專利名稱：母基板、母基板的制造方法以及器件基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及母基板、母基板的制造方法以及器件基板。更為詳細(xì)地，涉及具備多 個(gè)面板基板的母基板、母基板的制造方法以及包括在該母基板中形成的面板基板的器件基 板。
背景技術(shù)：
現(xiàn)在，平板顯示器、平板檢測(cè)器等使用的顯示單元普遍是通過(guò)采用稱為母基板的 大型基板并從該母基板一次切出多個(gè)顯示單元的方法而制造出的。例如，作為成為平板顯 示器的顯示單元而代表性地存在的液晶單元是按照各個(gè)面板基板對(duì)置的方式通過(guò)密封材 料貼合配置多個(gè)成為器件基板的面板基板而成的母基板(下面也稱為第1母基板)和配置 多個(gè)成為濾色器(CF)基板的面板基板而成的母基板(下面也稱為第2母基板)，從該狀態(tài) 的母基板分割各面板基板來(lái)形成多個(gè)單元，通過(guò)真空注入法等對(duì)所得到的單元注入液晶。在利用上述方法而得到的液晶單元中，器件基板，伴隨著近幾年的對(duì)液晶單元邊 框區(qū)域小型化的期望，較多的是采用具備包含包括多晶硅薄膜的薄膜晶體管的單片電路的 構(gòu)造。具有該種結(jié)構(gòu)的器件基板是例如如下而形成的。首先，在第1母基板的主面形成非晶質(zhì)的硅薄膜。然后，通過(guò)對(duì)該硅薄膜進(jìn)行激光 退火來(lái)使其多晶化。并且，使所得到的多晶硅薄膜圖案化成想要的形狀，進(jìn)一步地進(jìn)行所需 的其它材料等的加工。由此，在第1母基板的主面形成具備包括薄膜晶體管的單片電路的 多個(gè)面板基板。在進(jìn)行激光退火的工序中，采用例如能夠線狀地照射規(guī)定范圍的準(zhǔn)分子激光。在 該工序中，一次能夠照射的激光的照射范圍(從激光的一端到另一端的尺寸，下面稱為激 光長(zhǎng)度。)大于第1母基板的寬度是最理想的，但是準(zhǔn)分子激光由于裝置機(jī)構(gòu)上的情況、高 成本，會(huì)在激光長(zhǎng)度方面有上限?，F(xiàn)在，在比較便宜的裝置中普遍使用的激光長(zhǎng)度的最大值 是約300mm。另一方面，第1母基板的尺寸有連年擴(kuò)大的傾向，例如730mm X 920mm程度的玻璃 基板作為第1母基板已在市面上進(jìn)行銷售了。有時(shí)準(zhǔn)分子激光裝置的大型化追不上這種第 1母基板的大型化，第1母基板寬度大于激光長(zhǎng)度。在此，在該情況下，例如如果是面板基板矩陣狀地排列的第1母基板，則使準(zhǔn)分子 激光和第1母基板沿著排列面板基板的行方向或者列方向相對(duì)地移動(dòng)，使準(zhǔn)分子激光對(duì)第 1母基板的想要的部位或者主面整體掃描多次。由此，硅薄膜的僅需要的部位或者整個(gè)面被 多晶化。然而，在僅對(duì)需要的部位的硅薄膜進(jìn)行激光退火的方法(例如參照專利文獻(xiàn)1。) 中，當(dāng)在第1母基板上形成多個(gè)面板基板時(shí)，有作業(yè)工序復(fù)雜、花費(fèi)時(shí)間的問(wèn)題。另外，在對(duì)母基板的整個(gè)面進(jìn)行激光退火的方法中，對(duì)不需要多晶化的區(qū)域也進(jìn) 行了激光照射，因此有花費(fèi)時(shí)間的問(wèn)題。并且，在任何方法中，激光對(duì)母基板的主面進(jìn)行多次掃描，因此當(dāng)將準(zhǔn)分子激光從母基板的一端移動(dòng)到另一端的區(qū)域設(shè)為第1激光照射區(qū)域，將進(jìn)行了下次激光照射的區(qū)域 設(shè)為第2激光照射區(qū)域時(shí)，在第1激光照射區(qū)域與第2激光照射區(qū)域之間，會(huì)產(chǎn)生被稱為激 光接續(xù)區(qū)域的多重照射了激光的重疊區(qū)域、全部激光均未照射的還是非晶質(zhì)的硅薄膜的區(qū) 域。對(duì)于激光接續(xù)區(qū)域，無(wú)法按照本領(lǐng)域技術(shù)人員的意圖來(lái)管理硅薄膜的晶化，另外， 在上述第1、第2激光照射區(qū)域，平均結(jié)晶粒徑、結(jié)晶粒徑分布、結(jié)晶表面粗糙度等晶化程度 大不相同，因此是不適于遷移率高的薄膜晶體管的形成的區(qū)域。這樣，激光接續(xù)區(qū)域是不 適于面板基板的形成的區(qū)域，因此當(dāng)激光接續(xù)區(qū)域的寬度大時(shí)，在母基板上能夠排列的面 板基板的數(shù)量受到限制，包括激光接續(xù)區(qū)域的無(wú)法利用的無(wú)效區(qū)域(下面稱為廢棄基板區(qū) 域)大。另外，如上所述，準(zhǔn)分子激光的激光長(zhǎng)度有上限，因此隨面板基板的尺寸的不同， 有時(shí)激光長(zhǎng)度略微不足，在母基板上一次激光照射能夠退火的面板基板的行數(shù)(列數(shù))減 少。在上述的例子中，在第1、第2激光照射區(qū)域，各激光照射區(qū)域所包括的面板基板的數(shù)量 受到限制。因此，有在母基板整體中能夠配置的面板基板的個(gè)數(shù)減小，其結(jié)果，制造成本上 升的問(wèn)題。因此，作為擴(kuò)大激光照射范圍的手法，公開了利用鏡子等對(duì)從光源發(fā)出的光進(jìn)行 分光，對(duì)更大范圍照射激光的方法(例如參照專利文獻(xiàn)2以及3。)。然而，該方法中，需要 對(duì)激光的照射裝置進(jìn)行改良。另外，在分光了的第1激光的照射區(qū)域和第2激光的照射區(qū) 域之間，仍然會(huì)存在上述廢棄基板區(qū)域，因此在降低廢棄基板區(qū)域來(lái)高效率地利用母基板 方面有改善的余地。現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1 日本特開昭63-11989號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 日本特開平11-186163號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3 日本特開2000-1M60號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問(wèn)題本發(fā)明是鑒于上述現(xiàn)狀而完成的，目的在于提供在母基板上高效率地配置面板基 板并且能夠降低廢棄基板區(qū)域的母基板、母基板的制造方法以及包括在該母基板中形成的 面板基板的器件基板。用于解決問(wèn)題的方案本發(fā)明人在對(duì)具備多個(gè)器件基板的母基板及其制造方法進(jìn)行各種研究的過(guò)程中， 發(fā)現(xiàn)使得在至少一個(gè)面板基板中，端部區(qū)域具有形成有硅薄膜的區(qū)域，上述硅薄膜具有與 形成晶體管形成區(qū)域的硅薄膜的結(jié)晶狀況不同的結(jié)晶狀況，由此在母基板上高效率地配置 面板基板并且能夠降低廢棄基板區(qū)域，于是想到能夠很好地解決上述問(wèn)題，進(jìn)而有了本發(fā) 明。另外，發(fā)現(xiàn)在進(jìn)行激光退火的工序中按照以下方式進(jìn)行激光退火使激光和母基板相 對(duì)移動(dòng)而使規(guī)定區(qū)域的硅薄膜多晶化來(lái)形成晶體管形成區(qū)域，并且在至少一個(gè)端部區(qū)域形 成包括具有與形成晶體管形成區(qū)域的硅薄膜的結(jié)晶狀況不同的結(jié)晶狀況的硅薄膜的區(qū)域，由此在母基板上高效率地配置面板基板并且能夠降低廢棄基板區(qū)域，于是想到能夠很好地 解決上述問(wèn)題，進(jìn)而有了本發(fā)明。