專(zhuān)利名稱(chēng)：發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)一般包括一個(gè)發(fā)光二極管芯片，及位于該發(fā)光光二極 管芯片兩外表面的二個(gè)電極及用以封裝保護(hù)該發(fā)光二極管芯片及電極的壓克力或環(huán)氧樹(shù) 脂等膠體材料。但是，該封裝結(jié)構(gòu)的兩個(gè)電極一般利用金或銅等不透明的金屬材料制成，這降低 了發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的出光效率。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，有必要提供一種可提升出光效率的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制造方 法。一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其包括封裝體和位于該封裝體內(nèi)的發(fā)光單元，其中，該 發(fā)光單元包括一個(gè)第一碳納米管薄膜電極層、位于該第一碳納米管薄膜電極層上的至少兩 個(gè)發(fā)光二極管芯片以及一個(gè)位于該至少兩個(gè)發(fā)光二極管芯片上且透明的第二碳納米管薄 膜電極層。一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其包括提供一個(gè)發(fā)光二極管芯片結(jié)構(gòu)，其包括一個(gè)基板及一個(gè)位于該基板上的發(fā)光二極 管芯片層；蝕刻該發(fā)光二極管芯片層以形成至少兩個(gè)發(fā)光二極管芯片；在該至少兩個(gè)發(fā)光二極管芯片的表面形成一個(gè)透明的第二碳納米管薄膜電極 層；去除該基板；在該至少兩個(gè)發(fā)光二極管芯片的另一個(gè)表面形成第一碳納米管薄膜電極層；及封裝該發(fā)光二極管芯片結(jié)構(gòu)。一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其包括封裝體和位于該封裝體內(nèi)的發(fā)光單元。其中，該 發(fā)光單元包括一個(gè)第一碳納米管薄膜電極層、位于該第一碳納米管薄膜電極層上的一個(gè)發(fā) 光二極管芯片以及一個(gè)位于該發(fā)光二極管芯片上且透明的第二碳納米管薄膜電極層。所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法，通過(guò)以碳納米管薄膜作為電極層，因 碳納米管薄膜具有導(dǎo)電性及透光性，使該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)提升了出光效率。


圖1為本發(fā)明第一實(shí)施方式提供的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的截面示意圖。圖2為圖1的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的部分平面示意圖。圖3為本發(fā)明第一實(shí)施方式中碳納米管薄膜制備方法的裝置示意圖。
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圖4為本發(fā)明第二實(shí)施方式提供的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法流程圖。圖5a至圖5h為圖4中的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法的流程示意圖。圖6為本發(fā)明第三實(shí)施方式提供的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的截面示意圖。圖7為本發(fā)明其它實(shí)施方式提供的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的部分平面示意圖。
