專利名稱：混合沖切方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及制造多層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)或襯底(也稱為多層半導(dǎo)體晶片)的領(lǐng)域，該多 層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)或襯底是通過將至少一層轉(zhuǎn)移到支撐件上而產(chǎn)生。通過將第一晶片分子鍵 合在第二晶片或支撐件上來形成轉(zhuǎn)移層，所述第一晶片通常在鍵合之后被減薄。所述第 一晶片也可以包括全部或部分部件，或者多個微部件，當(dāng)其與部件的三維(3D)集成一起 出現(xiàn)時，要求將一層或多層微部件轉(zhuǎn)移到最后的支撐件上，并且其也與電路轉(zhuǎn)移，例如 在制造背光成像器件時，一同出現(xiàn)。
背景技術(shù)：
用于形成轉(zhuǎn)移層和支撐件的晶片的邊緣通常具有倒角(chamfer)或邊角修圓 (edge rounding),其利于晶片的操作并且避免如果這些邊緣突起而在邊緣處出現(xiàn)破損，這 樣的破損會產(chǎn)生污染晶片表面的微粒。倒角可以是圓形和/或圓錐形。但是，倒角的存在會阻礙支撐件與晶片在其外圍很好的接觸。從而在轉(zhuǎn)移層上 出現(xiàn)外圍區(qū)域，而在所述外圍區(qū)域上轉(zhuǎn)移層不能鍵合或者不能適當(dāng)?shù)劓I合到支撐襯底。 由于轉(zhuǎn)移層的外圍區(qū)域容易以非控制方式破損該結(jié)構(gòu)并且由多余碎片或微粒污染該結(jié) 構(gòu)，因此必須去除轉(zhuǎn)移層的外圍區(qū)域。因而，一旦晶片已經(jīng)鍵合到支撐件并且在任何必要的減薄之后，轉(zhuǎn)移層再被沖 切(trimming)，以便去除其上延伸有倒角的外圍區(qū)域。沖切經(jīng)常主要通過機械加工來完 成，特別是通過磨蝕或磨削暴露在支撐件上的轉(zhuǎn)移層的表面來完成。但是，這樣沖切會引起以下問題，即在轉(zhuǎn)移層和支撐件之間的鍵合界面處出現(xiàn) 剝落，以及在轉(zhuǎn)移層本身中出現(xiàn)剝落。更準(zhǔn)確的說，在鍵合界面，剝落問題相當(dāng)于在 鄰近轉(zhuǎn)移層的外圍的某個區(qū)域上的轉(zhuǎn)移層分層，這種分層可以被界定為宏剝落(macro peel-off)。由于倒角的存在，鍵合能量在接近轉(zhuǎn)移層的外圍的情況下較低。因此，在該 區(qū)域的磨削將使得該轉(zhuǎn)移層在其與支撐襯底的鍵合界面的部分分離。當(dāng)轉(zhuǎn)移層包括部件 時更容易出現(xiàn)上述分離。當(dāng)部件出現(xiàn)在轉(zhuǎn)移層中，不會采用通常在鍵合之后被執(zhí)行以加 強鍵合界面的高溫退火，因為這些部件不能承受退火這樣的溫度。此外，當(dāng)轉(zhuǎn)移層包括例如電路、觸點的部件，以及特別包括由金屬形成的區(qū) 域，磨削會在存在于轉(zhuǎn)移層中的部件的線飾(motif)處產(chǎn)生分層，這樣的分層被界定為微 剝落。沖切步驟中該結(jié)構(gòu)中的加熱和/或機械應(yīng)力超過特定程度的情況下，出現(xiàn)宏剝 落現(xiàn)象和微剝落現(xiàn)象。在完整的轉(zhuǎn)移層沖切過程中，經(jīng)常到達這一程度。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于通過提供一種沖切結(jié)構(gòu)的方法來克服上述缺點，該結(jié)構(gòu)包括 鍵合到第二晶片的第一晶片，所述第一晶片具有倒角的邊并且包含部件，所述方法包括 在該第一晶片中的預(yù)定深度上通過機械加工執(zhí)行沖切該第一晶片的邊緣的第一步驟，以及之后執(zhí)行的在該第一晶片的至少剩余厚度上至少部分地非機械沖切的第二步驟，所述 第一沖切步驟由在其下表面包括凹槽的磨削裝置執(zhí)行。