專利名稱：Eeprom器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的制作方法，尤其是一種EEPROM器件的制作方法。
背景技術(shù)：
在嵌入式EEPROM工藝中，需要多種器件實(shí)現(xiàn)各種功能在0. 18um工藝中，1. 8V作 為邏輯器件，5V作為輸入輸出端口器件，18V作為實(shí)現(xiàn)EEPROM操作的高壓器件。集成不同 電壓的器件和EEPROM存儲(chǔ)器件是嵌入式存儲(chǔ)器工藝的重大挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)的嵌入式EEPROM工藝，高低壓井注入利用同一犧牲氧化層。犧牲氧化層在井 注入結(jié)束后去除，然后分別生長(zhǎng)高壓柵氧，形成隧穿窗口、浮柵以及ONO (氧化硅/氮化硅/ 氧化硅)介質(zhì)層，最后形成邏輯低壓器件的柵氧化層。這種方式會(huì)使低壓器件的溝道注入 受到高壓柵氧生長(zhǎng)的影響而耗盡，導(dǎo)致低壓器件的閾值電壓難以調(diào)節(jié)，最終使得器件失效。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種EEPROM器件的制作方法，能夠采用簡(jiǎn)單 便捷的步驟，避免EEPROM器件的制作工藝中高壓井注入和低壓井注入相互之間的影響，提 高器件的可靠性。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明EEPROM器件的制作方法的技術(shù)方案是，其中依次包 括有如下步驟首先，生長(zhǎng)一層高壓井注入的犧牲氧化層，形成高壓井注入；然后，去除該犧牲氧化層，生長(zhǎng)高壓柵氧化層、形成隧穿窗口 ；之后，淀積浮柵，在邏輯區(qū)刻蝕掉浮柵，再淀積ONO介質(zhì)層，在邏輯區(qū)刻蝕掉ONO介 質(zhì)層的位于上面的氧化硅層和中間的氮化硅層，留下的底層的氧化硅層；最后，將邏輯區(qū)未刻蝕掉的ONO介質(zhì)層中的位于底層的氧化硅層作為低壓井注入 的犧牲氧化層，形成低壓井注入，并制作低壓器件。本發(fā)明通過(guò)上述方法，將高低壓井注入放在高壓柵氧生長(zhǎng)后進(jìn)行，避免了低壓器 件的溝道注入受到高壓柵氧生長(zhǎng)的影響而耗盡，從而增強(qiáng)了低壓器件的閾值電壓可調(diào)節(jié) 性，并且直接采用ONO介質(zhì)層的氧化硅層作為低壓井注入的犧牲氧化層，簡(jiǎn)化了工藝步驟。


下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明圖1為本發(fā)明中生長(zhǎng)高壓井注入的犧牲氧化層的示意圖；圖2為本發(fā)明中生長(zhǎng)高壓柵氧化層、形成隧穿窗口的示意圖；圖3為本發(fā)明中淀積ONO介質(zhì)層之后的示意圖；圖4為本發(fā)明中對(duì)ONO介質(zhì)層進(jìn)行刻蝕之后的示意圖；圖5為本發(fā)明中生長(zhǎng)5V柵氧化層的示意圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明提供了一種EEPROM器件的制作方法，如圖1 圖5所示，其中依次包括有 如下步驟首先，生長(zhǎng)一層高壓井注入的犧牲氧化層，形成高壓井注入；然后，去除該犧牲氧化層，生長(zhǎng)高壓柵氧化層、形成隧穿窗口 ；之后，淀積浮柵，在邏輯區(qū)刻蝕掉浮柵，再淀積ONO介質(zhì)層，在邏輯區(qū)刻蝕掉ONO介 質(zhì)層的位于上面的氧化硅層和中間的氮化硅層，留下的底層的氧化硅層；最后，將邏輯區(qū)未刻蝕掉的ONO介質(zhì)層中的位于底層的氧化硅層作為低壓井注入 的犧牲氧化層，形成低壓井注入，并制作低壓器件。所述高壓井注入的犧牲氧化層的厚度為1OOA。所述高壓柵氧化層的厚度為300A。所述浮柵的厚度為1500A。本發(fā)明通過(guò)上述方法，將高低壓井注入放在高壓柵氧生長(zhǎng)后進(jìn)行，避免了低壓器 件的溝道注入受到高壓柵氧生長(zhǎng)的影響而耗盡，從而增強(qiáng)了低壓器件的閾值電壓可調(diào)節(jié) 性，并且直接采用ONO介質(zhì)層的氧化硅層作為低壓井注入的犧牲氧化層，簡(jiǎn)化了工藝步驟。
權(quán)利要求
1.一種EEPROM器件的制作方法，其特征在于，其中依次包括有如下步驟 首先，生長(zhǎng)一層高壓井注入的犧牲氧化層，形成高壓井注入；然后，去除該犧牲氧化層，生長(zhǎng)高壓柵氧化層、形成隧穿窗口 ； 之后，淀積浮柵，在邏輯區(qū)刻蝕掉浮柵，再淀積ONO介質(zhì)層，在邏輯區(qū)刻蝕掉ONO介質(zhì)層 的位于上層的氧化硅層和中間的氮化硅層，留下的底層的氧化硅層；最后，將邏輯區(qū)未刻蝕掉的ONO介質(zhì)層中的位于底層的氧化硅層作為低壓井注入的犧 牲氧化層，形成低壓井注入，并制作低壓器件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的EEPROM器件的制作方法，其特征在于，所述高壓井注入的犧 牲氧化層的厚度為100A。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的EEPROM器件的制作方法，其特征在于，所述高壓柵氧化層的 厚度為300A。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的EEPROM器件的制作方法，其特征在于，所述浮柵的厚度為 ΙδΟΟΑο
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種EEPROM器件的制作方法，其中依次包括有如下步驟首先，生長(zhǎng)一層高壓井注入的犧牲氧化層，形成高壓井注入；然后，去除該犧牲氧化層，生長(zhǎng)高壓柵氧化層、形成隧穿窗口；之后，淀積浮柵，在邏輯區(qū)刻蝕掉浮柵，再淀積ONO(氧化硅/氮化硅/氧化硅)介質(zhì)層，在邏輯區(qū)刻蝕掉ONO的上層氧化層以及氮化層，留下的底層氧化層作為低壓井注入的阻擋層，形成低壓井注入，并制作低壓器件，在邏輯區(qū)刻蝕掉ONO；最后，生長(zhǎng)5V柵氧化層。本發(fā)明通過(guò)上述方法，避免了低壓器件的溝道注入受到高壓柵氧生長(zhǎng)的影響而耗盡，從而增強(qiáng)了低壓器件的閾值電壓可調(diào)節(jié)性，并且直接采用ONO介質(zhì)層的氧化硅層作為低壓井注入的犧牲氧化層，簡(jiǎn)化了工藝步驟。
文檔編號(hào)H01L21/28GK102136481SQ20101010050
公開(kāi)日2011年7月27日 申請(qǐng)日期2010年1月25日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月25日
發(fā)明者陳昊瑜 申請(qǐng)人:上海華虹Nec電子有限公司