專利名稱：：一種oled顯示器件的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及發(fā)光顯示器件的制備方法，特別涉及一種OLED(有機(jī)電致發(fā)光二極管)顯示器件的制備方法。
背景技術(shù)：
：近年來，作為新型自發(fā)光式顯示器，OLED顯示器件的開發(fā)一直在加速地進(jìn)行。有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的基本結(jié)構(gòu)為在透明基板的上邊，按照順序形成由透明電極構(gòu)成的陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子發(fā)光層及陰極的構(gòu)造。在該構(gòu)造的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件中，電子和孔穴在發(fā)光層結(jié)合產(chǎn)生輻射發(fā)光。有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的內(nèi)層結(jié)構(gòu)變化、制備工藝調(diào)整直接影響到顯示器件的色彩性能、發(fā)光效率及壽命，因此，有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的制備方法一直是人們關(guān)注及研究的重點(diǎn)。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種OLED顯示器件新的制備方法，采用該方法制備的OLED顯示器件可以發(fā)出白光，該白光OLED顯示器件可用于照明領(lǐng)域及全彩色顯示領(lǐng)域。當(dāng)應(yīng)用于照明領(lǐng)域時，直接采用本發(fā)明方法即可完成白光照明產(chǎn)品的制備；當(dāng)應(yīng)用于全彩色顯示領(lǐng)域時，采用本發(fā)明方法制備的OLED顯示器件發(fā)出白光，通過貼附紅、綠、藍(lán)三基色彩色濾光片即可完成全彩色0LED顯示器件的制備。為達(dá)到以上目的，本發(fā)明是采取如下技術(shù)方案予以實現(xiàn)的—種0LED顯示器件的制備方法，其特征在于，包括下述步驟(1)在潔凈的IT0導(dǎo)電玻璃基板上制備IT0陽極圖形；(2)在制備好ITO陽極圖形的導(dǎo)電玻璃基板上，采用磁控濺射工藝制備厚度為0.l-10nm的ZnSe緩沖層；(3)在ZnSe緩沖層上采用真空蒸鍍工藝蒸鍍厚度為10-50nmNPB空穴傳輸層；(4)在NPB空穴傳輸層上，采用真空蒸鍍工藝蒸鍍厚度為50-80nm的NPB-Rubrene-Zn(BTZ)2發(fā)光層，其中Zn(BTZ)2為主體發(fā)光材料、NPB及Rubrene為摻雜材料；(5)在NPB-Rubrene-Zn(BTZ)2發(fā)光層上，采用真空蒸鍍的方法依次蒸鍍厚度分別0.l-5nm和40-100nmLiF層和Al層，制成陰電極；(6)采用封裝蓋板對已制好各層進(jìn)行整體封裝，完成OLED顯示器件制備。上述方法中，所述NPB-Rubrene-Zn(BTZ)2發(fā)光層中，按重量百分比NPB為0.01-1.0%，Rubrene為O.01-2.0%，余量為Zn(BTZ)2。所述步驟(3)中，真空度為5*10—5Pa，NPB沉積速率為0.1-1.5nm/s。所述步驟(4)中，真空度為5*10—5Pa，NPB-Rubrene-Zn(BTZ)2沉積速率為0.1-2.Onm/s。所述步驟(5)中，真空度為5*10—5Pa，LiF層和Al層沉積速率為0.1-10.Onm/s。