因此，通過限制機械沖切的深度以及至少部分非機械，即不僅僅采用對晶片的 機械摩擦，沖切來完成，從而限制響應(yīng)于宏剝落現(xiàn)象和微剝落現(xiàn)象的加熱和/或應(yīng)力。 此外，通過在所述第一沖切步驟中采用在其下表面包括有凹槽的磨削裝置將改善將去除 的材料的排出以及冷卻液體的利用。這進一步減小了在所述第一沖切步驟過程中的加熱 和/或應(yīng)力。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，在所述第一沖切步驟中，在不深于該第一晶片厚度的 50%處機械加工該第一晶片。所述第一沖切步驟僅僅是通過機械磨損(例如通過磨削裝 置)該第一晶片的材料來執(zhí)行。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，在至少等于該倒角邊延伸的寬度上執(zhí)行所述第一沖切 步驟和第二沖切步驟。在2mm至8mm的范圍，優(yōu)選為2mm至5_范圍的寬度上執(zhí)行 所述第一沖切步驟和所述第二沖切步驟。根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式，通過化學(xué)蝕刻執(zhí)行所述第二沖切步驟。根據(jù)另一實施方式，通過化學(xué)等離子蝕刻執(zhí)行所述第二沖切步驟。根據(jù)又一實施方式，通過化學(xué)機械拋光(CMP)執(zhí)行所述第二沖切步驟。根據(jù)再一實施方式，通過破碎或破損在所述第一沖切步驟之后將要沖切的剩余 部分來執(zhí)行所述第二沖切步驟。本發(fā)明也提供了制造三維復(fù)合結(jié)構(gòu)的方法，該方法包括至少一步在第一晶片 的一個面上制造一層部件的步驟；將包含部件層的所述第一晶片的面鍵合到第二晶片上 的步驟；以及依據(jù)本發(fā)明的沖切方法執(zhí)行的至少沖切所述第一晶片的步驟。采用本發(fā)明的沖切方法意味著可以通過堆疊兩個或更多晶片來制造三維結(jié)構(gòu)， 而將在晶片間的鍵合界面處以及在部件層處的分層風(fēng)險降到最低。部件層之一可以包括 圖像傳感器。


圖IA至IE是依據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的沖切方法的示意圖；圖2是在如圖IA至IE所示的方法中執(zhí)行的步驟的流程圖；圖3A至3F是示出采用本發(fā)明的沖切方法制造三維結(jié)構(gòu)的示意圖；圖4是在制造如圖3A至3F所示的三維結(jié)構(gòu)的過程中執(zhí)行的步驟的流程圖；以 及圖5是示出在圖3D中使用的磨削裝置的下表面的視圖。
具體實施例方式本發(fā)明一般應(yīng)用于通過分子鍵合或任意其它類型的鍵合(例如，陽極鍵合、金 屬鍵合或粘結(jié)劑鍵合)來沖切包含至少兩個組合在一起的晶片的結(jié)構(gòu)，從而可以預(yù)先在 第一晶片中形成部件，該第一晶片之后將鍵合到構(gòu)成支撐件的第二晶片上。晶片一般是 可以具有不同直徑的圓形，具體而言，直徑為IOOmm(毫米)、200mm或300mm。在此 使用的術(shù)語“部件”是指由與晶片材料不同以及對高溫敏感的材料所制造的任何類型的元件，該高溫通常指用于加強鍵合界面的高溫。這些部件特別對應(yīng)于形成電子部件的全 部或部分的元件或者多個電子微部件，例如電路、觸點或者有源層，這些部件如果暴露 在高溫下有可能被損壞，甚至被銷毀。部件也可以對應(yīng)于元件、線飾(motif)或?qū)?，其?具有不同于晶片的膨脹系數(shù)的材料制造，這些部件在高溫下容易在晶片內(nèi)產(chǎn)生不同的膨 脹程度，從而使晶片變形或損壞。換句話說，當(dāng)?shù)谝痪ㄟ@樣的部件，則不能在鍵合后經(jīng)歷高溫退火。因 此，如上所述，晶片之間的鍵合能量通常被限制為500mJ/m2(毫焦耳/平方米)至IJ/ m2 (焦耳/平方米)的范圍，使得結(jié)構(gòu)在機械沖切過程中對宏剝落現(xiàn)象更加敏感。此外， 由于以上原因，沖切也會引起微剝落，其對應(yīng)于在第一晶片的部件處分層(在第一晶片 中形成部件的一個或多個堆疊中分離)。