并且，發(fā)現(xiàn)包括在上述母基板中形成的面板基板的器件 基板在端部區(qū)域具有包括硅薄膜的區(qū)域，上述硅薄膜具有與形成晶體管形成區(qū)域的硅薄膜 的結(jié)晶狀況不同的結(jié)晶狀況，進(jìn)而有了本發(fā)明。S卩，本發(fā)明是具備多個(gè)面板基板的母基板，上述母基板具備在主面形成的硅薄膜， 上述面板基板分別具備晶體管形成區(qū)域和端部區(qū)域，上述晶體管形成區(qū)域由上述硅薄膜經(jīng) 多晶化而成，上述端部區(qū)域設(shè)置在各面板基板的外緣，至少一個(gè)面板基板在上述端部區(qū)域 具有包括具有與上述晶體管形成區(qū)域中的硅薄膜的結(jié)晶狀況不同的結(jié)晶狀況的硅薄膜的 區(qū)域。由此，在母基板上高效率地配置面板基板并且能夠降低廢棄基板區(qū)域，因此實(shí)現(xiàn)成本 的降低。另外，本發(fā)明是具備多個(gè)具有晶體管形成區(qū)域和端部區(qū)域的面板基板的母基板的 制造方法，具備在基板的主面沉積硅薄膜的工序；和對(duì)上述硅薄膜按每個(gè)規(guī)定的區(qū)域進(jìn) 行激光退火的工序，上述進(jìn)行激光退火的工序按照以下方式進(jìn)行激光退火使激光和上述 母基板相對(duì)移動(dòng)而使規(guī)定區(qū)域的上述硅薄膜多晶化來(lái)形成上述晶體管形成區(qū)域，并且至少 在一個(gè)上述端部區(qū)域形成包括具有與形成上述晶體管形成區(qū)域的硅薄膜的結(jié)晶狀況不同 的結(jié)晶狀況的硅薄膜的區(qū)域。根據(jù)該制造方法，在母基板上高效率地配置面板基板并且能 夠降低廢棄基板區(qū)域，因此實(shí)現(xiàn)成本的降低。并且，本發(fā)明是具備晶體管形成區(qū)域和端部區(qū)域的器件基板，具備由硅薄膜經(jīng)多 晶化而成的晶體管形成區(qū)域；和在上述器件基板的外緣設(shè)置的端部區(qū)域，上述端部區(qū)域具 有包括具有與形成上述晶體管形成區(qū)域的硅薄膜的結(jié)晶狀況不同的結(jié)晶狀況的硅薄膜的 區(qū)域。該器件基板包括上述本發(fā)明的母基板的面板基板。在上述母基板中，也可以是上述面板基板以上述端部區(qū)域的排列方向一致的方 式矩陣狀地配置，具有第1面板基板和第2面板基板，上述第1面板基板具備包括具有第1 結(jié)晶狀況的硅薄膜的端部區(qū)域，上述第2面板基板具備包括具有與上述第1結(jié)晶狀況不同 的第2結(jié)晶狀況的硅薄膜的端部區(qū)域。也可以是上述晶體管形成區(qū)域中的硅薄膜的結(jié)晶狀況與上述第1結(jié)晶狀況相 同。也可以是上述晶體管形成區(qū)域包含包括上述硅薄膜的單片電路。也可以是在上述端部區(qū)域形成有包括上述硅薄膜的制造工序管理標(biāo)記和/或評(píng) 價(jià)專用圖案。也可以是該制造工序管理標(biāo)記和/或評(píng)價(jià)專用圖案包括在具有上述第1結(jié) 晶狀況的硅薄膜中形成的制造工序管理標(biāo)記和/或評(píng)價(jià)專用圖案；和在具有上述第2結(jié)晶 狀況的硅薄膜中形成的制造工序管理標(biāo)記和/或評(píng)價(jià)專用圖案。也可以是對(duì)于上述晶體管形成區(qū)域中的硅薄膜的結(jié)晶狀況與端部區(qū)域中的硅薄 膜的結(jié)晶狀況而言，從平均結(jié)晶粒徑、結(jié)晶粒徑分布以及結(jié)晶表面粗糙度中選出的至少一 個(gè)是不同的。也可以是對(duì)于上述第1結(jié)晶狀況與上述第2結(jié)晶狀況而言，從平均結(jié)晶粒徑、結(jié) 晶粒徑分布以及結(jié)晶表面粗糙度中選出的至少一個(gè)是不同的。也可以是上述第1結(jié)晶狀 況是多晶質(zhì)的，上述第2結(jié)晶狀況是不穩(wěn)定的晶質(zhì)和/或非晶質(zhì)的。也可以是上述面板基板具備包括矩形的顯示區(qū)域的晶體管形成區(qū)域；和在上述面板基板的外緣的一條邊形成的端部區(qū)域。在上述母基板的制造方法中，也可以是上述進(jìn)行激光退火的工序進(jìn)行如下的激 光退火按照上述面板基板在上述母基板的主面矩陣狀地配置的方式使上述母基板和上述 激光沿著行方向或者列方向相對(duì)移動(dòng)，該面板基板具有第1面板基板和第2面板基板，使得 上述第1面板基板具備包括具有第1結(jié)晶狀況的硅薄膜的端部區(qū)域，上述第2面板基板具 備包括具有與上述第1結(jié)晶狀況不同的第2結(jié)晶狀況的硅薄膜的端部區(qū)域。此時(shí)，也可以 是上述進(jìn)行激光退火的工序進(jìn)行激光退火，使得在上述晶體管形成區(qū)域中的硅薄膜的結(jié) 晶狀況與上述第1結(jié)晶狀況相同。也可以是上述母基板的制造方法還包括對(duì)上述端部區(qū)域中的硅薄膜進(jìn)行圖案化 來(lái)形成制造工序管理標(biāo)記和/或評(píng)價(jià)專用圖案的工序。也可以是被圖案化的上述硅薄膜 是不穩(wěn)定地晶化的硅薄膜和/或非晶質(zhì)的硅薄膜。在上述母基板的制造方法中，優(yōu)選上述激光是準(zhǔn)分子激光。在上述器件基板中，也可以是在上述端部區(qū)域形成有包括不穩(wěn)定地晶化的硅薄 膜或者非晶質(zhì)的硅薄膜的制造工序管理標(biāo)記和/或評(píng)價(jià)專用圖案。此外，在本發(fā)明中，端部區(qū)域是指在面板基板的端部設(shè)置的區(qū)域，包括不存在單片 電路的區(qū)域，例如包括用于形成連接用端子的端子區(qū)域。端子區(qū)域一般也稱為邊框區(qū)域。下面詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明。本發(fā)明的母基板具備多個(gè)面板基板。母基板是指例如用于切出構(gòu)成液晶單元等的 器件基板、CF基板的大型基板，采用玻璃基板等。下面，作為母基板，列舉用于形成液晶單 元的器件基板的母基板即上述第1母基板為例來(lái)進(jìn)行說(shuō)明。此外，在本發(fā)明中，將在母基板 上配置的多個(gè)基板稱為面板基板，將通過(guò)割斷、切出等從母基板切離該面板基板而得到的 基板稱為器件基板。圖1是表示采用了由本發(fā)明得到的器件基板的液晶單元的結(jié)構(gòu)的立體圖。圖2是 如圖1所示的液晶單元的平面圖。在此，列舉器件基板與CF基板的大小不同的、僅在器件 基板的外緣的一條邊設(shè)置作為端部區(qū)域的端子區(qū)域的三邊自由構(gòu)造的液晶單元為例進(jìn)行 說(shuō)明。具有三邊自由構(gòu)造的液晶單元能夠減少外部安裝的電路部件的件數(shù)，因此適于實(shí)現(xiàn) 液晶單元的小型化，另外，在連接的可靠性、成本方面是有利的。在圖1以及圖2中，液晶單元100具備形成有各種電路的器件基板(TFT側(cè)基 板)110和具備CF層的CF基板120。兩基板配置成膜面彼此對(duì)置，按照保持規(guī)定的間隙的 方式通過(guò)密封材料130固定。密封材料130按照沿著液晶單元100的四條邊的方式從液晶 單元100的端部到規(guī)定位置以Imm程度的線寬來(lái)形成。在兩基板之間由密封材料130圍成 的空間夾持有液晶(未圖示)。液晶例如利用真空注入法封入，由密封樹脂140封入。由真 空注入法封入了液晶而成的液晶單元100的特征在于在密封材料130的一部分會(huì)有缺口， 由密封樹脂140封入液晶。此外，近幾年，密封材料130沒有缺口的滴下式注入法也正在實(shí) 用化。器件基板110具備晶體管形成區(qū)域111和端子區(qū)域112。晶體管形成區(qū)域111具 有具備由硅薄膜經(jīng)多晶化而成的活性層的薄膜晶體管。上述薄膜晶體管具有良好的元件特 性，因此不僅能夠形成構(gòu)成進(jìn)行圖像顯示的顯示區(qū)域113的像素陣列，還能夠形成各種單 片電路。作為單片電路可舉出例如柵極驅(qū)動(dòng)電路114、源極驅(qū)動(dòng)電路115，但是不僅能夠形