本發(fā)明在陽極與空穴傳輸層之間插入了厚度為0.1-lOnmZnSe緩沖層，ZnSe緩沖層的加入可有效地降低空穴載流子到達(dá)發(fā)光層的速率，使得空穴與電子在0LED顯示器件中能夠平衡注入，從而降低了OLED顯示器件的啟動電壓，改善器件發(fā)光效率。發(fā)光層采用Zn(BTZ)2為主體發(fā)光材料、NPB及Rubrene為摻雜材料。實現(xiàn)白光發(fā)射。在主體發(fā)光材料Zn(BTZ)2中摻入0.01-1.0%的NPB以及0.01-2.0%的Rubrene對發(fā)光顏色進(jìn)行調(diào)配。其中NPB的摻雜一方面降低了發(fā)光層與空穴傳輸層NPB之間的勢壘；另一方面NPB可向Rubrene發(fā)生forster能量轉(zhuǎn)移使Rubrene發(fā)出黃光。由Zn(BTZ)2發(fā)射的藍(lán)、綠光與Rubrene發(fā)出的黃光組合發(fā)出白光的光譜范圍寬，該白光的演色指數(shù)CRI高達(dá)75。以下結(jié)合具體實施方式對本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。圖1為本發(fā)明制備的OLED顯示器件結(jié)構(gòu)圖。圖中1、玻璃基板；2、IT0陽極圖形；3、ZnSe緩沖層;4、NPB空穴傳輸層；5、NPB-Rubrene-Zn(BTZ)2發(fā)光層;6、LiF層；7、Al層；8、封裝蓋板。具體實施例方式如圖1所示，本發(fā)明設(shè)計的OLED顯示器件結(jié)構(gòu)為ITO/ZnSe/NPB/NPB-Rubrene-Zn(BTZ)2/LiF/Al。其中ITO為氧化銦錫；ZnSe為硒化鋅；NPB為N，N，_雙(l-萘基)-N，N'-二苯基-l，l'-二苯基-4，4'-二胺；Rubrene為5，5，11，12_四苯基并四苯；Zn(BTZ)2為2-(2-羥基苯基)苯并噻唑螯合鋅；LiF為氟化鋰；A1為金屬鋁。以上OLED顯示器件的制備方法包括下述步驟1.在潔凈的導(dǎo)電基板1上光刻涂敷ITO陽極圖形2。2.在涂敷有ITO陽極圖形2的導(dǎo)電玻璃基板1上，采用磁控濺射的方法制備厚度為0.1-lOnm的ZnSe緩沖層3。3.采用真空蒸鍍的方法在ZnSe緩沖層3上蒸鍍NPB空穴傳輸層4。系統(tǒng)真空度在5*10—5Pa左右，NPB沉積速率為0.1-1.5nm/s，厚度為10_50nm。4.在NPB空穴傳輸層4上，采用真空蒸鍍的方法蒸鍍NPB-Rubrene-Zn(BTZ)2發(fā)光層5。其中Zn(BTZ)2為主體發(fā)光材料、NPB及Rubrene為摻雜材料。系統(tǒng)真空度維持在5*10—5Pa左右，沉積速率為0.1-2.Onm/s，厚度為50_80nm。NPB-Rubrene-Zn(BTZ)2發(fā)光層中，按重量百分比NPB為0.01_1.0%，Rubrene為0.01-2.0%，余量為Zn(BTZ)2，具體參見表1。5.在發(fā)光層上，采用真空蒸鍍的方法依次蒸鍍LiF層6和Al層7，制備OLED發(fā)光器件陰電極。系統(tǒng)真空度維持在5*10—spa左右，沉積速率為0.1-10.Onm/s，LiF和Al的厚度分別0.l_5nm和40-100nm。6.采用封裝蓋板8對各層進(jìn)行整體封裝，完成器件制備。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage5</column></row><table>以下為一具體制備實例1.在潔凈的導(dǎo)電基板1上光刻涂敷ITO陽極圖形2。2.在涂敷有ITO陽極圖形2的導(dǎo)電玻璃基板1上，采用磁控濺射的方法制備厚度為O.6nm的ZnSe緩沖層3。3.采用真空蒸鍍的方法在ZnSe緩沖層3上蒸鍍NPB空穴傳輸層4。