一般而言，本發(fā)明特別應(yīng)用于組合結(jié)構(gòu)，其不能經(jīng)受高溫鍵合退火，同樣也采 用由具有不同的膨脹系數(shù)的晶片的組合(例如，藍寶石上硅、玻璃上硅等)形成的異質(zhì)結(jié) 構(gòu)。本發(fā)明也可以用于更標(biāo)準(zhǔn)的絕緣體上硅(SOI)型結(jié)構(gòu)，即SOI結(jié)構(gòu)，其中兩個晶片 由硅構(gòu)成。對于這類結(jié)構(gòu)，本發(fā)明特別用于形成具有一層厚度大于ΙΟμιη(微米)或者具 有不同性質(zhì)的堆疊層的結(jié)構(gòu)。事實上，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，當(dāng)采用已知現(xiàn)有技術(shù)執(zhí)行沖切，這些 結(jié)構(gòu)很容易在沖切步驟中損壞。為此，本發(fā)明提出了在兩個步驟中執(zhí)行沖切，即第一沖切操作或機械加工步 驟，其完全是機械方式(削、磨、刨等)但不限于該第一晶片的預(yù)定深度，之后執(zhí)行的第 二沖切步驟是利用至少部分是非機械的裝置，即不僅僅是在晶片上摩擦或機械磨損的裝 置。因此，限制了響應(yīng)于宏剝落現(xiàn)象和微剝落現(xiàn)象的加熱和/或應(yīng)力。以下參照圖IA至IE和圖2來描述沖切方法的一個實施方式。如圖IA所示，將被沖切的結(jié)構(gòu)100通過將第一晶片101組合到例如由硅制得的 第二晶片102而形成。所示的第一晶片101和第二晶片102在此具有相同直徑。然而，它 們也可以具有不同的直徑。在此描述的示例中，采用所屬領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的分子鍵合 技術(shù)來執(zhí)行組合。應(yīng)當(dāng)想到，分子鍵合的原理是基于將兩個表面直接接觸，即不使用任 何特定鍵合材料(粘結(jié)劑、蠟、焊料等)。這樣的操作要求將被鍵合的表面足夠平滑、不 含微?；蛭廴疚?，從而使得鍵合的表面充分靠近而允許開始接觸，通常來說，其間隔距 離小于幾個納米。在這種情況下，兩個表面直接的吸引力要高到足以引起分子鍵合(由 于待鍵合到一起的兩個表面的原子或分子的電子相互作用，通過一組吸引力(范德華力) 而引發(fā)鍵合)。在低溫下粘結(jié)兩個晶片從而不損壞部件和/或第一晶片。更確切的說，晶片在 室溫下相互接觸之后，可以在低于450°C的溫度下執(zhí)行鍵合強化退火，高于該溫度的情況 下如鋁或銅的某些金屬開始略微變形(creep)。在兩個晶片接觸之前，在兩個晶片的一個上形成氧化層類型的其它層(未示 出)。第一晶片101包括部件層103的層以及倒角邊，該倒角邊是包括上倒角104和下倒 角105的邊緣。在圖IA中，晶片具有圓形倒角。當(dāng)然，晶片也可以具有由不同形狀， 例如圓錐形的倒角或邊角修圓。一般而言，術(shù)語“倒角邊”是指在晶片邊緣的隆起線 (ridge)被斜切而使得靠近其外圍的兩個晶片不能很好接觸的任意晶片邊緣。通過分子鍵合將晶片101和102相互抵靠而組合在一起來形成結(jié)構(gòu)100(步驟Si，圖1B)。根據(jù)第一晶片101的初始厚度，為了形成具有預(yù)定厚度S的轉(zhuǎn)移層106而使 第一晶片101減薄(步驟S2，圖1C)，例如大約ΙΟμιη。在超出倒角邊的層或晶片的上 面和下面之間測量厚度S。在沖切操作之前優(yōu)選執(zhí)行減薄步驟。但是，將第一晶片減薄 的步驟仍然是可選的，也可以不執(zhí)行之前所述的減薄步驟而執(zhí)行沖切第一晶片的步驟。接下來，執(zhí)行沖切結(jié)構(gòu)100，主要包括除去包括倒角105的層106的環(huán)形部分， 倒角104在將第一晶片101減薄的過程中已經(jīng)被除去。根據(jù)本發(fā)明，沖切步驟從以下步 驟開始，即通過對層106的上表面(邊緣磨削)機械操作或機械加工來執(zhí)行的第一沖切步 驟(步驟S3，圖1D)。采用磨削裝置或任何其它工具可以進行機械操作，磨削裝置或任 何其它工具適于機械磨除層的材料。去除的環(huán)形部分的寬度M至少對應(yīng)于倒角延伸的寬 度。