具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。請(qǐng)參閱圖1及圖2，本發(fā)明第一實(shí)施方式提供的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)20包括 一個(gè)封裝體22，位于封裝體22內(nèi)的發(fā)光單元24。該封裝體22可選用壓克力或環(huán)氧樹(shù)脂等材料制成以封裝保護(hù)該發(fā)光單元24不受 外部環(huán)境侵蝕。本實(shí)施方式中，該發(fā)光單元24為發(fā)出白光的發(fā)光單元，其包括一個(gè)光反射層200， 一個(gè)位于該光射層200上的第一碳納米管薄膜電極層202，多個(gè)呈矩陣排列在該第一碳納 米管薄膜電極層202上的發(fā)光二極管芯片204(見(jiàn)圖2)，一個(gè)位于該多個(gè)發(fā)光二極管芯片 204上且透明的第二碳納米管薄膜電極層206及一個(gè)位于該第二碳納米管薄膜電極層206 上的熒光層208。該光反射層200為銀反射層，其厚度為20 25微米，其用于將發(fā)光二極管芯片 204的出射光反射至該發(fā)光單元24的出光面24a，以充分利用發(fā)光二極管芯片204的出射 光，提高光線(xiàn)利用率。該發(fā)光二極管芯片204為藍(lán)光發(fā)光二極管芯片，對(duì)應(yīng)地，該熒光層208為混有釔 鋁石榴石晶體(YAG)熒光粉的光學(xué)膠層，如混有YAG熒光粉的環(huán)氧樹(shù)脂等。藍(lán)光發(fā)光二極 管芯片204所發(fā)出藍(lán)光之波長(zhǎng)約為400 530納米，利用藍(lán)光發(fā)光二極管芯片204所發(fā)出 的光線(xiàn)激發(fā)YAG熒光粉產(chǎn)生黃色光。然后，藍(lán)色光配合上熒光粉所發(fā)出的黃色光，即形成白 光?？梢岳斫猓谄渌鼘?shí)施方式中，該熒光層208可以去除或?yàn)榛旌嫌衅渌牧系臒晒夥郏?因此，該發(fā)光單元24發(fā)出的光為發(fā)光二極管芯片204本身的光或與相應(yīng)的熒光粉激發(fā)的光 的混合光。發(fā)光二極管芯片204包括一個(gè)具有微結(jié)構(gòu)204b的出光面204a及與出光面204a相 背的底面204c。該第二碳納米管薄膜電極層206位于該多個(gè)發(fā)光二極管芯片204的出光面 204a上，該第一碳納米管薄膜電極層202位于該多個(gè)發(fā)光二極管芯片204的底面204c上。 該出光面204a的面積約為1平方毫米(長(zhǎng)與寬均約為1毫米)，發(fā)光二極管芯片204的厚 度約為200微米以上。該微結(jié)構(gòu)204b為形成在該出光面204a的多個(gè)圓錐形凹槽204b，該 凹槽204b可有效地將出射光導(dǎo)向出光面204a上方，從而使該發(fā)光單元24的光集中，增強(qiáng) 照明亮度。該凹槽204b的深度為3 10微米。因在發(fā)光二極管芯片的出光面204a開(kāi)設(shè)凹 槽204b，當(dāng)?shù)诙技{米管薄膜電極層206放置于該多個(gè)發(fā)光二極管芯片204的出光面204a 上時(shí)，第二碳納米管薄膜電極層206靠近該發(fā)光二極管芯片204的出光面204a的碳納米管 薄膜層會(huì)鋪設(shè)在凹槽204b的內(nèi)壁，增加了發(fā)光二極管芯片204與第二碳納米管薄膜電極層 206的接觸面積，從而增加了發(fā)光二極管芯片204與第二碳納米管薄膜電極層206間的導(dǎo)電 率。該第一碳納米管薄膜電極層202及該第二碳納米管薄膜電極層206的碳納米管薄膜的制備方法包括直接生長(zhǎng)法、絮化法、碾壓法或拉膜法等其它方法。所述直接生長(zhǎng)法為用 化學(xué)氣相沉積法于一基板上生長(zhǎng)獲得碳納米管薄膜，該碳納米管薄膜為無(wú)序或有序碳納米 管薄膜，所述無(wú)序碳納米管薄膜中包括多個(gè)無(wú)序排列的碳納米管，所述有序碳納米管薄膜 中包括多個(gè)相互平行的碳納米管。