7成這些電路，還能夠形成電源電路等其它電路116。包括單片電路的器件基板110通過(guò)與上 述三邊自由構(gòu)造進(jìn)行組合，能夠形成更為小型化且質(zhì)量輕的液晶單元(顯示單元)。端子區(qū)域112是用于形成連接用端子(下面稱為端子)117的區(qū)域。端子117通 過(guò)配線118連接上述單片電路、對(duì)該單片電路提供驅(qū)動(dòng)電源的外部驅(qū)動(dòng)電路(未圖示)。在 圖1以及圖2中，端子區(qū)域112在相比于CF基板120較大地形成的器件基板110的外緣的 一條邊形成。端子區(qū)域112中除了端子117之外有時(shí)還配置有制造工序管理標(biāo)記151、評(píng)價(jià) 專用圖案(TEG，Test Element Group) 152。作為這種評(píng)價(jià)專用圖案，可舉出評(píng)價(jià)電特性的 圖案、評(píng)價(jià)薄膜膜厚的圖案、評(píng)價(jià)尺寸精度的圖案、評(píng)價(jià)光學(xué)特性的圖案等。制造工序管理標(biāo)記151是利用硅薄膜、金屬薄膜等將例如液晶單元的種類名稱、 條形碼、位置確認(rèn)標(biāo)記等進(jìn)行圖案化而成的，在將液晶單元組裝到液晶顯示裝置等中時(shí)，由 讀取裝置讀取標(biāo)記的形狀，確認(rèn)其產(chǎn)品編號(hào)。在圖1以及圖2中，產(chǎn)品編號(hào)作為制造工序管 理標(biāo)記151被圖案化。TEG152是對(duì)端子區(qū)域112中的硅薄膜、金屬薄膜等進(jìn)行圖案化來(lái)用于進(jìn)行晶體管 形成區(qū)域111的元件的評(píng)價(jià)的TEG。如果形成對(duì)硅薄膜進(jìn)行圖案化而成的TEG152，則具有 與晶體管形成區(qū)域111中的硅薄膜相同的晶化程度，因此通過(guò)調(diào)查TEG152的晶化度，能夠 判斷晶體管形成區(qū)域111所含有的薄膜晶體管是否良好地多晶化。對(duì)于制造工序管理標(biāo)記151以及TEG152而言，可以形成二者，也可以僅形成其中
任意一個(gè)。如上所述，具有上述結(jié)構(gòu)的器件基板110是利用第1母基板而形成的。圖3(a)是 用于說(shuō)明本發(fā)明的第1母基板及其制造方法的平面示意圖，圖3(b)是在第1母基板中配置 的面板基板的示意圖。在圖3(a)中，第1母基板301具備在主面形成的硅薄膜(未圖示)， 多個(gè)面板基板302矩陣狀地配置。如圖3(b)所示的面板基板302用于形成圖1、圖2所示 的器件基板110，各個(gè)面板基板302具備用于形成晶體管形成區(qū)域111以及端子區(qū)域112的 晶體管形成區(qū)域303以及端子區(qū)域304。晶體管形成區(qū)域303是由硅薄膜經(jīng)多晶化而成的，包括像素陣列、柵極驅(qū)動(dòng)電路、 源極驅(qū)動(dòng)電路等單片電路。形成晶體管形成區(qū)域303的硅薄膜會(huì)影響到顯示特性，因此對(duì) 于全部的面板基板302需要使硅薄膜均勻地多晶化。端子區(qū)域304設(shè)置在面板基板302的外緣。晶體管形成區(qū)域303以及端子區(qū)域304 在硅薄膜的激光退火之后形成各種部件，各種部件在從第1母基板301切離之前的階段，是 與上述晶體管形成區(qū)域111以及端子區(qū)域112相同的結(jié)構(gòu)。在此，在本發(fā)明中，配置多個(gè)的面板基板302中的至少一個(gè)在端子區(qū)域304中需要 形成包括硅薄膜的區(qū)域，上述硅薄膜具有與形成晶體管形成區(qū)域303的硅薄膜的結(jié)晶狀況 不同的結(jié)晶狀況。這是由如下原因?qū)е碌摹Ｊ紫?，本發(fā)明人著眼于在上述液晶單元等顯示單元中，如圖1以及圖2所示，一般 在端子區(qū)域112中不形成單片電路，而較多地被端子117、制造工序管理標(biāo)記151、TEG152等 占據(jù)。例如，如果是內(nèi)置例如電源電路、傳感器功能的液晶單元100，則由晶體管形成區(qū)域 111單片地形成很多電路，因此向外部的信號(hào)的引出根數(shù)增加，由此端子區(qū)域112的大部分 被端子117占據(jù)的傾向變強(qiáng)。
由此想到如果不是如上所述在液晶單元100的端子區(qū)域112形成單片電路，則即 使在如圖3所示的面板基板302中，端子區(qū)域304中的硅薄膜也未必需要全部面板基板302 均具有相同的晶化程度，另外，也無(wú)需良好地多晶化，并且極端地說(shuō)甚至連退火也不需要。并且，基于此，本發(fā)明人想到在具備面板基板302的第1母基板301的制造工序 中，能夠?qū)⒚姘寤?02的端子區(qū)域304作為上述激光接續(xù)區(qū)域加以利用，于是發(fā)現(xiàn)通過(guò) 在第1母基板301上配置面板基板302，以使端子區(qū)域304被包括在現(xiàn)有的激光接續(xù)區(qū)域 中，就能夠高效率地配置面板基板302，由此能夠很好地解決上述問(wèn)題。下面，說(shuō)明具備本發(fā)明的面板基板302的第1母基板301的制造方法的一個(gè)例子。首先，進(jìn)行在第1母基板301的主面沉積硅薄膜的工序。硅薄膜的沉積應(yīng)用例如 CVD (Chemical Vapor Deposition 化學(xué)氣相沉積)法等現(xiàn)有公知的方法。沉積了的硅薄膜 是非晶質(zhì)的硅薄膜。然后，進(jìn)行對(duì)沉積了的硅薄膜按每個(gè)規(guī)定的區(qū)域進(jìn)行激光退火的工序。在該工序 中，如圖3(a)所示，采用能夠?qū)σ?guī)定范圍進(jìn)行線狀地照射的激光305，對(duì)第1母基板301掃 描多次來(lái)進(jìn)行激光照射。作為進(jìn)行該種激光照射的激光305，優(yōu)選具有準(zhǔn)分子激光光源的 準(zhǔn)分子激光。激光305和第1母基板301沿著排列面板基板302的行方向或者列方向相對(duì) 移動(dòng)來(lái)進(jìn)行激光退火即可，但是在此列舉以固定第1母基板301側(cè)來(lái)邊使激光305在箭頭 A方向移動(dòng)邊進(jìn)行激光退火的例子進(jìn)行說(shuō)明。在圖3 (a)中，當(dāng)將激光305從第1母基板301的一端移動(dòng)到另一端的區(qū)域設(shè)為激 光照射區(qū)域時(shí)，在第1母基板301中，有第1 第4這四個(gè)激光照射區(qū)域Rl R4，各激光照 射區(qū)域Rl R4包括2行6列即12個(gè)面板基板302。