對于其直徑等于100mm、200mm和300mm的晶片而言，沖切寬度M通常在2mm 至8mm范圍以內(nèi)，優(yōu)選在2mm至5mm范圍以內(nèi)。在第一沖切步驟中，層106在小于層106的厚度s的深度Ed1上被沖擊。更確切 地說，深度Ed1等于或小于厚度S的50%。轉(zhuǎn)移層的厚度一般為大約Ιμιη至15μιη。 在所述第一步驟中的沖切深度例如在7 μ m至8 μ m的數(shù)量級，從而層的厚度為15 μ m。限制機械加工的深度可以減小層中以及層與第二晶片之間的鍵合界面上的加熱 和/或應(yīng)力。在圖ID中，以如垂直于襯底平面的概略方式顯示沖切層106的側(cè)面。但是， 依據(jù)所使用的磨削裝置的類型，沖切側(cè)面可以具有不同形狀的輪廓，即不是完全的直線 形，例如略微向內(nèi)彎曲的形狀。具體而言，當(dāng)磨削裝置或沖切輪在至少一個面上具有凹 槽時，就能獲得這樣向內(nèi)完全的側(cè)面。很顯然，由于存在這些凹槽，有利于將在沖切操 作中分布在輪上和靠近輪的被除去的材料排出，以及有利于液體循環(huán)(通常為水)。這進 一步限制了晶片邊緣處的加熱/應(yīng)力，并且能夠進一步改善沖切質(zhì)量。當(dāng)層或晶片的沖 切側(cè)面不具有近直線輪廓的情況下，第一沖切步驟的寬度(例如寬度id)至少對應(yīng)于晶片 或?qū)颖粵_擊的寬度(在沖切過程中，沖切寬度可以由此被略微減小)。然后，通過第二沖切步驟完成沖切，所述第二沖切步驟至少部分是非機械的， 即采用不同于涉及僅對層的材料用工具進行機械磨損操作或摩擦操作的技術(shù)的材料去除 技術(shù)(步驟S4，圖1E)。在與第一沖切步驟相同深度的寬度M以及至少對應(yīng)于層106的 剩余厚度的深度上執(zhí)行所述第二沖切步驟(即，S-Zd1)。具體而言，可以通過已知為濕法蝕刻的化學(xué)蝕刻執(zhí)行所述第二沖切步驟。化學(xué) 蝕刻液被選為具有沖擊材料的功能。例如，由于是硅材料，可以使用氫氧化四甲基銨 (TMAH)蝕刻液。也可以采用反應(yīng)離子蝕刻(也稱為“等離子蝕刻”或“干法蝕刻”)執(zhí)行所述第 二沖切步驟。該蝕刻技術(shù)為所屬領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知。概括而言，這是一種物理化學(xué)蝕 刻技術(shù)，其在離子化氣體與將被蝕刻的晶片或?qū)拥谋砻嬷g應(yīng)用離子轟擊和化學(xué)反應(yīng)。 氣體原子與層或晶片的原子反應(yīng)以形成由泵吸裝置排空的新的揮發(fā)物種。也可以通過化學(xué)機械拋光(CMP)執(zhí)行所述第二沖切步驟，一種已知的拋光技術(shù) 采用與含有能夠化學(xué)沖擊層的表面的試劑(例如NH4OH)以及機械沖擊所述表面的研磨微 粒(例如硅石微粒)兩者的結(jié)合拋光液的織物。與完全是非機械的干法與濕法蝕刻技術(shù) 不同，化學(xué)機械拋光僅僅部分是非機械的，但是與完全是機械沖切(例如磨削)相比，化學(xué)機械拋光可以限制晶片上的力和加熱。依據(jù)又一實施方式，在所述第一沖切步驟之后，通過破碎或破裂將被沖切的剩 余部分來執(zhí)行第二沖切步驟。通過對剩余部分施加壓力或破裂力，例如使用支撐工具、 噴水、激光等，可以破碎該剩余部分。本發(fā)明的沖切方法所屬的特定非唯一領(lǐng)域是制造三維結(jié)構(gòu)。以下參照圖3A至3F和圖4來描述制造三維結(jié)構(gòu)的方法，依據(jù)本發(fā)明的一個實施 方式，通過轉(zhuǎn)移到在初始襯底上形成的微部件層的支撐件上來制造三維結(jié)構(gòu)。制造三維結(jié)構(gòu)始于以下步驟在第一晶片200的表面上形成第一系列微部件 204，該第一晶片200的邊緣具有上倒角206和下倒角205 (圖3A，步驟Si)。在此描述 的示例中，第一晶片200是多層SOI型結(jié)構(gòu)，即其包括置于襯底203上的硅層201，存在 于層201和襯底203之間的掩埋氧化層202 (例如，SiO2層)，其中襯底203也是硅材料。 