系統(tǒng)真空度在5*10—5Pa左右，NPB沉積速率為0.5nm/s，厚度為20nm。4.在NPB空穴傳輸層4上，采用真空蒸鍍的方法蒸鍍NPB-Rubrene-Zn(BTZ)2發(fā)光層5。具體采用表1實施例3的組份。系統(tǒng)真空度維持在5*10—spa左右，沉積速率為0.3nm/s，厚度為65nm。5.在發(fā)光層上，采用真空蒸鍍的方法依次蒸鍍LiF層6和Al層7，制備0LED發(fā)光器件陰電極。系統(tǒng)真空度維持在5*10—5Pa左右，沉積速率為1.0nm/s，LiF和Al的厚度分別0.5nm禾卩80nm。6.采用封裝蓋板8對各層進(jìn)行整體封裝，完成器件制備。采用上述制備實例所得OLED顯示器件，發(fā)光強(qiáng)度為5000cd/m2，色坐標(biāo)(0.32，0.33)。權(quán)利要求一種OLED顯示器件的制備方法，其特征在于，包括下述步驟(1)在潔凈的ITO導(dǎo)電玻璃基板上制備ITO陽極圖形；(2)在制備好ITO陽極圖形的導(dǎo)電玻璃基板上，采用磁控濺射工藝制備厚度為0.1-10nm的ZnSe緩沖層；(3)在ZnSe緩沖層上采用真空蒸鍍工藝蒸鍍厚度為10-50nmNPB空穴傳輸層；(4)在NPB空穴傳輸層上，采用真空蒸鍍工藝蒸鍍厚度為50-80nm的NPB-Rubrene-Zn(BTZ)2發(fā)光層，其中Zn(BTZ)2為主體發(fā)光材料、NPB及Rubrene為摻雜材料；(5)在NPB-Rubrene-Zn(BTZ)2發(fā)光層上，采用真空蒸鍍的方法依次蒸鍍厚度分別0.1-5nm和40-100nmLiF層和Al層，制成陰電極；(6)采用封裝蓋板對已制好各層進(jìn)行整體封裝，完成OLED顯示器件制備。2.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示器件的制備方法，其特征在于，所述NPB-Rubrene-Zn(BTZ)2發(fā)光層中，按重量百分比，NPB為0.01_1.0%，Rubrene為0.01-2.0%，余量為Zn(BTZ)2。3.如權(quán)利要求1所述的0LED顯示器件的制備方法，其特征在于，所述步驟(3)中，真空度為5*10—5Pa，NPB沉積速率為0.1-1.5nm/s。4.如權(quán)利要求1所述的0LED顯示器件的制備方法，其特征在于，所述步驟(4)中，真空度為5*10—5Pa，NPB-Rubrene-Zn(BTZ)2沉積速率為0.1-2.Onm/s。5.如權(quán)利要求l所述的OLED顯示器件的制備方法，其特征在于，所述步驟(5)中，真空度為5*10—5Pa，LiF層和Al層沉積速率為0.1-10.Onm/s。全文摘要本發(fā)明公開了一種OLED顯示器件的制備方法，首先在潔凈的ITO導(dǎo)電玻璃基板上制備ITO陽極圖形；接著在制備好ITO陽極圖形的導(dǎo)電玻璃基板上，采用磁控濺射工藝制備厚度為0.1-10nm的ZnSe緩沖層；然后在ZnSe緩沖層上采用真空蒸鍍工藝蒸鍍厚度為10-50nmNPB空穴傳輸層；在NPB空穴傳輸層上，采用真空蒸鍍工藝蒸鍍厚度為50-80nm的NPB-Rubrene-Zn(BTZ)2發(fā)光層，其中Zn(BTZ)2為主體發(fā)光材料、NPB及Rubrene為摻雜材料；在NPB-Rubrene-Zn(BTZ)2發(fā)光層上，再采用真空蒸鍍的方法依次蒸鍍厚度分別0.1-5nm和40-100nmLiF層和Al層，制成陰電極；最后采用封裝蓋板對已制好各層進(jìn)行整體封裝，完成OLED顯示器件制備。文檔編號H01L51/56GK101740727SQ20091025448公開日2010年6月16日申請日期2009年12月24日優(yōu)先權(quán)日2009年12月24日發(fā)明者俞敏,張志剛申請人:彩虹集團(tuán)公司