所述絮化法制備碳納米管薄膜包括以下步驟將直接生 長(zhǎng)得到的碳納米管加入到溶劑中并進(jìn)行絮化處理獲得碳納米管絮狀結(jié)構(gòu)；以及將上述碳納 米管絮狀結(jié)構(gòu)從溶劑中分離，并對(duì)該碳納米管絮狀結(jié)構(gòu)定型處理以獲得碳納米管薄膜，該 碳納米管薄膜為無(wú)序碳納米管薄膜，且包括多個(gè)相互纏繞且各向同性的碳納米管。所述碾 壓法制備碳納米管薄膜包括以下步驟提供一碳納米管陣列形成于一基底；以及提供一施 壓裝置擠壓上述碳納米管陣列，從而得到碳納米管薄膜，該碳納米管薄膜為有序碳納米管 薄膜，且包括多個(gè)沿一個(gè)或多個(gè)方向擇優(yōu)取向排列的碳納米管。請(qǐng)參閱圖3，以拉膜法制備一碳納米管薄膜的方法作為例子加以說(shuō)明，該方法具體 包括以下步驟(一 )制備一碳納米管陣列116于一基底114上。本實(shí)施方式中，所述碳納米管陣列116為一超順排碳納米管陣列，該超順排碳納 米管陣列116的制備方法采用化學(xué)氣相沉積法，其具體步驟包括(a)提供一平整基底114， 該基底可選用P型或N型硅基底，或選用形成有氧化層的硅基底，本實(shí)施方式優(yōu)選為采用 4英寸的硅基底114 ;(b)在基底114表面均勻形成一催化劑層，該催化劑層材料可選用鐵 (Fe)、鈷(Co)、鎳(Ni)或其任意組合的合金之一 ；(c)將上述形成有催化劑層的基底114在 700 900°C的空氣中退火約30分鐘 90分鐘；(d)將處理過(guò)的基底114置于反應(yīng)爐中， 在保護(hù)氣體環(huán)境下加熱到500 740V，然后通入碳源氣體反應(yīng)約5 30分鐘，生長(zhǎng)得到超 順排碳納米管陣列116，其高度為200微米 400微米。該超順排碳納米管陣列116為多個(gè) 彼此平行且垂直于基底114生長(zhǎng)的碳納米管形成的純碳納米管陣列116。通過(guò)上述控制生 長(zhǎng)條件，該超順排碳納米管陣列116中基本不含有雜質(zhì)，如無(wú)定型碳或殘留的催化劑金屬 顆粒等。該碳納米管陣列116中的碳納米管彼此通過(guò)范德華力緊密接觸形成陣列。本實(shí)施 方式中碳源氣可選用乙炔等化學(xué)性質(zhì)較活潑的碳?xì)浠衔?，保護(hù)氣體可選用氮?dú)?、氨氣?惰性氣體。上述形成有碳納米管陣列116的基底114可固定于樣品臺(tái)110上。具體地可以選 用膠帶、粘結(jié)劑或機(jī)械方式固定基底114于樣品臺(tái)110上。( 二)采用一拉伸工具100從碳納米管陣列116中拉取獲得一碳納米管薄膜118。所述拉取獲得碳納米管薄膜118的方法具體包括以下步驟從上述碳納米管陣列 116中選定一定寬度的多個(gè)碳納米管片斷，將該多個(gè)碳納米管片段固定于拉伸工具100上， 本實(shí)施方式優(yōu)選為采用具有一定寬度的膠帶接觸碳納米管陣列116以選定一定寬度的多 個(gè)碳納米管片斷；以一定速度沿基本垂直于碳納米管陣列116生長(zhǎng)方向拉伸該多個(gè)碳納米 管片斷，以形成一連續(xù)的碳納米管薄膜118。在上述拉伸過(guò)程中，該多個(gè)碳納米管片斷在拉力作用下沿拉伸方向逐漸脫離基底 114的同時(shí)，由于范德華力作用，該選定的多個(gè)碳納米管片斷分別與其他碳納米管片斷首尾 相連地連續(xù)地被拉出，從而形成一碳納米管薄膜118。碳納米管薄膜118為定向排列的多個(gè) 碳納米管束首尾相連形成的具有一定寬度的碳納米管薄膜118。該碳納米管薄膜118中碳 納米管的排列方向基本平行于該碳納米管薄膜118的拉伸方向。在上述選定多個(gè)碳納米管片段并拉伸的步驟中，由于該多個(gè)碳納米管片段的厚度很難控制，拉伸獲得的碳納米管薄 膜118厚度均勻性不佳，該碳納米管薄膜118中具有較多大直徑的碳納米管束，該大直徑的 碳納米管束的透光性差，從而使得拉伸獲得的該碳納米管薄膜118具有較差的透光性，該 碳納米管薄膜118的透光率最大為75%。