晶片200的厚度大約為600 μ m至900 μ m。對于直徑為200mm(8英寸)的晶片而言， 標(biāo)準(zhǔn)厚度為725 μ m。微部件204通過光刻形成，采用能夠限定形成對應(yīng)于將被制造的微部件的線飾 的區(qū)域的掩模。第一晶片200的面包括考慮分子鍵合的鍵合技術(shù)將其與第二晶片300的面緊密接 觸的微部件204 (步驟S2，圖3B)。晶片300的厚度為大約725 μ m。以與第一晶片200 相同的方式，第二晶片300的邊緣具有上倒角301和下倒角302。氧化層207，例如由 SiO2形成，也形成與包括微部件204的第一晶片200的面上。在此所述的示例中，第一 晶片200和第二晶片300的直徑為200mm。在鍵合之后，并且如圖3C所示，第一晶片200被減薄以去除微部件層204上的 部分第一晶片(步驟S3)，即襯底203。在該方法的這一階段，掩埋層202被優(yōu)選保留， 以便保護部件不被可能的污染物、微粒等損壞。第一晶片200可以被減薄，特別是通過 磨削或化學(xué)機械拋光(CMP)襯底203的步驟，其停止于距離鍵合界面50 μ m處，隨后是 化學(xué)沖擊到掩埋氧化層202的步驟，例如通過由TMAH或KOH蝕刻來實現(xiàn)。減薄也可 以通過以下方法來實現(xiàn)，即沿之前在由原子注入的晶片200中形成的弱化平面分裂或破 裂。有利地，掩埋絕緣層202用于限定剩余的晶片200的厚度。在減薄步驟之后，晶片 200的厚度￡為大約10 μ m。在其它情況下，晶片200的厚度s可為Iym至15ym。因此獲得復(fù)合結(jié)構(gòu)500，其由第二晶片300以及第一晶片200的剩余部分形成。依據(jù)本發(fā)明，執(zhí)行機械沖切結(jié)構(gòu)500的第一步驟，包括去除晶片200的環(huán)形部分 (步驟S4，圖3D)。使用磨削裝置400、在旋轉(zhuǎn)平面(未示出)中支撐的結(jié)構(gòu)500來執(zhí)行 第一沖切步驟。如圖5所示，磨削裝置400的下面被構(gòu)造為具有凹槽410。如上所述， 已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，具有這種結(jié)構(gòu)面的磨削裝置可以限制加熱和應(yīng)力。很顯然，也可以采用不具 有這種結(jié)構(gòu)面的磨削裝置來執(zhí)行沖切。在第一沖切步驟中，結(jié)構(gòu)200在大約4mm的寬度M以及大約5ym的深度Ed1 上被沖擊，由此意味著在此描述的示例中能夠充分減小加熱和/或應(yīng)力以防止出現(xiàn)宏剝 落和/或微剝落。然后由第二非機械沖切步驟完成沖切，該第二沖切步驟由采用例如TMAH溶液 的化學(xué)蝕刻執(zhí)行。在寬度M以及深度E4上執(zhí)行所述第二沖切步驟，該深度包括層201的剩余厚度以及第二層300的厚度(步驟S5，圖3E)。一旦沖切結(jié)構(gòu)500已經(jīng)結(jié)束，在已經(jīng)移走層202之后，第二層微部件214將形成 于層201的暴露表面(圖3F，步驟S6)。在上述的示例中，對準(zhǔn)掩埋的微部件204形成 微部件214。為此采用光刻掩模技術(shù)；其類似于形成微部件204的光刻掩模技術(shù)。在一個變形中，通過層的堆疊，即通過將一層或多層附加的層轉(zhuǎn)移到層201上 來形成三維結(jié)構(gòu)，其中每個附加層與直接鄰接的層或多層對準(zhǔn)。對每層轉(zhuǎn)移層執(zhí)行本發(fā) 明的兩步?jīng)_切方法。此外，在附加層的每一步轉(zhuǎn)移之前，可以將一層氧化層沉積到暴露 層之上，例如一層正硅酸乙酯(TEOS)氧化層，以便有助于組合以及防止沖切區(qū)域隨后 被化學(xué)沖擊(對于該區(qū)域，下方晶片的材料暴露)。依據(jù)特定實施方式，微部件層中的其中一層具體可以包括圖像傳感器。依據(jù)另一實施方式，在將第二支撐晶片與構(gòu)成轉(zhuǎn)移層的第一晶片組合起來之 前，已經(jīng)在第二支撐晶片中形成部件。
權(quán)利要求