圖3 (c)是表示激光照射區(qū)域Rl R4的激光照射的狀態(tài)的示意圖。在此，例如在 對(duì)第1激光照射區(qū)域Rl進(jìn)行激光照射時(shí)，在第1行面板基板302中，對(duì)晶體管形成區(qū)域303 以及端子區(qū)域304的全部進(jìn)行激光照射，另一方面在第2行面板基板302中僅對(duì)晶體管形 成區(qū)域303進(jìn)行激光照射，不對(duì)端子區(qū)域304進(jìn)行激光照射。由此，如圖3 (C)所示，在第1激光照射區(qū)域Rl中存在整個(gè)面被多晶化的面板基板 30 和僅晶體管形成區(qū)域303被多晶化的面板基板302b。即，位于第1行的6個(gè)面板基板 302全部成為晶體管形成區(qū)域303a和端子區(qū)域30 被多晶化的面板基板30加，位于第2 行的6個(gè)面板基板302成為晶體管形成區(qū)域30 被多晶化，但是端子區(qū)域304b保持非結(jié) 晶的面板基板302b。下面，在第2激光照射區(qū)域R2中，也與第1激光照射區(qū)域Rl相同地進(jìn)行激光照射。 此時(shí)，在第1激光照射區(qū)域R 1與第2激光照射區(qū)域R2之間，會(huì)產(chǎn)生激光接續(xù)區(qū)域RG。在 此，將第1激光照射區(qū)域Rl中的排列在第2行的面板基板302b的端子區(qū)域304b作為激光 接續(xù)區(qū)域RG的一部分加以利用。上述激光接續(xù)區(qū)域RG無(wú)法如上所述在硅薄膜的晶化方面按照本領(lǐng)域技術(shù)人員的 意圖進(jìn)行管理，另外，與面板基板302的晶體管形成區(qū)域303相比，其晶化程度在平均結(jié)晶 粒徑、結(jié)晶粒徑分布、結(jié)晶表面粗糙度等中有較大的不同。在本發(fā)明中，按照在該激光接續(xù) 區(qū)域RG中包括面板基板302b的端部區(qū)域(在此，端子區(qū)域304b)的方式來(lái)配置面板基板 302，但是在面板基板302b的端子區(qū)域304b中，如上所述不形成單片電路，除了端子117之 外僅設(shè)置制造工序管理標(biāo)記151、TEG152。因此，端子區(qū)域304即使不與晶體管形成區(qū)域303b同程度地晶化也沒有特別的問(wèn)題。對(duì)于第3激光照射區(qū)域R3、第4激光照射區(qū)域R4，也與上述第1、第2激光照射區(qū) 域Rl、R2相同地進(jìn)行激光照射。通過(guò)上述工序，在第1母基板301上形成48個(gè)面板基板 302。如上所述，通過(guò)將面板基板302的至少一部分的端部區(qū)域，具體地，在各激光照射 區(qū)域Rl R4之間設(shè)置的面板基板302b的端子區(qū)域304b作為激光接續(xù)區(qū)域RG的至少一部 分加以利用，能夠使相鄰的激光照射區(qū)域之間的面板基板302的行距Dl小于現(xiàn)有的行距。 并且由此，能夠有效地在第1母基板301上排列面板基板302，根據(jù)情況的不同，能夠沒有制 造管理的問(wèn)題地增加從第1母基板301能夠制造出的面板基板302的數(shù)量。此外，作為端 部區(qū)域，不僅能夠應(yīng)用上述端子區(qū)域304，例如還能夠應(yīng)用在相鄰的激光照射區(qū)域Rl R4 中與端子區(qū)域304對(duì)置的位置所形成的不存在單片電路的邊框區(qū)域。另外，通過(guò)使激光照射區(qū)域間的面板基板302的行距Dl小于現(xiàn)有的行距，也能夠 降低其它用途的在第1母基板301中產(chǎn)生的浪費(fèi)的廢棄基板區(qū)域。并且，如果能夠高效地 配置面板基板302，則通過(guò)在以往成為廢棄基板區(qū)域的區(qū)域中形成其它電路等，也能夠?qū)崿F(xiàn) 第1母基板301的有效利用。另外，采用準(zhǔn)分子激光作為激光305的情況下，如上所述，激光長(zhǎng)度有上限，因此 在以往有時(shí)會(huì)激光長(zhǎng)度略微不足，在第1母基板301上通過(guò)一次激光照射能夠退火的面板 基板302的行數(shù)(列數(shù))減少。然而，在本發(fā)明中，通過(guò)將面板基板302的端部區(qū)域作為激 光接續(xù)區(qū)域RG的一部分加以利用，即使使用相同激光長(zhǎng)度的準(zhǔn)分子激光，與以往相比有時(shí) 也能夠一次對(duì)較多的行數(shù)的面板基板302進(jìn)行激光照射。并且，可以不對(duì)端部區(qū)域(在上述例子中是端子區(qū)域304b)進(jìn)行照射激光，因此如 果是激光長(zhǎng)度相同的激光305，則能夠?qū)Ω蟪叽绲拿姘寤?02照射激光，因此也能夠很 好地對(duì)應(yīng)面板基板302的大型化。但是，面板基板302的行距的空間是作為很好地用作例 如靜電對(duì)策的短路環(huán)(使端子彼此在廢棄基板區(qū)域短路的配線)的形成區(qū)域而利用的，因 此不會(huì)完全沒有。具有上述結(jié)構(gòu)的第1母基板301如上所述在至少一個(gè)面板基板302中具備具有 形成了硅薄膜的區(qū)域的端部區(qū)域(端子區(qū)域304)，上述硅薄膜具有與形成晶體管形成區(qū)域 303的硅薄膜的結(jié)晶狀況不同的結(jié)晶狀況。結(jié)晶狀況不同是指例如平均結(jié)晶粒徑、結(jié)晶粒徑分布、結(jié)晶的表面粗糙度、結(jié)晶粒 的生長(zhǎng)方向等不同。另外，是指第1結(jié)晶狀況是多晶質(zhì)的，第2結(jié)晶狀況是非晶質(zhì)的。但 是，在晶體管形成區(qū)域，一般為了得到遷移率大的耐壓良好的薄膜晶體管，優(yōu)選與端部區(qū)域 (端子區(qū)域304)相比，多晶硅的平均結(jié)晶粒徑大，結(jié)晶粒徑分布小，結(jié)晶的表面粗糙度小。此外，在現(xiàn)有的第1母基板中，如后所述，在所配置的全部面板基板中，端子區(qū)域 的硅薄膜的結(jié)晶狀況相同，并且對(duì)于形成端部區(qū)域的硅薄膜和晶體管形成區(qū)域的硅薄膜， 其結(jié)晶狀況也相同。在本發(fā)明中，也可以在第1母基板301上配置多個(gè)的面板基板302中具有第1面 板基板和第2面板基板，上述第1面板基板具備包括具有第1結(jié)晶狀況的硅薄膜的端部區(qū) 域，上述第2面板基板具備包括具有與上述第1結(jié)晶狀況不同的第2結(jié)晶狀況的硅薄膜的 端部區(qū)域。