該碳納米管薄膜118的寬度與碳納米管陣列116所生長(zhǎng)的基底114的尺寸有關(guān)， 該碳納米管薄膜118的長(zhǎng)度不限，可根據(jù)實(shí)際需求制得，厚度為0. 001微米 100微米。本 實(shí)施方式中，采用4英寸的基底114生長(zhǎng)超順排碳納米管陣列，該碳納米管薄膜118的寬度 可為1厘米 10厘米，厚度為0. 01微米 100微米。由于發(fā)光二極管芯片204的出射光要經(jīng)過(guò)該第二碳納米管薄膜電極層206向外出 射，因此對(duì)第二碳納米管薄膜電極層206的透光率要求較第一碳納米管薄膜電極層202的 透光率要高。在形成上述碳納米管薄膜后，制作該第二碳納米管薄膜電極層206時(shí)，還進(jìn)一 步要對(duì)該碳納米管薄膜進(jìn)行加熱處理，使該碳納米管薄膜118中的部分碳納米管被氧化， 使該碳納米管薄膜118變薄，從而提高透光率。具體地，為避免碳納米管薄膜118加熱時(shí)被破壞，所述加熱碳納米管薄膜118的方 法采用局部加熱法。其具體包括以下步驟局部加熱碳納米管薄膜，使碳納米管薄膜在局部 位置的部分碳納米管被氧化；移動(dòng)碳納米管被局部加熱的位置，從局部到整體實(shí)現(xiàn)整個(gè)碳 納米管薄膜的加熱。具體地，可將該碳納米管薄膜118分成多個(gè)小的區(qū)域，采用由局部到整 體的方式，逐區(qū)域地加熱該碳納米管薄膜118。所述局部加熱碳納米管薄膜118的方法可以 有多種，如激光加熱法、微波加熱法等等，如通過(guò)功率密度大于0. 1 X IO4瓦特/平方米的激 光掃描照射該碳納米管薄膜118，由局部到整體的加熱該碳納米管薄膜118，由于碳納米管 對(duì)激光具有較好吸收特性，該碳納米管薄膜118中具有較大直徑的碳納米管束將會(huì)吸收較 多的熱量，從而被氧化，使得該碳納米管薄膜118的透光性大幅度上升，本例子中的激光照 射后的碳納米管薄膜118的透光性可以大于75%。為了增加碳納米管薄膜電極層的導(dǎo)電率，本實(shí)施方式中，該第一碳納米管薄膜電 極層202及第二碳納米管薄膜電極層206均由兩層碳納米管薄膜118相互垂直疊交，并且 在疊交之處選擇性地點(diǎn)上銀膠而形成。此處“兩層碳納米管薄膜相互垂直”是指在一個(gè)碳 納米管薄膜層118中的碳納米管的排列方向與另一個(gè)碳納米管薄膜層118中的碳納米管的 排列方向大致垂直。由于對(duì)第一碳納米管薄膜電極層202的透光率要求較低，同時(shí)對(duì)第一碳納米管薄 膜電極層202對(duì)于發(fā)光二極管芯片204的散熱要求比對(duì)第二碳納米管薄膜電極層206的散 熱要求高，因此，在制造第一碳納米管薄膜電極層202時(shí)，可不對(duì)該第一碳納米管薄膜電極 層202進(jìn)行加熱處理，其目的是，相對(duì)于第二碳納米管薄膜電極層206，增加了該第一碳納 米管薄膜電極層202中的碳納米管的密度使第一碳納米管薄膜電極層202的厚度增加，以 增加導(dǎo)熱系數(shù)。因此，本實(shí)施方式中，第一碳納米管薄膜電極層202的厚度大于第二碳納米 管薄膜電極層206的厚度。為了進(jìn)一步增加發(fā)光二極管芯片204分別與第一碳納米管薄膜電極層202及第二 碳納米管薄膜電極層206的連接強(qiáng)度(包括電性連接強(qiáng)度與機(jī)構(gòu)連接強(qiáng)度)，可以分別在發(fā) 光二極管芯片204與第一碳納米管薄膜電極層202之間，及發(fā)光二極管芯片204與第二碳 納米管薄膜電極層206之間使用錫球焊接的方式進(jìn)行連接。較佳地，為較少影響發(fā)光單元24的出光效率，可使用粒徑為20 50微米的錫球在所需固接的位置進(jìn)行連接。在其它實(shí) 施方式中，可以使用透明的導(dǎo)電膠連接方式替換上述的錫球焊接方式，在發(fā)光二極管芯片 的出光面204a及底面204c上選擇性地點(diǎn)上導(dǎo)電膠，以固牢電極層202、206。