后續(xù)工藝。本發(fā)明還提供了一種采用上述SAB工藝器件的制作方法制作的SAB工藝器件，其 技術(shù)方案是，包括并排排列的多個(gè)晶體管結(jié)構(gòu)，其中部分晶體管結(jié)構(gòu)上方覆蓋有SAB膜，在 所述SAB膜與其所覆蓋的晶體管結(jié)構(gòu)之間還有一層氮化硅層。本發(fā)明通過(guò)在SAB膜下多加一層氮化硅層，其步驟簡(jiǎn)單易行，消除了 SAB膜刻蝕對(duì) 側(cè)墻造成的影響，使得SAB工藝器件中的側(cè)墻形貌非常均勻，保證了后續(xù)工藝的順利進(jìn)行。


下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明圖1為現(xiàn)有的SAB工藝器件的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2 圖8為本發(fā)明SAB工藝器件的制作方法各步驟的示意圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明公開(kāi)了一種SAB工藝器件的制作方法，在如圖2所示的MOS器件柵極側(cè)墻制作完成以及源漏區(qū)形成后，依次進(jìn)行在器件表面淀積一層氮化硅層，如圖3所示；然后在氮化硅層上面淀積一層SAB膜，如圖4所示；在器件表面涂布光刻膠，通過(guò)曝光保留部分MOS器件結(jié)構(gòu)上的光刻膠，如圖5所 示；先后刻蝕掉未覆蓋光刻膠的SAB膜和氮化硅層，如圖6和圖7所示；去除剩余的光刻膠，如圖8所示，以常規(guī)步驟完成后續(xù)工藝。所述氮化硅層的厚度為80 100A。所述SAB膜采用TE0S，其厚度為400 500人。采用濕法刻蝕去除未覆蓋光刻膠的SAB膜。采用干法刻蝕去除未覆蓋光刻膠的氮化硅層。本發(fā)明還公開(kāi)了一種采用上述SAB工藝器件的制作方法得到的SAB工藝器件，如 圖8所示，包括并排排列的多個(gè)晶體管結(jié)構(gòu)，其中部分晶體管結(jié)構(gòu)上方覆蓋有SAB膜，在所 述SAB膜與其所覆蓋的晶體管結(jié)構(gòu)之間還有一層氮化硅層。本發(fā)明通過(guò)在SAB膜下多加一層氮化硅層，在對(duì)SAB膜進(jìn)行刻蝕的時(shí)候，氮化硅層 可以起到隔離作用，保護(hù)了下面的側(cè)墻不會(huì)受到SAB膜刻蝕的影響。本發(fā)明步驟簡(jiǎn)單易行， 消除了 SAB膜刻蝕對(duì)側(cè)墻造成的影響，使得SAB工藝器件中的側(cè)墻形貌非常均勻，保證了后 續(xù)工藝的順利進(jìn)行。
權(quán)利要求
1.一種SAB工藝器件的制作方法，其特征在于，在MOS器件柵極側(cè)墻制作完成以及源漏 區(qū)形成后，依次進(jìn)行在器件表面淀積一層氮化硅層；然后在氮化硅層上面淀積一層SAB膜；在器件表面涂布光刻膠，通過(guò)曝光保留部分MOS器件結(jié)構(gòu)上的光刻膠；先后刻蝕掉未覆蓋光刻膠的SAB膜和氮化硅層；去除剩余的光刻膠，以常規(guī)步驟完成后續(xù)工藝。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SAB工藝器件的制作方法，其特征在于，所述氮化硅層的厚度 為 80 100A。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SAB工藝器件的制作方法，其特征在于，所述SAB膜采用 TE0S，其厚度為400 500A。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SAB工藝器件的制作方法，其特征在于，采用濕法刻蝕去除未 覆蓋光刻膠的SAB膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SAB工藝器件的制作方法，其特征在于，采用干法刻蝕去除未 覆蓋光刻膠的氮化硅層。
6.一種采用如權(quán)利要求1 5中任意一項(xiàng)所述的SAB工藝器件的制作方法得到的SAB 工藝器件，其特征在于，包括并排排列的多個(gè)晶體管結(jié)構(gòu)，其中部分晶體管結(jié)構(gòu)上方覆蓋有 SAB膜，在所述SAB膜與其所覆蓋的晶體管結(jié)構(gòu)之間還有一層氮化硅層。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種SAB工藝器件的制作方法，在MOS器件柵極側(cè)墻制作完成以及源漏區(qū)形成后，依次進(jìn)行在器件表面淀積一層氮化硅層；然后在氮化硅層上面淀積一層SAB膜；在器件表面涂布光刻膠，通過(guò)曝光保留部分MOS器件結(jié)構(gòu)上的光刻膠；先后刻蝕掉未覆蓋光刻膠的SAB膜和氮化硅層；去除剩余的光刻膠，以常規(guī)步驟完成后續(xù)工藝。本發(fā)明還公開(kāi)了一種采用上述方法得到的SAB工藝器件，包括并排排列的多個(gè)晶體管結(jié)構(gòu)，其中部分晶體管結(jié)構(gòu)上方覆蓋有SAB膜，在所述SAB膜與其所覆蓋的晶體管結(jié)構(gòu)之間還有一層氮化硅層。本發(fā)明通過(guò)在SAB膜下多加一層氮化硅層，消除了SAB膜刻蝕對(duì)側(cè)墻造成的影響，使得SAB工藝器件中的側(cè)墻形貌非常均勻，保證了后續(xù)工藝的順利進(jìn)行。
文檔編號(hào)H01L21/3205GK102136421SQ20101010050
公開(kāi)日2011年7月27日 申請(qǐng)日期2010年1月25日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月25日
發(fā)明者孫庭輝, 左燕麗, 徐丹, 陳琛 申請(qǐng)人:上海華虹Nec電子有限公司