在圖3(a) (c)所示的例子中，第1面板基板是在各激光照射區(qū)域Rl R4中第 1列所包括的面板基板30 ，第2面板基板是在各激光照射區(qū)域Rl R4中第2列所包括 的面板基板302b。第1結(jié)晶狀況和第2結(jié)晶狀況的不同是指如上所述的平均結(jié)晶粒徑、結(jié)晶粒徑分 布、結(jié)晶的表面粗糙度、結(jié)晶粒的生長(zhǎng)方向等不同。另外，是指第1結(jié)晶狀況是多晶質(zhì)的，第 2結(jié)晶狀況是非晶質(zhì)的。這種結(jié)晶狀況是例如第1結(jié)晶狀況是進(jìn)行一次激光退火而得到的， 另一方面，第2結(jié)晶狀況是未進(jìn)行激光退火、進(jìn)行了兩次以上的激光退火等而得到的。晶體管形成區(qū)域303中的硅薄膜的結(jié)晶狀況也可以與第1結(jié)晶狀況相同。在圖 3(c)所示的例子中，晶體管形成區(qū)域303a、30;3b與作為端部區(qū)域的端子區(qū)域30 的結(jié)晶狀 況相同。在進(jìn)行了上述激光退火工序的第1母基板301中，對(duì)利用現(xiàn)有公知的方法多晶化 的硅薄膜進(jìn)行圖案化，再實(shí)施所需的其它材料的形成以及加工。由此，在晶體管形成區(qū)域 303中，形成包括像素陣列、薄膜晶體管的單片電路。在本發(fā)明中，還可以包括在由上述工序制作出的面板基板302的端部區(qū)域例如端 子區(qū)域304中形成制造工序管理標(biāo)記和/或TEG的工序。制造工序管理標(biāo)記和/或TEG具 有與上述圖1、圖2中所說(shuō)明了的制造工序管理標(biāo)記151、TEG152相同的結(jié)構(gòu)，分別能夠通 過(guò)對(duì)端子區(qū)域304中的硅薄膜進(jìn)行圖案化來(lái)形成。在本發(fā)明中，在端部區(qū)域例如端子區(qū)域304的情況下，特別地，端子區(qū)域304b中的 硅薄膜是不穩(wěn)定地晶化的硅薄膜或者非晶質(zhì)的硅薄膜，因此包括該硅薄膜的制造工序管理 標(biāo)記、TEG也是還未穩(wěn)定地晶化的硅薄膜或者非晶質(zhì)的硅薄膜。此外，在此所述的“不穩(wěn)定 地晶化”或者“不穩(wěn)定的結(jié)晶”是指“未經(jīng)管理而自行地激光退火”或者“未經(jīng)管理而由自行 的激光退火而生成的結(jié)晶”。在此，本發(fā)明人對(duì)于制造工序管理標(biāo)記151、TEG152，進(jìn)行了如下的遐想。制造工序管理標(biāo)記151是利用硅薄膜、金屬薄膜等就例如種類名稱、條形碼、位置 確認(rèn)標(biāo)記等進(jìn)行圖案化而成的標(biāo)記，由讀取裝置讀取標(biāo)記的形狀。讀取裝置僅讀取標(biāo)記的 形狀，因此對(duì)于形成標(biāo)記的材質(zhì)沒有任何的影響。因此，以不均勻的多晶硅薄膜、非晶質(zhì)的 硅薄膜或者均勻的多晶硅薄膜中的任意一種進(jìn)行圖案化所得的標(biāo)記，形狀也是相同的，因 此不會(huì)產(chǎn)生作為標(biāo)記的功能上的問(wèn)題。另一方面，TEG152可以用于調(diào)查薄膜晶體管是否良好地多晶化。例如，在上述例子 中，在端子區(qū)域30 中形成的TEG152和在端子區(qū)域304b中形成的TEG152在外觀上看均正 常地圖案化了。但是，在端子區(qū)域30 中形成的TEG152因?yàn)榫哂信c晶體管形成區(qū)域303a 中的硅薄膜的結(jié)晶狀況相同的結(jié)晶狀況而良好地多晶化，但是在端子區(qū)域304b中形成的 TEG152則與晶體管形成區(qū)域30 中的硅薄膜的結(jié)晶狀況不同，因此不是評(píng)價(jià)晶體管是否 良好地形成了的TEG。因此，在該情況下，能夠通過(guò)評(píng)價(jià)在端子區(qū)域30 中形成的TEG152 來(lái)達(dá)到器件的評(píng)價(jià)、管理的目的。此外，在上述端子區(qū)域304(3(Ma、304b)中，對(duì)于制造工序管理標(biāo)記151、TEG152可 以僅形成其中任意一方，也可以形成兩方。另外，制造工序管理標(biāo)記151、TEG152也可以形 成在作為端部區(qū)域的單片電路不存在的邊框區(qū)域。如上所述，為了將面板基板302b的端部區(qū)域(端子區(qū)域304b)作為激光接續(xù)區(qū)域RG加以利用，優(yōu)選在第1母基板301中，按照端部區(qū)域(端子區(qū)域304)的排列方向一致的 方式矩陣狀地配置面板基板302。通過(guò)使面板基板304成為這種排列，能夠容易地按照晶體 管形成區(qū)域303與端子區(qū)域304的結(jié)晶狀況不同的方式來(lái)使硅薄膜多晶化。具備了如上那樣形成的面板基板302的第1母基板301按照各面板基板對(duì)置的方 式和形成與面板基板302相同數(shù)量的CF基板的母基板(未圖示)由密封材料貼合并進(jìn)行 分割，以得到想要的單元。由此，能夠形成具有上述結(jié)構(gòu)的多個(gè)液晶單元100。圖4是表示現(xiàn)有的母基板的制造方法的激光退火工序的平面示意圖。激光305以 及沉積了硅薄膜的第1母基板301的結(jié)構(gòu)與上述圖3(a)相同。與上述圖3(a)相同，使激 光305向箭頭A方向移動(dòng)來(lái)使硅薄膜多晶化。在此，在各激光照射區(qū)域Rl R3中，對(duì)于全 部的面板基板302對(duì)晶體管形成區(qū)域303和端子區(qū)域304的整個(gè)面進(jìn)行激光退火來(lái)使其多 晶化。在各激光照射區(qū)域Rl R3之間，設(shè)有激光接續(xù)區(qū)域RG，但是與本發(fā)明的面板基板 302不同，在激光接續(xù)區(qū)域RG不包括作為端部區(qū)域的端子區(qū)域304。比較圖3(a)和圖4可知，在相鄰的激光照射區(qū)域之間，本發(fā)明的面板基板302的 行距Dl小于現(xiàn)有的面板基板302的行距D2。這樣，通過(guò)使激光照射區(qū)域之間面板基板302 的行距變小，在如圖3(a)所示的第1母基板301中能夠配置比圖4所示的第1母基板301 更多的面板基板302。這樣，在本發(fā)明中，能夠不會(huì)造成制造工序管理的問(wèn)題地增加能夠從相同大小的 第1母基板301制造出的面板基板302的數(shù)量，實(shí)現(xiàn)制造成本的降低。此外，在上述說(shuō)明中，在各激光照射區(qū)域Rl R4中，僅將配置在第2行的面板基 板302b的端部區(qū)域(端子區(qū)域304b)作為激光接續(xù)區(qū)域RG加以利用，但是本發(fā)明不限于 此，將至少一個(gè)端部區(qū)域(端子區(qū)域304b)作為激光接續(xù)區(qū)域RG加以利用即可，另外，也可 以將全部端部區(qū)域(端子區(qū)域304b)作為激光接續(xù)區(qū)域RG加以利用。另外，在上述說(shuō)明中，未對(duì)作為端部區(qū)域的端子區(qū)域304b進(jìn)行激光退火，但是也 可以照射兩次激光等來(lái)使端子區(qū)域304b中的硅薄膜的晶化度高于晶體管形成區(qū)域30 中 的硅薄膜的晶化度。另外，也可以僅對(duì)端子區(qū)域304b的一部分進(jìn)行激光退火。并且，根據(jù)激光305的種類的不同，從激光305的一端到另一端，激光強(qiáng)度有時(shí)也 不是一定的。圖3(d)是表示激光強(qiáng)度的分布的坐標(biāo)圖和面板基板的示意圖。例如，如該坐 標(biāo)圖所示，在采用激光強(qiáng)度有不均勻的激光305的情況下，激光強(qiáng)度低劣的區(qū)域S對(duì)作為端 部區(qū)域的端子區(qū)域304b照射激光，激光強(qiáng)度穩(wěn)定的區(qū)域F對(duì)晶體管形成區(qū)域30 照射激 光。由此，能夠提高晶體管形成區(qū)域30 中的晶化度并且實(shí)現(xiàn)激光305的照射區(qū)域的有效 利用。此外，也可以使激光強(qiáng)度低劣的區(qū)域S的激光二次射中端子區(qū)域304b。另外，在上述說(shuō)明中，使第1母基板301的一側(cè)固定并使激光305沿著排列面板基 板302的列方向(箭頭A方向)移動(dòng)來(lái)進(jìn)行激光退火，但是本發(fā)明不限于此，第1母基板 301與激光305相對(duì)移動(dòng)即可。