請(qǐng)參閱圖4、圖5a至圖5h，本發(fā)明第二實(shí)施方式提供的一種上述發(fā)光二極管封裝 結(jié)構(gòu)20的制造方法，其包括步驟SlOO 提供一個(gè)發(fā)光二極管芯片結(jié)構(gòu)30，其包括一個(gè)基板32及一個(gè)位于該基 板32上的發(fā)光二極管芯片層34。步驟S102 蝕刻該發(fā)光二極管芯片層34以將該發(fā)光二極管芯片層34的表面34a 形成微結(jié)構(gòu)204b及形成多個(gè)相互間隔的發(fā)光二極管芯片204，該多個(gè)發(fā)光二極管芯片204 的表面204a具有該微結(jié)構(gòu)204b。步驟S104 在該多個(gè)發(fā)光二極管芯片204的該表面204a依次形成透明的第二碳 納米管薄膜電極層206及一個(gè)熒光層208。步驟S106 去除該基板32。步驟S108 在該多個(gè)發(fā)光二極管芯片204的底面204c形成第一碳納米管薄膜電 極層202。步驟SllO 在該第一碳納米管薄膜電極層202的外表面202a形成一個(gè)光反射層 200。步驟S112 封裝該發(fā)光二極管芯片結(jié)構(gòu)30以形成該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)20。在步驟SlOO中，該發(fā)光二極管芯片結(jié)構(gòu)30為藍(lán)光發(fā)光二極管芯片結(jié)構(gòu)。在步驟 S102中，參圖5b至圖5d，可采用等離子體蝕刻法對(duì)該發(fā)光二極管芯片層34進(jìn)行蝕刻以在 該發(fā)光二極管芯片層34的表面34a形成微結(jié)構(gòu)204b，及形成多個(gè)相互間隔的發(fā)光二極管芯 片204。該微結(jié)構(gòu)204b為形成在該表面34a的多個(gè)圓錐形凹槽204b。較佳地，可采用電感 耦合等離子體法(Inductively Coupled Plasma，I CP)進(jìn)行上述的蝕刻，控制蝕刻參數(shù)及選 擇合適的光阻層圖案對(duì)凹槽204b的深度及形狀進(jìn)行蝕刻。在形成多個(gè)相互間隔的發(fā)光二 極管芯片204時(shí)，可在發(fā)光二極管芯片層34的表面34a設(shè)置光阻層400，該光阻層400開(kāi)設(shè) 多個(gè)通孔402以構(gòu)成對(duì)該發(fā)光二極管芯片層34蝕刻的圖案。在步驟S104中，該熒光層208為混有YAG熒光粉的光學(xué)膠層鋪設(shè)于該第二碳納米 管薄膜電極層206之上而形成熒光層208?？梢岳斫猓摕晒鈱?08還可選用其它結(jié)構(gòu)的熒 光層。在步驟S106中，可采用激光加熱法作用于該發(fā)光二極管芯片204與該基板32之間 的連接面以去除基板32。在完成步驟106后，可將該發(fā)光二極管芯片204翻轉(zhuǎn)后再鋪上該第一碳納米管薄 膜電極層202。在步驟SllO中，該光反射層為銀反射層200，并可通過(guò)濺鍍方式將該銀反射 層200形成在該第一碳納米管薄膜電極層202的外表面202a上。在步驟S112中，采用壓克力或環(huán)氧樹(shù)脂等封裝體22對(duì)該發(fā)光二極管芯片結(jié)構(gòu)30 進(jìn)行封裝。另外，在該步驟中，可對(duì)該封裝體22進(jìn)行光學(xué)設(shè)計(jì)，對(duì)該發(fā)光二極管芯片結(jié)構(gòu)30 進(jìn)行散熱設(shè)計(jì)，引腳引線(xiàn)設(shè)計(jì)等以滿(mǎn)足實(shí)際需要。在步驟S104及步驟S108中，還可以分別 在發(fā)光二極管芯片204與第一碳納米管薄膜電極層202之間，及發(fā)光二極管芯片204與第 二碳納米管薄膜電極層206之間使用錫球焊接的方式進(jìn)行連接。綜上所述，本發(fā)明實(shí)施方式提供的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法，通過(guò)以碳