1.一種沖切結(jié)構(gòu)(100)的方法，該沖切結(jié)構(gòu)(100)包括鍵合到第二晶片(102)的第 一晶片(101)，該第一晶片(101)具有倒角邊(104、105)并且包含部件(103)，該方法包 括在該第一晶片(101)中的預(yù)定深度(Ed1)上通過機械加工執(zhí)行沖切該第一晶片(101)的 邊緣的第一步驟，以及之后執(zhí)行的在該第一晶片的至少剩余厚度上非機械沖切的第二步 驟，所述第一沖切步驟由在其下表面包括凹槽的磨削裝置執(zhí)行。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一沖切步驟僅通過機械磨損該第一 晶片(101)的材料而執(zhí)行。
3.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，在所述第一沖切步驟中，在該第一晶 片厚度的50%處或更淺處機械加工該第一晶片(101)。
4.如權(quán)利要求1至3中任意一項所述的方法，其特征在于，在寬度(M)上執(zhí)行所述 第一沖切步驟和第二沖切步驟，其中該寬度至少等于該倒角邊延伸的寬度。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，在范圍在2_至8mm的寬度(M)上執(zhí) 行所述第一沖切步驟和所述第二沖切步驟。
6.如權(quán)利要求1至5中任意一項所述的方法，其特征在于，通過化學(xué)蝕刻執(zhí)行所述第 二沖切步驟。
7.如權(quán)利要求1至5中任意一項所述的方法，其特征在于，通過等離子蝕刻執(zhí)行所述 第二沖切步驟。
8.如權(quán)利要求1至5中任意一項所述的方法，其特征在于，通過化學(xué)機械拋光執(zhí)行所 述第二沖切步驟。
9.如權(quán)利要求1至5中任意一項所述的方法，其特征在于，在所述第一沖切步驟之 后，通過破碎或破損將要沖切的剩余部分來執(zhí)行所述第二沖切步驟。
10.—種制造三維復(fù)合結(jié)構(gòu)(500)的方法，包括至少一步在第一晶片(200)的一面上 制造一層部件層(204)的步驟，將該第一晶片(200)的包括部件層(204)的一面鍵合到第 二晶片(300)上的步驟，以及根據(jù)如權(quán)利要求1至9中任意一項所述的沖切方法執(zhí)行的至 少沖切該第一晶片(200)的步驟。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，該方法包括在所述鍵合步驟之后的將該 第一晶片(200)減薄的步驟。
12.如權(quán)利要求10或11所述的方法，其特征在于，該方法還包括在與包含該第一部 件層(204)的面相反的該第一晶片(200)的面上制造第二微部件層(214)的步驟。
13.如權(quán)利要求10至12中任意一項所述的方法，其特征在于，該方法包括在所述鍵 合步驟之前的在包含第一部件層(204)的該第一晶片(200)的面上形成氧化層(207)的步 馬聚ο
14.如權(quán)利要求10至13中任意一項所述的方法，其特征在于，該第一晶片(200)是SOI型結(jié)構(gòu)。
15.如權(quán)利要求10至14中任意一項所述的方法，其特征在于，至少第一部件層(204) 包括圖像傳感器。
全文摘要
本發(fā)明涉及沖切結(jié)構(gòu)(500)的方法，該結(jié)構(gòu)(500)包括鍵合到第二晶片(300)的第一晶片(200)，該第一晶片(200)具有倒角邊。該方法包括在該第一晶片中的預(yù)定深度(Pd1)上通過機械加工執(zhí)行沖切該第一晶片(200)的邊緣的第一步驟(S4)。在所述第一沖切步驟之后，執(zhí)行在該第一晶片的至少剩余厚度上非機械沖切的第二步驟(S5)。
文檔編號H01L21/302GK102017090SQ200980115479
公開日2011年4月13日 申請日期2009年7月31日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月2日
發(fā)明者E·內(nèi)雷, M·布魯卡特, M·米熱蒂, S·莫利納里 申請人:S.O.I.Tec絕緣體上硅技術(shù)公司