因此，也可以使第1母基板301的一側(cè)移動(dòng)并固定激光305 的一側(cè)，或者使第1母基板301和激光305 —起移動(dòng)來(lái)進(jìn)行激光退火。另外，在上述說(shuō)明中，說(shuō)明了利用一個(gè)激光305來(lái)進(jìn)行激光退火的工序，但是本發(fā) 明不限于此，也可以利用多個(gè)激光，也可以組合利用激光長(zhǎng)度不同的激光來(lái)進(jìn)行激光退火。另外，在上述說(shuō)明中，列舉以具備包括矩形的顯示區(qū)域的晶體管形成區(qū)域303和 在面板基板302的外緣的一條邊形成的端子區(qū)域304的三邊自由構(gòu)造的例子作為面板基板302進(jìn)行了說(shuō)明，但是本發(fā)明不限于此，也可以應(yīng)用具有兩邊自由構(gòu)造、一邊自由構(gòu)造的面 板基板。另外，在上述說(shuō)明中，作為端部區(qū)域，列舉端子區(qū)域?yàn)槔M(jìn)行了說(shuō)明，但是在本發(fā) 明中，端部區(qū)域也可以是不存在單片電路的邊框區(qū)域，也可以是該區(qū)域和端部區(qū)域這二者。 作為端部區(qū)域是不存在單片電路的邊框區(qū)域的例子，例如可舉出如圖3(e)所示，激光照 射區(qū)域R1、R3與圖3(a)相同，但是在激光照射區(qū)域R2、R4中，在激光接續(xù)區(qū)域RG中包括面 板基板302的晶體管形成區(qū)域303的一部分。另外，在上述說(shuō)明中，列舉在第1母基板301上配置多個(gè)面板基板302的例子進(jìn)行 了說(shuō)明，但是本發(fā)明不限于此。例如，在制作具有大型面板基板的液晶顯示裝置等時(shí)，在第 1母基板上配置一個(gè)面板基板，通過(guò)應(yīng)用上述方法，也能夠制作晶體管形成區(qū)域與端部區(qū)域 的結(jié)晶狀況不同的本發(fā)明的面板基板。另外，在上述說(shuō)明中，列舉貼合第1母基板和第2母基板后，切出面板基板來(lái)形成 顯示單元的例子進(jìn)行了說(shuō)明，但是本發(fā)明不限于此，也能夠從第1母基板直接切出面板基 板。并且，在上述說(shuō)明中，列舉作為平板顯示器的顯示單元而代表性地存在的液晶單 元為例進(jìn)行了說(shuō)明，但是本發(fā)明不限于此，能夠在不脫離本發(fā)明的要點(diǎn)的范圍進(jìn)行變形。例 如，也能夠應(yīng)用于例如EL顯示裝置、平板檢測(cè)器等所使用的顯示單元。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，通過(guò)將面板基板的端子區(qū)域的至少一部分作為激光接續(xù)區(qū)域而加以 利用，能夠在母基板上高效率地配置面板基板，能夠降低廢棄基板區(qū)域。


圖1是表示具備由本發(fā)明所得到的器件基板的液晶單元的結(jié)構(gòu)的立體圖。圖2是表示如圖1所示的面板基板的結(jié)構(gòu)的平面圖。圖3(a)以及(C)是用于說(shuō)明本發(fā)明的第1母基板及其制造方法的平面示意圖， (b)是面板基板的平面示意圖，(d)是表示面板基板的激光強(qiáng)度分布的示意圖，(e)是說(shuō)明 與(a)不同的激光照射例的平面示意圖。圖4是用于說(shuō)明現(xiàn)有的第1母基板及其制造方法的平面示意圖。圖5是用于說(shuō)明實(shí)施方式1的母基板上的硅薄膜的晶化處理的立體圖。圖6是用于說(shuō)明比較實(shí)施方式的母基板上的硅薄膜的晶化處理的立體圖。
具體實(shí)施例方式下面說(shuō)明實(shí)施方式，更為詳細(xì)地說(shuō)明本發(fā)明，但是本發(fā)明不限于這些實(shí)施方式。實(shí)施方式1在實(shí)施方式1中，舉出具體例子來(lái)說(shuō)明對(duì)第1母基板進(jìn)行激光退火的工序。圖5是 表示實(shí)施方式1的具備多個(gè)面板基板502的第1母基板501的結(jié)構(gòu)的立體圖。在圖5中， 面板基板502是概念性地表示經(jīng)通過(guò)激光退火使硅薄膜晶化后所進(jìn)行的各種工序來(lái)圖案 化而成的電路550、端子557的位置等。在第1母基板501上的硅薄膜被退火時(shí)，柵極驅(qū)動(dòng) 電路等具體電路550還未被圖案化，因此在第1母基板501上表示的面板基板502是概念
13性地表示經(jīng)晶化工序后所進(jìn)行的各種工序來(lái)圖案化的電路的位置等。在圖5中，激光505是準(zhǔn)分子激光，具有激光長(zhǎng)度RL。第1母基板501是具有0. 7mm 程度的厚度的玻璃基板。在第1母基板501的主面上，沉積有硅薄膜506，面板基板502以 規(guī)定間隔行列狀地配置。具體地配置了 6行X6列=36個(gè)面板基板502。在對(duì)沉積在第1母基板501上的硅薄膜506進(jìn)行晶化處理的工序中，變換行地進(jìn) 行多次使激光505在箭頭A方向移動(dòng)來(lái)對(duì)第1母基板501的主面進(jìn)行掃描的處理。在此， 進(jìn)行三次掃描，使硅薄膜506多晶化。具體地，對(duì)第1母基板501上的硅薄膜506執(zhí)行第一次激光照射。接著進(jìn)行第2 次激光照射，但是此時(shí)關(guān)于在第一次激光照射區(qū)域Rl與第2次激光照射區(qū)域R2之間生成 的激光接續(xù)區(qū)域RG，如下的關(guān)系成立。Dl < D2RG = D2 彡 T+D1在此，T 面板基板的端子長(zhǎng)度Dl 本實(shí)施方式的相鄰的激光照射區(qū)域之間的面板基板的行距D2:比較實(shí)施方式的相鄰的激光照射區(qū)域之間的面板基板的行距T、D1以及D2—般是數(shù)mm程度。激光接續(xù)區(qū)域RG能夠作為激光照射的不穩(wěn)定照 射部或者未執(zhí)行激光照射的區(qū)域來(lái)設(shè)定。第3次激光照射時(shí)也相同，關(guān)于在第2次激光照射區(qū)域R2與第3次激光照射區(qū)域 之間的區(qū)域生成的激光接續(xù)區(qū)域RG，與上述同樣的關(guān)系成立。此外，在第3次的激光照射區(qū)域R3中，基板端部側(cè)的區(qū)域R不是激光接續(xù)區(qū)域，但 是該區(qū)域R能夠與第1母基板501的端部一起設(shè)定成激光照射不穩(wěn)定的激光照射區(qū)域，或 者成為不進(jìn)行激光照射的設(shè)定。當(dāng)如上述那樣進(jìn)行激光退火時(shí)，在第1母基板501上行列狀地排列的面板基板502 中，該面板基板502內(nèi)的形成像素、單片電路的預(yù)定區(qū)域的硅薄膜均正常地多晶化，呈現(xiàn)第 1結(jié)晶狀況。然而，當(dāng)注意到作為端部區(qū)域的端子區(qū)域504時(shí)，可知端子區(qū)域504的硅薄膜正 常多晶化而呈現(xiàn)第1結(jié)晶狀況的面板基板502 (A、C、E)和端子區(qū)域504的硅薄膜不穩(wěn)定地 多晶化而呈現(xiàn)第2結(jié)晶狀況的面板基板502 (B、D、F)是混合存在的。此外，在不對(duì)面板基板 502B、面板基板502D以及面板基板502F的端子區(qū)域504進(jìn)行退火的情況下，在這些面板基 板502的端子區(qū)域504上沉積的硅薄膜是非晶質(zhì)的。