8納米管薄膜作為電極層，因碳納米管薄膜具有透光性及導(dǎo)電性，使該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu) 提升了出光效率。同時(shí)，因多個(gè)發(fā)光二極管芯片形成在該第一碳納米管薄膜電極層上，使得 整個(gè)發(fā)光單元在制作完成后封裝前，具有較佳的可撓性，適用于其它非平面的結(jié)構(gòu)，如弧形 柱壁等。另外，碳納米管薄膜也具有導(dǎo)熱性，因此，該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)具有較好的散熱 性能。請(qǐng)參閱圖6，為本發(fā)明第三實(shí)施方式提供的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)50。該發(fā)光 二極管封裝結(jié)構(gòu)50包括封裝體52和位于該封裝體52內(nèi)的發(fā)光單元54。該發(fā)光單元54包 括一個(gè)光反射層500，一個(gè)位于該光射層500上的第一碳納米管薄膜電極層502，一個(gè)位于 該第一碳納米管薄膜電極層502上的發(fā)光二極管芯片504，一個(gè)位于該發(fā)光二極管芯片504 上且透明的第二碳納米管薄膜電極層506及一個(gè)位于該第二碳納米管薄膜電極層506上的 熒光層508。本實(shí)施方式的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)50，可由本發(fā)明的第二實(shí)施方式中的制造方法 中所形成的多個(gè)發(fā)光二極管芯片204切割成單個(gè)發(fā)光二極管芯片504，然后進(jìn)行封裝所得 到/或封裝后再進(jìn)行切割所得到。另外，本領(lǐng)域技術(shù)人員還可以在本發(fā)明精神內(nèi)做其它變化，如在其它實(shí)施方式中， 如圖7所示，該多個(gè)發(fā)光二極管芯片204也為條狀，并沿一個(gè)方向順序排列在該第一碳納米 管薄膜電極層202上。這取決于在制造該多個(gè)發(fā)光二極管芯片204時(shí)，所選擇的光阻層400 的圖案；及視實(shí)際所需，第一碳納米管薄膜電極層202及/或第二碳納米管薄膜電極層206 只包括一個(gè)碳納米管薄膜層等。當(dāng)然，這些依據(jù)本發(fā)明精神所做的變化，都應(yīng)包含在本發(fā)明 所要求保護(hù)的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其包括封裝體和位于該封裝體內(nèi)的發(fā)光單元，其特征在 于，該發(fā)光單元包括一個(gè)第一碳納米管薄膜電極層、位于該第一碳納米管薄膜電極層上的 至少兩個(gè)發(fā)光二極管芯片以及一個(gè)位于該至少兩個(gè)發(fā)光二極管芯片上且透明的第二碳納 米管薄膜電極層。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一碳納米管薄膜電極 層的厚度大于該第二碳納米管薄膜電極層的厚度。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，每個(gè)該發(fā)光二極管芯片包 括一個(gè)具有微結(jié)構(gòu)的出光面，該第二碳納米管薄膜電極層位于該出光面上。
4.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該微結(jié)構(gòu)為形成在該出光 面的多個(gè)凹槽，該多個(gè)凹槽的內(nèi)壁分布有該第二碳納米管薄膜電極層。
5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)還 包括一個(gè)形成在該第二碳納米管薄膜電極層上的熒光層。
6.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該至少兩個(gè)發(fā)光二極管芯 片均為藍(lán)光發(fā)光二極管芯片。