換言之，在第1母基板501上行列狀地配置的特定行(列)的面板基板502的端 子區(qū)域504所包括的硅薄膜，如上所述，也可以是平均結(jié)晶粒徑小的，另外也可以是平均結(jié) 晶粒徑不均勻的，或者也可以是表面粗糙度大的，極端地說(shuō)保持非晶質(zhì)也沒有問(wèn)題，因此將 作為該端部區(qū)域的端子區(qū)域504作為激光接續(xù)區(qū)域RG加以利用是本發(fā)明的特征。另外，作 為端部區(qū)域，也可以是不存在單片電路的邊框區(qū)域。這樣，在本發(fā)明的具備面板基板的母基板的制造方法中，如同第1次激光照射區(qū) 域Rl與第2次激光照射區(qū)域R2之間的激光接續(xù)區(qū)域RG、第2次激光照射區(qū)域R2與第3次 激光照射區(qū)域R3之間的激光接續(xù)區(qū)域RG那樣，第η次激光照射區(qū)域與第(η+1)次激光照 射區(qū)域之間的激光接續(xù)區(qū)域RG包括面板基板502的端部區(qū)域，在此為端子區(qū)域504。S卩，不是僅以廢棄基板區(qū)域來(lái)構(gòu)成激光接續(xù)區(qū)域RG，而是包括面板基板502的端子區(qū)域504來(lái)構(gòu) 成激光接續(xù)區(qū)域RG，因此無(wú)需使廢棄基板區(qū)域變大，第1母基板501不會(huì)浪費(fèi)。在最好的情 況下，能夠?qū)嵸|(zhì)上僅以端子區(qū)域504作為激光接續(xù)區(qū)域RG，除了作為短路環(huán)形成區(qū)域的廢 棄基板區(qū)域之外，面板基板502和面板基板502之間的廢棄基板區(qū)域是不需要的。另外，在第3次激光照射區(qū)域R3中，對(duì)于基板端部側(cè)的區(qū)域R，使第1母基板501 上的第6行面板基板502的端子區(qū)域504不包括在激光照射區(qū)域中，因此即使一次激光照 射的范圍(激光長(zhǎng)度RL)短，能夠退火的面板基板502的行(列)數(shù)也不會(huì)減少。這換言 之是在裝置上即使激光長(zhǎng)度是最大RL，激光長(zhǎng)度實(shí)質(zhì)上也能夠作為(RL+T)來(lái)利用。由此， 雖然有時(shí)也受到面板基板502的尺寸的左右，但是在最好的情況下，發(fā)揮能夠增加在該激 光長(zhǎng)度(RL+T)的范圍激光一次能夠照射的面板基板502的行(列)數(shù)的優(yōu)點(diǎn)。通過(guò)采用這種結(jié)構(gòu)，最好的情況下，可增加在第1母基板501上能夠配置的面板基 板502的個(gè)數(shù)，并且不增加激光照射次數(shù)就能夠高效率地進(jìn)行晶化處理。其結(jié)果，發(fā)揮能夠 降低制造成本的效果。這樣在本發(fā)明中，屬于第1母基板501上的規(guī)定位置的行或者列的面板基板 502(B、D、E)的端部區(qū)域，在此為端子區(qū)域504的硅薄膜是不穩(wěn)定地激光照射或者未激光照 射的區(qū)域。并且，特征在于對(duì)該不均勻的多晶硅薄膜、非晶質(zhì)的硅薄膜進(jìn)行圖案化，形成制 造工序管理標(biāo)記551或者TEG552的一部分。該制造工序管理標(biāo)記551或者TEG552是對(duì)第 1母基板501上的全部面板基板502形成的。在本實(shí)施方式的第1母基板501中，混合存在(1)構(gòu)成配置在端子區(qū)域504中的制造工序管理標(biāo)記551或者TEG552的一部分 的硅薄膜均勻地多晶化的面板基板502 (A、C、E)和(2)構(gòu)成配置在端子區(qū)域504中的制造工序管理標(biāo)記551或者TEG552的一部分 的硅薄膜不均勻地多晶化或者非晶質(zhì)的面板基板502 (B、D、F)。此外，構(gòu)成TEG552的薄膜晶體管的硅薄膜未良好地多晶化的TEG552 (B、D、F)在外 觀上正常地圖案化，但是實(shí)際狀態(tài)是不值得測(cè)量的TEG552。在此，在第1母基板501上配置 的其它面板基板502存在多個(gè)，構(gòu)成屬于該面板基板502的TEG552(A、C、E)的硅薄膜良好 地多晶化，若著眼于此，則通過(guò)評(píng)價(jià)這些TEG552 (A、C、E)就能夠達(dá)到器件的評(píng)價(jià)、管理的目 的。比較實(shí)施方式圖6是表示現(xiàn)有的母基板的制造方法的激光退火工序的平面示意圖。激光605以 及沉積了硅薄膜606的第1母基板601的結(jié)構(gòu)與上述圖5相同。但是，當(dāng)激光605多次掃描第1母基板601的膜面時(shí)，對(duì)于在第1母基板601上配 置的全部面板基板602實(shí)施相同的激光退火。具體地，改變行而多次進(jìn)行使激光605在箭頭A方向移動(dòng)來(lái)對(duì)第1母基板601的 主面進(jìn)行掃描的處理。在此，固定第1母基板601的一側(cè)，使激光605在箭頭A方向移動(dòng)， 進(jìn)行3次掃描，使硅薄膜606多晶化。在各激光照射區(qū)域Rl R3之間，設(shè)有激光接續(xù)區(qū)域 RG。并且，在各次的激光照射區(qū)域Rl R3中，構(gòu)成各區(qū)域所包括的全部面板基板602 的晶體管形成區(qū)域661和端子區(qū)域604的整個(gè)面被多晶化。
如上所示，在以往，作為激光的照射寬度(激光長(zhǎng)度)RL，需要是面板基板602的晶 體管形成區(qū)域603的長(zhǎng)度加上端子區(qū)域604的長(zhǎng)度而成的長(zhǎng)度即包括全部面板基板602的 長(zhǎng)度。另外，比較圖5和圖6可知，在本發(fā)明的第1母基板501中，與現(xiàn)有的第1母基板 601相比，激光照射區(qū)域之間的面板基板的行距小。由此可知在本發(fā)明中，能夠降低以往 的廢棄基板區(qū)域，能夠在第1母基板501上高效地配置面板基板502。另外，能夠縮短在第 1母基板501上能夠配置的面板基板的間隔，因此能夠避開易于產(chǎn)生不良的第1母基板501 的周邊部(第1母基板501的外緣)，在靠近第1母基板501的中央地配置面板基板。因 此，即使無(wú)法增加能夠在第1母基板501中配置的面板基板的數(shù)量，通過(guò)避開上述不良易于 產(chǎn)生的第1母基板501的周邊部，也發(fā)揮改善面板基板的制造成品率的效果。本申請(qǐng)以2008年9月18日申請(qǐng)的日本國(guó)專利申請(qǐng)2008-239167號(hào)為基礎(chǔ)要求基 于巴黎公約和進(jìn)入國(guó)的法規(guī)的優(yōu)先權(quán)。該申請(qǐng)的內(nèi)容整體作為參照被引入到本申請(qǐng)中。附圖標(biāo)記說(shuō)明100 液晶單元；110 器件基板；lll、303、303a、303b、503、603 晶體管形成區(qū)域； 112、304、304a、304b、504、604 端子區(qū)域；113 顯示區(qū)域；114 柵極驅(qū)動(dòng)電路；115 源極驅(qū) 動(dòng)電路；116、550 電路；117,557 端子；118 配線；120 :CF基板；130 密封材料；140 密封 樹脂；151,551 制造工序管理標(biāo)記；152,552 =TEG ；301,501 第 1 母基板；302,302a,302b, 502,602 面板基板；305、505、605 激光；506、606 硅薄膜；Rl R4 激光照射區(qū)域；RG 激 光接續(xù)區(qū)域；RL:激光長(zhǎng)度。