7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)還 包括一個(gè)形成在該第一碳納米管薄膜電極層外表面的光反射層。
8.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一碳納米管薄膜電極 層及該第二碳納米管薄膜電極層均包括兩個(gè)碳納米管薄膜層，該兩個(gè)碳納米管薄膜層的碳 納米管的排列方向大致相互垂直。
9.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其包括提供一個(gè)發(fā)光二極管芯片結(jié)構(gòu)，其包括一個(gè)基板及一個(gè)位于該基板上的發(fā)光二極管芯 片層；蝕刻該發(fā)光二極管芯片層以形成至少兩個(gè)發(fā)光二極管芯片；在該至少兩個(gè)發(fā)光二極管芯片的表面形成一個(gè)透明的第二碳納米管薄膜電極層；去除該基板；在該至少兩個(gè)發(fā)光二極管芯片的另一個(gè)表面形成第一碳納米管薄膜電極層；及封裝該發(fā)光二極管芯片結(jié)構(gòu)。
10.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，在蝕刻以形成 該至少兩個(gè)發(fā)光二極管芯片前還包括在該發(fā)光二極管芯片層的表面形成微結(jié)構(gòu)。
11.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，在封裝該發(fā)光 二極管芯片結(jié)構(gòu)前還包括在該第一碳納米管薄膜電極層的外表面形成一個(gè)光反射層。
12.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該第一碳納米 管薄膜電極層及該第二碳納米管薄膜電極層均包括兩個(gè)碳納米管薄膜層，該兩個(gè)碳納米管 薄膜層的碳納米管的排列方向大致相互垂直。
13.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其包括封裝體和位于該封裝體內(nèi)的發(fā)光單元，其特征在 于，該發(fā)光單元包括一個(gè)第一碳納米管薄膜電極層、位于該第一碳納米管薄膜電極層上的 一個(gè)發(fā)光二極管芯片以及一個(gè)位于該發(fā)光二極管芯片上且透明的第二碳納米管薄膜電極 層。
14.如權(quán)利要求13所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一碳納米管薄膜電極層的厚度大于該第二碳納米管薄膜電極層的厚度。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其包括封裝體和位于該封裝體內(nèi)的發(fā)光單元，其中，該發(fā)光單元包括一個(gè)第一碳納米管薄膜電極層、位于該第一碳納米管薄膜電極層上的至少兩個(gè)發(fā)光二極管芯片以及一個(gè)位于該至少兩個(gè)發(fā)光二極管芯片上且透明的第二碳納米管薄膜電極層。該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)通過(guò)以碳納米管薄膜作為電極層，因碳納米管薄膜具有導(dǎo)電性及透光性，使該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)提升了出光效率。本發(fā)明還涉及一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法。
文檔編號(hào)H01L25/075GK102005443SQ20091030647
公開(kāi)日2011年4月6日 申請(qǐng)日期2009年9月2日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月2日
發(fā)明者駱世平 申請(qǐng)人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司