權(quán)利要求
1.一種母基板，具備多個(gè)面板基板，其特征在于 該母基板具備在主面形成的硅薄膜，該面板基板分別具備晶體管形成區(qū)域和端部區(qū)域， 該晶體管形成區(qū)域由該硅薄膜經(jīng)多晶化而成， 該端部區(qū)域設(shè)置在各面板基板的外緣，至少一個(gè)面板基板在該端部區(qū)域具有包括具有與該晶體管形成區(qū)域中的硅薄膜的結(jié) 晶狀況不同的結(jié)晶狀況的硅薄膜的區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的母基板，其特征在于上述面板基板以上述端部區(qū)域的排列方向一致的方式矩陣狀地配置， 具有第1面板基板和第2面板基板，上述第1面板基板具備包括具有第1結(jié)晶狀況的 硅薄膜的端部區(qū)域，上述第2面板基板具備包括具有與該第1結(jié)晶狀況不同的第2結(jié)晶狀 況的硅薄膜的端部區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的母基板，其特征在于上述晶體管形成區(qū)域中的硅薄膜的結(jié)晶狀況與上述第1結(jié)晶狀況相同。
4.根據(jù)權(quán)利要求1 3中的任一項(xiàng)所述的母基板，其特征在于 上述晶體管形成區(qū)域包含包括上述硅薄膜的單片電路。
5.根據(jù)權(quán)利要求1 4中的任一項(xiàng)所述的母基板，其特征在于在上述端部區(qū)域形成有包括上述硅薄膜的制造工序管理標(biāo)記和/或評(píng)價(jià)專用圖案。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的母基板，其特征在于 上述制造工序管理標(biāo)記和/或評(píng)價(jià)專用圖案包括在具有上述第1結(jié)晶狀況的硅薄膜中形成的制造工序管理標(biāo)記和/或評(píng)價(jià)專用圖案；和在具有上述第2結(jié)晶狀況的硅薄膜中形成的制造工序管理標(biāo)記和/或評(píng)價(jià)專用圖案。
7.根據(jù)權(quán)利要求1 6中的任一項(xiàng)所述的母基板，其特征在于對(duì)于上述晶體管形成區(qū)域中的硅薄膜的結(jié)晶狀況與端部區(qū)域中的硅薄膜的結(jié)晶狀況 而言，從平均結(jié)晶粒徑、結(jié)晶粒徑分布以及結(jié)晶表面粗糙度中選出的至少一個(gè)是不同的。
8.根據(jù)權(quán)利要求2 6中的任一項(xiàng)所述的母基板，其特征在于對(duì)于上述第1結(jié)晶狀況與上述第2結(jié)晶狀況而言，從平均結(jié)晶粒徑、結(jié)晶粒徑分布以及 結(jié)晶表面粗糙度中選出的至少一個(gè)是不同的。
9.根據(jù)權(quán)利要求2 6中的任一項(xiàng)所述的母基板，其特征在于上述第1結(jié)晶狀況是多晶質(zhì)的，上述第2結(jié)晶狀況是不穩(wěn)定的晶質(zhì)和/或非晶質(zhì)的。
10.根據(jù)權(quán)利要求1 9中的任一項(xiàng)所述的母基板，其特征在于 上述面板基板具備包括矩形的顯示區(qū)域的晶體管形成區(qū)域；和 在該面板基板的外緣的一條邊形成的端部區(qū)域。
11.一種母基板的制造方法，是具備多個(gè)具有晶體管形成區(qū)域和端部區(qū)域的面板基板 的母基板的制造方法，其特征在于具備在基板的主面沉積硅薄膜的工序；和對(duì)該硅薄膜按每個(gè)規(guī)定的區(qū)域進(jìn)行激光退火的工序，該進(jìn)行激光退火的工序按照以下方式進(jìn)行激光退火使激光和該母基板相對(duì)移動(dòng)而使規(guī)定區(qū)域的該硅薄膜多晶化來(lái)形成該晶體管形成區(qū) 域，并且至少在一個(gè)該端部區(qū)域形成包括具有與形成該晶體管形成區(qū)域的硅薄膜的結(jié)晶狀況 不同的結(jié)晶狀況的硅薄膜的區(qū)域。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的母基板的制造方法，其特征在于上述進(jìn)行激光退火的工序進(jìn)行如下的激光退火按照上述面板基板在上述母基板的主面矩陣狀地配置的方式使上述母基板和上述激 光沿著行方向或者列方向相對(duì)移動(dòng)，使得該面板基板具有第1面板基板和第2面板基板，上述第1面板基板具備包括具有 第1結(jié)晶狀況的硅薄膜的端部區(qū)域，上述第2面板基板具備包括具有與該第1結(jié)晶狀況不 同的第2結(jié)晶狀況的硅薄膜的端部區(qū)域。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的母基板的制造方法，其特征在于上述進(jìn)行激光退火的工序進(jìn)行激光退火，使得上述晶體管形成區(qū)域中的硅薄膜的結(jié)晶 狀況與上述第1結(jié)晶狀況相同。
14.根據(jù)權(quán)利要求11 13中的任一項(xiàng)所述的母基板的制造方法，其特征在于還包括對(duì)上述端部區(qū)域中的硅薄膜進(jìn)行圖案化來(lái)形成制造工序管理標(biāo)記和/或評(píng)價(jià) 專用圖案的工序。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的母基板的制造方法，其特征在于被圖案化的上述硅薄膜是不穩(wěn)定地晶化的硅薄膜和/或非晶質(zhì)的硅薄膜。
16.根據(jù)權(quán)利要求11 14中的任一項(xiàng)所述的母基板的制造方法，其特征在于上述激光是準(zhǔn)分子激光。
17.一種器件基板，具備晶體管形成區(qū)域和端部區(qū)域，其特征在于具備由硅薄膜經(jīng)多晶化而成的晶體管形成區(qū)域；和在該器件基板的外緣設(shè)置的端部區(qū)域，該端部區(qū)域具有包括具有與形成該晶體管形成區(qū)域的硅薄膜的結(jié)晶狀況不同的結(jié)晶 狀況的硅薄膜的區(qū)域。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的器件基板，其特征在于在上述端部區(qū)域形成有包括不穩(wěn)定地晶化的硅薄膜或者非晶質(zhì)的硅薄膜的制造工序 管理標(biāo)記和/或評(píng)價(jià)專用圖案。
全文摘要
本發(fā)明提供在母基板上高效率地配置面板基板并且能夠降低廢棄基板區(qū)域的母基板、母基板的制造方法以及包括在母基板上形成的面板基板的器件基板。本發(fā)明的母基板具備多個(gè)面板基板，上述母基板具備在主面形成的硅薄膜，上述面板基板分別具備晶體管形成區(qū)域和端部區(qū)域，上述晶體管形成區(qū)域是由上述硅薄膜經(jīng)多晶化而成的，上述端部區(qū)域設(shè)置在各面板基板的外緣，至少一個(gè)面板在上述端部區(qū)域具有包括具有與上述晶體管形成區(qū)域中的硅薄膜的結(jié)晶狀況不同的結(jié)晶狀況的硅薄膜的區(qū)域。
文檔編號(hào)H01L21/02GK102089862SQ20098012746
公開日2011年6月8日 申請(qǐng)日期2009年6月9日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月18日
發(fā)明者藤川陽(yáng)介 申請(qǐng)人:夏普株式會(huì)社